DE102008061445A1 - Halbleiter und Verfahren - Google Patents

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Gerhard Zojer
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Abstract

Es werden ein Halbleiter und ein Verfahren offenbart. Eine Ausführungsform enthält eine Detektoranordnung zum Detektieren der Position eines Verbindungselements. Eine Sondenspitze, die Detektoranordnung mit ersten Verbindungspads sind auf einer Substratoberfläche angeordnet. Eine erste Schaltung ist mit den ersten Verbindungspads verbunden.

Description

  • Allgemeiner Stand der Technik
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleitersubstrat, ein Verfahren zum Bestimmen der Position eines Verbindungselements und ein Verfahren zum Verbinden eines Verbindungselements mit einem Halbleitersubstrat.
  • Halbleiterchips enthalten Kontaktpads auf einer oder mehreren ihrer Oberflächen. Techniken zum Herstellen von integrierten Schaltungen beinhalten mehrere identische Chips auf einem großen Halbleiter-Wafer. Diese Chips werden auf der Wafer- oder individuellen Chipebene getestet, um zu bestimmen, welche in nachfolgenden Herstellungsschritten verwendet werden können.
  • Die Anlage zum Durchführen dieser Tests enthält ein Verbindungselement und eine Sondenspitze zum Herstellen eines Kontakts mit den Kontaktpads auf den individuellen Halbleiterchips. Wegen der geringen Größe der Chips, der Anzahl von Kontaktpads auf einem individuellen Chip und der geringen Größe der Kontaktpads ist es erforderlich, die Sondenspitzen präzise auf die Kontaktpads auf dem Chip auszurichten. Dazu wird es erforderlich sein, eine Sondenspitze zu einer gewünschten Position zu bewegen, wo ein Kontakt mit einem Kontaktpad auf dem Chip hergestellt werden soll, um die Position der Sondenspitze zu bestimmen und die Position der Sondenspitze zu korrigieren, wenn es sich herausstellt, dass die Istposition nicht der Sollposition entspricht.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die beiliegenden Zeichnungen sind aufgenommen, um ein eingehenderes Verständnis von Ausführungsformen zu vermitteln, und sind in diese Spezifikation aufgenommen und stellen einen Teil dieser dar. Die Zeichnungen veranschaulichen Ausfüh rungsformen und dienen zusammen mit der Beschreibung der Erläuterung von Prinzipien von Ausführungsformen. Andere Ausführungsformen und viele der damit einhergehenden Vorteile von Ausführungsformen lassen sich ohne weiteres verstehen, wenn sie durch Bezugnahme auf die folgende ausführliche Beschreibung verstanden werden. Die Elemente der Zeichnungen sind relativ zueinander nicht notwendigerweise maßstabsgetreu. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen entsprechende ähnliche Teile.
  • 1 veranschaulicht eine schematische Draufsicht einer Ausführungsform eines Halbleitersubstrats.
  • 2 veranschaulicht eine schematische Draufsicht auf erste Verbindungspads, um eine weitere Ausführungsform eines Halbleitersubstrats zu veranschaulichen.
  • 3 veranschaulicht eine schematische Draufsicht auf erste Verbindungspads und eine erste Schaltung, um eine weitere Ausführungsform eines Halbleitersubstrats zu veranschaulichen.
  • 4 veranschaulicht eine schematische Draufsicht auf erste Verbindungspads und eine erste Schaltung, um eine weitere Ausführungsform eines Halbleitersubstrats zu veranschaulichen.
  • 5 veranschaulicht ein Flussdiagramm einer Ausführungsform eines Verfahrens zum Bestimmen der Position eines Verbindungselements.
  • 6 veranschaulicht ein Flussdiagramm einer Ausführungsform eines Verfahrens zum Verbinden eines Verbindungselements mit einem Halbleitersubstrat.
  • Ausführliche Beschreibung
  • In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beiliegenden Zeichnungen Bezug genommen, die einen Teil hiervon bilden und in denen als Veranschaulichung spezifische Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung praktiziert werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa "Oberseite", "Unterseite", "Vorderseite", "Rückseite", "vorderer", "hinterer" usw. unter Bezugnahme auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Weil Komponenten von Ausführungsformen in einer Reihe verschiedener Orientierungen positioniert sein können, wird die Richtungsterminologie zu Zwecken der Darstellung verwendet und ist in keinerlei Weise beschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen genutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzbereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einem beschränkenden Sinne zu verstehen, und der Schutzbereich der vorliegenden Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert.
  • Es versteht sich, dass die Merkmale der verschiedenen hierin beschriebenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch etwas anderes angegeben ist.
  • Die Ausführungsformen eines Halbleitersubstrats, eines Verfahrens zum Bestimmen der Position eines Verbindungselements und eines Verfahrens zum Verbinden eines Verbindungselements mit einem Halbleitersubstrat können verschiedene Arten von Halbleiterchips oder Halbleitersubstraten verwenden, unter ihnen logische integrierte Schaltungen, analoge integrierte Schaltungen, integrierte Mischsignalschaltungen, Sensorschaltungen, MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems – mikroelektromechanische Systeme), integrierte Leistungsschaltungen, Chips mit integrierten passiven Elementen usw. Das Halblei tersubstrat kann auch ein Halbleiter-Wafer sein, der mehrere hergestellte Halbleiterchips enthält.
  • Die Halbleiterchips enthalten Kontaktelemente oder Kontaktpads auf einer oder mehreren ihrer äußeren Oberflächen, wobei die Kontaktelemente zum elektrischen Kontaktieren der Halbleiterchips dienen. Die Kontaktelemente oder Kontaktpads können aus einem beliebigen elektrisch leitenden Material hergestellt sein, zum Beispiel aus einem Metall wie Aluminium, Gold oder Kupfer, als Beispiel, oder einer Metalllegierung oder einem elektrisch leitenden organischen Material oder einem elektrisch leitenden Halbleitermaterial.
  • Das Halbleitersubstrat kann eine Detektoranordnung enthalten zum Detektieren der Position eines Verbindungselements. Bei dem Verbindungselement kann es sich um ein beliebiges Verbindungselement handeln, das auf einem Kontaktpad oder Kontaktelement des Halbleiterchips platziert werden kann, wobei der Kontaktbereich zwischen dem Verbindungselement und dem Kontaktpad einen Oberflächenbereich des Kontaktpads enthält oder beinhaltet. Das Verbindungselement kann beispielsweise eine Sondenspitze sein, wie aus einem herkömmlichen Halbleiter-Waferprüfgerät bekannt ist.
  • 1 veranschaulicht eine schematische Darstellung einer Ausführungsform eines Halbleitersubstrats in einer Draufsicht. Bei dem Halbleitersubstrat 10 kann es sich um jede Art von Halbleiterchip handeln. Das Halbleitersubstrat 10 kann eine beliebige Art von in der Figur nicht dargestellter Schaltungsanordnung enthalten. Außerdem enthält das Halbleitersubstrat 10 erste Verbindungspads 1, die auf der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats 10 angeordnet sind. Das Halbleitersubstrat 10 enthält weiterhin eine mit den ersten Kontaktpads 1 verbundene erste Schaltung 2.
  • Die ersten Verbindungspads 1 können in der Nähe einer der Ecken des Halbleitersubstrats 10 angeordnet sein. Bei der Aus führungsform wie in 1 dargestellt sind die ersten Verbindungspads 1 in der Nähe der oberen linken Ecke des Halbleitersubstrats 10 angeordnet. Beispielsweise kann der Abstand zwischen einer Mitte der ersten Verbindungspads 1 und der Ecke weniger als 5 mm betragen.
  • Die ersten Verbindungspads 1 und die erste Schaltung 2 können Teil einer Detektoranordnung zum Detektieren der Position eines Verbindungselements sein. Das Verbindungselement kann beispielsweise eine Sondenspitze sein. Das Verbindungselement kann beispielsweise an oder auf einer Positionierungsvorrichtung montiert sein, die das Verbindungselement zu einer Sollposition der Oberfläche des Halbleitersubstrats 10 bewegen kann. Die Sollposition kann durch ein Steuersignal angezeigt werden. Durch Einfluss einer mechanischen Drift könnte jedoch die Position des Verbindungselements von der Sollposition abweichen. Die ersten Verbindungspads 1 sind deshalb so angeordnet, dass sie die Abweichung des Verbindungselements detektieren. Die detektierte Abweichung wird dann verwendet, um die Positionierungsvorrichtung und/oder das Verbindungselement neu auszurichten. Der Halbleiterchip 10 kann außerdem zweite Verbindungspads 3 enthalten, die in der Nähe einer Ecke des Halbleiterchips 10 angeordnet sind, die gegenüber der Ecke liegt, in der Nähe derer die ersten Verbindungspads 1 angeordnet sind. Die zweiten Verbindungspads 3 können der gleichen Funktion wie die ersten Verbindungspads 1 dienen, nämlich zum Detektieren der Position eines Verbindungselements wie einer Sondenspitze und bei einer Ausführungsform zum Detektieren einer Abweichung der Istposition der Sondenspitze von einer Sollposition. Die zweiten Verbindungspads 3 können auf die gleiche Weise, wie bezüglich der ersten Verbindungspads 1 beschrieben wurde und wie weiter unten beschrieben wird, mit einer nicht dargestellten zweiten Schaltung verbunden sein.
  • Gemäß einer Ausführungsform sind mindestens zwei der ersten Verbindungspads voneinander durch einen Abstand getrennt, der kleiner ist als ein Kontaktbereich des Verbindungselements. Eine derartige Anordnung gestattet, dass das Verbindungselement die beiden Verbindungspads kurzschließen kann. Dies wird weiter unten erläutert. Beispielsweise können jeweils benachbarte Verbindungspads voneinander durch einen Abstand getrennt sein, der kleiner ist als ein Kontaktbereich des Verbindungselements. Der Abstand kann beispielsweise kleiner als 1 mm sein, bei einer Ausführungsform kleiner als 0,5 mm, bei einer Ausführungsform kleiner als 0,4, 0,3, 0,2 oder 0,1 mm.
  • Unter Bezugnahme auf 2 wird eine Darstellung der ersten Verbindungspads in einer vergrößerten Draufsicht dargestellt, um ihre Anordnung zueinander und ihre Funktion beim Detektieren der Position einer Sondenspitze darzustellen.
  • Die ersten Verbindungspads 1 enthalten ein Mittelpad 1A und vier Viertelpads 1B, 1C, 1D und 1E, die das Mittelpad 1A derart umgeben, dass jedes einzelne der Viertelpads 1B, 1C, 1D und 1E ein Viertel eines Umfangs um das Mittelpad 1A bedeckt. Die ersten Verbindungspads 1 enthalten weiterhin einen Umfangspad 1F, der die Anordnung aus dem Mittelpad 1A und den Viertelpads 1B, 1C, 1D und 1E auf zusammenhängende Weise umgibt.
  • Es sind auch Pfeile I, II und III dargestellt, um die drei verschiedenen Situationen darzustellen, die eintreten können, wenn die Position einer Sondenspitze bestimmt werden soll. Es kann angenommen werden, dass das Mittelpad 1A eine Referenzposition markiert und die Positionierungsvorrichtung, die die Sondenspitze hält, ein Steuersignal empfängt, das anzeigt, dass die Sondenspitze in Kontakt mit dem Mittelpad 1A gebracht werden soll. Der Pfeil I zeigt eine Situation, bei der die Sondenspitze präzise auf dem Mittelpad 1A positioniert ist, so dass keine Abweichung zwischen der Sollposition der Sondenspitze und der Position, die die Sondenspitze tatsächlich belegt, vorliegt. Der Pfeil II veranschaulicht jedoch eine Situation, bei der die von der Sondenspitze beanspruchte Position von der Mittelposition abweicht, weil der Kontaktbereich der Sondenspitze nun einen Teil des Mittelpads 1A und einen Teil des Viertelpads 1C bedeckt. Der Pfeil III zeigt eine Situation, bei der die von der Sondenspitze belegte Position von der Mittelposition derart abweicht, dass der Kontaktbereich der Sondenspitze mit der Halbleiteroberfläche einen Teil des Umfangspads 1F und einen Teil des Viertelpads 1E und des Viertelpads 1D bedeckt. Die ganze Detektoranordnung sollte in der Lage sein anzuzeigen, auf welche Weise die tatsächlich belegte Position der Sondenspitze von der Mittelposition abweicht, so dass adäquate Neuausrichtungsprozeduren ergriffen werden können.
  • Unter Bezugnahme auf 3 wird eine schematische Darstellung von ersten Verbindungspads und einer ersten Schaltung in einer schematischen Draufsicht dargestellt, um eine weitere Ausführungsform eines Halbleitersubstrats darzustellen. Die Darstellung von 3 veranschaulicht wieder erste Verbindungspads 1, die in einer Form angeordnet sind, die identisch ist mit der Anordnung wie in 2 dargestellt. 3 veranschaulicht außerdem eine mit den ersten Verbindungspads 1 verbundene erste Schaltung 2. Die ersten Verbindungspads 1 sind auf eine Weise mit der ersten Schaltung 2 verbunden, dass jedes der ersten Verbindungspads 1A–F unter Verwendung einer individuellen elektrischen Signalleitung mit der ersten Schaltung 2 verbunden ist. Die erste Schaltung 2 ist derart angeordnet, dass sie einen bestimmten Strom- oder Spannungswert ausgibt, der die Abweichungsweise der Sondenspitze anzeigt, wie in 2 dargestellt wurde. Die erste Schaltung 2 enthält einen gemeinsamen Knoten oder ein gemeinsames Pad 2.1 oder ist damit verbunden, dem der Stromwert oder Spannungswert zugeführt wird. Der gemeinsame Knoten 2.1 kann den Stromwert oder den Spannungswert an eine externe Evaluationsschaltung liefern, um für eine adäquate Neuausrichtung der Positionierungsvorrichtung und/oder der Sondenspitze zu sorgen. Die erste Schaltung 2 kann auch auf dem Halbleitersubstrat angeordnet sein. Sie kann beispielsweise in einer Me tallisierungsebene unter der Oberflächenmetallisierungsebene, in der die ersten Verbindungspads 1 angeordnet sind, angeordnet sein.
  • Unter Bezugnahme auf 4 wird eine schematische Darstellung der ersten Verbindungspads 1 und der ersten Schaltung 2 in einer Draufsicht dargestellt, um eine weitere Ausführungsform eines Halbleitersubstrats zu veranschaulichen. Die Anordnung der ersten Verbindungspads 1 ist die gleiche wie die in 2 und 3 dargestellte. Die erste Schaltung 2 ist in 4 ausführlicher dargestellt. Jedes einzelne der ersten Verbindungspads 1A1F ist über einen der Widerstände R1 bis R6 mit einem gemeinsamen Knoten oder gemeinsamen Pad 2.1 verbunden. Das Mittelpad 1A ist über den Widerstand R1 mit dem gemeinsamen Pad 2.1 verbunden, das Viertelpad 1B ist über den Widerstand R2 mit dem gemeinsamen Pad 2.1 verbunden, das Viertelpad 1C ist über den Widerstand R3 mit dem gemeinsamen Pad 2.1 verbunden, das Viertelpad 1D ist über den Widerstand R4 mit dem gemeinsamen Pad 2.1 verbunden, das Viertelpad 1E ist über den Widerstand R5 mit dem gemeinsamen Pad 2.1 verbunden und das Umfangspad 1F ist über den Widerstand R6 mit dem gemeinsamen Pad 2.1 verbunden.
  • Ein Verbindungselement wie eine Sondenspitze wird in Kontakt mit den ersten Verbindungspads 1 gebracht, wie in 2 dargestellt. Ein Strom wird durch die Sondenspitze und die ersten Verbindungspads 1 geschickt. In Abhängigkeit von der Abweichung der Position der Sondenspitze kommt die Sondenspitze in Kontakt mit einem der ersten Verbindungspads 1A–F, oder die Sondenspitze oder der untere Kontaktbereich der Sondenspitze wird so angeordnet sein, dass sie in Kontakt mit zwei oder sogar drei der ersten Verbindungspads 1A–F steht, so dass die jeweiligen zwei oder drei Verbindungspads durch die Sondenspitze kurzgeschlossen werden.
  • Die Werte der Widerstände R1 bis R6 sind derart gewählt, dass in jeder Situation eine Spannung an dem gemeinsamen Pad 2.1 gemessen werden kann, die für jede einzelne der möglichen Situationen individuell ist.
  • Die folgenden Kurzschlüsse sind denkbar und können eindeutig evaluiert werden:
    Kurzschluss zwischen Verbindungspads 1A und 1B
    Kurzschluss zwischen Verbindungspads 1A und 1C
    Kurzschluss zwischen Verbindungspads 1A und 1D
    Kurzschluss zwischen Verbindungspads 1A und 1E
    Kurzschluss zwischen Verbindungspads 1B und 1C
    Kurzschluss zwischen Verbindungspads 1C und 1D
    Kurzschluss zwischen Verbindungspads 1D und 1E
    Kurzschluss zwischen Verbindungspads 1E und 1B
    Kurzschluss zwischen Verbindungspads 1B, 1C und 1A
    Kurzschluss zwischen Verbindungspads 1C, 1D und 1A
    Kurzschluss zwischen Verbindungspads 1D, 1E und 1A
    Kurzschluss zwischen Verbindungspads 1E, 1B und 1A.
  • Jedes einzelne der Verbindungspads 1B bis 1E kann auch einen Kurzschluss mit dem Verbindungspad 1F herstellen.
  • Wenn detektiert wird, dass die Position der Sondenspitze derart ist, dass die Sondenspitze lediglich das Umfangsverbindungspad 1F kontaktiert, kann dafür gesorgt werden, dass eine vollständige Abschaltung eingeleitet wird, so dass in diesem Fall eine vollständige Neuanordnung der Positionierungsvorrichtung erforderlich sein wird. Dies kann auch vorgesehen werden, wenn das Umfangsverbindungspad 1F durch die Sondenspitze mit einem der Verbindungspads kurzgeschlossen wird.
  • Gemäß der Ausführungsform von 4 führt jede einzelne der denkbaren Konfigurationen bezüglich der Position der Sondenspitze dazu, dass ein spezifischer Spannungswert an dem gemeinsamen Knoten oder gemeinsamen Pad 2.1 erscheint. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist es auch möglich, dass in einer digitalen Implementierung der Schaltung jede einzelne der denkbaren elektrischen Konfigurationen zu einer spezifi schen Bitsequenz führt, die von der Schaltung 2 an das gemeinsame Pad 2.1 geliefert wird.
  • Unter Bezugnahme auf 5 wird ein Flussdiagramm einer Ausführungsform eines Verfahrens zum Bestimmen der Position eines Verbindungselements dargestellt. Das Verbindungselement ist mit einem Halbleitersubstrat verbunden, wobei das Halbleitersubstrat erste darauf angeordnete Verbindungspads (s1) enthält, ein Strom wird durch das Verbindungselement und eines oder mehrere der ersten Verbindungspads geschickt (s2), ein Stromwert oder ein Spannungswert wird in einer mit den ersten Verbindungspads verbundenen ersten Schaltung gemessen (s3) und die Position des Verbindungselements wird anhand des Messwerts bestimmt (s4).
  • Gemäß einer Ausführungsform der Ausführungsform von 5 kann ein Spannungswert an einem gemeinsamen Knoten oder gemeinsamen Pad gemessen werden, der oder das mit jedem einzelnen der ersten Verbindungspads verbunden ist.
  • Das obige Verfahren kann durch Verwendung eines Halbleitersubstrats wie in einer der Ausführungsformen von 1 bis 4 umrissen und der Anordnungen von Verbindungspads und Schaltungen wie darauf angeordnet und oben beschrieben durchgeführt werden.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist das Verbindungselement eine Sondenspitze.
  • Unter Bezugnahme auf 6 wird ein Flussdiagramm einer Ausführungsform eines Verfahrens zum Verbinden eines Verbindungselements mit einem Halbleitersubstrat dargestellt. Das Verbindungselement ist mit einem Halbleitersubstrat verbunden, wobei das Halbleitersubstrat erste darauf angeordnete Verbindungspads enthält (s1), ein Strom wird durch das Verbindungselement und eines oder mehrere der ersten Verbindungspads geschickt (s2), und ein Stromwert oder ein Span nungswert wird in einer an die ersten Verbindungspads angeschlossenen ersten Schaltung gemessen (s3).
  • Gemäß einer Ausführungsform wird ein Spannungswert an einem gemeinsamen Knoten oder einem gemeinsamen Pad, der oder das mit jedem einzelnen der ersten Verbindungspads verbunden ist, gemessen.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist das Verbindungselement eine Sondenspitze.
  • Gemäß einer Ausführungsform wird eine Position des Verbindungselements anhand des Messwerts bestimmt.
  • Die Ausführungsform nach 6 kann durch Verwendung einer der Ausführungsformen eines Halbleitersubstrats und der Anordnung von ersten Verbindungspads und einer ersten Schaltung, darauf angeordnet, durchgeführt werden.
  • Wenngleich hierin spezifische Ausführungsformen dargestellt und beschrieben worden sind, versteht der Durchschnittsfachmann, dass eine Vielzahl alternativer und/oder äquivalenter Implementierungen für die gezeigten und beschriebenen spezifischen Ausführungsformen substituiert werden können, ohne von dem Schutzbereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Die vorliegende Anmeldung soll alle Adaptationen oder Variationen der hierin erörterten spezifischen Ausführungsformen abdecken. Deshalb soll die vorliegende Erfindung nur durch die Ansprüche und die Äquivalente davon beschränkt werden.

Claims (23)

  1. Halbleitersubstrat, umfassend: eine Detektoranordnung zum Detektieren der Position eines Verbindungselements, wobei die Detektoranordnung folgendes umfasst: auf einer Substratoberfläche angeordnete erste Verbindungspads und eine mit den ersten Verbindungspads verbundene erste Schaltung.
  2. Halbleitersubstrat nach Anspruch 1, wobei das Verbindungselement eine Sondenspitze ist.
  3. Halbleitersubstrat nach Anspruch 1, wobei zwei der ersten Verbindungspads voneinander durch einen Abstand getrennt sind, der kleiner ist als ein Kontaktbereich des Verbindungselements.
  4. Halbleitersubstrat nach Anspruch 1, wobei die ersten Verbindungspads einen Mittelverbindungspad und einen oder mehrere weitere Verbindungspads, nahe dem Mittelpad angeordnet, symmetrisch bezüglich des Mittelpads, umfassen.
  5. Halbleitersubstrat nach Anspruch 1, wobei die erste Schaltung einen gemeinsamen Knoten und erste Widerstände umfasst, wobei jeder einzelne der ersten Widerstände zwischen eines der ersten Verbindungspads und dem gemeinsamen Knoten geschaltet ist.
  6. Halbleitersubstrat nach Anspruch 1, wobei die Detektoranordnung weiterhin folgendes umfasst: auf der Substratoberfläche angeordnete zweite Verbindungspads und eine mit den zweiten Verbindungspads verbundene zweite Schaltung.
  7. Halbleitersubstrat, umfassend: auf einer Substratoberfläche angeordnete erste Verbindungspads, wobei die ersten Verbindungspads einen Mittelverbindungspad und einen oder mehrere weitere Verbindungspads umfassen, nahe dem Mittelpad angeordnet, symmetrisch bezüglich des Mittelpads; und eine mit den ersten Verbindungspads verbundene erste Schaltung.
  8. Halbleitersubstrat nach Anspruch 7, wobei zwei der ersten Verbindungspads voneinander durch einen Abstand getrennt sind, der kleiner ist als ein Kontaktbereich einer Sondenspitze.
  9. Halbleitersubstrat nach Anspruch 7, wobei die erste Schaltung einen gemeinsamen Knoten und erste Widerstände umfasst, wobei jeder einzelne der ersten Widerstände zwischen eines der ersten Verbindungspads und dem gemeinsamen Knoten geschaltet ist.
  10. Halbleitersubstrat nach Anspruch 7, weiterhin umfassend: auf der Substratoberfläche angeordnete zweite Verbindungspads und eine mit den zweiten Verbindungspads verbundene zweite Schaltung.
  11. Halbleitersubstrat, umfassend: eine Detektoranordnung zum Detektieren der Position eines Verbindungselements, wobei die Detektoranordnung erste auf einer Substratoberfläche angeordnete Verbindungspads umfasst, wobei die ersten Verbindungspads ein Mittelverbindungspad und eines oder mehrere weitere Verbindungspads, nahe dem Mittelpad angeordnet, symmetrisch bezüglich des Mittelpads, umfassen.
  12. Halbleitersubstrat nach Anspruch 11, wobei zwei der ersten Verbindungspads voneinander durch einen Abstand getrennt sind, der kleiner ist als ein Kontaktbereich des Verbindungselements.
  13. Halbleitersubstrat nach Anspruch 11, weiterhin umfassend: eine mit den ersten Verbindungspads verbundene erste Schaltung.
  14. Halbleitersubstrat nach Anspruch 13, wobei die erste Schaltung einen gemeinsamen Knoten und erste Widerstände umfasst, wobei jeder einzelne der ersten Widerstände zwischen eines der ersten Verbindungspads und dem gemeinsamen Knoten geschaltet ist.
  15. Halbleitersubstrat nach Anspruch 11, weiterhin umfassend: auf der Substratoberfläche angeordnete zweite Verbindungspads und eine mit den zweiten Verbindungspads verbundene zweite Schaltung.
  16. Halbleitersubstrat nach Anspruch 11, wobei das Verbindungselement eine Sondenspitze ist.
  17. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements einschließlich Bestimmen der Position eines Verbindungselements, umfassend: Verbinden des Verbindungselements mit einem Halbleitersubstrat, darauf angeordnete erste Verbindungspads umfassend; Schicken eines Stroms durch das Verbindungselement und eines oder mehrere der ersten Verbindungspads; Messen eines Stromwerts oder eines Spannungswerts in einer mit den ersten Verbindungspads verbundenen ersten Schaltung und Bestimmen der Position des Verbindungselements anhand des Messwerts.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, umfassend das Messen eines Spannungswerts an einem mit jedem einzelnen der ersten Verbindungspads verbundenen gemeinsamen Knoten.
  19. Verfahren nach Anspruch 17, wobei das Verbindungselement eine Sondenspitze ist.
  20. Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung einschließlich Verbinden eines Verbindungselements mit einem Halbleitersubstrat, umfassend: Verbinden des Verbindungselements mit einem Halbleitersubstrat, darauf angeordnete erste Verbindungspads umfassend; Schicken eines Stroms durch das Verbindungselement und eines oder mehrere der ersten Verbindungspads; und Messen eines Stromwerts oder eines Spannungswerts in einer mit den ersten Verbindungspads verbundenen ersten Schaltung.
  21. Verfahren nach Anspruch 20, umfassend das Messen eines Spannungswerts an einem mit jedem einzelnen der ersten Verbindungspads verbundenen gemeinsamen Knoten.
  22. Verfahren nach Anspruch 20, wobei das Verbindungselement eine Sondenspitze ist.
  23. Verfahren nach Anspruch 20, umfassend das Bestimmen einer Position des Verbindungselements anhand des Messwerts.
DE102008061445A 2007-12-21 2008-12-10 Halbleiter und Verfahren Ceased DE102008061445A1 (de)

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