DE102020200106A1 - Kontaktanordnung - Google Patents

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Dominik Alexander Ruoff
Sebastian Strache
Karl Oberdieck
Manuel Wild
Siegfried Ramminger
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Robert Bosch GmbH
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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Kontaktanordnung. Die Kontaktanordnung umfasst einen insbesondere keramischen Schaltungsträger und eine flexible Leiterplatte. Die flexible Leiterplatte ist mit dem Schaltungsträger verbunden. Erfindungsgemäß weist die Kontaktanordnung wenigstens einen mit dem Schaltungsträger verbundenen Halbleiter, insbesondere Halbleiterschalter oder Leistungshalbleiterschalter auf, wobei ein elektrischer Anschluss des Halbleiters mittels eines Bond-Drahts mit der flexiblen Leiterplatte verbunden ist. Die flexible Leiterplatte liegt mit wenigstens einem Flächenabschnitt auf dem Schaltungsträger auf.

Description

  • Stand der Technik
  • Die Erfindung betrifft eine Kontaktanordnung. Die Kontaktanordnung umfasst einen insbesondere keramischen Schaltungsträger und eine flexible Leiterplatte. Die flexible Leiterplatte ist mit dem Schaltungsträger verbunden.
  • Aus der DE 10 2015 121 680 A1 ist ein Leistungshalbleitermodul bekannt, das eine flexible Leiterplattenverbindung mit einer niedrigen Gate-Treiber-Induktivität aufweist.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Erfindungsgemäß weist die Kontaktanordnung wenigstens einen mit dem Schaltungsträger verbundenen Halbleiter, insbesondere Halbleiterschalter oder Leistungshalbleiterschalter auf, wobei ein elektrischer Anschluss des Halbleiters mittels eines Bond-Drahts mit der flexiblen Leiterplatte verbunden ist. Bevorzugt liegt die flexible Leiterplatte mit wenigstens einem Flächenabschnitt auf dem Schaltungsträger - insbesondere unmittelbar - auf. Vorteilhaft kann so mittels eines kurzen Verbindungsweges von dem Halbleiter auf die flexible Leiterplatte gebondet werden. Die Bond-Verbindung von der flexiblen Leiterplatte bis hin zu einem elektrischen Anschluss, insbesondere Steueranschluss des Halbleiters, kann so vorteilhaft kurz ausgebildet sein.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform ist die flexible Leiterplatte mit dem Schaltungsträger sinterverbunden, oder lötverbunden. Vorteilhaft kann so eine nieder-induktive Kontaktanordnung aus der flexiblen Leiterplatte und dem Schaltungsträger gebildet sein. In einer anderen bevorzugten Ausführungsform ist die flexible Leiterplatte mit dem Schaltungsträger mittels eines Klebstoffs, bevorzugt elektrisch leitfähigen Klebstoffs verklebt. Dadurch kann die Leiterplatte mit dem Schaltungsträger insbesondere niederinduktiv elektrisch und mechanisch verbunden sein.
  • Die flexible Leiterplatte kann in einer anderen vorteilhaften Ausführungsform mit dem Schaltungsträger mittels eines Klebstoffs, insbesondere elektrisch leitfähigen oder elektrisch isolierenden Klebstoffs, verbunden sein. Vorteilhaft kann die Verbindung so aufwandsgünstig bereitgestellt werden.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform weist die Kontaktanordnung einen Treiber, insbesondere Gate-Treiber auf, welcher mit der flexiblen Leiterplatte elektrisch wirkverbunden ist. Die Wirkverbindung ist beispielsweise wenigstens durch eine Steckverbindung gebildet. So kann die flexible Leiterplatte vorteilhaft eine elektrische Verbindungsleitung zwischen dem Steueranschluss, insbesondere Gate-Anschluss des Halbleiters und dem Treiber bilden. Vorteilhaft kann der Treiber so auf einem gesonderten Schaltungsträger, insbesondere einer Leiterplatte, angeordnet sein. Weiter vorteilhaft kann der weitere Schaltungsträger so zu dem Schaltungsträger parallel angeordnet sein.
  • In einer anderen Ausführungsform ist die flexible Leiterplatte mit einem weiteren starren Schaltungsträger verbunden, insbesondere klebeverbunden oder durch Laminieren verbunden. Bevorzugt ist auf dem weiteren starren Schaltungsträger der Gate-Treiber angeordnet. Dadurch kann die bereits erwähnte Steckverbindung entfallen, sodass die flexible Leiterplatte steckverbindungsfrei mit dem Gate-Treiber verbunden ist.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform weist die flexible Leiterplatte einen mit dem Schaltungsträger elektrisch verbundenen Testanschluss zum Testen eines Schaltkreises des Schaltungsträgers auf. Vorteilhaft kann so der Gate-Treiber, oder andere mit der flexiblen Leiterplatte verbundene Komponenten, gemeinsam mit elektrischen Komponenten des Schaltungsträgers in einem Testzyklus gemeinsam geprüft werden. Eine Prüfnadel einer Testvorrichtung kann so vorteilhaft in der Ebene des Schaltungsträgers bewegt werden, insoweit der flexible Schaltungsträger unmittelbar auf dem Schaltungsträger aufliegt. Weiter vorteilhaft kann ein mit dem Gate-Treiber verbundener Leistungshalbleiter über den Testanschluss - beispielsweise durch die Testvorrichtung - geprüft werden. Dazu kann der Testanschluss mit einem Steueranschluss des Halbleiters, bevorzugt Halbleiterschalters verbunden sein.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform ist der Testanschluss durch eine elektrisch leitfähige Schicht, insbesondere Leiterbahn, gebildet. Die flexible Leiterplatte ist bevorzugt als Mehrschichtleiterplatte, insbesondere Multilayer-Leiterplatte, ausgebildet. Vorteilhaft kann der Testanschluss so beispielsweise mittels einer Via-Verbindung von einer inneren Leiterbahn der flexiblen Leiterplatte zu einer Oberfläche der flexiblen Leiterplatte hingeführt sein. In einer anderen Ausführungsform ist der Testanschluss durch Freilegen einer inneren elektrisch leitfähigen Schicht von außen zugänglich.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform sind mit der flexiblen Leiterplatte weitere elektronische Bauelemente lötverbunden, welche Bestandteil des Schaltkreises des Schaltungsträgers sind. Vorteilhaft kann die flexible Leiterplatte so einen Flächennutzen des Schaltungsträgers bilden, so dass die elektronischen Bauelemente und der Schaltungsträger die flexible Leiterplatte - insbesondere nach Art eines Sandwichs - zwischeneinander einschließen.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform weist die flexible Leiterplatte auf einer zu dem Schaltungsträger gewandten Seite Leiterbahnen auf, welche mit wenigstens einer elektrisch leitfähigen Schicht des Schaltungsträgers stoffschlüssig elektrisch verbunden, insbesondere verlötet, oder versintert sind. Vorteilhaft kann so eine nieder-induktive Leitungsführung, insbesondere eine Art Draht- oder Leitungsbrücke durch eine elektrisch leitfähige Schichten der flexiblen Leiterplatte gebildet sein. Bevorzugt verbindet die Leiterbahn der flexiblen Leiterplatte Schaltstreckenanschlüsse von zueinander benachbarten und elektrisch zueinander parallel arbeitenden Leistungshalbleiterschaltern miteinander elektrisch. Vorteilhaft kann so für Schaltstreckenanschlüsse von gemeinsam schaltenden Halbleiterschaltern eine gemeinsame Potentialführung zur Ausbildung einer nieder-induktiven Anordnung gebildet sein. Weiter bevorzugt ist die mit dem Drain-anschluss verbundene Leiterbahn zu dem Gate-Treiber, insbesondere zu dem Steckanschluss oder dem weiteren starren Schaltungsträger geführt. Vorteilhaft kann das Drain-Potential so an dem Treiber zur Verfügung stehen.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform der Kontaktanordnung umfasst die Kontaktanordnung eine weitere, insbesondere starre Leiterplatte. Die flexible Leiterplatte weist bevorzugt einen Steckanschluss auf, welcher mit der weiteren Leiterplatte steckverbunden ist. Bevorzugt ist der Steckanschluss an einem zu einer Verbindungsstelle mit dem Schaltungsträger entgegengesetzten Endabschnitt der flexiblen Leiterplatte gebildet. Vorteilhaft kann der Schaltungsträger so aufwandsgünstig mittels der flexiblen Leiterplatte mit der weiteren Leiterplatte steckverbunden werden.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform ist der Treiber mit der weiteren Leiterplatte verbunden, insbesondere Lötverbunden. Vorteilhaft kann der Treiber so zum Ansteuern von Steueranschlüssen der Halbleiterschalter, insbesondere Leistungshalbleiterschalter von dem Schaltungsträger räumlich ausgelagert sein.
  • In einer bevorzugten Ausführungsvariante sind die Halbleiterschalter jeweils durch einen Low-Side-Halbleiterschalter oder einen High-Side-Halbleiterschalter gebildet. Die Kontaktanordnung weist bevorzugt eine durch einen Low-Side-Halbleiterschalter und einen High-Side-Halbleiterschalter gebildete Halbleiterschalter-Halbbrücke auf, die mit dem Schaltungsträger lötverbunden ist. Bevorzugt weist die flexible Leiterplatte wenigstens zwei oder nur zwei zueinander insbesondere parallel beabstandete Stege auf, welche die Halbbrücke zwischeneinander einschließen. Die Steueranschlüsse der Halbleiterschalter sind jeweils mittels eines Bonddrahtes mit dem Steg verbunden. Weiter bevorzugt ist ein Ausgangsanschluss, insbesondere ein Phasenanschluss der Halbbrücke zwischen den Stegen angeordnet. Vorteilhaft kann so eine induktionsarme und räumlich kompakte Kontaktanordnung gebildet sein, bei der die Halbbrücke in einer durch den flexiblen Schaltungsträger gebildeten U-Form zwischen zwei durch jeweils einen der Stege gebildeten U-Schenkel der U-Form eingeschlossen sind.
  • In einer bevorzugten Ausführungsvariante sind die Halbleiterschalter durch eine Abschirmung, insbesondere ein Abschirmblech abgedeckt und die flexible Leiterplatte ist durch einen Durchbruch in der Abschirmung geführt. Die Abschirmung ist bevorzugt Bestandteil der Kontaktanordnung. Bevorzugt ist der Treiber an einem Bereich des flexiblen Schaltungsträgers angeordnet, der außerhalb des durch die Abschirmung geschirmten Bereiches des Schaltungsträgers angeordnet ist. Vorteilhaft kann so eine kompakte EMVstrahlungsarme (EMV = Elektro-Magnetische Verträglichkeit) Kontaktanordnung gebildet sein.
  • Die Erfindung wird nun im Folgenden anhand von Figuren und weiteren Ausführungsbeispielen beschrieben. Weitere vorteilhafte Ausführungsvarianten ergeben sich aus einer Kombination der in den Figuren und in den abhängigen Ansprüchen beschriebenen Merkmale.
    • 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel für eine Kontaktanordnung mit einem Schaltungsträger und einer mit dem Schaltungsträger verlöteten flexiblen Leiterplatte in einer Schnittdarstellung;
    • 2 zeigt den in 1 dargestellten Schaltungsträger in einer Aufsicht, in der die flexible Leiterplatte nur teilweise dargestellt ist.
  • 1 zeigt - schematisch - ein Ausführungsbeispiel für eine Kontaktanordnung 1. Die Kontaktanordnung 1 umfasst einen keramischen Schaltungsträger 2, beispielsweise ein DCB-Substrat (DCB = Dirct-Bonded-Copper), ein AMB-Substrat (AMB = Active-Metal-Brazed), oder ein IMS-Substrat (IMS = Insulated-Metal-Substrate). Der Schaltungsträger 2 weist eine elektrisch isolierende Schicht 3 auf, welche zwischen zwei Metallschichten 4 und 5 nach Art eines Sandwichs eingeschlossen ist. Die Metallschichten 3 und 5 sind beispielsweise jeweils durch eine Kupferschicht oder Aluminiumschicht gebildet.
  • Die Kontaktanordnung 1 umfasst auch eine flexible Leiterplatte 6. Die flexible Leiterplatte 6 ist in diesem Ausführungsbeispiel mehrlagig ausgebildet, und umfasst wenigstens zwei, oder mehrere übereinander angeordnete elektrisch leitfähige Schichten, und die elektrisch leitfähigen Schichten untereinander isolierende Schichten, insbesondere Polyimid-Schichten. Die flexible Leiterplatte 6 weist einen Flächenabschnitt 28 auf, welcher mit dem Schaltungsträger 2, insbesondere einer elektrisch leitfähigen Schicht 5 des Schaltungsträgers 2, stoffschlüssig verbunden, insbesondere verklebt, verlötet oder sinterverbunden ist.
  • Die Kontaktanordnung 1 umfasst auch drei Halbleiterschalter 10, 11 und 12, welche beispielsweise jeweils zueinander elektrisch parallel geschaltete High-Side-Halbleiterschalter einer Halbleiterschalter-Halbbrücke bilden. Die Halbleiterschalter 10, 11 und 12sind jeweils mit dem Schaltungsträger 2 verlötet oder versintert.
  • Der Schaltungsträger 2 weist eine elektrisch leitfähige Schicht 5 auf, welche mit der flexiblen Leiterplatte 6 elektrisch verbunden ist. Die Halbleiterschalter 10, 11 und 12sind in diesem Ausführungsbeispiel mit der elektrisch leitfähigen Schicht 5 verbunden. Die flexible Leiterplatte 6 weist an ihrer zu dem Schaltungsträger 2 weisenden Seite eine elektrisch leitfähige Schicht, insbesondere Leiterbahn, auf, welche mit der elektrisch leitfähigen Schicht 5 des Schaltungsträgers 2 lötverbunden ist. Auf diese Weise kann vorteilhaft eine insbesondere zu der elektrisch leitfähigen Schicht 5 flankierende Verkopplung der Drain-Potentiale der Halbleiterschalter 10, 11 und 12 gebildet sein.
  • Die Kontaktanordnung umfasst auch Bond-Drähte, welche in diesem Ausführungsbeispiel Gate-Anschlüsse der Halbleiterschalter mit einer Leiterbahn der flexiblen Leiterplatte 6 verbinden. Von den Bond-Drähten ist ein Bond-Draht 24 beispielhaft bezeichnet. Die flexible Leiterplatte 6 führt mit einem Endabschnitt von dem Schaltungsträger 2 abweisend weg, wobei an einem wegweisenden Ende ein Steckkontakt 7 ausgebildet ist. Der Steckkontakt 7 ist ausgebildet, die flexible Leiterplatte 6 mit einem insbesondere starr ausgebildeten weiteren Schaltungsträger 8 zu verbinden. Dazu kann der weitere Schaltungsträger 8 wie durch einen Pfeil angedeutet, mit dem Steckanschluss 7 steckverbunden werden. Der weitere Schaltungsträger 8 ist dann mit der flexiblen Leiterplatte 6 elektrisch und mechanisch verbunden. Der weitere Schaltungsträger 8 weist in diesem Ausführungsbeispiel einen Gate-Treiber 9 auf. Der Gate-Treiber 9 ist ausgebildet, wenigstens ein Steuersignal zum Ansteuern eines der Halbleiterschalter 10, 11 oder 12 zu erzeugen, und dieses über die flexible Leiterplatte 6 an den jeweiligen Halbleiterschalter, beispielsweise den Halbleiterschalter 10, zu senden. Der Halbleiterschalter 10 ist mit seinem Gate-Anschluss mittels des Bond-Drahts 24 mit einer elektrischen Verbindungsleitung der flexiblen Leiterplatte 6 verbunden, und kann über den Bond-Draht 24 und die elektrische Verbindungsleitung das von dem Gate-Treiber 9 erzeugte Steuersignal empfangen. Der Halbleiterschalter 10 kann dann eine elektrische Verbindung zwischen seinen Schaltstreckenanschlüssen, insbesondere Source-Anschluss und Drain-Anschluss, niederohmig durchschalten.
  • Die flexible Leiterplatte 6 weist für jeden Gate-Anschluss der Halbleiterschalter 10 eine elektrische Verbindungsleitung, insbesondere Leiterbahn, auf. Auf diese Weise können die Halbleiterschalter 10, 11 und 12 mittels der flexiblen Leiterplatte und gesteuert von den Steuersignalen des Gate-Treibers 9, unabhängig voneinander angesteuert werden.
  • Der Schaltungsträger 2 weist in diesem Ausführungsbeispiel eine wärmeleitfähige Metallschicht 4 auf, welche eine Rückseitenschicht bildet. Der Schaltungsträger 2 ist über die Metallschicht 4 mit einer Wärmesenke 29 wärmeleitfähig verbunden, insbesondere verlötet oder sinterverbunden. In der Wärmesenke 29, welche beispielsweise als Aluminiumblock ausgebildet ist, sind Fluidkanäle ausgebildet, welche zum Führen eines Fluids, insbesondere Kühlwasser, ausgebildet sind und von denen ein Fluidkanal 30 beispielhaft bezeichnet ist.
  • Die Kontaktanordnung 1 umfasst in diesem Ausführungsbeispiel auch ein Abschirmblech 31. Das Abschirmblech 31 umschließt in diesem Ausführungsbeispiel den Schaltungsträger 2, und auch die mit dem Schaltungsträger 2 verbundenen Halbleiterschalter 10, 11 und 12. Das Abschirmblech 31 ist in diesem Ausführungsbeispiel mit der Wärmesenke 29, und so mit der Rückseitenkontaktierung 4, zuvor auch Metallschicht genannt, elektrisch verbunden. In dem Abschirmblech 31 ist ein Durchbruch 32 ausgebildet, durch welchen die flexible Leiterplatte 6 geführt ist. Auf diese Weise kann die auf dem Schaltungsträger 2 ausgebildete Halbleiterschalter-Halbbrücke, umfassend die zuvor erwähnten Halbleiterschalter, zur Ausbildung einer elektromagnetischen Verträglichkeit elektrisch geschirmt sein.
  • 2 zeigt die in 1 bereits schematisch in einer Schnittdarstellung gezeigte Kontaktanordnung 1 in einer Aufsicht. Von den Leiterbahnen der flexiblen Leiterplatte 6 ist eine Leiterbahn 23 beispielhaft bezeichnet. Auf der Leiterbahn 23 kann beispielsweise ein Gate-Steuersignal zum Ansteuern einer der Halbleiterschalter zu dem Gate-Anschluss des Halbleiterschalters geleitet werden.
  • 2 zeigt auch weitere Halbleiterschalter 16, 17 und 18, welche jeweils einen Low-Side-Halbleiterschalter der Halbleiterschalter-Halbbrücke bilden. Die Low-Side-Halbleiterschalter sind in diesem Ausführungsbeispiel zueinander elektrisch parallel geschaltet. Die Steueranschlüsse der High-Side-Halbleiterschalter 10, 11, 12, und die Steueranschlüsse der Low-Side-Halbleiterschalter 16, 17, 18, sind in diesem Ausführungsbeispiel zueinander parallel mittels der flexiblen Leiterplatte 6 mit dem in 1 dargestellten Gate-Treiber 9 verbunden. Die Halbleiterschalter-Halbbrücke kann so für jeden Halbleiterschalter unabhängig voneinander Steuersignale von dem Gate-Treiber 9 empfangen.
  • Die Steuersignale können von den Halbleiterschaltern 16, 17 und 18 über Bond-Drähte empfangen werden, wobei die Bond-Drähte jeweils einen Gate-Anschluss eines Halbleiterschalters mit einem Bond-Pad der flexiblen Leiterplatte 6 verbinden. Die Bond-Pads können jeweils mittels einer Via-Kontaktierung mit einer Leiterbahn im Inneren der flexiblen Leiterplatte elektrisch verbunden sein. Von den Bond-Drähten der Low-Side-Halbleiterschalter ist ein Bond-Draht 27, welcher von der flexiblen Leiterplatte 6 zu einem Gate-Anschluss des Low-Side-Halbleiterschalters 16 führt, beispielhaft bezeichnet.
  • Der flexible Schaltungsträger 6 weist in diesem Ausführungsbeispiel zwei zueinander parallel verlaufende Stege 13 und 14 auf, die die Halbbrücke zwischeneinander einschließen. Die Bonddrähte der High-Side-Halbleiterschalter 10, 11, und 12 sind mit dem Steg 13 verbunden und die Bonddrähte der Low-Side-Halbleiterschalter 16, 17 und 18 sind mit dem Steg 14 verbunden.
  • Die Low-Side-Halbleiterschalter und die High-Side-Halbleiterschalter der mit dem Schaltungsträger 2 verbundenen Halbleiterschalter sind ausgangsseitig jeweils mit einem Phasenanschluss 22 verbunden. Der Phasenanschluss 22 ist durch eine elektrisch leitfähige Schicht, insbesondere Kupferschicht, des Schaltungsträgers 2 gebildet. Die Low-Side-Halbleiterschalter sind jeweils mittels wenigstens eines, in diesem Ausführungsbeispiel zwei, oder mit mehr als zwei Bond-Drähten mit dem Phasenanschluss 22 elektrisch verbunden. Ein von einem Schaltstreckenanschluss, insbesondere Drain-Anschluss, des Low-Side-Halbleiterschalters 16 zu dem Phasenanschluss 22 führender Bond-Draht 25 ist beispielhaft bezeichnet.
  • Die Schaltstreckenanschlüsse der High-Side-Halbleiterschalter, welche von dem Substrat 2 abweisen, sind jeweils mittels Bond-Drähten mit einem Anschluss zur Stromversorgung der Halbbrücke verbunden. Der Anschluss zur Stromversorgung ist in diesem Ausführungsbeispiel durch eine elektrisch leitfähige Schicht 33 des Schaltungsträgers 2 gebildet. Ein Bond-Draht 26, welcher von dem Schaltstreckenanschluss, insbesondere Source-Anschluss, des High-Side-Halbleiterschalters 10 zu dem Stromversorgungsanschluss 33 führt, ist beispielhaft bezeichnet.
  • Die Source-Anschlüsse der High-Side-Halbleiterschalter 10, 11 und 12 weisen jeweils zum Schaltungsträger 2 hin, und sind mit dem Phasenanschluss 22 elektrisch verbunden, insbesondere verlötet oder versintert.
  • Die Steueranschlüsse der Halbleiterschalter, welche mit den beispielhaft bezeichneten Bond-Drähten 24 beziehungsweise 27 mit der flexiblen Leiterplatte 6 verbunden sind, sind jeweils mit einer von zueinander verschiedenen elektrischen Leitungen, insbesondere Leiterbahnen, welche in dem flexiblen Schaltungsträger 6 ausgebildet sind, mit dem in 1 dargestellten Gate-Treiber 9 verbunden. Von den Leiterbahnen ist eine Leiterbahn 23 beispielhaft bezeichnet, welche in diesem Ausführungsbeispiel als eine im Inneren der flexiblen Leiterplatte 6 ausgebildete Leiterbahn gebildet ist.
  • Die flexible Leiterplatte 6 weist in diesem Ausführungsbeispiel auch einen Testanschluss 35 zum Testen der auf dem Schaltungsträger 2 verwirklichten Schaltungsanordnung auf. Der Testanschluss 35 ist beispielsweise durch eine elektrisch leitfähige Schicht gebildet, welche an einer von dem Schaltungsträger 2 abweisenden Seite der flexiblen Leiterplatte 6 ausgebildet ist. Der Testanschluss 35 kann so durch eine Prüfspitze einer Testvorrichtung kontaktiert werden. Der Testanschluss 35 ist beispielsweise mit der Leiterbahn 23 - insbesondere mittels einer Via-Verbindung in der flexiblen Leiterplatte 6 - verbunden, sodass über den Testanschluss 35 die korrekte Verbindung des Gate-Anschlusses mit dem Gate-Treiber überprüft werden kann.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102015121680 A1 [0002]

Claims (12)

  1. Kontaktanordnung (1) mit einem insbesondere keramischen Schaltungsträger (2) und einer flexiblen Leiterplatte (6), wobei die flexible Leiterplatte (6) mit dem Schaltungsträger (2) verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktanordnung (1) wenigstens einen mit dem Schaltungsträger (2) verbundenen Halbleiterschalter (10,11, 12, 16, 17, 18) aufweist, wobei ein elektrischer Anschluss des Halbleiterschalters (10,11, 12, 16, 17, 18,) mittels eines Bonddrahts (24, 27) mit der flexiblen Leiterplatte (6) verbunden ist, wobei die flexible Leiterplatte (6) mit wenigstens einem Flächenabschnitt (28) auf dem Schaltungsträger (2) aufliegt.
  2. Kontaktanordnung (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die flexible Leiterplatte (6) mit dem Schaltungsträger (2) sinterverbunden ist.
  3. Kontaktanordnung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktanordnung (1) einen Treiber (9), insbesondere Gate-Treiber, aufweist, welcher mit der flexiblen Leiterplatte (6) elektrisch wirkverbunden (7) ist, so dass die flexible Leiterplatte (6) eine elektrische Verbindungsleitung zwischen dem Steueranschluss, insbesondere Gate-Anschluss des Leistungshalbleiters (10,11, 12, 16, 17, 18) und dem Treiber (9) bildet.
  4. Kontaktanordnung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die flexible Leiterplatte (6) einen mit dem Schaltungsträger (2) elektrisch verbundenen Testanschluss (35) zum Testen eines Schaltkreises des Schaltungsträgers (2) aufweist.
  5. Kontaktanordnung (1) nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Testanschluss (35) durch eine elektrisch leitfähige Schicht, insbesondere Leiterbahn gebildet ist.
  6. Kontaktanordnung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mit der flexiblen Leiterplatte (6) weitere elektronische Bauelemente lötverbunden sind, die Bestandteil des Schaltkreises des Schaltungsträgers sind.
  7. Kontaktanordnung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die flexible Leiterplatte (6) auf einer zu dem Schaltungsträger (2) gewandten Seite Leiterbahnen aufweist, welche mit wenigstens einer elektrisch leitfähigen Schicht (5) des Schaltungsträgers (2) stoffschlüssig elektrisch verbunden, insbesondere verlötet ist.
  8. Kontaktanordnung (1) nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterbahn der flexiblen Leiterplatte (6) Schaltstreckenanschlüsse der Leistungshalbleiterschalter (10,11, 12, 16, 17, 18) miteinander elektrisch verbindet.
  9. Kontaktanordnung (1) einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktanordnung (1) eine weitere insbesondere starre Leiterplatte (8) umfasst, und die flexible Leiterplatte (6) einen Steckanschluss (7) aufweist, welcher mit der weiteren Leiterplatte (8) steckverbunden ist.
  10. Kontaktanordnung (1) einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Treiber (9) mit der weiteren Leiterplatte (8) verbunden, insbesondere lötverbunden ist.
  11. Kontaktanordnung (1) einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterschalter jeweils durch einen Low-Side-Halbleiterschalter (16, 17, 18) oder einen High-Side-Halbleiterschalter (10, 11, 12) gebildet sind und die Kontaktanordnung (1) eine durch einen Low-Side-Halbleiterschalter (16, 17, 18) und einen High-Side-Halbleiterschalter (10, 11, 12) gebildete Halbleiterschalter-Halbbrücke aufweist, die mit dem Schaltungsträger (2) lötverbunden ist und die flexible Leiterplatte (6) zwei zueinander insbesondere parallel beabstandete Stege (13, 14) aufweist, welche die Halbbrücke zwischeneinander einschließen und die Steueranschlüsse der Halbleiterschalter (10, 11, 12, 16, 17, 18) jeweils mittels eines Bonddrahtes mit dem Steg (13, 14) verbunden sind.
  12. Kontaktanordnung (1) einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterschalter (10, 11, 12, 16, 17, 18) durch eine Abschirmung (31), insbesondere ein Abschirmblech abgedeckt sind und die flexible Leiterplatte (6) durch einen Durchbruch (32) in der Abschirmung (31) geführt ist.
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