DE102004046800B4

DE102004046800B4 - Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs eines Halbleitermoduls

Info

Publication number: DE102004046800B4
Application number: DE102004046800.1A
Authority: DE
Inventors: Ralf Otremba; Josef Höglauer; Christian Musshoff; Jens Oetjen
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2004-09-27
Filing date: 2004-09-27
Publication date: 2016-07-21
Anticipated expiration: 2024-09-28
Also published as: DE102004046800A1; US7265564B2; US20060066336A1

Abstract

Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs (30) mit einer Mehrzahl Kontakte (31, 32) eines Halbleitermoduls (10) mit einer Schaltungsanordnung, – bei welchem das Halbleitermodul (10) aktiv durch elektrischen Heizstrom (I') geheizt wird, – bei welchem eine temperaturabhängige physikalische Größe des Halbleitermoduls (10) und deren zeitlicher Verlauf als Messgrößen (UR) gemessen und ausgewertet werden, – bei welchem die elektrische und thermische Qualität der Kontakte (31, 32) ermittelt wird aus der gemessenen temperaturabhängigen physikalischen Größe des Halbleitermoduls (10) und aus deren zeitlichem Verlauf, – bei welchem der Heizstrom (I') gebildet wird von einer Mehrzahl von Heizstrompulsen (I, I1, I2), – bei welchem durch die Beaufschlagung mit Heizstrompulsen (I, I1, I2) unterschiedliche Bereiche (Ph1, Ph2) im zeitlichen Verlauf der gemessenen temperaturabhängigen physikalischen Größe des Halbleitermoduls (10) erzeugt werden und – bei welchem die unterschiedlichen Bereiche (Ph1, Ph2) im zeitlichen Verlauf der gemessenen temperaturabhängigen physikalischen Größe des Halbleitermoduls (10) unterschiedlichen Kontakten (31, 32) zugeordnet und für die Ermittlung der elektrischen und thermischen Qualität der Kontakte (31, 32) entsprechend ausgewertet werden.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs eines Halbleitermoduls, insbesondere eines Leistungshalbleitermoduls. Genauer betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs eines Halbleitermoduls mit einer Rückwärtsdiode, wobei im Kontaktbereich eine Mehrzahl Kontakte ausgebildet ist. Es handelt sich dabei insbesondere um ein Verfahren zur Bewertung von zweiseitigen Chiplötungen mittels eines mehrfachen Delta-VSD-Tests.
Bei Halbleiterbauelementen, insbesondere also bei Halbleitermodulen und insbesondere bei Leistungshalbleitermodulen sind bei deren Herstellung innerhalb verschiedener Zwischenstadien des Herstellungsprozesses, auch in der Massenproduktion, so genannte elektrische und/oder thermische Serientests notwendig, um die Qualität der Kontaktierungen bestimmter Kontaktbereiche in elektrischer und/oder in thermischer Hinsicht beurteilen zu können. Es handelt sich dabei insbesondere darum, die Qualität von Lötungen auf einer Chiprückseite mittels eines so genannten Delta-VSD-Tests zu bewerten.
Problematisch bei derartigen Tests ist, dass moderne Leistungshalbleiterbauelemente und insbesondere Leistungshalbleitermodule eine Vielzahl Kontakte und Kontaktbereiche aufweisen, die auf Grund ihrer Struktur durchaus unterschiedliche thermische und/oder elektrische Eigenschaften besitzen. Bei herkömmlichen Tests wirken sämtliche Kontakte oder Kontaktarten integral zusammen und können auf Grund der Teststruktur hinsichtlich ihrer unterschiedlichen elektrischen und/oder thermischen Eigenschaften nicht voneinander getrennt betrachtet werden. Oft führt dies auch dazu, dass Eigenschaften in Bezug auf eine erste Kontaktart die Messergebnisse in Bezug auf die Eigenschaften einer zweiten und von der ersten Kontaktart verschiedenen Kontaktart überdecken.
Im Einzelnen ist aus der DE 198 24 064 A1 eine Schaltungsanordnung mit kennfeldorientierter Überlastbewertung bekannt. Bei dieser Schaltungsanordnung werden alle aktuell relevanten Betriebsbedingungen als Parameter erfasst, wobei aus derart permanent vorhandenen Werten eine selbst adaptierende Stromabschaltschwelle generiert wird. Diese ist unabhängig von einem überlagerten Regelsystem, so dass eine dynamische Echtzeitbewertung des Leistungsparameterkennfeldes der Schaltungsanordnung erfolgt und somit ausschließlich aktuell normierte Daten über die Auslastung und Belastbarkeit in Form einer kennfeldorientierten Überlastbewertung an ein überlagertes Regelsystem geliefert werden.
Weiterhin beschreibt die DE 197 26 534 A1 ein Leistungshalbleitermodul mit einer Mehrzahl von Submodulen, wobei auch Leistungskontakte vorgesehen sind. Eine Charakterisierung der Kontakte wird jedoch nicht vorgenommen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs anzugeben, bei welchem auf besonders einfache und doch zuverlässige Art und Weise die elektrischen und/oder thermischen Qualitäten unterschiedlicher Kontakte oder Kontaktarten des Kontaktbereichs voneinander wohl unterschieden ermittelt und dargestellt werden können.
Gelöst wird die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe bei einem Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs mit den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 1. Vorteilhafte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen eines Kontaktbereichs sind Gegenstand der abhängigen Unteransprüche.
Offenbart ist ein Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs eines Halbleitermoduls mit einer Schaltungsanordnung mit einer Mehrzahl von Kontakten. Dabei wird das Halbleitermodul aktiv durch elektrischen Heizstromfluss geheizt. Es werden die eine temperaturabhängige physikalische Größe der Schaltungsanordnung des Halbleitermoduls und/oder deren zeitlicher Verlauf als Messgrößen gemessen und/oder ausgewertet. Die elektrische und/oder die thermische Qualität der Kontakte werden aus der Messgröße des Halbleitermoduls und/oder aus deren zeitlichem Verlauf ermittelt. Der Heizstromfluss wird von einer Mehrzahl Heizstrompulse gebildet. Durch die Anwendung der Heizstrompulse werden unterschiedliche Phasen der Messgröße des Halbleitermoduls und/oder in deren zeitlichem Verlauf erzeugt. Diese unterschiedlichen Phasen in der Messgröße des Halbleitermoduls und/oder in deren zeitlichem Verlauf werden unterschiedlichen Kontakten zugeordnet und für die Ermittlung der elektrischen und/oder thermischen Qualität der Kontakte entsprechend ausgewertet.
Es ist somit eine Kernidee der vorliegenden Erfindung, einen Heizstromfluss aus einer Mehrzahl Heizstrompulse zusammenzusetzen, so dass sich unterschiedliche Phasen bzw. Bereiche im zeitlichen Verluuf in der gemessenen Messgröße der Schaltungsanordnung des Halbleitermoduls ergeben, die unterschiedlichen Kontakten zugeordnet werden können, um so der Ermittlung der elektrischen und/oder thermischen Qualität der unterschiedlichen Kontakte zu dienen.
Es können eine elektrische physikalische Größe und/oder deren zeitlicher Verlauf als Messgrößen gemessen und/oder ausgewertet werden.
Es können eine insbesondere eine Schwellenspannung, eine Durchbruchsspannung oder eine Flussspannung des Halbleitermoduls und/oder deren zeitliche Verläufe als Messgrößen gemessen und/oder ausgewertet werden.
Es ist ferner denkbar, dass genau eine oder aber eine Mehrzahl physikalischer Größen des Halbleitermoduls und/oder deren zeitliche Verläufe als Messgrößen zur Ermittlung der elektrischen und/oder thermischen Qualität der gemessen und/oder ausgewertet werden.
Insbesondere können die Flussspannung einer Rückwärtsdiode des Halbleitermoduls und/oder deren zeitlicher Verlauf als Messgrößen gemessen und/oder ausgewertet werden.
Bei einer Weiterbildung des Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass zeitlich getrennte und/oder zeitlich aufeinander folgende Heizstrompulse verwendet werden.
Bei einer anderen Weiterbildung des Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass zeitlich überlagerte oder überlagernde Heizstrompulse verwendet werden.
Es ist zum einen denkbar, dass eine Mehrzahl identischer Heizstrompulse verwendet wird.
Alternativ oder zusätzlich ist es denkbar, dass eine Mehrzahl aus zwei oder mehr unterschiedlichen Heizstrompulsen verwendet wird.
Bei einer besonders bevorzugten Weiterbildung des Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass eine Mehrzahl Heizstrompulse aus einem ersten Heizstrompuls und aus einem zweiten Heizstrompuls verwendet wird.
Dabei ist es vorgesehen, dass der zweite Heizstrompuls zeitlich direkt im Anschluss an den ersten Heizstrompuls angewandt wird.
Zusätzlich oder alternativ ist es vorgesehen, dass der erste Heizstrompuls eine geringere erste Pulsdauer aufweist als die zweite Pulsdauer des zweiten Heizstrompulses.
Ferner ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die erste Pulsdauer etwa 10% der zweiten Pulsdauer oder weniger beträgt.
Bei einer Weiterbildung des Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es vorgesehen, dass die erste Pulsdauer etwa 1,5 ms beträgt.
Bei einer anderen Weiterbildung des Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die zweite Pulsdauer etwa 23 ms beträgt.
Es kann vorgesehen sein, dass durch den ersten Heizstrompuls eine höhere erste elektrische und/oder thermische Leistung vermittelt wird als eine zweite elektrische und/oder thermische Leistung für den zweiten Heizstrompuls.
Bei einer anderen Weiterbildung des Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass der Wert für die erste elektrische und/oder thermische Leistung etwa das Vierfache des Werts der zweiten elektrischen und/oder thermischen Leistung beträgt.
Bei einer Weiterbildung des Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass der Wert für die erste elektrische und/oder thermische Leistung etwa 160 W beträgt.
Bei einer anderen vorteilhaften Weiterbildung des Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass der Wert für die zweite elektrische und/oder thermische Leistung etwa 40 W beträgt.
Bei einer vorteilhaften Fortbildung des Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass durch den oder mit dem ersten Heizstrompuls eine erste Phase der Flussspannung der Rückwärtsdiode erzeugt und/oder zugeordnet wird, insbesondere mit einem zeitlichen Verlauf etwa im zeitlichen Bereich der ersten Pulsdauer.
Bei einer weiteren Ausgestaltung des Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass durch den oder mit dem zweiten Heizstrompuls eine zweite Phase der Flussspannung der Rückwärtsdiode erzeugt und/oder zugeordnet wird, insbesondere mit einem zeitlichen Verlauf etwa im zeitlichen Bereich der zweiten Pulsdauer.
Bei einer Weiterentwicklung des Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass der erste Heizstrompuls und/oder die erste Phase der Flussspannung der Rückwärtsdiode einem ersten Kontakt und/oder einer ersten Kontaktart zugeordnet und/oder entsprechend ausgewertet werden.
Zusätzlich oder alternativ wird bevorzugt, dass der erste Kontakt und/oder die erste Kontaktart einen Kontakt beschreiben oder darstellen zwischen einem Chip und einem Kontaktbügel, insbesondere eines Leistungshalbleitermoduls.
Weiter wird zusätzlich oder alternativ bevorzugt, dass der zweite Heizstrompuls und/oder die zweite Phase der Flussspannung der Rückwärtsdiode einem zweiten Kontakt und/oder einer zweiten Kontaktart zugeordnet und/oder entsprechend ausgewertet werden.
Bei einer Weiterbildung des Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es vorgesehen, dass der zweite Kontakt und/oder die zweite Kontaktart einen Kontakt zwischen einem Chip und einem Leadframe oder einem Leiterrahmen, insbesondere eines Leistungshalbleitermoduls beschreiben oder darstellen.
Bei einer anderen alternativen Weiterbildung des Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es vorgesehen, dass die Mehrzahl Heizpulse gebildet wird durch ein mehrmaliges und zeitlich aufeinander folgendes Anwenden eines gegebenen Heizstrompulses mit einer gegebenen Pulsdauer und einer gegebenen zu vermittelnden elektrischen und/oder thermischen Leistung.
Dabei kann es vorgesehen sein, dass das mehrmalige und zeitlich aufeinander folgende Anwenden der Heizstrompulse jeweils unterbrochen wird durch eine Unterbrechungszeitspanne zwischen zwei zeitlich direkt aufeinander folgenden Heizstrompulsen.
Ferner kann es von Vorteil sein, dass die Unterbrechungszeitspanne zwischen zwei zeitlich direkt aufeinander folgenden Heizstrompulsen jeweils gleich ist.
Bei einer Weiterbildung des Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die Unterbrechungszeitspanne zwischen zwei zeitlich direkt aufeinander folgenden Heizstrompulsen jeweils geringer ist als die Pulsdauer der Heizstrompulse.
Bei einer anderen Weiterbildung des Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die Unterbrechungszeitspanne zwischen zwei zeitlich direkt aufeinander folgenden Heizstrompulsen etwa ein Drittel der Pulsdauer beträgt.
Ferner kann es zusätzlich oder alternativ vorgesehen sein, dass die Unterbrechungszeitspanne zwischen zwei zeitlich direkt aufeinander folgenden Heizstrompulsen etwa 0,5 ms beträgt.
Weiter kann es zusätzlich oder alternativ vorgesehen sein, dass die Pulsdauer der Heizstrompulse etwa 1,5 ms beträgt.
Bei einer Weiterbildung des Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die vermittelte elektrische und/oder thermische Leistung der Heizstrompulse etwa 100 W beträgt.
Ferner kann es zusätzlich oder alternativ bevorzugt sein, dass durch den Heizstrompuls jeweils eine erste Phase der Flussspannung der Rückwärtsdiode erzeugt und/oder dieser zugeordnet wird, insbesondere mit einem zeitlichen Verlauf im zeitlichen Bereich der Pulsdauer des Heizpulses.
Bei einer Weiterbildung des Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass durch die Gesamtheit der Mehrzahl der Heizpulse eine zweite Phase der Flussspannung der Rückwärtsdiode erzeugt und/oder dieser zugeordnet wird, insbesondere in Form einer Mittelnden oder Einhüllenden der entsprechenden Mehrzahl erster Phasen im Verlauf der Flussspannung der Rückwärtsdiode und/oder insbesondere mit einem zeitlichen Verlauf im zeitlichen Bereich, welcher in etwa der Gesamtheit der Mehrzahl der angewandten Heizstrompulse entspricht.
Bei einer anderen Weiterbildung des Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen kann es zusätzlich oder alternativ vorgesehen sein, dass der einzelne Heizstrompuls und/oder die erste Phase der Flussspannung der Rückwärtsdiode einem ersten Kontakt und/oder einer ersten Kontaktart zugeordnet und/oder entsprechend ausgewertet werden.
Bei einer anderen vorteilhaften Weiterbildung des Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass der erste Kontakt und/oder die zweite Kontaktart einen Kontakt beschreiben oder darstellen zwischen einem Chip und einem Kontaktbügel, insbesondere eines Leistungshalbleitermoduls.
Bei einer Weiterbildung des Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die Gesamtheit der Mehrzahl Heizstrompulse und/oder die zweite Phase der Flussspannung der Rückwärtsdiode einem zweiten Kontakt und/oder einer zweiten Kontaktart zugeordnet und/oder entsprechend ausgewertet werden.
Es ist vorteilhaft, dass zusätzlich oder alternativ der zweite Kontakt und/oder die zweite Kontaktart einen Kontakt beschreiben oder darstellen zwischen einem Chip und einem Leadframe oder einem Leiterrahmen, insbesondere eines Leistungshalbleitermoduls.
Diese und weitere Aspekte der vorliegenden Erfindung werden im Folgenden mit anderen Worten erläutert:
Die vorliegende Erfindung ermöglicht insbesondere die Bewertung von zweiseitigen Chiplötungen mittels eines mehrfachen Delta-VSD-Test.
Grundsätzlich ist im elektrischen Serientest von Leistungshalbleiterbauelementen die Bewertung der Lötung der Chiprückseite per „Delta-VSD-Test” üblich. Das Prinzip besteht darin, dass der Chip über einen Strompuls aktiv geheizt wird. Ist die Chiplötung schlecht, z. B. wegen eines Lunkers oder zu hoher Schichtstärke, so wird der Baustein heißer als ein gut gelöteter Chip. Der Temperaturanstieg wird über die Differenz zweier Messungen der Flussspannung oder der VSD der Rückwärtsdiode des Chips oder Bauelements, z. B. eines MOSFET-Transistors, ermittelt, daher nennt man das Grundprinzip auch Delta-VSD-Test.
Der Kontakt auf der Chipoberseite wird über Bonddrähte hergestellt. Mit der Entwicklung von neuen Packagingtechnologien, bei welchen auf der Oberseite ein großflächiger Bügel aufgelötet oder geklebt wird, ergibt sich die Möglichkeit oder Notwendigkeit, auch diese Verbindung im Rahmen der elektrischen Serienprüfung zu testen.
Der einfache Delta-VSD-Test lässt sich hier nicht direkt einsetzen, da die thermischen Zeitkonstanten für die beiden Übergänge – z. B. wegen des Abstands des ausgemessenen pn-Übergangs zur oberen und unteren Lötung – sehr unterschiedlich sind.
Es können auch mehr als zwei unterschiedliche Heizpulse Anwendung finden, so dass im Grunde jede Grenzfläche und jedes Volumen innerhalb des Bauelements damit parallel untersucht werden kann. Als Beispiele bieten sich hier neben den erwähnten Verbindungsschichten zwischen Chip und Clip bzw. zwischen Chip und Leadframe noch die Verbindungsschichten zwischen Bauelement und Platine oder aber auch eine Volumenbewertung bezüglich Inhomogenitäten oder Risse an.
Neben der Flussspannung der Rückwärtsdiode als Messgröße können auch andere Messgrößen genutzt werden, wenn diese ein charakteristisches Temperaturverhalten und eine entsprechende Temperaturabhängigkeit zeigen. Es sind z. B. eine Schwellspannung (Vth) oder eine Durchbruchspannung (Vbrdss) auswertbar. Diese Messgrößen nehmen innerhalb des Messbereiches für jede Temperatur ein anderen Wert an. Damit lässt sich über die Messung des entsprechenden Chipparameters oder der Messgröße die Temperatur des Chips ermitteln. Folglich lässt sich die Bauteilqualität abschätzen und kontrollieren, weil bei Störungen, wie z. B. Delaminationen oder Rissen, die Chiptemperatur während der Heizpulse stärker ansteigt und sich damit die intrinsischen Messgrößen ändern.
Nachfolgend werden diese und weitere Aspekte der vorliegenden Erfindung anhand einer schematischen Zeichnung auf der Grundlage bevorzugter Ausführungsformen näher erläutert.
1 zeigt in schematischer und geschnittener Seitenansicht ein Leistungshalbleitermodul, bei welchem das erfindungsgemäße Verfahren zum Testen von Kontaktbereichen angewandt werden kann.
2 ist die schematische Darstellung eines thermischen Schemas für das in 1 dargestellte Leistungshalbleitermodul.
3 zeigt in Form eines Graphen den zeitlichen Verlauf der übermittelten thermischen Leistung gemäß einer ersten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen eines Kontaktbereichs.
4A–D sind Graphen, die das Ergebnis für verschiedenen Kontaktqualitäten in Form von Graphen darstellen, und zwar bei Anwendung des in 3 illustrierten Heizstromflusses.
5 zeigt in Form eines Graphen den zeitlichen Verlauf der übermittelten thermischen Leistung gemäß einer anderen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen eines Kontaktbereichs.
6A–C sind Graphen, die das Ergebnis für verschiedenen Kontaktqualitäten darstellen, und zwar bei Anwendung des in 5 illustrierten Heizstromflusses.
Nachfolgend werden ähnliche Strukturen und Elemente mit denselben Bezugszeichen bezeichnet, ohne dass bei jedem Auftreten dieser Bezugszeichen eine detaillierte Beschreibung der jeweiligen Elemente wiederholt wird.
1 zeigt in geschnittener Seitenansicht die Struktur eines Leistungshalbleitermoduls 10, bei welchem das erfindungsgemäße Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs 30 eines Halbleitermoduls 10 beim Auftreten einer Mehrzahl von Kontakten 31 und 32 angewandt werden kann.
Das in 1 dargestellte Leistungshalbleitermodul 10 basiert maßgeblich auf einem so genannten Chip 20, der aus einem unteren Bereich 21 oder ersten Abschnitt 21 sowie einer elektronisch aktiven Struktur 22 im Oberflächenbereich 20a des Chip 20 aufgebaut ist. Der Chip 20 besitzt z. B. eine Stärke von z. B. etwa 200 μm, wobei die elektronisch aktive Struktur 22 eine Schichtdicke im Bereich von z. B. etwa 20 μm aufweisen kann.
Im Bereich der Unterseite 20b des Chips 20 ist eine zweite oder untere Verbindungsschicht 42 zum darunter liegenden Leiterrahmen oder Leadframe 60 als zweitem Kontaktelement 52 vorgesehen. Die Struktur aus Chipunterseite 20b, unterer Verbindungsschicht 42 und Chipträger 60 oder Leadframe 60 definiert den zweiten Kontakt 32 oder die zweite Kontaktart 32' des Kontaktbereichs 30 des Halbleitermoduls 10.
An der Oberseite 20a des Chips mit dem dort vorgesehenen Schaltungsbereich 22 schließt sich eine erste oder obere Verbindungsschicht 41 zu dem darüber vorgesehenen Kontaktbügel 70 als erstem Kontaktelement 51 an, so dass der Oberflächenbereich 20a, die obere Verbindungsschicht 42 sowie der Kontaktbügel 70 einen ersten Kontakt 31 oder eine erste Kontaktart 31' des Kontaktbereichs 30 des Halbleitermoduls 10 bilden.
Der Kontaktbügel 70 wird also auch als zweites Kontaktelement 52 bezeichnet, und der Chipträger 60 oder das Leadframe 60 werden also auch als zweites Kontaktelement 52 bezeichnet.
Über die Unterseite 20b und die Oberseite 20a des Chips 20 finden über die untere Verbindungsschicht 42 und die obere Verbindungsschicht 41 entsprechende Wärmeflüsse W1 bzw. W2 im Betrieb des Moduls 10 statt, über welche entsprechend die Flussspannung der vorgesehenen Rückwärtsdiode beeinflusst wird. Diese Wärmeflüsse W1, W2 sind in 1 durch Pfeile angedeutet.
Erfindungsgemäß wird insbesondere durch die Kombination eines ersten Delta-VSD-Tests mit einem zweiten Delta-VSD-Test eine Bewertung möglich in Bezug auf die Grenzfläche Chiprückseite 20b/Leadframe 60 und zusätzlich Chipvorderseite 20a/Kontaktbügel 70, so dass insbesondere bereits vorhandenes Messequipment im so genannten Backendprozess verwendet werden kann, um die neuen Verbindungstechnologien qualitätsmäßig zu erfassen.
Dabei ist für die Zuordnung der Signalphasen und die entsprechende Auswertung wichtig, dass z. B. die thermische Diffusionszeit für Silizium bei einem thermischen Pfad von etwa 200 μm an der Position Chip 20/Leadframe 60 etwa 4 ms beträgt, wogegen die thermische Diffusionszeit für Silizium bei einem thermischen Pfad von 20 μm im Bereich Chip 20/Sourcebügel 70 etwa 0,04 ms beträgt.
2 zeigt ein elektrisches und/oder thermisches Schema, welches schematisch die Gegebenheiten der Anordnung des Halbleitermoduls 10 aus 1 repräsentiert.
3 zeigt in Form eines Graphen den zeitlichen Verlauf der aufgebrachten thermischen Gesamtleistung P(t) als Funktion der Zeit t bei einer ersten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen eines Kontaktbereichs 30, bei welchem eine erste Ausgestaltung für den Heizstromfluss I' verwendet wird, wobei Letzterer gebildet wird von einem ersten Heizstrompuls I1 mit einer ersten Pulsdauer Δt1 = 1,5 ms und einer ersten elektrischen und/oder thermischen Leistung P1 = 160 W und einem zweiten Heizstrompuls I2 mit einer zweiten Pulsdauer Δt2 = 23 ms und einer zweiten elektrischen und/oder thermischen Leistung P2 = 40 W: I'(t) = I1(t) + I2(t).
Die 4A bis 4D zeigen die Reaktion, z. B. des in 1 dargestellten Leistungshalbleitermoduls 10, für verschiedene Qualitätsszenarien, wobei die Rückflussspannung oder Flussspannung einer Rückwärtsdiode der Schaltungsanordnung eines Halbleitermoduls 10 als Messgröße UR dargestellt ist.
In den 4A bis 4D sind jeweils die Verläufe der Rückflussspannung UR der Rückwärtsdiode des Halbleitermoduls 10 als Funktion der Zeit t dargestellt. Zu sehen ist jeweils eine erste Phase Ph1, welche dem ersten Heizstrompuls I1 entspricht und diesem zugeordnet ist, sowie eine zweite Phase Ph2, welche dem zweiten Heizstrompuls I2 entspricht und diesem zugeordnet ist. Die erste Phase Ph1 repräsentiert die thermische Qualität des ersten Kontakts 31, also den Kontakt 31 am Bügel 70. Die zweite Phase Ph2 repräsentiert die Qualität des zweiten Kontakts 32, also des Kontakts 32 am Leadframe 60. Die erste Phase Ph1 und die zweite Phase Ph2 entsprechen jeweils in etwa exponentiellen Sättigungsfunktionen, wie man dies für thermische Ausgleichsvorgänge erwartet.
Je höher jeweils die Maximalamplituden der ersten Phase Ph1 und der zweiten Phase Ph2 sind, desto niedriger ist die jeweilige Qualität der ersten und zweiten Kontakte 31 bzw. 32 zu bewerten, d. h., ein schlechter Kontakt 31, 32 führt zu einem erhöhten thermischen Budget, jeweils repräsentiert in der ersten Phase Ph1 bzw. in der zweiten Phase Ph2 für die Flussspannung UR der Rückwärtsdiode des Halbleiterschaltungsmoduls 10 in Form einer erhöhten Signalphasenamplitude.
4A zeigt eine Situation, bei welcher gute Lötverbindungen in Bezug auf den ersten Kontakt 31 am Bügel 70 und am zweiten Kontakt 32 am Leadframe 60 vorliegen. Die ersten und zweiten Phasen Ph1 und Ph2 der Flussspannung der Rückwärtsdiode des Halbleiterschaltungsmoduls 10 haben bei guten Lötverbindungen in Bezug auf den Bügel 70 und den Leadframe 60 bestimmte Maximalamplituden.
Die 4B zeigt eine Situation, bei welcher der thermische Übergangswiderstand Rth für die Lötung am Leadframe 60 verdoppelt ist, was einer Verschlechterung der thermischen Qualität des zweiten Kontakts 32 entspricht. Unbeeinflusst ist dabei die erste Phase Ph1 der Flussspannung UR der Rückwärtsdiode des Moduls 10, welche ja den ersten Kontakt 31 am Bügel 70 beschreibt. Dagegen ist im Vergleich zu der Situation aus 4A die Maximalamplitude der zweiten Phase Ph2 der Flussspannung UR der Rückwärtsdiode, durch welche die Qualität des zweiten Kontakts 32 am Leadframe 60 beschrieben wird, messbar erhöht. Zum Vergleich ist in 4B die Messkurve aus 4A gepunktet angedeutet.
Bei der Situation der 4C liegt dagegen eine Verschlechterung am ersten Kontakt 31 am Bügel 70 vor, nämlich durch Verdopplung des dort vorliegenden thermischen Übergangswiderstands Rth, wogegen die Verbindung am zweiten Kontakt 32 am Leadframe 60 eine hohe Qualität besitzt. Die Veränderung des thermischen Kontakts am ersten Kontakt 31 am Bügel 70 beeinflusst ausschließlich die erste Phase Ph1 der Flussspannung UR der Rückwärtsdiode des Moduls 10, und zwar ist die Amplitude dieser ersten Phase Ph1 erhöht, wogegen die zweite Phase Ph2 der Flussspannung UR der Rückwärtsdiode des Moduls 10 unbeeinflusst bleibt. Im Vergleich zu 1 ist die Amplitude der ersten Phase Ph1 der Flussspannung UR der Rückwärtsdiode des Moduls 10, durch welche die thermische Qualität des ersten Kontakts 31 am Bügel 70 beschrieben wird, messbar erhöht, entsprechend einer Qualitätseinbuße durch Verdopplung des thermischen Übergangswiderstands Rth im Bereich des Bügels 70. Zum Vergleich ist in 4C die Messkurve aus 4A gepunktet angedeutet.
Bei der 4D schließlich sind sowohl der erste Kontakt 31 am Bügel 70 und der zweite Kontakt 32 am Leadframe 60 des Moduls 10 jeweils durch eine Verdopplung des jeweils vorliegenden thermischen Übergangswiderstands Rth verschlechtert, so dass sich im Vergleich zur Situation der 4A eine deutliche Erhöhung der Maximalamplituden für die erste Phase Ph1 und für die zweite Phase Ph2 ergeben. Zum Vergleich ist in 4D die Messkurve aus 4A gepunktet angedeutet.
Es lässt sich also festhalten, dass sich durch Messung der Maximalamplituden der ersten Phase Ph1 und der zweiten Phase Ph2 der Flussspannung UR der Rückwärtsdiode des Moduls 10 die Qualität der ersten und zweiten Kontakte 31 bzw. 32 am Kontaktbügel 70 bzw. am Leadframe 60 ermitteln lässt.
5 zeigt in Form eines Graphen den zeitlichen Verlauf der vermittelten elektrischen und/oder thermischen Leistung P(t) für eine andere Variante des Heizstromflusses I', wobei die vermittelte elektrische und/oder thermische Leistung P(t) als Funktion der Zeit t dargestellt ist. Der zeitliche Verlauf der vermittelten elektrischen und/oder thermischen Leistung P(t) ergibt aus einem Heizstromfluss I' als Überlagerung oder Wiederholung eines elektrischen Heizstrompulses I mit einer Pulsdauer Δt = 1,5 ms und einer vermittelten elektrischen und/oder thermischen Leistung P = 100 W, wobei die Einzelheizstrompulse I zeitlich aufeinander folgend angewandt werden und wobei zwischen zeitlich direkt aufeinander folgenden Heizstrompulsen I eine Unterbrechungszeitspanne ΔT = 0,5 ms liegt, in welcher keine elektrische und/oder thermische Leistung aktiv vermittelt wird.
In Antwort auf die in 5 dargestellte Heizpulsfolge für den Heizstromfluss I' und dem damit vermittelten Verlauf für die aufgebrachte elektrische und/oder thermische Leistung P zeigt bei einer anderen bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen eines Kontaktbereichs eines Halbleitermoduls 10 dieses Halbleitermodul 10 in Abhängigkeit von den thermischen und/oder elektrischen Qualitäten der ersten und zweiten Kontakte 31 bzw. 32 unterschiedlicher Verhaltensweisen in Bezug auf die Flussspannung UR einer Rückwärtsdiode der Schaltungsanordnung eines Halbleitermoduls 10 als Messgröße UR, diese sind in den 6A bis 6C dargestellt.
In 6A sind in Form eines Graphen in ähnlicher Art und Weise wie bei der 4A die normalen Verhältnisse gezeigt, bei welchen die elektrische und/oder thermische Qualität des ersten Kontakts 31 und des zweiten Kontakts 32 des Kontaktbereichs 30 des Halbleitermoduls 10 normal oder gut ausgebildet sind.
Korrespondierend mit jedem der Einzelheizstrompulse I aus 5 entsteht dabei zugeordnet eine erste Phase Ph1 der Flussspannung UR der Rückwärtsdiode, und zwar wiederum etwa in Form einer exponentiellen Sättigungskurve, die qualitativ in wesentlichen Zügen dem Verlauf der ersten Phase Ph1 für die Flussspannung UR der Rückwärtsdiode des Halbleitermoduls 10 aus 4A entspricht. Die Repetition oder Wiederholung des einzelnen Heizstrompulses I im Verlauf des Heizstromflusses I' führt entsprechend zu einer Repetition oder Wiederholung der ersten Phase Ph1, wobei sich jedoch im Gesamtverlauf des Signals für die Flussspannung UR der Rückwärtsdiode im Mittel oder als Einhüllende ebenfalls eine exponentielle Sättigungsfunktion in Form einer zweiten Phase Ph2 für die Flussspannung UR der Rückwärtsdiode des Halbleitermoduls 10 ergibt.
Wie bei der vorangehenden Ausführungsform gemäß den 4A bis 4D beschreibt die erste Phase Ph1 das thermische und/oder elektrische Verhalten und somit die entsprechende thermische und/oder elektrische Qualität des ersten Kontakts 31 an der Oberseite 20a des Chips 20 zum entsprechenden Bügel 70 hin. Die zweite Phase Ph2 der Flussspannung UR der Rückwärtsdiode beschreibt dagegen wiederum die elektrische und/oder thermische Qualität des zweiten Kontakts 32 auf der Unterseite 20b des Chips 20 zum Leadframe 60 hin.
Im Gegensatz zu den in 6A gezeigten normalen Verhältnissen liegen bei der Ausführungsform der 6B im Bereich des zweiten Kontakts 32 zwischen Chip 20 und Leadframe 60 schlechtere Kontaktbedingungen im Sinne eines verdoppelten thermischen Übergangswiderstands Rth vor. Dies äußert sich darin, dass die zweite Phase Ph2 für die Flussspannung UR der Rückwärtsdiode des Halbleitermoduls 10 im Hinblick auf die maximale Amplitude verglichen mit 6A erhöht ist. Die Amplitude der ersten Phasen Ph1, die die elektrische und/oder thermische Qualität im Bereich des ersten Kontakts 31 zwischen Chip 20 und Kontaktbügel 70 beschreiben, sind im Wesentlichen unbeeinflusst. Zum Vergleich ist in 6B die Messkurve aus 6A gepunktet angedeutet.
Im Gegensatz dazu zeigt 6C Verhältnisse, bei welchen zwar die elektrische und/oder thermische Qualität des zweiten Kontakts 32 zwischen Chip 20 und Leadframe 60 normal sind, aber die elektrische und/oder thermische Qualität im Bereich des ersten Kontakts 31 zwischen Chip 20 und Kontaktbügel 70 durch Verdopplung des thermischen Übergangswiderstands Rth verschlechtert ausgebildet sind. Dies äußert sich darin, dass die Amplituden der ersten Phasen Ph1 der Flussspannung UR der Rückwärtsdiode des Halbleitermoduls 10 gegenüber den in den 6A und 6B gezeigten Verhältnissen gesteigert sind. Davon unbeeinflusst ist jedoch die Amplitude der zweiten Phase Ph2 der Flussspannung UR der Rückwärtsdiode des Halbleitermoduls 10, also die Einhüllende oder gemittelte Kurve des Verlaufs der Flussspannung UR der Rückwärtsdiode des Halbleitermoduls 10. Zum Vergleich ist in 6C die Messkurve aus 6A gepunktet angedeutet.
So können aus den in den 6A bis 6C gezeigten Verhältnissen aus den Amplituden der ersten Phase Ph1 und der zweiten Phase Ph2 die elektrischen und/oder thermischen Qualitäten im Bereich des ersten Kontakts 31 zwischen Chip 20 und Kontaktbügel 70 bzw. im Bereich des zweiten Kontakts 31 zwischen Chip 20 und Leadframe 60 ermittelt werden, wobei eine gesteigerte Amplitude jeweils zu einer verschlechterten thermischen und/oder elektrischen Qualität korrespondiert.
Bezugszeichenliste

10: Halbleitermodul, Leistungshalbleitermodul
20: Chip
20a: Oberflächenbereich, Oberseite
20b: Unterseite
21: erster Abschnitt des Chips 20
22: elektronisch aktive Struktur, Halbleiterschaltungsanordnung
30: Kontaktbereich
31: erster oder oberer Kontakt
31': Erste Kontaktart
32: zweiter oder unterer Kontakt
32': Zweite Kontaktart
41: erste oder obere Verbindungsschicht
42: zweite oder untere Verbindungsschicht
51: erstes oder oberes Kontaktelement, Kontaktbereich zwischen Chip 20 und Sourcebügel 70
52: zweites oder unteres Kontaktelement, Kontaktbereich zwischen Chip 20 und Leadframe 60
60: Chipträger, Leadframe, Leiterrahmen
70: Bügel, Kontaktbügel, Sourcebügel
80: Pressmasse
90: Rückwärtsdiode
I: Heizstrompuls
I': Heizstromfluss
I1: erster Heizstrompuls
I2: zweiter Heizstrompuls
Ph1: erste Phase
Ph2: zweite Phase
UR: Messgröße, Flussspannung
W1: Wärmefluss
W2: Wärmefluss
Δt: Pulsdauer, Pulszeitspanne
Δt1: Pulsdauer, Pulszeitspanne des ersten Heizstrompulses I1
Δt2: Pulsdauer, Pulszeitspanne des zweiten Heizstrompulses I2
ΔT: Unterbrechungszeitspanne

Claims

Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs (30) mit einer Mehrzahl Kontakte (31, 32) eines Halbleitermoduls (10) mit einer Schaltungsanordnung, – bei welchem das Halbleitermodul (10) aktiv durch elektrischen Heizstrom (I') geheizt wird, – bei welchem eine temperaturabhängige physikalische Größe des Halbleitermoduls (10) und deren zeitlicher Verlauf als Messgrößen (UR) gemessen und ausgewertet werden, – bei welchem die elektrische und thermische Qualität der Kontakte (31, 32) ermittelt wird aus der gemessenen temperaturabhängigen physikalischen Größe des Halbleitermoduls (10) und aus deren zeitlichem Verlauf, – bei welchem der Heizstrom (I') gebildet wird von einer Mehrzahl von Heizstrompulsen (I, I1, I2), – bei welchem durch die Beaufschlagung mit Heizstrompulsen (I, I1, I2) unterschiedliche Bereiche (Ph1, Ph2) im zeitlichen Verlauf der gemessenen temperaturabhängigen physikalischen Größe des Halbleitermoduls (10) erzeugt werden und – bei welchem die unterschiedlichen Bereiche (Ph1, Ph2) im zeitlichen Verlauf der gemessenen temperaturabhängigen physikalischen Größe des Halbleitermoduls (10) unterschiedlichen Kontakten (31, 32) zugeordnet und für die Ermittlung der elektrischen und thermischen Qualität der Kontakte (31, 32) entsprechend ausgewertet werden.
Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem die temperaturabhängige physikalische Größe eine elektrische physikalische Größe ist.
Verfahren nach Anspruch 2, bei welchem eine Schwellenspannung, eine Durchbruchsspannung oder eine Flussspannung des Halbleitermoduls (10) und deren zeitliche Verläufe als Messgrößen (UR) gemessen und ausgewertet werden.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei welchem eine Mehrzahl temperaturabhängiger physikalischer Größen des Halbleitermoduls (10) und deren zeitliche Verläufe als Messgrößen (UR) zur Ermittlung der elektrischen und thermischen Qualität der Kontakte (31, 32) gemessen und ausgewertet werden.
Verfahren nach Anspruch 3, bei welchem die Flussspannung einer Rückwärtsdiode (90) des Halbleitermoduls (10) und deren zeitlicher Verlauf als Messgrößen (UR) gemessen und ausgewertet werden.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei welchem zeitlich getrennte und zeitlich aufeinander folgende Heizstrompulse (I, I1, I2) verwendet werden.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei welchem zeitlich überlagerte Heizstrompulse (I, I1, I2) verwendet werden.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei welchem eine Mehrzahl identischer Heizstrompulse (I) verwendet wird.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei welchem eine Mehrzahl unterschiedlicher Heizstrompulse (I1, I2) verwendet wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei welchem die Mehrzahl von Heizstrompulsen (I1, I2) aus einem ersten Heizstrompuls (I1) und aus einem zweiten Heizstrompuls (I2) besteht.
Verfahren nach Anspruch 10, bei welchem der zweite Heizstrompuls (I2) zeitlich direkt im Anschluss an den ersten Heizstrompuls (I1) angewandt wird.
Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, bei welchem der erste Heizstrompuls (I1) eine geringere erste Pulsdauer (Δt1) aufweist als die zweite Pulsdauer (Δt2) des zweiten Heizstrompulses (I2).
Verfahren nach Anspruch 12, bei welchem die erste Pulsdauer (Δt1) etwa 10% der zweiten Pulsdauer (Δt2) oder weniger beträgt.
Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, bei welchem die erste Pulsdauer (Δt1) etwa 1,5 ms beträgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 14, bei welchem die zweite Pulsdauer (Δt2) etwa 23 ms beträgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 15, bei welchem durch den ersten Heizstrompuls (I1) eine höhere erste elektrische und thermische Leistung (P1) vermittelt wird als eine zweite elektrische und thermische Leistung (P2) für den zweiten Heizstrompuls (I2).
Verfahren nach Anspruch 16, bei welchem der Wert für die erste elektrische und thermische Leistung (P1) etwa das Vierfache des Werts der zweiten elektrischen und thermischen Leistung (P2) beträgt.
Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, bei welchem der Wert für die erste elektrische und thermische Leistung (P1) etwa 160 W beträgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 18, bei welchem der Wert für die zweite elektrische und thermische Leistung (P2) etwa 40 W beträgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 19, bei welchem mit dem ersten Heizstrompuls (I1) ein erster Bereich (Ph1) im zeitlichen Verlauf der gemessenen temperaturabhängigen physikalischen Größe erzeugt wird, wobei der zeitliche Verlauf etwa in der ersten Pulsdauer (Δt1) liegt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 20, bei welchem mit dem zweiten Heizstrompuls (I2) ein zweiter Bereich (Ph2) im zeitlichen Verlauf der gemessenen temperaturabhängigen physikalischen Größe erzeugt wird, wobei der zeitliche Verlauf etwa in der zweiten Pulsdauer (Δt2) liegt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 21, bei welchem ein erster Heizstrompuls (I1) und ein erster Bereich (Ph1) des zeitlichen Verlaufs der gemessenen temperaturabhängigen physikalischen Größe einem ersten Kontakt (31) oder einer ersten Kontaktart (31') zugeordnet und entsprechend ausgewertet werden.
Verfahren nach Anspruch 22, bei welchem der erste Kontakt (31) oder die erste Kontaktart (31') einen Kontakt beschreiben zwischen einem Chip (20) und einem Kontaktbügel (70), insbesondere eines Leistungshalbleitermoduls (10).
Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 23, bei welchem der zweite Heizstrompuls (I2) und der zweite Bereich (Ph2) im zeitlichen Verlauf der gemessenen temperaturabhängigen physikalischen Größe einem zweiten Kontakt (32) oder einer zweiten Kontaktart (32') zugeordnet und entsprechend ausgewertet werden.
Verfahren nach Anspruch 24, bei welchem der zweite Kontakt (32) oder die zweite Kontaktart (32') einen Kontakt beschreiben zwischen einem Chip (20) und einem Leadframe (60) eines Leistungshalbleitermoduls (10).
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei welchen die Mehrzahl von Heizstrompulsen (I) gebildet wird durch ein mehrmaliges und zeitlich aufeinander folgendes Beaufschlagen mit einem gegebenen Heizstrompuls (I) mit einer gegebenen Pulsdauer (Δt) und einer gegebenen zu vermittelnden elektrischen und thermischen Leistung (P).
Verfahren nach Anspruch 26, bei welchem das mehrmalige und zeitlich aufeinander folgende Beaufschlagen mit Heizstrompulsen (I) jeweils unterbrochen wird durch eine Unterbrechungszeitspanne (ΔT) zwischen zwei zeitlich direkt aufeinander folgenden Heizstrompulsen (I).
Verfahren nach Anspruch 27, bei welchem die Unterbrechungszeitspanne (ΔT) zwischen zwei zeitlich direkt aufeinander folgenden Heizstrompulsen (I) jeweils gleich ist.
Verfahren nach Anspruch 27 oder 28, bei welchem die Unterbrechungszeitspanne (ΔT) zwischen zwei zeitlich direkt aufeinander folgenden Heizstrompulsen (I) jeweils geringer ist als die Pulsdauer (Δt) der Heizstrompulse (I).
Verfahren nach Anspruch 27 bis 29, bei welchem die Unterbrechungszeitspanne (ΔT) zwischen zwei zeitlich direkt aufeinander folgenden Heizstrompulsen (I) etwa ein Drittel der Pulsdauer (Δt) beträgt.
Verfahren nach Anspruch 27 bis 30, bei welchem die Unterbrechungszeitspanne (ΔT) zwischen zwei zeitlich direkt aufeinander folgenden Heizstrompulsen (I) etwa 0,5 ms beträgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 31, bei welchem die Pulsdauer (Δt) der Heizstrompulse (I) etwa 1,5 ms beträgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 32, bei welchem die vermittelte elektrische und thermische Leistung (P) der Heizstrompulse (I) etwa 100 W beträgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 33, bei welchem durch den Heizstrompuls (I) jeweils ein erster Bereich (Ph1) im zeitlichen Verlauf der gemessenen temperaturabhängigen physikalischen Größe erzeugt wird, wobei der zeitliche Verlauf im zeitlichen Bereich der Pulsdauer (Δt) des Heizstrompulses (I) liegt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 34, bei welchem durch die Gesamtheit der Mehrzahl der Heizstrompulse (I) ein zweiter Bereich (Ph2) im zeitlichen Verlauf der gemessenen temperaturabhängigen physikalischen Größe erzeugt wird, in Form einer Einhüllenden einer entsprechenden Mehrzahl erster Bereiche (Ph1) im zeitlichen Verlauf der gemessenen temperaturabhängigen physikalischen Größe, wobei der zeitliche Verlauf in etwa der Gesamtheit der Mehrzahl der angewandten Heizstrompulse (I) entspricht.
Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 35, bei welchem der einzelne Heizstrompuls (I) und der erste Bereich (Ph1) im zeitlichen Verlauf der gemessenen temperaturabhängigen physikalischen Größe einem ersten Kontakt (31) oder einer ersten Kontaktart (31') zugeordnet und entsprechend ausgewertet wird.
Verfahren nach Anspruch 36, bei welchem der erste Kontakt (31) oder die erste Kontaktart (31') einen Kontakt beschreiben zwischen einem Chip (20) und einem Kontaktbügel (70), insbesondere eines Leistungshalbleitermoduls (10).
Verfahren nach Anspruch 37, bei welchem die Gesamtheit der Mehrzahl Heizstrompulse (I) und der zweite Bereich (Ph2) im zeitlichen Verlauf der gemessenen temperaturabhängigen physikalischen Größe einem zweiten Kontakt (32) oder einer zweiten Kontaktart (32') zugeordnet und entsprechend ausgewertet werden.
Verfahren nach Anspruch 38, bei welchem der zweite Kontakt (32) oder die zweite Kontaktart (32') einen Kontakt beschreiben oder darstellen zwischen einem Chip (20) und einem Leadframe (60) oder einem Leiterrahmen (60) eines Leistungshalbleitermoduls (10).