DE102008027025A1

DE102008027025A1 - Speicher mit gemeinsam genutztem Speichermaterial

Info

Publication number: DE102008027025A1
Application number: DE102008027025A
Authority: DE
Inventors: Jan Boris Philipp; Thomas Dr. Happ
Original assignee: Qimonda AG
Current assignee: Polaris Innovations Ltd
Priority date: 2007-06-07
Filing date: 2008-06-06
Publication date: 2009-01-15
Also published as: US7977661B2; US20080304310A1

Abstract

Eine integrierte Schaltung schließt eine Bitleitung und eine Vielzahl von Zugriffseinrichtungen, die mit der Bitleitung verkoppelt sind, und eine Platte aus Phasenwechselmaterial ein. Die integrierte Schaltung schließt eine Vielzahl von Phasenwechselelementen, welche die Platte aus Phasenwechselmaterial kontaktieren, und eine Vielzahl von ersten Kontakten ein. Jeder erste Kontakt ist zwischen eine Zugriffseinrichtung und ein Phasenwechselelement gekoppelt.

Description

Querverweis auf verwandte Anmeldungen
Diese Patentanmeldung ist mit der US-Patentanmeldung, Seriennummer ##/###,###, Anwaltsaktenzeichen I331.321.101, mit dem Titel „MEMORY HAVING SHARED STORAGE MATERIAL", eingereicht am gleichen Tag wie die vorliegende Anmeldung und durch Bezugnahme in diese aufgenommen, verwandt.
Hintergrund
Eine Art von Speicher ist ein resistiver Speicher. Ein resistiver Speicher nutzt den Widerstandswert eines Speicherelements, um eines oder mehrere Datenbits zu speichern. Beispielsweise kann ein Speicherelement, das so programmiert ist, dass es einen hohen Widerstandswert aufweist, einen logischen Datenbitwert „1" darstellen, und ein Speicherelement, das so programmiert ist, dass es einen niedrigen Widerstandswert aufweist, kann eine logischen Datenbitwert „0" darstellen. Der Widerstandswert des Speicherelements wird elektrisch durch Anlegen eines Spannungsimpulses oder eines Stromimpulses an das Speicherelement geändert. Eine Art von resistivem Speicher ist ein Phasenwechselspeicher. Ein Phasenwechselspeicher verwendet ein Phasenwechselmaterial für das resistive Speicherelement.
Phasenwechselspeicher beruhen auf Phasenwechselmaterialien, die mindestens zwei unterschiedliche Zustände zeigen. Das Phasenwechselmaterial kann in Speicherzellen verwendet werden, um Datenbits zu speichern. Die Zustände des Phasenwechselmaterials können als der amorphe Zustand und der kristalline Zustand bezeichnet werden. Die Zustände können unterschieden werden, weil der amorphe Zustand im Allgemeinen eine höhere Resistivität zeigt als der kristalline Zustand. Im Allgemeinen beinhaltet der amorphe Zustand eine weniger geordnete Atomstruktur, während der kristalline Zustand ein stärker geordnetes Gitter beinhaltet. Einige Phasenwechselmaterialien zeigen mehr als einen kristallinen Zustand, z. B. einen flächenzentriert kubischen (face-centered cubic, FCC) Zustand und einen hexagonal dichtest gepackten (hexagonal closest packing, HCP) Zustand. Diese beiden kristallinen Zustände weisen unterschiedliche Resistivitäten auf und können verwendet werden, um Datenbits zu speichern. In der folgenden Beschreibung bezeichnet der amorphe Zustand allgemein den Zustand mit der höheren Resistivität, und der kristalline Zustand bezeichnet allgemein den Zustand mit der niedrigeren Resistivität.
Phasenwechsel in Phasenwechselmaterialien können reversibel induziert werden. Auf diese Weise kann der Speicher ansprechend auf Temperaturänderungen vom amorphen Zustand in den kristallinen Zustand und vom kristallinen Zustand in den amorphen Zustand wechseln. Die Temperaturänderungen des Phasenwechselmaterials können dadurch erreicht werden, dass man Strom durch das Phasenwechselmaterial selbst schickt oder Strom durch einen Widerstandsheizer schickt, der dem Phasenwechselmaterial benachbart ist. Anhand von beiden Verfahren bewirkt eine gesteuerte Erwärmung des Phasenwechselmaterials einen steuerbaren Phasenwechsel im Phasenwechselmaterial.
Ein Phasenwechselspeicher, der ein Speicherfeld bzw. Speicher-Array mit einer Vielzahl von Speicherzellen, die aus Phasenwechselmaterial bestehen, aufweist, kann unter Ausnutzung der Speicherzustände des Phasenwechselmaterials so programmiert werden, dass er Daten speichert. Eine Möglichkeit, Daten aus einer solchen Phasenwechsel-Speichervorrichtung auszulesen bzw. in diese zu schreiben, besteht darin, einen Strom- und/oder einen Spannungsimpuls, der an das Phasenwechselmaterial angelegt wird, zu steuern. Der Pegel des Stroms und/oder der Spannung entspricht im Allgemeinen der Temperatur, die im Phasenwechselmaterial der einzelnen Speicherzellen induziert wird.
Um Phasenwechselspeicher mit höherer Dichte zu erhalten, kann eine Phasenwechsel-Speicherzelle mehrere Datenbits speichern. Eine Multibit-Speicherung in einer Phasenwechsel-Speicherzelle kann dadurch erreicht werden, dass das Phasenwechselmaterial so programmiert wird, dass es Zwischenwiderstandswerte oder -zustände aufweist. Wenn die Phasenwechsel-Speicherzelle auf einen von drei unterschiedlichen Widerstandspegeln programmiert wird, können 1,5 Datenbits pro Zelle gespeichert werden. Wenn die Phasenwechsel-Speicherzelle auf einen von vier unterschiedlichen Widerstandspegeln programmiert wird, können zwei Datenbits pro Zelle gespeichert werden, und so weiter.
Während der Fertigung der Phasenwechsel-Speicherzellen wird das Phasenwechselmaterial in der Regel geätzt, um Speicherorte bereitzustellen. Das Ätzen des Phasenwechselmaterials kann jedoch die Ränder des Phasenwechselmaterials beschädigen und kann schwierig zu steuern sein. Der Einfluss des beschädigten Phasenwechselmaterials nimmt zu, je kleiner die kritische Abmessung der Phasenwechsel-Speicherzelle wird. Je kleiner die kritische Abmessung der Phasenwechsel-Speicherzelle wird, desto höher wird der Prozentanteil an Speicherplatz, den das beschädigte Phasenwechselmaterial einnimmt. Wenn der Prozentanteil an beschädigtem Phasenwechselmaterial zu groß ist, funktioniert die Phasenwechsel-Speicherzelle möglicherweise nicht richtig.
Aus diesen und anderen Gründen besteht Bedarf an der vorliegenden Erfindung.
Zusammenfassung
Eine Ausführungsform schafft eine integrierte Schaltung. Die integrierte Schaltung schließt eine Bitleitung und eine Vielzahl von Zugriffseinrichtungen ein, die mit der Bitleitung verbunden sind. Die integrierte Schaltung schließt eine Vielzahl von Phasenwechselelementen, welche die Platte aus Phasenwechselmaterial kontaktieren, und eine Vielzahl von ersten Kontakten ein. Jeder erste Kontakt ist zwischen eine Zugriffseinrichtung und ein Phasenwechselelement gekoppelt.
Kurze Beschreibung der Zeichnung
Die begleitende Zeichnung ist eingeschlossen, um ein weitergehendes Verstehen der vorliegenden Erfindung zu ermöglichen, und ist in diese Schrift aufgenommen und bildet einen Teil von ihr. Die Zeichnung stellt Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung dar und dient zusammen mit der Beschreibung dazu, die Grundlagen der Erfindung zu erläutern. Andere Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung und viele der angestrebten Vorteile der vorliegenden Erfindung werden ohne Weiteres zu erkennen sein, wenn sie durch Bezugnahme auf die folgende ausführliche Beschreibung besser verstanden werden. Die Elemente der Zeichnung sind nicht unbedingt maßstabsgetreu zueinander. Gleiche Bezugszahlen bezeichnen entsprechende ähnliche Teile.
1 ist ein Schema, das eine Ausführungsform eines Feldes bzw. Arrays aus Phasenwechsel-Speicherzellen darstellt.
2 ist eine Draufsicht auf eine Ausführungsform eines Array aus Phasenwechsel-Speicherzellen.
3A zeigt eine vereinfachte Seitenansicht einer Ausführungsform eines Array aus Phasenwechsel-Speicherzellen.
3B zeigt eine vereinfachte Seitenansicht einer anderen Ausführungsform eines Array aus Phasenwechsel-Speicherzellen.
4A ist Querschnittsdarstellung einer Ausführungsform eines Speicherorts.
4B ist eine Querschnittsdarstellung einer anderen Ausführungsform eines Speicherorts.
4C ist eine Querschnittsdarstellung einer anderen Ausführungsform eines Speicherorts.
4D ist eine Querschnittsdarstellung einer anderen Ausführungsform eines Speicherorts.
4E ist eine Querschnittsdarstellung einer anderen Ausführungsform eines Speicherorts.
5A ist eine Querschnittsdarstellung einer anderen Ausführungsform eines Speicherorts.
5B ist eine senkrechte Querschnittsdarstellung der Ausführungsform des in 5A dargestellten Speicherorts.
6A ist eine Querschnittsdarstellung einer anderen Ausführungsform eines Speicherorts.
6B ist eine senkrechte Querschnittsdarstellung der Ausführungsform des in 6A dargestellten Speicherorts.
7 ist ein Schema, das eine andere Ausführungsform eines Array aus Phasenwechsel-Speicherzellen darstellt.
8A ist eine Draufsicht auf eine Ausführungsform eines Array aus Phasenwechsel-Speicherzellen einschließlich einer Platte aus Phasenwechselmaterial.
8B ist eine Draufsicht auf eine andere Ausführungsform eines Array aus Phasenwechsel-Speicherzellen einschließlich einer Platte aus Phasenwechselmaterial.
8C ist eine Draufsicht auf eine andere Ausführungsform eines Array aus Phasenwechsel-Speicherzellen einschließlich einer Platte aus Phasenwechselmaterial.
9A ist eine Draufsicht auf eine andere Ausführungsform eines Array aus Phasenwechsel-Speicherzellen einschließlich einer Platte aus Phasenwechselmaterial.
9B ist eine Draufsicht auf eine andere Ausführungsform eines Array aus Phasenwechsel-Speicherzellen einschließlich einer Platte aus Phasenwechselmaterial.
9C ist eine Draufsicht auf eine andere Ausführungsform eines Array aus Phasenwechsel-Speicherzellen einschließlich einer Platte aus Phasenwechselmaterial.
10A ist eine Draufsicht auf eine Ausführungsform eines Array aus Phasenwechsel-Speicherzellen einschließlich mehrerer Miniplatten aus Phasenwechselmaterial.
10B ist eine Draufsicht auf eine andere Ausführungsform eines Array aus Phasenwechsel-Speicherzellen einschließlich mehrerer Miniplatten aus Phasenwechselmaterial.
10C ist eine Draufsicht auf eine andere Ausführungsform eines Array aus Phasenwechsel-Speicherzellen einschließlich mehrerer Miniplatten aus Phasenwechselmaterial.
11A ist eine Draufsicht auf eine andere Ausführungsform eines Array aus Phasenwechsel-Speicherzellen einschließlich mehrerer Miniplatten aus Phasenwechselmaterial.
11B ist eine Draufsicht auf eine andere Ausführungsform eines Array aus Phasenwechsel-Speicherzellen einschließlich mehrerer Miniplatten aus Phasenwechselmaterial.
11C ist eine Draufsicht auf eine andere Ausführungsform eines Array aus Phasenwechsel-Speicherzellen einschließlich mehrerer Miniplatten aus Phasenwechselmaterial.
12A ist eine vereinfachte Seitenansicht einer Ausführungsform eines Array aus Phasenwechsel-Speicherzellen einschließlich einer Platte aus Phasenwechselmaterial.
12B ist eine vereinfachte Seitenansicht einer Ausführungsform eines Array aus Phasenwechsel-Speicherzellen einschließlich einer Platte aus Phasenwechselmaterial.
12C ist eine vereinfachte Seitenansicht einer Ausführungsform eines Array aus Phasenwechsel-Speicherzellen einschließlich einer Platte aus Phasenwechselmaterial.
Ausführliche Beschreibung
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die begleitende Zeichnung Bezug genommen, die einen Teil von ihr bildet und in der zur Erläuterung bestimmte Ausführungsformen dargestellt sind, in denen die Erfindung verwirklicht werden kann. In diesem Zusammenhang wird Richtungsterminologie, wie „oben", „unten", „vorne", „hinten", „vorangehend", „nachgehend" usw. mit Bezug auf die Ausrichtung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung mit einer Reihe von unterschiedlichen Ausrichtungen angeordnet werden können, wird die Richtungsterminologie für die Zwecke der Darstellung verwendet und ist in keiner Weise beschränkend. Es sei darauf hingewiesen, dass auch andere Ausführungsformen verwendet werden können und dass bauliche oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne vom Bereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Die folgende ausführliche Beschreibung soll daher nicht beschränkend aufgefasst werden, und der Bereich der vorliegenden Erfindung wird in den beigefügten Ansprüchen definiert.
1 ist ein Schema, das eine Ausführungsform eines Array 100 aus Phasenwechsel-Speicherzellen darstellt. Das Speicher-Array 100 schließt eine Vielzahl von Phasenwechsel-Speicherzellen 104a–104d (gemeinsam als Phasenwechsel-Speicherzellen 104 bezeichnet), eine Vielzahl von Bitleitungen (BLs) 112a–112b (gemeinsam als Bitleitungen 112 bezeichnet), eine Vielzahl von Wortleitungen (WLs) 110a–110b (gemeinsam als Wortleitungen 110 bezeichnet) und eine Vielzahl von Masseleitungen (GLs) 114a–114b (gemeinsam als Masseleitungen 114 bezeichnet) ein. Das Speicher-Array 100 schließt auch eine Vielzahl von Leitungen aus Phasenwechselmaterial ein, wobei jede Leitung aus Phasenwechselmaterial an einer Bitleitung 112 ausgerichtet ist, diese kontaktiert und an dieser entlang verläuft.
Wie hierin verwendet, soll der Ausdruck „elektrisch verkoppelt” nicht bedeuten, dass die Elemente direkt miteinander verkoppelt sein müssen, und es können Zwischenelemente zwischen den „elektrisch verkoppelten" Elementen vorgesehen sein.
Jede Phasenwechsel-Speicherzelle 104 ist elektrisch mit einer Wortleitung 110, einer Bitleitung 112 und einer Masse- bzw. Erdleitung 114 verkoppelt. Beispielsweise ist die Phasenwechsel-Speicherzelle 104a elektrisch mit einer Bitleitung 112a, einer Wortleitung 110a und einer Masseleitung 114a verkoppelt, und eine Phasenwechsel-Speicherzelle 104b ist elektrisch mit einer Bitleitung 112a, einer Wortleitung 110b und einer Masseleitung 114b verkoppelt. Eine Phasenwechsel-Speicherzelle 104c ist elektrisch mit einer Bitleitung 112b, einer Wortleitung 110a und einer Masseleitung 114a verkoppelt, und die Phasenwechsel- Speicherzelle 104d ist elektrisch mit einer Bitleitung 112b, einer Wortleitung 110b und einer Masseleitung 114b verkoppelt.
Jede Phasenwechsel-Speicherzelle 104 schließt ein Phasenwechselelement 106 und einen Transistor 108 ein. Zwar ist der Transistor 108 in der vorliegenden Ausführungsform ein Feldeffekttransistor (FET), aber in anderen Ausführungsformen kann der Transistor 108 eine andere geeignete Einrichtung sein, wie ein bipolarer Transistor oder eine 3D-Transistorstruktur. Die Phasenwechsel-Speicherzelle 104a schließt ein Phasenwechselelement 106a und einen Transistor 108a ein. Eine Seite des Phasenwechselelements 106a ist über eine Leitung aus Phasenwechselmaterial, die entlang der Bitleitung 112a verläuft, elektrisch mit der Bitleitung 112a verkoppelt, und die andere Seite des Phasenwechselelements 106a ist elektrisch mit einer Seite eines Source/Drain-Pfads des Transistors 108a verkoppelt. Die andere Seite des Source/Drain-Pfads des Transistors 108a ist elektrisch mit einer Masseleitung 114a verkoppelt. Das Gate des Transistors 108a ist elektrisch mit der Wortleitung 110a verkoppelt.
Die Phasenwechsel-Speicherzelle 104b schließt ein Phasenwechselelement 106b und einen Transistor 108b ein. Eine Seite des Phasenwechselelements 106b ist über die Leitung aus Phasenwechselmaterial, die entlang der Bitleitung 112a verläuft, elektrisch mit der Bitleitung 112a verkoppelt, und die andere Seite des Phasenwechselelements 106b ist elektrisch mit einer Seite eines Source/Drain-Pfads des Transistors 108b verkoppelt. Die andere Seite des Source/Drain-Pfads des Transistors 108b ist elektrisch mit einer Erd- oder Masseleitung 114b verkoppelt. Das Gate des Transistors 108b ist elektrisch mit der Wortleitung 110b verkoppelt.
Die Phasenwechsel-Speicherzelle 104c schließt ein Phasenwechselelement 106c und einen Transistor 108c ein. Eine Seite des Phasenwechselelements 106c ist über eine Leitung aus Phasenwechselmaterial, die entlang der Bitleitung 112b verläuft, elektrisch mit der Bitleitung 112b verkoppelt, und die andere Seite des Phasenwechselelements 106c ist elektrisch mit einer Seite eines Source/Drain-Pfads des Transistors 108c verkoppelt. Die andere Seite des Source/Drain-Pfads des Transistors 108c ist elektrisch mit einer Masseleitung 114a verkoppelt. Das Gate des Transistors 108c ist elektrisch mit der Wortleitung 110a verkoppelt.
Die Phasenwechsel-Speicherzelle 104d schließt ein Phasenwechselelement 106d und einen Transistor 108d ein. Eine Seite des Phasenwechselelements 106d ist über eine Leitung aus Phasenwechselmaterial, die entlang der Bitleitung 112b verläuft, elektrisch mit der Bitleitung 112b verkoppelt, und die andere Seite des Phasenwechselelements 106d ist elektrisch mit einer Seite eines Source/Drain-Pfads des Transistors 108d verkoppelt. Die andere Seite des Source/Drain-Pfads des Transistors 108d ist elektrisch mit einer Masseleitung 114b verkoppelt. Das Gate des Transistors 108d ist elektrisch mit der Wortleitung 110b verkoppelt.
Jedes Phasenwechselelement 106 und jede Leitung aus Phasenwechselmaterial umfasst ein Phasenwechselmaterial, das gemäß der vorliegenden Erfindung aus einer Reihe von Materialien bestehen kann. Im Allgemeinen sind Chalkogenid-Legierungen, die eines oder mehrere Elemente der Gruppe VI des Periodensystems enthalten, als solche Materialien geeignet. In einer Ausführungsform besteht das Phasenwechselmaterial aus einer Chalkogenidverbindung, wie GeSbTe, SbTe, GeTe oder AgInSbTe. In einer anderen Ausführungsform ist das Phasenwechselmaterial frei von Chalkogen, wie GeSb, GaSb, InSb oder GeGaInSb. In anderen Ausführungsformen besteht das Phasenwechselmaterial aus irgendeinem geeigneten Material, das eines oder mehrere der Elemente Ge, Sb, Te, Ga, As, In, Se und S einschließt.
Während einer Einstell- bzw. Setzoperation der Phasenwechsel-Speicherzelle 104a wird ein Einstell- bzw. Setzstrom- oder Setzspannungsimpuls selektiv freigegeben und durch eine Bitleitung 112a und die Leitung aus Phasenwechselmaterial zu einem Phasenwechselelement 106a geschickt, wodurch das Phasenwechselelement 106a über seine Kristallisationstemperatur (aber üblicherweise nicht bis auf seine Schmelztemperatur) erwärmt wird, wobei eine Wortleitung 110a ausgewählt wird, um den Transistor 108a zu aktivieren. Auf diese Weise erreicht das Phasenwechselelement 106a während dieser Setzoperation seinen kristallinen Zustand. Während einer Rücksteil- bzw. Rücksetzoperation der Phasenwechsel-Speicherzelle 104a wird ein Rücksteil- bzw. Rücksetzstrom- oder Rücksetz spannungsimpuls selektiv zugelassen und durch die Bitleitung 112a und die Leitung aus Phasenwechselmaterial an ein Phasenwechselelement 106a geschickt. Der Rücksetzstrom oder die Rücksetzspannung erwärmt das Phasenwechselelement 106a schnell über seine Schmelztemperatur hinaus. Nach Abstellen des Strom- oder Spannungsimpulses wird das Phasenwechselelement 106a schnell auf seinen amorphen Zustand gequencht. Die Phasenwechsel-Speicherzellen 104b–104d und andere Phasenwechsel-Speicherzellen 104 im Speicher-Array 100 werden auf ähnliche Weise wie die Phasenwechsel-Speicherzelle 104a anhand eines ähnlichen Strom- oder Spannungsimpulses eingestellt und zurückgesetzt.
2 ist eine Draufsicht auf eine Ausführungsform eines Array 200 aus Phasenwechsel-Speicherzellen. Das Array 200 aus Phasenwechsel-Speicherzellen schließt Bitleitungen und Leitungen aus Phasenwechselmaterial, die mit 202 bezeichnet sind, Masseleitungen 114 und Wortleitungen 110 ein. Die Speicherzellen sind über Kontakte 204 elektrisch mit Bitleitungen und Leitungen aus Phasenwechselmaterial 202 verkoppelt. Die Speicherzellen sind über Kontakte 206 elektrisch mit den Masseleitungen 114 verkoppelt. Die Wortleitungen sind gerade Leitungen und die Bitleitungen und die Leitungen aus Phasenwechselmaterial 202 sind gerade Leitungen. Die Bitleitungen und die Leitungen aus Phasenwechselmaterial 202 verlaufen senkrecht zu den Wortleitungen. Die Masseleitungen 114 verlaufen parallel zu und zwischen den Wortleitungen 110.
Das Array 200 aus Phasenwechsel-Speicherzellen schließt Phasenwechsel-Speicherzellen mit zwei Gates ein. Das Array 200 aus Phasenwechsel-Speicherzellen hat eine Zellengröße von so wenig wie bis auf 8F² herunter, wobei F die minimale Merkmalsgröße ist. Bitleitungen und Leitungen aus Phasenwechselmaterial 202 sind elektrisch mit einer Seite der Phasenwechsel-Speicherelemente verkoppelt. Die anderen Seiten der Phasenwechsel-Speicherelemente sind über Kontakte 204 elektrisch mit einer Seite der Source/Drain-Pfade der Transistoren verkoppelt. Wortleitungen 110 sind mit den Gates der Transistoren verkoppelt. Die anderen Seiten der Source/Drain-Pfade der Transistoren sind über Kontakte 206 mit Masseleitungen 114 verkoppelt. Jeder Kontakt 206 wird von zwei Transistoren gemeinsam genutzt, um auf zwei Phasenwechsel-Speicherelemente zuzugreifen. In einer Ausführungsform sind Masseleitungen 114 tiefer angeordnet als Bitleitungen und Leitungen aus Phasenwechselmaterial 202. In einer anderen Ausführungsform sind Bitleitungen und Leitungen aus Phasenwechselmaterial 202 tiefer angeordnet als Massenleitungen 114.
Die aktiven Bereiche von Transistoren innerhalb des Array 200 aus Phasenwechsel-Speicherzellen sind mit 208 bezeichnet. Kontakte 204 und 206 sind entlang von Bitleitungen und Leitungen aus Phasenwechselmaterial 202 ausgerichtet. Ebenso sind auch die aktiven Bereiche 208 von Transistoren innerhalb von Phasenwechsel-Speicherzellen 200 an Bitleitungen und Leitungen aus Phasenwechselmaterial 202 ausgerichtet.
3A ist eine vereinfachte Seitenansicht einer Ausführungsform eines Array 240a aus Phasenwechsel-Speicherzellen. In einer Ausführungsform ähnelt das Array 240a aus Phasenwechsel-Speicherzellen 240a dem Array 100 aus Phasenwechsel-Speicherzellen (1). Das Array 240a schließt ein Substrat 248, Bitleitungen und Leitungen aus Phasenwechselmaterial 202, Masseleitungen 114, Transistoren 108, Kontakte 204, Kontakte 206, Elektroden 246 und Speicherorte einschließlich von Phasenwechselelementen 106 und Isoliermaterial 244 ein. Jede Bitleitung und Leitung aus Phasenwechselmaterial 202 schließt eine Bitleitung 112 und eine Leitung 242 aus Phasenwechselmaterial ein. Bitleitungen 112 und Masseleitungen 114 befinden sich in separaten Metallisationsschichten. In einer Ausführungsform umfassen die Bitleitungen 112W oder ein anderes geeignetes Metall und befinden sich in einer tieferen Metallisationsschicht als die Masseleitungen 114, die Al, Cu oder ein anderes geeignetes Metall umfassen. In einer anderen Ausführungsform umfassen die Bitleitungen 112 Al, Cu oder ein anderes geeignetes Metall und befinden sich in einer höheren Metallisationsschicht als die Masseleitungen 114, die W oder ein anderes geeignetes Metall umfassen.
In einer Ausführungsform verlaufen die Bitleitungen 112 senkrecht zu den Masseleitungen 114. Eine Seite des Source/Drain-Pfads jedes Transistors ist über einen Kontakt 206, der Cu, W oder ein anderes geeignetes elektrisch leitfähiges Material umfasst, mit einer Masseleitung 114 verkoppelt. Die andere Seite des Source/Drain-Pfads jedes Transistors 108 ist über einen Kontakt 204, der Cu, W oder ein anderes geeignetes elektrisch leitfähiges Material umfasst, elektrisch mit einer Elektrode 246 verkoppelt. Jede Elektrode 246 ist elektrisch mit einem Phasenwechselelement 106 verkoppelt. Jedes Phasenwechselelement 106 ist lateral von Isoliermaterial 244 umgeben. Jedes Phasenwechselelement 106 kontaktiert eine Leitung 242 aus Phasenwechselmaterial, die die Bitleitung 112 kontaktiert. Das Gate jedes Transistors 108 ist elektrisch mit einer Wortleitung 110 verkoppelt, die dotiertes Polt-Si, W, TiN, NiSi, CoSi, TiSi, WSi_x oder ein anderes geeignetes Material umfasst. In einer Ausführungsform ist das Speicherelement ein Durchkontaktierungselement oder ein anderes geeignetes Phasenwechsel-Speicherelement.
Während der Fertigung eines Array 240a aus Phasenwechsel-Speicherzellen wird Phasenwechselmaterial über einer Isolierschicht, in die V-förmige Öffnungen geätzt wurden, um Abschnitte der Elektroden 246 freizulegen, abgeschieden. Das Phasenwechselmaterial füllt die Öffnungen, wodurch Phasenwechselelemente 106 gebildet werden, und deckt die Schicht aus Isoliermaterial ab. Dann wird das Phasenwechselmaterial planarisiert und anhand von Linienlithographie geätzt, um Leitungen 242 aus Phasenwechselmaterial zu bilden. In einer anderen Ausführungsform wird leitfähiges Material über dem Phasenwechselmaterial abgeschieden, und das leitfähige Material und das Phasenwechselmaterial werden gleichzeitig geätzt, um Bitleitungen 112 und Leitungen 242 aus Phasenwechselmaterial zu bilden. In jeder Ausführungsform wird ein individuelles Ätzen der einzelnen Phasenwechselelemente 106 und somit ein Randschaden aufgrund eines Ätzens vermieden.
3B ist eine vereinfachte Seitenansicht einer anderen Ausführungsform eines Array 240b aus Phasenwechsel-Speicherzellen. Das Array 240b aus Phasenwechsel-Speicherzellen ist dem Array 240a aus Phasenwechsel-Speicherzellen, das zuvor mit Bezug auf 3A beschrieben und dargestellt wurde, ähnlich, außer dass das Array 240b aus Phasenwechsel-Speicherzellen Einkerbungen 243 in der Leitung 242 aus Phasenwechselmaterial aufweist. Die Einkerbungen in der Leitung aus Phasenwechselmaterial kommen daher, dass das Phasenwechselmaterial nach der Abscheidung des Phasenwechselmaterials nicht planarisiert wurde. Die Einkerbungen 243 werden mit leitfähigem Material gefüllt, wenn das leitfähige Material abgeschieden wird. Die Einkerbungen 243 verringern den Abstand zwischen Bitleitungen 112 und Elektroden 246, wodurch das Risiko eines Übersprechens zwischen benachbarten Speicherzellen verringert wird.
4A ist eine Querschnittsansicht einer Ausführungsform eines Speicherorts 250a. Der Speicherort 250a kann in einem Array 240a aus Phasenwechsel-Speicherzellen (3A) oder einem Array 240b aus Phasenwechsel-Speicherzellen (3B) verwendet werden. Der Speicherort 250a kann elektrisch zwischen die Elektrode 246 und die Leitung 242 aus Phasenwechselmaterial gekoppelt sein. Der Speicherort 250a schließt ein Phasenwechselelement 106 und ein Isoliermaterial 244 ein. In dieser Ausführungsform weist das Phasenwechselelement 106 eine zylindrische Form auf, und Isoliermaterial 244 umgibt das Phasenwechselelement 106 lateral.
4B ist eine Querschnittsansicht einer anderen Ausführungsform eines Speicherorts 250b. Der Speicherort 250b kann in einem Array 240a aus Phasenwechsel-Speicherzellen (3A) oder einem Array 240b aus Phasenwechsel-Speicherzellen (3B) verwendet werden. Der Speicherort 250b kann elektrisch zwischen die Elektrode 246 und die Leitung 242 aus Phasenwechselmaterial gekoppelt sein. Der Speicherort 250b schließt einen Heizerkontakt 260, ein Phasenwechselelement 106 und ein Isoliermaterial 244 ein. In dieser Ausführungsform weist das Phasenwechselelement 106 eine V-Form auf und der Heizerkontakt weist eine zylindrische Form auf und kontaktiert den Boden des Phasenwechselelements 106. Isoliermaterial 244 umgibt das Phasenwechselelement 106 und den Heizerkontakt 260 lateral.
4C ist eine Querschnittsansicht einer anderen Ausführungsform eines Speicherorts 250c. Der Speicherort 250c kann in einem Array 240a aus Phasenwechsel-Speicherzellen (3A) oder einem Array 240b aus Phasenwechsel-Speicherzellen (3B) verwendet werden. Der Speicherort 250c kann elektrisch zwischen die Elektrode 246 und die Leitung 242 aus Phasenwechselmaterial gekoppelt sein. Der Speicherort 250c schließt einen Heizerkontakt 260, ein Phasenwechselelement 106 und ein Isoliermaterial 244 ein. In dieser Ausführungsform weist das Phasenwechselelement 106 eine zylindrische Form auf und der Heizerkontakt weist ebenfalls eine zylindrische Form auf und kontaktiert den Boden des Phasenwechselelements 106. Isoliermaterial 244 umgibt das Phasenwechselelement 106 und den Heizerkontakt 260 lateral.
4D ist eine Querschnittsansicht einer anderen Ausführungsform eines Speicherorts 250d. Der Speicherort 250d kann in einem Array 240a aus Phasenwechsel-Speicherzellen (3A) oder einem Array 240b aus Phasenwechsel-Speicherzellen (3B) verwendet werden. Der Speicherort 250d kann elektrisch zwischen die Elektrode 246 und die Leitung 242 aus Phasenwechselmaterial gekoppelt sein. Der Speicherort 250d schließt einen Heizerkontakt 260, ein Phasenwechselelement 106 und ein Isoliermaterial 244 ein. In dieser Ausführungsform weist das Phasenwechselelement 106 einen zylindrischen oberen Abschnitt 262 auf, der einen V-förmigen unteren Abschnitt 264 kontaktiert. Der Heizerkontakt weist eine zylindrische Form auf und kontaktiert den Boden des unteren Abschnitts 264 des Phasenwechselelements 106. Isoliermaterial 244 umgibt das Phasenwechselelement 106 und den Heizerkontakt 260 lateral.
4E ist eine Querschnittsansicht einer anderen Ausführungsform eines Speicherorts 250e. Der Speicherort 250e kann in einem Array 240a aus Phasenwechsel-Speicherzellen (3A) oder einem Array 240b aus Phasenwechsel-Speicherzellen (3B) verwendet werden. Der Speicherort 250e kann elektrisch zwischen die Elektrode 246 und die Leitung 242 aus Phasenwechselmaterial gekoppelt sein. Der Speicherort 250e schließt ein Phasenwechselelement 106 und ein Isoliermaterial 244 ein. In dieser Ausführungsform weist das Phasenwechselelement 106 einen zylindrischen oberen Abschnitt 262 auf, der einen V-förmigen unteren Abschnitt 264 kontaktiert. Isoliermaterial 244 umgibt das Phasenwechselelement 106 lateral.
5A ist eine Querschnittsansicht einer anderen Ausführungsform von zwei Speicherorten 250f, und 5B ist eine senkrechte Querschnittsdarstellung der beiden Speicherorte 250f. Jeder Speicherort 250f kann in einem Array 240a aus Phasenwechsel-Speicherzellen (3A) oder einem Array 240b aus Phasenwechsel-Speicherzellen (3B) verwendet werden. Jeder Speicherort 250f kann elektrisch zwischen die Elektrode 246 und die Leitung 242 aus Phasenwechselmaterial gekoppelt sein. Die Speicherorte 250f schließen Phasenwechselelemente 106, Isoliermaterial 244 und Heizerkontakte 260 ein. In dieser Ausführungsform sind zwei Phasenwechselelemente 106 für jeden V-förmigen Phasenwechselabschnitt im Isoliermaterial 244 vorhanden. Die Heizerkontakte 260 weisen eine Becherform auf. Am Schnittpunkt der Heizerkontakte 260 und des Phasenwechselmaterials sind Phasenwechselelemente 106 ausgebildet.
6A ist eine Querschnittsansicht einer anderen Ausführungsform von zwei Speicherorten 250g, und 6B ist eine senkrechte Querschnittsdarstellung der beiden Speicherorte 250g. Jeder Speicherort 250g kann in einem Array 240a aus Phasenwechsel-Speicherzellen (3A) oder einem Array 240b aus Phasenwechsel-Speicherzellen (3B) verwendet werden. Jeder Speicherort 250g kann elektrisch zwischen die Elektrode 246 und die Leitung 242 aus Phasenwechselmaterial gekoppelt sein. Die Speicherorte 250g schließen Phasenwechselelemente 106, Isoliermaterial 244 und Heizerkontakte 260 ein. In dieser Ausführungsform sind zwei Phasenwechselelemente 106 für jede V-förmige Phasenwechsel-Grabenöffnung im Isoliermaterial 244 vorhanden. Die Heizerkontakte 260 weisen eine Becherform auf. Am Schnittpunkt der Heizerkontakte 260 und des Phasenwechselmaterials sind Phasenwechselelemente 106 ausgebildet.
7 ist ein Schema, das eine andere Ausführungsform eines Array 101 aus Phasenwechsel-Speicherzellen darstellt. Das Speicher-Array 101 schließt Phasenwechsel-Speicherzellen 104a–104d, Bitleitungen 112a–112b, Wortleitungen 110a–110b und eine Erd- oder Masseplatte 115 ein. Das Speicher-Array 101 schließt auch eine Platte aus Phasenwechselmaterial ein, die an der Erd- oder Masseplatte 115 ausgerichtet ist und mit dieser in Kontakt steht.
Jede Phasenwechsel-Speicherzelle 104 ist elektrisch mit einer Wortleitung 110, einer Bitleitung 112 und einer Erd- oder Masseplatte 115 verkoppelt. Beispielsweise ist die Phasenwechsel-Speicherzelle 104a elektrisch mit der Bitleitung 112a, der Wortleitung 110a und der Erd- oder Masseplatte 115 verkoppelt, und die Phasenwechsel-Speicherzelle 104b ist elektrisch mit der Bitleitung 112a, der Wortleitung 110b und der Erd- oder Masseplatte 115 verkoppelt. Die Phasenwechsel-Speicherzelle 104c ist elektrisch mit der Bitleitung 112b, der Wortleitung 110a und der Erd- oder Masseplatte 115 verkoppelt, und die Phasenwechsel-Speicherzelle 104d ist elektrisch mit der Bitleitung 112b, der Wortleitung 110b und der Erd- oder Masseplatte 115 verkoppelt.
Jede Phasenwechsel-Speicherzelle 104 schließt ein Phasenwechselelement 106 und einen Transistor 108 ein. Die Phasenwechsel-Speicherzelle 104a schließt ein Phasenwechselelement 106a und einen Transistor 108a ein. Eine Seite des Phasenwechselelements 106a ist über die Platte aus Phasenwechselmaterial elektrisch mit einer Erd- oder Masseplatte 115 verkoppelt, und die andere Seite des Phasenwechselelements 106a ist elektrisch mit einer Seite des Source/Drain-Pfads des Transistors 108a verkoppelt. Die andere Seite des Source/Drain-Pfads des Transistors 108a ist elektrisch mit der Bitleitung 112a verkoppelt. Das Gate des Transistors 108a ist elektrisch mit einer Wortleitung 110a verkoppelt. Die Phasenwechsel-Speicherzelle 104b schließt ein Phasenwechselelement 106b und einen Transistor 108b ein. Eine Seite des Phasenwechselelements 106b ist über die Platte aus Phasenwechselmaterial elektrisch mit einer Erd- oder Masseplatte 115 verkoppelt, und die andere Seite des Phasenwechselelements 106b ist elektrisch mit einer Seite des Source/Drain-Pfads des Transistors 108b verkoppelt. Die andere Seite des Source/Drain-Pfads des Transistors 108b ist elektrisch mit der Bitleitung 112a verkoppelt. Das Gate des Transistors 108b ist elektrisch mit der Wortleitung 110b verkoppelt.
Die Phasenwechsel-Speicherzelle 104c schließt ein Phasenwechselelement 106c und einen Transistor 108c ein. Eine Seite des Phasenwechselelements 106c ist über die Platte aus Phasenwechselmaterial elektrisch mit einer Erd- oder Masseplatte 115 verkoppelt, und die andere Seite des Phasenwechselelements 106c ist elektrisch mit einer Seite des Source/Drain-Pfads des Transistors 108c verkoppelt. Die andere Seite des Source/Drain-Pfads des Transistors 108c ist elektrisch mit der Bitleitung 112b verkoppelt. Das Gate des Transistors 108c ist elektrisch mit der Wortleitung 110a verkoppelt. Die Phasenwechsel-Speicherzelle 104d schließt ein Phasenwechselelement 106d und einen Transistor 108d ein. Eine Seite des Phasenwechselelements 106d ist über die Platte aus Phasenwechselmaterial elektrisch mit einer Erd- oder Masseplatte 115 verkoppelt, und die andere Seite des Phasenwechselelements 106d ist elektrisch mit einer Seite des Source/Drain-Pfads des Transistors 108d verkoppelt. Die andere Seite des Source/Drain-Pfads des Transistors 108d ist elektrisch mit der Bitleitung 112b verkoppelt. Das Gate des Transistors 108d ist elektrisch mit der Wortleitung 110b verkoppelt.
Im Betrieb wird in einer Ausführungsform während einer Schreiboperation der Phasenwechsel-Speicherzelle 104a ein Massepotential an die Erd- oder Masseplatte 115 angelegt, und die Wortleitung 110a wird ausgewählt, um den Transistor 108a zu aktivieren. Eine negative Programmierspannung wird an die Bitleitung 112a angelegt, während die Bitleitung 112b und die anderen nicht-ausgewählten Bitleitungen 112 im Speicher-Array 101 mit der Masse verbunden oder in der Schwebe gelassen werden. In einer Ausführungsform wird während einer Leseoperation der Phasenwechsel-Speicherzelle 104a ein Massepotential an die Erd- oder Masseplatte 115 angelegt, und die Wortleitung 110a wird ausgewählt, um den Transistor 108a zu aktivieren. Eine positive oder negative Lesespannung wird an die Bitleitung 112a angelegt, während die Bitleitung 112b und die anderen nicht-ausgewählten Bitleitungen 112 im Speicher-Array 101 mit der Masse verbunden werden. Bei Anlegen einer Lesespannung an die Bitleitung 112a wird der Strom durch das Phasenwechselelement 106a auf der Bitleitung 112a erfasst, um den Zustand des Phasenwechselelements 106a zu bestimmen.
Im Betrieb einer anderen Ausführungsform wird während einer Schreiboperation der Phasenwechsel-Speicherzelle 104a eine positive Versorgungsspannung (V_dd) an die Erd- oder Masseplatte 115 angelegt, und die Wortleitung 110a wird ausgewählt, um den Transistor 108a zu aktivieren. Eine Null-Volt-Programmierspannung wird an die Bitleitung 112a angelegt, während die Bitleitung 112b und die anderen nicht-ausgewählten Bitleitungen 112 im Speicher-Array 101 mit V_dd verbunden werden. In einer anderen Ausführungsform wird während einer Leseoperation der Phasenwechsel-Speicherzelle 104a V_dd an die Erd- oder Masseplatte 115 angelegt, und die Wortleitung 110a wird ausgewählt, um den Transistor 108a zu aktivieren. Eine positive Lesespannung wird an die Bitleitung 112a angelegt, während die Bitleitung 112b und die anderen nicht-ausgewählten Bitleitungen 112 im Speicher-Array 101 mit V_dd verbunden werden. Bei Anlegung einer Lesespannung an die Bitleitung 112a wird der Strom durch das Phasenwechselelement 106a auf der Bitleitung 112a erfasst, um den Zustand des Phasenwechselelements 106a zu bestimmen.
Im Betrieb einer anderen Ausführungsform wird während einer Schreiboperation der Phasenwechsel-Speicherzelle 104a ein Massepotential an die Erd- oder Masseplatte 115 angelegt, und die Wortleitung 110a wird ausgewählt, um den Transistor 108a zu aktivieren.
Eine Programmierspannung V_dd wird an die Bitleitung 112a angelegt, während die Bitleitung 112b und die anderen nicht-ausgewählten Bitleitungen 112 im Speicher-Array 101 mit der Masse verbunden oder in der Schwebe gelassen werden. In einer anderen Ausführungsform wird während einer Leseoperation der Phasenwechsel-Speicherzelle 104a ein Massepotential an die Erd- oder Masseplatte 115 angelegt, und die Wortleitung 110a wird ausgewählt, um den Transistor 108a zu aktivieren. Eine positive oder negative Lesespannung wird an die Bitleitung 112a angelegt, während die Bitleitung 112b und die anderen nichtausgewählten Bitleitungen 112 im Speicher-Array 101 mit V_dd verbunden werden. Wenn die Lesespannung an die Bitleitung 112a angelegt wird, wird der Strom durch das Phasenwechselelement 106a auf der Bitleitung 112a erfasst, um den Zustand des Phasenwechselelements 106a zu bestimmen.
Im Betrieb einer anderen Ausführungsform wird während einer Schreiboperation der Phasenwechsel-Speicherzelle 104a V_dd/2 oder ein anderer geeigneter Bruch f an die Erd- oder Masseplatte 115 angelegt, und die Wortleitung 110a wird ausgewählt, um den Transistor 108a zu aktivieren. Eine –V_dd/2- oder eine entsprechende f – 1-Programmierspannung wird an die Bitleitung 112a angelegt, während die Bitleitung 112b und die anderen nichtausgewählten Bitleitungen 112 im Speicher-Array 101 mit V_dd/2 oder f verbunden werden. In einer anderen Ausführungsform wird während einer Leseoperation der Phasenwechsel-Speicherzelle 104a V_dd/2 oder ein anderer geeigneter Bruch f an die Erd- oder Masseplatte 115 angelegt, und die Wortleitung 110a wird ausgewählt, um den Transistor 108a zu aktivieren. Eine positive oder negative Lesespannung wird an die Bitleitung 112a angelegt, während die Bitleitung 112b und die anderen nicht-ausgewählten Bitleitungen 112 im Speicher-Array 101 mit V_dd/2 oder f verbunden werden. Bei Anlegung einer Lesespannung an die Bitleitung 112a wird der Strom durch das Phasenwechselelement 106a auf der Bitleitung 112a erfasst, um den Zustand des Phasenwechselelements 106a zu bestimmen. Die Phasenwechsel-Speicherzelle 104b–104d und die anderen Phasenwechsel-Speicherzellen 104 im Speicher-Array 101 werden ähnlich wie die Phasenwechsel-Speicherzelle 104a unter Verwendung ähnlicher Lese- und Schreiboperationen gelesen und beschrieben.
8A ist eine Draufsicht auf eine Ausführungsform eines Array 300a aus Phasenwechsel-Speicherzellen einschließlich einer leitfähigen Platte und einer Platte aus Pha senwechselmaterial, wie bei 302 angegeben. Die leitfähige Platte kontaktiert die Platte aus Phasenwechselmaterial und ist über dieser angeordnet. Das Array 300a aus Phasenwechsel-Speicherzellen schließt Bitleitungen 112, die leitfähige Platte und die Platte aus Phasenwechselmaterial 302, sowie Wortleitungen 110 ein. Die Speicherzellen sind über Kontakte 204 elektrisch mit der leitfähigen Platte und der Platte aus Phasenwechselmaterial 302 verbunden. Die Speicherzellen sind über Kontakte 206 elektrisch mit Bitleitungen 112 verbunden. Die Wortleitungen 110 verlaufen senkrecht zu den Bitleitungen 112.
Das Array 300a aus Phasenwechsel-Speicherzellen schließt Phasenwechsel-Speicherzellen mit Einzel-Gates ein. Das Array 300a aus Phasenwechsel-Speicherzellen weist eine Zellengröße von so wenig wie bis 6F² hinunter auf, wobei F die minimale Merkmalsgröße ist. In anderen Ausführungsformen werden breitere Transistoren verwendet, so dass der Abstand zwischen den Kontakten 204 vergrößert ist. Die Bitleitungen 112 sind über Kontakte 206 elektrisch mit einer Seite der Source/Drain-Pfade der Transistoren verbunden. Jeder Kontakt 206 wird von zwei Transistoren gemeinsam verwendet, um auf zwei Phasenwechsel-Speicherelemente zuzugreifen. Die Wortleitungen 110 sind elektrisch mit den Gates der Transistoren verkoppelt. Die anderen Seiten der Source/Drain-Pfade der Transistoren sind über Kontakte 204 elektrisch mit einer Seite der Phasenwechsel-Speicherelemente verkoppelt. Die anderen Seiten der Phasenwechsel-Speicherelemente sind elektrisch mit der Platte aus Phasenwechselmaterial verkoppelt. In einer Ausführungsform befinden sich die leitfähige Platte und die Platte aus Phasenwechselmaterial 302 über den Bitleitungen 112.
Die aktiven Bereiche der Transistoren innerhalb des Array 300a aus Phasenwechsel-Speicherzellen sind mit 208 bezeichnet. Aktive Bereiche 208 sind so entworfen, dass sie von einem oberen linken Kontakt 204 zu einem unteren rechten Kontakt 204 diagonal über das Array 300a aus Phasenwechsel-Speicherzellen verlaufen. Die aktiven Bereiche 208 verlaufen von einem Kontakt 204 quer über eine erste Wortleitung 110 zu einer Bitleitung 112 und von der Bitleitung 112 quer über eine zweite Wortleitung 110 zu einem zweiten Kontakt 204.
8B zeigt eine Draufsicht auf eine andere Ausführungsform eines Array 300b aus Phasenwechsel-Speicherzellen, das eine leitfähige Platte und eine Platte aus Phasen wechselmaterial aufweist, wie bei 302 angezeigt. Das Array 300b aus Phasenwechsel-Speicherzellen ähnelt dem zuvor mit Bezug auf 6A beschriebenen und dargestellten Array 300a aus Phasenwechsel-Speicherzellen, außer dass in dem Array 300b aus Phasenwechsel-Speicherzellen aktive Bereiche 208 so entworfen sind, dass ihre Richtungen diagonal über dem Array abwechseln. Die aktiven Bereiche 208 wechseln zwischen solchen, die von einem oberen rechten Kontakt 204 zu einem linken unteren Kontakt 204 verlaufen, und solchen, die von einem oberen linken Kontakt 204 zu einem unteren rechten Kontakt 204 verlaufen, ab.
8C zeigt eine Draufsicht auf eine andere Ausführungsform in einem Array 300c aus Phasenwechsel-Speicherzellen, das eine leitfähige Platte und eine Platte aus Phasenwechselmaterial aufweist, wie bei 302 angezeigt. Das Array 300c aus Phasenwechsel-Speicherzellen ähnelt dem zuvor mit Bezug auf 8B beschriebenen und dargestellten Array 300b aus Phasenwechsel-Speicherzellen, außer dass in dem Array 300c aus Phasenwechsel-Speicherzellen die Bitleitungen 112 keine geraden Leitungen sind. Die Bitleitungen 112 verlaufen im Zickzack zwischen Kontakten quer über das Array 300c aus Phasenwechsel-Speicherzellen.
9A zeigt eine Draufsicht auf eine andere Ausführungsform eines Array 320a aus Phasenwechsel-Speicherzellen, das eine leitfähige Platte und eine Platte aus Phasenwechselmaterial aufweist, wie bei 302 angezeigt. Das Array 320a aus Phasenwechsel-Speicherzellen schließt Bitleitungen 112, die leitfähige Platte und die Platte aus Phasenwechselmaterial 302 und Wortleitungen 110 ein. Speicherzellen sind über Kontakte 204 elektrisch mit der leitfähigen Platte und der Platte aus Phasenwechselmaterial 302 verkoppelt. Die Speicherzellen sind über Kontakte 206 elektrisch mit den Bitleitungen 112 verkoppelt. Die Wortleitungen 110 sind gerade Leitungen und die Bitleitungen 112 sind keine geraden Leitungen. Die Bitleitungen 112 verlaufen im Zickzack zwischen den Kontakten 204 quer über das Array 300c aus Phasenwechsel-Speicherzellen.
Das Array 302a aus Phasenwechsel-Speicherzellen schließt Phasenwechsel-Speicherzellen mit Doppel-Gates ein. Das Array 320a aus Phasenwechsel-Speicherzellen weist eine Zellengröße von so wenig wie bis 8F² hinunter auf, wobei F die minimale Merk malsgröße ist. Die Bitleitungen 112 sind über Kontakte 206 elektrisch mit einer Seite der Source/Drain-Pfade der Transistoren verbunden. Jeder Kontakt 206 wird von zwei Transistoren gemeinsam verwendet, um auf zwei Phasenwechsel-Speicherelemente zuzugreifen. Die Wortleitungen 110 sind im Wesentlichen mit den Gates der Transistoren verkoppelt. Die anderen Seiten der Source/Drain-Pfade der Transistoren sind über Kontakte 204 elektrisch mit einer Seite der Phasenwechsel-Speicherelemente verkoppelt. Die anderen Seiten der Phasenwechsel-Speicherelemente sind elektrisch mit der Platte aus Phasenwechselmaterial verkoppelt. In einer Ausführungsform befinden sich die leitfähige Platte und die Platte aus Phasenwechselmaterial 302 über den Bitleitungen 112.
Die aktiven Bereiche der Transistoren innerhalb des Array 320a aus Phasenwechsel-Speicherzellen sind mit 208 bezeichnet. Aktive Bereiche 208 sind so entworfen, dass sie in alternierenden Richtungen quer über das Array 320a aus Phasenwechsel-Speicherzellen verlaufen. Die aktiven Bereiche 208 alternieren zwischen einem Verlauf von einem oberen rechten Kontakt 204 zu einem unteren linken Kontakt 204 und von einem oberen linken Kontakt zu einem unteren rechten Kontakt. Die aktiven Bereiche 208 verlaufen von einem Kontakt 204 quer über eine erste Wortleitung 110 zu einer Bitleitung 112 und von der Bitleitung 112 quer über eine zweite Wortleitung 110 zu einem zweiten Kontakt 204.
9B zeigt eine Draufsicht auf eine andere Ausführungsform eines Array 320b aus Phasenwechsel-Speicherzellen, das eine leitfähige Platte und eine Platte aus Phasenwechselmaterial aufweist, wie bei 302 angezeigt. Das Array 320b aus Phasenwechsel-Speicherzellen ähnelt dem zuvor mit Bezug auf 9A beschriebenen und dargestellten Array 320a aus Phasenwechsel-Speicherzellen, außer dass in dem Array 320b aus Phasenwechsel-Speicherzellen Bitleitungen 112 gerade Leitungen sind und im Wesentlichen senkrecht zu den Wortleitungen 110 verlaufen.
9C zeigt eine Draufsicht auf eine andere Ausführungsform eines Array 320c aus Phasenwechsel-Speicherzellen, das eine leitfähige Platte und eine Platte aus Phasenwechselmaterial aufweist, wie bei 302 angezeigt. Das Array 320c aus Phasenwechsel-Speicherzellen ähnelt dem zuvor mit Bezug auf 9B beschriebenen und dargestellten Array 320b aus Phasenwechsel-Speicherzellen, außer dass in dem Array 320c aus Phasen wechsel-Speicherzellen aktive Bereiche 208 ihre Richtung an jedem Phasenwechselelement ändern. Die aktiven Bereiche 208 verlaufen im Zickzack quer über dem Array 320c aus Phasenwechsel-Speicherzellen entlang den einzelnen Bitleitungen 112.
10A ist eine Draufsicht auf eine Ausführungsform eines Array 400a aus Phasenwechsel-Speicherzellen, das mehrere Miniplatten aus leitfähigem Material und Phasenwechselmaterial aufweist, wie bei 402a–402d angezeigt. Jede leitfähige Miniplatte kontaktiert jede Miniplatte aus Phasenwechselmaterial und befindet sich über dieser. Das Array 400a aus Phasenwechsel-Speicherzellen ähnelt dem Array 300a aus Phasenwechsel-Speicherzellen, das zuvor mit Bezug auf 8A beschrieben und dargestellt wurde, außer dass im Array 400a aus Phasenwechsel-Speicherzellen die leitfähige Platte und die Platte aus Phasenwechselmaterial 302 durch Miniplatten 402a–402d ersetzt sind. Jede Miniplatte 402a–402d kontaktiert 4, 8, 16, 32, 64, 128 oder eine andere geeignete Zahl von Phasenwechselelementen. In einer Ausführungsform verringern die Miniplatten 402a–402d den Leistungsverbrauch des Array 400a aus Phasenwechsel-Speicherzellen im Vergleich zum Array 300a aus Phasenwechsel-Speicherzellen, indem sie den Strom, der verwendet wird, um eine Platte während Lese- und Schreiboperationen zu laden, verringern.
10B ist eine Draufsicht auf eine andere Ausführungsform eines Array 400b aus Phasenwechsel-Speicherzellen, das mehrere Miniplatten aus leitfähigem Material und Phasenwechselmaterial aufweist, wie bei 402a–402d angezeigt. Jede leitfähige Miniplatte kontaktiert jede Miniplatte aus Phasenwechselmaterial und befindet sich über diesen. Das Array 400b aus Phasenwechsel-Speicherzellen ähnelt dem Array 300b aus Phasenwechsel-Speicherzellen, das zuvor mit Bezug auf 8B beschrieben und dargestellt wurde, außer dass im Array 400b aus Phasenwechsel-Speicherzellen die leitfähige Platte und die Platte aus Phasenwechselmaterial 302 durch Miniplatten 402a–402d ersetzt sind. Jede Miniplatte 402a–402d kontaktiert 4, 8, 16, 32, 64, 128 oder eine andere geeignete Zahl von Phasenwechselelementen. In einer Ausführungsform verringern die Miniplatten 402a–402d den Leistungsverbrauch des Array 400b aus Phasenwechsel-Speicherzellen im Vergleich zum Array 300b aus Phasenwechsel-Speicherzellen, indem sie den Strom, der verwendet wird, um eine Platte während Lese- und Schreiboperationen zu laden, verringert.
10C ist eine Draufsicht auf eine andere Ausführungsform eines Array 400c aus Phasenwechsel-Speicherzellen, das mehrere Miniplatten aus leitfähigem Material und Phasenwechselmaterial aufweist, wie bei 402a–402d angezeigt. Jede leitfähige Miniplatte kontaktiert jede Miniplatte aus Phasenwechselmaterial und befindet sich über diesen. Das Array 400c aus Phasenwechsel-Speicherzellen ähnelt dem Array 300c aus Phasenwechsel-Speicherzellen, das zuvor mit Bezug auf 8C beschrieben und dargestellt wurde, außer dass im Array 400c aus Phasenwechsel-Speicherzellen die leitfähige Platte und die Platte aus Phasenwechselmaterial 302 durch Miniplatten 402a–402d ersetzt sind. Jede Miniplatte 402a–402d kontaktiert 4, 8, 16, 32, 64, 128 oder eine andere geeignete Zahl von Phasenwechselelementen. In einer Ausführungsform verringern die Miniplatten 402a–402d den Leistungsverbrauch des Array 400c aus Phasenwechsel-Speicherzellen im Vergleich zum Array 300c aus Phasenwechsel-Speicherzellen, indem sie den Strom, der verwendet wird, um eine Platte während Lese- und Schreiboperationen zu laden, verringert.
11A ist eine Draufsicht auf eine andere Ausführungsform eines Array 420a aus Phasenwechsel-Speicherzellen, das mehrere Miniplatten aus leitfähigem Material und Phasenwechselmaterial aufweist, wie bei 402a–402d angezeigt. Jede leitfähige Miniplatte kontaktiert jede Miniplatte aus Phasenwechselmaterial und befindet sich über diesen. Das Array 420a aus Phasenwechsel-Speicherzellen ähnelt dem Array 320a aus Phasenwechsel-Speicherzellen, das zuvor mit Bezug auf 9A beschrieben und dargestellt wurde, außer dass im Array 420a aus Phasenwechsel-Speicherzellen die leitfähige Platte und die Platte aus Phasenwechselmaterial 302 durch Miniplatten 402a–402d ersetzt sind. Jede Miniplatte 402a–402d kontaktiert 4, 8, 16, 32, 64, 128 oder eine andere geeignete Zahl von Phasenwechselelementen. In einer Ausführungsform verringern die Miniplatten 402a–402d den Leistungsverbrauch des Array 420a aus Phasenwechsel-Speicherzellen im Vergleich zum Array 320a aus Phasenwechsel-Speicherzellen, indem sie den Strom, der verwendet wird, um eine Platte während Lese- und Schreiboperationen zu laden, verringert.
11B ist eine Draufsicht auf eine andere Ausführungsform eines Array 420b aus Phasenwechsel-Speicherzellen, das mehrere Miniplatten aus leitfähigem Material und Phasenwechselmaterial aufweist, wie bei 402a–402d angezeigt. Jede leitfähige Miniplatte kontaktiert jede Miniplatte aus Phasenwechselmaterial und befindet sich über diesen. Das Array 420b aus Phasenwechsel-Speicherzellen ähnelt dem Array 320b aus Phasenwechsel-Speicherzellen, das zuvor mit Bezug auf 10B beschrieben und dargestellt wurde, außer dass im Array 420b aus Phasenwechsel-Speicherzellen die leitfähige Platte und die Platte aus Phasenwechselmaterial 302 durch Miniplatten 402a–402d ersetzt sind. Jede Miniplatte 402a–402d kontaktiert 4, 8, 16, 32, 64, 128 oder eine andere geeignete Zahl von Phasenwechselelementen. In einer Ausführungsform verringern die Miniplatten 402a–402d den Leistungsverbrauch des Array 420b aus Phasenwechsel-Speicherzellen im Vergleich zum Array 320b aus Phasenwechsel-Speicherzellen, indem es den Strom, der verwendet wird, um eine Platte während Lese- und Schreiboperationen zu laden, verringert.
11C ist eine Draufsicht auf eine andere Ausführungsform eines Array 420c aus Phasenwechsel-Speicherzellen, das mehrere Miniplatten aus leitfähigem Material und Phasenwechselmaterial aufweist, wie bei 402a–402d angezeigt. Jede leitfähige Miniplatte kontaktiert jede Miniplatte aus Phasenwechselmaterial und befindet sich über diesen. Das Array 420c aus Phasenwechsel-Speicherzellen ähnelt dem Array 320c aus Phasenwechsel-Speicherzellen, das zuvor mit Bezug auf 9C beschrieben und dargestellt wurde, außer dass im Array 420c aus Phasenwechsel-Speicherzellen die leitfähige Platte und die Platte aus Phasenwechselmaterial 302 durch Miniplatten 402a–402d ersetzt sind. Jede Miniplatte 402a–402d kontaktiert 4, 8, 16, 32, 64, 128 oder eine andere geeignete Zahl von Phasenwechselelementen. In einer Ausführungsform verringern die Miniplatten 402a–402d den Leistungsverbrauch des Array 420c aus Phasenwechsel-Speicherzellen im Vergleich zum Array 320c aus Phasenwechsel-Speicherzellen, indem es den Strom, der verwendet wird, um eine Platte während Lese- und Schreiboperationen zu laden, verringert.
12A ist eine vereinfachte Seitenansicht einer Ausführungsform eines Array 440 aus Phasenwechsel-Speicherzellen, das eine leitfähige Platte und eine Platte aus Phasenwechselmaterial 444 einschließt. 12A ist diagonal entlang eines aktiven Bereichs 208 (8A) genommen, und zu einem Kontakt 204 in der gleichen Spalte mit einem Kontakt 204, der Teil des aktiven Bereichs 208 ist. 12B ist eine vereinfachte Seitenansicht einer Ausführungsform eines Array 440 aus Phasenwechsel-Speicherzellen durch ein Phasenwechselelement 106, und 10C ist eine weitere vereinfachte Seitenansicht einer Ausführungsform eines Array 440 aus Phasenwechsel-Speicherzellen durch eine Bitleitung 112. In einer Ausführungsform ähneln die leitfähige Platte 442 und die Platte aus Phasenwechselmaterial 444 der leitfähigen Platte und der Platte aus Phasenwechselmaterial 303, die mit Bezug auf 8A–9C beschrieben und dargestellt wurden. In einer anderen Ausführungsform ähneln die leitfähige Platte 442 und die Platte aus Phasenwechselmaterial 440 den mit Bezug auf 10A–11C beschriebenen und dargestellten Miniplatten 402.
Das Array 440 aus Phasenwechsel-Speicherzellen schließt ein Substrat 248, das eine flache Grabenisolierung (STI) 450 aufweist, Transistoren 108, Isolier-Gates 446, eine leitfähige Platte 442, eine Platte 444 aus Phasenwechselmaterial, Phasenwechselelemente 106, Phasenwechselelementkontakte 204, Bitleitungskontakte 206, Bitleitungen 112 und dielektrisches Material 448 ein. Ein dielektrisches Material 448a und eine Bitleitung 112a sind Teil des dielektrischen Materials 448 und der Bitleitung 112, sind aber hinter den Phasenwechselelementkontakten 204 angeordnet.
Transistoren 108 zum Auswählen von Phasenwechsel-Speicherelementen 106 sind auf dem Substrat 248 ausgebildet. Die Gates der Transistoren 108 sind elektrisch mit Wortleitungen 110 verkoppelt. Isolier-Gates 446 sind zwischen Transistoren 108 auf dem Substrat 248 ausgebildet. Dielektrisches Material 448 ist über Transistoren 108 und Isolier-Gates 406 abgeschieden. Phasenwechselelementkontakte 204 verkoppeln eine Seite des Source/Drain-Pfads jedes Transistors 108 elektrisch mit einem Phasenwechselelement 106, und Bitleitungskontakte 206 verkoppeln die andere Seite des Source/Drain-Pfads jedes Transistors 108 elektrisch mit einer Bitleitung 112. Isoliermaterial 244 umgibt die Phasenwechselelemente 106 lateral.
In einer Ausführungsform schließt dielektrisches Material 448, das Bitleitungen 112 abdeckt, SiN oder ein anderes geeignetes Material ein. Die Platte aus Phasenwechselmaterial 444 verkoppelt die Phasenwechselelemente elektrisch mit der leitfähigen Platte 442.
Während der Fertigung des Array 440 aus Phasenwechsel-Speicherzellen wird ein Phasenwechselmaterial über einer Schicht aus Isoliermaterial, in die V-förmige Öffnungen geätzt wurden, um Abschnitte der Kontakte 204 freizulegen, abgeschieden. In einer Ausfüh rungsform sind die V-förmigen Öffnungen konische Durchkontaktierungen, die in die Schicht aus Isoliermaterial geätzt wurden. In einer anderen Ausführungsform sind die V-förmigen Öffnungen Gräben, die in die Schicht aus Isoliermaterial geätzt wurden. In jedem Fall füllt das Phasenwechselmaterial die Öffnungen und deckt die Schicht aus Isoliermaterial ab. Ein Phasenwechselelement 106 wird an jedem Schnittpunkt des Phasenwechselmaterials und eines Kontakts 204 ausgebildet. Das Phasenwechselmaterial wird dann planarisiert, um eine Platte aus Phasenwechselmaterial zu bilden. Die Platte aus Phasenwechselmaterial wird optional geätzt, um Miniplatten aus Phasenwechselmaterial zu bilden. In einer anderen Ausführungsform wird ein leitfähiges Material über der Platte aus Phasenwechselmaterial abgeschieden, und die leitfähige Platte und die Platte aus Phasenwechselmaterial werden beide optional geätzt, um Miniplatten aus leitfähigem Material und aus Phasenwechselmaterial zu bilden. In jeder Ausführungsform wird ein individuelles Ätzen jedes Phasenwechselelements 106 und somit ein Randschaden durch das Ätzen vermieden. In einer anderen Ausführungsform wird das Phasenwechselmaterial nicht planarisiert, und Einkerbungen 243, wie in 3B dargestellt, sind in der Platte aus Phasenwechselmaterial 444 vorhanden. In anderen Ausführungsformen kann einer der Speicherorte 250a–250g, wie in den 4A–6B dargestellt, anstelle der in den 12A und 12 dargestellten V-förmigen Phasenwechselelemente verwendet werden.
Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung schaffen einen Phasenwechselspeicher, in dem ein Ätzen des Phasenwechselmaterials, um einzelne Phasenwechselelemente zu bilden, vermieden wird. Mehr als zwei Speicherzellen in dem Phasenwechselspeicher erhalten gemeinsam eine Abscheidung von Phasenwechselmaterial. Die miteinander geteilte Abscheidung von Phasenwechselmaterial kann eine Leitung aus Phasenwechselmaterial, die entlang jeder Bitleitung verläuft, eine Platte aus Phasenwechselmaterial, die das gesamte Array aus Speicherzellen abdeckt, oder Miniplatten aus Phasenwechselmaterial, die Abschnitte des Array aus Speicherzellen abdecken, einschließen.
Obwohl hierin bestimmte Ausführungsformen beschrieben und dargestellt wurden, weiß der Durchschnittsfachmann, dass eine Reihe von alternativen und/oder äquivalenten Implementierungen die dargestellten und beschriebenen speziellen Ausführungsformen ersetzen können, ohne vom Bereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Diese Anmel dung soll alle Adaptionen oder Variationen der hierin erörterten bestimmten Ausführungsformen abdecken. Daher soll die Erfindung nur durch die Ansprüche und deren Äquivalente beschränkt werden.

Claims

Integrierte Schaltung, die aufweist: eine Bitleitung; eine Vielzahl von Zugriffseinrichtungen, die mit der Bitleitung verkoppelt sind; eine Platte aus Phasenwechselmaterial; eine Vielzahl von Phasenwechselelementen, die die Platte aus Phasenwechselmaterial kontaktieren, und eine Vielzahl von ersten Kontakten, wobei jeder erste Kontakt zwischen eine Zugriffseinrichtung und ein Phasenwechselelement gekoppelt ist.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, wobei jedes Phasenwechselelement von einer Durchkontaktierung, die in Isoliermaterial ausgebildet ist, definiert ist.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, die ferner aufweist: eine Vielzahl von Heizerkontakten, wobei jeder Heizerkontakt zwischen ein Phasenwechselelement und einen ersten Kontakt gekoppelt ist.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, wobei jede Zugriffseinrichtung einen Transistor umfasst.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, wobei die Platte aus Phasenwechselmaterial und die Vielzahl von Phasenwechselelementen mindestens eines von Ge, Sb, Te, Ga, As, In, Se und S umfassen.
Speicher, der aufweist: eine Bitleitung; einen ersten Abschnitt aus Phasenwechselmaterial, der mit der Bitleitung verkoppelt ist; und mindestens drei Phasenwechselelemente, die mit dem ersten Abschnitt aus Phasenwechselmaterial in Kontakt stehen; und mindestens drei erste Kontakte, wobei jeder erste Kontakt mit einem der Phasenwechselelemente verkoppelt ist.
Speicher nach Anspruch 6, wobei jedes Phasenwechselelement von einer Durchkontaktierung, die in Isoliermaterial ausgebildet ist, definiert ist.
Speicher nach Anspruch 6, der ferner aufweist: mindestens drei Heizerkontakte, wobei jeder Heizerkontakt elektrisch zwischen ein Phasenwechselelement und einen ersten Kontakt gekoppelt ist.
Speicher, der aufweist: eine Bitleitung; eine Leitung aus Phasenwechselmaterial, die die Bitleitung kontaktiert, und eine Vielzahl von Phasenwechselelementen, die die Leitung aus Phasenwechselmaterial kontaktieren, und eine Vielzahl von ersten Kontakten, wobei jeder erste Kontakt mit einem der Phasenwechselelemente verkoppelt ist.
Speicher nach Anspruch 9, wobei jedes Phasenwechselelement von einer Durchkontaktierung, die in Isoliermaterial ausgebildet ist, definiert wird.
Speicher nach Anspruch 9, der ferner aufweist: eine Vielzahl von Heizerkontakten, wobei jeder Heizerkontakt elektrisch zwischen ein Phasenwechselelement und einen zweiten Kontakt gekoppelt ist.
Speicher nach Anspruch 9, der ferner aufweist: eine Zugriffseinrichtung, die mit jedem der ersten Kontakte verkoppelt ist.
Speicher nach Anspruch 12, wobei die Zugriffseinrichtung einen Transistor umfasst.
Speicher nach Anspruch 9, wobei die Leitung aus Phasenwechselmaterial und die Vielzahl von Phasenwechselelementen mindestens eines von Ge, Sb, Te, Ga, As, In, Se und S umfassen.
Verfahren zur Erzeugung eines Speichers, wobei das Verfahren umfasst: Bereitstellen einer Vielzahl von Kontakten; Abscheiden einer Schicht aus Isoliermaterial über der Vielzahl von Kontakten; Ätzen von Öffnungen in die Schicht aus Isoliermaterial, um die Kontakte freizulegen; Abscheiden von Phasenwechselmaterial über freiliegenden Abschnitten der Kontakte und der geätzten Schicht aus Isoliermaterial; und Ätzen des Phasenwechselmaterials, um Leitungen aus Phasenwechselmaterial auszubilden, die die Kontakte kontaktieren.
Verfahren nach Anspruch 15, das ferner umfasst: Bereitstellen von Bitleitungen, die an den Leitungen aus Phasenwechselmaterial ausgerichtet sind und diese kontaktieren, wobei die Leitungen aus Phasenwechselmaterial Einkerbungen über den Kontakten einschließen.
Verfahren nach Anspruch 15, das ferner umfast: Planarisieren des Phasenwechselmaterials.
Verfahren nach Anspruch 17, das ferner umfasst: Bereitstellen von Bitleitungen, die an Leitungen aus Phasenwechselmaterial ausgerichtet sind und diese kontaktieren.
Verfahren nach Anspruch 15, wobei das Ätzen des Phasenwechselmaterials das Ätzen des Phasenwechselmaterials, um gerade Leitungen aus Phasenwechselmaterial zu bilden, umfasst.
Verfahren nach Anspruch 15, wobei das Ätzen des Phasenwechselmaterials das Ätzen des Phasenwechselmaterials, um Zickzackleitungen aus Phasenwechselmaterial zu bilden, umfasst.
Verfahren zum Fertigen eines Speichers, wobei das Verfahren umfasst: Bereitstellen einer Vielzahl von Kontakten; Abscheiden einer Schicht aus Isoliermaterial über der Vielzahl von Kontakten; Ätzen von Öffnungen in die Schicht aus Isoliermaterial, um die Kontakte freizulegen; Abscheiden von Phasenwechselmaterial über freiliegenden Abschnitten der Kontakte und der geätzten Schicht aus Isoliermaterial; und Abscheiden von leitfähigem Material über dem Phasenwechselmaterial.
Verfahren nach Anspruch 21, das ferner umfasst: Planarisieren des Phasenwechselmaterials.
Verfahren nach Anspruch 21, das ferner umfasst: Ätzen des leitfähigen Materials und des Phasenwechselmaterials, um Miniplatten aus leitfähigem Material und Phasenwechselmaterial zu bilden.
Verfahren nach Anspruch 21, das ferner umfasst: Bereitstellen einer Vielzahl von Zugriffseinrichtungen, wobei jede Zugriffseinrichtung mit einem Kontakt verkoppelt ist, und Bereitstellen einer Vielzahl von Bitleitungen, wobei jede Bitleitung mit einer Zugriffseinrichtung verkoppelt ist.
Verfahren nach Anspruch 24, wobei das Bereitstellen der Bitleitungen das Bereitstellen von geraden Bitleitungen umfasst.
Verfahren nach Anspruch 24, wobei das Bereitstellen der Bitleitungen das Bereitstellen von im Zickzack verlaufenden Bitleitungen umfasst.