DE102011088728B4 - Lebensdauerschätzverfahren für eine Halbleitervorrichtung - Google Patents

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103884927B (zh) * 2012-12-21 2016-05-25 中国科学院金属研究所 一种力电热多场耦合下微电子产品可靠性测试方法
CN108445371B (zh) * 2018-01-18 2021-02-19 国网浙江省电力公司舟山供电公司 绝缘栅双极型晶体管使用寿命预分拣方法
AT522383A1 (de) 2019-03-12 2020-10-15 Schneider Electric Power Drives Gmbh Verfahren zur bewertung der thermischen belastung eines umrichters
CN111060798B (zh) * 2019-12-18 2021-10-15 中国测试技术研究院流量研究所 一种mos管自动功率老化测试系统及测试方法
JP2022077373A (ja) * 2020-11-11 2022-05-23 富士電機株式会社 寿命診断装置、半導体装置、寿命診断方法、
CN118676460B (zh) * 2024-07-04 2025-02-11 深圳永泰数能科技有限公司 一种具有防爆裂和寿命预测的电池模组及控制方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69029530T2 (de) * 1989-04-10 1997-08-07 Hitachi Ltd Verfahren zur Bestimmung der Lebensdauer einer Verbindung

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4591246B2 (ja) 2005-07-14 2010-12-01 株式会社日立製作所 電力変換器

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69029530T2 (de) * 1989-04-10 1997-08-07 Hitachi Ltd Verfahren zur Bestimmung der Lebensdauer einer Verbindung

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