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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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1. Gebiet der Erfindung
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Die vorliegende Erfindung betrifft eine Leiterplatte zum Montieren von elektronischen Komponenten, wie beispielsweise LSIs, Kondensatoren und Widerständen, darauf, insbesondere eine Leiterplatte mit einem Verdrahtungsmuster zum frühen Erkennen von Verschlechterung einer Leiterplatte, und ein Verfahren zur Herstellung der Leiterplatte.
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2. Beschreibung der verwandten Technik
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Industrielle Maschinen, wie beispielsweise Werkzeugmaschinen, müssen ihre Zuverlässigkeit für einen langen Zeitraum aufrechterhalten. Die Verschlechterung einer Leiterplatte innerhalb einer Maschine aufgrund von Umweltbelastung ist jedoch unvermeidlich. Zum Beispiel tritt in einer Werksumgebung, in welcher industrielle Maschinen verwendet werden, feuchter Dunst, der durch Schneidflüssigkeit verursacht wird, die bei der Verarbeitung eines Werkstücks entsteht, in ein Gehäuse von elektrischen und elektronischen Vorrichtungen, wie beispielsweise einer Steuerung, ein und lagert sich an einer Oberfläche einer Leiterplatte an, auf welcher elektronische Komponenten montiert sind. Es stellt sich das Problem, dass der Dunst ein Verdrahtungsmuster, das auf der Leiterplatte ausgebildet ist, aufgrund von Korrosion oder elektrischer Korrosion derart verschlechtert, dass ein Ausfall der elektrischen oder elektronischen Vorrichtungen herbeigeführt wird.
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Als ein Verfahren zur Erkennung solch einer Verschlechterung der Leiterplatte ist eine Technik bekannt, wobei für die Leiterplatte vorher ein Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung bereitgestellt wird, das eine Struktur aufweist, die sich früher als ein normales Verdrahtungsmuster verschlechtert, und durch Überwachen von elektronischen Eigenschaften des Verdrahtungsmusters zum Erkennen von Verschlechterung Vorauserkennung von Verschlechterung ermöglicht wird, bevor eine normale Funktion der Leiterplatte beeinträchtigt wird.
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10 ist eine Ansicht, die eine Querschnittsstruktur einer Leiterplatte darstellt, auf welcher ein herkömmliches Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung ausgebildet ist. Bei einer Leiterplatte 1 ist ein Verdrahtungsmuster 3 zum Erkennen von Verschlechterung auf einer Oberfläche eines Isolatorsubstrats 4 ausgebildet.
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Die Oberfläche des Isolatorsubstrats 4, auf welcher das Verdrahtungsmuster 3 zum Erkennen von Verschlechterung ausgebildet ist, ist von einem Lötresist 2 zusammen mit dem Verdrahtungsmuster 3 zum Erkennen von Verschlechterung bedeckt.
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Als eine Struktur des Verdrahtungsmusters zum Erkennen von Verschlechterung des Standes der Technik offenbart die ungeprüfte
japanische Patentanmeldeschrift Nr. 2001-251026 ein Verdrahtungsmuster mit einer schmaleren Breite als andere Verdrahtungsmuster und eine Verdrahtung mit einem schmaleren Isolierspalt. Ferner offenbart die ungeprüfte
japanische Patentanmeldschrift Nr. 2001-358429 eine Struktur, bei welcher Lötresist auf dem Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung zu einem dünnen Film geformt ist. Ferner offenbart die ungeprüfte
japanische Patentanmeldschrift Nr. 10-62476 eine Struktur, bei welcher von vornherein kein Lötresist auf dem Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung ausgebildet ist.
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Die Verschlechterung einer Leiterplatte aufgrund von Dunst von Schneidflüssigkeit oder dergleichen ist insbesondere in Bereichen signifikant, in welchen sich Dunst leicht ansammelt. Daher wird das Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung selbst in Fällen, in welchen Lötresist auf dem Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung dünn ausgebildet ist, kein Lötresist ausgebildet ist oder eine Breite oder ein Isolierspalt des Verdrahtungsmusters schmaler als nach dem Stand der Technik ausgeführt ist, nicht unbedingt zuerst verschlechtert, und es stellt sich das Problem, dass eine Richtlinie für vorbeugende Instandhaltung der Leiterplatte schwer zu erhalten ist. Ferner stellt sich das Problem, das eine Ausbeute in einem Leiterplattenherstellungsprozess verringert wird, wenn die Musterbreite oder der Isolierspalt extrem schmaler als das normale Verdrahtungsmuster ausgeführt wird.
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KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
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Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Leiterplatte bereitzustellen, die unter Berücksichtigung der zuvor beschriebenen Probleme des Standes der Technik zum frühzeitigen Erkennen von Verschlechterung imstande ist. Ferner ist es eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit einem Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung bereitzustellen, das zum Niederhalten der Verringerung der Ausbeute in einem Leiterplattenherstellungsprozess auf einer Mindestgrenze imstande ist. Eine Leiterplatte mit einem Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung durch die vorliegende Erfindung ist eine Leiterplatte, die aufweist: ein Isolatorsubstrat; eine Verdrahtungsmustergruppe, die auf dem Isolatorsubstrat ausgebildet ist und ein Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung aufweist, das einen Grad der Verschlechterung der Leiterplatte erkennt; und Lötresist, das die Verdrahtungsmustergruppe bedeckt und einen Dünnfilmabschnitt, in welchen eine Dicke des Lötresists vom Isolatorsubstrat gering ist, und einen Dickfilmabschnitt aufweist, in welchem die Dicke des Lötresists größer als der Dünnfilmabschnitt ist, und wobei das Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung im Dünnfilmabschnitt ausgebildet ist, dessen gesamter Umgebungsbereich oder teilweiser Umgebungsbereich vom Dickfilmabschnitt umgeben ist.
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Es kann angenommen werden, dass die Dicke des Lötresists des Dünnfilmabschnitts geringer als die Dicke des Verdrahtungsmusters der Verdrahtungsmustergruppe ausgeführt ist.
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Es kann angenommen werden, dass eine Breite des Verdrahtungsmusters zum Erkennen von Verschlechterung schmaler als eine Breite eines anderen Verdrahtungsmusters in der Verdrahtungsmustergruppe ausgeführt ist.
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Es kann angenommen werden, dass ein Teil oder die Gesamtheit des Dünnfilmabschnitts und der Dickfilmabschnitt voneinander beabstandet ausgebildet sind.
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Die Leiterplatte mit einem Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung durch die vorliegende Erfindung weist auf: ein Isolatorsubstrat; eine Verdrahtungsmustergruppe, die auf dem Isolatorsubstrat ausgebildet ist und ein Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung aufweist, das einen Grad der Verschlechterung der Leiterplatte erkennt; und ein Lötresist, das auf dem Isolatorsubstrat ausgebildet ist, wobei das Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung in einer Oberflächenregion des Isolatorsubstrats ausgebildet ist, deren gesamter Umgebungsbereich oder teilweiser Umgebungsbereich vom Lötresist umgeben ist, und nicht die Gesamtheit des Verdrahtungsmusters zum Erkennen von Verschlechterung mit dem Lötresist bedeckt ist.
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Die Leiterplatte mit einem Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung durch die vorliegende Erfindung weist auf: ein Isolatorsubstrat; eine Verdrahtungsmustergruppe, die auf dem Isolatorsubstrat ausgebildet ist und ein Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung aufweist, das einen Grad der Verschlechterung der Leiterplatte erkennt; und ein Lötresist, das auf dem Isolatorsubstrat ausgebildet ist, wobei das Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung auf einer Oberflächenregion des Isolatorsubstrats ausgebildet ist, deren gesamter Umgebungsbereich oder teilweiser Umgebungsbereich vom Lötresist umgeben ist, und ein Teil des Verdrahtungsmusters zum Erkennen von Verschlechterung mit dem Lötresist bedeckt ist.
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Es kann angenommen werden, dass die Dicke von Lötresist, das einen Teil des Musters zum Erkennen von Verschlechterung bedeckt, geringer als die Dicke von Lötresist ausgeführt ist, das einen vom Lötresist umgebenen gesamten Umgebungsbereich oder teilweisen Umgebungsbereich einer Region des Verdrahtungsmusters zum Erkennen von Verschlechterung bildet.
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Es kann angenommen werden, dass die Breite des Verdrahtungsmusters zum Erkennen von Verschlechterung schmaler als die Breite eines anderen Verdrahtungsmusters in der Verdrahtungsmustergruppe ausgeführt ist.
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Es kann angenommen werden, dass eine Siebdruckschicht oder eine isolierende Harzmaterialschicht auf der Gesamtheit oder einem Teil des Lötresists ausgebildet ist, das so ausgebildet ist, dass es das Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung umgibt.
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Das Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit einem Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung durch die vorliegende Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte, die aufweist: ein Isolatorsubstrat; und ein Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung, das auf dem Isolatorsubstrat ausgebildet ist und einen Grad der Verschlechterung der Leiterplatte erkennt, und umfasst: einen ersten Schritt des Bildens einer ersten Lötresistschicht mit einer geringeren Dicke als der Dicke des Verdrahtungsmusters zum Erkennen von Verschlechterung; und einen zweiten Schritt des derartigen Bildens einer zweiten Lötresistschicht auf der ersten Lötresistschicht, dass sie den gesamten Umgebungsbereich oder einen teilweisen Umgebungsbereich des Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung umgibt.
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Das Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit einem Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung durch die vorliegende Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte, die aufweist: ein Isolatorsubstrat; und eine Verdrahtungsmustergruppe zum Erkennen von Verschlechterung, die ein Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung aufweist, das auf dem Isolatorsubstrat ausgebildet ist und einen Grad der Verschlechterung der Leiterplatte erkennt, wobei das Verfahren umfasst: einen ersten Schritt des Bildens einer ersten Lötresistschicht, die ein anderes Verdrahtungsmuster außer dem Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung in der Verdrahtungsmustergruppe bedeckt; und einen zweiten Schritt des derartigen Bildens einer zweiten Lötresistschicht auf einem Teil auf der ersten Lötresistschicht, dass sie den gesamten Umgebungsbereich oder einen teilweisen Umgebungsbereich des Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung umgibt.
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Es kann angenommen werden, dass das Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit einem Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung einen dritten Schritt des Bildens einer Siebdruckschicht oder einer isolierenden Harzmaterialschicht auf der Gesamtheit oder einem Teil der zweiten Lötresistschicht umfasst.
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Die vorliegende Erfindung kann durch Aufweisen der zuvor beschriebenen Beschaffenheit eine Leiterplatte bereitstellen, die zum frühzeitigen Erkennen von Verschlechterung imstande ist. Ferner kann die vorliegende Erfindung durch Aufweisen der zuvor beschriebenen Schritte ein Verfahren zur Herstellung der Leiterplatte mit einem Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung bereitstellen, wobei eine Verringerung der Ausbeute im Leiterplattenherstellungsprozess auf einer Mindestgrenze niedergehalten werden kann.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Die zuvor beschriebenen und andere Aufgaben und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung von Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen ersichtlich, wobei:
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1 eine Ansicht ist, die eine Querschnittsstruktur einer Leiterplatte in einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
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2 eine Ansicht ist, die eine Querschnittsstruktur einer Leiterplatte in einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
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3 eine Ansicht ist, die eine Querschnittsstruktur einer Leiterplatte in einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
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4 eine Ansicht ist, die eine Querschnittsstruktur einer Leiterplatte in einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
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5 eine Ansicht ist, die eine Querschnittsstruktur einer Leiterplatte in einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
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6 eine Ansicht ist, die einen ersten Schritt in der ersten Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt;
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7 eine Ansicht ist, die einen zweiten Schritt in der ersten Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt;
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8 eine Ansicht ist, die einen ersten Schritt in der zweiten Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt;
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9 eine Ansicht ist, die einen zweiten Schritt in der zweiten Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt; und
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10 eine Ansicht ist, die eine Querschnittsstruktur einer Leiterplatte darstellt, die ein herkömmliches Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung aufweist.
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AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Im Folgenden bedeutet ein Verdrahtungsmuster ein Leitermuster, das Verdrahtungen einer Leiterplatte darstellt.
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<Erste Ausführungsform>
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1 stellt die erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar. Bei einer Leiterplatte 100 sind ein Verdrahtungsmuster 13 zum Erkennen von Verschlechterung und ein anderes Verdrahtungsmuster 14 als das Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung als eine Verdrahtungsmustergruppe auf einer Oberfläche eines Isolatorsubstrats 15 ausgebildet. Dasselbe gilt für andere Ausführungsformen. Das Isolatorsubstrat 15, auf welchem das Verdrahtungsmuster 13 zum Erkennen von Verschlechterung ausgebildet, ist mit Lötresist 12 bedeckt. Das Verdrahtungsmuster 14 ist ein Leitermuster, das vorgesehen ist, um zu ermöglichen, dass die Leiterplatte 100 eine elektronische Schaltung bildet, die mit einer normalen Funktion versehen ist.
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Die Leiterplatte 100 weist einen Dünnfilmabschnitt 16, in welchem die Dicke des Lötresists 12 geringer als ein Dickfilmabschnitt 17 ist, und den Dickfilmabschnitt 17 auf, in welchem die Dicke größer als der Dünnfilmabschnitt 16 ist. Das Verdrahtungsmuster 13 zum Erkennen von Verschlechterung ist in einer Region (dem Dünnfilmabschnitt 16) ausgebildet, die vom Dickfilmabschnitt 17 umgeben ist. Ferner ist die Dicke von Lötresist im Dünnfilmabschnitt 16 die Dicke des Verdrahtungsmusters 13 zum Erkennen von Verschlechterung oder geringer. Hierbei ist die Filmdicke des Dünnfilmabschnitts 16 und des Dickfilmabschnitts 17 die Distanz zu einer Oberfläche des Lötresists 12 durch Verwenden einer Oberfläche des Isolatorsubstrats 15 als Referenz. Ferner kann eine Breite d13 des Verdrahtungsmusters 13 zum Erkennen von Verschlechterung schmaler als eine Breite d14 des anderen Verdrahtungsmusters 14 sein.
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Durch Schneidflüssigkeit verursachte Ansammlung von Dunst oder Ansammlung von Flüssigkeit kann in der vom Dickfilmabschnitt 17 umgebenen Region (dem Dünnfilmabschnitt 16) leicht herbeigeführt werden, und die Dicke des Lötresists 12 auf dem Verdrahtungsmuster 13 zum Erkennen von Verschlechterung und Eckteilen des Verdrahtungsmusters 13 zum Erkennen von Verschlechterung ist dünner als die bei einem normalen Verdrahtungsmuster, und außerdem ist auch eine Musterbreite schmaler als das normale Verdrahtungsmuster, so dass eine starke Verschlechterung von elektronischen Eigenschaften, die bei der Leiterplatte 100 außergewöhnlich ist, im Verdrahtungsmuster 13 zum Erkennen von Verschlechterung eintritt und Verschlechterung der Leiterplatte 100 früh erkannt werden kann.
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Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst eine Leiterplatte, bei welcher ein Teil oder die Gesamtheit des Dünnfilmabschnitts 16, in welchem die Dicke des Lötresists 12 verhältnismäßig gering ist, und der Dickfilmabschnitt 17, in welchem die Dicke verhältnismäßig groß ist, voneinander beabstandet sind.
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<Zweite Ausführungsform>
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2 stellt die zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar. Bei einer Leiterplatte 101 sind das Verdrahtungsmuster 13 zum Erkennen von Verschlechterung und das andere Verdrahtungsmuster 14 als das Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung auf der Oberfläche des Isolatorsubstrats 15 ausgebildet. Die Leiterplatte 101 weist eine Region 18 auf, in welcher kein Lötresist zwischen dem Dünnfilmabschnitt 16 und dem Dickfilmabschnitt 17 des Lötresists 12 ausgebildet ist. Bei der Leiterplatte 101 wird ein Volumen einer Vertiefung, die vom Dickfilmabschnitt 17 umgeben wird, im Vergleich zur Leiterplatte 110 um eine vergrößertes Maß der Region 18, in der das Lötresist 12 nicht ausgebildet ist, größer. Daher kann die Ansammlung von Dunst oder die Ansammlung von Flüssigkeit leichter herbeigeführt werden, und Verschlechterung aufgrund von elektrischer Korrosion oder Korrosion wird noch stärker.
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Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst eine Leiterplatte mit einer Struktur, bei welcher das Lötresist 12 nicht auf dem und in seiner Nachbarschaft des Verdrahtungsmusters 13 zum Erkennen von Verschlechterung ausgebildet ist.
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<Dritte Ausführungsform>
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3 stellt die dritte Ausführungsform dar. Bei einer Leiterplatte 102 sind das Verdrahtungsmuster 13 zum Erkennen von Verschlechterung und das andere Verdrahtungsmuster 14 als das Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung auf der Oberfläche des Isolatorsubstrats 15 ausgebildet. Bei der Leiterplatte 102 ist das Verdrahtungsmuster 13 zum Erkennen von Verschlechterung für einen Raum vorgesehen, dessen gesamter Umgebungsbereich oder teilweiser Umgebungsbereich vom Lötresist 12 umgeben ist, aber nicht die Gesamtheit des Verdrahtungsmusters 13 zum Erkennen von Verschlechterung mit dem Lötresist 12 bedeckt ist. Das Verdrahtungsmuster 13 zum Erkennen von Verschlechterung verschlechtert sich früh, da es nicht mit dem Lötresist 12 bedeckt ist, sondern freiliegt. Das Bezugszeichen 19 bezeichnet ein Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung, das nicht mit Lötresist bedeckt ist.
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<Vierte Ausführungsform>
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4 stellt die vierte Ausführungsform dar. Bei einer Leiterplatte 103 sind das Verdrahtungsmuster 13 zum Erkennen von Verschlechterung und das andere Verdrahtungsmuster 14 als das Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung auf der Oberfläche des Isolatorsubstrats 15 ausgebildet. Ähnlich 3 ist bei der Leiterplatte 103 das Verdrahtungsmuster 13 zum Erkennen von Verschlechterung für einen Raum vorgesehen, dessen gesamter Umgebungsbereich oder teilweiser Umgebungsbereich vom Lötresist 12 umgeben ist. Im Gegensatz zu 3 ist ein Teil des Verdrahtungsmusters 13 zum Erkennen von Verschlechterung (ein Abschnitt, der durch das Bezugszeichen 20 dargestellt ist) mit dem Lötresist 12 bedeckt. Das Bezugszeichen 20 bezeichnet eine Region, in welcher ein Teil des Verdrahtungsmusters zum Erkennen von Verschlechterung nicht mit Lötresist bedeckt ist.
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Die Dicke des Lötresists 12, das auf dem Verdrahtungsmuster 13 zum Erkennen von Verschlechterung ausgebildet ist, ist dünner als die Dicke des Lötresists 12, das so ausgebildet ist, dass es die Region umgibt, in welcher das Verdrahtungsmuster 13 zum Erkennen von Verschlechterung ausgebildet ist. Ein Teil des Verdrahtungsmusters 13 zum Erkennen von Verschlechterung verschlechtert sich früh, da es nicht mit dem Lötresist 12 bedeckt ist, sondern freiliegt.
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<Fünfte Ausführungsform>
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5 stellt die fünfte Ausführungsform dar. Bei einer Leiterplatte 104 sind das Verdrahtungsmuster 13 zum Erkennen von Verschlechterung und das andere Verdrahtungsmuster 14 als das Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung auf der Oberfläche des Isolatorsubstrats 15 ausgebildet. Eine Siebdruckschicht 21 ist auf einer Oberfläche eines Dickfilmabschnitts des Lötresists 12 ausgebildet, der eine Lötresiststruktur ähnlich 1 aufweist und so ausgebildet ist, dass er das Verdrahtungsmuster 13 zum Erkennen von Verschlechterung umgibt. Ansammlung von Dunst oder Ansammlung von Flüssigkeit kann durch ein Höhenmaß, das durch die Siebdruckschicht 21 erhöht ist, leichter herbeigeführt werden, und Verschlechterung aufgrund von elektrischer Korrosion oder Korrosion schreitet noch schneller voran. Es ist zu erwähnen, dass ein anderes isolierendes Harzmaterial als Siebdruck als ein Material verwendet werden kann, das auf der Oberfläche des Lötresists 12 ausgebildet ist.
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<Herstellungsverfahren 1>
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Als Nächstes wird das Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung anhand von 6 und 7 dargestellt. 6 ist eine Ansicht, die den ersten Schritt im Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt. 7 ist eine Ansicht, die den zweiten Schritt im Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt.
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Ein Verfahren einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zur Herstellung einer Leiterplatte 105, die aufweist: das Isolatorsubstrat 15; das Verdrahtungsmuster 13 zum Erkennen von Verschlechterung, das auf einer Oberfläche des Isolatorsubstrats 15 ausgebildet ist und zum Erkennen eines Grades der Verschlechterung der Leiterplatte 105 verwendet wird; und das Lötresist 12, welches das Verdrahtungsmuster 13 zum Erkennen von Verschlechterung bedeckt, umfasst einen ersten Schritt des Bildens eines ersten Lötresists 12a mit einer geringeren Dicke als der Dicke des Verdrahtungsmusters 13 zum Erkennen von Verschlechterung und einen zweiten Schritt des derartigen Bildens eines zweiten Lötresists 12b, dass es den gesamten Umgebungsbereich oder einen teilweisen Umgebungsbereich des Verdrahtungsmusters 13 zum Erkennen von Verschlechterung umgibt. Da das erste Lötresist 12a und das zweite Lötresist 12b das gleiche Material aufweisen, haben sie kein Adhäsionsproblem.
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<Herstellungsverfahren 2>
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Als Nächstes wird ein weiteres Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung anhand von 8 und 9 dargestellt. 8 ist eine Ansicht, die den ersten Schritt in der zweiten Ausführungsform des Herstellungsverfahrens einer Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt. 9 ist eine Ansicht, die den zweiten Schritt in einer zweiten Ausführungsform des Herstellungsverfahrens einer Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt.
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Ein Verfahren der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zur Herstellung einer Leiterplatte 106, die aufweist: das Isolatorsubstrat 15; und eine Verdrahtungsmustergruppe, die durch Aufweisen des Verdrahtungsmusters 13 zum Erkennen von Verschlechterung, das auf einer Oberfläche des Isolatorsubstrats 15 ausgebildet ist und zum Erkennen eines Grades der Verschlechterung der Leiterplatte 106 verwendet wird, und des anderen Verdrahtungsmusters 14 als des Verdrahtungsmusters zum Erkennen von Verschlechterung ausgebildet ist; und das Lötresist 14, das auf dem Isolatorsubstrat 15 ausgebildet ist, umfasst einen ersten Schritt des Bildens eines ersten Lötresists 12c auf dem anderen Verdrahtungsmuster 14 als dem Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung und einen zweiten Schritt des derartigen Bildens eines zweiten Lötresists 12d, dass es den gesamten Umgebungsbereich oder einen teilweisen Umgebungsbereich des Verdrahtungsmusters 13 zum Erkennen von Verschlechterung umgibt. Es ist zu erwähnen, dass die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung nicht auf die dargestellten Zeichnungen beschränkt sind.
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Wie zuvor beschrieben, sind in den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung der Dünnfilmabschnitt, in welchem die Dicke des Lötresists verhältnismäßig dünn ist, und der Dickfilmabschnitt ausgebildet, in welchem die Dicke verhältnismäßig dick ist, und das Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung ist in der vom Dickfilmabschnitt umgebenen Region (dem Dünnfilmabschnitt) ausgebildet. Ferner sollte die Dicke von Lötresist in der Region (dem Dünnfilmabschnitt) die Dicke des Verdrahtungsmusters zum Erkennen von Verschlechterung oder geringer sein. Außerdem ist eine Musterbreite beschränkt auf den Dünnfilmabschnitt dünner ausgeführt.
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Durch Ausbilden der vom Dickfilmabschnitt von Lötresist umgebenen Region (des Dünnfilmabschnitts) bei der Leiterplatte der vorliegenden Erfindung kann Ansammlung von Dunst oder Ansammlung von Flüssigkeit aufgrund von Schneidflüssigkeit oder dergleichen in der Region leicht herbeigeführt werden, was ein Ursprung von elektrischer Korrosion oder Korrosion sein kann.
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Außerdem kann dadurch, dass die Dicke des Lötresists in der Region (dem Dünnfilmabschnitt) so ausgeführt ist, dass sie die Dicke des Verdrahtungsmusters zum Erkennen von Verschlechterung oder geringer ist, eine Lötresistdicke auf dem Verdrahtungsmuster und Eckteilen des Verdrahtungsmusters dünner ausgeführt sein, und die Breite des Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung ist schmaler ausgeführt als das normale Verdrahtungsmuster, um Verschlechterung aufgrund von elektrischer Korrosion oder Korrosion zu fördern. Durch Fördern der Verschlechterung durch die zuvor beschriebene Struktur wird eine starke Verschlechterung von elektronischen Eigenschaften, die bei der gesamten Leiterplatte außergewöhnlich ist, im Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung hervorgerufen, so dass Verschlechterung der Leiterplatte früh erkannt werden kann. Ferner kann dadurch, dass die Musterbreite beschränkt auf den Dünnfilmabschnitt, in welchem das Verdrahtungsmuster zum Erkennen von Verschlechterung ausgebildet ist, schmaler ausgeführt ist, eine Verringerung der Ausbeute im Leiterplattenherstellungsprozess auf einer Mindestgrenze niedergehalten werden.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- JP 2001-251026 [0006]
- JP 2001-358429 [0006]
- JP 10-62476 [0006]
