KR100193410B1 - 고체 촬상 장치 - Google Patents
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Abstract
고체촬상장치에 있어서, 수직 CCD 레지스터의 모든 전송전극에 구동펄스를 공급하는 금속배선은 상기 수직 CCD 레지스터상에 설치되고, 상기 금속 배선간의 간격은 유효촬상영역 및 광학블랙영역에 상호 상이한 크기로 주어진다. 상기 광학블랙영역의 차광막 하부의 단차형상은 개선되며, 광투과도 방지된다. 따라서, 정확한 블랙기준레벨이 얻어진다.
Description
제1a도는 본 발명의 일실시예에 따른 고체촬상장치의 촬상영역의 단면도.
제1b도는 본 발명의 일실시예에 따른 고체촬상장치의 광학블랙영역의 단면도.
제2a도 내지 제2d도는 본 발명의 일실시예에 따른 제조공정을 나타내는 광학블랙영역의 단면도.
제3a도는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 고체촬상장치의 유효촬상영역의 단면도.
제3b도는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 고체촬상장치의 광학블랙영역의 단면도.
제4도는 일반적인 인터라인 CCD형 고체촬상장치를 나타내는 구성도.
제5a도는 종래기술에 따른 고체촬상장치의 유효촬상영역의 단면도.
제5b도는 종래기술에 따른 고체촬상장치의 광학블랙영역의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 제1도전형 반도체 기판 12 : 제2도전형 불순물웰층
13,15 : 제1도전형 불순물층 14,16 : 제2도전형 불순물층
17 : 전송게이트부 18 : 채널스톱퍼
19,21,24 : 절연막 20 : 전송전극
22 : 금속배선 23 : 콘택구멍
25 : 차광막 101 : 포토다이오드
102 : 수직 CCD형 레지스터 103 : 수평 CCD형 레지스터
104 : 전하검출부 105 : 출력증폭기
106 : 유효촬상영역 107 : 광학블랙영역
본 발명은 2차원의 CCD형 고체촬상장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 전송전극에 전송펄스를 공급하는 수직 CCD 레지스터 상부의 영역에 형성된 금속배선의 구성에 관한 것이다.
제4도는 일반적인 인터라인 CCD형 고체촬상장치의 구성도이다. 상기 인터라인 CCD형 고체촬상장치는 복수의 포토다이오드(101)와, 상기 포토다이오드로부터 전하를 받아서 전송하는 복수의 수직 CCD 레지스터(102)와, 상기 수직 CCD 레지스터로부터 전하를 받아서 전송하는 수평 CCD 레지스터(103)와, 상기 수평 CCD 레지스터(103)로부터 전송되온 전하를 검출하는 전하검출부(104)와, 출력증폭기(105)를 포함한다. 촬상부는 유효촬상영역(106)과, 블랙기준신호레벨을 결정하기 위하여 광이 차단되는 광학블랙영역(107)으로 구성된다.
제5a 및 제5b도는 종래의 고체촬상장치의 유효촬상영역 및 광학블랙영역 각각의 화소의 수평방향 단면도이다. 이런 종류의 고체촬상장치는 예컨대, 국제전자 디바이스회의(IEDM)의 Technical Digest, pp. 105∼108, 1992. 에 기재되어 있다. 우선, 화소의 구성을 기술한다. 제1도전형 반도체 기판(111)의 일면상에 제2도전형 불순물웰층(112)을 형성한다. 포토다이오드를 구성하는 제1도전형 불순물층(113)을 상기 층(112)내부에 형성하고, 암전류의 발생을 억제하는 제2도전형 불순물층(114)을 상기 층(112)의 표면상에 형성한다.
또한, 수직 CCD 레지스터를 구성하는 제1도전형 불순물층(115)을 상기 층(112)의 표면상에 형성하고, 상기 층(115)의 하부에는 제2도전형 불순물층(116)을 형성한다. 상기 포토다이오드 및 상기 수직 CCD 레지스터사이에는, 전송게이트부(117)를 제외하고 채널스톱(118)을 형성한다. 상기 반도체 기판(111)의 표면상의 상기 웰층(112)상에는 이산화 실리콘막 또는 질화 실리콘막으로 이루어진 절연막(119)을 형성하고, 그 상부에는 폴리실리콘막등으로 이루어진 전송전극(120)을 형성한다. 또한, 이산화 실리콘막등으로 이루어진 절연막(121)의 상부에는 텅스텐막 또는 알루미늄막등으로 이루어진 금속배선(122)을 형성한다. 상기 금속배선(122)은 콘택구멍(123)을 통하여 상기 전송전극(120)에 접속된다. 상기 금속배선(122)은 상기 수직 CCD 레지스터를 덮고, 상기 포토다이오드의 상부영역에 개구부를 갖도록 형성되어, 상기 전송전극(120)에 수직전송펄스를 공급하는 버스라인으로서 그리고, 상기 수직 CCD 레지스터의 차광막으로서의 기능을 한다.
광학블랙영역의 화소에서는 (제5b도 참조), 또한, 이산화 실리콘막등으로 이루어진 절연막(124)의 상부에 알루미늄막등으로 이루어진 차광막(125)이 형성되어, 상기 포토다이오드상에 광이 입사하는 것을 방지하는 구조를 제공한다. 통상, 상기 유효촬상영역 및 광학블랙영역의 화소의 구조는 광입사의 유무에 대해서만 차이가 얻어지도록 상기 포토다이오드 및 상기 CCD 레지스터에 동일한 구조 및 치수를 주어 설계됨으로써, 이들의 구성은 차광막(125)의 유무에만 차이가 있다.
상기 금속배선(122)의 패턴은 상기 포토다이오드의 감도향상 및 스메어(smear)의 저감을 고려하여 결정되고, 통상, 상기 전송전극(120)의 측면을 십분 덮도록 설계된다. 그러나, 각 셀의 크기가 수 ㎛ 정도로 작게 되어가는 현재, 설계 마진은 상기 포토다이오드의 감도를 유지하기 위하여 상기 금속배선이 전송전극(120)의 측면으로부터 0∼0.3㎛ 정도 튀어나오게 되어 있다. 따라서, 제5b도에 도시된 바와 같이, 상기 금속배선(122)은 상기 전송전극(120)의 측면부에 큰 레벨차를 발생시킨다. 또한, 마스크의 미스얼라인먼트 또는 에칭량의 변동에 의하여, 상기 오버행(overhang)의 형상으로 단차가 형성될 가능성도 있다. 그 결과, 광학블랙영역의 화소에 있어서는, 금속배선의 측면부에 차광막(125)의 단차부의 단절 또는 크랙 발생, 또는 차광막의 두께의 극도의 감소를 초래하여 광이 투과되고, 블랙기준레벨의 변동을 야기시키는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위한 방법으로서, 일본 특허 공개공보 소 62-145771호에 개시된 방법이 있다. 이 방법에서는 상기 광학블랙영역의 포토다이오드의 표면을 상기 전송전극으로 완전히 덮어서 상기 레벨차를 감소시키고 상기 차광막의 크랙발생을 방지하도록 제안하고 있다. 이 발명은 광의 내부로의 누설을 방지할 수 있지만, 새로운 문제점을 발생시킨다. 즉, 상기 광학 블랙영역의 포토다이오드의 전표면을 상기 전송전극으로 덮기 때문에, 상기 포토다이오드의 표면과 상기 전송전극 사이에 질화막이 놓여질 경우, 상기 질화막으로 덮혀진 상기 포토다이오드의 전표면에는 수소가 용이하게 관통되지 않아서, 일반적으로상기 장치 형성 공정의 최종단계에서 행해지는 수소어닐릴에 의한 덴그링 본드(dangling bond)의 저감을 실행할 수 없게 된다. 그 결과, 상기 광학블랙영역의 포토다이오드와, 상기 유효촬상영역의 포토다이오드는 상호 상이한 표면조건으로 제공되어, 정확한 블랙기준신호레벨을 얻을 수 없게 된다. 더욱이, 상기 질화막의 스트레스에 의해 상기 기판에 스트레스가 가해져서, 결점을 유발시킬 수 있다. 이것은 상기 광학블랙영역의 화소의 암전류가 상기 유효촬상영역의 화소의 암전류보다 커지게하여, 정확한 블랙기준레벨를 얻을 수 없게 한다.
상기 차광막을 통하여 광이 투과되는 것을 방지하는 또 다른 방법으로서는, 일본 특허 공개공보 소 63-266868호에 개시된 방법이 있다. 이 발명은 상기 본래의 차광막과 상기 광학블랙영역의 화소의 포토다이오드 사이에 보조 차광막을 설치하는 것이다. 상기 발명에 따르면, 광이 내부로 누설되는 것을 방지할 수 있지만, 공정수가 증가하고, 제조비용이 증가하는 문제점을 발생시킨다.
따라서, 본 발명의 목적은 촬상영역과 광학블랙영역을 갖는 개선된 고체촬상장치를 제공하는데 있다.
본 발명에 따른 고체촬상장치는 수직 CCD 레지스터의 각 전송전극에 구동펄스를 공급하기 위한 금속배선이 수직 CCD 레지스터상에 설치되고, 광학블랙영역의 금속배선들간의 간격이 유효촬상영역의 금속배선들간의 간격보다 좁게 되어 있음을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 따른 고체촬상장치는 또한, 상기 금속배선이 상기 수직 CCD 레지스터의 상부에 그것에 평행하게 형성되며, 광학블랙영역의 금속배선들간의 간격이 유효촬상영역의 금속배선들간의 간격보다 넓게 되어 있음을 특징으로 하고 있다.
본 발명의 상기한 그리고 또 다른 목적, 특징 및 장점들은 첨부도면을 참조하여 기술되는 하기의 상세한 설명으로부터 보다 명백하게 될 것이다.
제1a 및 제1b도를 참조하면, 배선 및 차광구조를 제외하고, 촬상영역 및 광학블랙영역은 각기 상호 동일한 구조를 갖고 있다. 보다 상세하게는, 제1도전형 반도체 기판(11)의 주면상에 제2도전형 불순물웰층(12)이 형성되어 잇다. 상기 웰층(12)의 내부에는 포토다이오드를 구성하는 제1도전형 불순물층(13)이 형성되어 있고, 상기 웰층(12)의 표면상에는 암전류의 발생을 억제하는 제2도전형 불순물층(14)이 형성되어 있다. 또한, 수직 CCD 레지스터를 구성하는 제1도전형 불순물층(15)이 형성되고, 이 층(15)의 하부에 제2도전형 불순물층(16)이 형성된다. 상기 포토다이오드와 수직 CCD 레지스터 사이에는, 전송 게이트부(17)를 제외하고는 채널스톱퍼(18)가 형성된다. 상기 반도체 기판(11)의 일표면상의 불순물층(12)의 표면상에는 이산화 실리콘막 또는 질화 실리콘막으로 이루어진 절연막(19)이 형성되며, 그의 상부에는 폴리실리콘막등으로 이루어진 전송전극(20)이 형성된다.
또한, 이산화 실리콘막등으로 이루어진 절연막(21) 상부에는 텅스텐막 또는 알루미늄막으로 이루어진 금속배선(22)이 형성되며, 이 금속배선(22)은 콘택구멍(23)을 통하여 전송전극(20)에 접속된다. 때로는, 상기 금속배선(22)과 전송전극(20)사이에 폴리실리콘막 등으로 이루어진 완충막을 설치하여, 상기 콘택구멍(23)을 통한 금속배선(22)과 전송전극(20)사이의 반응을 방지한다. 상기 금속배선(22)은 수직 CCD 레지스터를 덮도록 그리고 상기 포토다이오드 상부의 영역에 개구부를 갖도록 형성되어, 상기 전송전극(20)에 수직 전송펄스를 공급하는 버스라인으로서, 그리고, 수직 CCD 레지스터의 차광막으로서 기능을 한다. 상기 광학블랙영역에 있는 화소의 금속배선들간의 간격(LO)은 유효촬상영역에 있는 화소의 금속배선들(22)간의 간격(LA)보다 좁게 형성된다. 보다 상세하게는, 상기 광학블랙영역의 화소의 금속배선(22)은 상기 전송전극의 측면으로부터 0.5㎛ 내지 1.0㎛ 외부로 튀어나오게 설계된다.
그러나, 위상이 상이한 구동펄스를 상기 배선(22)에 공급하기 위해서는 전기적으로 분리될 필요가 있기 때문에, 인접하는 금속배선들(22)간의 간격(LO)은 0.2㎛보다는 커야 한다. 광학블랙영역의 화소(제1b도)에 있어서는, 또한, 상기 금속배선(22)의 상부에 이산화 실리콘막등으로 이루어진 절연막(24)을 매개로 하여 알루미늄막 등으로 이루어진 차광막(25)이 형성된다. 이러한 방법으로, 상기 포토다이오드의 단부의 금속배선(22)으로 인한 큰 단차의 형성을 방지할 수 있다.
다음, 도면을 참조하여, 본 발명에 따른 고체촬상장치의 실시예의 제조공정의 일예를 기술한다.
제2a 내지 제2d도는 제조공정의 여러 중간단계에 있어서, 광학블랙영역의 화소의 수평방향단면도이다. 제2a도에 도시된 바와 같이, 약 1014cm-3의 농도를 갖는 제1도전형 반도체 기판(11)의 일면상에 불순물 농도가 1014내지 1015cm-3인 제2도전형 불순물웰층(12)을 이온 주입하여 형성한다. 그 후, 제2b도에 도시된 바와 같이, 상기 불순물웰층(12)의 표면측상에 포토리소그래피 의해 형성된 레지스트패턴을 마스크로서 사용하여 불순물농도가 1015내지 1017cm-3인 제1도전형 불순물층(13)을 이온주입하여 형성시키고, 상기 불순물(13)의 표면측상에는 불순물농도가 1017내지 1020cm-3인 제2도전형 불순물층(14)을 다시 이온주입하여 형성시킨다.
그 다음, 상기 제1도전형 불순물층(13)의 형성시 사용한 것과 동일한 방법을 사용하여, 1016내지 5×1017cm-3의 불순물 농도를 갖는 제2도전형 불순물층(16)과, 그의 표면측상에 1016내지 5×1017cm-3의 불순물 농도를 갖는 제1도전형 불순물층(15)을 형성한다. 또한, 1017내지 1020cm-3의 불순물 농도를 갖는 채널스톱퍼(18)를 형성한 후, 제2c도에 도시된 바와 같이, 이산화 실리콘막 또는 질환 실리콘막으로 이루어진 절연막(19)을 상기 반드체 기판(11)의 한 주면상의 상기 불순물웰층(12)상에 형성시킨다.
여기서, 상기 절연막(19)은 이산화 실리콘막 및 질화 실리콘막으로 이루어진 다층화막이 될 수 있다. 또한, 상기 절연막(19)상에는 폴리실리콘막을 형성하고, 포토리소그래피에 의해 형성된 레지스터 패턴을 마스크로서 사용하여 상기 폴리실리콘막의 일부분을 드라이 에칭시켜서 전송전극(20)을 형성한다. 상기 절연막(19)의 성분으로서 질화 실리콘막을 사용하는 경우, 상기 질화 실리콘막은 상기 전송전극의 형성과 동시에, 또는 전송전극(20)의 형성후의 공정에서 제거된다. 계속하여, 제2d도에 도시된 바와 같이, 이산화 실리콘막으로 이루어진 절연막(21)을 형성한 후, 상기 전송전극(20)의 일부분상의 절연막(21)에 드라이 또는 웨트 에칭으로 콘택구멍(23)을 형성한다. 또한, 텅스텐등의 금속막 또는 텡스텐 실리사이드 막같은 금속 실리사이드막을 스퍼터링으로 증착시킨다. 그후, 포토리소그래피에 의해 형성된 레지스트패턴을 마스크로서 사용하여, 금속배선(22)을 드라이 에칭시켜 형성한다. 계속해서, 제1b도에 도시된 바와 같이, 이산화 실리콘막등으로 이루어진 절연막을 형성한 후, 알루미늄막 같은 금속막을 스퍼터링 또는 유사방법으로 증착시킨다. 이어서, 포토리소그래피에 의해 형성된 레지스트 패턴을 마스크로서 사용하여 차광막(25)을 드라이 애칭시켜 형성한다. 제2a도 내지 제2d도는 상기 제1불순물층(13) 및 제2불순물층(14)을 상기 전송게이트(20)의 형성보다 앞선 공정에서 형성함을 도시하고 있지만, 그들의 형성순서는 역으로 될 수도 있다.
제3a도 및 제3b도는 본 발명에 따른 또 다른 실시예의 고체촬상장치의 유효촬상영역 및 광학블랙영역 각각의 화소의 수평방향의 단면도이다. 상기 광학블랙영역의 화소의 기본 구조는 제1도와 동일하지만, 본 실시예에 있어서는 상기 광학블랙영역의 화소의 금속배선들(22)간의 간격(LO')이 유효촬상영역의 화소의 금속배선들간의 간격(LA')보다 크게 형성되어 있다.
특히, 상기 광학블랙영역의 화소의 금속배선(22)은 상기 전송전극(20)의 측면가장자리로부터 0.2㎛ 내지 0.5㎛ 만큼 움푹 들어가게 설계되어 있다. 그러한 방법으로, 상기 포토다이오드의 가장자리부에서 금속배선(22)에 의한 큰 레벨차의 형성을 방지할 수 있다.
본 발명에 따라서, 상기 광학블랙영역의 차광막하부의 단차 형상이 개선될 수 있으며, 광투과를 방지할 수 있다. 따라서, 정확한 블랙기준레벨을 얻을 수 있다. 더욱이, 상기 포토다이오드의 상부의 질화막은 제거되기 때문에, 상기 광학블랙영역에서 수소어닐링 효과가 얻어지며, 유효촬상영역간의 암전류의 차가 발생하지 않는다. 또한, 특히, 새로운 공정을 추가할 필요가 없다.
Claims (7)
- 광학블랙영역을 갖는 고체촬상장치에 있어서, 상기 광학블랙영역은, 반도체 기판과; 상기 반도체 기판내의 선택적으로 형성되어 전하를 축적하는 포토다이오드와; 상기 반도체 기판의 부분이 CCD 레지스터를 상기 포토다이오드로부터 분리하도록 상기 포토다이오드로부터 떨어져서 상기 반도체 기판내에 선택적으로 형성된 CCD 레지스터와; 상기 반도체 기판을 덮는 제1절연막과; 상기 반도체 기판의 상기 부분을 덮도록 상기 제1절연막상에 형성되고, 수직 측면이 주변을 한정하며, 인가된 구동신호에 응답하여 전하를 상기 포토다이오드로부터 CCD 레지스터로 전송하는 전송전극과; 상기 전송전극 및 상기 제1절연막을 덮는 제2절연막으로서, 콘택구멍이 형성되어 상기 전송전극의 일부분을 노출시키고, 상기 전송전극의 상기 수직 측면에 대응하는 수직 측면과 상부 수평만을 갖는 제2절연막과; 상기 제2절연막상에 형성되고 구동신호가 상기 전송전극에 인가될 수 있도록 상기 콘택구멍을 통해 상기 전송전극이 상기 일부분과 접촉하며, 상기 제2절연막의 상부 수평면과 수직측면에 형성된 제1부분과 이 제1부분으로부터 상기 포토다이오드 쪽으로 신장하는 제2부분을 포함함으로써, 상기 제1부분에 의해 형성된 제1수직면, 상기 제2부분에 의해 형성된 제2수직면, 및 상기 제1수직면과 제2수직면을 서로 연결하도록 상기 제2부분에 의해 형성된 수평면을 가지며, 상기 제1 및 제2수직면들과 수평면 각각은 상기 포토다이오드 위에 위치하는 배선과; 상기 배선과 상기 제2절연막을 덮은 제3절연막과; 상기 포토다이오드, 상기 CCD 레지스터 및 상기 반도체 기판의 상기 부분을 덮도록 상기 제3절연막상에 형성된 차광막을 구비하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 제1항에 있어서, 상기 배선과 상기 차광막은 각각 금속으로 구성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 광학블랙영역을 갖는 고체촬상장치에 있어서, 상기 광학블랙영역은, 반도체 기판과; 상기 반도체 기판내에 선택적으로 형성되어 전하를 축적하는 포토다이오드와; 상기 반도체 기판의 부분이 CCD 레지스터를 상기 포토다이오드로부터 분리하도록 상기 포토다이오드로부터 떨어져서 상기 반도체 기판내에 선택적으로 형성된 CCD 레지스터와; 상기 반도체 기판을 덮는 제1절연막과; 상기 반도체 기판의 상기 부분을 덮도록 상기 제1절연막상에 형성됨으로써 수직 측면이 주변을 한정하며, 인가된 구동신호에 응답하여 전하를 상기 포토다이오드로부터 CCD 레지스터로 전송하는 전송전극과; 상기 전송전극 및 상기 제1절연막을 덮고, 콘택구멍이 형성되어 상기 전송전극의 일부분을 노출시키는 제2절연막과; 상기 제2절연막상에 형성되고 상기 콘택구멍을 통해 상기 전송전극의 상기 일부분과 접촉하는 배선층으로서, 이 배선층의 주변을 한정하는 수직측면을 가지며, 상기 전송전극의 상기 수직측면으로부터 상기 CCD 레지스터 쪽으로 오목하게 되어 있는 배선과; 상기 배선과 상기 제2절연막을 덮는 제3절연막과; 상기 포토다이오드, 상기 CCD 레지스터 및 상기 반도체 기판의 상기 부분을 덮도록 상기 제3절연막상에 형성된 차광막을 구비하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 제3항에 있어서, 상기 배선과 상기 차광막은 각각 금속으로 제조되는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 반도체 기판과, 유효촬상영역 및 광학 블랙영역을 포함하는 고체촬상장치에 있어서, 상기 유효촬상영역은, 상기 반도체 기판내에 선택적으로 형성된 제1포토다이드와; 상기 반도체 기판의 제1부분이 제1CCD 레지스터를 상기 제1포토다이오드로부터 분리하도록 상기 제1포토다이오드로부터 떨어져서 상기 반도체 기판내에 선택적으로 형성된 제1CCD 레지스터와; 상기 제1포토다이오드, 상기 반도체 기판의 상기 제1부분 및 상기 제1CCD 레지스터를 덮는 제1절연막과; 상기 반도체 기판의 상기 제1부분과 상기 제1CCD 레지스터를 덮도록 상기 제1절연막상에 형성된 제1전송전극과; 상기 제1전송전극 및 상기 제1절연막을 덮으며, 제1콘택구멍이 형성되어 상기 제1전송전극의 일부분을 노출시키는 제2절연막과; 상기 제2절연막상에 형성되고, 상기 제1콘택구멍을 통해 상기 제1전송전극의 상기 일부분과 접촉하며, 개구부가 형성되어 상기 제1포토다이오드 상부의 상기 제2절연막의 일부분을 노출시키는 제1배선을 포함하고, 상기 광학 블랙영역은, 상기 반도체 기판내에 선택적으로 형성된 제2포토다이오드와; 상기 반도체 기판의 제2부분이 제2CCD 레지스터와 상기 제2포토 다이오드를 분리하도록 상기 제2포토다이오드로부터 떨어져서 상기 반도체 기판내에 선택적으로 형성된 제2CCD 레지스터와; 상기 제2포토다이오드, 상기 반도체 기판의 상기 제2부분 및 상기 제2CCD 레지스터를 덮는 제4절연막과; 상기 반도체 기판의 상기 제2부분과 상기 제2CCD 레지스터를 덮도록 상기 제4절연막상에 형성된 제2전송전극과; 상기 제2전송전극 및 상기 제4절연막을 덮으며, 제2콘택구멍이 형성되어 상기 제2전송전극의 일부분을 노출시키는 제5절연막과; 상기 제5절연막상에 형성되고, 상기 제2콘택구멍을 통해 상기 제2전송전극의 상기 일부분과 접촉하는 제2배선으로서, 개구부가 형성되어 상기 제2포토다이오드 상부의 상기 제5절연막의 일부분을 노출시키고, 상기 제2배선내의 상기 개구부는 광의 투과를 방지하도록 상기 제1배선내의 상기 개구부와 크기가 다른 제2배선과; 상기 유효촬상영역과 상기 광학 블랙영역을 덮지만 상기 유효 촬상영역의 상기 제1포토다이오드영역은 덮지 않도록 형성된 차광막을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 제5항에 있어서, 상기 제2배선내의 상기 개구부가 상기 제1배선내의 상기 개구부 보다 작은 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 제5항에 있어서, 상기 제2배선내의 상기 개구부가 상기 제1배선내의 상기 개구부보다 큰 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
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|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (14)
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| KR100390822B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2003-07-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지센서에서의 암전류 감소 방법 |
| JP4246964B2 (ja) * | 2002-05-27 | 2009-04-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置アレイ |
| US6867062B2 (en) * | 2003-08-15 | 2005-03-15 | Eastman Kodak Company | Method for forming light shield process for solid-state image sensor with multi-metallization layer |
| KR100654342B1 (ko) * | 2005-02-07 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
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Cited By (1)
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