KR100748343B1 - 이미지 센서의 테스트 패턴, 그 제조방법 및 테스트 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 이미지 센서에서 광특성을 정량화하여 수광소자 및 트랜스퍼게이트의 특성을 평가하고 최적의 수광소자 및 트랜스퍼게이트 조건을 설정함으로써 광특성을 향상시킬 수 있는 테스트 패턴, 그 제조방법 및 테스트 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 이미지 센서에서는 수광소자의 폭이나 형태를 변화시켜 테스트 패턴을 제작하거나, 트랜스퍼게이트의 위치나 크기를 변화시켜 형성함으로써, 수광소자에 집적되는 광자의 양을 전류를 통하여 수광소자 및 트랜스퍼게이트의 특성을 평가함으로써, 최적의 수광소자 조건 및 트랜스퍼게이트 조건을 설정할 수 있다.
마이크로렌즈, 테스트 패턴, 수광소자, 트랜스퍼게이트
Description
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 테스트 패턴을 나타낸 평면도.
도 2a 및 도 2b는 도 1의 M 부분에 대한 확대도로서,
도 2a는 트랜스퍼게이트가 적용되지 않은 경우를 나타낸 도면이고,
도 2b는 트랜스퍼게이트가 적용된 경우를 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 테스트 패턴을 나타낸 단면도로서, 도 1의 Ⅲ-Ⅲ' 선에 따른 단면도.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 테스트 패턴의 연결예를 나타낸 도면으로서,
도 4a는 트랜스퍼게이트가 적용되지 않은 경우를 나타낸 도면이고,
도 4b는 트랜스퍼게이트가 적용된 경우를 나타낸 도면.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 반도체 기판 20 : 필드 절연막
30A11∼30A22 : 수광소자 어레이
40 : P＋ 픽업영역 50 : N＋ 접합영역
60, 80, 100 : 제 1 내지 제 3 절연막
70A, 70B : 제 1 및 제 2 배선
90 : 차광막 110 : 칼라필터
120 : 평탄화막 1A11∼1A22 : 마이크로렌즈 어레이
1B1∼1B12 : 더미 수광소자패턴
PAD1, PAD2 : 제 1 및 제 2 패드
200 : 패턴영역 300A, 300B : 테스트 패턴
C1, C2, C3 : 콘택 G11∼G22 : 트랜스퍼게이트 어레이
본 발명은 이미지 센서 기술에 관한 것으로, 특히 포토다이오드와 같은 수광소자 및 트랜스퍼게이트의 특성을 평가할 수 있는 이미지 센서의 테스트 패턴, 그 제조방법 및 테스트 방법에 관한 것이다.
이미지 센서는 빛을 감지하는 광감지 부분으로서 포토다이오드와 같은 수광소자를 구비하고, 또한 감지된 빛을 전기적 신호로 처리하여 데이터화하는 로직회로 부분으로서 트랜스퍼게이트, 리셋게이트, 드라이브게이트, 및 셀렉트게이트를 구비한다. 또한, 광감도를 높이기 위하여 전체 이미지 센서 소자에서 광감지 부분 의 면적이 차지하는 비율(fill factor)을 크게 하려는 노력을 진행하고 있으나, 근본적으로 로직회로 부분을 제거할 수 없기 때문에 제한된 면적하에서 이러한 노력에는 한계가 있다. 따라서, 광감도를 높이기 위하여 광감지 부분 이외의 영역으로 입사하는 빛의 경로를 변경하여 광감지 부분으로 모아주기 위하여 마이크로렌즈를 적용하고 있다.
그러나, 종래의 이미지 센서에 있어서는, 광자(photon)를 전하로 바꾸는 수광소자에 대하여 별도의 테스트 패턴을 제작하는 것 없이 단지 진행중인 공정 결과로서 얻어진 광특성 데이터만을 검토할 뿐 정량화된 광특성 변화를 측정할 수 없기 때문에, 최적의 수광소자 조건을 설정할 수 없었다. 또한, 수광소자로부터 생성된 전하를 이동시키는 트랜스퍼게이트에 대해서도 별도의 테스트 패턴을 제작하지 않으므로, 이에 대해서도 최적의 조건을 설정할 수 없었고, 이에 따라 우수한 광특성을 가지는 이미지 센서를 얻을 수 없었다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 이미지 센서에서 광특성을 정량화하여 수광소자 및 트랜스퍼게이트의 특성을 평가하고 최적의 수광소자 및 트랜스퍼게이트 조건을 설정함으로써 광특성을 향상시킬 수 있는 테스트 패턴, 그 제조방법 및 테스트 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 이미지 센서의 테스트 패턴은 제 1 도전형 에피층이 형성되고 패턴영역이 정의된 반도체 기판; 기판의 패턴영역에 배열된 수광소자 어레이; 수광소자 어레이 주변의 상기 패턴영역에 배열된 더미 수광소자패턴; 수광소자 어레이의 중앙에 배열되어 상기 수광소자 어레이를 서로 연결시키는 제 2 도전형 접합영역; 패턴영역을 둘러싸도록 상기 패턴영역 외부의 기판에 배열된 제 1 도전형 픽업영역; 패턴영역의 일측부에 배열되고 상기 접합영역과 콘택하는 제 1 배선; 제 1 배선과 연결된 제 1 패드; 패턴영역의 다른측부에 배열되고 픽업영역과 콘택하는 제 2 패드; 제 1 및 제 2 패드와 상기 접합영역 및 픽업영역 사이에 개재된 제 1 절연막; 제 1 및 제 2 패드를 포함하는 상기 기판 전면에 형성된 제 2 절연막; 패턴영역의 제 2 절연막 상에 형성된 칼라필터; 및 수광소자 어레이 상의 칼라필터 상에 배열된 마이크로렌즈 어레이를 포함한다.
여기서, 수광소자 어레이 중앙에 나란히 배열된 트랜스퍼게이트 어레이; 및 트랜스퍼게이트 어레이와 각각 콘택되어 이들을 서로 접속시키는 제 2 배선을 더 구비될 수 있다.
바람직하게, 수광소자 어레이는 적어도 2 ×2 이상이고, 더미 수광소자패턴은 적어도 1열 이상이다.
또한, 상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 상기 테스트 패턴을 이용한 본 발명의 테스트 방법은 테스트 패턴을 일정광원에 노출시켜 수광소자 어레이에서 광자를 집적하고, 제 1 패드에서 상기 수광소자 어레이에 집적된 광자의 양을 전류로 측정하여, 트랜스퍼게이트가 적용되지 않은 경우에는 수광소자의 특성을 평가하고, 트랜스퍼게이트가 적용된 경우에는 트랜스퍼게이트의 특성을 평가함으로써, 최적의 수광소자 조건 및 트랜스퍼게이트 조건을 설정한다.
또한, 상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 이미지 센서의 테스트 패턴 제조방법은, 제 1 도전형 에피층이 형성되고 패턴영역이 정의된 반도체 기판 상에 필드 절연막을 형성하는 단계; 패턴영역에 수광소자 어레이를 형성함과 동시에 수광소자 어레이 주변에 더미 수광소자패턴을 형성하는 단계; 패턴영역을 둘러싸도록 기판에 제 1 도전형 픽업영역을 형성하는 단계; 수광소자 어레이를 연결하도록 수광소자 어레이 중앙에 제 2 도전형 접합영역을 형성하는 단계; 기판 전면 상에 제 1 절연막을 형성하는 단계; 제 1 절연막을 식각하여 픽업영역 및 접합영역을 노출시키는 콘택홀을 각각 형성하는 단계; 콘택홀에 매립되도록 도전막을 증착하고 패터닝하여, 접합영역과 콘택하는 제 1 배선 및 상기 제 1 배선과 연결된 제 1 패드를 형성함과 동시에, 픽업영역과 콘택하는 제 2 패드를 형성하는 단계; 기판 전면 상에 제 2 절연막을 형성하는 단계; 패턴영역 상의 제 2 절연막 상에 칼라필터를 형성하는 단계; 및 수광소자 어레이 상의 칼라필터 상에 마이크로렌즈 어레이를 형성하는 단계를 포함한다.
여기서, 수광소자 어레이를 형성하기 전에 수광소자 어레이 중앙에 나란히 배열되도록 트랜스퍼게이트 어레이를 형성하고, 제 1 배선의 형성시 트랜스퍼게이트 어레이와 각각 콘택되어 이들을 서로 접속시키는 제 2 배선을 더 형성할 수 있다.
바람직하게, 수광소자 어레이는 적어도 2 ×2 이상으로 형성하고, 더미 수광소자패턴은 적어도 1열 이상으로 형성한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 테스트 패턴의 평면도 및 단면도이고, 도 2a 및 도 2b는 도 1의 M 부분에 대한 확대도로서, 도 2a는 트랜스퍼게이트가 적용되지 않은 경우를 나타내고, 도 2b는 트랜스퍼게이트가 적용된 경우를 나타내며, 도 3은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ' 선에 따른 단면을 나타낸다.
먼저, 도 1, 도 2a 및 도 3을 참조하여, 트랜스퍼게이트가 적용되지 않은 경우 본 발명의 테스트 패턴(300A)을 살펴보면, P형 에피층이 형성된 반도체 기판(10)의 패턴영역(200)에 적어도 2 ×2 이상의 포토다이오드와 같은 수광소자 어레이(30A11∼30A22)가 배열되고, 수광소자 어레이(30A11∼30A22) 주변의 패턴영역(200)에는 수광소자 어레이의 형태를 일정하게 유지하도록 적어도 1열 이상의 더미 수광소자패턴(1B1∼1B12)이 배열된다. 여기서, 수광소자는 실제 화소(real pixel)와 동일한 디자인으로 형성되거나, 폭 또는 형태가 다양하게 변화될 수 있다.
수광소자 어레이(30A11∼30A22)의 중앙에는 도 2a에 도시된 바와 같이, 수광소자 어레이(30A11∼30A22)를 서로 연결시키는 N＋ 접합영역(50)이 형성되고, 패턴영역(200) 외부의 기판(10)에는 패턴영역(200)을 둘러싸도록 P＋ 픽업영역(40)이 형성된다. 패턴영역(200)의 일측부에는 N＋ 접합영역(50)과 콘택(C1)하는 제 1 배선(70A)과 이 제 1 배선(70)과 연결된 제 1 패드(PAD1)가 형성되고, 패턴영역(200)의 다른측 부에는 P＋ 픽업영역(40)과 콘택(C2)하는 제 2 패드(PAD2)가 배열되며, 제 1 및 제 2 패드(PAD1, PAD2)는 측정단자로서 사용된다.
제 1 및 제 2 패드(PAD1, PAD2)와 N＋ 접합영역(50) 및 P＋ 픽업영역(40) 사이에는 제 1 절연막(60)이 개재되고, 제 1 및 제 2 패드(PAD1, PAD2) 상에는 제 2 절연막(80)이 형성되며, 제 2 절연막(80) 상에는 수광소자 어레이(30A11∼30A22)만을 노출시키는 차광막(90)과 제 3 절연막(100)이 형성되고, 패턴영역(200)의 제 3 절연막(100) 상에는 칼라필터(110)가 형성된다. 여기서, 칼라필터(110)는 실제화소와 동일하게 형성되거나, 통판으로 하나의 칼라로 형성될 수 있다. 또한, 칼라필터(100) 상에 평탄화막(120)이 형성되고, 수광소자 어레이(30A11∼30A22) 상의 평탄화막(120) 상에 마이크로렌즈 어레이 (A11∼A22)가 배열된다.
상기 테스트 패턴(300A)을 이용하여 포토다이오드의 특성을 테스트하는 방법을 살펴보면, 도 4a에 도시된 바와 같이, 픽업영역(40)과 콘택(C2)하는 제 2 패드(PAD2)의 연결은 공용으로 하거나 각각의 측정단자에 별도로 연결하고, 수광소자 어레이(30A11∼30A22)를 모두 연결하는 접합영역(50)과 콘택하는 제 1 패드(PAD1)를 각각 연결하고, 일정광원에 테스트 패턴(300A)를 노출시켜 수광소자 어레이(30A11∼30A22)에 집적된 광자의 양을 전류로서 제 1 패드(PAD1)에서 각각 측정한다.
즉, 마이크로렌즈의 특성 차이에 따라 수광소자에 집적되는 광자의 양이 달라지기 때문에, 제 1 패드(PAD1)에서 측정되는 전류를 통하여 수광소자의 형태 및 크기에 따른 특성을 평가하여 최적화된 수광소자 조건을 설정할 수 있게 된다.
다음으로, 도 1, 도 2b 및 도 3을 참조하여, 트랜스퍼게이트가 적용된 경우 본 발명의 테스트 패턴(300B)을 살펴본다.
테스트 패턴(300B)은 상술한 테스트 패턴(300A)에 트랜스퍼게이트가 더 형성되는데, 도 2b에 도시된 바와 같이, 트랜스퍼게이트 어레이(TG11∼TG22)는 수광소자 어레이(30A11∼30A22)의 중앙에 나란히 배열되며, 제 2 배선(70B)과 각각 콘택(C3)되어 서로 접속되어 있으며, 제 2 배선(70B)은 제 1 배선(70A)과 반대방향으로 배열되어 있다. 또한, 테스트 패턴(300A)과는 달리 테스트 패턴(300B)에서는 수광소자의 폭 또는 형태는 일정하며, 트랜스퍼게이트의 위치나 크기가 다양하게 변화된다.
상기 테스트 패턴(300B)을 이용하여 마이크로렌즈의 특성을 테스트하는 방법을 살펴보면, 도 4b에 도시된 바와 같이, 트랜스퍼게이트 어레이(TG11∼TG22)를 연결하는 제 2 배선(70B)은 공용으로 하거나 각각의 측정단자에 별도로 연결하고, 수광소자 어레이(30A11∼30A22)를 모두 연결하는 접합영역(50)과 콘택(C1)하는 제 1 패드(PAD1)를 서로 연결시키면서 픽업영역(40)과 콘택(C1)하는 제 2 패드(PAD)를 공용으로 연결하고, 일정광원에 테스트 패턴(300B)를 노출시켜 수광소자 어레이(30A11∼30A22)에 집적된 광자의 양을 전류로서 제 1 패드(PAD1)에서 각각 측정한다.
즉, 트랜스퍼게이트의 특성 차이에 따라 수광소자에 집적되는 광자의 양이 달라지기 때문에, 제 1 패드(PAD1)에서 측정되는 전류를 통하여 트랜스퍼게이트의 위치 및 크기에 따른 특성을 평가하여 최적화된 트랜스퍼게이트 조건을 설정할 수 있게 된다.
이어서, 상기 본 발명의 테스트 패턴의 제조방법을 설명한다.
먼저, 트랜스퍼게이트가 적용되지 않은 경우의 테스트 패턴(300A)의 제조방법을 살펴보면, P형 에피층이 형성되고 패턴영역(200)이 정의된 반도체 기판(10) 상에 필드 절연막(20)을 형성하고, 적어도 2 ×2 이상의 수광소자 어레이(30A11∼30A22)를 형성함과 동시에 수광소자 어레이(30A11∼30A22) 주변의 패턴영역(200)에 수광소자 어레이의 형태를 일정하게 유지하도록 적어도 1열 이상의 더미 수광소자패턴(1B1∼1B12)을 형성한다. 여기서, 수광소자는 실제 화소와 동일한 디자인을 갖도록 하거나, 폭 또는 형태를 다양하게 변화시켜 형성할 수 있다.
그 다음, 패턴영역(200)을 둘러싸도록 기판(10)에 P＋ 픽업영역(40)을 형성하고, 수광소자 어레이(30A11∼30A22)의 중앙에 이들을 연결하도록 N＋ 접합영역(50)을 형성한다. 그 다음, 기판 전면 상에 제 1 절연막(60)을 형성하고, 제 1 절연막(60)을 식각하여 P＋ 픽업영역(40) 및 N＋접합영역(50)을 노출시키는 콘택홀을 각각 형성한다. 그 후, 상기 콘택홀에 매립되도록 금속막과 같은 도전막을 증착하고 패터닝하여, N＋ 접합영역(50)과 콘택(C1)하는 제 1 배선(70A)과 이 배선(70A)과 연결된 제 1 패드(PAD1)를 형성함과 동시에, P＋픽업영역(40)과 콘택(C2)하는 제 2 패드(PAD2)를 형성한다.
그리고 나서, 기판 전면 상에 제 2 절연막(80)을 형성한다. 그 다음, 제 2 절연막(80) 상에 수광소자 어레이(30A11∼30A22)를 노출시키는 차광막(90)과 제 3 절연막(100)을 형성한 후, 패턴영역(200)의 제 3 절연막(100) 상에 칼라필터(110)를 형성하고, 그 상부에 평탄화막(120)을 형성한다. 여기서, 칼라필터(110)는 실제화소와 동일하게 형성하거나, 통판으로 하나의 칼라를 사용하여 형성할 수 있다. 그 후, 수광소자 어레이(30A11∼30A22) 상의 평탄화막(120) 상부에 적어도 2 ×2 이상의 마이크로렌즈 어레이(1A11∼1A22)를 형성한다.
다음으로, 트랜스퍼게이트가 적용된 경우 테스트 패턴(300B)의 제조방법을 살펴본다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 테스트 패턴(300B)는 상술한 테스트 패턴(300A)에 트랜스퍼게이트 어레이(TG11∼TG22)를 더 형성하는데, 이때 트랜스퍼게이트 어레이(TG11∼TG22)는 수광소자 어레이(30A11∼30A22)의 중앙에 나란히 배열되도록 형성하고, 수광소자 어레이(30A11∼30A22)를 형성하기 전에 형성하며, 트랜스퍼게이트 어레이(TG11∼TG22)와 각각 콘택(C3)하는 제 2 배선(70B)은 제 1 배선(70A)의 공정시 형성한다. 또한, 테스트 패턴(300A)과는 달리 테스트 패턴(300B)에서는 수광소자의 폭 또는 형태는 일정하게 유지하고, 트랜스퍼게이트를 위치나 크기를 다양하게 변화시켜 형성한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 수광소자에 집적되는 광자의 양을 전류로 측정할 수 있도록 테스트 패턴을 제작함으로써, 수광소자의 형태 및 크기에 따른 특성과 트랜스퍼게이트의 위치 및 크기에 따른 특성을 평가할 수 있을 뿐만 아니라, 트랜스퍼게이트의 유무에 따른 특성차를 측정할 수 있고, 이에 따라 최적화된 수광소자 및 트랜스퍼게이트의 조건을 설정할 수 있게 됨으로써, 이미지 센서의 양자효율(quantum efficiency) 및 트랜스퍼 효율(transfer efficiency)과 같은 광특성을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 변형시켜 실시할 수 있다.
전술한 본 발명은 이미지 센서의 양자효율(quantum efficiency) 및 트랜스퍼 효율(transfer efficiency)과 같은 광특성을 개선하는 효과가 있다.
Claims (20)
- 제 1 도전형 에피층이 형성되고 패턴영역이 정의된 반도체 기판;상기 기판의 패턴영역에 배열된 수광소자 어레이;상기 수광소자 어레이 주변의 상기 패턴영역에 배열된 더미 수광소자패턴;상기 수광소자 어레이의 중앙에 배열되어 상기 수광소자 어레이를 서로 연결시키는 제 2 도전형 접합영역;상기 패턴영역을 둘러싸도록 상기 패턴영역 외부의 기판에 배열된 제 1 도전형 픽업영역;상기 패턴영역의 일측부에 배열되고 상기 접합영역과 콘택하는 제 1 배선;상기 제 1 배선과 연결된 제 1 패드;상기 패턴영역의 다른측부에 배열되고 상기 픽업영역과 콘택하는 제 2 패드;상기 제 1 및 제 2 패드와 상기 접합영역 및 픽업영역 사이에 개재된 제 1 절연막;상기 제 1 및 제 2 패드를 포함하는 상기 기판 전면에 형성된 제 2 절연막;상기 패턴영역의 상기 제 2 절연막 상에 형성된 칼라필터; 및상기 수광소자 어레이 상의 상기 칼라필터 상에 배열된 마이크로렌즈 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 테스트 패턴.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 수광소자 어레이 중앙에 나란히 배열된 트랜스퍼게이트 어레이; 및상기 트랜스퍼게이트 어레이와 각각 콘택되어 이들을 서로 접속시키는 제 2 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 테스트 패턴.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 수광소자 어레이는 적어도 2 ×2 이상인 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 테스트 패턴.
- 제 5 항에 있어서,상기 더미 수광소자패턴은 적어도 1열 이상인 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 테스트 패턴.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 절연막과 상기 칼라필터 사이에,상기 수광소자 어레이만을 노출시키도록 상기 제 2 절연막 상에 형성된 차광막; 및 상기 차광막을 포함하는 기판 전면에 형성된 제 3 절연막이 개재되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 테스트 패턴.
- 제 1 항에 있어서,상기 마이크로렌즈 어레이와 상기 칼라필터 사이에 평탄화막이 개재되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 테스트 패턴.
- 제 1 항에 있어서,상기 칼라필터는 실제화소와 동일하게 형성되거나, 통판으로 하나의 칼라로 형성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 테스트 패턴.
- 제 5 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항의 테스트 패턴을 이용한 테스트 방법에 있어서,상기 테스트 패턴을 일정광원에 노출시켜 상기 수광소자 어레이에서 광자를 집적하고, 상기 제 1 패드에서 상기 수광소자 어레이에 집적된 광자의 양을 전류로 측정하여 상기 수광소자의 특성을 평가하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 테스트 방법.
- 제 3 항의 테스트 패턴을 이용한 테스트 방법에 있어서,상기 테스트 패턴을 일정광원에 노출시켜 상기 수광소자 어레이에서 광자를 집적하고, 상기 제 1 패드에서 상기 수광소자 어레이에 집적된 광자의 양을 전류로 측정하여 상기 트랜스퍼게이트의 특성을 평가하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 테스트 방법.
- 제 1 도전형 에피층이 형성되고 패턴영역이 정의된 반도체 기판 상에 필드 절연막을 형성하는 단계;상기 패턴영역에 수광소자 어레이를 형성함과 동시에 상기 수광소자 어레이 주변에 더미 수광소자패턴을 형성하는 단계;상기 패턴영역을 둘러싸도록 상기 기판에 제 1 도전형 픽업영역을 형성하는 단계;상기 수광소자 어레이를 연결하도록 수광소자 어레이 중앙에 제 2 도전형 접합영역을 형성하는 단계;상기 기판 전면 상에 제 1 절연막을 형성하는 단계;상기 제 1 절연막을 식각하여 상기 픽업영역 및 접합영역을 노출시키는 콘택홀을 각각 형성하는 단계;상기 콘택홀에 매립되도록 도전막을 증착하고 패터닝하여, 상기 접합영역과 콘택하는 제 1 배선 및 상기 제 1 배선과 연결된 제 1 패드를 형성함과 동시에, 상기 픽업영역과 콘택하는 제 2 패드를 형성하는 단계;상기 기판 전면 상에 제 2 절연막을 형성하는 단계;상기 패턴영역 상의 상기 제 2 절연막 상에 칼라필터를 형성하는 단계; 및상기 수광소자 어레이 상의 상기 칼라필터 상에 마이크로렌즈 어레이를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 테스트 패턴 제조방법.
- 삭제
- 제 12 항에 있어서,상기 수광소자 어레이를 형성하기 전에 상기 수광소자 어레이 중앙에 나란히 배열되도록 트랜스퍼게이트 어레이를 형성하고, 상기 제 1 배선의 형성시 상기 트랜스퍼게이트 어레이와 각각 콘택되어 이들을 서로 접속시키는 제 2 배선을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 테스트 패턴 제조방법.
- 삭제
- 제 12 항에 있어서,상기 수광소자 어레이는 적어도 2 ×2 이상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 테스트 패턴 제조방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 더미 수광소자패턴은 적어도 1열 이상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 테스트 패턴 제조방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 제 2 절연막을 형성하는 단계와 상기 칼라필터를 형성하는 단계 사이에, 상기 제 2 절연막 상에 수광소자 어레이를 노출시키는 차광막을 형성하는 단계; 및 상기 기판 전면 상에 제 3 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 테스트 패턴 제조방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 칼라필터를 형성하는 단계와 상기 마이크로렌즈 어레이를 형성하는 단계 사이에 평탄화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 테스트 패턴 제조방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 칼라필터는 실제화소와 동일하게 형성하거나, 통판으로 하나의 칼라를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 테스트 패턴 제조방법.
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