DE102014114093A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Niedertemperatur-Drucksintern - Google Patents
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Abstract
Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe durch Niedertemperatur-Drucksintern, mit den Schritten: Anordnen eines elektronischen Bauelements auf einem eine Leiterbahn aufweisenden Schaltungsträger, Verbinden des elektronischen Bauelements mit dem Schaltungsträger durch Niedertemperatur-Drucksintern eines das elektronische Bauelement mit dem Schaltungsträger verbindenden Fügewerkstoffs, dadurch gekennzeichnet, dass das Niedertemperatur-Drucksintern zur Vermeidung der Oxidation des elektronischen Bauelements oder der Leiterbahn in einer sauerstoffarmen Atmosphäre mit einem relativen Sauerstoffgehalt von 0,005 bis 0,3 % durchgeführt wird.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe durch Niedertemperatur-Drucksintern, mit den Schritten: Anordnen eines elektronischen Bauelements auf einem eine Leiterbahn aufweisenden Schaltungsträger, und Verbinden des elektronischen Bauelements mit dem Schaltungsträger durch Niedertemperatur-Drucksintern eines das elektronische Bauelement mit dem Schaltungsträger verbindenden Fügewerkstoffs.
- Ein derartiges Verfahren ist beispielsweise aus der
DE 10 2008 009 510 B3 bekannt. - Grundsätzlicher Nachteil am Niedertemperatur-Drucksintern ist, dass das Aufheizen der zu fügenden Bauelemente und Schaltungsträger nicht nur die Diffusion des eingebrachten Fügewerkstoffs, z. B. Silber (Ag), in die Verbindungsmetalle der Fügepartner, z.B. Edelmetalle einschließlich Gold (Au), Silber (Ag), Platin (Pt), Palladium (Pd), Rhodium (Rh), beschleunigt, sondern auch die Oxidation von metallischen Oberflächen begünstigt. So beginnt beispielsweise die Oxidation von Kupfer (Cu) bereits bei 80 °C sichtbar schneller abzulaufen als bei Raumtemperatur.
- Daher weisen unbehandelte elektronische Baugruppen nach Durchführen des Drucksinterprozess regelmäßig anstelle der ursprünglich glänzend rosa-rot erscheinenden Kupfer-Oberflächen einen stark oxidierten, sich durch eine einheitlich matt-braune Oberfläche ausdrückenden Zustand auf.
- Um eine Oxidation dieser Metalloberflächen zu verhindern, ist es bereits als Gegenmaßnahme bekannt, die Kupferleiterbahnen bzw. -leiterflächen und die Bauteil-Fügeflächen zum Schutz vor Oxidation mit edleren Metallen zu überziehen. Insbesondere werden hierfür Ni-Flash Au oder Ni-Pd-Überzüge verwendet.
- An dieser Schutzmaßnahme ist jedoch der erhöhte Arbeits- und Kostenaufwand nachteilig, wobei sich zusätzlich gezeigt hat, dass die derart behandelten Oberflächen die Oxidation verlangsamen, nicht aber gänzlich verhindern. Insbesondere hat sich in Experimenten gezeigt, dass 2-stufige Sinterungen, also Verfahren mit zwei aufeinander folgenden Sintervorgängen, auf durch diese Mittel geschützten Oberflächen nicht durchgeführt werden konnten.
- Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe mittels Niedertemperatur-Drucksintern zu schaffen, mit dem eine Oxidation der frei liegenden Metalloberflächen der elektronischen Baugruppe, insbesondere der Leiterbahn(en) und Bauelementanschlüsse wirkungsvoll verhindert werden kann.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch das Verfahren und die Vorrichtung mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche gelöst. Die Unteransprüche geben vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung wieder.
- Grundgedanke der Erfindung ist es, eine Oxidation der metallischen Oberflächen durch nahezu vollständigen Ausschluss von Sauerstoff bei der Durchführung des (thermischen) Sinterprozesses zu unterbinden, wobei sich herausgestellt hat, dass ein vollständiger Ausschluss von Sauerstoff, also eine Sauerstoff-freie Atmosphäre, für den Sintervorgang hinderlich ist. Erfindungsgemäß ist daher der Sauerstoffgehalt beim Sintervorgang auf ein Minimum zwischen 0,005 bis 0,3 % einzustellen. Nämlich so wenig, dass Oxidationsvorgänge nicht oder kaum erfolgen und gerade so viel, dass der Sintervorgang erfolgreich ablaufen kann und zu einem dauerhaften Produkt führt.
- Grundsätzlich kann ein Ober- und/oder ein Unterstempel für den Sintervorgang vorgesehen sein, wobei zumindest einer der beiden Stempel beheizbar ausgeführt ist. Es bietet sich an, auf dem Unterstempel den Schaltungsträger anzuordnen, wobei der Oberstempel zur Gegendruckerzeugung dient. Somit wird das elektronische Bauelement zur Druckerzeugung zwischen Ober- und Unterstempel mit dem Schaltungsträger durch ein relatives Aufeinanderfahren von Unter- gegen Oberstempel Niederdruck-pressgesintert. Hierzu kann der Unterstempel oder der Oberstempel verfahrbar ausgeführt sein, oder beide Stempel können relativ zueinander zur Druckerzeugung verfahren werden. Bevorzugt wird der Unterstempel gegen den feststehenden Oberstempel verfahren, wobei der Oberstempel ein Druckkissen für eine quasi-hydrostatische Druckverteilung umfasst. Bevorzugt ist zur Pressverfahrbarkeit der Unter- und/oder Oberstempel elektrohydraulisch angetrieben.
- Insbesondere hat sich bei Sintervorrichtungen, die einen Oberstempel mit einem Druckkissen aufweisen, gezeigt, dass das Druckkissen, beispielsweise ein Silikonkissen, unter atmosphärischen Bedingungen große Anteile an Sauerstoff aufnimmt und speichert. Dieses erhöht die Oxidation der zu fügenden metallischen Verbindungspartnern. Daher kann der Sintervorgang in einer praktisch sauerstofffreien Atmosphäre ablaufen, sofern ein sauerstoffenthaltendes Material vorhanden ist, das ausreichend Sauerstoff beinhaltet und diesen unter Druck freigibt, so dass im Rahmen des Sintervorgangs durch Druck- und Temperaturbeaufschlagung die vorgenannte minimale Sauerstoffkonzentration in die Prozessatmosphäre unmittelbar an die Sinterstelle erreicht werden kann. Ein Beispiel eines solchen Sauerstoff enthaltenden Materials kann eine Trennfolie zum Trennen des Druckkissens vom zu sinternden Bauteil, das direkt auf dem zu sinternden Bauteil aufliegt, sein. Daher ist es zwingend erforderlich, dass der Sintervorgang innerhalb einer gasdicht verschließbaren Kammer stattfindet, in der ein Gasaustausch der umgebenden Atmosphäre gegen eine sauerstoffarme Atmosphäre stattfinden kann. Hingegen hat sich eine reine Gasverdünnung durch Überströmen mit Gasen als unzureichend erwiesen.
- Insbesondere ist es besonders vorteilhaft, das Druckkissen und/oder eine Trennfolie zwischen Druckkissen und Sinterbauteil vor dem Sintervorgang mit der sauerstoffarmen Atmosphäre zu äquilibrieren und so am Druckkissen anhaftende oder in dieses diffundierte Sauerstoffmoleküle zu verdrängen und aus der Kammer zu entfernen. Vorteilhafterweise besteht die Trennfolie aus einem Polymer, insbesondere Teflon (PTFE), da dieses Material formveränderlich und druckstabil ist und eine Verunreinigung des zu sinternden Bauteils durch ablösendes Material des Druckkissens, insbesondere Silikonrückstände verhindert.
- Das Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe durch Niedertemperatur-Drucksintern, weist also wie bekannt die Schritte Anordnen eines elektronischen Bauelements auf einem eine Leiterbahn aufweisenden Schaltungsträger, und Verbinden des elektronischen Bauelements mit dem Schaltungsträger durch Niedertemperatur-Drucksintern eines das elektronische Bauelement mit dem Schaltungsträger verbindenden Fügewerkstoffs auf. Erfindungsgemäß ist dabei vorgesehen, dass das Niedertemperatur-Drucksintern zur Vermeidung der Oxidation des elektronischen Bauelements oder der Leiterbahn in einer sauerstoffarmen Atmosphäre mit einem relativen Sauerstoffgehalt von 0,005 bis 0,3 % durchgeführt wird. Bevorzugt weist die sauerstoffarme Atmosphäre einen relativen Sauerstoffgehalt von 0,05 bis 0,25 %, besonders bevorzugt von 0,05 bis 0,15 % auf.
- Die sauerstoffarme Atmosphäre weist bevorzugt Stickstoff (N), Kohlendioxid (CO2), ein Edelgas oder eine Mischung aus den vorgenannten Gasen auf, wobei lediglich auf den vorgenannten, für den Sintervorgang förderlichen Sauerstoffanteil zu achten ist.
- Sollte sich im Einzelfall herausstellen, dass die elektronische Baugruppe nach dem Niedertemperatur-Drucksintern teilweise oxidiert ist, kann die elektronische Baugruppe mit einem Reduktionsmittel begast oder bedampft werden. Bevorzugt bietet sich zur Bedampfung Methansäure (CH2O2) an.
- Der verwendete Fügewerkstoff ist bevorzugt Silber (Ag), der in Form einer Silber aufweisenden Sinterpaste vorgehalten wird. Es ist denkbar, ein Cu/Ag-Pulver, eine Silberlegierung und weitere Bestandteile in der Sinterpaste vorzusehen. Die Sinterpaste kann in Plättchenform zwischen elektronischem Bauelement und Schaltungsträger angeordnet sein, so dass eine einfache Vorkonfektion und ein gleichmäßiger Pastenbelag der Kontaktstelle erreicht werden kann.
- In vorteilhafter Weise beträgt die Sintertemperatur zwischen 230 °C bis 300 °C, bevorzugt zwischen 240 °C bis 280 °C liegt, insbesondere 250 °C, um energieeffizient eine zuverlässige Sinterverbindung herzustellen.
- In vorteilhafter Weise beträgt der Sinterdruck zwischen 20MPa bis 40MPa, bevorzugt zwischen 25MPa bis 35MPa, insbesondere 30MPa beträgt, um energieeffizient eine zuverlässige Sinterverbindung herzustellen.
- Die elektronischen Bauelemente können passive oder aktive Bauelemente sein.
- In einem Nebenaspekt der Erfindung wird eine Vorrichtung zur Durchführung eines der vorgenannten Verfahren vorgeschlagen. Die Vorrichtung umfasst eine erste Kammer (Vorheizkammer) mit einer Heizeinrichtung zum Erwärmen der elektronischen Baugruppe auf bis zu 100 °C. An die erste Kammer ist eine zweite Kammer (Sinterkammer) mit einem Ober- und einem Unterstempel zum Ausführen der Niedertemperatur-Drucksinterung bei einer Temperatur bis zu 300 °C und einem Druck bis zu 30 MPa angeschlossen. Zumindest einer der beiden Stempel, bevorzugt beide Stempel sind beheizbar. Des Weiteren ist eine mit der zweiten Kammer verbundene dritte Kammer (Abkühlkammer) zum Abkühlen der gesinterten elektronischen Baugruppe auf 80 °C, vorgesehen. Wenigstens die zweite Kammer ist gasdicht verschließbar ist und Mittel zum Herstellen der sauerstoffarmen Atmosphäre ausgerüstet.
- Alternativ kann eine einzelne Sinterkammer vorgesehen sein, die eingerichtet ist, das Druckkammersintern mit Druck und Temperatur durchzuführen. Diese einzelne Kammer kann weiterhin eingerichtet sein, ein Vorheizen und/oder ein Abkühlen der elektronischen Baugruppe durchführen.
- Alternativ kann eine Vorheizkammer und eine Sinterkammer mit Abkühlmöglichkeit oder eine Sinterkammer mit Vorheizmöglichkeit mit einer angeschlossenen Abkühlkammer vorgesehen sein.
- Vorteilhafterweise kann eine die zweite Kammer mit der dritten Kammer verbindende vierte Kammer (Reduktionskammer) vorgesehen sein, die Mittel zum Einbringen eines gas- oder dampfförmigen Reduktionsmittels, insbesondere Ameisensäure aufweisen. Alternativ können in einer einzigen Sinterkammer oder in der dritten Kammer (Abkühlkammer) Mittel zum Einbringen eines gas- oder dampfförmigen Reduktionsmittels vorgesehen sein. Die Reduktionskammer kann eine Heizvorrichtung umfassen, die ausgebildet ist, um eine relativ flache Abkühlrampe von der Sintertemperatur zur Abkühltemperatur zu unterstützen, so dass das elektronische Bauelement bereits in der Reduktionskammer während des Reduktionsvorgangs kontrolliert abgekühlt werden kann, um eine Abkühldauer zu verkürzen bzw. eine gewünschte flache Temperaturabkühlrampe der Bauteiltemperatur zu erreichen.
- Vorzugsweise können zwei benachbarte Kammern, insbesondere alle Kammern gasdicht und insbesondere unter Vakuumatmosphäre mittels Kammertrenneinrichtungen verbunden sein. Die Kammertrenneinrichtung kann als Schleuseneinrichtung mit zwei Vakuumschiebern oder als Ventiltoreinrichtung mit einem Vakuumschieber ausgeführt sein. Hierdurch können voneinander getrennte Temperaturen und atmosphärische Bedingungen in den einzelnen Kammern bereitgestellt werden.
- Grundsätzlich sind zwei oder mehrere Kammern linear hintereinander angeordnet, so dass ein elektronisches Bauteil sequentiell in einem Lineartaktverfahren bearbeitet werden kann. Es ist alternativ denkbar, die Kammern bogenförmig oder kreisförmig anzuordnen, wobei zentral die zu bearbeitenden Bauteile in jede Kammer geführt und entnommen werden können, und in eine andere Kammer verbracht werden können, so dass ein Rundtaktverfahren umgesetzt werden kann. Hierzu können die Kammern nicht miteinander verbunden sein, sondern Schleusen- oder Toreinrichtungen zu einer Verfahreinrichtung aufweisen, insbesondere zu einem Transportroboter, der ein Bauteil aus einer Kammer in eine weitere Kammer transportieren kann. Hierbei kann bei Ausfall einer Kammer eine andere Kammer deren Aufgabe übernehmen, ohne dass der Fertigungsprozess unterbrochen wird, wodurch eine hohe Flexibilität und eine verringerte Störanfälligkeit des Sinterprozesses erreicht werden kann.
- In einer vorteilhaften Weiterbildung kann ein elektrohydraulischer Antrieb des Unterstempels vorgesehen sein, wobei der Unterstempel einen Stempelzylinder aufweist. Der Stempelzylinder kann eine Kolbenstange und einen Kolbenring in einem Hydrauliksumpf umfassen, wobei die Kolbenstange einem Durchmesser größer gleich dem Stempeldurchmesser des Unterstempels aufweist. Die Kolbenstange kann durch den Kolbenring im Zylindergehäuse axial geführt und gehalten werden. Hierdurch wird eine Pressenvorrichtung in der Sinterkammer bereitgestellt, die als kompakte Baueinheit ausbildbar ist und eine hohe Parallelität der Stempeloberflächen sowie präzise X/Y-Ausrichtung von Oberstempel und Unterstempel sowie eine gleichförmige Druckerzeugung erreichen kann.
- Die Erfindung wird anhand eines in den beigefügten Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert. Es zeigen:
-
1 eine Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe mittels Niedertemperatur-Drucksintern mit einer einzigen Sinterkammer; -
2 eine Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe mittels Niedertemperatur-Drucksintern mit zwei Sinterkammern; -
3 eine Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe mittels Niedertemperatur-Drucksintern mit drei Sinterkammern; -
4 eine Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe mittels Niedertemperatur-Drucksintern mit vier Sinterkammern; und -
5 . Schematischer Aufbau einer Pressenvorrichtung für eine Sinterkammer nach der Erfindung. -
1 zeigt eine Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe mittels Niedertemperatur-Drucksintern mit einer einzigen Sinterkammer. - Die einzige Sinterkammer
10 weist eine Beschickungsöffnung12 für einen Werkstückträger13 auf, der für die Aufnahme einer zu bearbeitenden Baugruppe eingerichtet ist. Innerhalb der Sinterkammer10 befindet sich eine Presse, bestehend aus der jeweils heizbaren/kühlbaren Unter- und Oberstempeleinheit11a und11b . Zur Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens passiert der Werkstückträger13 die Beschickungsöffnung12 und wird zwischen Unter- und Oberstempeleinheit11a und11b platziert, wobei die (nicht dargestellte) Baugruppe durch Zusammenfahren der Stempel11a ,11b und durch Heizen gesintert wird. Es ist weiterhin denkbar, dass einer der beiden Stempel11a ,11b fest steht, und der jeweilig andere Stempel11a ,11b relativ zum feststehenden Stempel11a ,11b verfährt. Nach Abschluss der Sinterung wird der Werkstückträger13 mit der Baugruppe wieder durch die Beschickungsöffnung12 durch Herausfahren entnommen. Zur Herstellung eines konstanten Sinterdrucks ist eine parallele und in einer X/Y-Ebene präzise relative Ausrichtung der beiden Stempel11a ,11b wünschenswert, die über eine nicht dargestellte Einstelleinrichtung einer Pressenvorrichtung vorgenommen werden kann. Die Einstelleinrichtung kann den Ober- und/oder den Unterstempel11a ,11b in einer X/Y-Richtung gegeneinander justieren und eine parallele Ausrichtung der Stempeloberflächen bewirken. - Optional kann in der Sinterkammer
10 nach dem Sintervorgang und Öffnen der Stempel11a ,11b eine Reduzierung etwaig vorhandener Oxidschichten vorgenommen werden. Die Schaffung einer Sinteratmosphäre geschieht durch die Befüll- und Entleerungsstutzen15a ,15b nach Beschicken der Sinterkammer10 durch den Werkstückträger13 . -
2 zeigt eine bevorzugte Ausgestaltung einer Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe mittels Niedertemperatur-Drucksintern mit zwei Sinterkammern. - Der Aufbau dieser Vorrichtung ist mit dem Aufbau aus
1 weitgehend identisch, jedoch ergänzt um eine der Sinterkammer10 vorgeschaltete Kammer20 , in der das Substrat sauerstofffrei vorgewärmt wird und auch nach dem Sintern in der Sinterkammer10 sauerstofffrei abgekühlt wird. Vorteil der 2-Kammerlösung gegenüber der in1 gezeigten 1-Kammerlösung ist die schnellere Taktrate, denn die Heizung14 in der Sinterkammer10 muss nun nicht die gesamte thermische Masse auf Sintertemperatur heizen und wieder abkühlen. -
3 zeigt eine besonders bevorzugt ausgestaltete Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe mittels Niedertemperatur-Drucksintern mit drei Sinterkammern, wobei die 3-Kammerlösung die serielle Durchleitung des Werkstückträgers13 durch die erste Kammer20 (sauerstofffreies Aufheizen), die zweite (Sinter-)Kammer10 (sauerstofffreies Sintern) und die dritte Kammer30 (sauerstofffreies Abkühlen auf Raumtemperatur) ermöglicht. -
4 zeigt eine höchst bevorzugt ausgestaltete Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe mittels Niedertemperatur-Drucksintern mit vier Sinterkammern. - Die 4-Kammerlösung entspricht in ihrer Funktionalität weitestgehend der 3-Kammerlösung, ist jedoch zusätzlich mit einer weiteren (vierten) Kammer
40 ausgestattet, die das aktive Reduzieren von Restoxiden nach dem Sintern gestattet. Das Vorsehen einer zwischen der in3 gezeigten zweiten und dritten Kammer20 ,30 weiteren Kammer40 ist besonders vorteilhaft, weil sich herausgestellt hat, dass die Oberflächen in Vakuumöfen in der Praxis mit Rückständen der Verbrennungsprodukte belegt und werden und sich dort verankerte Sauerstoffcluster ausbilden. Diese Cluster lösen sich nur nach ausgedehnten Ausheiz- und Evakuierungsphasen. Diese Aufheizphasen sind jedoch bei laufender Produktion unerwünscht. - Daher wird vorgeschlagen, nach der sauerstofffreien bzw. sauerstoffarmen Sinterung in der weiteren Kammer
40 eine aktive Reduzierung der Sauerstoffcluster und Oxidbildungen vorzunehmen. Dies kann vorzugsweise durch Anteile von Wasserstoff oder dampfförmige Ameisensäureanteile (Methansäure CH2O2) vorgenommen werden. Anschließend ist in der vierten Kammer40 das sauerstofffreie Abkühlen zum Ausschleusen möglich. - Allgemein erfolgt der Transsport der Werkstückträger in synchronen Schritten, seriell durch alle Kammern, wobei der langsamste Prozessschritt in einer der 4 Kammern den Zeittakt bestimmt.
- Der Verfahrensablauf ist dann wie folgt:
- – Zuführung der zu sinternden Baugruppe oder optional Baugruppen auf einem Werkstückträger durch die gasdicht verschließbare Öffnung in den Druckraum zwischen Ober- und Unterstempel;
- – Schließen der Öffnung und dann folgende Erwärmung, Gastausch der Umgebungsatmosphäre durch die (technische) sauerstoffarme Atmosphäre (z.B. Stickstoff), Schließen von Ober- und Unterstempel, Aufbauen eines Sinterdruckes während die Sintertemperatur erreicht wird;
- – Abschluss der Niedertemperatur-Drucksinterung und Senken der Stempeltemperatur auf unter 80 °C, Öffnen von Ober- und Unterstempel, Entnahme der Baugruppe bzw. des Werkstückträgers durch die Kammeröffnung; und
- – Bereitstellen der Gerätschaft für eine Folgesinterung.
- Insbesondere können die beschriebenen Kammern zwei gasdichte, verschließbare Öffnung besitzen, durch die eine fortlaufende, serielle Beschickung durch eine Eintrittsöffnung und die Entnahme durch die zweite Öffnung erfolgen kann.
- Ein kontinuierlicher Arbeitsfluss und eine Steigerung des Durchsatzes der Vorrichtung werden erreicht durch folgende Maßnahmen, die auch einzeln angewendet werden können:
In einer ersten Kammer20 mit annähernd gasdichtem Verschluss und einer Eintrittsöffnung wird der Werkstückträger zugeführt und die Eintrittsöffnung verschlossen. Die Austrittsöffnung der ersten Kammer20 ist auch die Eintrittsöffnung zur zweiten Kammer10 . Diese Austrittsöffnung ist geschlossen, wenn die Eintrittsöffnung geöffnet ist. Wenn beide gasdicht verschließbaren Öffnungen verschlossen sind, erfolgt in der ersten Kammer20 der Gastausch von der Umgebungsatmosphäre zur Prozessgasatmosphäre. - Nach dem Gastausch erfolgt eine Erwärmung des Werkstückträgers bis zu einer Grenze unterhalb der beginnenden Sinterung (z.B. 100 °C). Anschließend wird die zweite Öffnung geöffnet und der Werkstückträger durch eine Transportvorrichtung von der ersten Kammer
20 durch die zweite Öffnung in die zweite Kammer10 verbracht. - In der zweiten Kammer
10 herrscht dauerhaft die Prozessgasatmosphäre. Diese zweite Kammer10 weist ebenfalls eine Eintrittsöffnung und eine Austrittsöffnung auf. Beim Einfahren des Werkstückträgers in die zweite Kammer10 ist die Austrittsöffnung zur dritten Kammer40 geschlossen. In der zweiten Kammer10 wird der Werkstückträger zwischen Ober- und Unterstempel der Verdichtungsvorrichtung platziert. Dann werden die weitere Erwärmung des Werkstückträgers und die Verdichtung der Fügeschicht durch Zusammenfahren von Ober- und Unterstempel herbeigeführt. Es hat sich gezeigt, dass die Verdichtung auch einen positiven Einfluss auf die Wärmeübergänge hat, daher wird die Erwärmung vorzugsweise mit zusammengefahrenen Stempeln vorgenommen. Nach Durchführung der Sinterung werden die Stempel auseinandergefahren und die dritte Kammer40 mit Prozessgas geflutet. Anschließend wird die dritte Öffnung geöffnet und der Werkstückträger durch eine Transportvorrichtung von der zweiten Kammer10 durch die dritte Öffnung in die dritte Kammer40 verbracht. - Die dritte Kammer
40 besitzt optional eine Prozessgasanreicherung mit reduzierenden Bestandteilen. Dies können Anteile von Wasserstoff oder dampfförmige Ameisensäureanteile (Methansäure CH2O2) sein. Diese Stoffe reduzieren auf den Metallen entstandene Oxide, insbesondere Kupferoxide. Damit wird die Beseitigung von Oxiden unterstützt für den Fall, dass die Bildung von Oxiden in der ersten und in der zweiten Kammer20 ,10 während der Aufheiz- und Sinterphase nicht vollständig unterbunden werden konnte. Der Werkstückträger wird während der Verweildauer in der dritten Kammer40 auf der Sintertemperatur gehalten. Es hat sich gezeigt, dass dann die Reduzierung der Oxide optimal ist und gleichzeitig eine Weiterführung der Sinterung erfolgt. - Die Prozessgasanreicherung kann dauerhaft in der dritten Kammer
40 aufrechthalten bleiben. Nach Abschluss des Reduzierung- und Temperierungsprozesses in der dritten Kammer40 wird die vierte Kammer30 mit Prozessgas geflutet (ohne Reduzierungsanreicherung). Anschließend wird die vierte Öffnung geöffnet und der Werkstückträger durch eine Transportvorrichtung von der dritten Kammer40 durch die vierte Öffnung in die vierte Kammer30 verbracht. - Die vierte Kammer
30 dient dem Abkühlen auf Raumtemperatur unter Prozessgas, das durchgeführt wird bis 80 °C erreicht sind, nämlich der Temperatur bei der fortschreitende Oxidation unkritisch ist. Das Kühlen wird unterstützt durch eine auf 80 °C temperierte Verweilplatte für den Werkstückträger. Die Verweilplatte31 kann durch ein mechanisches Kontaktieren des elektronischen Bauelements ein kontrolliertes Abkühlen durch eine vordefinierbare Temperatur-Kühlrampe vornehmen. Die Verweilplatte31 kann als fluiddurchströmte Kühl- oder Heizvorrichtung ausgeführt sein. Wenn die Temperatur von 80 °C erreicht ist, kann durch Öffnen der fünften Öffnung der Werkstückträger ausgeschleust werden. Anschließen erfolgt eine Neufüllung der vierten Kammer30 mit Prozessgas für den nächsten Werkstückträger, der für die sauerstofffreie Abkühlung aus der dritten Kammer40 eingeschleust wird. - Die Kammerfunktion und schleusengasdicht verschließbare Öffnungen sind bevorzugt durch einen gemeinsamen Arbeitstaktgeber synchronisiert. Der Arbeitstakt wird durch den langsamsten Prozessschritt bestimmt. Dies ist das Niedertemperatur-Drucksintern in der zweiten Kammer 2, das ca. 10 Minuten benötigt. Taktraten von mindestens 3 min bis zu 21 min sind ebenfalls einstellbar. Ein längeres Verweilen der Werkstückträger in den Kammern
20 ,40 und30 ist von Vorteil für die Erreichung der jeweiligen Prozessziele in den Kammer und ist daher ohne Einschränkung zu tolerieren. Die einzelnen Prozessziele der Kammern sind:
Erste Kammer20 : sauerstofffreies Aufwärmen auf bis 100 °C
Zweite Kammer10 : sauerstofffreies Druck-Sintern bei max. 300 °C und max. 30 MPa.
Dritte Kammer40 : Optionale Reduktion von Rest-Oxiden
Vierte Kammer30 : sauerstofffreies Abkühlen auf 80 °C. - In der
5 ist ein Ausführungsbeispiel einer Pressenvorrichtung50 zum Einsatz in einer Sinterkammer10 dargestellt. Die Pressenvorrichtung50 weist einen elektrohydraulischen Antrieb52 auf, mittels dessen Hilfe der Unterstempels11b gegen den feststehenden Oberstempel11a zur Erzeugung des Sinterdrucks fahren kann. Der Antrieb52 ist ausgelegt, einen Druck von 30 MPa zu erreichen. Der Oberstempel11a umfasst eine Heizeinrichtung14a und der Unterstempel11b umfasst eine Heizeinrichtung14b . Auf dem Oberstempel ist ein Druckkissen64 aus Silikon zur Erzeugung eines quasi-hydrostatischen Sinterdrucks auf ein auf einem Werkstückträger13 gelagerten Sinterbauteils angeordnet. Der Unterstempel11b ist auf einem Stempelzylinder54 angeordnet, dessen Durchmesser größer als der Durchmesser des Unterstempels11b ist. Der Stempelzylinder54 umfasst eine Kolbenstange56 , die von einem Kolbenring58 in einem Hydrauliksumpf60 eines Zylindergehäuses62 geführt und ausgerichtet ist, so dass die Oberfläche des Unterstempels11b parallel zur Oberfläche des Oberstempels11a ausgerichtet ist. In der X/Y Oberflächenebene des Unterstempels11b kann der Unterstempel11b gegenüber dem Oberstempel11a mittels einer Einstelleinrichtung66 ausgerichtet werden. Der Kolbenring58 trägt und führt die Kolbenstange56 und definiert ein gleichmäßiges und ausgerichtetes Verfahren des Unterstempels11b in vertikaler Richtung zum Oberstempel11b . - ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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- Zitierte Patentliteratur
-
- DE 102008009510 B3 [0002]
Claims (14)
- Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe durch Niedertemperatur-Drucksintern, mit den Schritten: – Anordnen eines elektronischen Bauelements auf einem eine Leiterbahn aufweisenden Schaltungsträger, – Verbinden des elektronischen Bauelements mit dem Schaltungsträger durch Niedertemperatur-Drucksintern eines das elektronische Bauelement mit dem Schaltungsträger verbindenden Fügewerkstoffs, wobei das Niedertemperatur-Drucksintern zur Vermeidung der Oxidation des elektronischen Bauelements oder der Leiterbahn in einer verschließbaren Sinterkammer mit einer sauerstoffarmen Atmosphäre mit einem relativen Sauerstoffgehalt von 0,005 bis 0,3 % durchgeführt wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die sauerstoffarme Atmosphäre einen relativen Sauerstoffgehalt von 0,05 bis 0,25 % aufweist.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die sauerstoffarme Atmosphäre einen relativen Sauerstoffgehalt von 0,05 bis 0,15 % aufweist.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Sinterkammer gasdicht verschlossen ist.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die sauerstoffarme Atmosphäre Stickstoff (N), Kohlendioxid (CO2), ein Edelgas oder eine Mischung aus den vorgenannten Gasen aufweist.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die elektronische Baugruppe nach dem Niedertemperatur-Drucksintern mit einem Reduktionsmittel begast oder bedampft wird.
- Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Reduktionsmittel Methansäure (CH2O2) ist.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Fügewerkstoff Silber (Ag) ist.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Sintertemperatur zwischen 230 °C bis 300 °C, bevorzugt zwischen 240 °C bis 280 °C liegt, insbesondere 250 °C beträgt.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Sinterdruck zwischen 20 MPa bis 40 MPa, bevorzugt zwischen 25 MPa bis 35 MPa, insbesondere 30 MPa beträgt.
- Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 10, mit – einer Kammer (
10 ) mit einer Heizeinrichtung (14 ) zum Erwärmen der elektronischen Baugruppe auf bis zu 300 °C und mit einem Ober- und einem Unterstempel (11a ,11b ), wobei zumindest einer der beiden Stempel (11a ,11b ) beheizbar ist, zum Ausführen der Niedertemperatur-Drucksinterung bei einer Temperatur bis zu 300 °C und einem Druck bis zu 30 MPa, wobei die Kammer (10 ) geeignet ist, die gesinterte elektronischen Baugruppe auf 80 °C kontrolliert abzukühlen, und wobei die Kammer (10 ) gasdicht verschließbar ist und Mittel zum Herstellen der sauerstoffarmen Atmosphäre aufweist. - Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 10, mit – einer ersten Kammer (
20 ) mit einer Heizeinrichtung (14 ) zum Erwärmen der elektronischen Baugruppe auf bis zu 100 °C, – einer mit der ersten Kammer (20 ) verbundenen zweiten Kammer (10 ) mit einem Ober- und einem Unterstempel (11a ,11b )), wobei zumindest einer der beiden Stempel (11a ,11b ) beheizbar ist, zum Ausführen der Niedertemperatur-Drucksinterung bei einer Temperatur bis zu 300 °C und einem Druck bis zu 30 MPa, und – einer mit der zweiten Kammer (10 ) verbundenen dritten Kammer (30 ) zum Abkühlen der gesinterten elektronischen Baugruppe auf 80 °C, wobei wenigstens die zweite Kammer (20 ) gasdicht verschließbar ist und Mittel zum Herstellen der sauerstoffarmen Atmosphäre aufweist. - Vorrichtung nach Anspruch 11 oder 12, gekennzeichnet durch eine die zweite Kammer (
10 ) mit der dritten Kammer (30 ) verbindende vierte Kammer (40 ), die Mittel zum Einbringen eines gas- oder dampfförmigen Reduktionsmittels aufweisen, bzw. in der Kammer (20 ) vorgesehene Mittel zum Einbringen eines gas- oder dampfförmigen Reduktionsmittels. - Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 13, gekennzeichnet durch eine Pressenvorrichtung (
50 ) mit einem elektrohydraulischen Antrieb (52 ) des Unterstempels11b , wobei der Unterstempel11b einen Stempelzylinder (54 ) aufweist, umfassend eine Kolbenstange (56 ) und einen Kolbenring (58 ) in einem Hydrauliksumpf (60 ) umfasst, wobei die Kolbenstange (56 ) einem Durchmesser größer gleich dem Stempeldurchmesser des Unterstempels11b aufweist und die Kolbenstange (56 ) durch den Kolbenring (58 ) im Zylindergehäuse (62 ) axial geführt und gehalten wird.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014114093.1A DE102014114093B4 (de) | 2014-09-29 | 2014-09-29 | Verfahren zum Niedertemperatur-Drucksintern |
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CN201580053121.5A CN106796898B (zh) | 2014-09-29 | 2015-09-21 | 用于低温加压烧结的方法和装置 |
US15/514,598 US11776932B2 (en) | 2014-09-29 | 2015-09-21 | Process and device for low-temperature pressure sintering |
US17/126,139 US11626383B2 (en) | 2014-09-29 | 2020-12-18 | Process and device for low-temperature pressure sintering |
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---|---|---|---|
DE102014114093.1A DE102014114093B4 (de) | 2014-09-29 | 2014-09-29 | Verfahren zum Niedertemperatur-Drucksintern |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102014114093A1 true DE102014114093A1 (de) | 2016-03-31 |
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---|---|---|---|
DE102014114093.1A Active DE102014114093B4 (de) | 2014-09-29 | 2014-09-29 | Verfahren zum Niedertemperatur-Drucksintern |
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---|---|
US (2) | US11776932B2 (de) |
CN (1) | CN106796898B (de) |
DE (1) | DE102014114093B4 (de) |
WO (1) | WO2016050548A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107252891A (zh) * | 2017-05-08 | 2017-10-17 | 上海大学 | 二步烧结纳米银浆制备微电子互连材料的方法 |
DE102021118948B3 (de) | 2021-07-22 | 2022-06-09 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung und Verfahren zur Drucksinterverbindung |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014114096A1 (de) | 2014-09-29 | 2016-03-31 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Sinterwerkzeug für den Unterstempel einer Sintervorrichtung |
DE102014115319A1 (de) * | 2014-10-21 | 2016-04-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung |
DE102015120156B4 (de) * | 2015-11-20 | 2019-07-04 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zur materialschlüssigen Verbindung von Verbindungspartnern eines Leistungselekronik-Bauteils und Verwendung einer solchen Vorrichtung |
NL2021137B1 (en) | 2018-06-15 | 2019-12-20 | Boschman Tech Bv | Sintering Process Product Carrier |
JP6675622B1 (ja) * | 2019-04-25 | 2020-04-01 | アサヒ・エンジニアリング株式会社 | 電子部品のシンタリング装置および方法 |
JP6624626B1 (ja) * | 2019-07-29 | 2019-12-25 | アサヒ・エンジニアリング株式会社 | 電子部品のシンタリング装置 |
DE102019134410C5 (de) * | 2019-12-13 | 2022-07-07 | Pink Gmbh Thermosysteme | Anlage und Verfahren zum Verbinden von elektronischen Baugruppen |
CN114503248B (zh) * | 2019-10-07 | 2023-01-06 | 平克有限公司热系统 | 用于连接电子组件的系统和方法 |
JP6815678B1 (ja) * | 2020-03-23 | 2021-01-20 | アサヒ・エンジニアリング株式会社 | 電子部品のシンタリング装置および方法 |
EP4285403A2 (de) | 2021-01-29 | 2023-12-06 | PINK GmbH Thermosysteme | Anlage und verfahren zum verbinden von elektronischen baugruppen |
DE102021108635A1 (de) | 2021-01-29 | 2022-08-04 | Pink Gmbh Thermosysteme | Anlage und Verfahren zum Verbinden von elektronischen Baugruppen |
DE102021126716B3 (de) | 2021-10-14 | 2022-09-01 | Pink Gmbh Thermosysteme | Multifunktionale sinter- oder diffusionslötvorrichtung und presswerkzeug |
TW202330132A (zh) | 2021-10-14 | 2023-08-01 | 德商平克塞莫系統有限公司 | 多功能燒結或擴散焊接設備和沖壓工具 |
DE202021105596U1 (de) | 2021-10-14 | 2021-12-17 | Pink Gmbh Thermosysteme | Multifunktionale Sinter- oder Diffusionslötvorrichtung und Presswerkzeug |
DE102021126718A1 (de) * | 2021-10-14 | 2023-04-20 | Pink Gmbh Thermosysteme | Sintervorrichtung zum verbinden von komponenten zumindest einer elektronischen baugruppe |
CN114608311A (zh) * | 2022-01-24 | 2022-06-10 | 快克智能装备股份有限公司 | 烧结设备及其气氛可控的压力烧结机构 |
NL2031383B1 (en) * | 2022-03-23 | 2023-10-06 | Boschman Tech Bv | Pressure Sintering Apparatus, and corresponding Pressure Sintering Method |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006352080A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-12-28 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US20090134206A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-05-28 | W. C. Heraeus Gmbh | Process and Paste for Contacting Metal Surfaces |
DE102008009510B3 (de) | 2008-02-15 | 2009-07-16 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Verfahren zum Niedertemperatur-Drucksintern |
DE102009008926A1 (de) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Verfahren zur Schaffung einer hochtemperatur- und temperaturwechselfesten Verbindung eines Baugruppen-Halbleiters und eines Halbleitersbausteins mit einem temperaturbeaufschalgenden Verfahren |
DE102013216633A1 (de) * | 2012-08-29 | 2014-03-06 | Infineon Technologies Ag | Vorgesinterte Halbleiterchip-Struktur |
Family Cites Families (104)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB496763A (en) * | 1936-06-15 | 1938-12-06 | Gen Motors Corp | Improvements in and relating to composite metallic articles |
GB558382A (en) * | 1943-10-20 | 1944-01-03 | Birmingham Electr Furnaces Ltd | Improvements in or relating to electric induction furnaces |
US2922092A (en) | 1957-05-09 | 1960-01-19 | Westinghouse Electric Corp | Base contact members for semiconductor devices |
US2945688A (en) * | 1958-03-18 | 1960-07-19 | Dyckerhoff Zementwerke Ag | Process for manufacturing white cement |
US3112388A (en) | 1958-03-24 | 1963-11-26 | Avco Corp | Brazing fixture |
US2900287A (en) | 1958-07-14 | 1959-08-18 | Honeywell Regulator Co | Method of processing semiconductor devices |
DE1194884B (de) * | 1964-04-30 | 1965-06-16 | Beteiligungs & Patentverw Gmbh | Verfahren zur Vorreduktion von Sinter und Pellets |
CH438497A (de) | 1966-03-11 | 1967-06-30 | Bbc Brown Boveri & Cie | Halbleiteranordnung |
US3529759A (en) | 1967-06-15 | 1970-09-22 | Bell Telephone Labor Inc | Apparatus for bonding a beam-lead device to a substrate |
GB1459475A (en) * | 1974-05-23 | 1976-12-22 | English Electric Co Ltd | Manufacture of contact ekements for vacuum interrupters |
US3896541A (en) | 1974-09-16 | 1975-07-29 | Western Electric Co | Method and apparatus for supporting substrates during bonding |
DE2655206C3 (de) * | 1976-12-06 | 1980-08-21 | Alkem Gmbh, 6450 Hanau | Verfahren zur Einstellung und Regelung gewünschter Redoxpotentiale in Gasen |
JPS53118202A (en) * | 1977-03-25 | 1978-10-16 | Hitachi Zosen Corp | Method of minimizing formation of nitrogen oxides in sintering system |
JPS5471572A (en) | 1977-11-18 | 1979-06-08 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
US4392153A (en) | 1978-05-01 | 1983-07-05 | General Electric Company | Cooled semiconductor power module including structured strain buffers without dry interfaces |
DE2855166C2 (de) * | 1978-12-20 | 1982-05-27 | Kraftwerk Union AG, 4330 Mülheim | Verfahren zur Herstellung von oxidischen Kernbrennstoffkörpern |
US4257156A (en) | 1979-03-09 | 1981-03-24 | General Electric Company | Method for thermo-compression diffusion bonding each side of a substrateless semiconductor device wafer to respective structured copper strain buffers |
US4252263A (en) | 1980-04-11 | 1981-02-24 | General Electric Company | Method and apparatus for thermo-compression diffusion bonding |
US4800421A (en) | 1981-09-01 | 1989-01-24 | Motorola, Inc. | Glass bonding means and method |
JPS5921032A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置用基板 |
DE3247985C2 (de) | 1982-12-24 | 1992-04-16 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau | Keramischer Träger |
JPH0744203B2 (ja) | 1987-06-26 | 1995-05-15 | 松下電器産業株式会社 | ボンデイングツ−ル |
DE58908749D1 (de) | 1988-03-03 | 1995-01-26 | Siemens Ag | Verfahren zum Befestigen von elektronischen Bauelementen auf Substraten und Anordnung zur Durchführung desselben. |
EP0330896A3 (de) | 1988-03-03 | 1991-01-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Befestigen von Halbleiterbauelementen auf Substraten und Anordnungen zur Durchführung desselben |
US5074533A (en) | 1990-04-06 | 1991-12-24 | Monroe Auto Equipment Company | Endothermic furnace |
EP0532244B1 (de) | 1991-09-13 | 1996-12-18 | Fuji Electric Co. Ltd. | Halbleiteranordnung |
US5213248A (en) | 1992-01-10 | 1993-05-25 | Norton Company | Bonding tool and its fabrication |
US5352629A (en) | 1993-01-19 | 1994-10-04 | General Electric Company | Process for self-alignment and planarization of semiconductor chips attached by solder die adhesive to multi-chip modules |
US5396403A (en) | 1993-07-06 | 1995-03-07 | Hewlett-Packard Company | Heat sink assembly with thermally-conductive plate for a plurality of integrated circuits on a substrate |
GB2287897B (en) | 1994-03-31 | 1996-10-09 | Sumitomo Electric Industries | A high strength bonding tool and a process for the production of the same |
JP3120695B2 (ja) * | 1995-05-19 | 2000-12-25 | 株式会社日立製作所 | 電子回路の製造方法 |
SE509570C2 (sv) | 1996-10-21 | 1999-02-08 | Ericsson Telefon Ab L M | Temperaturkompenserande organ och förfarande vid montering av elektronik på ett mönsterkort |
US6003757A (en) | 1998-04-30 | 1999-12-21 | International Business Machines Corporation | Apparatus for transferring solder bumps and method of using |
US6821381B1 (en) | 1999-03-16 | 2004-11-23 | Toray Engineering Co., Ltd. | Tool for thermo-compression-bonding chips, and chip packaging device having the same |
JP4015796B2 (ja) | 1999-03-31 | 2007-11-28 | Spsシンテックス株式会社 | 自動パルス通電加圧焼結方法及びそのシステム |
US6390439B1 (en) | 1999-04-07 | 2002-05-21 | International Business Machines Corporation | Hybrid molds for molten solder screening process |
JP2001036232A (ja) * | 1999-07-23 | 2001-02-09 | Hitachi Ltd | ハンダ除去装置 |
US6199748B1 (en) | 1999-08-20 | 2001-03-13 | Nova Crystals, Inc. | Semiconductor eutectic alloy metal (SEAM) technology for fabrication of compliant composite substrates and integration of materials |
US6853074B2 (en) * | 1999-12-27 | 2005-02-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic part, an electronic part mounting element and a process for manufacturing such the articles |
TW500910B (en) | 2000-10-10 | 2002-09-01 | Ishikawajima Harima Heavy Ind | Continuous sintering furnace and its using method |
TW536768B (en) | 2001-08-03 | 2003-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for fabricating semiconductor-mounting body and apparatus for fabricating semiconductor-mounting body |
JP2003347360A (ja) | 2002-05-31 | 2003-12-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ボンディングステージ |
US6873039B2 (en) | 2002-06-27 | 2005-03-29 | Tessera, Inc. | Methods of making microelectronic packages including electrically and/or thermally conductive element |
AU2002342490A1 (en) * | 2002-07-23 | 2004-02-09 | Elmicron Ag | Method for fastening microtool components to objects |
JP3704113B2 (ja) | 2002-09-26 | 2005-10-05 | 住友大阪セメント株式会社 | ボンディングステージ及び電子部品実装装置 |
US8328551B2 (en) | 2002-09-26 | 2012-12-11 | Btu International, Inc. | Convection furnace thermal profile enhancement |
JP3949072B2 (ja) | 2003-03-26 | 2007-07-25 | 日機装株式会社 | 加圧装置 |
US7633093B2 (en) | 2003-05-05 | 2009-12-15 | Lighting Science Group Corporation | Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product |
WO2004103043A1 (ja) * | 2003-05-16 | 2004-11-25 | Harima Chemicals, Inc. | 銅微粒子焼結体型の微細形状導電体の形成方法、該方法を応用した銅微細配線ならびに銅薄膜の形成方法 |
JP3921459B2 (ja) | 2003-07-11 | 2007-05-30 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 電気部品の実装方法及び実装装置 |
CN100557783C (zh) | 2005-02-02 | 2009-11-04 | 索尼化学&信息部件株式会社 | 电气部件的安装装置 |
KR100634869B1 (ko) | 2005-05-30 | 2006-10-17 | 삼성전자주식회사 | 멀티 다이 접착 장치 |
DE102005058794A1 (de) * | 2005-12-09 | 2007-06-14 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung und getaktetes Verfahren zur Drucksinterverbindung |
JP4925669B2 (ja) | 2006-01-13 | 2012-05-09 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 圧着装置及び実装方法 |
EP2012352A4 (de) * | 2006-04-24 | 2012-07-25 | Murata Manufacturing Co | Elektronische komponente, elektronische komponenteneinrichtung damit und herstellungsverfahren dafür |
JP4979288B2 (ja) | 2006-07-19 | 2012-07-18 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 熱圧着ヘッドを用いた実装方法 |
US7535099B2 (en) * | 2006-09-26 | 2009-05-19 | Intel Corporation | Sintered metallic thermal interface materials for microelectronic cooling assemblies |
US7525187B2 (en) | 2006-10-13 | 2009-04-28 | Infineon Technologies Ag | Apparatus and method for connecting components |
JP4895994B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2012-03-14 | 株式会社日立製作所 | 金属粒子を用いた接合方法及び接合材料 |
JP4361572B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2009-11-11 | 株式会社新川 | ボンディング装置及び方法 |
FI119439B (fi) * | 2007-04-13 | 2008-11-14 | Outotec Oyj | Menetelmä ja laitteisto kupari(I)oksidin pelkistämiseksi |
JP4974805B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2012-07-11 | トヨタ自動車株式会社 | 加熱炉および加熱炉の加熱方法 |
DE102008017454B4 (de) * | 2008-04-05 | 2010-02-04 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit hermetisch dichter Schaltungsanordnung und Herstellungsverfahren hierzu |
US7780063B2 (en) | 2008-05-15 | 2010-08-24 | International Business Machines Corporation | Techniques for arranging solder balls and forming bumps |
US7919851B2 (en) | 2008-06-05 | 2011-04-05 | Powertech Technology Inc. | Laminate substrate and semiconductor package utilizing the substrate |
JP4454673B2 (ja) * | 2008-08-01 | 2010-04-21 | 株式会社新川 | 金属ナノインクとその製造方法並びにその金属ナノインクを用いるダイボンディング方法及びダイボンディング装置 |
DE102008039828A1 (de) * | 2008-08-27 | 2010-03-04 | W.C. Heraeus Gmbh | Steuerung der Porosität von Metallpasten für den druckfreien Niedertemperatursinterprozess |
DE102008048869A1 (de) | 2008-09-25 | 2010-04-22 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Verbinden zweier Verbindungspartner |
EP2226838A1 (de) | 2009-03-04 | 2010-09-08 | ABB Research Ltd. | Befestigungsvorrichtung für Niedrigtemperatur- und Niedrigdrucksintern |
JP5611537B2 (ja) * | 2009-04-28 | 2014-10-22 | 日立化成株式会社 | 導電性接合材料、それを用いた接合方法、並びにそれによって接合された半導体装置 |
DE102009040076A1 (de) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | W.C. Heraeus Gmbh | Metallpaste mit Oxidationsmittel |
US8735782B2 (en) * | 2010-04-22 | 2014-05-27 | General Electric Company | System for forming brazed joint between tie wire and workpiece, and methods therefor |
DE102010020696B4 (de) | 2010-05-17 | 2012-11-08 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Verfahren zum NTV-Sintern eines drei-dimensionale Konturen aufweisenden Halbleiterbauelementes |
JP5525335B2 (ja) * | 2010-05-31 | 2014-06-18 | 株式会社日立製作所 | 焼結銀ペースト材料及び半導体チップ接合方法 |
DE102010024053A1 (de) * | 2010-06-16 | 2011-12-22 | Bayer Materialscience Ag | Sauerstoffverzehrelektrode und Verfahren zu ihrer Herstellung |
WO2012019017A2 (en) | 2010-08-06 | 2012-02-09 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck and methods of use thereof |
JP5614217B2 (ja) | 2010-10-07 | 2014-10-29 | デクセリアルズ株式会社 | マルチチップ実装用緩衝フィルム |
KR20120090202A (ko) | 2011-02-07 | 2012-08-17 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 제조용 스테이지 블럭 |
TWI564106B (zh) | 2011-03-28 | 2017-01-01 | 山田尖端科技股份有限公司 | 接合裝置以及接合方法 |
DE102011080929B4 (de) | 2011-08-12 | 2014-07-17 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines Verbundes und eines Leistungshalbleitermoduls |
JP5410643B1 (ja) * | 2012-02-20 | 2014-02-05 | 株式会社応用ナノ粒子研究所 | 酸素供給源含有複合ナノ金属ペースト及び接合方法 |
CN102569110B (zh) * | 2012-02-27 | 2014-06-11 | 天津大学 | 一种贫氧低温烧结纳米银焊膏的装置及方法 |
US8967453B2 (en) * | 2012-03-21 | 2015-03-03 | GM Global Technology Operations LLC | Methods of bonding components for fabricating electronic assemblies and electronic assemblies including bonded components |
TWI556270B (zh) * | 2012-04-11 | 2016-11-01 | 信越化學工業股份有限公司 | 稀土燒結磁體及製造方法 |
US9156101B2 (en) * | 2012-04-25 | 2015-10-13 | Origin Electric Company, Limited | Soldering apparatus and manufacturing method of soldered product |
JP6029245B2 (ja) | 2012-06-29 | 2016-11-24 | 東レエンジニアリング株式会社 | 圧着装置および圧着方法 |
US20140127072A1 (en) | 2012-11-08 | 2014-05-08 | Shenyang General Magnetic Co., Ltd | Continuous sintering method for rare earth permanent magnetic alloy and equipment therefor |
EP2960930A4 (de) * | 2013-02-22 | 2017-07-12 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Verbindungsstruktur und halbleiterbauelement |
DE102013003527A1 (de) * | 2013-03-04 | 2014-09-04 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Vorrichtung zum Niedertemperatur-Drucksintern, Verfahren zum Niedertemperatur-Drucksintern und leistungselektronische Baugruppe |
US8822036B1 (en) * | 2013-03-06 | 2014-09-02 | Ut-Battelle, Llc | Sintered silver joints via controlled topography of electronic packaging subcomponents |
JP6182082B2 (ja) | 2013-03-15 | 2017-08-16 | 日本碍子株式会社 | 緻密質複合材料、その製法及び半導体製造装置用部材 |
EP2792642B1 (de) * | 2013-04-15 | 2018-02-21 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Sinterpaste mit gecoateten Silberoxid auf schwer sinterbare edlen und unedlen Oberflächen |
DE102014103013B4 (de) | 2014-03-06 | 2017-09-21 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Erzeugen einer getrockneten Pastenschicht, Verfahren zum Erzeugen einer Sinterverbindung und Durchlaufanlage zur Durchführung der Verfahren |
CN103990806B (zh) | 2014-05-11 | 2016-05-25 | 沈阳中北通磁科技股份有限公司 | 一种钕铁硼稀土永磁合金的氢破碎方法和设备 |
EP2959990A1 (de) * | 2014-06-27 | 2015-12-30 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Metallzubereitung und deren verwendung zum verbinden von bauelementen |
DE102014114095B4 (de) | 2014-09-29 | 2017-03-23 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Sintervorrichtung |
DE102014114097B4 (de) | 2014-09-29 | 2017-06-01 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Sinterwerkzeug und Verfahren zum Sintern einer elektronischen Baugruppe |
US20170326640A1 (en) * | 2014-11-03 | 2017-11-16 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Metal sintering preparation and the use thereof for the connecting of components |
US9640468B2 (en) * | 2014-12-24 | 2017-05-02 | Stmicroelectronics S.R.L. | Process for manufacturing a package for a surface-mount semiconductor device and semiconductor device |
JP6129353B2 (ja) | 2015-03-31 | 2017-05-17 | 新電元工業株式会社 | 加圧ユニット |
US10037903B2 (en) | 2015-03-31 | 2018-07-31 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Bonding device, bonding method and pressure applying unit |
CN106463415B (zh) | 2015-03-31 | 2019-01-01 | 新电元工业株式会社 | 接合体的制造方法 |
CA2995658A1 (en) * | 2017-02-17 | 2018-08-17 | Huys Industries Limited | Controlled environment processing apparatus and method |
CN109466060B (zh) | 2018-10-12 | 2020-06-02 | 华中科技大学 | 一种独立控温的高温激光选区烧结框架结构 |
-
2014
- 2014-09-29 DE DE102014114093.1A patent/DE102014114093B4/de active Active
-
2015
- 2015-09-21 WO PCT/EP2015/071613 patent/WO2016050548A1/en active Application Filing
- 2015-09-21 CN CN201580053121.5A patent/CN106796898B/zh active Active
- 2015-09-21 US US15/514,598 patent/US11776932B2/en active Active
-
2020
- 2020-12-18 US US17/126,139 patent/US11626383B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006352080A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-12-28 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US20090134206A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-05-28 | W. C. Heraeus Gmbh | Process and Paste for Contacting Metal Surfaces |
DE102008009510B3 (de) | 2008-02-15 | 2009-07-16 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Verfahren zum Niedertemperatur-Drucksintern |
DE102009008926A1 (de) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Verfahren zur Schaffung einer hochtemperatur- und temperaturwechselfesten Verbindung eines Baugruppen-Halbleiters und eines Halbleitersbausteins mit einem temperaturbeaufschalgenden Verfahren |
DE102013216633A1 (de) * | 2012-08-29 | 2014-03-06 | Infineon Technologies Ag | Vorgesinterte Halbleiterchip-Struktur |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107252891A (zh) * | 2017-05-08 | 2017-10-17 | 上海大学 | 二步烧结纳米银浆制备微电子互连材料的方法 |
DE102021118948B3 (de) | 2021-07-22 | 2022-06-09 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung und Verfahren zur Drucksinterverbindung |
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