DE102008046699A1

DE102008046699A1 - Abbildende Optik

Info

Publication number: DE102008046699A1
Application number: DE102008046699A
Authority: DE
Inventors: Hans-Jürgen Dr. Mann; Armin Dr. Schöppach; Johannes Dr. Zellner
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2008-09-10
Filing date: 2008-09-10
Publication date: 2010-03-11
Anticipated expiration: 2028-09-11
Also published as: US20150022799A1; WO2010028748A1; JP2012502490A; CN102937742A; CN102150068A; KR20110053273A; DE102008046699B4; TW201015235A; JP2015029107A; US9195145B2; JP5600680B2; US8873122B2; CN102150068B; JP6103507B2; KR101656539B1; TWI497219B; US20110165522A1

Abstract

Eine abbildende Optik (31) hat eine Mehrzahl von Spiegeln (M1 bis M6), die ein Objektfeld (4) in einer Objektebene (5) in ein Bildfeld in einer Bildebene (9) abbilden. Ein Trägerkörper (21) eines dem Bildfeld (8) räumlich nächstbenachbarten Spiegel (M5), der einem der beiden Felder (4, 8) nächstbenachbart ist, des Nachbarspiegels, ist aus einem Material ausgeführt, dessen Elastizitätsmodul mindestens doppelt so groß ist wie das Elastizitätsmodul des Materials des Trägerkörpers (22) mindestens eines der anderen Spiegel (M1 bis M4, M6). Es resultiert eine abbildende Optik, bei der eine zentrale Obskuration aufgrund der Durchgangsöffnung im mindestens einen Spiegel gering gehalten sein kann.

Description

Die Erfindung betrifft eine abbildende Optik mit einer Mehrzahl von Spiegeln, die ein Objektfeld in einer Objektebene in ein Bildfeld in einer Bildebene abbilden.
Derartige abbildende Optiken sind bekannt aus der EP 1 093 021 A2 und der WO 2006/069725 A1 . Weitere abbildende Optiken sind bekannt aus der US 2007/0035814 A1 , der US 7,186,983 B2 und der US 2007/0233112 A1 .
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine abbildende Optik der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass ein möglichst geringer Abstand einer Reflexionsfläche eines feldbenachbarten Spiegels zum benachbarten Feld möglich ist.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine abbildende Optik der eingangs genannten Art, wobei ein Trägerkörper eines Spiegels, der einem der beiden Felder nächstbenachbart ist, der auch als Nachbarspiegel bezeichnet ist, aus einem Material ausgeführt ist, dessen Elastizitätsmodul mindestens doppelt so groß ist wie das Elastizitätsmodul des Materials des Trägerkörpers mindestens eines der anderen Spiegel.
Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass es durchaus möglich ist, bei der Materialwahl für den Nachbarspiegel auf ein Material mit sehr hohem Elastizitätsmodul zurückzugreifen. Dies ermöglicht es, den Nachbarspiegel mit einem sehr dünnen Trägerkörper auszustatten, der entsprechend nahe an das Feld herangeführt werden kann. Aufgrund des hohen Elastizitätsmoduls des Materials des Trägerkörpers des Nachbarspiegels hat dieser trotz des gegebenenfalls sehr dünnen Trägerkörpers eine ausreichende Stabilität.
Die Trägerkörper der anderen Spiegel, die stärker, also weniger dünn, ausgeführt sein können, können hingegen aus einem Material mit geringerem Elastizitätsmodul ausgeführt sein. Die Materialwahl für diese anderen Spiegel kann daher nach anderen Gesichtspunkten erfolgen. Diese anderen Spiegel können alle aus dem gleichen Material gefertigt sein; dies ist jedoch nicht zwingend. Das Elastizitätsmodul des Nachbarspiegels kann mindestens doppelt so groß sein wie das größte Elastizitätsmodul des Materials der Trägerkörper aller anderen Spiegel. Das Vergleichsmaterial, mit dem das Material des Nachbarspiegels hinsichtlich des Elastizitätsmoduls verglichen wird, ist dann das Material des anderen Spiegels mit dem größten Elastizitätsmodul. Bei der Anwendung der abbildenden Optik als Projektionsobjektiv zur Übertragung einer im Objektfeld angeordneten Struktur in das Bildfeld ist der Nachbarspiegel dem Bildfeld der abbildenden Optik nächstbenachbart. Eine andere Anwendung der abbildenden Optik ist ein Mikroskopobjektiv. In diesem Fall ist der Nachbarspiegel dem Objektfeld der abbildenden Optik nächstbenachbart. In der Regel ist der Nachbarspiegel dem Feld auf der hochaperturigen Seite der abbildenden Optik nächstbenachbart. Kein anderer Spiegel der abbildenden Optik hat also einen geringeren Abstand zu diesem Feld.
Der Nachbarspiegel kann aus einem Material mit einem Elastizitätsmodul gefertigt sein, das mindestens 150 GPa beträgt. Ein derartiges Elastizitätsmodul ermöglicht eine sehr dünne Ausführung des Trägerkörpers des Nachbarspiegels. Bevorzugt ist der Trägerkörper des Nachbarspiegels aus einem Material mit einem Elastizitätsmodul, das mindestens 200 GPa, mehr bevorzugt mindestens 250 GPa, mehr bevorzugt 300 GPa, mehr bevorzugt 350 GPa und noch mehr bevorzugt 400 GPa beträgt.
Der Trägerkörper des Nachbarspiegels kann auch aus Siliziumcarbid gefertigt sein. Dieses Material ermöglicht beispielsweise eine Herstellung eines sehr dünnen Trägerkörpers über ein Abformverfahren von einem Graphit-Abformkörper. Der Trägerkörper kann anschließend über bekannte Oberflächenbearbeitungsverfahren noch weiter bearbeitet werden, soweit dies zum Erreichen der optischen Abbildungsqualität notwendig wird. Alternative Materialien für den Trägerkörper des Nachbarspiegels sind SiSiC, CSiC und SiN.
Die abbildende Optik kann beabstandet zum Nachbarspiegel einen deformierbaren Spiegel aufweisen. Mithilfe eines derartigen deformierbaren Spiegels ist ein Ausgleich thermischer Deformationen des Nachbarspiegels möglich, die beispielsweise aufgrund einer thermischen Belastung des Nachbarspiegels durch Restabsorption des Abbildungslichts herrühren können.
Der deformierbare Spiegel kann in einer zur Anordnungsebene des Nachbarspiegels in der abbildenden Optik konjugierten optischen Ebene angeordnet sein. Dies vereinfacht den Ausgleich thermischer Deformationen des Nachbarspiegels durch eine ausgleichende Deformation des deformierbaren Spiegels, da gemessene Deformationen des Nachbarspiegels einfach in ausgleichende Deformationen des deformierbaren Spiegels umgerechnet werden können. Es genügt in diesem Fall, einen einzigen Spiegel der abbildenden Optik zum Ausgleich thermischer Deformationen des Nachbarspiegels deformierbar zu gestalten. Alternativ ist es natürlich auch möglich, mehrere Spiegel der abbildenden Optik gezielt deformierbar auszuführen.
Die Spiegel, die die abbildende Optik zusätzlich zum Nachbarspiegel aufweist, können aus einem Material mit einem thermischen Expansionskoef fizienten aufgebaut sein, der höchstens 1 × 10^–7 m/m/K beträgt. Beispiele derartiger Materialien sind Zerodur^® und ULE^®. Eine thermische Last auf Spiegeln aus diesen Materialien führt praktisch zu keiner oder nur zu einer sehr geringen Deformation von deren Reflexionsflächen.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, eine abbildende Optik der eingangs genannten Art so weiterzubilden, dass Transmissionsverluste eines Beleuchtungssystems, dessen Bestandteil die abbildende Optik ist, möglichst gering gehalten sind.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine abbildende Optik der eingangs genannten Art, bei der auf einer Verbindungsachse, die senkrecht auf der Objektebene steht und durch den geometrischen Mittelpunkt desjenigen Spiegels verläuft, der dem Objektfeld nächstbenachbart ist, der dem Objektfeld nächstbenachbarter Spiegel in einen Abstand angeordnet ist, der größer ist als ein Abstand einer im Strahlengang des Abbildungslichts vor dem Objektfeld liegenden Eintritts-Pupillenebene der abbildenden Optik zum Objektfeld.
Bei einer solchen abbildenden Optik kann bei Verwendung eines reflektierenden, abzubildenden Objekts eine optische Komponente im Strahlengang vor dem Objektfeld auf der Verbindungsachse angeordnet sein. Hierdurch kann die Anzahl der zur Ausleuchtung des Objektfelds erforderlichen Komponenten einer im Strahlengang vor der abbildenden Optik angeordneten Beleuchtungsoptik reduziert werden, sodass die Gesamtverluste an Beleuchtungslicht reduziert sind.
Wenn die abbildende Optik genau sechs Spiegel aufweist, ermöglicht dies eine gleichzeitig kompakte und hinsichtlich ihrer Abbildungsfehler gut korrigierte abbildende Optik.
Eine Reflexionsfläche mindestens eines Spiegels der abbildenden Optik kann als durch eine als rotationssymmetrische Asphäre beschreibbare Fläche ausgeführt sein. Hierdurch ist eine gute Abbildungsfehlerkorrektur ermöglicht.
Eine Reflexionsfläche mindestens eines Spiegels der abbildenden Optik kann als nicht durch eine rotationssymmetrische Funktion beschreibbare Freiformfläche ausgeführt sein. Der Einsatz von Freiformflächen anstelle von eine Rotations-Symmetrieachse aufweisenden Reflexionsflächen schafft neue Designfreiheitsgrade, was zu abbildenden Optiken mit Eigenschaftskombinationen führt, die mit rotationssymmetrischen Reflexionsflächen nicht realisierbar waren. Zum Einsatz in erfindungsgemäßen abbildenden Optiken geeignete Freiformflächen sind bekannt aus der US 2007/0058269 A1 und der US 2008/0170310 A1 .
Mindestens einer der Spiegel der abbildenden Optik kann eine Durchgangsöffnung zum Durchtritt von Abbildungslicht aufweisen. Dies ermöglicht ein Design der abbildenden Optik mit sehr großer numerischer Apertur. Beim Einsatz der abbildenden Optik als Projektionsobjektiv kann hierdurch eine sehr hohe Strukturauflösung bei gegebener Wellenlänge des Abbildungslichts erzielt werden.
Die Vorteile einer Projektionsbelichtungsanlage mit einer erfindungsgemäßen abbildenden Optik, einer Lichtquelle für das Beleuchtungs- und Abbildungslicht sowie mit einer Beleuchtungsoptik zur Führung des Beleuch tungslichts hin zum Objektfeld der abbildenden Optik und insbesondere die Vorteile einer Projektionsbelichtungsanlage, bei der ein Pupillenfacettenspiegel der Beleuchtungsoptik in einer Eintritts-Pupillenebene der abbildenden Optik angeordnet ist, entsprechen denen, die vorstehend in Bezug auf die erfindungsgemäße abbildende Optik ausgeführt wurden. Bei einer Anordnung des Pupillenfacettenspiegels in der Eintritts-Pupillenebene der abbildenden Optik kann der Pupillenfacettenspiegel das Beleuchtungs- und Abbildungslicht direkt hin zum Objektfeld lenken. Zwischenliegende optische Komponenten zwischen dem Pupillenfacettenspiegel und dem Objektfeld sind dann nicht erforderlich, was die Transmission der Projektionsbelichtungsanlage erhöht. Dies ist insbesondere dann von Vorteil, wenn das Beleuchtungs- und Abbildungslicht generell nur mit Verlusten geführt werden kann, was beispielsweise bei EUV-Wellenlängen im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm der Fall ist. Wenn die erfindungsgemäße abbildende Optik so ausgeführt ist, dass auf einer Verbindungsachse, die senkrecht auf der Objektebene steht und durch den geometrischen Mittelpunkt desjenigen Spiegels verläuft, der dem Objektfeld nächstbenachbart ist, der dem Objektfeld nächstbenachbarte Spiegel in einem Abstand angeordnet ist, der größer ist als ein Abstand einer im Strahlengang des Abbildungslichts vor dem Objektfeld liegenden Eintritts-Pupillenebene der abbildenden Optik zum Objektfeld, kann bei Verwendung eines reflektierenden abzubildenden Objekts der in der Eintritts-Pupillenebene angeordnete Pupillenfacettenspiegel auf der Verbindungsachse und damit kompakt zwischen anderen Komponenten der abbildenden Optik untergebracht sein. Entsprechendes gilt, wenn die erfindungsgemäße abbildende Optik so ausgeführt ist, dass ein Schnittpunkt einer Verbindungsachse, die senkrecht auf der Objektebene steht und durch den geometrischen Mittelpunkt der Eintrittspupille verläuft, mit der Eintritts-Pupillenebene näher an der Objektebene liegt als ein im Strahlengang des Abbildungslichts nach dem Objektfeld liegender ers ter Schnittpunkt eines Hauptstrahls eines mittigen Objektfeldpunktes mit der Verbindungsachse. Hierbei ist zu beachten, dass aufgrund der Tatsache, dass der Strahlengang des Beleuchtungs- bzw. Abbildungslichts an der Objektebene reflektiert wird, die Eintritts-Pupillenebene, obwohl sie im Strahlengang vor der Objektebene liegt, auf der der Bildebene zugewandten Seite der Objektebene und in der Regel zwischen der Objektebene und der Bildebene zu liegen kommt.
Die Lichtquelle der Projektionsbelichtungsanlage kann breitbandig ausgeführt sein und beispielsweise eine Bandbreite haben, die größer ist als 1 nm, die größer ist als 10 nm oder die größer ist als 100 nm. Zudem kann die Projektionsbelichtungsanlage so ausgeführt sein, dass sie mit Lichtquellen unterschiedlicher Wellenlängen betrieben werden kann. Eine Beleuchtungsoptik mit einem Pupillenfacettenspiegel ist beispielsweise aus der US 2007/0223112 A1 bekannt.
Entsprechende Vorteile, wie vorstehend ausgeführt, gelten für ein Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit folgenden Verfahrensschritten:

– Bereitstellen eines Retikels und eines Wafers,
– Projizieren einer Struktur auf dem Retikel auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers mit Hilfe der erfindungsgemäßen Projektionsbelichtungsanlage,
– Erzeugen einer Mikrostruktur auf dem Wafer,

Ausführungsbeispiele werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser Zeichnung zeigen
1 schematisch eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie;
2 einen Abbildungsstrahlengänge zueinander beabstandeter Feldpunkte beinhaltenden Meridionalschnitt durch eine Ausführung einer Projektionsoptik der Projektionsbelichtungsanlage nach 1; und
3 schematisch einen um ein Beleuchtungssystem der Projektionsbelichtungsanlage ergänzten Strahlengang in einer Projektionsbelichtungsanlage mit einer weiteren Ausführung einer Projektionsoptik.
Eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithografie hat eine Lichtquelle 2 für Beleuchtungslicht. Bei der Lichtquelle 2 handelt es sich um eine EUV-Lichtquelle, die Licht in einem Wellenlängenbereich zwischen 5 nm und 30 nm erzeugt. Auch andere EUV-Wellenlängen sind möglich. Generell sind sogar beliebige Wellenlängen, z. B. sichtbare Wellenlängen, für das in der Projektionsbelichtungsanlage 1 geführte Beleuchtungslicht möglich. Ein Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 ist in der 1 äußerst schematisch dargestellt.
Zur Führung des Beleuchtungslichts 3 hin zu einem Objektfeld 4 in einer Objektebene 5 dient eine Beleuchtungsoptik 6. Mit einer Projektionsoptik 7 wird das Objektfeld 4 in ein Bildfeld 8 in einer Bildebene 9 mit einem vorgegebenen Verkleinerungsmaßstab abgebildet. Die Projektionsoptik 7 verkleinert um einen Faktor 8.
Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenfalls möglich, zum Beispiel 4x, 5x, 6x oder auch Abbildungsmaßstäbe, die größer sind als 8x. Für Beleuchtungslicht mit EUV-Wellenlänge eignet sich insbesondere ein Abbildungsmaßstab von 8x, da hierdurch der objektseitige Einfallswinkel auf einer Reflexionsmaske klein gehalten werden kann. Für eine bildseitige Apertur der Projektionsoptik 7 von NA = 0,5 lassen sich bei einem Abbildungsmaßstab von 8x objektseitig Beleuchtungswinkel von weniger als 6° realisieren. Die Bildebene 9 ist bei der Projektionsoptik 7 parallel zur Objektebene 5 angeordnet. Abgebildet wird hierbei ein mit dem Objektfeld 4 zusammenfallender Ausschnitt einer reflektierenden Maske 10, die auch als Retikel bezeichnet wird. Aufgrund der reflektierenden Wirkung des Retikels 10 wird das Beleuchtungslicht 3 an der Objektebene 5 reflektiert. Die Abbildung erfolgt auf die Oberfläche eines Substrats 11 in Form eines Wafers, der von einem Substrathalter 12 getragen wird. In der 1 ist schematisch zwischen dem Retikel 10 und der Projektionsoptik 7 ein in diese einlaufendes Strahlenbündel 13 des Beleuchtungslichts 3 und zwischen der Projektionsoptik 7 und dem Substrat 11 ein aus der Projektionsoptik 7 auslaufendes Strahlungsbündel 14 des Beleuchtungslichts 3 dargestellt. Die bildfeldseitige numerische Apertur NA der Projektionsoptik 7 nach 2 beträgt 0,50.
Zur Erleichterung der Beschreibung der Projektionsbelichtungsanlage 1 ist in der Zeichnung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem angegeben, aus dem sich die jeweilige Lagebeziehung der in den Figuren dargestellten Komponenten ergibt. In der 1 verläuft die x-Richtung senkrecht zur Zeichenebene in diese hinein, die y-Richtung nach rechts und die z-Richtung nach unten.
Die Projektionsbelichtungsanlage 1 ist vom Scannertyp. Sowohl das Retikel 10 als auch das Substrat 11 werden beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 in der y-Richtung gescannt.
2 zeigt das optische Design der Projektionsoptik 7. Dargestellt ist der Strahlengang jeweils dreier Einzelstrahlen 15, die von fünf in der 2 übereinanderliegenden und zueinander in der y-Richtung beabstandeten Objektfeldpunkten ausgehen, wobei die drei Einzelstrahlen 15, die zu einem dieser fünf Objektfeldpunkte gehören, jeweils drei unterschiedlichen Beleuchtungsrichtungen für die fünf Objektfeldpunkte zugeordnet sind. Diese drei Beleuchtungsrichtungen werden durch den oberen Komastrahl, den unteren Komastrahl sowie den Hauptstrahl eines jeden der fünf Objektfeldpunkte wiedergegeben.
Ausgehend von der Objektebene 5 werden die Einzelstrahlen 15 zunächst von einem ersten Spiegel M1 und anschließend von weiteren Spiegeln reflektiert, die nachfolgend in der Reihenfolge des Strahlengangs als Spiegel M2, M3, M4, M5 und M6 bezeichnet werden. Dargestellt sind jeweils die zur Berechnung der Form der Reflexionsflächen der Spiegel M1 bis M6 benötigten mathematischen Parentflächen. In der tatsächlichen Projektionsoptik 7 liegen die Reflexionsflächen der Spiegel M1 bis M6 tatsächlich nur dort vor, wo sie von den Einzelstrahlen 15 beaufschlagt werden.
Die Projektionsoptik 7 nach 2 hat also sechs reflektierende Spiegel. Diese Spiegel tragen eine für die Wellenlänge des Beleuchtungslichts 3 hoch reflektierende Beschichtung, falls dies aufgrund der Wellenlänge, zum Beispiel im EUV, erforderlich ist. Insbesondere tragen die Spiegel M1 bis M6 Mehrfach-Reflexionsschichten zur Optimierung ihrer Reflexion für das auftreffende Beleuchtungslicht 3. Die Reflexion ist insbesondere dann, wenn EUV-Beleuchtungslicht 3 zum Einsatz kommt, umso besser, je näher der Reflexionswinkel, also der Auftreffwinkel der Einzelstrahlen 15 auf den Oberflächen der Spiegel M1 bis M6, an der senkrechten Inzidenz liegt. Die Projektionsoptik 7 hat insgesamt für alle Einzelstrahlen 15 kleine Reflexionswinkel.
In der Beleuchtungsoptik 6 und der Projektionsoptik 7 lassen sich auch Strahlungen mit voneinander stark unterschiedlicher Wellenlänge führen, da diese Optiken im Wesentlichen achromatische Eigenschaften haben. Es ist also möglich, in diesen Optiken zum Beispiel einen Justagelaser zu führen oder ein Autofokussiersystem zu betreiben, wobei gleichzeitig mit einer von deren Arbeitswellenlänge stark verschiedenen Wellenlänge für das Beleuchtungslicht gearbeitet wird. So kann ein Justagelaser bei 632,8 nm, bei 248 nm oder bei 193 nm arbeiten, während gleichzeitig mit einem Beleuchtungslicht im Bereich zwischen 5 und 30 nm gearbeitet wird.
Der Spiegel M3 hat eine konvexe Grundform, kann also durch eine konvexe bestangepasste Fläche beschrieben werden. In der nachfolgenden Beschreibung werden derartige Spiegel vereinfacht als konvex und Spiegel, die durch eine konkav bestangepasste Fläche beschrieben werden können, vereinfacht als konkav bezeichnet. Der konvexe Spiegel M3 sorgt für eine gute Petzval-Korrektur bei der Projektionsoptik 7.
Eine Baulänge der Projektionsoptik 7, also der Abstand zwischen der Objektebene 5 und der Bildebene 9, beträgt bei der Projektionsoptik 7 1521 mm.
Die zu einer bestimmten Beleuchtungsrichtung der fünf Objektfeldpunkte gehörenden Einzelstrahlen 15 vereinigen sich in einer Pupillenebene 16 der Projektionsoptik 7. Die Pupillenebene 16 ist dem Spiegel M3 benachbart im Strahlengang nach diesem angeordnet.
Die Spiegel M1 bis M4 bilden die Objektebene 5 ab in eine Zwischenbildebene 17. Die zwischenbildseitige numerische Apertur der Projektionsoptik 7 beträgt etwa 0,2. Die Spiegel M1 bis M4 bilden eine erste Teil-Abbildungsoptik der Projektionsoptik 7 mit einem verkleinernden Abbildungsmaßstab von etwa 3,2x. Die nachfolgenden Spiegel M5 und M6 bilden eine weitere Teil-Abbildungsoptik der Projektionsoptik 7 mit einem verkleinernden Abbildungsmaßstab von etwa 2,5x. Im Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 zwischen den Spiegeln M4 und M5 vor der Zwischenbildebene 17 und dieser benachbart ist eine Durchgangsöffnung 18 im Spiegel M6 ausgebildet, durch die das Beleuchtungs- bzw. Abbildungslicht 3 bei der Reflexion vom vierten Spiegel M4 hin zum fünften Spiegel M5 hindurchtritt. Der fünfte Spiegel M5 wiederum hat eine zentrale Durchgangsöffnung 19, durch die das Strahlungsbündel 14 zwischen dem sechsten Spiegel M6 und der Bildebene 9 hindurchtritt.
Im Strahlengang zwischen dem fünften Spiegel M5 und dem sechsten Spiegel M6 liegt eine weitere Pupillenebene 20 der Projektionsoptik 7, die zur ersten Pupillenebene 16 optisch konjugiert ist. Am Ort der weiteren Pupillenebene 20 existiert eine physikalisch von außen zugängliche Blendenebene. In dieser Blendenebene kann eine Aperturblende angeordnet sein.
Die Projektionsoptik 7 hat in einer der Pupillenebenen 16, 20 eine zentriert angeordnete Obskurationsblende. Hierdurch werden die den zentralen Durchgangsöffnungen 18, 19 in den Spiegeln M6, M5 zugeordneten Teilstrahlen des Projektionsstrahlengangs obskuriert. Daher wird das Design der Projektionsoptik 7 auch als Design mit zentraler Pupillenobskuration bezeichnet.
Ein ausgezeichneter Einzelstrahl 15, der einen zentralen Objektfeldpunkt mit einem zentral ausgeleuchteten Punkt in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 7 verbindet, wird auch als Hauptstrahl eines zentralen Feldpunktes bezeichnet. Der Hauptstrahl des zentralen Feldpunktes schließt ab der Reflexion am sechsten Spiegel M6 mit der Bildebene 9 näherungsweise einen rechten Winkel ein, verläuft also in etwa parallel zur z-Achse der Projektionsbelichtungsanlage 1. Dieser Winkel ist größer als 85°. Das Bildfeld 8 hat die Form eines Ringfeldsegmentes, ist also von zwei zueinander parallel verlaufenden Teilkreisen und zwei ebenfalls zueinander parallel verlaufenden Seitenkanten begrenzt. Diese Seitenkanten verlaufen in der y-Richtung. Parallel zur x-Richtung hat das Bildfeld 8 eine Ausdehnung von 13 mm. Parallel zur y-Richtung hat das Bildfeld 8 eine Ausdehnung von 1 mm. Ein Radius R der Durchgangsöffnung 19 erfüllt folgende, für eine vignettierungsfreie Strahlführung notwendige Relation: R ≥ 12 ·D + dw·NA.
D ist dabei die Diagonale des Bildfelds 8. d_w ist ein freier Arbeitsabstand des Spiegels M5 von der Bildebene 9. Dieser freie Arbeitsabstand ist definiert als der Abstand zwischen der Bildebene 9 und dem dieser nächstliegenden Abschnitt einer genutzten Reflexionsfläche des nächstliegenden Spiegels der Projektionsoptik 7, also bei der Ausführung nach 2 des Spiegels M5. NA ist die bildseitige numerische Apertur. Bei der Projektionsoptik 7 beträgt der freie Arbeitsabstand d_w 39 mm.
Der fünfte Spiegel M5 stellt den Spiegel dar, der dem Objektfeld 5 in der Bildebene 9 nächstbenachbart ist. Der fünfte Spiegel M5 wird nachfolgend daher auch als Nachbarspiegel bezeichnet. Der Nachbarspiegel M5 hat einen in der 2 gestrichelt angedeuteten Trägerkörper 21, auf dem die Reflexionsfläche des Nachbarspiegels M5 ausgebildet ist. Der Trägerkörper 21 ist aus Siliziumcarbid ausgeführt. Dieses Material hat ein Elastizitätsmodul (young's modulus) von 400 GPa. Die anderen Spiegel M1 bis M4 und M6 der Projektionsoptik 7 sind aus Zerodur^® gefertigt. Dieses Material hat ein Elastizitätsmodul von 90 GPa.
Das Elastizitätsmodul des Trägerkörpers 21 des Nachbarspiegels M5 ist also mehr als doppelt so groß wie das Elastizitätsmodul des Materials der Trägerkörper 22 der anderen Spiegel M1 bis M4 sowie M6.
Der Trägerkörper 21 hat eine maximale Stärke von 35 mm, so dass zwischen einer der Reflexionsfläche des Spiegels M5 abgewandten Rückseite des Spiegels M5 und der Bildebene ein freier Arbeitsabstand von 4 mm verbleibt. Ein maximaler Durchmesser der genutzten Reflexionsfläche des Spiegels M5 beträgt bei der Projektionsoptik 7 285 mm. Ein Verhältnis zwischen diesem maximalen Durchmesser und der Stärke des Trägerkörpers 21 des Spiegels M5 beträgt daher 285/35 = 8,14. Auch andere derartige Verhältnisse, die nachfolgend auch als Aspektverhältnisse bezeichnet werden, im Bereich zwischen 6 und 20 sind möglich.
Der Trägerkörper 21 des Nachbarspiegels M5 kann auch aus einem anderen Material mit einem Elastizitätsmodul gefertigt sein, das mindestens 150 GPa beträgt. Beispiele für derartige Materialien sind reaktionsgebundenes siliziuminfiltriertes Siliziumcarbid (SiSiC) mit einem Elastizitätsmodul von 395 GPa, carbonfaserverstärktes Siliziumcarbid (CSiC) mit einem Elastizi tätsmodul von 235 GPa und Siliziumnitrid (SiN) mit einem Elastizitätsmodul von 294 GPa. Zerodur^® hat im interessierenden Raumtemperaturbereich einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von weniger als 50 × 10^–9 m/m/K. Die Trägerkörper 22 der Spiegel M1 bis M4 sowie M6 können auch aus einem anderen Material mit einem thermischen Expansionskoeffizienten aufgebaut sein, der höchstens 1 × 10^–7 m/m/K beträgt. Ein weiteres Beispiel für ein derartiges Material ist ULE^® mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten, der ebenfalls im interessierenden Raumtemperaturbereich kleiner ist als 50 × 10^–9 m/m/K, und das ein Elastizitätsmodul von 69 GPa hat.
Der thermische Ausdehnungskoeffizient des Materials des Trägerkörpers 21 des Nachbarspiegels M5 ist deutlich größer als der thermische Ausdehnungskoeffizient der Trägerkörper 22 der anderen Spiegel der Projektionsoptik 7. SiC hat beispielsweise einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten im interessierenden Raumtemperaturbereich von 2,6 × 10^–6 m/m/K. Auch die thermischen Ausdehnungskoeffizienten der anderen Materialvarianten für den Trägerkörper 21 des Nachbarspiegels M5 bewegen sich in einem Bereich zwischen 1 × 10^–6 m/m/K und 2,6 × 10^–6 m/m/K.
Der Nachbarspiegel M5 liegt in einer Anordnungsebene im Abbildungsstrahlengang der Projektionsoptik 7, die zu einer Anordnungsebene, in der der dritte Spiegel M3 liegt, optisch konjugiert ist. Der im Abbildungsstrahlengang zwischenliegende Spiegel M4 wirkt also so, dass er diese beiden Anordnungsebenen der Spiegel M3 und M5 ineinander in etwa abbildet.
Der dritte Spiegel M3 ist als deformierbarer Spiegel ausgeführt. Die Reflexionsfläche des dritten Spiegels M3 ist bei einer Ausführung des deformierbaren Spiegels rückseitig mit einer Mehrzahl von senkrecht zur Refle xionsfläche wirkenden Aktuatoren 23 verbunden, die über Signalleitungen bzw. einen Signalbus 24 mit einer Steuereinrichtung 25 in Verbindung stehen. Durch individuelle Ansteuerung der Aktuatoren 23 über die Steuereinrichtung 25 lässt sich die Form der Reflexionsfläche des Spiegels M3 vorgeben.
Da der Spiegel M3 in einer zur Position des Nachbarspiegels M5 optisch konjugierten Position angeordnet ist, lassen sich beispielsweise aufgrund einer thermischen Expansion des Trägerkörpers 21 des Nachbarspiegels M5 hervorgerufene Deformationen der Reflexionsfläche des Nachbarspiegels M5 durch gegenläufige Deformationen der Reflexionsfläche des dritten Spiegels M3, vorgegeben über die Steuereinrichtung 25, kompensieren. Eine Deformation der Reflexionsfläche des Nachbarspiegels M5 kann beispielsweise optisch erfasst werden. Entsprechende Erfassungsverfahren sind bekannt. Das Ergebnis dieser Deformationserfassung kann dann als Eingangssignal für die Steuereinrichtung 25 zur Bestimmung von Stellwerten für die individuellen Aktuatoren 23 dienen.
Auf diese Weise können thermische Drifts, insbesondere hervorgerufen durch die unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Materialien des Trägerkörpers 21 einerseits und der Trägerkörper 22 andererseits über eine Deformation der Reflexionsfläche des dritten Spiegels M3 kompensiert werden. Eine gezielte Deformation der Reflexionsfläche des dritten Spiegels M3 kann natürlich auch zur Korrektur bzw. Kompensation weiterer Abbildungsfehler, beispielsweise zur Petzval-Korrektur, herangezogen werden.
Die Reflexionsfläche des dritten Spiegels M3 kann als geschlossene Reflexionsfläche ausgeführt werden, wobei Abschnitte dieser geschlossenen Re flexionsfläche jeweils mit einem individuellen Aktuator 23 in mechanischer Verbindung stehen. Alternativ ist es möglich, den dritten Spiegel M3 mit einer Reflexionsfläche aus einer Mehrzahl voneinander getrennt bewegbaren Spiegelabschnitten auszustatten, beispielsweise als Multi-Mirror-Array oder als Facettenspiegel. Jeder dieser Spiegelabschnitte kann dann über einen eigenen Aktuator 23 individuell verkippbar oder verlagerbar sein, sodass auf diese Weise eine Deformation der durch die Gesamtheit der Spiegelabschnitte gebildeten Reflexionsfläche des dritten Spiegels M3 herbeigeführt wird. Möglich ist auch eine Deformation der Spiegeloberfläche eines Spiegels, der eine hochreflektierende Beschichtung trägt, durch den Einsatz einer elektronisch ansteuerbaren piezoelektrischen Schicht, die beispielsweise zwischen dem Spiegelsubstrat und der hochreflektierenden Beschichtung angeordnet sein kann.
Die Reflexionsflächen der Spiegel M1 bis M6 haben rotationssymmetrische asphärische Grundformen, die mittels bekannter Asphärengleichungen beschrieben werden können. Alternativ ist es möglich, zumindest einzelne der Spiegel M1 bis M6 als nicht durch eine rotationssymmetrische Funktion beschreibbare Freiformflächen auszuführen. Derartige Freiformflächen für Reflexionsflächen von Spiegeln von Projektionsoptiken von Projektionsbelichtungsanlagen für die Mikrolithografie sind bekannt aus der US 2007/0058269 A1 und der US 2008/0170310 A1 .
Der Trägerkörper 21 des Nachbarspiegels M5 kann mittels eines CVD-(Chemical Vapour Deposition)-Verfahrens hergestellt werden. Hierbei wird Siliziumcarbid aus der Gasphase auf einem Abformkörper aus Graphit abgeschieden. Der Abformkörper hat dabei eine der gewünschten Reflexionsfläche entsprechende Form. Nach dem Trennen des Trägerkörpers 21 vom Abformkörper kann dann noch eine Beschichtung des Trägerkörpers 21 zur Verbesserung der Bearbeitbarkeit und der Reflektivität der Reflexionsfläche des Trägerkörpers 21 vorgenommen werden.
3 zeigt schematisch eine weitere Ausführung einer Projektionsbelichtungsanlage 1. Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 und 2 erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Der Lichtquelle 2 ist ein Kollektor 26 zum Sammeln der nutzbaren Emission der Lichtquelle 2 nachgeordnet. Dem Kollektor 26 wiederum nachgeordnet ist ein Spektralfilter 27, der in streifendem Fall (grazing incidence) betrieben wird. Dem Spektralfilter 27 nachgeordnet ist ein Feldfacettenspiegel 28. Dem Feldfacettenspiegel 28 nachgeordnet ist ein Pupillenfacettenspiegel 29. Das Konzept derartiger Facettenspiegel 28, 29 als Bestandteile der Beleuchtungsoptik 6 ist grundsätzlich beispielsweise aus der US 7,186,983 B2 bekannt.
Der Pupillenfacettenspiegel 29 ist im Bereich einer Eintritts-Pupillenebene 30 einer Projektionsoptik 31 angeordnet, die alternativ zur Projektionsoptik 7 bei der Projektionsbelichtungsanlage 1 zum Einsatz kommen kann. Das Beleuchtungslicht 3 wird vom Pupillenfacettenspiegel 29 direkt auf das reflektive Retikel 10 gelenkt. Zwischen dem Pupillenfacettenspiegel 29 und dem Retikel 10 liegt also keine weitere das Beleuchtungslicht 3 beeinflussende oder umlenkende Komponente, z. B. ein Spiegel mit streifendem Einfall, vor.
Die Projektionsoptik 31 wird nachfolgend lediglich dort beschrieben, wo sie sich von der Projektionsoptik 7 nach den 1 und 2 qualitativ unterscheidet.
Bei der Projektionsoptik 31 liegt die erste Pupillenebene 16 nach der Objektebene 5 zwischen dem zweiten Spiegel M2 und dem dritten Spiegel M3. An dieser Stelle kann beispielsweise eine Aperturblende zu Begrenzung des Beleuchtungslicht-Strahlbündels angeordnet sein.
Der Pupillenfacettenspiegel 29 und der zweite Spiegel M2 der Projektionsoptik 31 sind auf einer Verbindungsachse 32 angeordnet. Diese Verbindungsachse ist definiert als den geometrischen Mittelpunkt des der Objektebene 5 nächstbenachbarten Spiegels durchstoßende und senkrecht auf der Objektebene 5 stehende Achse. Bei der Ausführung nach 3 ist der Spiegel M2 der Spiegel, der der Objektebene 5 nächstbenachbart ist. Der zweite Spiegel M2 stellt also den längs der Verbindungsachse 32 dem Objektfeld 4 nächstbenachbarten Spiegel der Projektionsoptik 31 dar. Der zweite Spiegel M2 ist längs der Verbindungsachse 32 in einem Abstand A zur Objektebene 5 angeordnet, der größer ist als ein Abstand B der Eintritts-Pupillenebene 30 zur Objektebene 5. Der Abstand A beträgt 704 mm. Der Abstand B beträgt 472 mm. Der Pupillenfacettenspiegel 29 und der zweite Spiegel M2 der Projektionsoptik 31 sind Rücken an Rücken angeordnet. Daher bietet die Projektionsoptik 31 Bauraum zur Unterbringung des Pupillenfacettenspiegels 29 auf der Verbindungsachse 32. Der Pupillenfacettenspiegel 29 kann also so angeordnet werden, dass das Beleuchtungslicht 3 vom Pupillenfacettenspiegel 29 direkt hin zum reflektierenden Retikel 10 reflektiert wird.
Die Verbindungsachse 32 steht auch auf der Bildebene 9 senkrecht. Die Verbindungsachse 32 verläuft auch durch den geometrischen Mittelpunkt des Spiegels M5, der dem Bildfeld 8 nächstbenachbart ist. Ein Schnittpunkt C der Verbindungsachse 32 mit der Eintritts-Pupillenebene 30 liegt näher an der Objektebene 5 als ein im Strahlengang des Beleuchtungs- und Abbildungslichts 3 erster Schnittpunkt D eines Hauptstrahls 33 eines mittigen Objektfeldpunktes mit der Verbindungsachse 32. Aufgrund der reflektierenden Wirkung des Retikels 10 liegt die Eintritts-Pupillenebene 30 trotz der Tatsache, dass sie im Strahlengang der Objektebene 5 vorgeordnet ist, zwischen der Objektebene 5 und der Bildebene 9. Aufgrund der Tatsache, dass der Abstand des Schnittpunkts C zur Objektebene 5 kleiner ist als der Abstand des Schnittpunkts D zur Objektebene 5, ergibt sich die Möglichkeit, den Pupillenfacettenspiegel 29 in den Bauraum der Projektionsoptik 31 hineinzurücken, ohne dass ein Beleuchtungsstrahlengang des Beleuchtungslichts 3 durch Komponenten der Projektionsoptik 31 obstruiert wird und ohne dass ein Abbildungsstrahlengang des Beleuchtungslichts 3 vom Pupillenfacettenspiegel 29 obstruiert wird.
Im Unterschied zur Projektionsoptik 7 ist bei der Projektionsoptik 31 der Abstand des Spiegels M3 zur Objektebene 5 geringer als der Abstand des Spiegels M1 zur Objektebene 5.
Die Projektionsoptik 31 hat eine bildseitige numerische Apertur NA von 0,4. Das Objektfeld 4 hat bei der Projektionsoptik 31 eine Erstreckung von 2 mm in y-Richtung und 26 mm in x-Richtung. Der verkleinerte Abbildungsmaßstab der Projektionsoptik 31 beträgt 4x.
Die optischen Daten der Projektionsoptik 31 werden nachfolgend anhand zweier Tabellen im Code V^®-Format wiedergegeben.
Die erste Tabelle zeigt in der Spalte „Radius” jeweils den Krümmungsradius der Spiegel M1 bis M6. Die dritte Spalte (Dicke) beschreibt den Ab stand, ausgehend von der Objektebene 5, jeweils zur nachfolgenden Oberfläche in z-Richtung.
Die zweite Tabelle beschreibt die genaue Oberflächenform der Reflexionsflächen der Spiegel M1 bis M6, wobei die Konstanten K sowie A bis G in folgende Gleichung für die Pfeilhöhe z einzusetzen sind:

h stellt hierbei den Abstand zu einer optischen Achse der Projektionsoptik 31 dar. Es gilt also h² = x² + y². Für c wird der Kehrwert von „Radius” eingesetzt.

Oberfläche	Radius	Dicke	Betriebsmodus
Objektebene	UNENDLICH	1008,515
M1	–589,188	–304,940	REFL
M2	–241,133	226,892	REFL
M3	–1530,294	–188,411	REFL
M4	557,639	1651,258	REFL
M5	1500,000	–509,557	REFL
BLENDE	UNENDLICH	–745,289
M6	1483,965	1284,846	REFL
Bildebene	UNENDLICH	0,000
Oberfläche	K	A	B	C
M1	–1,907467E–01	–4,201365E–14	–1,850017E–17	–2,806339E–22
M2	–5,642091E–01	1,123646E–08	–1,729255E–13	4,634573E–18
M3	–1,457717E–02	6,326755E–09	1,214295E–13	7,108126E–18
M4	3,218346E–03	3,917441E–09	1,354421E–13	–2,254336E–17
M5	1,035722E+00	4,337345E–10	9,699608E–16	5,753846E–21
M6	1,041374E–01	–7,896075E–13	–1,157231E–19	–3,023015E–25
Oberfläche	D	E	F	G
M1	4,451266E–27	–5,566664E–32	3,449801E–37	–8,987817E–43
M2	2,211189E–21	–1,041819E–24	1,928886E–28	–1,341001E–32
M3	–2,395752E–21	8,896309E–31	2,012774E-28	–3,680072E–32
M4	2,671995E–21	–1,455349E–25	3,081018E–32	2,302996E–34
M5	–2,106085E–25	1,011811E–29	–2,375920E–34	2,279074E–39
M6	1,895127E–30	–6,992363E–36	1,347813E–41	–1,055593E–47

Eine Baulänge der Projektionsoptik 31, also der Abstand zwischen der Objektebene 5 und der Bildebene 9, beträgt bei der Projektionsoptik 31 2423 mm. Der freie Arbeitsabstand d_w des Spiegels M5 von der Bildebene 9 beträgt 30 mm bei der Projektionsoptik 31. Der Trägerkörper 21 hat eine maximale Stärke von 26 mm, so dass zwischen einer der Reflexionsfläche des Spiegels M5 abgewandten Rückseite des Spiegels M5 und der Bildebene 9 ein freier Arbeitsabstand von 4 mm verbleibt. Ein maximaler Durchmesser der genutzten Reflexionsfläche des Spiegels M5 beträgt bei der Projektionsoptik 31 300 mm. Ein Verhältnis zwischen diesem maximalen Durchmesser und der Stärke des Trägerkörpers 21 des Spiegels M5 beträgt daher 300/26 = 11,5.
Zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauteils, insbesondere eines Halbleiter-Bauelements für die Mikroelektronik, also beispielsweise eines Mikrochips, wird folgendermaßen vorgegangen: Zunächst werden das Retikel 10 und der Wafer 11 bereitgestellt. Dann wird eine auf dem Retikel 10 vorliegende Struktur auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers 11 mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 projiziert. Durch Entwicklung der lichtempfindlichen Schicht wird dann eine Mikro- bzw. Nanostruktur auf dem Wafer 11 erzeugt.
Entsprechende Designs der Projektionsoptik 7 wie dasjenige nach 2 können auch bei anderen Anwendungen als der Projektionsbelichtung zum Einsatz kommen, beispielsweise als Mikroskopobjektiv. In diesem Falle vertauschen das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 ihre Rollen. Der Spiegel M5, also der Nachbarspiegel, ist im Falle der Anwendung der Projektionsoptik 7 als Mikroskopobjektiv dann dem Objektfeld 8 nächstbenachbart.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

- EP 1093021 A2 [0002]
- WO 2006/069725 A1 [0002]
- US 2007/0035814 A1 [0002]
- US 7186983 B2 [0002, 0056]
- US 2007/0233112 A1 [0002]
- US 2007/0058269 A1 [0017, 0053]
- US 2008/0170310 A1 [0017, 0053]
- US 2007/0223112 A1 [0020]

Claims

Abbildende Optik (7; 31) mit einer Mehrzahl von Spiegeln (M1 bis M6), die ein Objektfeld (4) in einer Objektebene (5) in ein Bildfeld (8) in einer Bildebene (9) abbilden, dadurch gekennzeichnet, dass ein Trägerkörper (21) eines Spiegels (M5), der einem der beiden Felder (4, 8) nächstbenachbart ist, des Nachbarspiegels, aus einem Material ausgeführt ist, dessen Elastizitätsmodul mindestens doppelt so groß ist wie das Elastizitätsmodul des Materials des Trägerkörpers (22) mindestens eines der anderen Spiegel (M1 bis M4, M6).
Abbildende Optik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Nachbarspiegel (M5) aus einem Material mit einem E-Modul gefertigt ist, das mindestens 150 GPa beträgt.
Abbildende Optik nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Nachbarspiegel (M5) aus Siliziumcarbid gefertigt ist.
Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die abbildende Optik (7; 31) beabstandet zum Nachbarspiegel (M5) einen deformierbaren Spiegel (M3) aufweist.
Abbildende Optik nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der deformierbare Spiegel (M3) in einer zur Anordnungsebene des Nachbarspiegels (M5) in der abbildenden Optik (7) optisch konjugierten Ebene angeordnet ist.
Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Spiegel (M1 bis M4, M6), die die abbildende Optik (7; 31) zusätzlich zum Nachbarspiegel (M5) aufweist, aus einem Material mit einem thermischen Expansionskoeffizienten aufgebaut sind, der höchstens 1 × 10^–7 m/m/K beträgt.
Abbildende Optik (31) mit einer Mehrzahl von Spiegeln (M1 bis M6), die ein Objektfeld (4) in einer Objektebene (5) in ein Bildfeld (8) in einer Bildebene (9) abbilden, dadurch gekennzeichnet, dass auf einer Verbindungsachse (32), die senkrecht auf der Objektebene (5) steht und durch den geometrischen Mittelpunkt desjenigen Spiegels (M2) verläuft, der dem Objektfeld (4) nächstbenachbart ist, der dem Objektfeld (4) nächst benachbarte Spiegel (M2) in einen Abstand (A) angeordnet ist, der größer ist als ein Abstand (B) einer im Strahlengang des Abbildungslichts (3) vor dem Objektfeld (4) liegenden Eintritts-Pupillenebene (30) der abbildenden Optik (31) zum Objektfeld.
Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 7, gekennzeichnet durch genau sechs Spiegel (M1 bis M6).
Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der Reflexionsflächen der Spiegel (M1 bis M6) als durch eine rotationssymmetrische Asphäre beschreibbare Fläche ausgeführt ist.
Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der Reflexionsflächen der Spiegel (M1 bis M6) als nicht durch eine rotationssymmetrische Funktion beschreibbare Freiformfläche ausgeführt ist.
Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens einer der Spiegel (M5, M6) eine Durchgangsöffnung (18, 19) zum Durchtritt von Abbildungslicht (3) aufweist.
Abbildende Optik (31) mit einer Mehrzahl von Spiegeln (M1 bis M6), die ein Objektfeld (4) in einer Objektebene (5) in ein Bildfeld (8) in einer Bildebene (9) abbilden, – mit einer im Strahlengang des Abbildungslichts (3) vor dem Objektfeld (4) liegenden Eintritts-Pupillenebene (30), wobei das Abbildungslicht (3) an der Objektebene (5) reflektiert ist, – mit einer Verbindungsachse (32), die senkrecht auf der Objektebene (9) steht und durch den geometrischen Mittelpunkt der Eintrittspupille verläuft, – wobei ein Schnittpunkt (C) der Verbindungsachse (32) mit der Eintritts-Pupillenebene (30) näher an der Objektebene (5) liegt als ein im Strahlengang des Abbildungslichts (3) nach dem Objektfeld (4) erster Schnittpunkt (D) eines Hauptstrahls (33) eines mittigen Objektfeldpunktes mit der Verbindungsachse (32), – wobei mindestens einer der Spiegel (M5, M6) eine Durchgangsöffnung (18, 19) zum Durchtritt von Abbildungslicht (3) aufweist.
Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie – mit einer abbildenden Optik (7; 31) nach einem der Ansprüche 1 bis 12, – mit einer Lichtquelle (2) für das Beleuchtungs- und Abbildungslicht (3), – mit einer Beleuchtungsoptik (6) zur Führung des Beleuchtungslichts (2) hin zum Objektfeld (4) der abbildenden Optik (7; 31).
Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass ein Pupillenfacettenspiegel (29) der Beleuchtungsoptik (6) in einer Eintritts-Pupillenebene (30) der abbildenden Optik (31) angeordnet ist.
Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit folgenden Verfahrensschritten: – Bereitstellen eines Retikels (10) und eines Wafers (11), – Projizieren einer Struktur auf dem Retikel (10) auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers (11) mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 13 oder 14, – Erzeugen einer Mikrostruktur auf dem Wafer (11).
Mikrostrukturiertes Bauelement, hergestellt nach einem Verfahren nach Anspruch 15.