KR101003939B1 - 이미지 센서의 크로스토크 측정방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서는 이미지 센서에서 발생하는 다양한원인의 크로스토크 중 스펙트럴 크로스토크의 발생 정도를 측정해낼 수 있는 효과가 있다.
상기 이미지 센서는 화소 영역, 논리 영역 및 더미 영역을 포함하는 이미지 센서에 있어서, 더미 영역은, 기판, 상기 기판 상에 위치하는 포토 다이오드, 기판 상에 포토 다이오드를 덮도록 위치하는 절연막, 절연막 상에 위치하는 제 1 컬러필터, 제 1 컬러필터 상에 위치하는 제 2 컬러필터, 제 2 컬러필터 상에 위치하는 평탄화막 및 평탄화막 상에 위치하는 마이크로 렌즈를 포함할 수 있다.
이미지 센서, 더미 영역, 컬러 필터
Description
본 발명은 광학장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 스펙트럴 크로스토크의 발생 정도를 측정할 수 있는, 이미지 센서의 크로스토크 측정방법에 관한 것이다.
이미지 센서는 광학적 영상을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 소자이다. 대표적으로는 전하결합소자(charge coupled device, CCD), 씨모스 이미지 센서(CMOS image sensor) 등이 있다.
이미지 센서도 광학장치의 일종으로서, 크로스토크가 발생할 수 있다. 크로스 토크는 일반적으로 스펙트럴 크로스토크, 광학공간 크로스토크, 전기적 누설 크로스토크 등으로 나눌 수 있다.
상기 이미지 센서에서 발생하는 크로스 토크를 효과적으로 제거하기 위해서 각각의 원인을 분석하여 각각의 크로스 토크를 방지하기 위한 방법들이 제안되고 있다. 특히, 스펙트럴 크로스토크는 대부분 광학공간 크로스토크 및 전기누설 크로 스토크와 혼재되어 나타나는 경향이 크다. 따라서 스펙트럴 크로스 토크만을 정확히 측정하는 데 어려움이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 스펙트럴 크로스토크의 발생 정도를 측정할 수 있는, 이미지 센서의 크로스토크 측정방법에 관한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 과제를 해결하기 위한 수단으로서 본 발명의 이미지 센서의 구성은, 화소 영역, 논리 영역 및 더미 영역을 포함하는 이미지 센서에 있어서, 더미 영역은, 기판, 상기 기판 상에 위치하는 포토 다이오드, 기판 상에 포토 다이오드를 덮도록 위치하는 절연막, 절연막 상에 위치하는 제 1 컬러필터, 제 1 컬러필터 상에 위치하는 제 2 컬러필터, 제 2 컬러필터 상에 위치하는 평탄화막 및 평탄화막 상에 위치하는 마이크로 렌즈를 포함하여 이루어진다.
상기 제 1 컬러필터 또는 제 2 컬러필터는 각각 적색 컬러필터, 청색 컬러필터, 녹색 컬러필터 중 서로 다른 어느 하나의 컬러필터일 수 있다.
또한, 상기 포토 다이오드의 폭은 3 내지 5㎛이고, 제 1 컬러필터 및 제 2 컬러필터의 폭은 30 내지 50㎛일 수 있다.
또한, 상기 포토 다이오드는 제 1 컬러필터 및 제 2 컬러필터를 통해 들어온 빛을 전압 시그널로 변환시키면 바람직하다.
상기한 과제를 해결하기 위한 수단으로서 본 발명에 따른 이미지 센서의 크로스토크 측정방법은, 더미 영역 상에 두개로 적층된 제 1 컬러필터 및 제 2 컬러필터를 포함하는 이미지 센서에 빛을 조사하는 단계, 제 1 컬러필터 및 제 2 컬러필터와 대응하는 포토 다이오드에서 전압 시그널을 하는 산출하는 단계 및 산출된 전압 시그널을 통해 스펙트럴 크로스 토크량을 측정하는 단계를 포함하여 이루어진다.
본 발명에 따른 이미지 센서의 크로스토크 측정방법은, 이미지 센서에서 발생하는 다양한원인의 크로스토크 중 스펙트럴 크로스토크의 발생 정도를 측정해낼 수 있는 효과가 있다.
후술하는 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예에 따른 이미지 센서 및 이미지 센서의 크로스토크 측정방법에 대하여 상세히 설명한다.
도 1 은 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서(10)의 개략도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서(10)는 화소 영역(100), 논리 영역(200) 및 더미 영역(300)으로 이루어질 수 있다.
상기 화소 영역(100)은 적색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀 및 청색 서브픽셀로 구성된 픽셀이 다수개 모여서 이루어질 수 있다. 화소 영역(100)은 외부로부터 광학 영상을 받아, 영상 정보를 전기적 신호로 변환시킬 수 있다. 화소 영역(100)의 구조에 관해서는 도 2에서 상세히 설명하기로 한다.
상기 논리 영역(200)은 다수의 트랜지스터 및 다이오드 등을 포함하는 능동, 수동 소자들로 이루어진다. 논리영역(200)은 상기 화소 영역(100)으로부터 전기적 신호로 이루어진 영상 정보를 분석, 저장 및 전송할 수 있다.
상기 더미 영역(300)은 화소 영역(100)과 논리 영역(200)의 사이의 특정 영역이 될 수 있다. 또한, 화소 영역(100)과 논리 영역(200)의 외측의 특정 영역이 될 수 있다. 도 1 에서는 더미 영역(300)을 화소 영역(100)과 논리 영역(200)의 사이의 특정 영역으로 표시하였으나, 여기에 한정되는 것은 아니다. 상기 더미 영역(300)에는 본 발명의 실시예에 따른 더미서브픽셀(301, 302, 303)이 위치할 수 있다. 더미서브픽셀(301, 302, 303)을 통해 이미지 센서(10)에서 발생하는 스펙트럴 크로스토크의 발생정도를 측정할 수 있다. 더미서브픽셀(301, 302, 303)의 구조 및 스펙트럴 크로스토크(Spectral cross talk)의 측정방법에 관해서는 자세히 후술하기로 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 화소 영역(100)의 단면도로서, 도 1의 화소 영역(100)을 X-X'자른 단면도이다.
도 2를 참조하면, 화소영역(100)은 기판(110), 포토 다이오드(120), 절연막(130), 컬러필터(141, 142, 143), 평탄화막(150) 및 마이크로 렌즈(160)를 포함할 수 있다.
상기 화소영역(100)은 제 1 서브픽셀(101), 제 2 서브픽셀(102) 및 제 3 서브픽셀(103)을 포함하는 단위픽셀을 다수개 포함한다. 제 1 서브픽셀 내지 제 3 서브픽셀(101, 102, 103)은 각각 서로 다른 색의 컬러필터를 가지는 것을 제외하고, 동일한 구조를 가진다. 따라서, 이하에서는 청색 컬러필터(141)를 가지는 제 1 서브픽셀(101)에 대하여서 설명하기로 한다. 제 2 서브픽셀(102) 및 제 3 서브픽셀(103)은 각각 녹색 컬러필터(142), 적색 컬러필터(143)를 가지는 것만 제 1 서브픽셀(101)과 다를 뿐, 그 구조는 이하에 설명하는 제 1 서브픽셀(101)과 동일하다.
제 1 서브픽셀(101)의 기판(110) 상에는 포토 다이오드(120)가 위치한다. 상기 포토 다이오드(120)는 후술하는 마이크로 렌즈(160) 및 컬러필터(141)를 통해 들어온 영상 정보를 전기적인 신호로 변환할 수 있다.
상기 기판(110) 및 포토 다이오드(120) 상에는 기판(110)과 포토 다이오드(120)를 덮도록 절연막(130)이 위치할 수 있다. 절연막(130)은 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiN) 등의 절연물질로 이루어질 수 있다.
상기 절연막(130) 상에는 컬러필터(141)가 위치할 수 있다. 제 1 서브픽셀(101)에 해당하는 컬러필터(141)는 청색 컬러필터일 수 있다. 제 1 내지 제 3 서 브픽셀(101, 102, 103)에 포함되는 컬러필터(141, 142, 143)는 서로 다른색의 컬러필터일 수 있으나, 특정한 배열을 가지는 것은 아니다. 즉, 제 1 서브픽셀(101)이 적색 컬러필터나 녹색 컬러필터를 가질수도 있다. 그러나 본 발명에서는 설명의 편의를 위해 제 1 서브픽셀(101)의 컬러필터(141)가 청색 컬러필터인 경우를 실시예로 하여 이하 설명하기로 한다. 컬러필터(141)는 절연막(130)의 상부에 위치하여 청색만을 통과시키고 나머지색들은 차단하는 역할을 한다. 제 1 내지 제 3 서브픽셀(101, 102, 103)에서 각각의 컬러필터(141, 142, 143)는 서로 동일한 두께를 가질 수 있으나, 서로 다른 두께를 가질 수도 있다. 이는 각 컬러필터의 재료 및 성능, 마이크로 캐비티 효과 등을 고려하여 설계상의 문제로서, 본 발명의 기술적 사상은 아니므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
상기 평탄화막(150)은 컬러필터(141) 상에 위치할 수 있다. 평탄화막(150)은 제 1 내지 제 3 서브픽셀(101, 102, 103)의 두께가 서로 다를 때 형성되어 컬러필터들(141, 142, 143) 사이에 형성된 단차를 제거할 수 있다. 그러나 평탄화막(150)은 각 컬러필터들(141, 142, 143)의 두께가 동일할 때도 형성될 수 있다.
상기 마이크로 렌즈(160)는 평탄화막(150) 상에 위치한다. 마이크로 렌즈(160)는 반구 형상을 가질 수 있다. 마이크로 렌즈(160)는 외부에서 들어온 광을 포토 다이오드(120)로 포커싱하여 전달할 수 있다.
화소 영역(100)에는 규격화된 서브 픽셀들이 이미지 센서(10)의 사이즈에 맞게 규칙적으로 배열되어 있다. 이미지 센서(10)는 픽셀의 크기가 작아지면서 광학적인 분산에 의한 크로스토크 현상을 가질 수 있다. 크로스토크(Cross talk)는 이미지 래깅(image lagging) 현상을 유발하며 감도의 저하를 일으키곤 한다.
크로스토크는 크게 세가지 원인에 의하여 발생한다.
첫째, 스펙트럴 크로스토크(Spectral Crosstalk)은 불완전한 칼라필터(Color Filter)를 통하여 원하지 않는 빛이 통과해서 발생하게 된 경우이다.
둘째, 전기적 누설 크로스토크(Electrical Leakage Crosstalk)는 장파장으로 생긴 캐리어(Carrier)들이 인접한 서브픽셀로 넘어가서 크로스토크를 유발시키게 되는 경우이다.
마지막으로, 광학 공간 크로스토크(Optical Spatial Crosstalk)는 빛이 일정한 각을 가지고 마이크로 렌즈와 컬러필터를 통해 입사하면 부분적으로 인접한 서브픽셀에 흡수될 수 있고, 이 경우 유발될 수 있는 크로스토크 있다.
따라서 크로스토크를 제거하기 위해서 각각의 원인을 분석하여 개별적으로 제거해야 함에도 불구하고, 각각의 원인에 따른 상기 다양한 크로스토크 현상은 대부분 혼재되어 나타나다. 따라서 그 각각의 원인에 대한 크로스토크의 영향 정도를 파악하기가 어렵다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서(10)는 더미 영역(300)에 더미서브픽셀(301, 302, 303)을 형성하여 스펙트럴 크로스토크의 발생 정도를 알 수 있다. 이하 더미서브픽셀(301, 302, 303)에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 더미서브픽셀의 단면도이다.
상기 더미 영역(300)은 제 1 더미서브픽셀(301), 제 2 더미서브픽셀(302) 및 제 3 더미서브픽셀(303)을 포함할 수 있다. 제 1 더미서브픽셀 내지 제 3 더미서브픽셀(301, 302, 303)은 서로 간에 일정한 공간을 가지고 이격되어 있다. 또한, 제 1 더미서브픽셀 내지 제 3 더미서브픽셀(301, 302, 303)은 화소 영역(100)으로부터도 일정한 공간을 가지고 이격되어 있다.
상기 제 1 내지 제 3 더미서브픽셀(301, 302, 303)은 서로 다른 색을 가지는 컬러필터 두 개가 적층되어 있는 것을 제외하고, 화소 영역(100)의 서브픽셀 등과 동일한 구조를 가진다. 이하에서는, 제 1 더미서브픽셀(301)에 대하여 설명하기로 한다. 제 2 더미서브픽셀(302) 및 제 3 더미서브픽셀(303)은 제 1 더미서브픽셀(301)과 적층된 컬러필터의 색이 다를 뿐 다른 구조는 동일하다. 따라서 이하에서는 제 1 더미서브픽셀(301)의 구조를 설명하기로 하고, 제 2 더미서브픽셀(302) 및 제 3 더미서브픽셀(303)에 대하여서는 제 1 더미서브픽셀(301)과의 차이점을 설명하기로 한다.
제 1 더미서브픽셀(301)의 기판(310) 상에는 포토 다이오드(320)가 위치한다. 포토 다이오드(320)는 후술하는 마이크로 렌즈(360) 및 컬러필터를 통해 들어온 영상 정보를 전기적인 신호로 변환할 수 있다.
상기 기판(310) 및 포토 다이오드(320) 상에는 기판(310)과 포토 다이오드(320)를 덮도록 절연막(330)이 위치할 수 있다. 절연막(330)은 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiN) 등의 절연물질로 이루어질 수 있다.
상기 절연막(330) 상에는 제 1 컬러필터(341)가 위치할 수 있고 제 1 컬러필 터(341) 상에는 제 2 컬러필터(342)가 위치할 수 있다. 제 1 컬러필터(341)와 제 2 컬러필터(342)의 색은 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 제 1 더미서브픽셀(301)의 제 1 컬러필터(341) 및 제 2 컬러필터(342)가 각각 청색 및 녹색의 조합인 경우, 제 2 더미서브픽셀(302)의 제 1 컬러필터 및 제 2 컬러필터는 각각 녹색 및 적색의 조합이 될 수 있고, 제 3 더미서브픽셀(303)의 제 1 컬러필터 및 제 2 컬러필터는 각각 청색과 적색의 조합이 될 수 있다. 또한, 제 1 더미서브픽셀(301)이 녹색 및 적색의 조합 또는 청색 및 적색의 조합을 가질 수 있다. 즉, 제 1 더미서브픽셀 내지 제 3 더미서브픽셀(301, 302, 303)의 제 1 컬러필터(341) 및 제 2 컬러필터(342)들은 적색 및 청색의 조합, 청색 및 녹색의 조합, 녹색 및 적색의 조합 중 서로 다른 어느 하나를 가질 수 있다. 이하에서는 제 1 더미서브픽셀(301)의 제 1 컬러필터(341) 및 제 2 컬러필터(342)가 청색 및 녹색인 경우, 제 2 더미서브픽셀(302)의 제 1 컬러필터 및 제 2 컬러필터가 녹색 및 적색인 경우, 제 3 더미서브픽셀(303)의 제 1 컬러필터 및 제 2 컬러필터가 청색 및 적색인 경우를 실시예로 들어 설명하기로 한다.
제 1 더미서브픽셀 내지 제 3 더미서브픽셀(301, 302, 303)에서 각각의 제 1 컬러필터(341) 및 제 2 컬러필터(342)는 서로 동일한 두께를 가질 수 있으나, 서로 다른 두께를 가질 수 있다. 이는 각 컬러필터의 재료 및 성능, 마이크로캐비티 효과 등을 고려하여 설계상의 문제로서, 본 발명의 기술적 사상은 아니므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
상기 평탄화막(350)은 제 2 컬러필터(342) 상에 위치할 수 있다. 상기 마이 크로 렌즈(360)는 평탄화막(350) 상에 위치한다. 마이크로 렌즈(360)는 반구 형상을 가질 수 있다. 마이크로 렌즈(360)는 외부에서 들어온 광을 포토 다이오드(320)로 포커싱하여 전달할 수 있다.
상기 더미 영역(300) 상에 위치하는 제 1 더미서브픽셀 내지 제 3 더미서브픽셀(301, 302, 303)은 서로 간에 일정한 공간을 가지고 이격되어 있다. 또한 제 1 더미서브픽셀 내지 제 3 더미서브픽셀(301, 302, 303)은 화소 영역(100)으로부터도 일정한 공간을 가지고 이격되어 있다.
따라서, 인접한 서브픽셀의 빛이 감지되어 유발되는 광학 공간 크로스토크나, 인접한 포토 다이오드(320)에서 생긴 캐리어(photo-generated electron)이 누설되어 전달되어 나타나는 전기적 누설 크로스토크가 발생할 수 있는 여지를 최소화할 수 있다.
또한 제 1 더미서브픽셀(301) 내지 제 3 더미서브픽셀(301, 302, 303)에서 제 1 컬러필터(341)의 폭(W1) 및 제 2 컬러필터(342)의 폭(W2)은 광학공간 크로스토크 및 전기적 누설 크로스토크를 최소화시키기 위해 충분히 크게 형성될 수 있다. 보다 상세하게, 제 1 컬러필터(341) 및 제 2 컬러필터(342)의 폭(W1, W2)은 30 내지 50㎛가 될 수 있다. 이 때, 하부의 포토 다이오드(320)의 폭(W3)은 제 1 컬러필터(341) 및 제 2 컬러필터(342)가 통과한 빛이 균일하게 입사될 수 있도록 상기 제 1 컬러필터(341) 및 제 2 컬러필터(342)의 폭(W1, W2)의 1/10인 3 내지 5㎛가 될 수 있다.
제 1 더미서브픽셀 내지 제 3 더미서브픽셀(301, 302, 303) 각각에서는 청색 과 적색의 스펙트럴 크로스토크, 적색 및 녹색의 스펙트럴 크로스토크, 청색 및 적색의 스펙트럴 크로스토크의 발생 정도를 측정할 수 있다. 이하에서는 스펙트럴 크로스토크의 측정방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서(10)에서 스펙트럴 크로스토크를 측정하기 위한 참고도이다.
도 4를 참조하면, 그래프에서 X축은 파장을 나타내고, Y축은 양자효율을 나타낸다. 또한, A1, B1, C1 실선은 각각 청색, 녹색, 적색에 해당하는 서브픽셀에서 양자효율(또는 포토다이오드 응답)을 나타내는 선이고, A2, B2, C2 점선은 청색, 녹색, 적색에 해당하는 서브픽셀에서 각각의 광투과도를 나타내는 선이다. 본 그래프에서 Y1은 청색과 녹색의 스펙트럴 크로스토크의 정도를 반영하고, Y2는 녹색의 적색의 스펙트럴 크로스토크의 정도를 반영하며, Y3는 청색과 적색의 스펙트럴 크로스토크의 정도를 반영할 수 있다. 이 때 Y1, Y2, Y3의 값이 낮을수록 스펙트럴 크로스토크가 낮은 경우로 볼 수 있다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 도 5 내지 도 7은 각각 제 1 더미서브픽셀 내지 제 3 더미서브픽셀(301, 302, 303)의 스펙트럴 크로스토크를 측정하기 위한 참고도이다. 여기서 X축은 파장을, Y축은 빛의 투과도를 나타낸다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 외부에서 제 1 더미서브픽셀(301)에 빛이 조사되면 제 1 컬러필터 및 제 2 컬러필터는 청색 및 녹색의 조합으로 이루어지므로, 하늘색(cyan)의 빛이 형성될 수 있다. 제 1 더미서브픽셀(301)을 통과한 광 투과도는 D1으로 이루어진 실선으로 나타낼 수 있다. 즉, 청색 및 녹색으로 이루어진 제 1 컬러필터 및 제 2 컬러필터를 통과한 빛은 D1과 같은 투과도를 가지게 된다. 제 1 컬러필터 및 제 2 컬러필터를 통과한 빛의 세기는 제 1 더미서브픽셀(301)의 포토 다이오드에서 전압 시그널로 산출되고, 전압 시그널의 크기로서 청색과 녹색의 스펙트럴 크로스토크량을 측정할 수 있다.
또한, 외부에서 제 2 더미서브픽셀(302)에 빛이 조사되면 제 1 컬러필터 및 제 2 컬러필터는 녹색 및 적색의 조합으로 이루어지므로, 노란(yellow) 빛이 형성될 수 있다. 제 2 더미서브픽셀(302)을 통과한 광 투과도는 D2로 이루어진 실선으로 나타낼 수 있다. 즉, 녹색 및 적색으로 이루어진 제 1 컬러필터 및 제 2 컬러필터를 통과한 빛은 D2와 같은 투과도를 가지게 된다. 제 1 컬러필터 및 제 2 컬러필터를 통과한 빛의 세기는 제 2 더미서브픽셀(302)의 포토 다이오드에서 전압 시그널로 산출되고, 전압 시그널의 크기로서 청색과 녹색의 스펙트럴 크로스토크량을 측정할 수 있다.
또한, 외부에서 제 3 더미서브픽셀(303)에 빛이 조사되면 제 1 컬러필터 및 제 2 컬러필터는 청색 및 적색의 조합으로 이루어지므로, 분홍(pink) 빛이 형성될 수 있다. 제 3 더미서브픽셀(303)을 통과한 광 투과도는 D3으로 이루어진 실선으로 나타낼 수 있다. 즉, 청색 및 적색으로 이루어진 제 1 컬러필터 및 제 2 컬러필터를 통과한 빛은 D3와 같은 투과도를 가지게 된다. 제 1 컬러필터 및 제 2 컬러필터를 통과한 빛의 세기는 제 3 더미서브픽셀(303)의 포토 다이오드에서 전압 시그널 로 산출되고, 전압 시그널의 크기로서 청색과 녹색의 스펙트럴 크로스토크량을 측정할 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서(10)는 더미 영역(300)에 화소 영역(100)으로부터 이격된 더미서브픽셀(301, 302, 303)을 포함하고, 상기 더미서브픽셀(301, 302, 303)은 이미지 센서(10)의 스펙트럴 크로스토크의 발생정도를 광학공간 크로스토크 및 전기적 누설 크로스토크로부터 구별하여 측정할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1 은 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 화소 영역의 단면도이다.
도 3 은 본 발명의 실시예에 따른 더미서브픽셀의 단면도이다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서에서 스펙트럴 크로스토크를 측정하기 위한 참고도이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
10 : 이미지 센서
100 : 논리 영역
200 : 화소 영역
300 : 더미 영역
301 : 제 1 더미서브픽셀
Claims (5)
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 더미 영역 상에 두 개로 적층된 제 1 컬러필터 및 제 2 컬러필터를 포함하는 더미서브픽셀에 빛을 조사하는 단계;상기 제 1 컬러필터 및 상기 제 2 컬러필터와 대응하는 포토 다이오드에서 전압 시그널을 하는 산출하는 단계; 및상기 산출된 전압 시그널의 세기를 통해 스펙트럴 크로스 토크량을 측정하는 단계;를 포함하는 이미지 센서의 크로스토크 측정방법.
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