DE102009036418B4 - Wellenleiter, insbesondere beim Dielektrikum-Wand-Beschleuniger - Google Patents
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Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft Wellenleiter, insbesondere Wellenleiter zur Verwendung in einem Dielektrikum-Wand Beschleuniger, und ein Verfahren zu deren Herstellung. Gemäß der vorliegenden Erfindung werden planar kontaktierte elektronische Baugruppen (50) in einen Wellenleiter, insbesondere einen Wellenleiter einer Beschleunigerzelle (10) eines dielektrischen Wand-Beschleunigers integriert.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft Wellenleiter, insbesondere Wellenleiter zur Verwendung in einem Dielektrikum-Wand Beschleuniger, und ein Verfahren zu deren Herstellung.
- Neuartige Wellenleiter, insbesondere zur Verwendung in einem Dielektrikum-Wand-Beschleuniger, werden nicht mehr planar ausgeführt, sondern weisen komplex geformte und aus einer Ebene heraus geformte Oberflächen auf. Um für derartige Wellenleiter insbesondere ein Dielektrikum bereit zu stellen, sind neue Herstellungsverfahren und Materialien erforderlich. Insbesondere sollen elektronische Baugruppen, beispielsweise Halbbrückenschaltungen oder Multichip-Schaltungen in die Wellenleiterstrukturen, die Hohlleiter sind, integriert werden.
- Die
US 5,821,705 A offenbart den Aufbau des herkömmlichen Dielektrikum-Wand-Beschleunigers mit einem Hochspannungs-Zeitschalter mit schnellem Anstieg, wobei der Schalter ein Paar von Elektroden aufweist, zwischen denen abwechselnde Schichten von isolierten Leitern und Isolatoren laminiert wurden. Eine Hochspannung ist zwischen den Elektroden angelegt, die zur Belastung des Isolators mit der Zusammenbruch-Spannung auf Befehl ausreicht. Ein Lichtschalter, wie es beispielsweise ein Laser ist, ist entlang zumindest einer Line der Kantenfläche der laminierten abwechselnden Schichten aus isolierten Leitern und Isolatoren fokussiert, die sich zwischen den Elektroden erstrecken. Dem Laser wird zur Initialisierung eines Oberflächenzusammenbruchs durch einen Photonenstrom Energie zugeführt, in Folge dessen der elektrische Schalter sehr schnell schließt. Derartige Isolatoren und Laser sind in einem dielektrischen Wand-Linearbeschleuniger mit Blumlein-Modulen integriert. Ein Einphasen wird durch Feineinstellung der Länge der Faseroptikkabel gesteuert, die das Laserlicht zu der Isolatorfläche tragen. - Die
DE 35 34 980 A1 offenbart einen Hohlleiterschalter, wobei zur Steuerung der innerhalb eines Hohlleiters stattfindenden Fortleitung elektromagnetischer Wellen, ein in Form eines zwischen mindestens zwei vorgegebenen Phasenwerten steuerbares Phasendrehglied im Zuge des Signaltransportweges in den Hohlleiter derart eingefügt wird, dass das Phasendrehglied einen vorgegebenen, von der in das Phasendrehglied einlaufenden Welle transportierten Leistungsanteil erfasst und in Abhängigkeit seines Steuerzustandes diesen Leistungsanteil entsprechend phasengedreht wieder den Hohlleiter in der ursprünglichen Signalausbreitungsrichtung zuführt, so dass das auftretende Ausgangssignal sich aus sich interferierenden phasengedrehten und nicht phasengedrehten Wellenanteilen des Eingangssignals zusammensetzt. - Die
DE 103 08 928 B4 offenbart ein Verfahren zum Herstellen freitragender Kontaktierungsstrukturen eines ungehäusten Bauelements. Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelements mit einer Kontaktierstruktur offenbart, wobei das Bauelement eine elektrische Kontaktfläche aufweist, bei dem eine Schicht aus elektrisch isolierendem Material auf dem Bauelement und einem an dem oder bei dem Bauelement angeordneten Träger aufgebracht wird, eine Schicht aus elektrisch leitendem Material auf der Schicht aus elektrisch isolierendem Material und der elektrischen Kontaktfläche des Bauelements aufgebracht wird, bei dem die Schicht aus elektrisch isolierendem Material vom Träger abgelöst wird, und die elektrische Kontaktfläche des Bauelements zumindest teilweise beim Aufbringen der Schicht aus elektrisch isolierendem Material freibleibt und nach dem Aufbringen der Schicht aus elektrisch isolierenden Material freigelegt wird. - Die
DE 10 2004 019 431 A1 offenbart einen hybriden Leiterplattenaufbau der kompakten Aufbautechnik von elektronischen Bauelementen. Dabei weist eine Leiterplatte eine Schaltungsträgerplatte auf, die in einer Aussparung der Leiterplatte angeordnet ist. - Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung Wellenleiter, insbesondere zur Verwendung in einem Dielektrikum-Wand-Beschleuniger, derart bereit zu stellen, dass die Wellenleiter eine kompaktere Bauweise eines Systems bewirken, in dem sie verwendet werden, und damit zu einem räumlich kleineren System führen. Des Weiteren sollen die Wellenleiter im Vergleich zum Stand der Technik auf einfachere Weise hergestellt werden können.
- Es ist zudem Aufgabe bei Wellenleiterstrukturen, insbesondere bei komplexen, aus einer Ebene heraus geformten, metallischen Wellenleiterstrukturen, mit Dielektrika-Schichten eine Isolationsfestigkeit zu verbessern oder zu stabilisieren und isolationsmindernde Effekte auszuschließen. Es soll eine elektrische Isolation bis 100 kV/mm bei kleinen Dielektrizitäts-Konstanten bereitgestellt werden. Es soll eine Vielzahl von elektronischen Bauelementen in die Wellenleiterstrukturen integriert werden. Insbesondere soll eine Vielzahl von elektronischen Bauelementen zur Ansteuerung einer Beschleunigerzelle eines Dielektrikum-Wand-Beschleunigers (dielectric wall accelerator) in die Beschleunigerzelle integriert werden. Es soll eine kompakte, kostengünstige Aufbau- und Verbindungstechnik für elektronische Bauelemente bereitgestellt werden. Es sollen minimale parasitäre Effekte und eine wirksame Hochfrequenzanbindung von einer Vielzahl von elektronischen Bauelementen an die Wellenleiterstrukturen bereitgestellt werden.
- Die Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß dem Hauptanspruch eine Vorrichtung gemäß dem Nebenanspruch gelöst.
- Gemäß einem ersten Aspekt wird ein Verfahren zur Herstellung eines ein Dielektrikum oder ein Vakuum zwischen einer ersten und einer zweiten Leiterstruktur aufweisenden Wellenleiters mit einer Vielzahl von elektronischen Bauelementen bereit gestellt, bei denen mehrere zu kontaktierende obere und untere Kontaktflächen vorhanden sind. Das Verfahren weist folgende Schritte auf: Befestigen der elektronischen Bauelemente auf einem Substrat, Ankontaktieren unterer Kontaktflächen an darunter liegenden elektrischen Leitern auf dem Substrat und Erzeugen von von den Leitern durch das Substrat hindurch verlaufenden elektrischen Durchkontaktierungen; Auflaminieren einer Folie aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial auf Oberflächen des Substrats und der darauf angeordneten Bauelemente unter Vakuum, so dass die Folie die Oberflächen einschließlich jedes elektronischen Bauelements und jeder oberen Kontaktfläche eng anliegend bedeckt und auf diesen Oberflächen einschließlich jedes elektronischen Bauelements haftet; Freilegen jeder zu kontaktierenden oberen Kontaktfläche auf den Oberflächen der elektronischen Bauelemente durch Öffnen jeweiliger Fenster in der Folie; flächiges Kontaktieren jeder freigelegten oberen Kontaktfläche jeweils mit einer ersten Schicht aus elektrisch leitendem Material; Befestigen des die elektronischen Bauelemente aufweisenden Substrats auf der ersten Leiterstruktur und elektrisches Ankontaktieren oberer Kontaktflächen mittels der ersten Schicht aus elektrisch leitendem Material und den Durchkontaktierungen und unterer Kontaktflächen mittels den Durchkontaktierungen an die erste Leiterstruktur; Aufbringen einer zweiten Schicht aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial auf Oberflächen der Folie, der ersten Schicht aus elektrisch leitendem Material und der ersten Leiterstruktur, wobei in der zweiten Schicht Öffnungen erzeugt werden; Befestigen der zweiten Leiterstruktur auf der zweiten Schicht, wobei die zweite Schicht das Dielektrikum vollständig zwischen erster und zweiter Leiterstruktur ausbildet oder, wenn zwischen erster und zweiter Leiterstruktur ein Vakuum erzeugt ist, die zweite Schicht lediglich im Bereich der elektronischen Bauelemente zwischen erster und zweiter Leiterstruktur ausgebildet ist und wobei durch die Öffnungen in der zweiten Schicht die oberen und unteren Kontaktflächen mittels weiterer Durchkontaktierungen an die zweite Leiterstruktur elektrisch ankontaktiert werden.
- Gemäß einem zweiten Aspekt wird eine Vorrichtung mit einem ein Dielektrikum oder ein Vakuum zwischen einer ersten und einer zweiten Leiterstruktur aufweisenden Wellenleiter mit einer Vielzahl von elektronischen Bauelementen bereit gestellt, bei denen mehrere zu kontaktierende obere und untere Kontaktflächen vorhanden sind, wobei die elektronischen Bauelemente auf einem Substrat befestigt und untere Kontaktflächen an darunter liegenden elektrischen Leitern auf dem Substrat elektrisch ankontaktiert und von den Leitern, durch das Substrat hindurch, elektrische Durchkontaktierungen erzeugt sind; eine Folie aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial auf Oberflächen des Substrats und der darauf angeordneten Bauelemente unter Vakuum auflaminiert ist, so dass die Folie die Oberflächen einschließlich jedes elektronischen Bauelements und jeder oberen Kontaktfläche eng anliegend bedeckt und auf diesen Oberflächen einschließlich jedes elektronischen Bauelements haftet; jede zu kontaktierende obere Kontaktfläche auf den Oberflächen der elektronischen Bauelemente durch Öffnen jeweiliger Fenster in der Folie freigelegt wurde; jede freigelegte obere Kontaktfläche jeweils mit einer ersten Schicht aus elektrisch leitendem Material flächig kontaktiert wurde; das die elektronischen Bauelemente aufweisende Substrat auf der ersten Leiterstruktur befestigt und obere Kontaktflächen mittels der ersten Schicht aus elektrisch leitendem Material und den Durchkontaktierungen und untere Kontaktflächen mittels den Durchkontaktierungen an die erste Leiterstruktur elektrisch kontaktiert wurden; eine zweite Schicht aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial auf Oberflächen der Folie, der ersten Schicht aus elektrisch leitendem Material und der ersten Leiterstruktur aufgebracht wurde; die zweite Leiterstruktur auf der zweiten Schicht befestigt wurde, wobei die zweite Schicht das Dielektrikum vollständig zwischen erster und zweiter Leiterstruktur ausbildet oder, wenn zwischen erster und zweiter Leiterstruktur ein Vakuum erzeugt ist, die zweite Schicht lediglich im Bereich der elektronischen Bauelemente zwischen erster und zweiter Leiterstruktur ausgebildet ist und wobei die zweite Schicht Öffnungen aufweist, durch die obere und untere Kontaktflächen mittels weiteren Durchkontaktierungen an die zweite Leiterstruktur elektrisch kontaktiert sind.
- Es wird insbesondere ein Verfahren zur Herstellung mehrerer Baugruppen bereitgestellt, welche folgende wesentliche Schritte umfasst: Vakuum laminieren, Molden, Inkjet-Prozesse zum Verbinden bzw. Beschichten der Dielektrikum-Schicht mit den Wellenleiterstrukturen und die Integration der elektronischen Bauelemente, die hier planar kontaktierte Leistungsmodule sein können. Es wird eine hoch isolierende Abdeckung von zunächst offenen Stirnflächen von Wellenleiterstrukturen bereitgestellt. Des Weiteren wird eine kompakte, flache, leichte Bauweise ermöglicht, und zwar mit kurzen, exakten Leitungslängen und Leitungsbreiten. Es erfolgt eine Systemintegration von planar kontaktierten Baugruppen in einen Wellenleiter. Durch eine Integration von elektronischen Bauelementen in den Wellenleitern werden minimale Weglängen zum Wellenleiter bereitgestellt. Dies führt zu minimalen parasitären Effekten und zu einer wirksamen Hochfrequenz-Anbindung.
- Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen werden in Verbindung mit den Unteransprüchen beansprucht.
- Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung kann der Wellenleiter Bestandteil einer Beschleunigerzelle eines dielektrischen Wandbeschleunigers sein und die Leiterstrukturen können aus einer Ebene heraus geformte Flächen aufweisen. Zwischen einer oberen und einer mittleren Leiterstruktur und zwischen dieser und einer unteren Leiterstruktur kann jeweils das Dielektrikum oder das Vakuum angeordnet sein. Ein Wellenleiter der gemäß einem Verfahren nach dem Hauptanspruch hergestellt worden ist, kann damit in eine Beschleunigerzelle eines dielektrischen Wandbeschleunigers integriert werden. Es ist damit ein Stapel von Wellenleiter herstellbar. Es kann sich ein vielschichtiger Aufbau ergeben, wobei verschiedene Dielektrika- oder Vakuum-Schichten verwendet werden können.
- Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung können die untere und die obere Leiterstruktur geerdet sein.
- Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung kann die zweite Schicht aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial ein Polymerfilm sein. Besonders vorteilhaft ist das Dielektrikum, wenn es als Hochfrequenz-tauglicher, hoch isolierender, hochtemperaturtauglicher Polymerfilm bereit gestellt wurde.
- Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung kann die zweite Schicht aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial im Bereich neben den elektronischen Bauelementen aus einer Mehrzahl von Schichten aus elektrisch isolierendem Grundstoffmaterial erzeugt sein. Es können durch einen Schichtweisen Aufbau der zweiten Schicht eine geeignete Dicke erzeugt werden. Dies kann durch die Anwendung vielfacher Schichten erfolgen. Auf diese Weise werden Isolationsmindernde Effekte, beispielsweise durch Fehlstellen in Dielektrikum ausgeschlossen. Ein vielschichtiger Dielektrikum-Schichtaufbau bewirkt eine Redundanz bezüglich einer Isolationsfestigkeit.
- Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung kann die zweite Schicht aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial mittels eines Vakuumlaminieres aus einer Ebene herausgebogen erzeugt sein. Ein Vakuumlaminierprozess in einem Autoklaven mit geeigneten Dielektrika-Schichten ermöglicht eine geometrisch komplexe dreidimensionale Formung von Wellenleiterstrukturen. Besonders vorteilhaft werden Lufteinschlüsse zur Verbesserung und Stabilisierung der Isolationsfestigkeit vermieden. Ein Vakuumlaminierverfahren ist für eine komplexe Formgebung und damit für größere Formteile geeignet.
- Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung kann durch die Öffnungen durch die zweite Schicht aus elektrisch isolierendem Material hindurch und/oder durch eine Leiterstruktur hindurch, ausgehend von den elektronischen Bauelementen, mindestens eine elektrische Außenkontaktanbindung erzeugt sein. Auf diese Weise können elektronische Bauelemente Verbindungselemente zu den Wellenleiterstrukturen aufweisen. Die Wellenleiterstrukturen können durch eine direkte Außenanbindung sehr niederinduktiv mit den elektronischen Bauelementen verbunden werden.
- Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung kann eine Außenkontaktanbindung eine Kontaktierung zu einer Leiterstruktur sein.
- Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung kann eine Außenkontaktanbindung mittels eines Federkontaktes erzeugt sein.
- Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung kann eine Außenkontaktanbindung mittels Lasergeschweißter Kontakte erzeugt sein. Die Wellenleiterstrukturen können durch eine direkte Außenanbindung, insbesondere durch lasergeschweißte Kontakte, sehr niederinduktiv mit den elektronischen Bauelementen verbunden sein. Dies kann beispielsweise mittels eines Kupfer-Leadframes erfolgen. Es können Außenkontakte beispielsweise mittels lasergeschweißter Kupfer-Leadframes direkt auf die Wellenleiter bereitgestellt sein.
- Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung kann das die elektronischen Bauelemente aufweisende Substrat mit der den Bauelementen abgewandten Seite mittels einer Klebefolie auf der ersten Leiterstruktur befestigt sein.
- Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung können die elektronischen Bauelemente ein Leistungsmodul sein. Auf diese Weise können elektronische Baugruppen, beispielsweise Halbbrückenschaltungen oder Multichip-Schaltungen in den Wellenleiter integriert werden.
- Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung kann ein Material des Dielektrikums oder der zweiten Schicht aus elektrisch isolierendem Material mechanisch elastisch sein. Ein flexibles Material kann mechanische Spannungen aufnehmen, die beispielsweise durch eine thermische Ausdehnung des Wellenleiters, eine induktive Verformung oder elektrostatische Verformung verursacht sein können.
- Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung kann der Wellenleiter mit einer funktionalen Metallisierung beschichtet sein, und zwar zur Verbesserung elektrischer Eigenschaften. Dies ist ebenso mit einem Mehrlagenaufbau kombinierbar. Besonders vorteilhaft kann ein Material der Leiterstrukturen Stahl mit einer Kupfermetallisierung sein.
- Die vorliegende Erfindung wird anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den Figuren näher beschrieben. Es zeigen:
-
1 ein mehrstufiges System eines herkömmlichen dielektrischen Wandbeschleunigers; -
2 eine einzelne Beschleunigerzelle eines herkömmlichen dielektrischen Wandbeschleunigers; -
3 eine linke Hälfte einer herkömmlichen Beschleunigerzelle in einem Querschnitt mit herkömmlichen Anschlüssen eines Schalters an Leiterstrukturen; -
4 ein erstes Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung; -
5 ein zweites Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung; -
6 ein drittes Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung; -
7 ein weiteres herkömmliches Ausführungsbeispiel von Leiterstrukturen; -
8 ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Verfahrens. -
1 zeigt ein mehrstufiges System40 eines Linearbeschleunigers eines herkömmlichen dielektrischen Wandbeschleunigers zur Verwendung in einer Vakuumkammer. Es sind fünf Beschleunigerzellen10 dargestellt, die alle einen gemeinsamen Stapel teilen, der eine Dielektrikumhülse28 aufweist. Jede Beschleunigerzelle10 weist Leiterstrukturen14 ,16 und18 auf. Ein laminiertes Dielektrikum20 trennt die Leiterstrukturen14 und16 . Ein laminiertes Dielektrikum22 trennt die Leiterstrukturen14 und18 . Ein Schalter12 ist angeschlossen zum Ermöglichen, dass die mittlere Leiterstruktur14 durch eine Hochspannungsquelle geladen wird. Durch die Ansteuerung der einzelnen Beschleunigerzellen10 wird ein Teilchenstrahl e– in einem axialen Kanal beschleunigt. -
2 zeigt eine einzelne herkömmliche Beschleunigerzelle10 mit einem Paar von oberen und unteren Leiterstrukturen16 und18 und eine mittlere Leiterstruktur14 . Es ist ein laminiertes Dielektrikum20 zwischen den Leiterstrukturen14 und16 erzeugt. Des Weiteren ist ein laminiertes Dielektrikum22 zwischen den Leiterstrukturen14 und18 erzeugt. Bezugszeichen28 kennzeichnet eine Dielektrikumhülse. Innerhalb dieser Dielektrikumhülse28 ist ein Kanal bereitgestellt, in dem ein Teilchenstrahl e– beschleunigt wird. Die einzelne Beschleunigerzelle10 wird mittels eines Schalters12 angesteuert. -
3 zeigt eine linke Hälfte einer herkömmlichen Beschleunigerzelle10 in einem Querschnitt. Die Elemente entsprechen dabei den Elementen der vorangehenden Figuren.3 zeigt herkömmliche Anschlüsse eines Schalters12 an die Leiterstrukturen14 ,16 und18 . Dabei sind eine Schweißverbindung30 , eine Schraubverbindung32 und eine Lot-Verbindung34 dargestellt. Auf diese Weise ist ein Schalter12 mit den Leiterstrukturen14 ,16 und18 elektrisch kontaktiert. -
4 zeigt eine Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung. Dabei kann eine Anordnung gemäß4 eine Beschleunigerzelle10 eines Dielektrikum-Wand-Beschleunigers sein. Dabei zeigt die Vorrichtung gemäß4 ein Dielektrikum20 zwischen einer ersten und einer zweiten Leiterstruktur14 und16 . Dielektrikum20 und die Leiterstrukturn14 und16 erzeugen einen Wellenleiter. Anstelle des Dielektrikums20 kann ein Vakuum erzeugt sein. In den oberen Wellenleiter wird gemäß4 eine Vielzahl von elektronischen Bauelementen50 integriert. Auf den elektronischen Bauelementen50 sind mehrere zu kontaktierende obere und untere Kontaktflächen52 vorhanden. Die elektronischen Bauelemente50 können auf einem Substrat54 befestigt sein. Eine Folie56 aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial ist auf Oberflächen des Substrats54 und der darauf angeordneten Bauelemente50 unter Vakuum auflaminiert, so dass die Folie56 die Oberflächen einschließlich jedes elektronischen Bauelements50 und jeder oberen Kontaktfläche52 enganliegend bedeckt und auf diesen Oberflächen einschließlich jedes elektronischen Bauelements50 haftet. Jede zu kontaktierende obere Kontaktfläche52 auf den Oberflächen der elektronischen Bauelemente50 wurde durch Öffnen jeweiliger Fenster in der Folie56 freigelegt. Jede freigelegte obere Kontaktfläche52 wurde jeweils mit einer ersten Schicht58 aus elektrisch leitendem Material flächig kontaktiert. Das Substrat54 mit den darauf befestigten elektronischen Bauelementen50 wurde auf der den Bauelementen abgewandten Seite auf der ersten Leiterstruktur14 befestigt. Dabei wurden die auf dem Substrat54 befestigten elektronischen Bauelemente50 an dem Ende des Wellenleiters in den Wellenleiter derart integriert, dass ein Beschleunigungskanal entgegengesetzt angeordnet sein kann. Das heißt die elektronischen Bauelemente50 sind an dem radial äußeren Ende des Wellenleiters der Beschleunigerzelle10 in den Wellenleiter integriert worden. Auf diese Weise erfolgt eine hochisolierende Abdeckung von offenen Stirnflächen von Wellenleiterstrukturen. Es wurde eine zweite Schicht60 aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial auf Oberflächen der Folie56 , auf der ersten Schicht58 aus elektrisch leitendem Material und auf der ersten Leiterstruktur14 aufgebracht. Die zweite Leiterstruktur16 wurde auf der zweiten Schicht60 befestigt, wobei die zweite Schicht60 das Dielektrikum20 zwischen erster und zweiter Leiterstruktur14 und16 ausbildet. Gemäß einer Ausführungsform kann der Wellenleiter, der vorstehend beschrieben wurde, Bestandteil einer Beschleunigerzelle10 eines dielektrischen Wand-Beschleunigers sein, bei dem die Leiterstrukturen14 ,16 ,18 aus einer Ebene heraus gebogene Flächen aufweisen. Zwischen einer oberen und einer mittleren Leiterstruktur14 und16 und zwischen dieser und einer unteren Leiterstruktur14 und18 ist jeweils das Dielektrikum20 und22 oder ein Vakuum angeordnet. Zur Funktionsweise eines Dielektrikum-Wand-Beschleunigers wird auf dieUS 5,821,705 A verwiesen, deren Inhalt vollständig zur Offenbarung der vorliegenden Anmeldung gehört. -
5 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Wellenleiters und einer Beschleunigerzelle10 eines dielektrischen Wand-Beschleunigers. Dabei weisen die elektronischen Bauelemente auf der linken Seite der Beschleunigerzelle10 dieselben Merkmale wie gemäß4 auf. Der einzige Unterschied liegt darin, dass die elektronischen Bauelemente50 in einem unteren Wellenleiter integriert worden sind. Zusätzlich zur4 sind in5 ausgehend von den elektronischen Bauelementen50 elektrische Außenkontaktanbindungen62 erzeugt, die von den elektronischen Bauelementen50 durch die zweite Schicht60 aus elektrisch isoliertem Kunststoffmaterial und durch die Leiterstruktur18 hindurch verlaufen. Die elektrischen Außenkontaktanbindungen sind mit dem Bezugszeichen62 gekennzeichnet. Gemäß5 ist eine Außenkontaktanbindung62 zu der Leiterstruktur14 mittels eines Federkontaktes64 erzeugt. - Gemäß
6 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Vorrichtung dargestellt. Im Unterschied zu4 ist die zweite Schicht60 aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial in Bereichen neben den elektronischen Bauelementen50 aus einer Mehrzahl von Schichten60a ,60b ,60c aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial erzeugt. Auf diese Weise wird ein Zwischenraum zwischen der ersten Leiterstruktur14 und der zweiten Leiterstruktur16 vorteilhaft gefüllt. Es wird der Zwischenraum neben den Bauelementen50 durch zusätzliche Schichten60b und60c gefüllt. Zum Füllen eines Zwischenraums zwischen Bauelementen50 und zweiter Leiterstruktur16 ist lediglich die Schicht60a erforderlich. Der Abstand zwischen den Leiterstrukturen14 und16 ist damit einheitlich bereitgestellt. -
7 veranschaulicht eine kompakte Weise zum Ersetzen der festen Scheiben der Leiterstrukturen14 ,16 und18 , wobei eine oder mehrere Spiralleiter bereitgestellt werden, die zwischen Leiterringen an den inneren und äußeren Durchmesser angeschlossen sind. Bezugszeichen16 bezeichnet eine obere Leiterstruktur16 und Bezugszeichen20 bezeichnet ein Dielektrikum. Bezugszeichen28 bezeichnet eine Dielektrikumhülse.7 stellt eine Draufsicht auf eine Beschleunigerzelle10 dar. -
8 zeigt die Schritte eines erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung eines ein Dielektrikum20 oder ein Vakuum zwischen einer ersten und einer zweiten Leiterstruktur14 und16 aufweisenden Wellenleiters mit einer Vielzahl von elektronischen Bauelementen50 , auf denen je eine oder mehrere zu kontaktierende obere und untere Kontaktfläche52 vorhanden ist oder sind. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: Schritt S1: Befestigen der elektronischen Bauelemente50 auf einem Substrat54 , Ankontaktieren unterer Kontaktflächen52 an darunter liegenden elektrischen Leitern auf dem Substrat54 und Erzeugen von von den Leitern durch das Substrat54 hindurch verlaufenden elektrischen Durchkontaktierungen. Schritt S2: Auflaminieren einer Folie56 aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial auf Oberflächen des Substrats54 und der darauf angeordneten Bauelemente50 unter Vakuum, so dass die Folie56 die Oberflächen einschließlich jedes elektronischen Bauelements50 und jeder oberen Kontaktfläche52 eng anliegend bedeckt und auf diesen Oberflächen einschließlich jedes elektronischen Bauelements50 haftet. Schritt S3: Freilegen jeder zu kontaktierenden oberen Kontaktfläche52 auf den Oberflächen der elektronischen Bauelemente50 durch Öffnen jeweiliger Fenster in der Folie56 . Schritt S4: flächiges Kontaktieren jeder freigelegten oberen Kontaktfläche52 jeweils mit einer ersten Schicht58 aus elektrisch leitendem Material. Schritt S5: Befestigen des die elektronischen Bauelemente50 aufweisenden Substrats54 auf der ersten Leiterstruktur14 und elektrisches Ankontaktieren oberer Kontaktflächen52 mittels der ersten Schicht58 aus elektrisch leitendem Material und den Durchkontaktierungen und unterer Kontaktflächen52 mittels den Durchkontaktierungen an die erste Leiterstruktur14 . Schritt S6: Aufbringen einer zweiten Schicht60 aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial auf Oberflächen der Folie56 , auf der ersten Schicht58 aus elektrisch leitendem Material und auf der ersten Leiterstruktur14 , wobei in der zweiten Schicht60 Öffnungen erzeugt werden. Schritt S7: Befestigen der zweiten Leiterstruktur16 auf der zweiten Schicht60 , wobei die zweite Schicht60 das Dielektrikum20 vollständig zwischen erster und zweiter Leiterstruktur14 ,16 ausbildet oder, wenn zwischen erster und zweiter Leiterstruktur14 ,16 ein Vakuum erzeugt ist, die zweite Schicht60 als optionales Dielektrikum lediglich im Bereich der elektronischen Bauelemente50 zwischen erster und zweiter Leiterstruktur14 ,16 ausgebildet ist und wobei durch die Öffnungen in der zweiten Schicht60 die oberen und unteren Kontaktflächen52 mittels weiterer Durchkontaktierungen an die zweite Leiterstruktur16 elektrisch ankontaktiert werden. Dabei kann eine obere Kontaktfläche52 mittels der ersten Schicht58 aus elektrisch leitendem Material und der weiteren Durchkontaktierung an die zweite Leiterstruktur16 elektrisch angeschlossen werden. Eine untere Kontaktfläche52 kann mittels des elektrischen Leiters auf dem Substrat54 und der weiteren Durchkontaktierung durch die Folie56 aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial und durch die zweite Schicht60 aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial an die zweite Leiterstruktur16 elektrisch angeschlossen werden. Es ist selbstverständlich, dass jeder Kontaktfläche52 bei Bedarf eine eigene Durchkontaktierung zugeordnet sein kann.
Claims (28)
- Verfahren zur Herstellung eines ein Dielektrikum (
20 ) oder ein Vakuum zwischen einer ersten und einer zweiten Leiterstruktur (14 ,16 ) aufweisenden Wellenleiters mit einer Vielzahl von elektronischen Bauelementen (50 ), bei denen mehrere zu kontaktierende obere und untere Kontaktflächen (52 ) vorhanden sind; mit den Schritten: – Befestigen der elektronischen Bauelemente (50 ) auf einem Substrat (54 ), Ankontaktieren unterer Kontaktflächen (52 ) an darunter liegenden elektrischen Leitern auf dem Substrat (54 ) und Erzeugen von von den Leitern durch das Substrat (54 ) hindurch verlaufenden elektrischen ersten Durchkontaktierungen für untere Kontaktflächen und zweite Durchkontaktierungen für obere Kontaktflächen; – Auflaminieren einer Folie (56 ) aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial auf Oberflächen des Substrats (54 ) und der darauf angeordneten Bauelemente (50 ) unter Vakuum, so dass die Folie (56 ) die Oberflächen einschließlich jedes elektronischen Bauelements (50 ) und jeder oberen Kontaktfläche (52 ) und jeder zweiten Durchkontaktierung eng anliegend bedeckt und auf diesen Oberflächen einschließlich jedes elektronischen Bauelements (50 ) haftet; – Freilegen jeder zu kontaktierenden oberen Kontaktfläche (52 ) auf den Oberflächen der elektronischen Bauelemente (50 ) und jeder zweiten Durchkontaktierung durch Öffnen jeweiliger Fenster in der Folie (56 ); – flächiges Kontaktieren jeder freigelegten oberen Kontaktfläche (52 ) und jeder freigelegten zweiten Durchkontaktierung mit einer ersten Schicht (58 ) aus elektrisch leitendem Material; – Befestigen des die elektronischen Bauelemente (50 ) aufweisenden Substrats (54 ) auf der ersten Leiterstruktur (14 ) und elektrisches Ankontaktieren oberer Kontaktflächen (52 ) mittels der ersten Schicht (58 ) aus elektrisch leitendem Material und den zweiten Durchkontaktierungen und unterer Kontaktflächen (52 ) mittels den ersten Durchkontaktierungen an die erste Leiterstruktur (14 ); – Aufbringen einer zweiten Schicht (60 ) aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial auf Oberflächen der Folie (56 ), der ersten Schicht (58 ) aus elektrisch leitendem Material und der ersten Leiterstruktur (14 ), wobei in der zweiten Schicht (60 ) Öffnungen erzeugt werden; – Befestigen der zweiten Leiterstruktur (16 ) auf der zweiten Schicht (60 ), wobei die zweite Schicht (60 ) das Dielektrikum (20 ) vollständig zwischen erster und zweiter Leiterstruktur (14 ,16 ) ausbildet oder, wenn zwischen erster und zweiter Leiterstruktur (14 ,16 ) ein Vakuum erzeugt ist, die zweite Schicht (60 ) lediglich im Bereich der elektronischen Bauelemente (50 ) zwischen erster und zweiter Leiterstruktur (14 ,16 ) ausgebildet ist und wobei durch die Öffnungen in der zweiten Schicht (60 ) die oberen und unteren Kontaktflächen (52 ) mittels weiterer Durchkontaktierungen an die zweite Leiterstruktur (16 ) elektrisch ankontaktiert werden. - Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch Integrieren des Wellenleiters in eine Beschleunigerzelle (
10 ) eines dielektrischen Wandbeschleunigers, Erzeugen der Leiterstrukturen (14 ,16 ,18 ) als aus einer Ebene heraus gebogene Flächen, und zwischen einer oberen und einer mittleren Leiterstruktur (14 ,16 ) und zwischen dieser und einer unteren Leiterstruktur (14 ,18 ) erfolgendes Erzeugen jeweils des Dielektrikums (20 ,22 ) oder des Vakuums. - Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die untere und obere Leiterstruktur (
16 ,18 ) geerdet werden. - Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass als zweite Schicht (
60 ) aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial ein Polymerfilm verwendet wird. - Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Schicht (
60 ) aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial in Bereichen neben den elektronischen Bauelementen (50 ) aus einer Mehrzahl von Schichten (60a ,60b ,60c ) aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial erzeugt wird. - Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Schicht (
60 ) aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial mittels eines Vakuumlaminierens aus einer Ebene heraus gebogen erzeugt wird. - Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass durch die Öffnungen durch die zweite Schicht (
60 ) aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial und/oder durch eine Leiterstruktur (14 ,18 ) hindurch, ausgehend von den elektronischen Bauelementen (50 ), mindestens eine elektrische Außenkontaktanbindung (62 ) erzeugt wird. - Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass eine Außenkontaktanbindung (
62 ) eine Kontaktierung zu einer Leiterstruktur (14 ) ist. - Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass eine Außenkontaktanbindung (
62 ) mittels eines Federkontaktes (64 ) erzeugt wird. - Verfahren nach Anspruch 7, 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass eine Außenkontaktanbindung (
62 ) mittels lasergeschweißter Kontakte erzeugt wird. - Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das die elektronischen Bauelemente (
50 ) aufweisende Substrat (54 ) mittels einer Klebefolie auf der ersten Leiterstruktur (14 ) befestigt ist. - Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch mittels der elektronischen Bauelemente (
50 ) erfolgendes Erzeugen eines Leistungsmoduls. - Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Material des Dielektrikums (
20 ,22 ) und/oder der zweiten Schicht (60 ) mechanisch elastisch erzeugt wird. - Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterstrukturen (
14 ,16 ,18 ) aus Stahl mit einer Kupfermetallisierung erzeugt werden. - Vorrichtung mit einem ein Dielektrikum (
20 ) oder ein Vakuum zwischen einer ersten und einer zweiten Leiterstruktur (14 ,16 ) aufweisenden Wellenleiter mit einer Vielzahl von elektronischen Bauelementen (50 ), bei denen mehrere zu kontaktierende obere und untere Kontaktflächen (52 ) vorhanden sind; wobei – die elektronischen Bauelemente (50 ) auf einem Substrat (54 ) befestigt und untere Kontaktflächen (52 ) an darunter liegenden elektrischen Leitern auf dem Substrat (54 ) elektrisch ankontaktiert und von den Leitern, durch das Substrat (54 ) hindurch, erste elektrische Durchkontaktierungen für die unteren Kontaktflächen und zweite Durchkontakierungen für die oberen Kontaktflächen erzeugt sind; – eine Folie (56 ) aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial auf Oberflächen des Substrats (54 ) und der darauf angeordneten Bauelemente (50 ) unter Vakuum auflaminiert ist, so dass die Folie (56 ) die Oberflächen einschließlich jedes elektronischen Bauelements (50 ) und jeder oberen Kontaktfläche (52 ) und jeder zweiten Durchkontaktierung eng anliegend bedeckt und auf diesen Oberflächen einschließlich jedes elektronischen Bauelements (50 ) haftet; – jede zu kontaktierende obere Kontaktfläche (52 ) auf den Oberflächen der elektronischen Bauelemente (50 ) und jede zweite Durchkontaktierung durch Öffnen jeweiliger Fenster in der Folie (56 ) freigelegt wurde; – jede freigelegte obere Kontaktfläche (52 ) und jede zweite Durchkontaktierung mit einer ersten Schicht (58 ) aus elektrisch leitendem Material flächig kontaktiert wurde; – das die elektronischen Bauelemente (50 ) aufweisende Substrat (54 ) auf der ersten Leiterstruktur (14 ) befestigt und obere Kontaktflächen (52 ) mittels der ersten Schicht (58 ) aus elektrisch leitendem Material und den zweiten Durchkontaktierungen und untere Kontaktflächen (52 ) mittels den ersten Durchkontaktierungen an die erste Leiterstruktur (14 ) elektrisch kontaktiert wurden; – eine zweite Schicht (60 ) aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial auf Oberflächen der Folie (56 ), der ersten Schicht (58 ) aus elektrisch leitendem Material und der ersten Leiterstruktur (14 ) aufgebracht wurde; – die zweite Leiterstruktur (16 ) auf der zweiten Schicht (60 ) befestigt wurde, wobei die zweite Schicht (60 ) das Dielektrikum (20 ) vollständig zwischen erster und zweiter Leiterstruktur (14 ,16 ) ausbildet oder, wenn zwischen erster und zweiter Leiterstruktur (14 ,16 ) ein Vakuum erzeugt ist, die zweite Schicht (60 ) lediglich im Bereich der elektronischen Bauelemente (50 ) zwischen erster und zweiter Leiterstruktur (14 ,16 ) ausgebildet ist und wobei die zweite Schicht (60 ) Öffnungen aufweist, durch die obere und untere Kontaktflächen (52 ) mittels weiterer Durchkontaktierungen an die zweite Leiterstruktur (16 ) elektrisch kontaktiert sind. - Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass der Wellenleiter Bestandteil einer Beschleunigerzelle (
10 ) eines dielektrischen Wandbeschleunigers ist und die Leiterstrukturen (14 ,16 ,18 ) aus einer Ebene heraus gebogene Flächen aufweisen, wobei zwischen einer oberen und einer mittleren Leiterstruktur (14 ,16 ) und zwischen dieser und einer unteren Leiterstruktur (14 ,18 ) jeweils das Dielektrikum (20 ,22 ) oder das Vakuum erzeugt ist. - Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die untere und obere Leiterstruktur (
16 ,18 ) geerdet sind. - Vorrichtung nach Anspruch 15, 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Schicht (
60 ) aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial ein Polymerfilm ist. - Vorrichtung nach Anspruch 15, 16, 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Schicht (
60 ) aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial in Bereichen neben den elektronischen Bauelementen (50 ) aus einer Mehrzahl von Schichten (60a ,60b ,60c ) aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial ausgebildet ist. - Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche 15 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Schicht (
60 ) aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial mittels eines Vakuumlaminierens aus einer Ebene heraus gebogen erzeugt ist. - Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, 15 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass durch die Öffnungen durch die zweite Schicht (
60 ) aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial und/oder durch eine Leiterstruktur (14 ,18 ) hindurch, ausgehend von den elektronischen Bauelementen (50 ), mindestens eine elektrische Außenkontaktanbindung (62 ) ausgebildet ist. - Vorrichtung nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass eine Außenkontaktanbindung (
62 ) eine Kontaktierung zu einer Leiterstruktur (14 ) ist. - Vorrichtung nach Anspruch 21 oder 22, dadurch gekennzeichnet, dass eine Außenkontaktanbindung (
62 ) mittels eines Federkontaktes (64 ) ausgebildet ist. - Vorrichtung nach Anspruch 21, 22 oder 23, gekennzeichnet durch eine Außenkontaktanbindung (
62 ) mittels lasergeschweißter Kontakte. - Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche 15 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass das die elektronischen Bauelemente (
50 ) aufweisende Substrat (54 ) mittels einer Klebefolie auf der ersten Leiterstruktur (14 ) befestigt ist. - Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche 15 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass ein Leistungsmodul mittels der elektronischen Bauelemente (
50 ) ausgebildet ist. - Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche 15 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass ein Material des Dielektrikums (
20 ,60 ) und/oder der zweiten Schicht (60 ) mechanisch elastisch ist. - Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche 15 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterstrukturen (
14 ,16 ,18 ) aus Stahl mit einer Kupfermetallisierung bestehen.
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TWI587641B (zh) * | 2015-11-17 | 2017-06-11 | 財團法人金屬工業研究發展中心 | 射頻訊號傳輸結構 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3534980A1 (de) * | 1985-10-01 | 1987-04-02 | Licentia Gmbh | Hohlleiterschalter |
US5821705A (en) * | 1996-06-25 | 1998-10-13 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Dielectric-wall linear accelerator with a high voltage fast rise time switch that includes a pair of electrodes between which are laminated alternating layers of isolated conductors and insulators |
DE102004019431A1 (de) * | 2004-04-19 | 2005-11-10 | Siemens Ag | Hybrider Leiterplattenaufbau zur kompakten Aufbautechnik von elektrischen Bauelementen |
DE10308928B4 (de) * | 2003-02-28 | 2009-06-18 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen freitragender Kontaktierungsstrukturen eines ungehäusten Bauelements |
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JP3575478B2 (ja) * | 2002-07-03 | 2004-10-13 | ソニー株式会社 | モジュール基板装置の製造方法、高周波モジュール及びその製造方法 |
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US7173385B2 (en) * | 2004-01-15 | 2007-02-06 | The Regents Of The University Of California | Compact accelerator |
US7710051B2 (en) * | 2004-01-15 | 2010-05-04 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Compact accelerator for medical therapy |
EP1941552A2 (de) * | 2005-10-24 | 2008-07-09 | Lawrence Livermore National Security, LLC | Optisch initiierter siliciumcarbid-hochspannungsschalter |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3534980A1 (de) * | 1985-10-01 | 1987-04-02 | Licentia Gmbh | Hohlleiterschalter |
US5821705A (en) * | 1996-06-25 | 1998-10-13 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Dielectric-wall linear accelerator with a high voltage fast rise time switch that includes a pair of electrodes between which are laminated alternating layers of isolated conductors and insulators |
DE10308928B4 (de) * | 2003-02-28 | 2009-06-18 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen freitragender Kontaktierungsstrukturen eines ungehäusten Bauelements |
DE102004019431A1 (de) * | 2004-04-19 | 2005-11-10 | Siemens Ag | Hybrider Leiterplattenaufbau zur kompakten Aufbautechnik von elektrischen Bauelementen |
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