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Die
Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung, die ein Substrat, eine
Metallisierungsschicht und eine Imidschicht umfasst, wobei die Imidschicht konfiguriert
ist, um eine Haftung zwischen einer Metallisierungsschicht und einer
Formverbindung zu verbessern, wobei die Formverbindung zum Hausen der
Vorrichtung verwendet wird.
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Vorrichtungen,
die ein Substrat, eine Metallisierungsschicht und eine Imidschicht
umfassen, werden in der Halbleitertechnik z. B. für Leistungshalbleiter
verwendet. Aufgrund unterschiedlicher Wärmedehnungskoeffizienten sind
Wafer, die eine Imidschicht umfassen, empfindlich für Waferbiegeeffekte.
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Es
ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung und
ein Verfahren mit verbesserten Charakteristika zu schaffen.
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Diese
Aufgabe wird durch eine Vorrichtung gemäß Anspruch 1, 12 und 18 und
ein Verfahren gemäß Anspruch
20 gelöst.
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Ein
Ausführungsbeispiel
liefert eine Vorrichtung, die ein Substrat, eine Metallisierungsschicht
auf einer Hauptoberfläche
des Substrats, eine Imidschicht auf der Metallisierungsschicht,
zumindest eine Kontaktöffnung
durch die Imidschicht und eine Mehrzahl von Nichtkontaktöffnungen
in der Imidschicht umfasst. Die Nichtkontaktöffnungen sind dimensioniert,
um einen vergrößerten Oberflächenbereich
der Imidschicht oder einen Oberflächenbereich der Imidschicht
bereitzustellen, der nicht um mehr als 10 Prozent reduziert ist.
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Die
beiliegenden Zeichnungen sind umfasst, um ein weiteres Verständnis der
Ausführungsbeispiele
zu geben und sind in diese Beschreibung eingebettet und bilden einen
Teil derselben. Die Zeichnungen stellen Ausführungsbeispiele dar und dienen zusammen
mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien der Ausführungsbeispiele
zu erklären.
Andere Ausführungsbeispiele
und viele der bestimmungsgemäßen Vorteile
der Ausführungsbeispiele
sind ohne weiteres erkennbar, da sie durch Bezugnahme auf die nachfolgende,
detaillierte Beschreibung besser verständlich werden. Die Elemente
der Zeichnungen sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu relativ zueinander.
Gleiche Bezugszeichen bezeichnen entsprechende ähnliche Teile.
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Bevorzugte
Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf
die beiliegenden Zeichnungen näher
erläutert.
Es zeigen:
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1a eine
schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels einer Oberflächenansicht
einer Vorrichtung;
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1b eine
schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels einer Schneideebene
AB einer Vorrichtung gemäß 1a;
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1c eine
schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels einer Oberflächenansicht
einer Vorrichtung;
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1d eine
schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels einer Schneideebene
CD einer Vorrichtung gemäß 1c;
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2 eine
schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels eines regelmäßigen Lochrasters;
und
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3 ein
Flussdiagramm eines Ausführungsbeispiels
eines Verfahrens zum Herstellen einer Vorrichtung.
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In
der nachfolgenden, detaillierten Beschreibung wird Bezug auf die
beiliegenden Zeichnungen genommen, die einen Teil derselben bilden,
und in denen auf darstellende Weise spezifische Ausführungsbeispiele
gezeigt sind, in denen die Erfindung praktiziert werden kann. Diesbezüglich wird
eine Richtungsterminologie verwendet, wie z. B. „oben”, „unten”, „vorne”, „hinten”, „Vorder”-, „Hinter”- etc., Bezug nehmend auf
die Ausrichtung der Figur(en), die beschrieben werden. Da Komponenten
von Ausführungsbeispielen
in einer Anzahl von unterschiedlichen Ausrichtungen positioniert
sein können,
wird die Richtungsterminologie zu Zwecken der Darstellung verwendet
und ist auf keine Weise einschränkend.
Es wird darauf hingewiesen, dass andere Ausführungsbeispiele eingesetzt
werden können
und strukturelle oder logische Änderungen
ausgeführt
werden können,
ohne von dem Schutzbereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
Die nachfolgende, detaillierte Beschreibung soll daher nicht in
einem einschränkenden
Sinn genommen werden, und der Schutzbereich der vorliegenden Erfindung
ist durch die beiliegenden Ansprüche
definiert.
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Es
wird darauf hingewiesen, dass die Merkmale der verschiedenen, beispielhaften
Ausführungsbeispiele,
die hierin beschrieben sind, miteinander kombiniert werden können, außer dies
ist spezifisch anderweitig angegeben.
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Bezug
nehmend auf die beiliegenden 1a bis 3 werden
hierin nachfolgend Ausführungsbeispiele
einer Vorrichtung beschrieben, die ein Substrat, eine Metallisierungsschicht
und eine Imidschicht umfasst, und ein Verfahren zum Herstellen der
Vorrichtung bzw. des Bauelements.
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1a stellt
eine schematische Darstellung einer Oberflächenansicht einer Vorrichtung
dar. Die Oberflächenansicht
auf die Vorrichtung 100 stellt einen rechteckigen Oberflächenbereich
dar, der die Oberfläche
der Vorrichtung 100 darstellt, wobei der Oberflächenbereich
unterschiedliche Strukturen umfasst. Die Vorrichtung 100 umfasst
ein Substrat unter dem Oberflächenbereich,
dargestellt in 1a (nicht sichtbar in 1a),
und umfasst ferner eine Metallisierungsschicht 102 auf
einer Hauptoberfläche
des Substrats, die sichtbar ist, wenn man durch die Kontaktöffnungen 104a, 104b, 104c blickt
und durch eine Mehrzahl von Nichtkontaktöffnungen 105 an der Oberfläche der
Vorrichtung 100 blickt. Die Vorrichtung 100 umfasst
eine Imidschicht 103 auf der Metallisierungsschicht. Die
Imidschicht umfasst die Mehrzahl von Nichtkontaktöffnungen 105 in
derselben, so dass die Metallisierungsschicht 102 sichtbar
ist durch Blicken durch die Nichtkontaktöffnungen bzw. Löcher 105.
Die Kontaktöffnungen 104a, 104b, 104c sind nicht
mit der Imidschicht 103 abgedeckt. Die Kontaktöffnungen 104a, 104b, 104c können zum
in Kontakt bringen der Vorrichtung verwendet werden, z. B. durch
Bonddrähte,
mit den Kontaktöffnungen 104a, 104b, 104c.
Eine erste Kontaktöffnung 104a kann
z. B. eine Source-Elektrode sein, eine zweite Kontaktöffnung 104b kann
z. B. eine Gate-Elektrode sein und dritte Kontaktöffnungen 104c können z.
B. andere Elektroden sein, die zu Testzwecken verwendet werden.
Die Vorrichtung 100 kann eine Halbleitervorrichtung sein,
z. B. ein Leistungshalbleiter. Die Nichtkontaktöffnungen 105 sind
konfiguriert, um Öffnungen
in der Imidschicht 103 zu bilden, ohne die Metallisierungsschicht 102 zu
kontaktieren, durch eine elektrische Verbindung mit einem externen
Anschluss durch die Nichtkontaktöffnungen 105.
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Die
Oberflächenansicht
stellt ferner eine Isolationsregion 106 auf einem Bereich
um die zweite Kontaktöffnung 104b dar,
um die zweite Kontaktöffnung 104b von
der ersten Kontaktöffnung 104a und von
den dritten Kontaktöffnungen 104c zu
isolieren. Bei diesem Ausführungsbeispiel
weist die Isolationsregion 106 eine Rahmenstruktur um die
zweite Kontaktöffnung 104b und
eine trichterartige Struktur hin zu der ersten Kontaktöffnung 104a auf.
Diese Struktur kann z. B. für
Super-Anschluss-Vorrichtungsentwürfe
verwendet werden. Die Isolationsregion 106 kann jedoch
auch eine andere Art von Form aufweisen, z. B. einen reinen Rahmen
um die zweite Kontaktöffnung 104b ohne
eine trichterartige Struktur. Es ist ebenfalls möglich, eine Mehrzahl von isolierten Elektroden
bzw. Kontaktöffnungen
zu bilden, durch Verwenden einer Mehrzahl von nicht verbundenen Isolationsregionen 106 oder
durch Verwenden einer Isolationsregion 106 mit nicht verbundenen
Teilregionen. Die Metallisierungsschicht 102 kann ferner durch
eine Isolationsregion 106 an Grenzen der Vorrichtung 100 umgeben
sein. Auch unterschiedliche Strukturen von Kontaktöffnungen 104a, 104c und Nichtkontaktöffnungen 105 mit
oder ohne Isolationsregionen 106 können gebildet werden.
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Es
ist aus dem Ausführungsbeispiel
gemäß 1a ersichtlich, dass die Nichtkontaktöffnungen 105 in
allen Abschnitten der Imidschicht 103 verteilt sind, die
auf der Metallisierungsschicht angeordnet sind. Zum Bereitstellen
eines verbesserten Isolationsverhaltens sind Löcher möglicherweise nicht in Abschnitten
der Imidschicht auf der Isolationsregion verteilt. Bei anderen Ausführungsbeispielen
jedoch können
die Nichtkontaktöffnungen 105 auch
in Abschnitten der Imidschicht auf der Isolationsregion verteilt
sein.
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Die
Nichtkontaktöffnungen 105 bzw.
Löcher weisen
eine runde Form auf, können
jedoch auch unterschiedlich gebildet sein, z. B. auf rechteckige
oder hexagonale Weise. Es ist aus 1a ersichtlich, dass
die Nichtkontaktöffnungen 105 ein
regelmäßiges Lochraster
bilden, wobei die Löcher 105 auf
hexagonale oder dreieckige Weise angeordnet sind, so dass jedes
Loch dieselbe Distanz zu seinen Nachbarlöchern aufweist. Die Nichtkontaktöffnungen 105 erstrecken
sich durch die Imidschicht 103 zu der Metallisierungsschicht 102,
so dass die Metallisierungsschicht 102 in der Perspektive
von 1a sichtbar ist.
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Die
Nichtkontaktöffnungen 105 in
der Imidschicht 103 sind konfiguriert, um zu ermöglichen, dass
eine Formverbindung in die Nichtkontaktöffnungen 105 fließt. Durch
diesen Fließprozess
kann die Formverbindung an der Imidschicht 103 unter Verwendung
eines größeren Haftungsbereichs
kleben. Der Kontaktbereich zwischen der Imidschicht 103 und
der Formverbindung wird vergrößert, was
zu einem besseren Delaminierungsverhalten führt. Die Tiefe der Imidschicht 103 muss
relativ zu dem Öffnungsbereich
der Löcher 105 entworfen
sein, um den Oberflächenbereich
der Imidschicht hin zu der Formverbindung zu vergrößern. Um
dieses Entwurfsziel zu erreichen, kann die Imidschicht 103 eine
Dicke im Bereich von 1 μm
bis 40 μm
aufweisen, wohingegen laterale Abmessungen der Löcher 105 im Bereich von
1 μm bis
50 μm sein
können.
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Bei
einem Ausführungsbeispiel,
das ein Raster aus Nichtkontaktöffnungen 105 bzw.
Löchern
in der Imidschicht 103 umfasst, wird eine Volumenreduktion
der Imidschicht 103 durch die Löcher 105 verursacht.
Ein reduziertes Volumen der Imidschicht reduziert Waferbiegeeffekte
und reduziert andere negative Effekte aufgrund der Imidschicht.
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Die
Kontaktöffnungen 104a, 104b, 104c und die
Mehrzahl der Nichtkontaktöffnungen 105 können z.
B. durch einen photolithographischen Prozess gebildet werden oder
durch eine andere Art von Ätzprozess.
Die Kontaktöffnungen 104a, 104b, 104c und die
Mehrzahl von Nichtkontaktöffnungen 105 können z.
B. in demselben Halbleiterverarbeitungsprozess gebildet werden.
Ein Ätzprozess
kann z. B. zu unterschiedlichen Tiefen der Mehrzahl von Nichtkontaktöffnungen 105 führen. Ein
größenempfindlicher Ätzprozess
kann z. B. zum Bilden der Nichtkontaktöffnungen 105 angewendet
werden.
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Andere
Ausführungsbeispiele
können
eine zusätzliche
Haftschicht zwischen der Metallisierungsschicht und der Imidschicht 103 umfassen,
wobei die Nichtkontaktöffnungen 105 sich
durch die Imidschicht 103 und die Haftschicht zu der Metallisierungsschicht 102 erstrecken
können.
Die Haftschicht ist angepasst, um eine Haftung zwischen der Metallisierungsschicht
und der Imidschicht zu verbessern. Die Haftschicht kann aus einem
dielektrischen Material bestehen, z. B. Siliziumnitrid oder Siliziumoxid, während die
Imidschicht aus einer Polyimid-Chemiegruppe besteht, z. B. P1, PBMI,
PBI, PBO, PAI, PEI, PISO oder PMI, die robust gegen Temperatur- und/oder
Feuchteabweichungen sind.
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Andere
Ausführungsbeispiele
umfassen eine Mehrzahl von Haftschichten, wobei sich die Nichtkontaktöffnungen 105 über die
Imidschicht 103 und die Mehrzahl von Haftschichten zu der
Metallisierungsschicht erstrecken können, oder wobei sich die Nichtkontaktöffnungen
zu einer der Haftschichten oder zu der Imidschicht erstrecken können. Die Nichtkontaktöffnungen
können
sich ebenfalls zu einer inneren Region der Imidschicht oder zu einer
inneren Region von einer der Haftschichten erstrecken, ohne sich
zu der Metallisierungsschicht zu erstrecken.
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Eine
schematische Darstellung der Vorrichtung 100 gemäß 1a in
einer Querschnittsansicht kann in 1b dargestellt
sein durch Schneiden der Vorrichtung 100 hin zu der Schneideebene
AB.
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Die
Vorrichtung 100 umfasst ein Substrat 101, eine
Metallisierungsschicht 102 auf der Hauptoberfläche des
Substrats 101 und eine Imidschicht 103 auf der
Metallisierungsschicht 102. Die Kontaktöffnung 104a, 104c sind
aus dieser Querschnittsansicht der Vorrichtung 100 sichtbar.
Die erste Kontaktöffnung 104a öffnet die
Imidschicht 103 in der Mitte der Vorrichtung 100,
wobei die dritten Kontaktöffnungen 104c die
Imidschicht 103 auf der linken und rechten Seite der Vorrichtung 100 öffnen, während ein kleiner
Rand mit der Imidschicht 103 gefüllt gelassen wird, was der
Schneideebene AB entspricht, die in 1a dargestellt
ist. 1b stellt ferner die Nichtkontaktöffnungen 105 mit
einem Schnitt durch die Schneideebene AB dar. Eine Formverbindung
kann in die Nichtkontaktöffnungen 105 fließen, um
die Vorrichtung 100 abzudecken und zu schützen. Die
Kontaktöffnungen 104a, 104c können durch
Drähte
mit oder ohne Anwenden von Lötmittelmaterial
zum Verbinden der Kontaktöffnungen 104a, 104c außerhalb der
Vorrichtung 100 gebondet werden.
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Die
Haftschicht von anderen Ausführungsbeispielen
kann zwischen der Metallisierungsschicht 102 und der Imidschicht 103 aufgebracht
sein. Die Haftschicht kann dieselbe Struktur aufweisen wie die Imidschicht,
mit Kontaktöffnungen 104a, 104b, 104c und
Löchern 105 in
denselben Regionen der Hauptoberfläche des Substrats.
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1c stellt
eine schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels einer Oberflächenansicht
einer Vorrichtung dar. Die Oberflächenansicht auf die Vorrichtung 110 stellt
einen rechteckigen Oberflächenbereich
dar, der die Oberfläche
der Vorrichtung 110 darstellt, wobei der Oberflächenbereich unterschiedliche
Strukturen umfasst. Die Vorrichtung 110 ist ähnlich zu
der Vorrichtung 100 gemäß 1a und
umfasst ein Substrat unter dem Oberflächenbereich, der in 1c dargestellt
ist (nicht sichtbar in 1c), und eine Metallisierungsschicht
auf einer Hauptoberfläche
des Substrats, die sichtbar ist durch Blicken durch die Kontaktöffnung 104a und
durch Blicken durch die Mehrzahl von Nichtkontaktöffnungen 105 bzw.
Löcher
an der Oberfläche
der Vorrichtung 110. Die Vorrichtung 110 umfasst
ferner eine Imidschicht 103 auf der Metallisierungsschicht.
Die Imidschicht umfasst die Mehrzahl von Nichtkontaktöffnungen
in derselben, so dass die Metallisierungsschicht sichtbar ist durch
Blicken durch die Nichtkontaktöffnungen 105.
Die Kontaktöffnung 104a ist
nicht mit der Imidschicht nicht abgedeckt. Die Kontaktöffnung 104a wird
zum Kontaktieren der Vorrichtung verwendet. Bei diesem Ausführungsbeispiel
wird die Kontaktöffnung
durch einen Draht 107 kontaktiert, der konfiguriert ist,
um eine elektrische Verbindung zu der Metallisierungsschicht zu
bilden. Die Mehrzahl von Nichtkontaktöffnungen 105 bzw.
Löchern
sind nicht durch Drähte 107 kontaktiert,
da sie nicht zum Kontaktieren der Metallisierungsschicht konfiguriert sind.
Die Nichtkontaktöffnungen 105 können z.
B. laterale Abmessungen aufweisen, die kleiner sind als 50 μm, wohingegen
die Kontaktöffnung 104a bzw.
die Mehrzahl von Kontaktöffnungen 104a größere Abmessungen
aufweisen können
als die Nichtkontaktöffnungen 105.
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Eine
schematische Darstellung der Vorrichtung 110 gemäß 1c in
einer Querschnittsansicht kann in 1d dargestellt
sein durch Schneiden der Vorrichtung 110 hin zu der Schneideebene
CD.
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Die
Vorrichtung 110 umfasst ein Substrat 101, eine
Metallisierungsschicht 102 auf der Hauptoberfläche des
Substrats 101 und eine Imidschicht 103 auf der
Metallisierungsschicht 102. Die Kontaktöffnung 104a ist aus
dieser Querschnittsansicht der Vorrichtung 100 sichtbar.
Die Kontaktöffnung 104a ist durch
den Draht 107 gebondet oder gelötet, zum Verbinden der Metallisierungsschicht
oder einer Region der Metallisierungsschicht mit einem Außenanschluss. 1d stellt
ferner die Nichtkontaktöffnungen 105 dar,
die nicht durch einen Bonddraht 107 kontaktiert sind, mit
einem Schnitt durch die Schneideebene CD. Eine Formverbindung kann
in die Nichtkontaktöffnungen 105 fließen, um
die Vorrichtung 110 abzudecken und zu schützen. Die
Vorrichtung 110 kann z. B. eine Anzahl von Nichtkontaktöffnungen 105 in
einem Bereich von mehreren Hunderten bis mehreren Zehntausenden
aufweisen.
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2 stellt
eine schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels eines regelmäßigen Lochrasters
dar. 2 stellt ein erstes Loch 201, ein zweites
Loch 202, ein drittes Loch 203, ein viertes Loch 204,
ein fünftes
Loch 205, ein sechstes Loch 206 und ein siebtes
Loch 207 dar. Die sieben Löcher, die in 2 dargestellt
sind, entsprechen den Nichtkontaktöffnungen 105 bzw.
Löchern,
die in 1a und 1b dargestellt
sind. Während
die Löcher eine
runde, rechteckige oder hexagonale Form aufweisen können, stellt 2 ein
Ausführungsbeispiel mit
einer Darstellung von Löchern
dar, die eine runde Form haben. Die Löcher sind auf einem Raster
angeordnet, das Lochreihen umfasst. Eine laterale Abmessung der
Nichtkontaktöffnungen 105 kann
z. B. im Bereich von zweimal der Dicke der Imidschicht sein.
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2 stellt
ein Beispiel dar, das drei Zeilen zeigt, eine erste Zeile 221,
eine zweite Zeile 222 und eine dritte Zeile 223.
Das erste Loch 201 und das sechste Loch 206 sind
auf der ersten Zeile 221 angeordnet. Das zweite Loch 202,
das siebte Loch 207 und das fünfte Loch 205 sind
auf der zweiten Zeile angeordnet. Das dritte Loch 203 und
das vierte Loch 204 sind auf der dritten Zeile 223 angeordnet.
Benachbarte Zeilen aus Löchern
sind im Hinblick aufeinander versetzt. Ein Versatz 220 ist
zwischen dem fünften
Loch 205 und dem sechsten Loch 206 dargestellt.
Bei diesem Ausführungsbeispiel
ist der Versatz 220 gleich für benachbarte Löcher, so
dass ein regelmäßiges Raster
erzeugt wird, das ein Hexagon oder ein Dreieck bildet. Ein Hexagon
wird durch das erste bis siebte Loch 201 bis 206 gebildet,
während
ein Dreieck durch das erste, zweite und siebte Loch 201, 202, 207 gebildet
wird. Bei diesem Ausführungsbeispiel
ist eine Distanz 210 zwischen benachbarten Löchern 201, 202, 207 gleich
einer lateralen Abmessung 211, die einem Durchmesser von
einem der Löcher 202 entspricht.
Die Distanz 210 kann z. B. 30 μm bis 35 μm sein, was einer lateralen
Abmessung 211 von 30 μm
bis 35 μm
entspricht. Bei einem Ausführungsbeispiel
sind Löcher
mit einem ausreichend kleinen Durchmesser vorgesehen, um den Kontaktbereich
der Imidschicht optimal zu erhöhen.
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Es
ist ferner möglich,
unterschiedliche Arten von Raster zu verwenden, mit einem nicht
regelmäßigem Versatz 220 oder
mit Distanzen 210 ungleich lateralen Abmessungen 211 oder
mit einer zufälligen oder
pseudozufälligen
Verteilung von Löchern.
Auch unterschiedliche Größen von
Löchern,
z. B. mit unterschiedlichen Durchmessern von individuellen Löchern oder
unterschiedliche Formen (rund, dreieckig, hexagonal etc.) von individuellen
Löchern
können verwendet
werden.
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Chiplayoutentwürfe, die
z. B. Nichtkontaktöffnungen
verwenden, unter Verwendung optimierter Hexagonalrasterlöcher, können Imidabdeckungen
im Bereich von 28% bis 36% liefern, das ist eine Reduzierung der
Imidabdeckung um einen Faktor von mehr als 2 gegenüber einem
Layout ohne die Verwendung von Löchern.
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Bei
einem oder mehreren Ausführungsbeispielen
können
Nichtkontaktöffnungen
bzw. Löcher Durchmesser
z. B. im Bereich von 25 μm
bis 35 μm aufweisen.
Ein (Brutto)-Lochbereich
kann im Bereich von 5E–04
mm2 bis 10E–04 mm2 sein,
wodurch z. B. Kontaktbereiche im Bereich von 0,8 E–03 mm2 bis 1,2E–03 mm2 geliefert
werden und eine Relation von Kontaktbereich über Lochbereich zwischen 1,3
und 1,8.
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Wenn
eine Lochanzahl z. B. von 3.500 ausgewählt ist, kann eine Relation
von Kontaktbereich zu Formbereich zu einem Wert von 5,5 bis 6 führen und zu
einem Kontaktbereichgewinn im Bereich von 25%.
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3 stellt
ein Flussdiagramm eines Ausführungsbeispiels
eines Verfahrens zum Herstellen einer Vorrichtung dar. Das Verfahren 400 umfasst fünf Prozesse:
Einen ersten Prozess 401 „Bereitstellen eines Substrats”, einen
zweiten Prozess 402 „Bilden
einer Metallisie rungsschicht auf einer Hauptoberfläche des
Substrats”,
einen dritten Prozess 403 „Bilden einer Imidschicht
auf der Metallisierungsschicht”,
einen vierten Prozess 404 „Bilden von zumindest einer
Kontaktöffnung
durch die Imidschicht” und
einen fünften
Prozess 405 „Bilden
einer Mehrzahl von Nichtkontaktöffnungen
in der Imidschicht, wobei die Nichtkontaktöffnungen dimensioniert sind, um
einen vergrößerten Oberflächenbereich
der Imidschicht zu liefern oder einen Oberflächenbereich der Imidschicht,
der um nicht mehr als 10 Prozent reduziert ist”. Die Reihenfolge der Prozesse 401 bis 405 ist
nicht auf die Reihenfolge beschränkt,
die in 3 dargestellt ist. Zum Beispiel können der
vierte Prozess 404 und der fünfte Prozess 405 in
demselben Verarbeitungsschritt ausgeführt werden, möglicherweise
in einem einzelnen photolithographischen oder Ätzprozess zum Herstellen eines
Halbleiterbauelements. Es ist ferner möglich, eine unterschiedliche Reihenfolge
für diese
Prozesse 401 bis 405 zu verwenden.
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Obwohl
spezifische Ausführungsbeispiele hierin
dargestellt und beschrieben wurden, werden Durchschnittsfachleute
auf dem Gebiet erkennen, dass eine Vielzahl von alternativen und/oder
entsprechenden Implementierungen für die spezifischen Ausführungsbeispiele
eingesetzt werden kann, die gezeigt und beschrieben sind, ohne von
dem Schutzbereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Diese
Anmeldung soll jegliche Anpassungen oder Variationen der spezifischen
Ausführungsbeispiele abdecken,
die hierin erörtert
werden. Daher ist es beabsichtigt, dass diese Erfindung nur durch
die Ansprüche
und deren Entsprechungen eingeschränkt ist.