DE102017211443A1 - Metrologiesystem mit einer EUV-Optik - Google Patents

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019206648B4 (de) * 2019-05-08 2021-12-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Annäherung von Abbildungseigenschaften eines optischen Produktionssystems an diejenigen eines optischen Messsystems sowie Metrologiesystem hierfür
DE102019206651B4 (de) * 2019-05-08 2022-10-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum dreidimensionalen Bestimmen eines Luftbildes einer Lithographiemaske
DE102019208552B4 (de) 2019-06-12 2025-10-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Ermitteln eines Produktions-Luftbildes eines zu vermessenden Objektes
KR102866527B1 (ko) 2020-11-26 2025-10-01 삼성전자주식회사 극자외선 발생 장치와 이의 제조 방법, 및 극자외선 시스템
DE102024205353A1 (de) * 2024-06-10 2025-12-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Filter zum Trennen von EUV-Nutzlicht von mit dem EUV-Nutzlicht mitgeführtem Falschlicht und/oder mitgeführten Partikeln

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0952491A2 (en) 1998-04-21 1999-10-27 Asm Lithography B.V. Lithography apparatus
DE10220816A1 (de) 2002-05-10 2003-11-20 Zeiss Carl Microelectronic Sys Reflektives Röntgenmikroskop und Inspektionssystem zur Untersuchung von Objekten mit Wellenlängen 100 nm
DE10220815A1 (de) 2002-05-10 2003-11-20 Zeiss Carl Microelectronic Sys Reflektives Röntgenmikroskop und Inspektionssystem zur Untersuchung von Objekten mit Wellenlängen 100 nm
WO2009024164A1 (en) 2007-08-20 2009-02-26 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective having mirror elements with reflective coatings
DE102008041436A1 (de) * 2007-10-02 2009-04-09 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Membranelement
DE102008021833A1 (de) 2007-12-19 2009-07-02 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer Beleuchtungswinkelverteilung und gleichzeitig einer Intensitätsverteilung über ein in ein Bildfeld abzubildendes Objektfeld
US20120069313A1 (en) 2009-03-27 2012-03-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Euv microlithography illumination optical system and euv attenuator for same
US20130063716A1 (en) 2010-05-18 2013-03-14 Hans-Jürgen Mann Illumination optics for a metrology system for examining an object using euv illumination light and metrology system comprising an illumination optics of this type
DE102012204295A1 (de) * 2012-03-19 2013-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Filterelement
US20130083321A1 (en) 2011-01-11 2013-04-04 Kla-Tencor Corporation Apparatus for euv imaging and methods of using same
DE102012202057A1 (de) 2012-02-10 2013-08-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv für EUV-Mikrolithographie, Folienelement und Verfahren zur Herstellung eines Projektionsobjektivs mit Folienelement
WO2013167409A1 (en) 2012-05-11 2013-11-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Assembly for a projection exposure apparatus for euv projection lithography
WO2015028450A1 (de) 2013-08-28 2015-03-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches bauelement
US9195130B2 (en) 2012-09-03 2015-11-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Pellicle for EUV
WO2016012426A1 (de) 2014-07-22 2016-01-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum dreidimensionalen vermessen eines 3d-luftbildes einer lithografiemaske

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63140530A (ja) 1986-08-01 1988-06-13 Fujitsu Ltd Ｘ線マスク
JPH02260414A (ja) * 1989-03-30 1990-10-23 Fujitsu Ltd Ｘ線露光マスク
US6404499B1 (en) * 1998-04-21 2002-06-11 Asml Netherlands B.V. Lithography apparatus with filters for optimizing uniformity of an image
JP2006073620A (ja) 2004-08-31 2006-03-16 Nikon Corp Ｅｕｖ露光装置
US7224430B2 (en) * 2004-10-29 2007-05-29 Asml Netherlands B.V. Optical component, optical system including such an optical component, lithographic apparatus, method of correcting apodization in an optical system, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP2008066345A (ja) 2006-09-04 2008-03-21 Nikon Corp 照明光学装置及び露光装置
CN102395923B (zh) * 2009-04-13 2014-05-07 Asml控股股份有限公司 借助傅里叶滤光和图像比较的掩模检查
WO2012125647A2 (en) * 2011-03-16 2012-09-20 Kla-Tencor Corporation Euv actinic reticle inspection system using imaging sensor with thin film spectral purity filter coating
JP2013026424A (ja) * 2011-07-21 2013-02-04 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2013080810A (ja) 2011-10-04 2013-05-02 Lasertec Corp Ｅｕｖマスク検査装置及びｅｕｖマスク検査方法
DE102013202948A1 (de) * 2013-02-22 2014-09-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für eine EUV-Lithographievorrichtung und Facettenspiegel dafür
TWI646401B (zh) * 2013-12-19 2019-01-01 美商應用材料股份有限公司 帶有簡化光學元件的極紫外線（ｅｕｖ）基板檢查系統及其製造方法
US9958770B2 (en) * 2014-04-17 2018-05-01 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University Pellicle for EUV lithography
KR102242562B1 (ko) * 2014-09-04 2021-04-20 삼성전자주식회사 극자외선(euv) 마스크 보호장치 및 그 보호장치를 포함한 euv 노광 장치
DE102015221209A1 (de) * 2015-10-29 2017-05-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe mit einem Schutzelement und optische Anordnung damit
JP6371022B1 (ja) * 2018-02-08 2018-08-08 レーザーテック株式会社 照明方法、検査方法、照明装置及び検査装置

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0952491A2 (en) 1998-04-21 1999-10-27 Asm Lithography B.V. Lithography apparatus
DE10220816A1 (de) 2002-05-10 2003-11-20 Zeiss Carl Microelectronic Sys Reflektives Röntgenmikroskop und Inspektionssystem zur Untersuchung von Objekten mit Wellenlängen 100 nm
DE10220815A1 (de) 2002-05-10 2003-11-20 Zeiss Carl Microelectronic Sys Reflektives Röntgenmikroskop und Inspektionssystem zur Untersuchung von Objekten mit Wellenlängen 100 nm
WO2009024164A1 (en) 2007-08-20 2009-02-26 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective having mirror elements with reflective coatings
DE102008041436A1 (de) * 2007-10-02 2009-04-09 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Membranelement
DE102008021833A1 (de) 2007-12-19 2009-07-02 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer Beleuchtungswinkelverteilung und gleichzeitig einer Intensitätsverteilung über ein in ein Bildfeld abzubildendes Objektfeld
US20120069313A1 (en) 2009-03-27 2012-03-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Euv microlithography illumination optical system and euv attenuator for same
US20130063716A1 (en) 2010-05-18 2013-03-14 Hans-Jürgen Mann Illumination optics for a metrology system for examining an object using euv illumination light and metrology system comprising an illumination optics of this type
US20130083321A1 (en) 2011-01-11 2013-04-04 Kla-Tencor Corporation Apparatus for euv imaging and methods of using same
DE102012202057A1 (de) 2012-02-10 2013-08-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv für EUV-Mikrolithographie, Folienelement und Verfahren zur Herstellung eines Projektionsobjektivs mit Folienelement
DE102012204295A1 (de) * 2012-03-19 2013-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Filterelement
WO2013167409A1 (en) 2012-05-11 2013-11-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Assembly for a projection exposure apparatus for euv projection lithography
US9195130B2 (en) 2012-09-03 2015-11-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Pellicle for EUV
WO2015028450A1 (de) 2013-08-28 2015-03-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches bauelement
WO2016012426A1 (de) 2014-07-22 2016-01-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum dreidimensionalen vermessen eines 3d-luftbildes einer lithografiemaske

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