DE102009017733A1 - Leistungshalbleitermodul mit einer Verbindungseinrichtung und mit als Kontaktfeder ausgebildeten internen Anschlusselementen - Google Patents
Leistungshalbleitermodul mit einer Verbindungseinrichtung und mit als Kontaktfeder ausgebildeten internen Anschlusselementen Download PDFInfo
- Publication number
- DE102009017733A1 DE102009017733A1 DE102009017733A DE102009017733A DE102009017733A1 DE 102009017733 A1 DE102009017733 A1 DE 102009017733A1 DE 102009017733 A DE102009017733 A DE 102009017733A DE 102009017733 A DE102009017733 A DE 102009017733A DE 102009017733 A1 DE102009017733 A1 DE 102009017733A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- power semiconductor
- semiconductor module
- connection
- layer
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/041—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction having no base used as a mounting for the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
- H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0601—Structure
- H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/061—Disposition
- H01L2224/0618—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
- H01L2224/06181—On opposite sides of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
- H01L2224/2401—Structure
- H01L2224/2402—Laminated, e.g. MCM-L type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
- H01L2224/241—Disposition
- H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/24225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/24226—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the item being planar
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/832—Applying energy for connecting
- H01L2224/83201—Compression bonding
- H01L2224/83205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8384—Sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/02—Contact members
- H01R13/22—Contacts for co-operating by abutting
- H01R13/24—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
- H01R13/2407—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the resilient means
- H01R13/2421—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the resilient means using coil springs
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
Abstract
Die Erfindung beschreibt ein Leistungshalbleitermodul mit mindestens einem Leistungshalbleiterbauelement, mit einer dieses Leistungshalbleiterbauelement kontaktierenden Verbindungseinrichtung aus einem Schichtverbund aus mindestens einer ersten elektrisch leitenden dem Leistungshalbleiterbauelement zugewandten, mindestens eine erste Leiterbahn ausbildenden Schicht und einer im Schichtverbund folgenden isolierenden Schicht und einer im Schichtverbund weiter folgenden zweiten dem Leistungshalbleiterbauelement abgewandten, mindestens eine zweite Leiterbahn ausbildenden, Schicht. Weiterhin weist das Leistungshalbleitermodul mindestens ein internes Anschlusselement auf, wobei dieses interne Anschlusselement als Kontaktfeder mit einem ersten und einem zweiten Kontaktabschnitt und einem federnden Abschnitt ausgebildet ist. Hierbei weist der erste Kontaktabschnitt eine gemeinsame Kontaktfläche mit einer ersten oder einer zweiten Leiterbahn der Verbindungseinrichtung auf.
Description
- Die Erfindung beschreibt eine Leistungshalbleitermodul mit einer internen Verbindungseinrichtung, die ausgebildet ist als ein Schichtverbund aus einer Mehrzahl elektrisch leitender Schichten, die ihrerseits eine Mehrzahl von Leiterbahnen ausbilden können und zwischen diesen Schichten angeordneten isolierenden Schichten. Diese Verbindungseinrichtung dient der elektrischen Verbindung von Leistungshalbleiterbauelementen untereinander oder zu weiteren Leiterbahnen eines Substrats.
- Einen Ausgangspunkt der Erfindung bilden Leistungshalbleitermodule, wie sie beispielhaft aus der
DE 103 55 925 A1 bekannt sind. Diese offenbart grundsätzlich eine Verbindungseinrichtung der oben genannten Art. Die Leistungshalbleiterbauelemente sind hier mit der ersten leitenden Schicht mittels Ultraschallschweißen dauerhaft sicher elektrisch verbunden. Die modulinterne schaltungsgerechte Verbindung der Leistungshalbleiterbauelemente, die sowohl interne Last- als auch Steueranschlüsse beinhaltet ist hier offen gelegt. Hierzu weist die Verbindungseinrichtung Durchkontaktierungen zwischen elektrisch leitenden Schichten durch isolierende Schichten hindurch auf. Auf diese Weise werden Leiterbahnen einer Schicht mit Leiterbahnen einer andern Schicht elektrisch verbunden. - Externe Verbindungseinrichtung von Leistungshalbleitermodul der genannten Art offenbart beispielhaft die
DE 10 2006 027 482 A1 . Hier werden einerseits Schraub- und andererseits federbelastete Steckkontaktverbindungen offenbart. - Demgegenüber offenbart die
DE 10 2006 013 078 ein Leistungshalbleitermodul mit einer oben genannte Verbindungseinrichtung auf, bei der die Durchkontaktierungen zwischen zwei elektrisch leitenden Schichten mittels Dünndrahtbonden ausgebildet sind. Da die Verbindungseinrichtung der genannten Art auch zum Ersatz von Bondverbindungen innerhalb eines Leistungshalbleitermodul dienen und durch ihren Einsatz die Dauerhaltbarkeit der internen Verbindungen verbessert werden soll, kann hier der Einsatz der Dünndrahtbondverbindung zur Ausbildung einer Durchkontaktierung nicht vollständig befriedigen. - Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde ein Leistungshalbleitermodul mit einer Verbindungseinrichtung derart weiter zu bilden, dass die Anzahl von Drahtbondverbindungen verringert wird.
- Die Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst, durch die Maßnahmen des Anspruchs 1. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
- Der erfinderische Gedanke geht aus von Leistungshalbleitermodul der eingangs genannten Art mit mindestens einem Leistungshalbleiterbauelement und mit einer Verbindungseinrichtung zur schaltungsgerechten modulinternen Verbindung des mindestens einen Leistungshalbleiterbauelements mit einem weiteren Leistungshalbleiterbauelement oder mit einer Leiterbahn eines Substrats. Derartige Leistungshalbleitermodule sind vorzugsweise mittels eines Substrats auf einer Kühleinrichtung anordenbar. Weiterhin weist ein derartiges Leistungshalbleitermodul bevorzugt ein isolierendes, das Substrat mit dem mindestens einen Leistungshalbleiterbauelement und die Verbindungseinrichtung umschließendes Gehäuse auf.
- Die Verbindungseinrichtung besteht aus einem Schichtverbund aus mindestens zwei elektrisch leitenden Schichten und einer dazwischen angeordnet isolierenden Schicht. Es kann auch bevorzugt sein weitere Schichtfolgen aus isolierenden und leitenden Schichten der Verbindungseinrichtung vorzusehen. Ohne Beschränkung der Allgemeinheit wird im Folgenden aus Gründen der Übersichtlichkeit nur noch auf die einfachste Ausgestaltung der Verbindungseinrichtung mit zwei elektrisch leitenden und einer isolierend Schicht Bezug genommen.
- Die jeweiligen leitenden Schichten können in sich strukturiert sein und hierdurch eine Mehrzahl voneinander isolierter ersten Leiterbahnen ausbilden. Mindestens eine erste Leiterbahn der ersten leitenden Schicht ist mit einer Kontaktfläche eines Leistungshalbleiterbauelements elektrisch leitend verbunden. Hierbei hat sich eine stoffschlüssige Verbindung oder auch ein Druckkontaktverbindung nach dem Stand der Technik als besonders vorteilhaft erwiesen. In der Schichtfolge folgt auf dies erste dem Leistungshalbleiterbauelement zugewandte leitende Schicht eine isolierende und anschließend wieder ein dem Leistungshalbleiterbauelement abgewandte leitende Schicht der Verbindungseinrichtung.
- Erfindungsgemäß weist das Leistungshalbleiterbauelement mindestens ein internes Anschlusselement auf, wobei dieses interne Anschlusselement als Kontaktfeder mit einem ersten und einem zweiten Kontaktabschnitt und einem federnden Abschnitt ausgebildet ist. Der erste Kontaktabschnitt dieser Kontaktfeder weist eine gemeinsame Kontaktfläche mit einer ersten oder einer zweiten Leiterbahn der Verbindungseinrichtung auf.
- Hierbei ist es bevorzugt, wenn die Kontaktfläche mit einer ersten oder zweiten Leiterbahn in einer Ausnehmung der Verbindungseinrichtung angeordnet ist. Hierdurch wird die Kontaktsicherheit zwischen der Leiterbahn und der Kontaktfeder erhöht, auch unter mechanischen oder thermischen Einflüssen, die eine laterale Bewegung der gesamten Kontaktfeder oder der ersten Kontakteinrichtung der Kontaktfeder bewirken könnten. Hierdurch wird auch eine mögliche Halterung und Führung der Kontaktfeder im Gehäuse vereinfacht, da diese geringe Anforderungen an die Positionierung der Kontaktfeder bzw. deren ersten Kontaktabschnitt erfüllen muss.
- In einer ersten bevorzugten Ausgestaltung wird diese Ausnehmung gebildet durch eine Aussparung der zweiten Leiterbahn und der isolierenden Schicht. Es entsteht so eine Öffnung der Verbindungseinrichtung die bis zur ersten Leiterbahn hindurch reicht, wodurch die Kontaktfläche somit auf dieser ersten Leiterbahn angeordnet ist und die Kontaktfeder somit eine elektrisch leitende Verbindung zu dieser ersten Leiterbahn herstellt.
- In einer zweiten bevorzugten Ausgestaltung wird diese Ausnehmung gebildet durch eine Vertiefung der zweiten Leiterbahn, die diese Leiterbahn nicht vollständig freispart, wodurch die Kontaktfläche auf der zweiten Leiterbahn angeordnet ist und die Kontaktfeder somit eine elektrisch leitende Verbindung zu dieser zweiten Leiterbahn herstellt.
- Es ist weiterhin besonders vorteilhaft, wenn die zweite Kontakteinrichtung der Kontaktfeder aus dem Gehäuse des Leistungshalbleitermoduls herausragt. Hierdurch ist das Leistungshalbleitermodul und damit die Verbindungseinrichtung direkt mit externen Anschlusselementen verbindbar.
- Die erfinderische Lösung wird an Hand der Ausführungsbeispiele der
1 bis4 weiter erläutert. -
1 zeigt ein Leistungshalbleitermodul nach dem Stand der Technik im Schnitt. -
2 zeigt Details der Verbindungseinrichtung eines Leistungshalbleitermoduls nach dem Stand der Technik. -
3 zeigt Details der Verbindungseinrichtung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls. -
4 zeigt ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul im Schnitt -
1 zeigt ein Leistungshalbleitermodul nach dem Stand der Technik im Schnitt. Dargestellt ist ein Leistungshalbleitermodul angeordnet auf einer Kühleinrichtung (76 ), wobei das Leistungshalbleitermodul ein Substrat (74 ) mit einem Leistungshalbleiterbauelement (10 ) und einer Verbindungseinrichtung (20 ) aufweist. Diese Teile (10 ,20 ,74 ) des Leistungshalbleitermodul sind durch ein Gehäuse (70 ) umschlossen und bedeckt. Den unteren Abschluss des Leistungshalbleitermodul bildet hier das Substrat (74 ). - Die Verbindungseinrichtung (
20 ) wird gebildet durch ein Schichtfolge aus einer ersten, dem Leistungshalbleiterbauelement (10 ) zugewandten elektrisch leitenden Schicht (22 ), ein hieran in der Schichtfolge anschließende isolierende Schicht (24 ) und eine zweite leitende Schicht (26 ). Es ist bevorzugt, wenn die Schichtdicken der elektrisch leitenden Schichten (22 ,26 ) zwischen 10 μm und 500 μm betragen und wenn die Schichtdicke der isolierenden Schicht (24 ) zwischen 2 μm und 100 μm beträgt. - Die elektrisch leitenden Schichten (
22 ,26 ) bilden gemäß dem Stand der Technik die modulinterne schaltungsgerechte Verbindung von Leistungshalbleiterbauelementen (10 ) und dem Substrat (74 ) und ersetzt hiermit die vielfältig bekannten Drahtbondverbindungen. Hierbei ist es allerdings auch notwendig Durchkontaktierung (90 ) zur Verbindung erster Leiterbahnen (22 ) der ersten elektrisch leitenden Schicht mit zweiten Leiterbahnen (26 ) der zweiten elektrisch leitenden Schicht vorzusehen. Diese sind als elektrisch leitfähig verfüllte Ausnehmungen der isolierenden Schicht ausgebildet. - Weiterhin dient die Verbindungseinrichtung (
20 ) hier der externen Kontaktierung in Form einer Schraubverbindung (82 ,84 ) mit externen Anschlusselementen (80 ). Diese Art der externen Kontaktierung ist besonders geeignet für die Lastanschlüsse. Externe Kontaktierungen von Hilfsanschlüssen, wie Steueranschlüsse, Hilfsemitteranschlüsse oder Sensoranschlüsse sind auch als Steck- oder Lötverbindungen bekannt. -
2 zeigt Details der Verbindungseinrichtung eines Leistungshalbleitermoduls (10 ) mit einer Steuer- (14 ) und einer Emitteranschlussbereich (16 ) nach dem Stand der Technik. Dargestellt ist hier ein Alternative zur oben, vgl.1 , genannten Durchkontaktierung (90 ). In dieser bekannten Ausgestaltung bildet eine zum Teil in einer Ausnehmung (40 ) der Verbindungseinrichtung (20 ) angeordnete Dünndrahtbondverbindung (92 ) die elektrisch leitende Verbindung zwischen einer ersten Leiterbahn (22 ) der ersten elektrisch leitenden Schicht der Verbindungseinrichtung mit einer zweiten Leiterbahn (26 ) der zweiten elektrisch leitenden Schicht. -
3 zeigt Details der Verbindungseinrichtung (20 ), eines Leistungshalbleiterbauelements (10 ) und eines Sensors (50 ) eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls. Das Leistungshalbleiterbauelement (10 ), hier ein Leistungstransistor weist an seiner ersten Hauptfläche (12 ) zwei Kontaktbereiche, einen Steuer- (14 ) und einen Emitteranschlussbereich (16 ) auf. Diese beiden Kontaktbereiche (14 ,16 ) sind mit zugeordneten und selbstverständlich elektrisch voneinander isolierten ersten Leiterbahnen (22 ) der ersten Schicht der Verbindungseinrichtung (20 ) verbunden. Es ist besonders bevorzugt, wenn diese beiden Verbindungen als stoffschlüssige, vorzugsweise durch einen Sinterprozess hergestellte, Verbindungen ausgebildet sind. - Die Verbindungseinrichtung (
20 ) weist hier drei voneinander elektrisch isolierte erste Leiterbahnen (22 ), gebildet durch Strukturierung der ersten elektrisch leitenden Schicht, auf. Diese erste Schicht bildet die dem Leistungshalbleiterbauelement (10 ) zugewandte Fläche des Verbindungseinrichtung (20 ). Weiterhin weist die Verbindungseinrichtung (20 ) zwei Abschnitte der isolierenden Schicht (24 ) auf. Im Schichtaufbau der Verbindungseinrichtung (20 ) schließt sich dann auf der dem Leistungshalbleiterbauelement (10 ) abgewandten Seite der Verbindungseinrichtung (20 ) deren zweite elektrisch leitende Schicht an die ebenfalls strukturiert ist und somit drei voneinander elektrisch isolierte zweite Leiterbahnen (22 ) aufweist. - Mit einer dieser zweiten Leiterbahnen (
26 ) ist ein gehauster oder auch ungehauster Sensor (50 ) mittels eines seiner Verbindungselemente (52 ) elektrisch leitend verbunden. Dieser dient der Messung beispielhaft der Strom- oder Temperaturmessung im Leistungshalbleitermodul. Zu seiner externen Verbindung weist das Leistungshalbleitermodul ein erstes internes Anschlusselement (30 ) auf. Diese ist als Kontaktfeder (30 ) mit einem ersten (32 ) und einem zweiten Kontaktabschnitt (36 ) und einem federnden Abschnitt (34 ) ausgebildet. Der erste Kontaktabschnitt (32 ) ist in elektrisch leitendem Kontakt zur zugeordneten zweiten Leiterbahn (26 ) und wiest hierzu eine gemeinsame Kontaktfläche (62 ) mit dieser auf. - Diese Kontaktfläche (
62 ) ist in einer Ausnehmung (42 ) der zweite Leiterbahn (22 ) angeordnet, die durch eine Vertiefung derselben ausgebildet wird. Der erste Kontaktabschnitt (32 ) der Kontaktfeder (30 ) kann verschiedenartig ausgebildet sein, wesentlich ist hier allerdings die Ausbildung der Vertiefung (42 ) der zweiten Leiterbahn (26 ). Durch diese Vertiefung (42 ) wird eine durch mechanische oder thermische Einwirkung verursachte laterale Bewegung des ersten Kontaktabschnitts (32 ) der Kontaktfeder (30 ) weitgehend verhindert. - Eine ebensolche Wirkung wird durch die Ausnehmung (
40 ) erzielt, die durch eine Aussparung übereinander liegende Bereiche der isolierenden Schicht (24 ) wie auch der zweiten elektrisch leitenden Schicht gebildet wird. Diese Aussparungen sind derart ausgebildet, dass die dadurch gebildete Ausnehmung (40 ) bis auf die erste elektrisch leitende Schicht durch die Verbindungseinrichtung hindurch reicht. - Die in dieser Ausnehmung (
40 ) angeordnete Kontaktfeder (30 ) kontaktiert somit an der Kontaktfläche (60 ) diejenige erste Leiterbahn (22 ), die mit dem Steueranschluss (14 ) des Leistungshalbleiterbauelements (10 ) verbunden ist. Somit ist eine direkte Ansteuerung des Leistungshalbleiterbauelements (10 ) über das interne Anschlusselement, die Kontaktfeder (30 ), möglich. Hierbei ist es besonders vorteilhaft, wenn der zweite Kontaktabschnitt (36 ) direkt mit externen Zuleitungen verbindbar ist. -
4 zeigt ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul im Schnitt mit einem auf einer Kühleinrichtung (76 ) angeordneten Substrat (74 ) und einem umschließenden Gehäuse (70 ). Die modulinterne schaltungsgerechte Verbindung ist mittels der beschrieben Verbindungseinrichtung (20 ) ausgebildet. Die internen Kontakteinrichtungen, die Kontaktfedern (30 ) von denen nur ein dargestellt ist, sind in Führungen (72 ) des becherförmigen Gehäuses (70 ) angeordnet, wobei deren zweite Kontaktabschnitte (36 ) aus dem Gehäuse (70 ) heraus ragen und direkt mit externen Anschlusselementen, wie beispielhaft einer Steuerplatine verbindbar sind. - ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- - DE 10355925 A1 [0002]
- - DE 102006027482 A1 [0003]
- - DE 102006013078 [0004]
Claims (8)
- Leistungshalbleitermodul mit mindestens einem Leistungshalbleiterbauelement (
10 ), mit einer dieses Leistungshalbleiterbauelement (10 ) kontaktierenden Verbindungseinrichtung (20 ) aus einem Schichtverbund aus mindestens einer ersten elektrisch leitenden dem Leistungshalbleiterbauelement (10 ) zugewandten, mindestens eine erste Leiterbahn (22 ) ausbildenden Schicht, einer im Schichtverbund folgenden isolierenden Schicht (24 ) und einer im Schichtverbund weiter folgenden zweiten dem Leistungshalbleiterbauelement (10 ) abgewandten, mindestens eine zweite Leiterbahn (26 ) ausbildenden, Schicht, und mit mindesten einem internen Anschlusselement (30 ), wobei dieses interne Anschlusselement als Kontaktfeder (30 ) mit einem ersten (32 ) und einem zweiten (36 ) Kontaktabschnitt und einem federnden Abschnitt (34 ) ausgebildet ist, wobei der erste Kontaktabschnitt (32 ) eine gemeinsame Kontaktfläche (60 ,62 ) mit einer ersten (22 ) oder einer zweiten Leiterbahn (26 ) der Verbindungseinrichtung (20 ) aufweist. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei die Kontaktfläche (
60 ,62 ) mit einer ersten (22 ) oder zweiten Leiterbahn (26 ) in einer Ausnehmung (40 ,42 ) der Verbindungseinrichtung (20 ) angeordnet ist. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 2, wobei diese Ausnehmung (
40 ) gebildet wird durch eine Aussparung der zweiten Leiterbahn (22 ) und der isolierenden Schicht (24 ) und die Kontaktfläche (60 ) somit auf der ersten Leiterbahn (22 ) angeordnet ist. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 2, wobei diese Ausnehmung (
42 ) gebildet wird durch ein Vertiefung der zweiten Leiterbahn (26 ) und die Kontaktfläche (62 ) somit auf der zweiten Leiterbahn (26 ) angeordnet ist. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei die Schichtdicken der elektrisch leitenden Schichten (
22 ,26 ) zwischen 10 μm und 500 μm betragen und die Schichtdicke der isolierenden Schicht (24 ) zwischen 2 μm und 100 μm beträgt. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei das mindestens eine Leistungshalbleiterbauelement (
10 ) auf einem Substrat (74 ) angeordnet ist und das Leistungshalbleitermodul ein Gehäuse (70 ) aufweist, das das Substrat (74 ) mit dem mindestens einen Leistungshalbleiterbauelement (10 ) und die Verbindungseinrichtung (20 ) in einem Gehäuse (70 ) umschließt und bedeckt. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 6, wobei die internen Anschlusselemente (
30 ) teilweise in Führungen (72 ) des Gehäuse (70 ) des Leistungshalbleitermoduls angeordnet sind und die zweiten Kontaktabschnitte (36 ) der internen Anschlusselemente (30 ) aus dem Gehäuse (70 ) herausragen und dort mit externe Anschlusselementen verbindbar sind. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei mindesten eine erste Leiterbahn (
22 ) der Verbindungseinrichtung (20 ) mit mindesten einem Anschlussbereich (14 ,16 ) des Leistungshalbleiterbauelements (10 ) verbunden ist und diese Verbindung als stoffschlüssige Verbindung oder als Druckkontaktverbindung ausgebildet ist.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102009017733A DE102009017733B4 (de) | 2009-04-11 | 2009-04-11 | Leistungshalbleitermodul mit einer Verbindungseinrichtung und mit als Kontaktfeder ausgebildeten internen Anschlusselementen |
EP10001492A EP2239768A1 (de) | 2009-04-11 | 2010-02-13 | Leistungshalbleitermodul mit einer Verbindungseinrichtung und mit als Kontaktfeder ausgebildeten internen Hilfanschlusselementen |
CN201010143190.4A CN101859753B (zh) | 2009-04-11 | 2010-03-24 | 具有连接装置和内部接头元件的功率半导体模块 |
JP2010087724A JP5649321B2 (ja) | 2009-04-11 | 2010-04-06 | 接続装置を有し且つ接触ばねとして形成されている内部端子要素を有するパワー半導体モジュール |
KR1020100032211A KR101709786B1 (ko) | 2009-04-11 | 2010-04-08 | 접속 장치와 접촉 스프링으로 구현된 내부 접속 요소들을 포함하는 전력 반도체 모듈 |
US12/758,237 US8247899B2 (en) | 2009-04-11 | 2010-04-12 | Power semiconductor module comprising a connection device with internal contact spring connection elements |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102009017733A DE102009017733B4 (de) | 2009-04-11 | 2009-04-11 | Leistungshalbleitermodul mit einer Verbindungseinrichtung und mit als Kontaktfeder ausgebildeten internen Anschlusselementen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102009017733A1 true DE102009017733A1 (de) | 2010-10-21 |
DE102009017733B4 DE102009017733B4 (de) | 2011-12-08 |
Family
ID=42237175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102009017733A Active DE102009017733B4 (de) | 2009-04-11 | 2009-04-11 | Leistungshalbleitermodul mit einer Verbindungseinrichtung und mit als Kontaktfeder ausgebildeten internen Anschlusselementen |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8247899B2 (de) |
EP (1) | EP2239768A1 (de) |
JP (1) | JP5649321B2 (de) |
KR (1) | KR101709786B1 (de) |
CN (1) | CN101859753B (de) |
DE (1) | DE102009017733B4 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014222189A1 (de) * | 2014-10-30 | 2016-05-04 | Infineon Technologies Ag | Halbleiteranordnung, Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips |
DE102020200106A1 (de) * | 2020-01-08 | 2021-07-08 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Kontaktanordnung |
DE102019117476B4 (de) | 2019-06-28 | 2024-03-14 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungselektronische Schalteinrichtung mit einem Anschlusselement |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009024385B4 (de) * | 2009-06-09 | 2011-03-17 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls und Leistungshalbleitermodul mit einer Verbindungseinrichtung |
KR101443980B1 (ko) * | 2012-11-27 | 2014-09-23 | 삼성전기주식회사 | 접속핀 및 이를 갖는 전력 모듈 패키지 |
DE102013111422A1 (de) | 2013-10-16 | 2015-04-30 | Osram Oled Gmbh | Optoelektronisches Bauelement, Kontaktiervorrichtung und optoelektronische Baugruppe |
DE102014115812B4 (de) * | 2014-10-30 | 2019-09-05 | Infineon Technologies Ag | Halbleitermodul und Halbleitermodulanordnung mit geringen Kriechströmen |
DE102016107083B4 (de) * | 2016-04-18 | 2019-05-23 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungselektronische Anordnung und Fahrzeug hiermit |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10121970A1 (de) * | 2001-05-05 | 2002-11-28 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktierung |
EP1391966A1 (de) * | 2002-08-19 | 2004-02-25 | ABB Schweiz AG | Druckkontaktfeder und Anwendung in Leistungshalbleitermodul |
DE10355925A1 (de) | 2003-11-29 | 2005-06-30 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungshalbleitermodul und Verfahren seiner Herstellung |
DE102004061099A1 (de) * | 2004-12-18 | 2006-06-29 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit ESD-Schutzbeschaltung und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102006027482B3 (de) | 2006-06-14 | 2007-08-16 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Gehauste Halbleiterschaltungsanordnung mit Kontakteinrichtung |
DE102006013078A1 (de) | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Kompaktes Leistungshalbleitermodul mit Verbindungseinrichtung |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004281538A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Seiko Epson Corp | 電子装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
JP4764979B2 (ja) * | 2004-06-08 | 2011-09-07 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP4613590B2 (ja) * | 2004-11-16 | 2011-01-19 | セイコーエプソン株式会社 | 実装基板及び電子機器 |
DE102005050534B4 (de) * | 2005-10-21 | 2008-08-07 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul |
DE102005053398B4 (de) * | 2005-11-09 | 2008-12-24 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul |
DE102006015198A1 (de) * | 2006-04-01 | 2007-10-11 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Verbindungseinrichtung für elektronische Bauelemente |
DE102006058694B4 (de) * | 2006-12-13 | 2011-06-16 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit Kontaktfedern |
DE102006058692A1 (de) * | 2006-12-13 | 2008-06-26 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit Kontaktfedern |
DE102007006706B4 (de) * | 2007-02-10 | 2011-05-26 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Schaltungsanordnung mit Verbindungseinrichtung sowie Herstellungsverfahren hierzu |
-
2009
- 2009-04-11 DE DE102009017733A patent/DE102009017733B4/de active Active
-
2010
- 2010-02-13 EP EP10001492A patent/EP2239768A1/de not_active Withdrawn
- 2010-03-24 CN CN201010143190.4A patent/CN101859753B/zh active Active
- 2010-04-06 JP JP2010087724A patent/JP5649321B2/ja active Active
- 2010-04-08 KR KR1020100032211A patent/KR101709786B1/ko active IP Right Grant
- 2010-04-12 US US12/758,237 patent/US8247899B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10121970A1 (de) * | 2001-05-05 | 2002-11-28 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktierung |
EP1391966A1 (de) * | 2002-08-19 | 2004-02-25 | ABB Schweiz AG | Druckkontaktfeder und Anwendung in Leistungshalbleitermodul |
DE10355925A1 (de) | 2003-11-29 | 2005-06-30 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungshalbleitermodul und Verfahren seiner Herstellung |
DE102004061099A1 (de) * | 2004-12-18 | 2006-06-29 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit ESD-Schutzbeschaltung und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102006013078A1 (de) | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Kompaktes Leistungshalbleitermodul mit Verbindungseinrichtung |
DE102006027482B3 (de) | 2006-06-14 | 2007-08-16 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Gehauste Halbleiterschaltungsanordnung mit Kontakteinrichtung |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014222189A1 (de) * | 2014-10-30 | 2016-05-04 | Infineon Technologies Ag | Halbleiteranordnung, Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips |
US9595502B2 (en) | 2014-10-30 | 2017-03-14 | Infineon Technologies Ag | Spring contact for semiconductor chip |
DE102014222189B4 (de) | 2014-10-30 | 2022-06-30 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbaugruppe und Leistungshalbleitermodul |
DE102019117476B4 (de) | 2019-06-28 | 2024-03-14 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungselektronische Schalteinrichtung mit einem Anschlusselement |
DE102020200106A1 (de) * | 2020-01-08 | 2021-07-08 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Kontaktanordnung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101709786B1 (ko) | 2017-03-08 |
JP2010251749A (ja) | 2010-11-04 |
CN101859753A (zh) | 2010-10-13 |
DE102009017733B4 (de) | 2011-12-08 |
JP5649321B2 (ja) | 2015-01-07 |
US8247899B2 (en) | 2012-08-21 |
US20100258935A1 (en) | 2010-10-14 |
EP2239768A1 (de) | 2010-10-13 |
CN101859753B (zh) | 2014-06-04 |
KR20100113034A (ko) | 2010-10-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102009017733B4 (de) | Leistungshalbleitermodul mit einer Verbindungseinrichtung und mit als Kontaktfeder ausgebildeten internen Anschlusselementen | |
EP1830404B1 (de) | Leistungshalbleitermodul | |
EP1898466B1 (de) | Gehauste Halbleiterschaltungsanordnung mit Kontakteinrichtung | |
DE102008017454B4 (de) | Leistungshalbleitermodul mit hermetisch dichter Schaltungsanordnung und Herstellungsverfahren hierzu | |
DE102007006212B4 (de) | Leistungshalbleitermodul mit Kontaktfedern | |
WO2019020220A1 (de) | Sensor zur erfassung eines räumlichen temperaturprofils und verfahren zur herstellung einer sensoreinheit | |
DE102005055713B4 (de) | Leistungshalbleitermodul mit Anschlusselementen | |
DE102017221437A1 (de) | Leistungsmodul | |
DE102009024385B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls und Leistungshalbleitermodul mit einer Verbindungseinrichtung | |
DE102008012256A1 (de) | Elektronik-Komponenten-Montageplatte | |
DE102014206453A1 (de) | Elektronische Steuereinheit | |
EP2045841A1 (de) | Leistungshalbleitermodul mit Verbindungseinrichtungen | |
DE102006062313A1 (de) | Elektrische Steckerleiste | |
DE102006058695B4 (de) | Leistungshalbleitermodul mit stumpf gelötetem Anschlusselement | |
EP2003693B1 (de) | Druckkontaktiertes dreiphasiges Stromrichtermodul | |
EP1950807B1 (de) | Leistungshalbleitermodul mit Druckkörper | |
DE102019126923A1 (de) | Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls | |
DE102019117476A1 (de) | Leistungselektronische Schalteinrichtung mit einem Anschlusselement | |
DE102006014145A1 (de) | Druck kontaktierte Anordnung mit einem Leistungsbauelement, einem Metallformkörper und einer Verbindungseinrichtung | |
DE102011081631A1 (de) | Gekapselter Positionssensor für Tankstandgeber | |
DE102021110609A1 (de) | Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls | |
DE202010017397U1 (de) | Leistungshalbleiterschaltungsanordnung mit einem Leistungsmodul | |
DE102022204223A1 (de) | Vorrichtung zur Temperaturmessung einer thermischen Quelle und Temperatursensor | |
DE102018111594A1 (de) | Leistungshalbleitermodul und Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Leistungshalbleitermodul | |
DE102008034468A1 (de) | Leistungshalbleitermodul |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |
Effective date: 20120309 |