DE102016112602A1 - Niederinduktives Leistungsmoduldesign - Google Patents
Niederinduktives Leistungsmoduldesign Download PDFInfo
- Publication number
- DE102016112602A1 DE102016112602A1 DE102016112602.0A DE102016112602A DE102016112602A1 DE 102016112602 A1 DE102016112602 A1 DE 102016112602A1 DE 102016112602 A DE102016112602 A DE 102016112602A DE 102016112602 A1 DE102016112602 A1 DE 102016112602A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- power module
- dcb
- power
- conductor track
- electrically insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
Abstract
Leistungsmodul (10) mit wenigstens zwei übereinander angeordneten, gegeneinander elektrisch isolierten Lagen antiparallel bestromter Leiterbahnen (40, 60).
Description
- Die Erfindung betrifft ein Leistungsmodul.
- Leistungshalbleitermodule bilden üblicherweise einen Teil einer leistungselektronischen Schaltung ab, welcher hohe Ströme führt und hohe Spannungen isoliert. Das elektrische Schaltbild ist wenig komplex und kann daher durch das Layout einlagiger Schaltungsträger abgebildet werden.
- Es wurde daher ein keramischer Schaltungsträger entwickelt, dessen eine Seite mit einer strukturierten Kupferschicht belegt ist, die dem Schaltkreis entsprechend strukturiert ist. Aus Gründen der Symmetrie und zum Zwecke der löttechnischen Fügung ist die andere Seite des keramischen Schaltungsträgers mittels einer Kupferschicht mit einer Bodenplatte verbunden. Diese zweite Kupferschicht ist in der Regel nicht-strukturiert und bildet keinerlei elektrischen Schaltkreisstrukturen ab. Diese Schaltungsträger werden als „Direct Copper Bonded“ (DCB) Träger bezeichnet.
- Derartige DCB-Schaltungsträger werden üblicherweise mittels Drahtbonden mit den in einem Gehäuserahmen integrierten Außenanschlüssen verbunden.
- Alternativ finden zur Abbildung des elektrischen Schaltbildes gestanzte Kupferfolien oder Kupferbleche Verwendung, die mittels geeigneter elektrisch nichtleitender Werkstoffe gegen die Bodenplatte isoliert sind. Auch in diesen Fällen reicht eine einlagige Struktur aus, das elektrische Schaltbild abzubilden.
- Da Leistungsmodule zunehmend bei höheren Schaltfrequenzen betrieben werden, führt dieses zu einer wachsenden Bedeutung von niederinduktiv ausgelegten Leistungsmodulen. Hierbei sind einlagige Schaltungslayout im Nachteil, da nebeneinander und in Schleifen angeordnete stromführende Leiter eine hohe parasitäre Induktivität aufweisen.
- Weiterhin sind die daran angebundenen Außenanschüsse so gestaltet, dass eine zusätzliche parasitäre Induktivität den Betrieb bei hohen Frequenzen erschwert oder das Schalten der Halbleiter mit steilen Schaltflanken zu erheblichen Überspannungen führt.
- Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Leistungsmodul zu schaffen, das mit höheren Schaltfrequenzen betrieben werden kann.
- Diese Aufgabe wird durch das Leistungsmodul mit den Merkmalen von Anspruch 1 gelöst. Die Unteransprüche geben vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung wieder.
- Grundgedanke der Erfindung ist es, wenigstens partiell, mehrere stromführende, gegeneinander isolierte vertikale Lagen in einem Leistungsmodul anzuordnen, um damit eine niederinduktive Gestaltung der elektrischen Schaltung zu ermöglichen. Auf diese Weise lassen sich antiparallel bestromte Leiter (bei denen Ströme in im Wesentlichen entgegengesetzte Richtungen geführt werden) erzeugen, die eine sehr kleine parasitäre Induktivität aufweisen.
- Das Prinzip antiparallel bestromter mehrlagiger Leiterstrukturen lässt sich sowohl auf der Substratebene als auch für die Außenanschlüsse nutzen.
- Erfindungsgemäß ist also ein Leistungsmodul mit wenigstens zwei übereinander angeordneten, gegeneinander elektrisch isolierten Lagen antiparallel bestromter Leiterbahnen vorgesehen.
- Bevorzugt sind die Leiterbahnen dabei durch Stanzgitter gebildet.
- Insbesondere bilden die Leiterbahnen, beispielsweise die Stanzgitter, außerhalb des Leistungsmoduls übereinander angeordnete, gegeneinander elektrisch isolierte und antiparallel bestromte Außenanschlüsse aus.
- Alternativ ist die erste Leiterbahn die Kupferfolie eines DCB-Leistungssubstrats und die zweite Leiterbahn aus einer Dickschichtpaste gebildet ist, die auf einer auf der Kupferfolie des DCB-Leistungssubstrats aufgebrachten elektrisch isolierenden Schicht aufgebracht ist.
- Insbesondere kann die Dickschichtpaste ein Kupfer-enthaltende Dickschichtpaste sein, wie aus dem Stand der Technik auf dem Gebiet der Dickschichttechnologie bekannt.
- Weiter ist bevorzugt vorgesehen, dass eine erste Leiterbahn auf einer ersten elektrisch isolierenden Schicht angeordnet ist, die auf einer Basisplatte angeordnet ist. Besonders bevorzugt ist dann eine zweite Leiterbahn auf einer zweiten elektrisch isolierenden Schicht angeordnet, die auf der ersten Leiterbahn angeordnet ist.
- Die elektrische Isolierung wird bevorzugt durch einen thermisch leitfähigen Werkstoff bewirkt. Insbesondere wird die elektrische Isolierung durch einen Kunststoff und/oder eine Keramik und/oder durch einen anorganischen Zementwerkstoff bewirkt.
- In den nachfolgend beschriebenen besonderen Ausführungsbeispielen werden alternative Lösungen beschrieben, die die erfindungsgemäße Mehrlagigkeit von Leitungslagen realisieren:
- a. Mehrlagiger Leadframe mit Stanzgitter und mit Isolator
- Idealerweise sind die elektrisch isolierenden Schichten aus einem Werkstoff gebildet, welcher thermisch leitfähig, elektrisch hoch-isolierend und zugleich haftend an den Oberflächen von Stanzgittern und Bodenplatte ist. Ein solcher Werkstoff kann ein thermisch leitfähig gefüllter Kunststoff sein, z.B. eine mit Aluminiumntirid (AlN) oder Bor (Br) gefüllte Epoxyverbindung, welcher als klebende Isolationsfolie oder als flüssiger oder verflüssigter Kunststoff verarbeitet wird. Denkbar sind auch anorganische Isolationswerkstoffe wie Zemente.
- Besonders vorteilhaft lässt sich eine solche Struktur auch für die Gestaltung der Außenanschlüsse nutzen, indem die mindestens zwei Stanzgitter-Lagen nicht nur im Bereich des Schaltungsträgers derart übereinander angeordnet sind, dass die Leiterbahnen antiparallel bestromt werden können, sondern auch parallel übereinander angeordnet als Außenanschlüsse herausgeführt werden.
- In
1 ist eine solche besonders bevorzugt ausgestaltete Struktur dargestellt. -
1 zeigt ein Leistungsmodul10 mit einer Basisplatte20 , einer auf der Basisplatte20 angeordneten ersten elektrisch isolierenden Schicht30 und einem darauf angeordneten, zwei Leistungshalbleiter70 tragenden unteren ersten Stanzgitter40 . Auf dem ersten Stanzgitter40 ist eine weitere elektrisch isolierende Schicht50 angeordnet, auf der ein weiteres Stanzgitter60 derart positioniert ist, dass eine (möglichst) antiparallele Stromführung ermöglicht ist. - Die Stanzgitter
40 ,60 sind bevorzugt auf beiden Seiten des Leistungsmoduls10 seitlich herausgeführt und beispielhaft mittels Schraubanschlüssen80 ,90 kontaktiert. Alternativ können die Anschlüsse auch abgewinkelt und gegebenenfalls aus dem Leistungsmodul10 nach oben herausgeführt werden. - b. Mehrlagiger Schaltungsaufbau mit Dickschichtpaste und mit Isolator auf DCB-Substrat
-
2 zeigt ein Leistungsmodul10 , eine erste elektrisch isolierende Schicht30a einer DCB, die zwischen der oberen Kupferschicht40a einer DCB und der unteren Schicht angeordnet ist und einen Leistungshalbleiter70 , der auf der oberen Kupferschicht40a der DCB angeordnet ist. Auf der oberen Kupferschicht40a der DCB ist eine weitere elektrisch isolierende Schicht50a angeordnet, auf der eine weitere elektrisch leitfähige Kupferschicht60a derart angeordnet ist, das (möglichst) eine antiparallele Stromführung ermöglicht ist. Eine Basisplatte wie auch Anschlüsse sind nicht gezeigt.
Claims (8)
- Leistungsmodul (
10 ) mit wenigstens zwei übereinander angeordneten, gegeneinander elektrisch isolierten Lagen antiparallel bestromter Leiterbahnen (40 ,60 ). - Leistungsmodul (
10 ) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterbahnen (40 ,60 ) durch Stanzgitter gebildet sind. - Leistungsmodul (
10 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterbahnen (40 ,60 ) außerhalb des Leistungsmoduls (10 ) übereinander angeordnete, gegeneinander elektrisch isolierte und antiparallel bestromte Außenanschlüsse ausbilden. - Leistungsmodul (
10 ) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die eine Leiterbahn die Kupferfolie eines DCB-Leistungssubstrats ist und die zweite Leiterbahn aus einer Dickschichtpaste gebildet ist, die auf einer auf der Kupferfolie des DCB-Leistungssubstrats aufgebrachten elektrisch isolierenden Schicht aufgebracht ist. - Leistungsmodul (
10 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine erste Leiterbahn (40 ) auf einer ersten elektrisch isolierenden Schicht (30 ) angeordnet ist, die auf einer Basisplatte (20 ) angeordnet ist. - Leistungsmodul (
10 ) nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass eine zweite Leiterbahn (60 ) auf einer zweiten elektrisch isolierenden Schicht (50 ) angeordnet ist, die auf der ersten Leiterbahn (40 ) angeordnet ist. - Leistungsmodul (
10 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrische Isolierung durch einen thermisch leitfähigen Werkstoff bewirkt wird. - Leistungsmodul (
10 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrische Isolierung durch einen Kunststoff und/oder eine Keramik und/oder durch einen anorganischen Zementwerkstoff bewirkt wird.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102016112602.0A DE102016112602A1 (de) | 2016-07-08 | 2016-07-08 | Niederinduktives Leistungsmoduldesign |
PCT/EP2017/061645 WO2018007062A1 (en) | 2016-07-08 | 2017-05-15 | Low-inductance power module design |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102016112602.0A DE102016112602A1 (de) | 2016-07-08 | 2016-07-08 | Niederinduktives Leistungsmoduldesign |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102016112602A1 true DE102016112602A1 (de) | 2018-01-11 |
Family
ID=58709478
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102016112602.0A Ceased DE102016112602A1 (de) | 2016-07-08 | 2016-07-08 | Niederinduktives Leistungsmoduldesign |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102016112602A1 (de) |
WO (1) | WO2018007062A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112106194A (zh) * | 2018-05-15 | 2020-12-18 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于半导体功率模块的排热组件 |
DE102021117822A1 (de) | 2021-07-09 | 2023-01-12 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Leitungsrahmen |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102020119169B4 (de) | 2020-07-21 | 2022-03-10 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Schaltkomponenten |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5424579A (en) * | 1992-07-21 | 1995-06-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having low floating inductance |
DE69319026T2 (de) * | 1992-06-30 | 1998-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiter-Leistungsmodul |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7327024B2 (en) * | 2004-11-24 | 2008-02-05 | General Electric Company | Power module, and phase leg assembly |
US9391055B2 (en) * | 2012-12-05 | 2016-07-12 | Lockheed Martin Corporation | Power module having stacked substrates arranged to provide tightly-coupled source and return current paths |
KR102034717B1 (ko) * | 2013-02-07 | 2019-10-21 | 삼성전자주식회사 | 파워모듈용 기판, 파워모듈용 터미널 및 이들을 포함하는 파워모듈 |
CN103716980B (zh) * | 2013-12-30 | 2017-12-05 | 陈文� | 一种电源模块用正极氧化膜印刷基板 |
US9655265B2 (en) * | 2014-05-26 | 2017-05-16 | Infineon Technologies Ag | Electronic module |
-
2016
- 2016-07-08 DE DE102016112602.0A patent/DE102016112602A1/de not_active Ceased
-
2017
- 2017-05-15 WO PCT/EP2017/061645 patent/WO2018007062A1/en active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69319026T2 (de) * | 1992-06-30 | 1998-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiter-Leistungsmodul |
US5424579A (en) * | 1992-07-21 | 1995-06-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having low floating inductance |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112106194A (zh) * | 2018-05-15 | 2020-12-18 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于半导体功率模块的排热组件 |
DE102021117822A1 (de) | 2021-07-09 | 2023-01-12 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Leitungsrahmen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018007062A1 (en) | 2018-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP3942603B1 (de) | Elektronischer schaltkreis und verfahren zur herstellung eines elektronischen schaltkreises | |
DE102015118633B4 (de) | Ein Leistungshalbleitermodul mit einem Direct Copper Bonded Substrat und einem integrierten passiven Bauelement und ein integriertes Leistungsmodul sowie ein Verfahren zur Herstellung des Leistungshalbleitermoduls | |
DE102005036116B4 (de) | Leistungshalbleitermodul | |
DE102014109816B4 (de) | Leistungshalbleitermodul und System mit mindestens zwei Leistungshalbleitermodulen | |
DE102015110653A1 (de) | Doppelseitiges Kühl-Chipgehäuse und Verfahren zum Herstellen desselben | |
DE102012218868B3 (de) | Leistungshalbleitermodul | |
CN105529317B (zh) | 嵌入式封装装置 | |
EP0805494A2 (de) | Halbleiterleistungsmodul hoher Packungsdichte in Mehrschichtbauweise | |
DE10393437T5 (de) | Halbleiterbauelementbaugruppe | |
DE102014117943B4 (de) | Vorrichtung mit einer Leiterplatte und einem Metallwerkstück | |
EP0597144A1 (de) | Hybride leistungselektronische Anordnung | |
DE102015108909B4 (de) | Anordnung mehrerer Leistungshalbleiterchips und Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE102011080153A1 (de) | Flexible verbindung von substraten in leistungshalbleitermodulen | |
DE102004019443B3 (de) | Leistungsmodul | |
DE102016112602A1 (de) | Niederinduktives Leistungsmoduldesign | |
DE102013219780A1 (de) | Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls | |
DE102016214607B4 (de) | Elektronisches Modul und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE102017120747A1 (de) | SMD-Gehäuse mit Oberseitenkühlung | |
DE102004046806B4 (de) | Leistungshalbleitermodul | |
EP1755163A1 (de) | Leistungshalbleitermodul mit Leitungssegment | |
WO2015043795A2 (de) | Leistungsmodul, stromrichter und antriebsanordnung mit einem leistungsmodul | |
DE102011078806B4 (de) | Herstellungsverfahren für ein leistungselektronisches System mit einer Kühleinrichtung | |
DE102005046063B3 (de) | Leistungshalbleitermodul mit Überstromschutzeinrichtung | |
DE102014102703B4 (de) | Halbleiterchip-Baugruppe | |
WO2017093116A1 (de) | Elektronisches leistungsmodul |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: LOBEMEIER, MARTIN LANDOLF, DR., DE |
|
R002 | Refusal decision in examination/registration proceedings | ||
R003 | Refusal decision now final |