DE102011117462A1 - Vorrichtung und Verfahren zum Zünden von Siliziumdünnstäben - Google Patents

Vorrichtung und Verfahren zum Zünden von Siliziumdünnstäben Download PDF

Info

Publication number
DE102011117462A1
DE102011117462A1 DE201110117462 DE102011117462A DE102011117462A1 DE 102011117462 A1 DE102011117462 A1 DE 102011117462A1 DE 201110117462 DE201110117462 DE 201110117462 DE 102011117462 A DE102011117462 A DE 102011117462A DE 102011117462 A1 DE102011117462 A1 DE 102011117462A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
rods
short
circuited
switch
rod
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE201110117462
Other languages
English (en)
Other versions
DE102011117462B4 (de
Inventor
Anmelder Gleich
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to DE201110117462 priority Critical patent/DE102011117462B4/de
Publication of DE102011117462A1 publication Critical patent/DE102011117462A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102011117462B4 publication Critical patent/DE102011117462B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • C01B33/021Preparation
    • C01B33/027Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/035Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Control Of Resistance Heating (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Zünden von Silizium in einem Abscheidereaktor. Babel werden einige der in einem Segment angeordneten Siliziumdünnstäbe bewusst kurzgeschlossen und andere mit hohen Spannungen beaufschlagt. Durch diese Kombination kann eine deutliche Einsparung an Material, Platz und Prozesszeit erzielt werden.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Zündvorrichtung sowie ein Verfahren zum Zünden von Siliziumdünnstäben in einem Abscheidereaktor.
  • Hochreines Silizium wird insbesondere für Anwendungen in der Halbleitertechnik und in der Photovoltaik in großen Mengen benötigt. Ein bekanntes Verfahren zur Gewinnung von hochreinem Silizium ist die chemische Gasphasenabscheidung (Chemical Vapor Deposition oder CVD), welche auch als Siemens-Verfahren bekannt ist. Bei diesem Verfahren werden dünne Stäbe aus Silizium (Silizium-Dünnstäbe) als Silizium-Anlagerungseinheit im Inneren einer Reaktionskammer eines Abscheidereaktors angeordnet und stark erhitzt. In die Reaktionskammer wird eine gasförmige Siliziumverbindung eingeleitet oder dort freigesetzt. Die siliziumhaltige Verbindung kann zum Beispiel Trichlorsilan (HSiCl3) sein. An den heißen Siliziumstäben zersetzt sich die siliziumhaltige Verbindung, wobei sich Silizium an den Silizium-Dünnstäben absetzt. Bei dieser Reaktion werden die Silizium-Dünnstäbe bei der Verwendung von Trichlorsilan üblicherweise auf eine Temperatur zwischen 900°C und 1350°C, zum Beispiel auf 1100°C erhitzt. Eine Abscheidung von Silizium ist aber auch bei anderen Temperaturen und mit anderen Gasen möglich.
  • Es ist bekannt, die Silizium-Dünnstäbe elektrisch mittels Widerstandsheizung zu erhitzen. Dazu wird an einen oder an mehrere Silizium-Dünnstäbe eine hohe elektrische Spannung üblicherweise von mehreren KV angelegt. Diese hohe Spannung ist erforderlich, da Silizium ein Heißleiter und sein elektrischer Widerstand bei Raumtemperatur verhältnismäßig groß ist. Bei der hohen Spannung kommt es aber dennoch nach einiger Zeit zu einem Stromfluss durch den Silizium-Dünnstab, was auch als Zündung des Silizium-Dünnstabes bezeichnet wird. Der Stromfluss führt zu einer Erwärmung des Silizium-Dünnstabes, was wiederum zu einer Reduzierung des Widerstandes führt und höhere Stromflüsse und somit eine bessere Erwärmung ermöglicht. Für die Zündung der Silizium-Dünnstäbe und die Regelung der angelegten Spannung und des Stroms durch die Silizium-Dünnstäbe ist eine aufwändige Steuerelektronik erforderlich, da zum Beispiel Transformatoren, die hohe Zündspannungen zur Verfügung stellen können nicht für hohe Ströme ausgelegt sind. Es ist daher üblicherweise eine Umschaltung zwischen mehreren Transformatorsätzen erforderlich, um einen Silizium-Dünnstab bis zu der gewünschten Abscheidetemperatur von zum Beispiel 1100 C zu erwärmen.
  • Die Offenlegungsschrift DE 10 2009 021 403 A1 beschreibt eine beispielhafte elektronische Schaltung zum Zünden und Erwärmen von Silizium-Dünnstäben in einem Abscheidereaktor.
  • Verschiedene Verfahren sind bekannt, um die Zündung eines Silizium-Dünnstabes beispielsweise durch externes vorheizen zu beschleunigen. Beispielsweise ist es bekannt innerhalb der Reaktionskammer einen Vorheizer anzuordnen, der vor dem eigentlichen Abscheidungsprozess wieder aus der Reaktionskammer entfernt wird. Der Vorheizer kann beispielsweise ein elektrisches Heizgerät sein. Mithilfe des Vorheizers lassen sich die Siliziumstäbe zunächst vorheizen, bis ihr elektrischer Widerstand soweit abgesunken ist, dass sie leicht gezündet und dann elektrisch mittels Widerstandsheizung weiter aufgeheizt werden können. Jedoch ist das Einsetzen und Entfernen des externen Vorheizers in die/aus der Reaktionskammer zeitaufwändig und birgt die Gefahr, dass Verunreinigungen in die Reaktionskammer eingeführt werden. Beispielsweise besteht die Gefahr, dass beim Einsetzen/Entfernen des Vorheizers Luft in die Reaktionskammer eindringt, was insbesondere beim Entfernen, wenn die Silizium-Dünnstäbe schon erwärmt sind zu einer Reaktion der Staboberfläche mit der Luft führen kann. Erfolgt die Zündung zum Beispiel in einer Stickstoff enthaltenden Atmosphäre, besteht die Gefahr, dass sich bei einer zu langen Kombination aus heißen Stäben und Stickstoffumgebung Siliziumnitrit bildet.
  • Eine weitere Möglichkeit besteht zum Beispiel darin, die Silizium-Dünnstäbe über das Kühlsystem der Reaktorglocke bzw. Bodenplatte zu beheizen. Während der Abscheidung wird dieses genutzt, um die anfallende Strahlungswärme abzuführen, Die Silizium-Dünnstäbe sind jeweils in entsprechenden Halte- und Kontaktiereinheiten aufgenommen, die einerseits einen sicheren Halt der Stäbe und andererseits eine elektrische Kontaktierung derselben vorsehen. Zur elektrischen Kontaktierung, stehen die Halte- und Kontaktiereinheiten mit sich durch einen Boden der Reaktionskammer hindurch erstreckenden Elektroden in Kontakt. Diese stehen wiederum mit einem Kühlsystem in thermisch leitendem Kontakt, um eine Überhitzung der Elektroden während der Abscheidung zu vermeiden. Während der Startphase kann das Kühlmedium der Reaktorglocke und der Bodenplatte, üblicherweise Wasser, aber auch zu einer anfänglichen Erwärmung der Silizium-Dünnstäbe eingesetzt werden. Diese Erwärmung ist aber durch das verwendete Kühlmedium und dessen maximaler Temperatur (>100°C) begrenzt. Die Kühlung der Elektroden sollte in dieser Phase auf ein Minimum reduziert werden, damit die Dünnstäbe nicht zu sehr direkt (über die Elektrode und die Halte- und Kontaktiereinheit) gekühlt werden.
  • Es ist daher eine Aufgabe der Erfindung, eine einfache und effiziente Vorrichtung zum Zünden einer Silizium-Anlagerungseinheit sowie ein einfaches und effizientes Verfahren zum Zünden einer Silizium-Anlagerungseinheit anzugeben. Diese Aufgabe wird mit einer Verschaltung nach den Ansprüchen 1 und 3 und einem Verfahren nach Anspruch 4 gelöst. Weitere Ausgestaltungen ergeben sich aus den jeweiligen abhängigen Ansprüchen.
  • Für die hier vorgestellte Erfindung sind mehrere Anwendungsbereiche zu unterscheiden. In ist die Vereinfachung des bereits bekannten Alternatingmodes dargestellt. Im bekannten Alternatingmode werden alle Stabpaare (als R1, R2, R3 exemplarisch dargestellt) mit Schaltern (in sind nur S1 und S2 dargestellt) versehen. Die Stabpaare R1, R2 oder R3 (oder auch weitere) können auch aus mehreren Stabpaaren bestehen. Auf diese Weise wird jeweils ein Stabpaar mit der vollen Spannung U beaufschlagt und gezündet. Nach der erfolgten Zündung wird auf das nächste Stabpaar gewechselt und dieses gezündet. Dieser Modus wird so lange fortgesetzt, bis auch das letzte Stabpaar gezündet hat. Da zu diesem Zeitpunkt das erste Stabpaar allerdings wieder abgekühlt ist, muss der Zyklus von vorn beginnen. Sollte die Zykluszeit des zweiten Zyklusses kleiner sein als die des ersten, dann konvergiert das Verfahren und die Stabpaare sind am Ende nach mehreren Zyklen) alle gleichzeitig auf Temperatur. In diesem Fall können die Alternatingschalter abgeschaltet werden und die übergeordnete Spannungsversorgung übernimmt die weitere Aufheizung.
  • Das neue Verfahren unterscheidet sich dahingehend, dass einerseits nicht mehr alle Stabpaare mit einem Schalter versehen werden, sondern immer mindestens ein Stabpaar ohne Schalter verbleibt. Dies spart Material. Zusätzlich wird nach dem erfolgten Zünden eines Stabpaares nicht mehr auf das nächste umgeschaltet und das gezündete Stabpaar erkaltet somit wieder, sondern das bereits gezündete Stabpaar wird auf eine erhöhte Temperatur (ca. 900°C) gebracht und führt somit den anderen Stabpaaren Energie zu. Die Zündung der anderen Stabpaare wird dadurch erreicht, dass diese zeitweise mit Spannung beaufschlagt werden. In einem zu definierenden Taktverhältnis wird entweder das nächste Stabpaar mit Spannung beaufschlagt um es zu zünden oder das bereits gezündete Stabpaar wird auf Temperatur gehalten.
  • An soll dieses Verfahren exemplarisch erläutert werden. Zu Beginn des Zündvorganges sind die Schalter S1 und S2 geschlossen, so dass die Spannung U am Stabpaar R3 anliegt. Wenn dieses gezündet ist wird die Spannung U so geregelt, dass die Stabtemperatur von R3 stark erhöht ist (z. B. ca. 900°C). Dadurch erhalten die Stabpaare R1 und R2 eine zusätzliche Erwärmung. Als nächstes wird S2 geöffnet. Da R3 sehr gut leitfähig ist (warm) liegt fast die gesamte Spannung U an R2 an. Damit R3 nicht zu sehr abkühlt wird S2 in einem zu definierenden Taktverhältnis (z. B. 5 Netzperioden ein und 5 Netzperioden aus) geöffnet bzw. geschlossen. In der Steuereinheit werden die hierfür notwendigen Einstellungen (Spannung U bzw. Phasenanschnittwinkel für die Thyristorsteller) jeweils gespeichert, damit nicht in jedem Takt neu eingeregelt werden muss. Wenn durch die Spannungsbeaufschlagung von R2 dieser ebenfalls leitfähig wird, so werden R2 und R3 auf der erhöhten Temperatur eingeregelt. Das Taktverhältnis wird jetzt auf S1 angewendet, um R1 zu zünden. Wenn R1 ebenfalls gezündet ist können die Schalter deaktiviert werden, so dass die Spannungsversorgung nur noch von der übergeordneten Steuerung erfolgt.
  • In ist ebenfalls dargestellt, dass eine unsymmetrische Anordnung der Schalter (hier des Schalters S1a) möglich ist. Je nach den Verhältnissen von Spannung und Temperatur kann es ausreichend sein nur einen Schalter zu verwenden.
  • Durch die Aufrechterhaltung der Temperatur nach der erfolgten Zündung ist sichergestellt, dass die Zündung konvergiert (im Vergleich zum Zyklus des Alternatingmodes). Durch die jeweils zusätzlich eingebrachte Wärme kann zudem die Zündzeit verkürzt werden, was die gesamte Prozesszeit reduziert und somit zu einer Erhöhung der Produktionskapazität führt.
  • Ein weiterer Anwendungsbereich ist im Zuge der Mittelspannungszündung möglich. Bei den bekannten Verfahren der Mittelspannungszündung wird jedes Stabpaar mit einem Transformator verbunden, der eine Spannung im Bereich 8 bis 12 kV an das Stabpaar anlegt, Nach erfolgter Zündung wird der Strom begrenzt. Die Begrenzung kann über Thyristorsteller oder Drosseln erfolgen und hängt in ihrer Höhe von der Bauform (Typenleistung) der Transformatoren ab. Je nach Ausführungsform kann auch eine zweite Transformatorstufe zum Einsatz kommen, bei der dann mehrere Stabpaare mit einem Transformator verbunden sind, um den Strom und somit die Temperatur der Stabpaare weiter zu erhöhen. Am Ende der Mittelspannungszündung werden die Transformatoren abgeschaltet und die übergeordnete Spannungsversorgung übernimmt die weitere Aufheizung. Bei dieser Art der Verschaltung ergeben sich allerdings einige technologische Schwierigkeiten. Zum Schutz der übergeordneten Spannungsversorgung werden die Stabpaare während der Mittelspannungszündung direkt (in durch den Schalter S3 dargestellt) oder über einen definierten Widerstand kurzgeschlossen. Auftretende Unsymmetrien auf Grund der unterschiedlichen Eigenschaften der Stabpaare bilden somit eine nicht unerhebliche Schwierigkeit beim Zündvorgang dar, da auftretende Spannungsunsymmetrien durch die Kurzschlusseinrichtung begrenzt werden. Ein weiterer Nachteil der derzeitigen Technologie ist der erhebliche Materialaufwand, da Transformatoren schwer, voluminös und teuer sind.
  • Eine Verbesserung des Verhaltens ist möglich, wenn nicht mehr alle Stabpaare über die Mittelspannungszündung gezündet werden. Dies ist in dargestellt. Es werden darin nur noch die Stabpaare R1 und R2 mit den Transformatoren T1 und T2 dargestellt. Der Transformator T3 als zweite Transformatorestufe kann, muss aber nicht genutzt werden.
  • Während der Mittelspannungszündung wird der Schalter S3 geschlossen, während S1 und S2 geöffnet sind. Wenn bei der Zündung von R1 und R2 Spannungsunterschiede auftreten, dann werden diese über die hochohmigen R3 und R4 aufgenommen. Der Zündvorgang erfolgt somit wesentlich einfacher und ohne die Gefahr von unerwünschten Strömen über die Kurzschlusseinrichtung. Wenn R1 und R2 gezündet sind, dann wird S3 geöffnet. Mit dann geschlossenen Schaltern S1 und S2 wird die Spannung U auf die gezündeten Stäbe R1 und R2 gelegt. Da im Gegenteil zu den bisherigen Systemen nicht mehr alle Stabpaare von der übergeordneten Spannungsversorgung übernommen werden, sondern nur noch ein Teil kann auch die Leistung der Transformatoren reduziert werden. Die gezündeten Stabpaaren R1 und R2 werden wie bereits erwähnt auf eine höhere Temperatur aufgeheizt, so dass sie die Stabpaare R3 und R4 erwärmen. Mit den Schaltern S1 und S2 wird im Anschluss die bereits erwähnte Taktsteuerung durchgeführt, so dass nacheinander erst R3 und dann R4 gezündet werden.
  • Bei einigen Anlagentypen, wie z. B. dem mittleren Ring von 18pair-Anlagen mit AEG-Thyroboxen ist ein Parallelbetrieb vorgesehen. Dabei wird im Anfangsstadium der Abscheidung eine Parallelschaltung von einem oder mehreren Stabpaaren vorgenommen. Die Implementierung einer vereinfachten Mittelspannungszündung ist in dargestellt. In den bisher bekannten Anlagen wird jedes Stabpaar mit einem Transformator versehen. Eine zweite Transformatorstufe ist ebenfalls üblich. Durch die Vereinfachung ist es möglich zwei Stabpaare ohne Transformatoren zu belassen. Dies erleichtert wie bereits beschrieben die Zündung und spart Material und Platz. Im Gegensatz zum bereits erläuterten Serienbetrieb wird nach der Zündung von R1 bis R4 auf den Parallelbetrieb umgeschaltet, so dass an den Stabpaaren R5 und R6 nur noch eine reduzierte Spannung (Betriebsspannung bei erhöhter Temperatur, ca. 1.000 V) zur Verfügung steht. Aus diesem Grund kann eigentlich nur ein Stab (R5 oder R6) gezündet werden. In diesem Fall kommt der bereits ausgeführte Taktbetrieb mit dem zusätzlich eingefügten Schalter S3 zum Einsatz. Die dargestellten Schalter S1 und S2 dienen während der Mittelspannungszündung zum Trennen der übergeordneten Spannungsversorgung (Parallelbetrieb) von den Stabpaaren, damit unzulässige Überspannungen durch eine unsymmetrische Zündung nicht die Spannungsversorgung beschädigen. Die bereits im Serienbetrieb ausgeführte Kurzschlusseinrichtung wurde nicht noch einmal dargestellt.
  • Die in der vorstehenden Beschreibung, in den Zeichnungen sowie in den Ansprüchen offenbarten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln als auch in beliebiger Kombination für die Verwirklichung der Erfindung wesentlich sein.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102009021403 A1 [0004]

Claims (5)

  1. Schaltungsanordnung zum Zünden von Siliziumdünnstäben dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Stabpaar mit einem Schalter kurzgeschlossen werden kann und mindestens ein Stabpaar nicht über einen parallel geschalteten Schalter kurzgeschlossen werden kann.
  2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass mehr als ein Stabpaar mit einem Schalter kurzgeschlossen werden kann.
  3. Schaltungsanordnung zum Zünden von Siliziumdünnstäben dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Stabpaar mit einem Transformator versehen ist und mindestens ein Stabpaar mit einem Schalter kurzgeschlossen werden kann.
  4. Verfahren zum Zünden von Siliziumdünnstäben dadurch gekennzeichnet, dass das mindestens eine einmal gezündetes Stabpaar auf eine höhere Temperatur aufgewärmt wird und in einem Taktbetrieb auf dieser höheren Temperatur gehalten wird während das nächste Stabpaar im Rahmen der Taktung gezündet wird.
  5. Verfahren zum Zünden von Siliziumdünnstäben nach Anspruch 3 dadurch gekennzeichnet, dass die Einstellungen (Thyristoransteuerwinkel) in den Ein-/Aus-Phasen der Taktung in der Steuereinheit gespeichert werden.
DE201110117462 2011-11-02 2011-11-02 Vorrichtung und Verfahren zum Zünden von Siliziumdünnstäben Expired - Fee Related DE102011117462B4 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201110117462 DE102011117462B4 (de) 2011-11-02 2011-11-02 Vorrichtung und Verfahren zum Zünden von Siliziumdünnstäben

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201110117462 DE102011117462B4 (de) 2011-11-02 2011-11-02 Vorrichtung und Verfahren zum Zünden von Siliziumdünnstäben

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102011117462A1 true DE102011117462A1 (de) 2013-05-02
DE102011117462B4 DE102011117462B4 (de) 2013-12-24

Family

ID=48084344

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE201110117462 Expired - Fee Related DE102011117462B4 (de) 2011-11-02 2011-11-02 Vorrichtung und Verfahren zum Zünden von Siliziumdünnstäben

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102011117462B4 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015021097A1 (en) * 2013-08-06 2015-02-12 Gtat Corporation Cold filament ignition system and method of silicon rods

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009021403A1 (de) 2008-05-21 2010-01-21 Aeg Power Solutions B.V. Vorrichtung zur Versorgung eines Reaktors mit elektrischer Leistung zum Erzeugen von Siliziumstäben aus Silizium-Dünnstäben nach dem Siemens-Verfahren
WO2010066479A1 (de) * 2008-12-09 2010-06-17 Centrotherm Sitec Gmbh Verfahren zur stromversorgung eines cvd-prozesses bei der siliziumabscheidung

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009021403A1 (de) 2008-05-21 2010-01-21 Aeg Power Solutions B.V. Vorrichtung zur Versorgung eines Reaktors mit elektrischer Leistung zum Erzeugen von Siliziumstäben aus Silizium-Dünnstäben nach dem Siemens-Verfahren
WO2010066479A1 (de) * 2008-12-09 2010-06-17 Centrotherm Sitec Gmbh Verfahren zur stromversorgung eines cvd-prozesses bei der siliziumabscheidung

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015021097A1 (en) * 2013-08-06 2015-02-12 Gtat Corporation Cold filament ignition system and method of silicon rods
CN105452165A (zh) * 2013-08-06 2016-03-30 Gtat公司 硅杆柱的冷丝点火系统及方法
US9771270B2 (en) 2013-08-06 2017-09-26 Gtat Corporation Cold filament ignition system and method of silicon rods
CN105452165B (zh) * 2013-08-06 2018-02-02 Gtat公司 硅杆柱的冷丝点火系统及方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE102011117462B4 (de) 2013-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112010001773T5 (de) Spann- und Kontaktierungsvorrichtung für Silizium-Dünnstäbe
WO2017076545A1 (de) Vorrichtung zum kühlen einer elektrischen steckverbindung
DE102013209957A1 (de) PTC-Heizvorrichtung
EP3138649B1 (de) Vorrichtung und verfahren zum kondensatorentladeschweissen
DE2925691A1 (de) Elektrische anordnung mit mindestens einer gas- und/oder dampfentladungslampe
DE2804605A1 (de) Verfahren und ofen fuer thermochemische behandlung von metallen
DE202009003325U1 (de) Vorrichtung zum Zünden und zur Inbetriebnahme von Siliziumstäben
DE102011117462B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Zünden von Siliziumdünnstäben
DE1292712B (de) Einrichtung zur direkten Umwandlung thermischer in elektrische Energie
DE102012111817A1 (de) Elektrischer Energiespeicher
DE102010020740A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Anlegen einer Spannung an eine Vielzahl von Siliziumstäben in einem CVD-Reaktor
WO2010066479A1 (de) Verfahren zur stromversorgung eines cvd-prozesses bei der siliziumabscheidung
DE102010038605A1 (de) Zündschaltung zum Zünden eines mit Wechselleistung gespeisten Plasmas
WO2018104081A1 (de) Wärmeübertragungsvorrichtung
DE102007032808A1 (de) Potenzialsteuerung bei Hochspannungsvorrichtungen
DE112011102448T5 (de) Vorrichtung zur thermodielektrischen Leistungserzeugung
DE102010032103B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Zünden von Siliziumstäben außerhalb eines CVD-Reaktors
EP2023043B1 (de) Zündvorrichtungsschaltung
EP2765698B1 (de) Anordnung zum Zünden von Dünnstäben aus elektrisch leitfähigem Material, insbesondere von Siliziumdünnstäben
WO2013064229A2 (de) Vorrichtung und verfahren zum anlegen einer spannung an eine vielzahl von siliziumstäben in einem cvd-reaktor
DE102014110432B4 (de) Verfahren zum Zünden eines Brennstoff-Luftgemisches, Zündsystem und Glühkerze
DE102010042050A1 (de) Verfahren zum Betreiben einer elektrischen Maschine
DE102011113484A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Zünden eines Siliziumkörpers in einem Abscheidereaktor
DE305792C (de)
DE102020214861A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Vermeidung einer Betauung innerhalb eines elektronischen Gerätes

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final

Effective date: 20140325

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee