DE102008011809A1 - Optoelektronisches Bauelement - Google Patents
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- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
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Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102008011809A DE102008011809A1 (de) | 2007-12-20 | 2008-02-29 | Optoelektronisches Bauelement |
| CN2008801217028A CN101904022B (zh) | 2007-12-20 | 2008-12-04 | 光电子器件 |
| PCT/DE2008/002036 WO2009079978A1 (de) | 2007-12-20 | 2008-12-04 | Optoelektronisches bauelement |
| EP08864112.1A EP2223354B1 (de) | 2007-12-20 | 2008-12-04 | Optoelektronisches bauelement |
| KR1020107016078A KR20100099309A (ko) | 2007-12-20 | 2008-12-04 | 광전 소자 |
| US12/809,682 US8476667B2 (en) | 2007-12-20 | 2008-12-04 | Optoelectronic component |
| JP2010538326A JP5568476B2 (ja) | 2007-12-20 | 2008-12-04 | オプトエレクトロニクス部品 |
| TW097148008A TWI431806B (zh) | 2007-12-20 | 2008-12-10 | 光電組件 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102007061480.4 | 2007-12-20 | ||
| DE102007061480 | 2007-12-20 | ||
| DE102008011809A DE102008011809A1 (de) | 2007-12-20 | 2008-02-29 | Optoelektronisches Bauelement |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102008011809A1 true DE102008011809A1 (de) | 2009-06-25 |
Family
ID=40690045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102008011809A Withdrawn DE102008011809A1 (de) | 2007-12-20 | 2008-02-29 | Optoelektronisches Bauelement |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8476667B2 (enExample) |
| EP (1) | EP2223354B1 (enExample) |
| JP (1) | JP5568476B2 (enExample) |
| KR (1) | KR20100099309A (enExample) |
| CN (1) | CN101904022B (enExample) |
| DE (1) | DE102008011809A1 (enExample) |
| TW (1) | TWI431806B (enExample) |
| WO (1) | WO2009079978A1 (enExample) |
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| CN1672260A (zh) | 2002-07-31 | 2005-09-21 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 可表面安装的半导体器件及其制造方法 |
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-
2008
- 2008-02-29 DE DE102008011809A patent/DE102008011809A1/de not_active Withdrawn
- 2008-12-04 US US12/809,682 patent/US8476667B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-04 EP EP08864112.1A patent/EP2223354B1/de active Active
- 2008-12-04 WO PCT/DE2008/002036 patent/WO2009079978A1/de not_active Ceased
- 2008-12-04 JP JP2010538326A patent/JP5568476B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-04 KR KR1020107016078A patent/KR20100099309A/ko not_active Ceased
- 2008-12-04 CN CN2008801217028A patent/CN101904022B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-10 TW TW097148008A patent/TWI431806B/zh not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200943588A (en) | 2009-10-16 |
| US8476667B2 (en) | 2013-07-02 |
| CN101904022A (zh) | 2010-12-01 |
| KR20100099309A (ko) | 2010-09-10 |
| TWI431806B (zh) | 2014-03-21 |
| WO2009079978A1 (de) | 2009-07-02 |
| JP2011507285A (ja) | 2011-03-03 |
| EP2223354B1 (de) | 2017-07-05 |
| US20100308362A1 (en) | 2010-12-09 |
| JP5568476B2 (ja) | 2014-08-06 |
| EP2223354A1 (de) | 2010-09-01 |
| CN101904022B (zh) | 2013-10-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
| R005 | Application deemed withdrawn due to failure to request examination | ||
| R005 | Application deemed withdrawn due to failure to request examination |
Effective date: 20150303 |