JP2006073620A - Euv露光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 露光量(照明光の強度)を広範囲に亘って容易に可変できるEUV露光装置を提供する。
【解決手段】 EUV光源1から放出されたEUV光2は、照明光学系3に入射し、コリメータミラーとして作用する凹面反射鏡4を介してほぼ平行光束となり、オプティカルインテグレータ5に入射し、所定の形状を有する実質的な面光源を形成する。実質的な面光源からの光は、平面反射鏡6により偏向された後、マスクM上に照明領域を形成する。照明されたマスクMのパターンからの光は、複数の反射鏡M1〜M6からなる投影光学系PLを介して、ウエハW上にマスクパターンの像を形成する。照明光学系3中に、減光フィルタ装置7が設けられ、マスクMに照射されるEUV光の強度を弱めることができるようになっている。
【選択図】 図1
【解決手段】 EUV光源1から放出されたEUV光2は、照明光学系3に入射し、コリメータミラーとして作用する凹面反射鏡4を介してほぼ平行光束となり、オプティカルインテグレータ5に入射し、所定の形状を有する実質的な面光源を形成する。実質的な面光源からの光は、平面反射鏡6により偏向された後、マスクM上に照明領域を形成する。照明されたマスクMのパターンからの光は、複数の反射鏡M1〜M6からなる投影光学系PLを介して、ウエハW上にマスクパターンの像を形成する。照明光学系3中に、減光フィルタ装置7が設けられ、マスクMに照射されるEUV光の強度を弱めることができるようになっている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、EUV光(本明細書及び特許請求の範囲では、波長が150nm以下の光又は軟X線を言う)を使用してマスクに形成されたパターンを、ウエハ等の感応基板上に投影するEUV露光装置に関するものである。
近年、半導体集積回路の微細化に伴い、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を向上させるために、従来の紫外線に代えてこれより短い波長(11〜14nm)のEUV光を使用した投影リソグラフィ技術が開発されている(例えば、D.Tichenor, et al, SPIE 2437 (1995) 292参照)。この技術は、最近ではEUV(Extreme UltraViolet)リソグラフィと呼ばれており、従来の波長190nm程度の光線を用いた光リソグラフィでは実現不可能な、70nm以下の解像力を得られる技術として期待されている。
EUV光の波長領域での物質の複素屈折率nは、n=1−δ−ik(iは複素記号)で表わされる。この屈折率の虚部kは極短紫外線の吸収を表す。δ、kは1に比べて非常に小さいため、この領域での屈折率は1に非常に近い。したがって従来のレンズのような透過屈折型の光学素子を使用できず、反射を利用した光学系が使用される。
このようなEUV露光装置の概要を図4に示す。EUV光源1から放出されたEUV光2は、照明光学系3に入射し、コリメータミラーとして作用する凹面反射鏡4を介してほぼ平行光束となり、一対のフライアイミラー5aおよび5bからなるオプティカルインテグレータ5に入射する。一対のフライアイミラー5aおよび5bとして、たとえば特開平11−312638号公報(特許文献1)に開示されたフライアイミラーを用いることができる。なお、フライアイミラーのさらに詳細な構成および作用については、特許文献1に詳しく説明されており、かつ、本発明と直接の関係がないので、その説明を省略する。
こうして、第2フライアイミラー5bの反射面の近傍、すなわちオプティカルインテグレータ5の射出面の近傍には、所定の形状を有する実質的な面光源が形成される。実質的な面光源からの光は、平面反射鏡6により偏向された後、マスクM上に細長い円弧状の照明領域を形成する(円弧状の照明領域を形成するための開口板は図示を省略している)。照明されたマスクMのパターンからの光は、複数の反射鏡(図4では例示的に6つの反射鏡M1〜M6)からなる投影光学系PLを介して、ウエハW上にマスクパターンの像を形成する。
一般にウエハ上に成膜されるレジストは、その下に成膜された、パターンを転写すべき層の材質等に合わせて種々のものが使用される。レジストの感光感度はレジストの種類によって異なるので、レジストを現像したときに所定のパターンを形成するためには、レジストの感光感度に合わせて露光量を変化させる必要がある。
EUV露光装置において従来考えられていたレジストの露光量を変化させる方法は、EUV光源の出力を変える方法、及びマスクステージ、ウエハステージの走査速度を変える方法であった。
しかしながら、EUV光源の出力を変える方法では、可変範囲が±20%程度であり、極端な高感度/低感度のレジストの露光には適さない場合が多い。また、マスクステージ、ウエハステージの走査速度を変える方法では、極端に低感度のレジストを露光する場合にはステージの走査速度を下げれば良いよいため、広範囲の適用が可能であるが、スループットの低下は避けられない。また、高感度のレジストを露光する場合、ステージの速度を際限無く上げることはできない。またパルス光源の繰り返し周波数によっては、ステージの速度を上げると、パルス間のエネルギばらつきを平均化するために必要なパルス数が確保できず、レジストの各部分において露光量のばらつきが大きくなってしまうという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、露光量(照明光の強度)を広範囲に亘って容易に可変できるEUV露光装置を提供することを課題とする。
前記課題を達成するための第1の手段は、EUV光を使用して、マスクに形成されたパターンをウエハ等の感応基板上に投影するEUV露光装置であって、照明光学系中に、マスクを照明するEUV光の強度を調整するためのEUV光減衰膜が、複数、切り替え可能に設けられていることを特徴とするEUV露光装置(請求項1)である。
本手段においては、照明光学系中にEUV光減衰膜を設け、EUV光がこのEUV光減衰膜中を透過するようにすることにより、EUV光を減衰させ、照明光の強度を低下させるようにしている。そして、種々の減衰率を有するEUV光減衰膜を切り替え可能に設けることにより、使用するレジストに合わせた照明強度に調整することができる。
EUV光減衰膜としては、吸収膜が考えられるが、散乱を利用するものや他のものでも、透過するEUV光を減衰させる作用を有するものであれば利用することができる。
EUV光減衰率を変えるには、EUV減衰膜の膜厚を異なるものとしてもよいし、EUV減衰膜として吸収率又は散乱率等の異なる物質を使用してもよいし、両者を組み合わせて使用してもよい。なお、本手段は、必ずしもEUV光の光路にEUV光減衰膜が存在するもののみに限定されるものでなく、切り替えにより、EUV光を、EUV光減衰膜を透過させずにそのまま出力するようなものであってもよいことは言うまでもない。
前記課題を解決するための第2の手段は、前記第1の手段であって、前記EUV光減衰膜が、多段階に設けられていることを特徴とするもの(請求項2)である。
多段階に設けると言うことは、EUV光が、何枚ものEUV光減衰膜を透過するようにEUV光減衰膜を設けるという意味である。本手段においては、EUV光減衰膜を多段階に設けることにより、EUV光の透過率をより精密に調整することができる。例えば、第1段のEUV光減衰膜を減衰率の粗調整に使用し、第2段のEUV光減衰膜を微調整に使用するような使用方法が考えられる。
前記課題を解決するための第3の手段は、前記第1の手段又は第2の手段であって、前記EUV光減衰膜の少なくとも一つは、SiNxであることを特徴とするもの(請求項3)である。
前記課題を解決するための第4の手段は、前記第1の手段又は第2の手段であって、前記EUV光減衰膜の少なくとも一つは、DLC(Diamond like carbon)であることを特徴とするもの(請求項4)である。
EUV光は、一般の物質に対して吸収されやすいので、EUV光減衰膜として適当なものは、薄膜化が容易であり、かつ、薄膜としての強度が強く、加えて、軽元素からできていて物質の光吸収率が低いものであることが好ましい。また、均一性が高いことも望ましい。こうした条件から、EUV光減衰膜は、SiNx、又はDLCで形成することが好ましい。
本発明によれば、露光量(照明光の強度)を広範囲に亘って容易に可変できるEUV露光装置を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態の例を、図を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態の1例であるEUV露光装置の概要を示す図である。EUV光源1から放出されたEUV光2は、照明光学系3に入射し、コリメータミラーとして作用する凹面反射鏡4を介してほぼ平行光束となり、一対のフライアイミラー5aおよび5bからなるオプティカルインテグレータ5に入射し、所定の形状を有する実質的な面光源を形成する。実質的な面光源からの光は、平面反射鏡6により偏向された後、マスクM上に細長い円弧状の照明領域を形成する(円弧状の照明領域を形成するための開口板は図示を省略している)。照明されたマスクMのパターンからの光は、複数の反射鏡(図1では例示的に6つの反射鏡M1〜M6)からなる投影光学系PLを介して、ウエハW上にマスクパターンの像を形成する。以上の構成は、図4に示した従来のEUV露光装置の構成と同じである。
本実施の形態においては、照明光学系3中に、減光フィルタ装置7が設けられ、マスクMに照射されるEUV光の強度を弱めることができるようになっている。
減光フィルタ装置7は、例えば図2に示すような構造をしている。中心軸71の周りに回転可能な円板72が取り付けられ、円板72には、4つの円形穴が設けられている。1つの円形穴は空洞73となっており、他の3つの円形穴には、厚さの異なるSiNx等からなる薄膜74,75,76が設けられている。よって、それぞれの円形穴を透過するEUV光の減衰率が異なる。例えば、薄膜74の透過率を75%、薄膜75の透過率を50%、薄膜76の透過率を25%としておけば、空洞73を透過するEUV光の透過率は100%であるので、円板72を回転させてどの円形穴をEUV光の通過する部分に位置させるかにより、マスクMを照射するEUV光の強さを4段階に切り替えることができる。EUV光源1の強さを±20%の範囲で調整できることを考慮すれば、さらに広い範囲に亘ってマスクMを照射するEUV光の強さを調整できる。
なお、7枚の透過率が異なる薄膜と、空洞を使用し、それぞれの透過率を表1のように定め、EUV光源1の強さを±20%の範囲で調整すれば、表1、図3に示すように、基準量(EUV光源1の強さが基準値であり、減光フィルタ装置7の透過率が100%のときの照射量)を100として、120〜7までの広い範囲に亘って照射光量を連続的に可変とすることができる。
(表1)
(表1)
さらに精密な制御を行うには、薄膜の種類を増やしたり、図2に示すような減光フィルタ装置を複数台、EUV光の光路に入れ、それぞれの薄膜の組み合わせとEUV光源1の強さの組み合わせにより、マスクMへの照射量を調整してやるようにすればよい。
一般的には、レジストの露光感度は、レジストの種類に応じて10倍程度変化するので、EUV光源1として、レジスト感度が最低のものを露光するのに適当な強さの光源を使用し、減光フィルタで1/10まで減光することができれば十分である。
いずれにしろ、減光フィルタの透過率は離散的なものとなるが、EUV光源1の強さを変化させたり、ステージの走査速度を変化させたりする操作と組み合わせることにより、レジストの感度特性にあった露光量で露光を行うことができる。
なお、図1においては、減光フィルタ装置7をフライアイミラー5aの前に置いている。このようにすると、オプティカルインテグレータ5の働きにより、減光フィルタ装置7の薄膜に厚さむらがあっても、マスクMを照明する光に強さのむらが現れにくくなると共に、この部分ではEUV光2が平行光束に近くなっているので、それに垂直に薄膜を位置させることによって、マスクMを照明する光に強さのむらが現れにくくなる。しかし、このような問題が実質上問題とならなければ、減光フィルタ装置7はマスクMに至るまでのEUV光2の光路の何れの部分にも設けることが可能である。又、図2に示す減光フィルタ装置7は、リボルバ型をしているが、スライド式であってもよいことは言うまでもない。
1…EUV光源、2…EUV光、3…照明光学系、4…凹面反射鏡、5…オプティカルインテグレータ、5a…第1フライアイミラー、5b…第2フライアイミラー、平6…面反射鏡、7…減光フィルタ装置、71…中心軸、72…円板、73…空洞、74,75,76…薄膜、M…マスク、W…ウエハ、M1〜M6…反射鏡
Claims (4)
- EUV光を使用して、マスクに形成されたパターンをウエハ等の感応基板上に投影するEUV露光装置であって、照明光学系中に、マスクを照明するEUV光の強度を調整するためのEUV光減衰膜が、複数、切り替え可能に設けられていることを特徴とするEUV露光装置。
- 請求項1に記載のEUV露光装置であって、前記EUV光減衰膜は、多段階に設けられていることを特徴とするEUV光露光装置。
- 請求項1又は請求項2に記載のEUV露光装置であって、前記EUV光減衰膜の少なくとも一つは、SiNxであることを特徴とするEUV光露光装置。
- 請求項1又は請求項2に記載のEUV露光装置であって、前記EUV光減衰膜の少なくとも一つは、DLC(Diamond like carbon)であることを特徴とするEUV露光装置。
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Cited By (2)
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JP2019015967A (ja) * | 2017-07-05 | 2019-01-31 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euv光学ユニットを有する計測システム |
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2004
- 2004-08-31 JP JP2004252504A patent/JP2006073620A/ja not_active Withdrawn
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