DE102015102115B3 - Halbleitervorrichtung mit einem transistorarray und einem abschlussbereich und verfahren zum herstellen einer solchen halbleitervorrichtung - Google Patents

Halbleitervorrichtung mit einem transistorarray und einem abschlussbereich und verfahren zum herstellen einer solchen halbleitervorrichtung Download PDF

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Abstract

Eine Halbleitervorrichtung (1), die in einem Halbeitersubstrat (100) mit einer ersten Hauptoberfläche gebildet ist, umfasst ein Transistorarray (10) und einen Abschlussbereich (20). Das Transistorarray (10) umfasst einen Sourcebereich (201), einen Drainbereich (205), einen Bodybereich (220), eine Driftzone (260) und eine Gateelektrode (210) an dem Bodybereich (220). Die Gateelektrode (210) ist gestaltet, um eine Leitfähigkeit eines in dem Bodybereich (220) gebildeten Kanals zu steuern. Die Gateelektrode (210) ist in ersten Trenches (212) vorgesehen. Der Bodybereich (220) und die Driftzone (260) sind längs einer ersten Richtung zwischen dem Sourcebereich (201) und dem Drainbereich (205) angeordnet, wobei die erste Richtung parallel zu der ersten Hauptoberfläche ist. Der Bodybereich (220) hat eine Gestalt eines ersten Grats, der sich längs der ersten Richtung erstreckt. Der Abschlussbereich (20) umfasst einen Abschlusstrench (272), wobei sich ein Teil des Abschlusstrenches (272) in der ersten Richtung erstreckt, eine Länge des Abschlusstrenches (272) größer ist als eine Länge der ersten Trenches (212) und die Länge längs der ersten Richtung gemessen ist.

Description

  • HINTERGRUND
  • Leistungstransistoren, die gewöhnlich in Automobil- und industriellen Elektroniken verwendet sind, sollten einen niedrigen Einschaltwiderstand (Ron × A) haben, während eine hohe Spannungssperrfähigkeit sichergestellt ist. Beispielsweise sollte ein MOS-(”Metall-Oxid-Halbleiter”-)Leistungstransistor in der Lage sein, abhängig von Anwendungserfordernissen Drain-Source-Spannungen Vds von einigen zehn bis einigen hundert oder tausend Volt zu sperren. MOS-Leistungstransistoren leiten typischerweise sehr große Ströme, die bis zu einigen Hundert von Amperes bei typischen Gate-Source-Spannungen von etwa 2 bis 20 V sein können.
  • Ein Konzept für Transistoren, die eine weiter reduzierte Ron × A-Kennlinie haben, bezieht sich auf laterale Leistungs-FinFETs (”Feldeffekttransistoren mit einer Finne bzw. Rippe”). Laterale Leistungs-FinFETs verwenden voluminöseres Silizium zum Reduzieren von Ron, so dass Ron mit demjenigen eines vertikalen Graben- bzw. Trench-MOSFET vergleichbar wird. In Transistoren, die eine laterale Feldplatte aufweisen, kann die Dotierungskonzentration der Driftzone aufgrund der Kompensationswirkung der Feldplatte erhöht werden.
  • In der US 2012/0 112 268 A1 wird eine Abschlussstruktur für eine Leistungshalbleitervorrichtung beschrieben. In der DE 103 26 523 A1 wird ein Feldeffekttransistor beschrieben, bei dem der Steuerbereich und ein Anschlussbereich in einem Isoliergraben angeordnet sind.
  • Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleitervorrichtung vorzusehen, die einen Abschlussbereich hat, der verbesserte Eigenschaften aufweist.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die obige Aufgabe durch den Gegenstand der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Weitere Entwicklungen sind in den abhängigen Patentansprüchen definiert.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel umfasst eine Halbleitervorrichtung, die in einem Halbeitersubstrat gebildet ist, das eine erste Hauptoberfläche hat, unter anderem ein Transistorarray bzw. Transistoranordnung und einen Abschlussbereich, wobei das Transistorarray einen Sourcebereich, einen Drainbereich, einen Bodybereich, eine Driftzone und eine Gateelektrode an dem Bodybereich aufweist. Die Gateelektrode ist gestaltet, um eine Leitfähigkeit eines in dem Bodybereich gebildeten Kanals zu steuern. Die Gateelektrode ist in ersten Trenches bzw. Gräben angeordnet. Der Bodybereich und die Driftzone sind längs einer ersten Richtung zwischen dem Sourcebereich und dem Drainbereich angeordnet. Die erste Richtung ist parallel zu der ersten Hauptoberfläche. Der Bodybereich hat eine Gestalt eines ersten Grats bzw. Höhenrückens bzw. Firstes, der sich längs der ersten Richtung erstreckt. Der Abschlussbereich umfasst einen Abschlusstrench bzw. einen Abschlussgraben, wobei sich ein Teil des Abschlusstrenches in der ersten Richtung erstreckt. Eine Länge des Abschlusstrenches ist größer als eine Länge der ersten Trenches, wobei die Länge längs der ersten Richtung gemessen ist.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel umfasst ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, die ein Transistorarray und einen Abschlussbereich in einem Halbeitersubstrat umfasst, das eine erste Hauptoberfläche hat, unter anderem ein Bilden eines Sourcebereiches, eines Drainbereiches, eines Bodybereiches und einer Driftzone. Das Verfahren umfasst weiterhin ein Bilden einer Gateelektrode an dem Sourcebereich, wobei die Gateelektrode gestaltet ist, um eine Leitfähigkeit eines in dem Bodybereich gebildeten Kanals zu steuern. Die Gateelektrode ist in ersten Trenches bzw. ersten Gräben gebildet, der Bodybereich und die Driftzone sind längs einer ersten Richtung zwischen dem Sourcebereich und dem Drainbereich angeordnet, und die erste Richtung ist parallel zu der ersten Hauptoberfläche. Der Bodybereich hat die Gestalt eines ersten Grats bzw. Höhenrückens bzw. Firstes, der sich längs der ersten Richtung erstreckt. Das Verfahren umfasst weiterhin ein Bilden eines Abschlusstrenches, wobei sich ein Teil des Abschlusstrenches in der ersten Richtung erstreckt. Eine Länge des Abschlusstrenches ist größer als eine Länge der ersten Trenches, wobei die Länge längs der ersten Richtung gemessen ist.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die begleitenden Zeichnungen sind beigeschlossen, um ein weiteres Verständnis von Ausführungsbeispielen der Erfindung zu liefern, und sie sind in die Offenbarung einbezogen und bilden einen Teil von dieser. Die Zeichnungen veranschaulichen die Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung zum Erläutern von Prinzipien der Erfindung. Andere Ausführungsbeispiele der Erfindung und zahlreiche der beabsichtigten Vorteile werden sofort gewürdigt, da sie unter Hinweis auf die folgende Detailbeschreibung besser verstanden werden. Die Elemente der Zeichnungen sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu relativ zueinander. Gleiche Bezugszeichen geben entsprechend ähnliche Teile an.
  • 1A zeigt eine horizontale Schnittdarstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel.
  • 1B zeigt eine Schnittdarstellung der Halbleitervorrichtung.
  • 2A zeigt eine horizontale Schnittdarstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.
  • 2B zeigt eine Schnittdarstellung der Halbleitervorrichtung längs einer ersten Richtung.
  • 2C zeigt eine Schnittdarstellung von weiteren Komponenten der Halbleitervorrichtung längs einer zweiten Richtung.
  • 3A zeigt eine horizontale Schnittdarstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.
  • 3B zeigt eine Schnittdarstellung eines weiteren Teiles der Halbleitervorrichtung.
  • 4 zeigt eine horizontale Schnittdarstellung eines Teiles eines weiteren Ausführungsbeispiels einer Halbleitervorrichtung.
  • 5A bis 5C veranschaulichen Schritte, wenn die Halbleitervorrichtung hergestellt wird.
  • 6 fasst das Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung zusammen.
  • DETAILBESCHREIBUNG
  • In der folgenden Detailbeschreibung wird Bezug genommen auf die begleitenden Zeichnungen, die einen Teil der Offenbarung bilden und in denen für Veranschaulichungszwecke spezifische Ausführungsbeispiele dargestellt sind, in denen die Erfindung ausgestaltet werden kann. In dieser Hinsicht wird eine Richtungsterminologie wie ”Oberseite”, ”Boden”, ”Vorderseite”, ”Rückseite”, ”vorne”, ”hinten” usw. im Hinblick auf die Orientierung der gerade beschriebenen Figuren verwendet. Da Komponenten von Ausführungsbeispielen der Erfindung in einer Anzahl von verschiedenen Orientierungen positioniert werden können, wird die Richtungsterminologie für Zwecke der Darstellung benutzt und ist in keiner Weise begrenzend. Es ist zu verstehen, dass andere Ausführungsbeispiele verwendet und strukturelle oder logische Änderungen gemacht werden können, ohne von dem durch die Patentansprüche definierten Bereich abzuweichen.
  • Die Beschreibung der Ausführungsbeispiele ist nicht begrenzend. Insbesondere können Elemente der im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele mit Elementen von verschiedenen Ausführungsbeispielen kombiniert werden.
  • Die hier verwendeten Begriffe ”haben”, ”enthalten”, ”umfassen”, ”aufweisen” und ähnliche Begriffe sind offene Begriffe und geben das Vorhandensein der festgestellten Elemente oder Merkmale an, schließen jedoch zusätzliche Elemente oder Merkmale nicht aus. Die unbestimmten Artikel und die bestimmten Artikel sollen sowohl den Plural als auch den Singular umfassen, falls sich aus dem Zusammenhang nicht klar etwas anderes ergibt.
  • Die in dieser Beschreibung verwendeten Begriffe ”gekoppelt” und/oder ”elektrisch gekoppelt” sollen nicht bedeuten, dass die Elemente direkt gekoppelt sein müssen – dazwischenliegende Elemente können zwischen den ”gekoppelten” oder ”elektrisch gekoppelten” Elementen vorgesehen sein. Der Ausdruck ”elektrisch verbunden” soll eine niederohmige elektrische Verbindung zwischen elektrisch miteinander verbundenen Elementen beschreiben.
  • Die vorliegende Beschreibung bezieht sich auf einen ”ersten” und einen ”zweiten” Leitfähigkeitstyp bzw. Leitungstyp von Dotierstoffen, mit denen Halbleiterteile dotiert sind. Der erste Leitfähigkeitstyp kann ein p-Typ sein, und der zweite Leitfähigkeitstyp kann ein n-Typ sein oder umgekehrt. Wie allgemein bekannt ist, können abhängig von dem Dotierungstyp oder der Polarität der Source- und Drainbereiche Feldeffekttransistoren (IGFETs) mit isoliertem Gate, wie Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs), n-Kanal- oder p-Kanal-MOSFETs sein. Beispielsweise sind in einem n-Kanal-MOSFET der Source- und der Drainbereich mit n-Typ-Dotierstoffen dotiert: In einem p-Kanal-MOSFET sind der Source- und der Drainbereich mit p-Typ-Dotierstoffen dotiert. Wie klar zu verstehen ist, können in dem Zusammenhang der vorliegenden Beschreibung die Dotierungstypen umgekehrt werden. Wenn ein spezifischer Strompfad mittels einer Richtungssprache beschrieben wird, soll diese Beschreibung lediglich als Angabe des Pfades und nicht die Polarität des Stromflusses verstanden werden, d. h., ob der Strom von Source nach Drain oder umgekehrt fließt. Die Figuren können polaritätsempfindliche Komponenten umfassen, beispielsweise Dioden. Wie klar zu verstehen ist, ist die spezifische Anordnung dieser polaritätsempfindlichen Komponenten als ein Beispiel gegeben und kann umgekehrt werden, um die beschriebene Funktionalität zu erzielen, abhängig davon, ob der erste Leitfähigkeitstyp einen n-Typ oder einen p-Typ bedeutet.
  • Die Figuren und die Beschreibung veranschaulichen relative Dotierungskonzentrationen durch Angabe von ”–” oder ”+” nächst zu dem Dotierungstyp ”n” oder ”p”. Beispielsweise bedeutet ”n–” eine Dotierungskonzentration, die niedriger ist als die Dotierungskonzentration eines ”n”-Dotierungsbereiches, während ein ”n+”-Dotierungsbereich eine höhere Dotierungskonzentration hat als ein ”n”-Dotierungsbereich. Dotierungsbereiche der gleichen relativen Dotierungskonzentration haben nicht notwendigerweise die gleiche absolute Dotierungskonzentration. Beispielsweise können zwei verschiedene ”n”-Dotierungsbereiche die gleichen oder verschiedene absolute Dotierungskonzentrationen haben. In den Figuren und der Beschreibung sind für ein besseres Verständnis oft die dotierten Teile als ”p”- oder ”n”-dotiert bezeichnet. Wie klar zu verstehen ist, soll diese Bezeichnung in keiner Weise begrenzend sein. Der Dotierungstyp kann beliebig sein, solange die beschriebene Funktionalität erzielt wird. Weiterhin können in allen Ausführungsbeispielen die Dotierungstypen umgekehrt werden.
  • Die Ausdrücke ”lateral” und ”horizontal”, wie diese in der vorliegenden Beschreibung verwendet sind, sollen eine Orientierung parallel zu einer ersten Oberfläche eines Halbleitersubstrats oder eines Halbleiterkörpers beschreiben. Dies kann beispielsweise die Oberfläche eines Wafers oder eines Dies bzw. eines Chips sein.
  • Der Ausdruck ”vertikal”, wie dieser in der vorliegenden Beschreibung verwendet ist, soll eine Orientierung beschreiben, die senkrecht zu der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats oder Halbleiterkörpers angeordnet ist.
  • Die Ausdrücke ”Wafer”, ”Substrat” oder ”Halbleitersubstrat”, die in der folgenden Beschreibung verwendet sind, können irgendeine auf Halbleiter beruhende Struktur umfassen, die eine Halbleiteroberfläche hat. Wafer und Struktur sind so zu verstehen, dass sie Silizium, Silizium-auf-Isolator (SOI), Silizium-auf-Saphir (SOS), dotierte und undotierte Halbleiter, epitaktische Schichten von Silizium, getragen durch eine Basishalbleiterunterlage, und andere Halbleiterstrukturen umfassen. Der Halbleiter braucht nicht auf Silizium zu beruhen. Der Halbeiter könnte ebenso Silizium-Germanium, Germanium oder Galliumarsenid sein. Gemäß anderen Ausführungsbeispielen können Siliziumcarbid (SiC) oder Galliumnitrid (GaN) das Halbleitersubstratmaterial bilden.
  • 1A zeigt eine horizontale Schnittdarstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel. Die Halbleitervorrichtung 1 umfasst ein Transistorarray 10 und einen Abschlussbereich 20, der in dem Halbeitersubstrat gebildet ist. Das Transistorarray umfasst einen Sourcebereich 201, einen Drainbereich 205, einen Bodybereich 220, eine Driftzone 260 und eine Gateelektrode 210 an dem Bodybereich 220. Die Gateelektrode 210 ist gestaltet, um eine Leitfähigkeit eines Kanals zu steuern, der in dem Bodybereich gebildet wird. Eine Gatedielektrikumschicht 211 kann zwischen der Gateelektrode 210 und dem Bodybereich 220 angeordnet sein. Der Bodybereich 220 und die Driftzone 260 sind längs einer ersten Richtung (z. B. der x-Richtung) zwischen dem Sourcebereich 201 und dem Drainbereich 205 angeordnet. Die erste Richtung ist parallel zu der ersten Hauptoberfläche. Der Bodybereich 220 hat die Gestalt eines ersten Grats bzw. Höhenrückens bzw. Firstes, der sich in einer ersten Richtung erstreckt. Insbesondere ist der Bodybereich 220 in einem Grat strukturiert, der sich längs der ersten Richtung durch benachbarte erste Trenches 212 bzw. Gräben 212 in dem Halbeitersubstrat erstreckt.
  • Der Abschlussbereich 20 umfasst einen Abschlusstrench bzw. -graben 272. Ein Teil des Abschlusstrenches 272 erstreckt sich in der ersten Richtung (beispielsweise der x-Richtung). Eine Länge des Abschlusstrenches 272 ist größer als die Länge der ersten Trenches 212, wobei die Länge längs der ersten Richtung gemessen ist.
  • Die Halbleitervorrichtung 1 umfasst einen Transistorteil oder ein Transistorarray 10, in welchem eine Vielzahl von Einzeltransistorzellen 200 parallel verbunden sein können. Beispielsweise kann die Vielzahl von Einzeltransistorzellen 200 einen gemeinsamen Sourcebereich 201 und einen gemeinsamen Drainbereich 205 umfassen. Darüber hinaus umfasst jede der Einzeltransistorzellen 200 eine Gateelektrode 210. Beispielsweise kann die Gateelektrode 210 in jedem der ersten Trenches 212 angeordnet sein. Der Abschlusstrench 272 kann derart vorgesehen sein, dass kein Kurzschluss zwischen dem Sourcebereich 201 und dem Drainbereich 205 an dem Randteil des Transistorarrays stattfinden kann.
  • Wie weiter in 1A veranschaulicht ist, hat die Gatedielektrikumschicht 211 eine größere Dicke an der Seite der Gateelektrode gegenüber zu dem Drainbereich 205 als an einem Teil der Gateelektrode 210 gegenüber zu dem Sourcebereich 201. Dadurch kann eine Gate-Drain-Kapazität weiter reduziert werden. Jedoch kann, wie klar zu verstehen ist, die Dicke der Gatedielektrikumschicht 211 so gewählt werden, dass die gewünschten Vorrichtungseigenschaften vorhanden sind. Wie weiterhin in 1A angegeben ist, kann der Sourcebereich 201 über einen Sourcekontakt 202 mit einem Sourceanschluss 203 verbunden sein. Weiterhin kann der Drainbereich 205 elektrisch über einen Drainkontakt 206 mit einem Drainanschluss 207 verbunden sein. Die Länge des Sourcekontaktes 202 kann so gewählt werden, dass einige der Transistorzellen an dem Rand des Arrays der ersten Trenches nahe zu dem Abschlusstrench 272 elektrisch nicht mit dem Sourceanschluss verbunden sind. Als ein Ergebnis kann ein Leckstrom zwischen dem Sourcebereich 201 und dem Drainbereich 205 weiter reduziert werden.
  • Der Bodybereich kann dotiert werden, um mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp dotiert zu sein, während der Sourcebereich 201 und der Drainbereich 205 von dem ersten Leitfähigkeitstyp sind. Ein Halbleiterteil 120 unterhalb des Bodybereiches 220 kann mit dem ersten Leitfähigkeitstyp dotiert sein. Die Position einer Maske zum Dotieren des Bodybereiches 220 mit den Dotierstoffen des zweiten Leitfähigkeitstyps ist durch ein Bezugszeichen 300 angezeigt. Ein Bezugszeichen 310 gibt eine Grenze des Bodybereichs 220 unter Berücksichtigung einer Diffusion von Dotierstoffen an.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann eine planare Sourcekontaktleitung 204 über Teilen der Driftzone 260 angeordnet sein. Die Sourcekontaktleitung 204 kann elektrisch mit dem Sourceanschluss 203 verbunden sein, und sie kann als eine Feldplatte wirken.
  • 1B zeigt eine Schnittdarstellung, die zwischen A-A' geführt ist, wie dies auch in 1A veranschaulicht ist. Insbesondere ist die Schnittdarstellung von 1B so gebildet, dass sie den Abschlusstrench 272 und die Vielzahl von ersten Trenches 212 schneidet. Wie gezeigt ist, ist der Abschlusstrench 272 auf einer Seite des Arrays von ersten Trenches 212 angeordnet. Der Abschlusstrench 272 kann sich bis zu einer tieferen Tiefe als die ersten Trenches 212 erstrecken. Weiterhin kann der Abschlusstrench eine größere Breite als die ersten Trenches haben, wobei die Breite längs einer Richtung senkrecht bezüglich der ersten Richtung (z. B. der y-Richtung) gemessen ist. Eine isolierende Schicht 271 ist auf Seitenwänden und der Bodenseite des Abschlusstrenches 272 angeordnet. Ein leitendes Material 270 kann in den Abschlusstrench 272 gefüllt sein. Beispielsweise kann das leitende Material 270 elektrisch mit einem Sourceanschluss 203 gekoppelt sein. Die ersten Trenches sind in der ersten Hauptoberfläche 110 des Halbeitersubstrates 100 gebildet. Eine dielektrische Schicht kann gebildet sein, um die Seitenwände und den Boden sowie die obere Seite von jedem der ersten Trenches 212 auszukleiden. Weiterhin kann ein leitendes Material in die Trenches 212 gefüllt sein, um die Gateelektrode 210 zu bilden. Eine Gateverbindungsleitung 213 kann elektrisch benachbarte Trenches miteinander verbinden. Die Gateverbindungsleitung 213 kann elektrisch mit einem Gatepotential verbunden sein. Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann, wie durch Strichlinien angezeigt, die Gateverbindungsleitung 213 über den Abschlusstrench geführt sein. Die ersten Trenches 212 strukturieren bzw. mustern den Bodybereich 220 in erste Grate bzw. Höhenrücken bzw. Firste, die sich längs der ersten Richtung erstrecken. Bezugszeichen 300a, 300b geben eine Grenze zwischen Halbleiterteilen des ersten und zweiten Leitfähigkeitstyps in Vorrichtungen gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen an.
  • Allgemein wird versucht, den Abschlusstrench 272 in direktem Kontakt mit dem Bodybereich 220 des zweiten Leitfähigkeitstyps vorzusehen, wie dies durch ein Bezugszeichen 300b angezeigt ist. In einem derartigen Fall kann ein Leckstrom vor einem Kurzschluss zwischen dem Sourcebereich 201 und dem Drainbereich 205 an den Randteilen an dem Array der ersten Trenches 212 verhindert werden. Jedoch kann es, wie weiter unten erläutert werden wird, aufgrund von Prozesszwängen vorteilhaft sein, diese Grenze nahe zu dem ersten Trench 212, der an dem Rand des Arrays der ersten Trenches angeordnet ist, zu verfahren. In einem derartigen Fall ist diese Grenze durch ein Bezugszeichen 300a angezeigt.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann die Breite d1 des Bodybereiches 220 oder der Abstand zwischen benachbarten ersten Trenches 212 die folgende Formel erfüllen:
    d1 ≤ 2 × ld, wobei d1 eine Länge einer Verarmungszone bezeichnet, die an der Zwischenfläche zwischen der Gatedielektrikumschicht 211 und dem Bodybereich 220 gebildet ist. Beispielsweise kann die Breite der Verarmungszone bestimmt werden zu:
    Figure DE102015102115B3_0002
    wobei es die Dielektrizitätskonstante des Halbleitermaterials (11,9·ε0 für Silizium), k die Boltzmann-Konstante (1,38066·10–23 J/K), T die Temperatur (z. B. 300 K), in den natürlichen Logarithmus, NA die Fremdstoffkonzentration des Halbleiterkörpers, ni die intrinsische Ladungsträgerkonzentration (1,45·1010 für Silizium bei 27°C), q die Elementarladung (1.6·10–19 C) bezeichnen.
  • Im Allgemeinen wird angenommen, dass in einem Transistor die Länge der Verarmungszone bei einer Gatespannung entsprechend der Schwellenspannung der maximalen Breite der Verarmungszone entspricht. Beispielsweise kann der Abstand zwischen den ersten Trenches angenähert 20–130 nm, beispelsweise 40–120 nm, längs der ersten Hauptoberfläche 110 des Halbeitersubstrates 100 sein.
  • Im Fall eines Einschaltens wird ein leitender Inversionskanal an der Grenze zwischen dem Bodybereich 220 und der Gatedielektrikumschicht 211 gebildet. Demgemäß ist der Transistor in einem leitenden Zustand von dem Sourcebereich 201 zu dem Drainbereich 205 über den Drainausdehnungsbereich oder die Driftzone 260. Im Fall eines Ausschaltens wird keine leitende Inversionsschicht gebildet, was in einem Sperren des Stromflusses resultiert.
  • 2A zeigt eine horizontale Schnittdarstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel. Zusätzlich zu allen anhand von 1A dargestellten Komponenten umfasst das Ausführungsbeispiel von 2A außerdem Feldplattentrenches 252, die sich in der ersten Richtung erstrecken. Die Feldplattentrenches 252 sind längs der ersten Richtung zwischen den ersten Trenches 212 und dem Drainbereich 205 angeordnet. Beispielsweise können die Feldplattentrenches in einem Abstand von d2 zwischen benachbarten Trenches vorgesehen sein. Gemäß einem Ausführungsbeispiel entspricht der Abstand zwischen den Feldplattentrenches d2 dem Abstand d3 zwischen dem Feldplattentrench 252 an dem Rand des Arrays und dem Abschlusstrench 272.
  • Wenn die Halbleitervorrichtung, die die Feldplattentrenches 252 aufweist, abgeschaltet wird, können sich die Ladungsträger in der Driftzone 260 einfacher aufgrund des Vorhandenseins der Feldplattentrenches 252 verarmen. Als eine Folge kann die Dotierungskonzentration in der Driftzone 260 zunehmen, was in einem reduzierten Ron × A der sich ergebenden Vorrichtung resultiert. Wenn der Abstand zwischen dem Abschlusstrench 272 und dem Feldplattentrench 252 benachbart zu dem Abschlusstrench 272 kleiner als oder gleich wie der Abstand zwischen den Feldplattentrenches 252 ist, kann im Fall eines Abschaltens kein Durchbruch an dem Rand des Transistorarrays auftreten. Mit anderen Worten, wenn d3 größer als d2 ist, können Ladungsträger zwischen dem Bodybereich 220 und dem Drainbereich 205 fließen, da sich die Verarmung nicht über die gesamte Breite d3 ausbreitet. Eine Felddielektrikumschicht 251 kann an den Seitenwänden und der Bodenseite der Feldplattentrenches 252 angeordnet sein. Weiterhin kann ein leitendes Material in die Feldplattentrenches gefüllt werden. Das leitende Material 250 kann elektrisch mit der Sourcekontaktleitung 204 verbunden sein. Die Sourcekontaktleitung 204 kann elektrisch mit einem Sourceanschluss 203 gekoppelt sein.
  • 2B zeigt eine Schnittdarstellung der in 2A zwischen I und I' veranschaulichten Halbleitervorrichtung. Die Schnittdarstellung ist so geführt, dass sie eine einzelne Transistorzelle über dem Bodybereich 220 zwischen benachbarten ersten Trenches 212 schneidet. Die Richtung zwischen I und I' entspricht der ersten Richtung. Wie dargestellt ist, erstreckt sich der Sourcebereich 201 von der ersten Hauptoberfläche 110 in einer Tiefenrichtung des Halbeitersubstrates 100, das heißt senkrecht zu der ersten Hauptoberfläche 110. Der Bodybereich 220 und die Driftzone 260 sind längs einer ersten Richtung angeordnet, die parallel zu der ersten Hauptoberfläche 110 zwischen dem Sourcebereich 201 und dem Drainbereich 205 ist. Der Drainbereich 205 erstreckt sich in ähnlicher Weise von der ersten Hauptoberfläche 110 in einer Tiefenrichtung des Substrates. Wie durch Strichlinien angezeigt ist, sind in einer Ebene vor und hinter der angegebenen Zeichenebene erste Trenches (Gatetrenches) 212 benachbart zu dem Bodybereich 220 vorgesehen. In entsprechender Weise können Feldplattentrenches 252 benachbart zu der Driftzone 260 angeordnet sein Der erste Trench 212 und der Feldplattentrench 252 erstrecken sich von der ersten Hauptoberfläche 110 in einer Tiefenrichtung des Substrates. Als eine Folge ist der Bodybereich 220 in der Gestalt eines ersten Grats bzw. Höhenrückens bzw. Firstes strukturiert bzw. gemustert. Aufgrund des Vorhandenseins der Feldplattentrenches 252 ist die Driftzone 260 in der Gestalt eines zweiten Grats bzw. Höhenrückens bzw. Firstes strukturiert bzw. gestaltet.
  • 2B zeigt einen Bodykontaktteil 225, der unterhalb des Bodybereiches 220 und unterhalb eines Teiles der Driftzone 260 angeordnet ist. Der Bodykontaktteil 225 verbindet den Bodybereich 220 mit dem Sourcekontakt 202, um so einen parasitären Bipolartransistor zu vermeiden, der sonst an diesem Teil gebildet werden könnte. Darüber hinaus erstreckt sich der Bodykontaktteil 225 unterhalb der Driftzone 260, so dass in einem Aus-Zustand des Transistors 200 die Driftzone 260 einfacher verarmen könnte.
  • 2C zeigt eine Schnittdarstellung der Halbleitervorrichtung zwischen III und III', wie diese auch in 2A veranschaulicht sind. Die Schnittdarstellung ist so geführt, dass sie den Abschlusstrench 272 und die Feldplattentrenches 252 schneidet. Die Feldplattentrenches bzw. -gräben 252 und der Abschlusstrench bzw. -graben 272 sind in der ersten Hauptoberfläche 110 eines Halbeitersubstrates 100 gebildet. Die Feldplattentrenches 252 können sich bis zu der gleichen Tiefe wie der Abschlusstrench 272 erstrecken und können die gleiche Breite haben, die längs der zweiten Richtung gemessen ist. Eine isolierende Schicht 271, 251 ist an den Seitenwänden des Abschlusstrenches 272 und der Feldplattentrenches 252 vorgesehen. Ein leitendes Material 270, 250 ist in den Abschlusstrench 272 und die Feldplattentrenches 252 gefüllt. Das gleiche Material kann in den Abschlusstrench 272 und die Feldplattentrenches 252 gefüllt sein, um so eine elektrische Verbindung zwischen den Feldplatten und dem Abschlusstrench vorzusehen. Wie aus 2C ersichtlich wird, ist der Abschlusstrench 272 benachbart zu der Driftzone 260 und in Struktur und Geometrie ähnlich zu irgendeinem der Feldplattentrenches 252. Der Abstand d2 zwischen den Feldplattentrenches 252 kann gleich wie oder größer als ein Abstand d3 zwischen dem Abschlusstrench 272 und dem Feldplattentrench 252 benachbart zu dem Abschlusstrench 272 sein. Ein Pitch bzw. eine Teilung zwischen benachbarten Feldplattentrenches 252 kann gleich wie oder größer als eine Teilung zwischen benachbarten ersten Trenches sein, in welchen die Gateelektrode angeordnet ist. Im Allgemeinen bezeichnet der Begriff ”Teilung” die Summe der Breite und des Abstandes von benachbarten Trenches, beispielsweise Feldplattentrenches 252 oder ersten Trenches 212. Wenn demgemäß die Feldplattentrenches 252 und die ersten Trenches 212 die gleiche Teilung haben, hängt die Beziehung des Abstandes zwischen den Feldplattentrenches 252 und des Abstandes zwischen ersten Trenches von der Breite von jedem der Trenches ab. Wenn die Breite zwischen Feldplattentrenches 252 größer ist als die Breite zwischen ersten Trenches 212, ist der Abstand zwischen den ersten Feldplattentrenches kleiner als der Abstand zwischen den ersten Trenches 212.
  • Wenn ein Transistor hergestellt wird, in welchem der Bodybereich in einer ersten Gratstruktur gemustert ist, die sich längs der ersten Richtung erstreckt, entlang welcher benachbarte erste Trenches in dem Halbeitersubstrat ausgedehnt sind, kann gemäß Konzepten eine einzelne Maske benutzt werden, um Siliziumoxid von geätzten Trenches zu entfernen und um Dotierungsprozesse zum Definieren des dotierten Bodybereiches auszuführen. Mittels einer einzigen Maske kann eine perfekte Selbstjustierung bzw. Selbstausrichtung zwischen den verbleibenden Oxidteilen und den dotierten Teilen erzielt werden. In dem Zusammenhang der vorliegenden Beschreibung soll der Ausdruck ”einzelne Maske” oder ”Einzelmaske” angeben, dass die Maske gemeint ist, die nach Durchführen des ersten Prozessierens weiter modifiziert wird. Beispielsweise kann die Maske zugerichtet bzw. getrimmt, das heißt an ihren Ecken geätzt werden nach Durchführen des ersten Prozessierens. Das Konzept eines Verwendens einer Einzelmaske kann weiter entwickelt werden, um einerseits sicherzustellen, dass der dotierte Bodybereich sehr eng zu dem Abschlusstrench 272 angeordnet ist. Andererseits sollte isolierendes Material benachbart zu der Driftzone 260 an der Seitenwand des Abschlusstrenches 272 beibehalten werden.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann dies durch Unterteilen des Abschlusstrenches 272 in einen ersten Abschlusstrenchteil 272b, der benachbart zu den ersten Trenches 212 angeordnet ist, und einen zweiten Abschlusstrenchteil 272a, der benachbart zu den Feldplattentrenches 252 angeordnet ist, erreicht werden. Ein Prozessieren kann vorgenommen werden, um eine dicke dielektrische Schicht 272 an einer Seitenwand benachbart zu der Driftzone 260 beizubehalten und gleichzeitig den dotierten Bodybereich 220 in enger räumlicher Beziehung zu dem ersten Abschlusstrenchteil 272b zu verfahren. Gemäß dem in 3A dargestellten Ausführungsbeispiel ist eine Breite des ersten Abschlusstrenchteiles 272b kleiner als die Breite des zweiten Abschlusstrenchteiles 272a. Beispielsweise können die ersten Trenches 212 in einer Richtung des Abschlusstrenches 272 verschoben sein, um so einen kleinen Abstand zwischen den ersten Trenches 212 und dem ersten Abschlusstrenchteil 272b zu haben. Aufgrund der verschiedenen Breite der ersten Abschlusstrenchteile 272b und des zweiten Abschlusstrenchteiles 272a kann der zweite Abschlusstrenchteil 272a angeordnet sein, um mit den ersten Trenches 212 längs der zweiten Richtung zu überlappen. Demgemäß kann eine Maske verwendet werden, die vollständig den zweiten Abschlusstrenchteil 272a bedeckt, so dass keine dielektrische Schicht von der Seitenwand des zweiten Abschlusstrenchteiles 272a entfernt wird. Beispielsweise kann eine derartige Maske verwendet werden, wenn eine Einzelmaske zum Entfernen der dielektrischen Schicht und zum Durchführen des Dotierungsprozesses benutzt wird. Die Position der Maske wird durch ein Bezugszeichen 300 angegeben.
  • 3B zeigt eine Schnittdarstellung zwischen A und A', wie diese auch in 3A veranschaulicht sind. Die Schnittdarstellung ist so geführt, dass sie den ersten Abschlusstrenchteil 272b und die ersten Trenches 212 schneidet. Wie auch in 3A angezeigt ist, wird aufgrund der Position der Ätzmaske 300 ein Teil der dielektrischen Schicht 271 von der Seitenwand des ersten Abschlusstrenchteiles 272b, der den ersten Trenches 212 gegenüberliegt, entfernt.
  • Aufgrund des weiteren Verarbeitens, das eine Gatedielektrikumschicht 211 auf den Seitenwänden der ersten Trenches 12 bildet, wird auch eine Gatedielektrikumschicht 211 auf der ”inneren” Seitenwand des ersten Abschlusstrenchteiles 272b gebildet. Weiterhin erstreckt sich aufgrund der Position dieser kombinierten Maske der Bodybereich 220 zu dem ersten Abschlusstrenchteil 272b.
  • Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel kann das leitende Material der ersten und zweiten Abschlusstrenchteile isoliert voneinander angeordnet werden. 4A zeigt ein Beispiel einer derartigen Ausgestaltung. 4A veranschaulicht einen ersten Abschlusstrenchteil 272b und einen zweiten Abschlusstrenchteil 272a, nämlich Komponenten eines Abschlusstrenches 272. Eine Felddielektrikumschicht 271 ist an den Seitenwänden des zweiten Abschlusstrenchteiles 272a gebildet. Weiterhin ist eine dünnere Gatedielektrikumschicht 211 an der ”inneren” Seitenwand des ersten Abschlusstrenchteiles 272b gebildet. Zwischen den zwei Teilen des Abschlusstrenches kann die Felddielektrikumschicht 271 eine elektrische Isolation zwischen leitendem Material, das in den ersten und zweiten Abschlusstrenchteilen 272b, 272a gebildet ist, ausführen. Ein erstes leitendes Material 270b ist in dem ersten Abschlusstrenchteil 272b gebildet, und ein zweites leitendes Material 270a ist in dem zweiten Abschlusstrenchteil 272a gebildet. Wie klar zu verstehen ist, können die ersten und zweiten leitenden Materialen 270a, 270b das gleiche Material umfassen. Das erste leitende Material 270b kann elektrisch mit dem Gateanschluss 214 verbunden sein, und das zweite leitende Material 270a kann elektrisch mit dem Sourceanschluss 203 als Beispiel verbunden sein. Wie klar zu verstehen ist, kann irgendein anderer Anschluss elektrisch mit irgendeinem dieser leitenden Materialien abhängig von den Anforderungen der Vorrichtung verbunden sein. Wie durch Strichlinien angezeigt ist, kann die Gateelektrode 210 elektrisch mit einem Gateanschluss 214 mittels einer Gateverbindungsleitung 213 verbunden sein. Die Gateverbindungsleitung 213 kann über den Abschlusstrench 272 geführt sein.
  • Beispielsweise kann sich der erste Abschlusstrenchteil 272b bis zu einer geringeren Tiefe als der zweite Abschlusstrenchteil 272a erstrecken. Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann ein derartiger Abschlusstrench mittels eines Ätzprozesses in einem Trench gebildet werden, der zwei verschiedene Breiten hat. Aufgrund der verschiedenen Breiten kann ein Ätzen in dem zweiten Abschlusstrenchteil 272a so ausgeführt werden, dass es sich in eine tiefere Tiefe als der erste Abschlusstrenchteil 272b erstreckt.
  • Durch Bilden eines Abschlusstrenches 272 mit verschiedenen Teilen kann jeder Teil des Abschlusstrenches in Geometrie und Struktur an die Forderungen der Umgebung bei jedem der Teile angepasst werden. Beispielsweise ist es für den Feldplattentrenchteil, der benachbart zu den Feldplattentrenches ist, wünschenswert, dass die Feldielektrikumschicht 271 benachbart zu der Driftzone 260 eine größere Dicke hat und der Abstand zwischen dem zweiten Abschlusstrenchteil und dem benachbarten Feldplattentrench 252 gleich wie oder kleiner als der Abstand zwischen benachbarten Feldplattentrenches ist. Andererseits ist es für den ersten Abschlusstrenchteil 272b, der benachbart zu den ersten Trenches 212 ist, wünschenswert, dass sich der dotierte Bodybereich 220 bis zu dem Abschlusstrench erstreckt. Aufgrund dieses Konzeptes kann jeder der Teile des Abschlusstrenches an die Forderungen der Umgebung angepasst bzw. auf diese eingestellt werden.
  • Gemäß Ausführungsbeispielen umfasst die Halbleitervorrichtung eine Vielzahl von Einzeltransistorzellen 10, die parallel verbunden sein können. Das Muster bzw. die Struktur der Einzeltransistorzellen 200 kann wiederholt und längs den ersten und den zweiten Richtungen gespiegelt werden. Der Abschlusstrench 272 kann angeordnet werden, um das Transistorarray einzuschließen bzw. zu umgeben. Die Einzeltransistorzellen 200 und der Abschlusstrench 272 können in irgendeiner Weise ausgestaltet werden, wie dies oben beschrieben wurde.
  • Die 5A bis 5C veranschaulichen Schritte, wenn die Halbleitervorrichtung mittels einer gemeinsamen oder einer Einzelmaske jeweils gebildet wird, um ein dielektrisches Material zu entfernen und um Dotierungsprozesse auszuführen.
  • Ausgangspunkt zum Erläutern von Einzelheiten des Herstellungsprozesses ist ein Halbeitersubstrat, das geätzte erste Trenches 212 und geätzte zweite Trenches 252 aufweist, die Feldplattentrenches definieren. Verschiedene Dotierungsprozesse wurden bereits vorgenommen, um Drainbereiche 205 und Bodykontaktteile 225 zu definieren. Eine Siliziumoxidschicht 401 wurde über der Struktur gebildet. Aufgrund der verschiedenen Breiten der Trenches sind die ersten Trenches 212 vollständig mit der Siliziumoxidschicht gefüllt, während die Siliziumoxidschicht die Feldielektrikumschicht 251 auf den Seitenwänden und der Bodenseite der Feldplattentrenches 252 bildet. Eine Hartmaskenschicht 300 wurde über der sich ergebenden Struktur gebildet und strukturiert, wobei ein Teil der ersten Trenches 212 zurückgelassen und das Halbleitermaterial zwischen den ersten Trenches 212 unbedeckt bleibt.
  • 5A zeigt ein Beispiel einer derartigen Struktur. Wie in dem linkshändigen Teil von 5A veranschaulicht ist, ist ein rechtshändiger Teil der ersten Trenches 212 durch die Hartmaskenschicht 300 bedeckt, während der linkshändige Teil der ersten Trenches unbedeckt ist. Der rechtshändige Teil von 5A zeigt eine Schnittdarstellung des Substrates, das die ersten Trenches 212 und die durch die Hartmaske 300 bedeckten Feldplattentrenches 252 veranschaulicht. Wie durch Pfeile angegeben ist, wird ein Ätzschritt durchgeführt, um die Siliziumoxidschicht 411 von unbedeckten Teilen zu entfernen. Als ein Ergebnis wird die Siliziumoxidschicht 411 vollständig von der linkshändigen Seitenwand der ersten Trenches 212 entfernt, und ein kleiner Teil verbleibt in dem Bodenteil der ersten Trenches 212. Weiterhin wurde die Siliziumoxidschicht 411 von der ersten Hauptoberfläche 110 entfernt.
  • Weiterhin werden geneigte bzw. schräge Ionenimplantationsschritte vorgenommen, wie dies durch die Pfeile angezeigt ist, die in dem rechtshändigen Teil von 5B angegeben sind. Der geneigte Ionenimplantationsschritt wird durchgeführt, um Halbleiterteile in einem Halbleiterteil zu dotieren, der vor und hinter der angegebenen Zeichenebene gelegen ist. Das heißt, die Bodyteile zwischen benachbarten ersten Trenches 212, die auch in dem linkshändigen Teil von 5B gezeigt sind, werden aufgrund dieses Dotierungsschrittes dotiert. Aufgrund der Verwendung einer Einzelmaske 300 zum Durchführen dieser Prozesse eines Ätzens der Siliziumoxidschicht 411 und eines Dotierens der Bodybereiche 220 kann die Ausrichtung bzw. Justierung dieser Teile verbessert werden. Im Allgemeinen kann die Maske 300 weiter modifiziert werden, beispielsweise durch einen Rückfahrschritt, so dass die Justierung bzw. Ausrichtung vorgenommen werden können, indem während der Ionenimplantation auftretende Probleme berücksichtigt werden. Die Abfolge von Schritten kann gemäß den Prozessanforderungen ausgewählt werden.
  • 5C veranschaulicht eine Schnittdarstellung der ersten Trenches 212 einschließlich des Abschlusstrenches 272 nach Durchführen des Prozessierens gemäß einem Ausführungsbeispiel. Die Position der Schnittdarstellung von 5C entspricht angenähert der Position der Schnittdarstellung von 3B. Gemäß dem Ausführungsbeispiel wird ein Teil der dielektrischen Schicht 271 auf der ”inneren” Seitenwand des Abschlusstrenches entfernt und durch die dünne Gatedielektrikumschicht 211 ersetzt, während ein unterer Teil dieser dielektrischen Schicht auf der Seitenwand des Abschlusstrenches beibehalten wurde. Demgemäß liefert die dielektrische Schicht 271 eine ausreichende Isolation zwischen dem leitenden Material des Abschlusstrenches und dem Halbleiterkörper. Der Bodybereich 220 des Transistors erstreckt sich zu dem Abschlusstrench 272.
  • 6 veranschaulicht Schritte zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, die ein Transistorarray und einen Abschlussbereich umfasst. Wie dargestellt ist, umfasst das Verfahren ein Bilden eines Sourcebereiches, eines Drainbereiches, eines Bodybereiches, einer Driftzone und einer Gateelektrode an dem Bodybereich (S100). Die Gateelektrode wird konfiguriert, um eine Leitfähigkeit eines Kanals zu steuern, der in dem Bodybereich gebildet ist, wobei der Bodybereich und die Driftzone in einer ersten Richtung zwischen dem Sourcebereich und dem Drainbereich vorgesehen sind und die erste Richtung parallel zu der ersten Hauptoberfläche ist. Der Bodybereich wird in einen ersten Grat bzw. Höhenrücken bzw. ersten First strukturiert bzw. gemustert, der sich längs der ersten Richtung durch benachbarte erste Trenches in dem Halbeitersubstrat erstreckt. Das Verfahren umfasst weiterhin ein Bilden eines Abschlusstrenches (S110). Ein Teil des Abschlusstrenches erstreckt sich in der ersten Richtung, wobei eine Länge des Abschlusstrenches größer ist als die Länge der Gatetrenches, wobei die Länge längs der ersten Richtung gemessen ist. Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel kann die Halbleitervorrichtung eine Komponente einer elektronischen Vorrichtung, wie einer Brückenschaltung, eines Konverters bzw. Umsetzers, eines Inverters und eines Motorantriebes sein. Entsprechend bezieht sich ein weiteres Ausführungsbeispiel auf eine derartige elektronische Vorrichtung, die die Halbleitervorrichtung umfasst, die bereits oben beschrieben wurde.

Claims (21)

  1. Halbleitervorrichtung (1), gebildet in einem Halbeitersubstrat (100), das eine erste Hauptoberfläche (110) hat, umfassend: ein Transistorarray (10) und einen Abschlussbereich (20), wobei das Transistorarray (10) aufweist: einen Sourcebereich (201), einen Drainbereich (205), einen Bodybereich (220), eine Driftzone (260), und eine Gateelektrode (210) bei dem Bodybereich (220), wobei die Gateelektrode (210) gestaltet ist, um eine Leitfähigkeit eines in dem Bodybereich (220) gebildeten Kanals zu steuern, die Gateelektrode (210) in ersten Trenches (212) angeordnet ist, der Bodybereich (220) und die Driftzone (260) längs einer ersten Richtung zwischen dem Sourcebereich (201) und dem Drainbereich (205) vorgesehen sind, die erste Richtung parallel zu der ersten Hauptoberfläche ist und der Bodybereich (220) eine Gestalt eines ersten Grats hat, der sich längs der ersten Richtung erstreckt, der Abschlussbereich (20) einen Abschlusstrench (272) umfasst, wobei sich ein Teil des Abschlusstrenches (272) in der ersten Richtung erstreckt, eine Länge des Abschlusstrenches (272) größer ist als eine Länge der ersten Trenches (212) und die Länge in der ersten Richtung gemessen ist, wobei auf Seitenwänden und einer Bodenseite des Abschlusstrenches eine isolierende Schicht (271) angeordnet ist und ein leitendes Material (270) in den Abschlusstrench (272) gefüllt ist.
  2. Halbleitervorrichtung (1) nach Anspruch 1, bei der die ersten Trenches (212) den Bodybereich (220) in die Gestalt des Grats strukturieren.
  3. Halbleitervorrichtung (1) nach Anspruch 1 oder 2, bei der das Transistorarray (10) weiterhin eine Vielzahl von Feldplattentrenches (252) aufweist, die sich in der ersten Richtung erstrecken, wobei die Feldplattentrenches (252) längs der ersten Richtung zwischen den ersten Trenches (212) und dem Drainbereich (205) angeordnet sind.
  4. Halbleitervorrichtung (1) nach Anspruch 3, bei der ein Abstand zwischen den Feldplattentrenches (252) gleich ist wie oder größer als ein Abstand zwischen dem Abschlusstrench (272) und dem Feldplattentrench benachbart zu dem Abschlusstrench (272).
  5. Halbleitervorrichtung (1) nach Anspruch 3, bei der eine Breite eines Teiles des Abschlusstrenchs (272) gleich zu einer Breite der Feldplattentrenches (252) ist, wobei die Breite in der Richtung senkrecht zu der ersten Richtung gemessen ist.
  6. Halbleitervorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei der eine Breite des Abschlusstrenches (272) sich längs der ersten Richtung verändert.
  7. Halbleitervorrichtung (1) nach Anspruch 3, bei der der Abschlusstrench (272) einen ersten Abschlusstrenchteil (272b) benachbart zu den ersten Trenches (212) und einen zweiten Abschlusstrenchteil (272a) benachbart zu den Feldplattentrenches (252) aufweist.
  8. Halbleitervorrichtung (1) nach Anspruch 7, bei der die Breite des ersten Abschlusstrenchteiles (272b) kleiner ist als die Breite des zweiten Abschlusstrenchteiles (272a).
  9. Halbleitervorrichtung (1) nach Anspruch 7 oder 8, bei der jeweils ein Teil des leitenden Materials in dem ersten Abschlusstrenchteil (272b) angeordnet ist und ein weiterer Teil des leitenden Materials in dem zweiten Abschlusstrenchteil (272a) angeordnet ist, wobei das leitende Material in dem ersten Abschlusstrenchteil (272b) von dem leitenden Material in dem zweiten Abschlusstrenchteil (272a) isoliert und jeweils mit verschiedenen Anschlüssen verbunden ist.
  10. Halbleitervorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 7 bis 9, bei der eine Tiefe des ersten Abschlusstrenchteiles (272b) kleiner ist als eine Tiefe des zweiten Abschlusstrenchteiles (272a).
  11. Halbleitervorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 7 bis 10, wobei eine Dicke der isolierenden Schicht in dem zweiten Abschlusstrenchteil (272a) größer ist als in dem ersten Abschlusstrenchteil (272b).
  12. Halbleitervorrichtung (1) nach Anspruch 9, bei der das leitende Material in dem ersten Abschlusstrenchteil (272b) mit einem Gateanschluss verbunden ist, wobei eine Gateverbindungsleitung, die den Gateanschluss mit den Gateelektroden (210) verbindet, über den ersten Abschlusstrenchteil (272b) geführt ist.
  13. Halbleitervorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 3 bis 12, bei der eine Teilung zwischen benachbarten Feldplattentrenches (252) gleich ist wie oder größer ist als eine Teilung zwischen benachbarten ersten Trenches (212).
  14. Halbleitervorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 13, bei der das Transistorarray (10) durch den Abschlusstrench (272) umschlossen ist.
  15. Halbleitervorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 14, bei der ein Teil des Abschlusstrenches (272) eine größere Tiefe als ein anderer Teil des Abschlusstrenches (272) hat.
  16. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung (1), die ein Transistorarray (10) und einen Abschlussbereich (20) in einem eine erste Hauptoberfläche aufweisenden Halbeitersubstrat (100) hat, wobei das Verfahren aufweist: Bilden eines Sourcebereiches (201), eines Drainbereiches (205), eines Bodybereiches (220) und einer Driftzone (260), und Bilden einer Gateelektrode (210) bei dem Bodybereich (220), wobei die Gateelektrode (210) gestaltet ist, um eine Leitfähigkeit eines in dem Bodybereich (220) gebildeten Kanals zu steuern, wobei die Gateelektrode (210) in ersten Trenches (212) gebildet ist, der Bodybereich (220) und die Driftzone (260) längs einer ersten Richtung zwischen dem Sourcebereich (201) und dem Drainbereich (205) angeordnet sind, die erste Richtung parallel zu der ersten Hauptoberfläche ist, der Bodybereich (220) die Gestalt eines ersten Grats hat, der sich längs der ersten Richtung erstreckt, Bilden eines Abschlusstrenches (272), wobei ein Teil des Abschlusstrenches (272) sich in der ersten Richtung erstreckt, eine Länge des Abschlusstrenches (272) größer ist als eine Länge der ersten Trenches (212) und die Länge längs der ersten Richtung gemessen ist, Bilden einer isolierenden Schicht (271) auf Seitenwänden und einer Bodenseite des Abschlusstrenches (272) und Füllen eines leitenden Materials (270) in den Abschlusstrench (272).
  17. Verfahren nach Anspruch 16, weiterhin umfassend ein Bilden einer Vielzahl von Feldplattentrenches (252), die sich in der ersten Richtung erstrecken.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, bei dem der Abschlusstrench (272) und die Feldplattentrenches (252) unter Verwendung gemeinsamer Prozessschritte gebildet werden.
  19. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 18, bei dem der Abschlusstrench (72) und die Feldplattentrenches (252) unter Verwendung einer gemeinsamen Fotomaske strukturiert werden.
  20. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 19, bei dem ein Bilden der Gateelektrode (210) ein Bilden einer Vielzahl von ersten Trenches (212) in der ersten Hauptoberfläche umfasst, wobei sich die ersten Trenches (212) in der ersten Richtung erstrecken.
  21. Elektronische Vorrichtung mit der Halbleitervorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei die elektronische Vorrichtung aus der Gruppe einer Brückenschaltung, eines Konverters, eines Inverters und eines Motorantriebes ausgewählt ist.
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