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HINTERGRUND
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Ein
Bildsensor ist allgemein ein Halbleiterbauelement zur Umwandlung
optischer Bilder in elektrische Signale, und wird allgemein in Bildsensoren
mit ladungsgekoppelten Bauelementen (CCD) und in Komplementär-Metall-Oxid-Halbleiter-(CMOS)-Bildsensoren klassifiziert.
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Ein
CMOS-Bildsensor enthält
typischerweise eine Fotodiode und einen MOS-Transistor in jeder Bildpunkt-Einheit
und detektiert die elektrischen Signale von jeder Bildpunkt-Einheit
sequentiell in einem Schaltmodus, um Bilder zu erzeugen.
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Ein
CMOS-Bildsensor enthält
eine Vielzahl von Bildpunkten zur Erkennung von Licht. Die Bildpunkte
enthalten oft eine Fotodiode, eine Vielzahl von Transistoren zur
Ansteuerung der Fotodiode, eine Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht,
welche die Fotodiode bedeckt, Farbfilter, die auf der Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht
bereitgestellt werden, die der Fotodiode entspricht, eine auf den
Farbfiltern bereitgestellte planare Schicht und eine auf der planaren
Schicht über
den Farbfiltern bereitgestellte Mikrolinse.
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Die
Bildpunkte des CMOS-Bildsensors sind in einem aktiven Bereich angeordnet,
und ein Licht-Blockierungs-Bereich ist typischerweise in der Nähe des aktiven
Bereichs ausgebildet. Im Licht-Blockierungs-Bereich überlappen
sich die Farbfilter oft einander, um einfallendes Licht zu blockieren.
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Da
die planare Schicht die sich überlappenden
Farbfilter bedeckt, ist die planare Schicht oft sehr dick, wodurch
das in die Fotodiode einfallende Licht verringert wird.
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KURZE ZUSAMMENFASSUNG
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Ausführungen
der vorliegenden Erfindung liefern einen Bildsensor, und ein Verfahren
zu dessen Herstellung, das in der Lage ist, die Dämpfung des
in eine Fotodiode einfallenden Lichtes zu verringern.
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Gemäß einer
Ausführung
enthält
ein Bildsensor eine Vielzahl von Bildpunkten, die in einem aktiven
Bereich angeordnet sind, und Dummy-Bildpunkte, die in einem Peripherie-Bereich
angeordnet sind. Eine Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht bedeckt
den aktiven Bereich und den Peripherie-Bereich und hat eine erste
Dicke im aktiven Bereich und eine zweite Dicke im Peripherie-Bereich,
so dass die erste Dicke größer als
die zweite Dicke ist. Farbfilter sind im aktiven Bereich angeordnet,
und ein Licht-Blockierungs-Element ist im Peripherie-Bereich angeordnet.
Es besteht im Wesentlichen kein Stufen-Unterschied zwischen den
Farbfiltern und dem Licht-Blockierungs-Element. Eine planare Schicht
wird auf den Farbfiltern und dem Licht-Blockierungs-Element bereitgestellt
und kann sehr dünn
sein.
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Gemäß einer
Ausführung
umfasst ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors die Schritte des
Ausbildens von Bildpunkten in einem aktiven Bereich und von Dummy-Bildpunkten
in einem Peripherie-Bereich. Es kann eine Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht ausgebildet
werden, die im aktiven Bereich eine erste Dicke und im Peripherie-Bereich
eine zweite Dicke hat, so dass die erste Dicke größer als die
zweite Dicke ist. Ein Licht-Blockierungs-Element kann
im Peripherie-Bereich ausgebildet werden, und Farbfilter können im
aktiven Bereich ausgebildet werden. Es besteht im Wesentlichen kein
Stufen-Unterschied zwischen den Farbfiltern und dem Licht-Blockierungs-Element.
Eine Planarisierungs-Schicht kann auf den Farbfiltern und dem Licht-Blockierungs-Element
ausgebildet werden, und die Planarisierungs-Schicht kann sehr dünn sein.
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KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 ist
eine Draufsicht, die einen Bildsensor gemäß einer Ausführung der
vorliegenden Erfindung zeigt.
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2 ist
eine schematische Ansicht eines Bildpunktes, der in einem aktiven
Bereich eines Bildsensors gemäß einer
Ausführung
der vorliegenden Erfindung bereitgestellt werden kann.
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3 ist
eine Layout-Ansicht, die den Bildpunkt aus 2 zeigt.
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4 ist
eine Querschnitts-Ansicht gemäß einer
Ausführung
der vorliegenden Erfindung entlang der Linie I-I' in 1.
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5 ist
eine Querschnitts-Ansicht gemäß einer
anderen Ausführung
der vorliegenden Erfindung.
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6 ist
eine Querschnitts-Ansicht, die Mikrolinsen zeigt, die auf einem
Bildsensor aus 4 bereitgestellt werden.
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7 bis 12 sind
Querschnitts-Ansichten, die ein Verfahren zur Herstellung eines
Bildsensors gemäß einer
Ausführung
der vorliegenden Erfindung zeigen.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
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Wenn
hier unter Bezug auf Schichten, Bereiche, Muster oder Strukturen
die Begriffe "auf" oder "über" verwendet werden, versteht sich von
selbst, dass die Schicht, der Bereich, das Muster oder die Struktur
sich direkt auf einer anderen Schicht oder Struktur befinden kann,
oder auch dazwischen liegende Schichten, Bereiche, Muster oder Strukturen vorhanden
sein können.
Wenn unter Bezug auf Schichten, Bereiche, Muster oder Strukturen
die Begriffe "unter" oder "unterhalb" verwendet werden,
versteht sich von selbst, dass die Schicht, der Bereich, das Muster
oder die Struktur sich direkt unter einer anderen Schicht oder Struktur
befinden kann, oder auch dazwischen liegende Schichten, Bereiche, Muster
oder Strukturen vorhanden sein können.
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Mit
Bezug auf 1 enthält ein Bildsensor 100 gemäß einer
Ausführung
einen aktiven Bereich AR und einen Peripherie-Bereich PR.
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Eine
Vielzahl von Bildpunkten wird auf einem Substrat im aktiven Bereich
AR des Bildsensors 100 bereitgestellt. Jeder Bildpunkt
P führt
die Erkennung und Ausgabe von einfallendem externem Licht durch.
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Mit
Bezug auf die 2 und 3 enthält jeder
Bildpunkt P eine Fotodiode PD zur Erkennung des externen Lichtes
und eine Vielzahl von Transistoren, die die Übertragung und/oder die Ausgabe
von in der Fotodiode PD gespeicherten Ladungen steuern können. In
einer Ausführung
enthält
der Bildpunkt P des Bildsensors 100 vier Transistoren.
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Die
Bildpunkte P können
eine Fotodiode PD zur Messung des Lichtes, einen Transfer-Transistor Tx,
einen Reset-Transistor Rx, einen Auswahl-Transistor Sx und einen
Zugriffs-Transistor Ax enthalten.
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Die
Fotodiode PD kann mit dem Transfer-Transistor Tx verbunden sein,
der mit dem Reset-Transistor Rx in Reihe geschaltet sein kann. Ein Source-Anschluss
des Transfer-Transistors Tx kann mit der Fotodiode PD verbunden
sein, und ein Drain-Anschluss des Transfer-Transistors Tx kann mit
einem Source-Anschluss des Reset-Transistors Rx verbunden sein.
Die Versorgungsspannung VDD kann an einen Drain-Anschluss des Reset-Transistors
Rx angelegt werden.
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Das
Drain des Transfer-Transistors Tx kann als Floating-Diffusions-Bereich
FD dienen. Die Floating-Diffusions-Schicht FD kann mit einem Gate
des Zugriffs-Transistors Ax verbunden sein. Der Auswahl-Transistor
Sx kann mit dem Zugriffs-Transistor Ax
in Reihe geschaltet sein, so dass Source des Zugriffs-Transistors
Ax mit Drain des Auswahl-Transistors Sx verbunden sein kann. Die
Versorgungsspannung VDD kann sowohl an Drain des Zugriffs-Transistors
Ax, als auch an Drain des Reset-Transistors Rx angelegt werden.
Ein Source-Anschluss des Auswahl-Transistors Sx kann einem Ausgangs-Anschluss
entsprechen, und ein Auswahlsignal kann an das Gate des Auswahl-Transistors Sx angelegt
werden.
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Das
Potential des Floating-Diffusions-Bereichs FD kann eingestellt werden,
indem der Reset-Transistor Rx eingeschaltet wird. Sobald das Potential
des Floating-Diffusions-Bereichs FD im Wesentlichen identisch mit
der Versorgungsspannung VDD ist, kann der Reset-Transistor Rx ausgeschaltet werden.
Diese Operation wird Reset-Operation genannt.
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Wenn
externes Licht in die Fotodiode PD einfällt, werden Elektron-Loch-Paare
(EHPs) erzeugt, wodurch sich die Fotodiode PD mit signal-elektrischen
Ladungen füllt.
Wenn der Transfer-Transistor Tx
eingeschaltet wird, können
die signal-elektrischen Ladungen
der Fotodiode PD an den Floating-Diffusions-Bereich
FD ausgegeben und dort gespeichert werden. Folglich kann das Potential
des Floating-Diffusions-Bereichs FD proportional zu den von der
Fotodiode PD ausgegebenen Ladungen geändert werden. Dies kann bewirken,
dass sich das Potential des Gates des Zugriffs-Transistors Ax ändert. Wenn
der Auswahl-Transistor Sx durch das Auswahlsignal eingeschaltet
wird, werden Daten an den Ausgangs-Anschluss ausgegeben. Dann kann
der Bildpunkt P die Reset-Operation ausführen. Jeder Bildpunkt P kann die
oben angegebene Prozedur wiederholt ausführen, um optische Signale in
elektrische Signale umzuwandeln.
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4 ist
eine Querschnitts-Ansicht entlang der Linie I-I' in 1.
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Mit
Bezug auf die 1 und 4 können Dummy-Bildpunkte
DP im Peripherie-Bereich PR bereitgestellt werden. Die Struktur
und Anordnung der Dummy-Bildpunkte ist im Wesentlichen identisch
zu denen des im aktiven Bereich AR bereitgestellten Bildpunktes
P.
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Die
Dummy-Bildpunkte helfen dabei, dass die Höhe des Peripherie-Bereichs
PR im Wesentlichen gleich der des aktiven Bereichs AR ist, wodurch das
Auftreten eines Stufen-Unterschieds zwischen dem aktiven Bereich
AR und dem Peripherie-Bereich PR vermieden wird.
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Eine
Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht kann auf dem Substrat und sowohl
auf dem Bildpunkt P, als auch auf dem Dummy-Bildpunkt DP ausgebildet werden. In
vielen Ausführungen
können
mehrere Zwischenschicht-Dielektrikum-Schichten ausgebildet werden.
In einer Ausführung
können
drei Zwischenschicht-Dielektrikum-Schichten 10a, 10b und 10c auf dem
Substrat des aktiven Bereichs AR und des Peripherie-Bereichs PR
hergestellt werden. Ein Teil der obersten Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht 10c im
aktiven Bereich AR kann eine erste Dicke T1 haben, und ein Teil
der obersten Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht 10c im Peripherie-Bereich
PR kann eine zweite Dicke T2 haben, so dass die erste Dicke T1 größer als
die zweite Dicke T2 ist. In Ausführungen
mit nur einer Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht
entsprechen die erste Dicke T1 und die zweite Dicke T2 der Dicke
der einen Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht
im aktiven Bereich AR, bzw. im Peripherie-Bereich PR. In Ausführungen
mit zwei Zwischenschicht-Dielektrikum-Schichten
oder mehr als drei Zwischenschicht-Dielektrikum-Schichten entsprechen die
erste Dicke T1 und die zweite Dicke T2 der Dicke der obersten Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht
im aktiven Bereich AR, bzw. im Peripherie-Bereich PR.
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Ein
erster Farbfilter C1, ein zweiter Farbfilter C2 und ein dritter
Farbfilter C3 können
im aktiven Bereich AR bereitgestellt werden. Für jeden Bildpunkt P kann ein
Farbfilter bereitgestellt werden. In einer Ausführung können der erste Farbfilter C1,
der zweite Farbfilter C2 und der dritte Farbfilter C3 dieselbe Dicke
T3 haben.
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Ein
Licht-Blockierungs-Element 20 mit einer Dicke T4 kann im
Peripherie-Bereich PR bereitgestellt werden. In einer Ausführung reflektiert
oder absorbiert das Licht-Blockierungs- Element 20 Licht, das auf den
Peripherie-Bereich PR fällt,
wodurch verhindert wird, dass Licht, das auf den Peripherie-Bereich PR fällt, in
den aktiven Bereich AR gelangt.
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In
einer Ausführung
ist die Summe der Dicke T4 des Licht-Blockierungs-Elementes 20 und
der zweiten Dicke T2 der Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht 10c im
Peripherie-Bereich im Wesentlichen gleich der Summe der Dicke jedes
Farbfilters T3 und der ersten Dicke T1 der Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht im aktiven
Bereich AR. Folglich sind die Oberflächen der Farbfilter (C1, C2
und C3) und des Licht-Blockierungs-Elementes 20 im Wesentlichen
planar.
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Somit
kann der Teil der Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht 10c im
Peripherie-Bereich PR dünner
sein als der Teil im aktiven Bereich AR. Das Licht-Blockierungs-Element 20 kann
in einer Dicke hergestellt werden, die ungefähr gleich der Dicken-Differenz der Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht
zwischen dem aktiven Bereich AR und dem Peripherie-Bereich PR plus
der Dicke eines Farbfilters (C1, C2 oder C3) ist. Dies kann dazu
führen,
dass im Wesentlichen kein Stufen-Unterschied zwischen der Oberfläche des
Licht-Blockierungs-Elementes 20 und der Oberfläche der
Farbfilter (C1, C2 und C3) auftritt.
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Das
Licht-Blockierungs-Element 20 kann ein erstes Licht-Blockierungs-Element 22 und
ein zweites Licht-Blockierungs-Element 24 enthalten.
Das zweite Licht-Blockierungs-Element 24 kann auf dem ersten
Licht-Blockierungs-Element 22 bereitgestellt werden. In
einer Ausführung
kann das erste Licht-Blockierungs-Element 22 im
Wesentlichen identisch zum ersten Farbfilter C1 sein, und das zweite
Licht-Blockierungs-Element 24 kann im Wesentlichen identisch
zum zweiten Farbfilter C2 sein. In bestimmten Ausführungen
kann das erste Licht- Blockierungs-Element
im Wesentlichen identisch zu jedem der Farbfilter (C1, C2 oder C3)
sein, und das zweite Licht-Blockierungs-Element
kann im Wesentlichen identisch zu jedem anderen der Farbfilter (C1, C2
oder C3) sein.
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In
einer Ausführung
kann das zweite Licht-Blockierungs-Element 24 des Licht-Blockierungs-Elementes 20 im
Wesentlichen identisch zum ersten Farbfilter C1 sein, und der dritte
Farbfilter C3 kann in einem Teil des aktiven Bereichs AR bereitgestellt
werden, der dem zweiten Licht-Blockierungs-Element 24 benachbart
ist.
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Mit
Bezug auf 5 kann in einer alternativen
Ausführung
das zweite Licht-Blockierungs-Element 24 im Wesentlichen
identisch zum dritten Farbfilter C3 sein, und der dritte Farbfilter
C3 kann in einem Teil des aktiven Bereichs AR bereitgestellt werden,
der dem zweiten Licht-Blockierungs-Element 24 benachbart
ist.
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Auf
den Farbfiltern (C1, C2 und C3) und dem Licht-Blockierungs-Element 20 kann
eine Planarisierungs-Schicht 30 bereitgestellt werden.
In einer Ausführung
kann die Planarisierungs-Schicht 30 sehr dünn sein,
da im Wesentlichen kein Stufen-Unterschied zwischen den Farbfiltern
(C1, C2 und C3) und dem Licht-Blockierungs-Element 20 vorliegt.
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Mit
Bezug auf 6 kann auf der Planarisierungs-Schicht 30 eine
Vielzahl von Mikrolinsen 40 bereitgestellt werden. Eine
Mikrolinse 40 kann auf jedem Farbfilter (C1, C2 und C3)
im aktiven Bereich AR ausgebildet werden.
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In
einer Ausführung
werden auf dem Peripherie-Bereich PR keine Mikrolinsen hergestellt.
In einer alternativen Ausführung
kann eine Dummy-Mikrolinse 45 im Peripherie-Bereich PR
hergestellt werden.
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Die 7 bis 12 sind
Querschnitts-Ansichten, die ein Verfahren zur Herstellung des Bildsensors
gemäß einer
Ausführung
zeigen. Mit Bezug auf 7 können Bildpunkte P auf dem Substrat im
aktiven Bereich AR hergestellt werden, und Dummy-Bildpunkte DP können im Peripherie-Bereich
PR hergestellt werden. In einer Ausführung enthalten die Bildpunkte
P einen ersten Bildpunkt P1, einen zweiten Bildpunkt P2 und einen
dritten Bildpunkt P3.
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Mindestens
eine Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht kann auf dem Substrat
hergestellt werden. In einer Ausführung können drei Zwischenschicht-Dielektrikum-Schichten 10a, 10b und 10c auf dem
Substrat hergestellt werden. In den Zwischenschicht-Dielektrikum-Schichten 10a, 10b und 10c können Metall-Verbindungs-Strukturen
angeordnet werden. In einer Ausführung
haben die obersten Zwischenschicht-Dielektrikum-Schichten 10c eine
erste Dicke T1.
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Auf
der Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht 10c kann eine
Fotolack-Schicht (nicht gezeigt) ausgebildet werden. Die Fotolack-Schicht kann
durch einen Foto-Prozess mit einem Muster versehen werden, der einen
Belichtungs- und Entwicklungs-Prozess
enthalten kann, um ein Fotolack-Muster auf der Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht 10c auszubilden.
Der aktive Bereich AR kann durch das Fotolack-Muster 12 abgedeckt
werden, und der Peripherie-Bereich PR kann freigelassen werden.
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Dann
kann der freigelegte Bereich der Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht 10c mit
einem Muster versehen werden, indem das Fotolack-Muster 12 als Ätz-Maske
benutzt wird. Zum Beispiel kann die Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht 10c mit
einem Trockenätz-Prozess
geätzt
werden. Der freigelegte Teil der Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht 10c im
Peripherie-Bereich
PR hat eine zweite Dicke T2, so dass die erste Dicke T1 größer als
die zweite Dicke T2 ist.
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Das
Fotolack-Muster 12 kann entfernt werden. Zum Beispiel kann
das Fotolack-Muster 12 durch einen Veraschungs-/Ablösungs-Prozess entfernt
werden.
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Mit
Bezug auf 8 kann die erste Farbfilter-Schicht,
die das erste Farbfilter-Material enthält, ausgebildet und dann mit
einem Muster versehen werden, wodurch der erste Farbfilter C1 auf
einem Teil der Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht 10c im
aktiven Bereich AR ausgebildet wird. Gemäß einer Ausführung kann,
wie in 8 gezeigt, der erste Farbfilter C1 entsprechend
dem zweiten Bildpunkt P2 ausgebildet werden.
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In
einer Ausführung
kann das erste Licht-Blockierungs-Element 22 hergestellt
werden, indem das Material der ersten Farbfilter-Schicht mit einem
Muster versehen wird. Die Dicke des ersten Licht-Blockierungs-Elementes 22 kann
im Wesentlichen identisch zur Dicke des ersten Farbfilters C1 sein,
und die Differenz zwischen der ersten Dicke T1 und der zweiten Dicke
T2 der obersten Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht 10c kann
im Wesentlichen identisch zur Dicke des ersten Farbfilters C1 sein.
Das erste Licht-Blockierungs-Element 22 kann im Peripherie-Bereich PR ausgebildet
werden, wenn der erste Farbfilter C1 im aktiven Bereich AR ausgebildet
wird.
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Mit
Bezug auf 9 kann die zweite Farbfilter-Schicht,
die das zweite Farbfilter-Material enthält, auf der Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht 10c ausgebildet
und mit einem Muster versehen werden, wodurch der zweite Farbfilter
C2 auf einem Teil der Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht 10c im
aktiven Bereich AR ausgebildet wird. Gemäß einer Ausführung kann,
wie in 9 gezeigt, der zweite Farbfilter C2 entsprechend
dem ersten Bildpunkt P1 ausgebildet werden.
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In
einer Ausführung
kann das zweite Licht-Blockierungs-Element 24 ausgebildet
werden, indem das Material der zweiten Farbfilter-Schicht mit einem
Muster versehen wird. Die Dicke des zweiten Licht-Blockierungs-Elementes 24 kann
im Wesentlichen identisch zur Dicke des zweiten Farbfilters C2 sein.
Das zweite Licht-Blockierungs-Element 24 kann gleichzeitig
mit dem zweiten Farbfilter C2 ausgebildet werden.
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Mit
Bezug auf 10 kann die dritte Farbfilter-Schicht,
die das dritte Farbfilter-Material enthält, auf der Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht 10c ausgebildet
und mit einem Muster versehen werden, wodurch der dritte Farbfilter
C3 auf einem Teil der Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht 10c im
aktiven Bereich AR ausgebildet wird. Gemäß einer Ausführung kann,
wie in 10 gezeigt, der dritte Farbfilter
C3 entsprechend dem dritten Bildpunkt P3 ausgebildet werden.
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Mit
Bezug auf 11 kann eine Planarisierungs-Schicht 30 auf
dem Substrat ausgebildet werden, um die Farbfilter (C1, C2 und C3)
und das Licht-Blockierungs-Element 20 abzudecken. In einer Ausführung kann
die Planarisierungs-Schicht 30 sehr dünn sein, da im Wesentlichen
kein Stufen-Unterschied zwischen den Farbfiltern (C1, C2 und C3)
und dem Licht-Blockierungs-Element 20 besteht. Folglich ist
es möglich,
wegen der reduzierten Dicke der Planarisierungs-Schicht 30 die
Menge des einfallenden Lichtes zu erhöhen, das die Bildpunkte (P1,
P2 und P3) erreicht.
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Mit
Bezug auf 12 kann in einer Ausführung eine
fotoempfindliche organische Schicht auf der Planarisierungs-Schicht 30 ausgebildet
und mit einem Muster versehen werden, wodurch Mikrolinsen 40 im
aktiven Bereich AR ausgebildet werden. In einer Ausführung kann
eine Mikrolinse 40 auf jedem Bildpunkt (P1, P2 und P3)
ausgebildet werden.
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In
einer Ausführung
kann eine Dummy-Mikrolinse 45 im Peripherie-Bereich PR
ausgebildet werden. In einer alternativen Ausführung wird im Peripherie-Bereich
PR keine Dummy-Mikrolinse ausgebildet.
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In
dem Bildsensor und in dem Verfahren zu dessen Herstellung entsprechend
Ausführungen
der vorliegenden Erfindung gibt es im Wesentlichen keinen Stufen-Unterschied
zwischen den Farbfiltern im aktiven Bereich AR und dem Licht-Blockierungs-Element im Peripherie-Bereich
PR. Dies führt
dazu, dass die Dicke der Planarisierungs-Schicht, welche die Farbfilter
und das Licht-Blockierungs-Element bedeckt, verringert werden kann.
Folglich können
die Lichtverluste, die durch die Planarisierungs-Schicht auftreten,
minimiert werden.
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In
der vorliegenden Beschreibung bedeutet jeder Verweis auf "eine Ausführung", "Ausführung", "Ausführungsbeispiel", usw., dass ein
spezielles Merkmal, eine Struktur oder ein Kennmerkmal, welches,
bzw. welche in Verbindung mit der Ausführung beschrieben wird, in
mindestens einer Ausführung der
Erfindung enthalten ist. Das Auftreten derartiger Ausdrucksweisen
an verschiedenen Stellen in der Beschreibung verweist nicht notwendig
sämtlich
auf die gleiche Ausführung.
Ferner sei bemerkt, dass, wenn ein besonderes Merkmal, eine Struktur
oder ein Kennmerkmal beschrieben wird, es sich innerhalb des Be reichs
der Möglichkeiten
eines Fachkundigen befindet, ein derartiges Merkmal, eine Struktur
oder ein Kennmerkmal in Verbindung mit anderen der Ausführungen
zu bewirken.
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Obwohl
Ausführungen
unter Verweis auf eine Anzahl erläuternder Ausführungsbeispiele
beschrieben wurden, sei bemerkt, dass zahlreiche weitere Abwandlungen
und Ausführungen
durch Fachkundige entworfen werden können, welche unter Prinzip
und Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung fallen. Insbesondere
sind viele Änderungen
und Abwandlungen der Bauteile und/oder der Anordnungen der fraglichen
Kombinationsanordnung innerhalb des Schutzumfangs der Offenbarung,
der Zeichnungen und der beigefügten
Ansprüche
möglich.
Zusätzlich
zu Änderungen
und Abwandlungen der Bauteile und/oder der Anordnungen sind alternative
Verwendungen gleichfalls für
Fachkundige ersichtlich.