DE102013113540B4 - Transistorzellenanordnung mit halbleiterdiode - Google Patents
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Abstract
Halbleitervorrichtung (1010, 1013), umfassend:eine dicht gepackte Trenchtransistorzellenanordnung mit einer Vielzahl von Transistorzellen (C) in einem Halbleiterkörper (109), wobei eine Breite weines Transistormesabereiches von jeder Transistorzelle (C) der Vielzahl von Transistorzellen (C) und eine Breite weines ersten Trenches (110) von jeder Transistorzelle (C) der Vielzahl von Transistorzellen (C) die folgende Beziehung erfüllen: w< 1,5 x w,Halbleiterdioden (D), wobei wenigstens eine der Halbleiterdioden (D) zwischen einem ersten und zweiten Teil der Vielzahl von Transistorzellen (C) angeordnet ist und einen Diodenmesabereich umfasst, der an entgegengesetzte Wände (105, 106) von weiteren Trenches (108) angrenzt, und wobeieine Tiefe ddes ersten Trenches (110) und eine Tiefe dder weiteren Trenches (108) um wenigstens 20% verschieden sind oder voneinander abweichen.
Description
- HINTERGRUND
- Die Entwicklung von neuen Generationen von Feldeffekttransistoren (FETs), wie etwa in der Druckschrift
US 8 080 858 B2 beschrieben, wird angetrieben durch die Verringerung des flächenspezifischen Einschaltwiderstandes Ron x A. Da eine wohldefinierte Durchbruchkennlinie und eine hohe Avalanche-Stärke ebenfalls hinsichtlich Zuverlässigkeitsanforderungen wünschenswert sind, ist eine Optimierung der Transistorzellengestaltung bzw. des Transistorzellen-Layouts hinsichtlich der Durchbruchkennlinie erforderlich. Als ein Beispiel führt in dichten Trenchtransistoren ein schmaler Mesabereich zu einem elektrischen Durchbruch in einem Gebiet bzw. einer Fläche um eine Bodenseite der Trenches. Wenn die dichten Trenchtransistoren hinsichtlich eines flächenspezifischen Einschaltwiderstandes und wohldefinierten Avalanche-Durchbruchkennlinien optimiert werden, müssen Abstriche bzw. Anpassungen zwischen einer Anzahl von Vorrichtungs-Layout-Parametern vorgenommen werden. - Es besteht ein Bedürfnis nach einer Halbleitervorrichtung mit einem verbesserten Abgleich zwischen einem flächenspezifischen Einschaltwiderstand und einer Avalanche-Stärke.
- Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Transistorzellenanordnung mit einer Halbleiterdiode anzugeben, welche den obigen Anforderungen genügt. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die unabhängigen Patentansprüche gelöst. Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche.
- ZUSAMMENFASSUNG
- Gemäß einem Ausführungsbeispiel umfasst eine Halbleitervorrichtung eine dichte Trenchtransistorzellenanordnung. Die dichte Trenchtransistorzellenanordnung umfasst eine Vielzahl von Transistorzellen in einem Halbleiterkörper. Eine Breite
w3 eines Transistormesabereiches von jeder der Vielzahl von Transistorzellen und eine Breitew1 eines ersten Trenches von jeder der Vielzahl von Transistorzellen erfüllen die folgende Beziehung: w3 < 1,5 x w1. Die Halbleitervorrichtung umfasst weiterhin Halbleiterdioden. Wenigstens eine der Halbleiterdioden ist zwischen ersten und zweiten Teilen der Vielzahl von Transistorzellen angeordnet und umfasst einen Diodenmesabereich, der an entgegengesetzte Wände von zweiten Trenches angrenzt. Eine Tiefed1 des ersten Trenches und eine Tiefed2 des zweiten Trenches weichen um wenigstens 20% ab. - Gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Halbleitervorrichtung umfasst diese eine dichte Trenchtransistorzellenanordnung. Die dichte Trenchtransistorzellenanordnung umfasst eine Vielzahl von Transistorzellen in einem Halbleiterkörper. Eine Breite
w3 eines Transistormesabereiches von jeder der Vielzahl von Transistorzellen und eine Breitew1 eines ersten Trenches von jeder der Vielzahl von Transistorzellen erfüllen die folgende Beziehung: w3 < 1,5 x w1. Die Halbleitervorrichtung umfasst außerdem Halbleiterdioden. Wenigstens eine der Halbleiterdioden ist zwischen ersten und zweiten Teilen der Vielzahl von Transistorzellen angeordnet und umfasst einen Diodenmesabereich, der an entgegengesetzte Wände von zweiten Trenches angrenzt. Eine Breitew3 des Transistormesabereiches und eine Breitew2 des Diodenmesabetriebes weichen um wenigstens 20% ab. - Gemäß noch einem anderen Ausführungsbeispiel einer Halbleitervorrichtung umfasst diese eine dichte Trenchtransistorzellenanordnung. Die dichte Trenchtransistorzellenanordnung umfasst eine Vielzahl von Transistorzellen in einem Halbleiterkörper. Eine Breite
w3 eines Transistormesabereiches von jeder der Vielzahl von Transistorzellen und eine Breitew1 eines ersten Trenches in jeder der Vielzahl von Transistorzellen erfüllen die folgende Beziehung: w3 < 1,5 xw1 . Die Halbleitervorrichtung umfasst weiterhin Halbleiterdioden. Wenigstens eine der Halbleiterdioden ist zwischen ersten und zweiten Teilen der Vielzahl von Transistorzellen angeordnet und umfasst einen Diodenmesabereich, der an entgegengesetzte Wände der zweiten Trenches angrenzt. Der erste Trench umfasstn1 Elektroden, wobei n1 ≥ 1 gilt und jeder der zweiten Trenches umfasstn2 Elektroden, wobei n2 ≤ n1 - 1 vorliegt. - Der Fachmann wird zusätzliche Merkmale und Vorteile nach Lesen der folgenden Detailbeschreibung und Betrachten der begleitenden Zeichnungen erkennen.
- Figurenliste
- Die begleitenden Zeichnungen sind beigeschlossen, um ein weiteres Verständnis der vorliegenden Erfindung zu liefern, und sie sind in der Offenbarung der Erfindung enthalten und bilden einen Teil von dieser. Die Zeichnungen veranschaulichen Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung zum Erläutern von Prinzipien der Erfindung. Andere Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung und zahlreiche der beabsichtigten Vorteile der vorliegenden Erfindung werden sofort gewürdigt, da sie besser unter Hinweis auf die folgende Detailbeschreibung verstanden werden. Die Elemente der Zeichnungen sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu relativ zueinander. Gleiche Bezugszeichen geben entsprechend ähnliche Teile an. Die Merkmale der zahlreichen veranschaulichten Ausführungsbeispiele können kombiniert werden, wenn sie einander nicht ausschließen.
- Ausführungsbeispiele sind in den Zeichnungen gezeigt und sind in Einzelheiten in der folgenden Beschreibung erläutert.
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1 veranschaulicht eine schematische Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer Halbleitervorrichtung, die eine dichte Trenchtransistorzellenanordnung und eine Halbleiterdiode, die an entgegengesetzte Wände von Trenches angrenzt, die eine Tiefed2 haben, die kleiner ist als eine Tiefed1 eines Gatetrenches in der dichten Trenchtransistorzellenanordnung, umfasst. -
2 veranschaulicht eine schematische Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer Halbleitervorrichtung ähnlich zu1 und weiterhin umfassend eine Breitew3 eines Transistormesabereiches kleiner als eine Breitew2 eines Diodenmesabereiches. -
3 veranschaulicht eine schematische Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer Halbleitervorrichtung ähnlich zu1 und weiterhin umfassend eine Feldelektrode in einem Gatetrench einer dichten Trenchtransistorzellenanordnung, die in den Trenches abwesend ist bzw. fehlt, die an die Halbleiterdiode angrenzen. -
4 veranschaulicht eine schematische Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer Halbleitervorrichtung ähnlich zu1 und weiterhin umfassend eine vergrabene dotierte Zone in der Halbleiterdiode. -
5 veranschaulicht eine schematische Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer Halbleitervorrichtung ähnlich zu1 und weiterhin umfassend n dichte Trenchtransistorzellen, die zwischen benachbarten zwei Halbleiterdioden angeordnet sind. -
6 veranschaulicht eine schematische Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer Halbleitervorrichtung, die eine dichte Trenchtransistorzellenanordnung und eine Halbleiterdiode umfasst, die an entgegengesetzte Wände von Trenches angrenzt und eine Breitew3 eines Diodenmesabereiches hat, die größer ist als eine Breitew2 eines Transistormesabereiches. -
7A veranschaulicht schematische Graphen von Beispielen von Nettodotierungsprofilen längs LinienAA' undBB' , die in den1 und4 veranschaulicht sind. -
7B veranschaulicht beispielhafte Graphen von Dotierungsprofilen einer vergrabenen dotierten Zone an einem pn-Übergang der in4 veranschaulichten HalbleiterdiodeD . -
8 veranschaulicht eine schematische Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer Halbleitervorrichtung ähnlich zu6 und weiterhin umfassend eine Feldelektrode in einem Gatetrench einer dichten Transistorzellenanordnung, die in den Trenches abwesend ist bzw. fehlt, die an die Halbleiterdiode angrenzen. - DETAILBESCHREIBUNG
- Beispielsweise können Merkmale, die als ein Teil eines Ausführungsbeispiels veranschaulicht oder beschrieben sind, bei oder im Zusammenhang mit anderen Ausführungsbeispielen verwendet werden, um zu noch einem weiteren Ausführungsbeispiel zu gelangen Die Zeichnungen sind nicht maßstabsgetreu und dienen lediglich für Veranschaulichungszwecke. Zur Klarheit sind die gleichen Elemente oder Herstellungsprozesse mit den gleichen Bezugszeichen in den verschiedenen Zeichnungen versehen, falls nicht etwas anderes festgestellt wird.
- Die Begriffe „lateral“ und „horizontal“, wie diese in der vorliegenden Beschreibung verwendet sind, sollen eine Ausrichtung bzw. Orientierung parallel zu einer ersten Oberfläche eines Halbleitersubstrates oder eines Halbleiterkörpers angeben. Dies kann beispielsweise die Oberfläche eines Wafers oder einer Scheibe sein.
- Der Begriff „vertikal“, wie dieser in der vorliegenden Beschreibung verwendet ist, soll eine Orientierung oder Ausrichtung angeben, die senkrecht zu der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrates oder des Halbleiterkörpers angeordnet ist.
- Die Begriffe „gekoppelt“ und/oder „elektrisch gekoppelt“, wie diese in der vorliegenden Beschreibung verwendet sind, sollen nicht bedeuten, dass die Elemente direkt miteinander gekoppelt sein müssen - dazwischen liegende Elemente können zwischen den „gekoppelten“ oder „elektrisch gekoppelten“ Elementen vorhanden sein. Als ein Beispiel können keines, ein Teil oder alle der dazwischen liegenden Element(e) steuerbar sein, um eine niederohmige Verbindung und zu einer anderen Zeit eine nicht niederohmige Verbindung zwischen den „gekoppelten“ oder „elektrisch gekoppelten“ Elementen vorzusehen. Der Begriff „elektrisch verbunden“ soll eine niederohmige elektrische Verbindung zwischen den Elementen beschreiben, die elektrisch miteinander verbunden sind, beispielsweise eine Verbindung über ein Metall und/oder einen hochdotierten Halbleiter.
- In dieser Beschreibung soll sich n-dotiert auf einen ersten Leitfähigkeitstyp beziehen, während p-dotiert sich auf einen zweiten Leitfähigkeitstyp bezieht. Es ist selbstverständlich, dass die Halbleitervorrichtungen mit entgegengesetzten Dotierungsbeziehungen gebildet werden können, sodass der erste Leitfähigkeitstyp p-dotiert sein kann und der zweite Leitfähigkeitstyp n-dotiert sein kann. Weiterhin veranschaulichen einige Figuren relative Dotierungskonzentrationen durch Angabe von „-“ oder „+“ nächst zu dem Dotierungstyp. Beispielsweise bedeutet „n-“ eine Dotierungskonzentration, die kleiner ist als die Dotierungskonzentration eines „n“-Dotierungsbereiches, während ein „n+“-Dotierungsbereich eine größere Dotierungskonzentration als der „n“-Dotierungsbereich hat. Die Angabe der relativen Dotierungskonzentration bedeutet jedoch nicht, dass Dotierungsbereiche der gleichen relativen Dotierungskonzentration die gleiche absolute Dotierungskonzentration haben, falls nicht etwas anderes festgestellt ist. Beispielsweise können zwei verschiedene
n+ -dotierte Bereiche verschiedene absolute Dotierungskonzentrationen haben. Das Gleiche gilt beispielsweise für einenn+ -dotierten und einenp+ -dotierten Bereich. -
1 veranschaulicht eine schematische Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer Halbleitervorrichtung1010 , die eine dichte Trenchtransistorzellenanordnung und eine Halbleiterdiode D aufweist, die an entgegengesetzte Wände105 ,106 von Trenches108 angrenzt, die eine Tiefed2 haben, die kleiner ist als eine Tiefed1 eines Gatetrenches110 in der dichten Trenchtransistorzellenanordnung. Der Begriff Tiefe eines Trenches ist definiert als ein Abstand zwischen einem Scheitel an einem Boden des Trenches bis zu einer Oberseite eines Mesabereiches, der an den Trench angrenzt bzw. anstößt. Die Oberseite des Mesabereiches ist eine Zwischenfläche, wo Halbleitermaterial des Mesabereiches mit einem Dielektrikum bedeckt ist. - Die dichte Trenchtransistorzellenanordnung und die Halbleiterdiode D sind in einem Halbleiterkörper
109 gebildet, der ein Halbleitersubstrat umfassen kann, beispielsweise ein Silizium-(Si-)Substrat oder ein Halbleiterverbindungssubstrat, beispielsweise ein SiC- oder ein III-V-Verbindungshalbleitersubstrat. Eine oder mehrere Halbleiterschicht(en), z.B. epitaktische Halbleiterschichten, können auf dem Halbleitersubstrat gebildet sein. - Die dichte Trenchtransistorzellenanordnung umfasst eine Vielzahl von Transistorzellen C. Eine Breite
w3 von jedem Transistormesabereich M und eine Breitew1 des Gatetrenches110 an der ersten Seite112 erfüllen die folgende Beziehung: w3 < 1,5 x w1. Der Begriff Breite eines Mesabereiches ist definiert als ein Mittelwert von drei Breiten, d.h. einer ersten Breite bei 20% einer Tiefe eines an den Mesabereich anstoßenden Trenches, einer zweiten Breite bei 50% einer Tiefe eines an den Mesabereich anstoßenden Trenches und einer dritten Breite bei 80% einer Tiefe eines an den Mesabereich anstoßenden Trenches. Die Definition der Breite eines Mesabereiches gilt in gleicher Weise für eine Breite eines Trenches. Jede der Transistorzellen C umfasst den Gatetrench110 , der sich längs einer vertikalen Richtung y in den Halbleiterkörper109 von einer ersten Seite112 , beispielsweise einer Vorderseite bzw. Frontseite, erstreckt. Der Gatetrench110 umfasst eine Gateelektrode114 und eine Feldelektrode116 , die elektrisch durch eine dielektrische Struktur118 isoliert ist. Die dielektrische Struktur118 kann eine Vielzahl von dielektrischen Materialien und/oder Schichten, beispielsweise ein Felddielektrikum, wie z.B. ein Feldoxid in einem Bodenteil des Gatetrenches110 , das die Feldelektrode116 umgibt, und ein Gatedielektrikum, wie z.B. ein Gateoxid in einem oberen Teil des Trenches zwischen der Gateelektrode114 und einem umgebenden Teil des Halbleiterkörpers109 , umfassen. Die Feldelektrode116 ist optional, und andere Ausführungsbeispiele können abhängig von beispielsweise Anforderungen an eine Spannungssperrfähigkeit der Vorrichtung keine oder sogar mehr als eine Feldelektrode aufweisen. In den Trenches108 kann eine oder eine Vielzahl von Feldelektroden auch unterhalb der Gateelektrode114 vorhanden sein. - Der Transistormesabereich
M jeder Transistorzelle C umfasst einen p-dotierten Bodybereich120 und einen n+-dotierten Sourcebereich122 . Der p-dotierte Bodybereich120 und der n+-dotierte Sourcebereich122 sind elektrisch mit einem Kontakt124 an der ersten Seite112 gekoppelt. Der Kontakt124 ist in einer vereinfachten Weise in1 dargestellt und kann einen Trenchkontakt aufweisen, der an den n+-dotierten Sourcebereich122 an Seitenwänden des Trenchkontaktes angrenzt und der an den p-dotierten Bodybereich120 an einer Bodenseite des Trenchkontaktes angrenzt. Als ein weiteres Beispiel kann der Kontakt124 elektrisch den n+-dotierten Sourcebereich122 in einem ersten Oberflächengebiet an der ersten Seite112 und den p-dotierten Bodybereich120 an einem zweiten Oberflächengebiet an der ersten Seite112 elektrisch kontaktieren. Mit anderen Worten, der n+-dotierte Sourcebereich122 und der p-dotierte Bodybereich120 grenzen an verschiedene Oberflächengebiete an der ersten Seite112 an. Als ein Beispiel kann der n+-dotierte Sourcebereich122 durch eine maskierte Implantation von Ionen in den Halbleiterkörper109 hergestellt werden. - Die Halbleiterdiode D ist zwischen Transistorzellen C der dichten Trenchtransistorzellenanordnung gelegen. Die Halbleiterdiode D umfasst einen p-dotierten Anodenbereich
126 . Gemäß einem Ausführungsbeispiel werden der p-dotierte Anodenbereich126 und der p-dotierte Bodybereich120 gleichzeitig prozessiert bzw. verarbeitet, beispielsweise durch einen oder mehrere Ionenimplantations- und/oder Diffusionsprozesse. Gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel kann der p-dotierte Anodenbereich126 andere oder zusätzliche Dotierungsprozesse verglichen mit dem p-dotierten Bodybereich120 umfassen. Gemäß einem Ausführungsbeispiel sind der p-dotierte Anodenbereich126 und der p-dotierte Bodybereich120 elektrisch gekoppelt, beispielsweise kurzgeschlossen. Somit sind die Transistorzellen C und die Halbleiterdiode D parallel verbunden. - Eine n-dotierte Driftzone
128 bildet einen Teil des Halbleiterkörpers109 . Ein Teil der n-dotierten Driftzone128 in einem Gebiet der Halbleiterdiode D stellt einen Teil eines Kathodenbereiches der Diode D dar. Die n-dotierte Driftzone128 ist elektrisch über eine n+-dotierte Kontaktzone130 mit einem Kontakt132 , beispielsweise einem Metall- oder Metalllegierungsschichtstapel an einer zweiten Seite134 entgegengesetzt zu der der ersten Seite112 gekoppelt. - In dichten Trenchtransistorzellen beginnt bzw. startet ein Avalanche- bzw. Lawinendurchbruch um eine Bodenseite des Gatetrenches
110 . Durch Einstellen der Tiefed2 der Trenches bzw. Gräben108 , die an die HalbleiterdiodeD angrenzen, auf einen kleineren Wert als die Tiefed1 des Gatetrenches110 in der dichten Trenchtransistorzellenanordnung wird der Avalanche-Durchbruch von den dichten Trenchtransistorzellen C zu einem Gebiet der Halbleiterdiode D, beispielsweise einer Mitte längs einer lateralen Richtung eines Diodenmesabereiches, verschoben. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist eine Differenz zwischen der Tiefed1 und der Tiefed2 ungefähr so gewählt, dass eine elektrische DurchbruchspannungVbr1 zwischen dem p-dotierten Bodybereich120 und der n-dotierten Driftzone128 und eine elektrische DurchbruchspannungVbr2 zwischen dem Anodenbereich126 und dem Kathodenbereich der HalbleiterdiodeD die folgende Beziehung erfüllen: 5 V ≤ Vbr1 - Vbr2 ≤ 20 V. - Eine Reduktion der Tiefe
d2 der Trenches108 , die an die Halbleiterdiode D angrenzen, verglichen mit der Tiefed1 des Gatetrenches110 erlaubt ein Aufrechterhalten des dichten Trenchtransistorzellenkonzeptes, während ein Avalanche-Durchbruch weg von den dichten TrenchtransistorzellenC zu der HalbleiterdiodeD verschoben wird. Dadurch kann ein unbeabsichtigtes Abwandern oder Driften von elektrischen Vorrichtungsparametern, wie ein Driften einer Durchbruchspannung und/oder Schwellenspannung in der Transistorzellenanordnung aufgrund eines Einfangens von heißen Ladungsträgern in einem Feldoxid und/oder Gateoxid der dielektrischen Struktur118 vermieden und/oder entgegengewirkt werden. - Gemäß einem Ausführungsbeispiel liegt eine Anzahl von dichten Trenchtransistorzellen
C zwischen zwei benachbarten Halbleiterdioden in einem Bereich von 2 bis 20. Als ein Beispiel kann ein abwechselndes Layout bzw. eine abwechselnde Gestaltung von dichten TrenchtransistorzellenC und HalbleiterdiodenD angewandt werden. Da in einem streifenförmigen Layout eine Breite von dichten Trenchtransistorzellenstreifen eher klein ist, beispielsweise in einem Bereich zwischen 2 bis 15 µm, wird eine während eines Avalanche-Durchbruches der Halbleiterdioden erzeugte Wärme thermisch in die dichte Trenchtransistorzellenanordnung geleitet und nicht nur in der HalbleiterdiodeD , sondern auch insgesamt über der dichten Trenchtransistorzellenanordnung abgeführt bzw. verbraucht. - Abgesehen von einem Vermindern der Tiefe
d2 der an die HalbleiterdiodeD angrenzenden Trenches108 können alternative und/oder zusätzliche Maßnahmen ergriffen werden, um einen Avalanche-Durchbruch von der dichten Trenchtransistorzellenanordnung zu der HalbleiterdiodeD zu verschieben. -
2 veranschaulicht eine schematische Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer Halbleitervorrichtung1011 . Abgesehen von strukturellen Merkmalen, die ähnlich zu dem in1 gezeigten Ausführungsbeispiel sind, ist die Breitew3 des Transistormesabereiches M um wenigstens 20% kleiner als eine Breitew2 eines Mesabereiches der HalbleiterdiodeD . Durch Steigern der Breitew2 des Mesabereiches der HalbleiterdiodeD kann die elektrische DurchbruchspannungVbr2 der HalbleiterdiodeD verglichen mit der DurchbruchspannungVbr1 der dichten TrenchtransistorzelleC weiter vermindert werden. Somit erlaubt eine Kombination von Maßnahmen, das heißt ein Vermindern der Tiefed2 verglichen mit der Tiefed1 und ein Steigern oder Erhöhen der Breitew2 verglichen mit der Breitew3 eine Verschiebung des Avalanche-Durchbruches von der dichten Transistorzellenanordnung zu der HalbleiterdiodeD . Ein Steigern oder Vergrößern der Breitew2 erlaubt außerdem eine Zunahme des Avalanche-Durchbruchgebietes der HalbleiterdiodeD. Dies führt zu einer Zunahme oder Steigerung einer Stromfähigkeit bzw. eines Stromvermögens der Halbleiterdiode D. - Abgesehen von einem Vergrößern der Breite
w2 verglichen mitw3 kann die Breitew2 auch verglichen mit der Breitew3 vermindert werden, wenn dieser Effekt auf die Durchbruchspannung durch eine weitere Reduktion der Tiefed2 der Trenches108 verglichen mit der Tiefed1 des Gatetrenches110 überkompensiert wird. Gemäß einem Ausführungsbeispiel unterscheiden sich die Breitenw2 undw3 um wenigstens 20%. -
3 veranschaulicht eine schematische Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer Halbleitervorrichtung1012 . Abgesehen von strukturellen Merkmalen, die ähnlich zu dem Ausführungsbeispiel sind, das in1 gezeigt ist, ist eine Anzahl von Elektroden in dem Gatetrench110 größer als eine Anzahl von Elektroden in jedem der Trenches108 . Während der in3 gezeigte Gatetrench110 die Feldelektrode116 und die Gateelektrode114 umfasst, fehlt jedem der Trenches108 die Feldelektrode116 . Gemäß einem Ausführungsbeispiel umfasst der Gatetrench110 n1 Elektroden, wobei n1 ≥ 1 gilt, und jeder der zweiten Trenches umfasstn2 Elektroden, wobei n2 ≤ n1 - 1 gilt. - Wenn die Anzahl von Elektroden in dem Gatetrench
110 verglichen mit der Anzahl von Elektroden in den Trenches108 , die an die Diode angrenzen, vergrößert wird, kann die elektrische DurchbruchspannungVbr2 der Halbleiterdiode verglichen mit der DurchbruchspannungVbr1 der dichten TrenchtransistorzelleC vermindert werden. Dies führt zu dem Vorteil eines Verschiebens des Avalanche-Durchbruches weg von der dichten Trenchtransistorzellenanordnung zu der HalbleiterdiodeD . - Dadurch kann ein unbeabsichtigtes Abwandern bzw. Driften von elektrischen Vorrichtungsparametern, wie ein Driften der Durchbruchspannung und/oder Schwellenspannung in der Transistorzellenanordnung aufgrund eines Einfangen von heißen Ladungsträgern in einem Feldoxid und/oder Gateoxid der dielektrischen Struktur
118 vermieden und/oder diesen entgegengewirkt werden. -
4 veranschaulicht eine schematische Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer Halbleitervorrichtung1013 . Abgesehen von strukturellen Merkmalen, die ähnlich zu dem in1 gezeigten Ausführungsbeispiel sind, umfasst die Halbleitervorrichtung1013 eine vergrabene dotierte Zone136 in der Halbleiterdiode D an einem Übergang zwischen dem Anodenbereich126 und dem Kathodenbereich, der Teil der n-dotierten Driftzone128 ist. Gemäß einem Ausführungsbeispiel führt die vergrabene dotierte Zone136 zu einer erhöhten p-Dotierung in dem Anodenbereich126 an dem Übergang zwischen dem Anodenbereich126 und dem Kathodenbereich. Gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel führt die vergrabene dotierte Zone136 zu einer gesteigerten n-Dotierung in dem Kathodenbereich an dem Übergang zwischen dem Anodenbereich126 und dem Kathodenbereich. - Wenn die vergrabene dotierte Zone
136 , wie oben beschrieben, gebildet wird, kann die elektrische DurchbruchspannungVbr2 der HalbleiterdiodeD verglichen mit der DurchbruchspannungVbr1 der dichten TrenchtransistorzelleC vermindert werden. Dies führt zu dem Vorteil eines Verschiebens des Avalanche-Durchbruches weg von der dichten Trenchtransistorzellenanordnung zu der HalbleiterdiodeD . Dadurch kann ein unbeabsichtigtes Abwandern oder Driften von elektrischen Vorrichtungsparametern, wie ein Abwandern oder Driften der Durchbruchspannung und/oder Schwellenspannung in der Transistorzellenanordnung aufgrund eines Einfangen von heißen Ladungsträgern in einem Feldoxid und/oder Gateoxid der dielektrischen Struktur118 vermieden und/oder diesen gegengewirkt werden. -
5 veranschaulicht eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer Halbleitervorrichtung1014 . Abgesehen von strukturellen Merkmalen, die ähnlich zu dem in1 gezeigten Ausführungsbeispiel sind, umfasst die Halbleitervorrichtung1014 n dichte Trenchtransistorzellen, die zwischen benachbarten zwei HalbleiterdiodenD1 undD2 angeordnet sind. Gemäß einem Ausführungsbeispiel liegt die Anzahl n zwischen 2 und 20. Ein Layout bzw. eine Gestaltung der dichten TrenchtransistorzellenC und der DiodenD1 undD2 kann ein streifenförmiges Layout sein. Gemäß anderen Ausführungsbeispielen kann das Layout der dichten TrenchtransistorzellenC auch polygonal sein. -
6 veranschaulicht eine schematische Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer Halbleitervorrichtung1015 , die eine dichte Trenchtransistorzellenanordnung und eine HalbleiterdiodeD umfasst, welche an entgegengesetzte Wände105 ,106 von Trenches bzw. Gräben108 angrenzt, die eine gleiche Tiefe wie Gatetrenches110 in der dichten Trenchtransistorzellenanordnung haben. Eine elektrische DurchbruchspannungVbr2 der Halbleiterdiode D kann verglichen mit der DurchbruchspannungVbr1 der dichten TrenchtransistorzellenC vermindert werden, indem eine Breitew2 eines Mesabereiches der HalbleiterdiodeD größer eingestellt wird als die Breitew3 der Mesabereiche der dichten TrenchtransistorzellenC . Dies führt zu dem Vorteil eines Verschiebens des Avalanche-Durchbruches weg von der dichten Trenchtransistorzellenanordnung zu der HalbleiterdiodeD . Dadurch kann ein unbeabsichtigtes Abwandern bzw. Driften von elektrischen Vorrichtungsparametern, wie ein Abwandern oder Driften der Durchbruchspannung und/oder der Schwellenspannung in der Transistorzellenanordnung aufgrund eines Einfangens von heißen Ladungsträgern in einem Feldoxid und/oder Gateoxid der dielektrischen Struktur118 vermieden und/oder diesem entgegengewirkt werden. - Ein optionaler p+-dotierter Anodenkontaktbereich
138 kann in den p-dotierten Anodenbereich126 eingebettet sein, um elektrisch den p-dotierten Anodenbereich126 mit einer leitenden Schicht in einem Verdrahtungsgebiet über der ersten Seite112 zu koppeln. Der optionale p+-dotierte Anodenkontaktbereich138 kann auch als ein Zwischenbereich verwendet werden, der einen elektrischen Kontakt zwischen dem p-dotierten Bodybereich120 und einer leitenden Schicht in einem Verdrahtungsgebiet über der ersten Seite112 unterstützt. Der optionale p+-dotierte Anodenkontaktbereich138 kann auch in jedem beliebigen Ausführungsbeispiel der oben oder unten beschriebenen Ausführungsbeispiele vorhanden sein. -
7A zeigt schematische Graphen von Beispielen von Nettodotierungsprofilen längs in1 und4 gezeigten LinienAA' undBB' . In7A bezeichnet ein Bezugszeichen A eine Nettodotierungskurve längs einer LinieAA' eines Mesabereiches der in1 dargestellten HalbleiterdiodeD . In7A bezeichnet ein Bezugszeichen Beine Nettodotierungskurve längs einer LinieBB' eines Mesabereiches der in4 dargestellten HalbleiterdiodeD . In dem dargestellten Ausführungsbeispiel führt die vergrabene dotierte Zone136 zu einer Zunahme eines Pegels einer Dotierung in dem Kathodenbereich der in4 gezeigten HalbleiterdiodeD verglichen mit dem Kathodenbereich der in1 gezeigten HalbleiterdiodeD . Dies verursacht eine weitere Verminderung der DurchbruchspannungVbr2 zwischen dem Anodenbereich und dem Kathodenbereich der HalbleiterdiodeD von4 verglichen mit der HalbleiterdiodeD von1 und stellt somit eine weitere Maßnahme zum Verschieben des Avalanche-Durchbruches von den dichten TrenchtransistorzellenC zu der HalbleiterdiodeD dar. - Gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel kann die vergrabene dotierte Zone
136 auch mit anderen Maßnahmen zum Vermindern einer Durchbruchspannung der HalbleiterdiodeD kombiniert werden. In diesem Fall kann die vergrabene dotierte Zone136 auch Kompensationsdotierstoffe umfassen, die zu einer Verminderung der Nettodotierung in dem jeweiligen Bereich führen. Dies kann noch zu einer Verminderung in der Durchbruchspannung in der HalbleiterdiodeD führen, wenn eine Kombination mit anderen Maßnahmen zum Herabsetzen einer Durchbruchspannung der HalbleiterdiodeD vorliegt. -
7B zeigt Beispiele von Dotierungsprofilen der vergrabenen dotierten Zone136 . Während ProfileP1 undP2 nahe bei einem Kastenprofil PB sind, beruht das ProfilP1 auf einer Einzelimplantation und Ausdiffusion, was zu einem breiten Plateau führt, und ein ProfilP2 beruht auf Mehrfachimplantationen bei verschiedenen Implantationsenergien, was zu einem Überlappen von Unterprofilen während einer Ausdiffusion führt. Diese Profile können auf jede gewünschte Durchbruchspannung der HalbleiterdiodeD eingestellt werden. -
8 veranschaulicht eine schematische Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer Halbleitervorrichtung1016 . Abgesehen von strukturellen Merkmalen, die ähnlich zu dem in6 gezeigten Ausführungsbeispiel sind, ist eine Anzahl von Elektroden in dem Gatetrench110 größer als eine Anzahl von Elektroden in jedem der Trenches108 . Während der in6 gezeigte Gatetrench110 die Feldelektrode116 und die Gateelektrode114 umfasst, fehlt jedem der Trenches108 die Feldelektrode116 . Gemäß einem Ausführungsbeispiel umfasst der Gatetrench110 n1 Elektroden, wobei n1 ≥ 1 gilt, und jeder der zweiten Trenches umfasstn2 Elektroden, wobei n2 ≤ n1 - 1 vorliegt. - Wenn die Anzahl von Elektroden in dem Gatetrench
110 verglichen mit der Anzahl von Elektroden in den Trenches108 , die an die Diode angrenzen, vergrößert wird, kann die elektrische DurchbruchspannungVbr2 der HalbleiterdiodeD verglichen mit der DurchbruchspannungVbr1 der dichten TrenchtransistorzelleC vermindert werden. Dies führt zu dem Vorteil eines Verschiebens des Avalanche-Durchbruches weg von der dichten Trenchtransistorzellenanordnung zu der HalbleiterdiodeD . Dadurch kann ein unbeabsichtigtes Abwandern oder Driften von elektrischen Vorrichtungsparametern, wie ein Abwandern oder Driften der Durchbruchspannung und/oder Schwellenspannung in der Transistorzellenanordnung aufgrund eines Einfangens von heißen Ladungsträgern in einem Feldoxid und/oder Gateoxid der dielektrischen Struktur118 vermieden und/oder diesem entgegengewirkt werden. - Merkmale der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele können in jeglicher Weise kombiniert werden, wenn sie einander nicht ausschließen. Insbesondere können Maßnahmen einschließlich eines Verminderns der Anzahl von Elektroden in den Trenches
108 , die an die Halbleiterdiode angrenzen, verglichen mit der Anzahl von Elektroden in der dichten Trenchtransistorzellenanordnung, eines Änderns der Breitew2 des Mesabereiches der HalbleiterdiodeD verglichen mit der Breitew3 des Mesabereiches der TransistorzellenC , eines Bildens einer vergrabenen dotierten Zone136 in der Halbleiterdiode D, eines Verminderns der Tiefed2 der Trenches108 , die an die HalbleiterdiodeD angrenzen, verglichen mit der Tiefed1 der Gatetrenches in der dichten Trenchtransistorzellenanordnung in jeglicher Weise kombiniert werden. - In den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen kann ein elektrischer Durchbruch in einer Mitte des Mesabereiches der Halbleiterdiode D, das heißt weg von einem Dielektrikum in den Trenches, festgehalten werden. Somit können einem Ladungseinfangen in dem Dielektrikum und Zwischenflächenschädigungen an dem Dielektrikum entgegengewirkt werden, oder diese können vermieden werden.
- Jedes beliebige Ausführungsbeispiel der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele von dichten Trenchtransistorzellen und Halbleiterdioden kann Teil einer integrierten Schaltung sein, die weitere Schaltungselemente umfasst.
Claims (22)
- Halbleitervorrichtung (1010, 1013), umfassend: eine dicht gepackte Trenchtransistorzellenanordnung mit einer Vielzahl von Transistorzellen (C) in einem Halbleiterkörper (109), wobei eine Breite w3 eines Transistormesabereiches von jeder Transistorzelle (C) der Vielzahl von Transistorzellen (C) und eine Breite w1 eines ersten Trenches (110) von jeder Transistorzelle (C) der Vielzahl von Transistorzellen (C) die folgende Beziehung erfüllen: w3 < 1,5 x w1, Halbleiterdioden (D), wobei wenigstens eine der Halbleiterdioden (D) zwischen einem ersten und zweiten Teil der Vielzahl von Transistorzellen (C) angeordnet ist und einen Diodenmesabereich umfasst, der an entgegengesetzte Wände (105, 106) von weiteren Trenches (108) angrenzt, und wobei eine Tiefe d1 des ersten Trenches (110) und eine Tiefe d2 der weiteren Trenches (108) um wenigstens 20% verschieden sind oder voneinander abweichen.
- Halbleitervorrichtung (1010, 1013) nach
Anspruch 1 , bei der die Breite w3 des Transistormesabereiches und eine Breite w2 des Diodenmesabereiches um wenigstens 20% verschieden sind. - Halbleitervorrichtung (1010, 1013) nach
Anspruch 1 oder2 , bei der der erste Trench (108) n1 Elektroden (114, 116) aufweist, wobei n1 ≥ 1 ist, und bei der jeder der weiteren Trenches (108) n2 Elektroden umfasst, wobei n2 ≤ n1 - 1 gilt. - Halbleitervorrichtung (1010, 1013) nach einem der
Ansprüche 1 bis3 , weiterhin umfassend: einen Halbleiterbereich (128) eines ersten Leitfähigkeitstyps, der komplementär zu einem zweiten Leitfähigkeitstyp ist, wobei der Halbleiterbereich (128) an Bodybereiche (120) der Vielzahl von Transistorzellen (C) und einen Diodenbereich (126) des zweiten Leitfähigkeitstyps entsprechend einem Bereich aus Anodenbereichen und Kathodenbereichen der wenigstens einen Halbleiterdiode (D) angrenzt, und weiterhin umfassend: Kompensationsdotierstoffe, die eine Nettodotierung in einem Tiefenraum des Halbleiterbereiches in einem Gebiet der wenigstens einen Halbleiterdiode (D) verglichen mit der Nettodotierung in einem entsprechenden Tiefenraum des Halbleiterbereiches (128) in einem Gebiet der Vielzahl von Transistorzellen (C) absenken. - Halbleitervorrichtung (1010, 1013) nach
Anspruch 4 , bei der die Kompensationsdotierstoffe die Nettodotierung in dem Tiefenraum des Halbleiterbereiches (128) in dem Gebiet der Halbleiterdioden (D) in einen Bereich zwischen 50% bis 95% verglichen mit der Nettodotierung in einem entsprechenden Tiefenraum des Halbleiterbereiches (128) in dem Gebiet der Vielzahl von Transistorzellen (C) vermindern. - Halbleitervorrichtung (1010, 1013) nach einem der
Ansprüche 1 bis5 , bei der eine elektrische Durchbruchspannung Vbr1 zwischen einem Bodybereich (120) und einem Drainbereich der dicht gepackten Trenchtransistorzellen (C) und eine elektrische Durchbruchspannung Vbr2 zwischen einem Anodenbereich (126) und einem Kathodenbereich der wenigstens einen der Halbleiterdioden (D) die folgende Beziehung erfüllen: 5 V ≤ Vbr1 - Vbr2 ≤ 20 V. - Halbleitervorrichtung (1013) nach einem der
Ansprüche 1 bis6 , weiterhin umfassend eine dotierte Zone (136), die in wenigstens einem Teil des Halbleiterbereiches (128) in dem Gebiet der Halbleiterdioden (D) vergraben ist, wobei die dotierte Zone (136) eine Nettodotierung aufweist, die größer ist als in einem umgebenden Teil des Halbleiterbereiches (128). - Halbleitervorrichtung (1010, 1013) nach einem der
Ansprüche 1 bis7 , bei der eine Anzahl von dicht gepackten Trenchtransistorzellen (C), die zwischen benachbarten zwei der Halbleiterdioden (D) angeordnet ist, in einem Bereich von 2 bis 20 liegt. - Halbleitervorrichtung (1010, 1013) nach einem der
Ansprüche 1 bis8 , bei der einelektrischer Durchbruch einer Parallelverbindung der Transistorzellen (C) und der Halbleiterdioden (D) um eine Mitte längs einer lateralen Richtung des Diodenmesabereiches (126) gelegen ist. - Halbleitervorrichtung (1011, 1013), umfassend: eine dicht gepackte Trenchtransistorzellenanordnung mit einer Vielzahl von Transistorzellen (C) in einem Halbleiterkörper (109), wobei eine Breite w3 eines Transistormesabereiches von jeder Transistorzelle (C) der Vielzahl von Transistorzellen (C) und eine Breite w1 eines ersten Trenches (110) von jeder Transistorzelle (C) der Vielzahl von Transistorzellen (C) die folgende Beziehung erfüllen: w3 < 1,5 x w1, Halbleiterdioden (D), wobei wenigstens eine der Halbleiterdioden (D) zwischen ersten und zweiten Teilen der Vielzahl von Transistorzellen (C) angeordnet ist und einen Diodenmesabereich (126) umfasst, der an entgegengesetzte Wände (105, 106) von weiteren Trenches (108) angrenzt, und wobei die Breite w3 des Transistormesabereiches (M) und eine Breite w2 des Diodenmesabereiches um wenigstens 20% verschieden sind oder voneinander abweichen; und weiterhin umfassend: einen Halbleiterbereich (128) eines ersten Leitfähigkeitstyps, der komplementär zu einem zweiten Leitfähigkeitstyp ist, wobei der Halbleiterbereich (128) an Bodybereiche (120) der Vielzahl von Transistorzellen (C) und einen Diodenbereich (126) des zweiten Leitfähigkeitstyps entsprechend einem Bereich aus Anodenbereichen und Kathodenbereichen der wenigstens einen Halbleiterdiode (D) angrenzt, und Kompensationsdotierstoffe, die eine Nettodotierung in einem Tiefenraum des Halbleiterbereiches (128) in einem Gebiet der wenigstens einen Halbleiterdiode (D) verglichen mit der Nettodotierung in einem entsprechenden Tiefenraum des Halbleiterbereiches (128) in einem Gebiet der Vielzahl von Transistorzellen (C) vermindern.
- Halbleitervorrichtung (1011, 1013) nach
Anspruch 10 , bei der die Kompensationsdotierstoffe die Nettodotierung in dem Tiefenraum des Halbleiterbereiches (128) in dem Gebiet der Halbleiterdioden (D) in einem Bereich zwischen 50% bis 95% verglichen mit der Nettodotierung in einem entsprechenden Tiefenraum des Halbleiterbereiches (128) in dem Gebiet der Vielzahl von Transistorzellen (C) vermindern. - Halbleitervorrichtung (1011, 1013), umfassend: eine dicht gepackte Trenchtransistorzellenanordnung mit einer Vielzahl von Transistorzellen (C) in einem Halbleiterkörper (109), wobei eine Breite w3 eines Transistormesabereiches von jeder Transistorzelle (C) der Vielzahl von Transistorzellen (C) und eine Breite w1 eines ersten Trenches (110) von jeder Transistorzelle (C) der Vielzahl von Transistorzellen (C) die folgende Beziehung erfüllen: w3 < 1,5 x w1, Halbleiterdioden (D), wobei wenigstens eine der Halbleiterdioden (D) zwischen ersten und zweiten Teilen der Vielzahl von Transistorzellen (C) angeordnet ist und einen Diodenmesabereich (126) umfasst, der an entgegengesetzte Wände (105, 106) von weiteren Trenches (108) angrenzt, und wobei die Breite w3 des Transistormesabereiches (M) und eine Breite w2 des Diodenmesabereiches um wenigstens 20% verschieden sind oder voneinander abweichen, und eine elektrische Durchbruchspannung Vbr1 zwischen einem Bodybereich (120) und einem Drainbereich der dicht gepackten Trenchtransistorzellen (C) und eine elektrische Durchbruchspannung Vbr2 zwischen einem Anodenbereich (126) und einem Kathodenbereich der wenigstens einen der Halbleiterdioden die folgende Beziehung erfüllen: 5 V ≤ Vbr1 - Vbr2 ≤ 20 V.
- Halbleitervorrichtung (1013) nach einem der
Ansprüche 10 bis12 , weiterhin umfassend eine dotierte Zone (136), die in wenigstens einem Teil des Halbleiterbereiches (128) in dem Gebiet der Halbleiterdioden (D) vergraben ist, wobei die dotierte Zone (136) eine Nettodotierung umfasst, die größer ist als in einem umgebenden Teil des Halbleiterbereiches (128). - Halbleitervorrichtung (1011, 1013) nach einem der
Ansprüche 10 bis13 , bei der eine Anzahl von dicht gepackten Trenchtransistorzellen (C), die zwischen benachbarten zwei der Halbleiterdioden angeordnet sind, in einem Bereich von 2 bis 20 liegt. - Halbleitervorrichtung (1012), umfassend: eine dicht gepackte Transistorzellenanordnung mit einer Vielzahl von Transistorzellen (C) in einem Halbleiterkörper (109), wobei eine Breite w3 eines Transistormesabereiches einer Vielzahl von Transistorzellen (C) und eine Breite w1 eines ersten Trenches (110) der Vielzahl von Transistorzellen (C) die folgende Beziehung erfüllen: w3 < 1,5 x w1, Halbleiterdioden (D), wobei wenigstens eine der Halbleiterdioden zwischen ersten und zweiten Teilen der Vielzahl von Transistorzellen (C) angeordnet ist und einen Diodenmesabereich (126) umfasst, der an entgegengesetzte Wände von weiteren Trenches (108) angrenzt, und wobei der erste Trench (110) n1 Elektroden (114, 116) umfasst, wobei n1 ≥ 1 ist und jeder der weiteren Trenches (108) n2 Elektroden (114) umfasst, wobei n2 ≤ n1 - 1 gilt.
- Halbleitervorrichtung (1012) nach
Anspruch 15 , bei der die Breite w3 des Transistormesabereiches (M) und eine Breite w2 des Diodenmesabereiches (126) um wenigstens 20% verschieden sind. - Halbleitervorrichtung (1012) nach einem der
Ansprüche 15 bis16 , weiterhin umfassend: einen Halbleiterbereich (128) eines ersten Leitfähigkeitstyps, der komplementär zu einem zweiten Leitfähigkeitstyp ist, wobei der Halbleiterbereich (128) an Bodybereiche (120) der Vielzahl von Transistorzellen (C) und einen Diodenbereich des zweiten Leitfähigkeitstyps entsprechend zu einem Bereich von Anodenbereichen und Kathodenbereichen der wenigstens einen Halbleiterdiode (D) angrenzt, und Kompensationsdotierstoffe, die eine Nettodotierung in einem Tiefenraum des Halbleiterbereiches (128) in einem Gebiet der wenigstens einen Halbleiterdiode (D) verglichen mit der Nettodotierung in einem entsprechenden Tiefenraum des Halbleiterbereiches (128) in einem Gebiet der Vielzahl von Transistorzellen (C) vermindern. - Halbleitervorrichtung (1012) nach
Anspruch 17 , bei der die Kompensationsdotierstoffe die Nettodotierung in dem Tiefenraum des Halbleiterbereiches (128) in dem Gebiet der Halbleiterdioden (D) in einen Bereich zwischen 50% bis 95% verglichen mit der Nettodotierung in einem entsprechenden Tiefenraum des Halbleiterbereiches (128) in dem Gebiet der Vielzahl von Transistorzellen (C) vermindern. - Halbleitervorrichtung (1012) nach einem der
Ansprüche 15 bis18 , bei der eine elektrische Durchbruchspannung Vbr1 zwischen einem Bodybereich (120) und einem Drainbereich der dicht gepackten Transistorzellen (C) und eine elektrische Durchbruchspannung Vbr2 zwischen einem Anodenbereich und einem Kathodenbereich der wenigstens einen der Halbleiterdioden die folgende Beziehung erfüllen: 5 V ≤ Vbr1 - Vbr2 - 20 V. - Halbleitervorrichtung (1012) nach einem der
Ansprüche 15 bis19 , weiterhin umfassend eine dotierte Zone (136), die in wenigstens einem Teil des Halbleiterbereiches (128) in dem Gebiet der Halbleiterdioden (D) vergraben ist, wobei die dotierte Zone (136) eine Nettodotierung umfasst, die größer ist als in einem umgebenden Teil des Halbleiterbereiches (128). - Halbleitervorrichtung (1012) nach einem der
Ansprüche 15 bis20 , bei der eine Anzahl von dicht gepackten Trenchtransistorzellen (C), die zwischen benachbarten zwei der Halbleiterdioden (D) angeordnet sind, in einem Bereich von 2 bis 20 liegt. - Integrierte Schaltung, umfassend die Halbleitervorrichtung nach einem der
Ansprüche 1 bis21 .
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