JPH07153932A

JPH07153932A - 固体撮像装置

Info

Publication number: JPH07153932A
Application number: JP6234816A
Authority: JP
Inventors: Toshiaki Wakayama; 利明若山; Atsushi Asai; 淳浅井
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1993-09-30
Filing date: 1994-09-29
Publication date: 1995-06-16

Abstract

(57)【要約】【目的】センサ部の開口周縁の遮光膜と基板間を通し
ての入射光の漏れ込みに起因するスミアを低減できるの
みならず、センサ部の受光特性をも向上できる固体撮像
装置を提供する。【構成】Ａｌ等からなる遮光膜２４を、センサ部１１
上においてシリコン基板１４に対して接触して設け、セ
ンサ部１１の開口１１ａの周縁の遮光膜２４と基板１４
間に絶縁膜２０を介在させないようにするとともに、電
位付与手段２６によって遮光膜２４に所定の電位を与え
る構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置に関し、
特に光電変換をなすセンサ部が２次元配列となったＣＣ
Ｄエリア・センサや、当該センサ部が１次元配列となっ
たＣＣＤリニア・センサとして用いて好適な固体撮像装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】固体撮像装置の一例として、例えばイン
ターライン転送方式ＣＣＤエリア・センサの構成の概略
を図１０に示す。図１０において、水平及び垂直方向に
て２次元配列されかつ入射光を光電変換して得た信号電
荷を蓄積する複数個のセンサ部５１と、これらセンサ部
５１の垂直列毎に配されかつ読出しゲート部５２を介し
て読み出された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送
レジスタ５３とによって撮像部５４が構成されている。

【０００３】この撮像部５４において、センサ部５１は
例えばフォトダイオードからなり、垂直転送レジスタ５
３はＣＣＤによって構成されている。垂直転送レジスタ
５３に読み出された信号電荷は、１走査線に相当する部
分ずつ順に水平転送レジスタ５５に転送される。水平転
送レジスタ５５は、ＣＣＤによって構成されており、１
走査線分の信号電荷を順次水平方向に転送する。水平転
送レジスタ５５の最終端には、水平転送レジスタ５５に
よって転送されてきた信号電荷を検出して信号電圧に変
換する例えばフローティング・ディフュージョン・アン
プ構成の電荷検出部５６が配されている。

【０００４】図１０のＸ‐Ｘ線断面を図１１に、そのＹ
‐Ｙ線断面を図１２にそれぞれ示す。これらの図から明
らかなように、センサ部５１の読出しゲート部（ＲＯ
Ｇ）５２側を除く周囲には、素子分離部を構成するＰ⁺
型不純物からなるチャネルストップ部（ＣＳ）５７が形
成されている。また、Ｎ型シリコン基板５８の読出しゲ
ート部５２、垂直転送レジスタ（ＶＣＣＤ）５３及びチ
ャネルストップ部５７上には、シリコン酸化膜ＳｉＯ₂
等の絶縁膜５９を介して転送電極６０が配されている。

【０００５】垂直転送レジスタ５３において、電荷転送
方向（Ｙ方向）に配列される転送電極６０は、ポリシリ
コンによって２層構造にて形成されている。なお、垂直
転送レジスタ５３相互間において、２層構造の転送電極
６０の各層を互いに接続する配線パターン６１ａ，６１
ｂは、図１２に示すように、チャネルストップ部５７上
に形成されている。転送電極６０の外側及びセンサ部５
１の開口５１ａを除く領域には、垂直転送レジスタ５３
への外部光の入射を遮断するために、アルミニウム（Ａ
ｌ）等からなる遮光膜６２が絶縁膜５９を介して形成さ
れている。

【０００６】上記構成ＣＣＤエリア・センサでは、遮光
膜６２を絶縁膜５９を介して基板５８上に配した遮光構
造を採っているため、特に大光量が入射したときや、セ
ンサ部５１に対して光が斜めに入射したときに、図１３
に示すように、基板５８の表面で反射した光のうち、セ
ンサ部５１の開口５１ａの周縁の遮光膜６２の下端面に
入射する成分があり、この反射光成分が基板５８と遮光
膜６２との間の絶縁膜５９内で屈折を繰り返し、最終的
に垂直転送レジスタ５３を構成する信号電荷転送層６３
に飛び込む、即ち入射光の一部がセンサ部５１の開口５
１ａの周縁の遮光膜６２と基板５８間を通して信号電荷
転送層６３に漏れ込むことになる。この信号電荷転送層
６３に漏れ込んだ光は光電子を発生し、これが一因とな
ってスミアが発生し、再生画面に縦筋が現れることにな
る。

【０００７】このスミアの発生を抑制すべくなされたＣ
ＣＤエリア・センサとして、例えば特開昭６３−１４２
８５９号公報に開示のものが知られている。このＣＣＤ
エリア・センサにおいては、センサ部表面または、セン
サ部と転送部の分離領域表面または、センサ部間の分離
領域表面の少なくとも一部が遮光膜と接触した構成とな
っており、遮光膜と基板表面とが接触した状態にあるこ
とにより、従来両者間の隙間から垂直転送レジスタの信
号電荷転送層に漏れ込んでいた光を遮断し、スミアの発
生を抑制するというものである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図１１に示
すように、センサ部５１が信号電荷蓄積層６４上に正孔
蓄積層６５を有するＨＡＤ(Holl Accumulation Diode：
正孔蓄積ダイオード）構造のＣＣＤエリア・センサにお
いては、センサ部５１の界面（以下、センサ界面と称す
る）の電位を、チャネルストップ部５７の電位によって
０Ｖ以下に抑えるようにしている。しかしながら、セン
サ部５１の周辺部と内部とでは電圧降下などに起因して
電位差が生じることにより、特に内部ではセンサ界面の
電位が正となるため、センサ界面を正孔で満たすことが
できなくなる。その結果、界面で発生する電子が信号電
荷蓄積層６４に溜まり、暗電流が特に内部で増加した
り、あるいは偽信号となって再生画面上に白点欠陥とし
て現れるという問題があった。この偽信号の問題に限ら
ず、従来のセンサ部５１では、その構造上の制約から、
感度やＳ／Ｎなどの受光特性の向上にも限界があった。

【０００９】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、センサ部の開口周縁
の遮光膜と基板間を通しての入射光の漏れ込みに起因す
るスミアを低減できるのみならず、暗電流をも低減で
き、さらにまたセンサ部の受光特性を向上できる固体撮
像装置を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明による固体撮像装
置は、少なくとも１列分設けられた複数個のセンサ部
と、このセンサ部から読出しゲート部を介して読み出さ
れた信号電荷を転送する電荷転送部と、センサ部の少な
くとも読出しゲート部と反対側に設けられた素子分離部
と、基板の少なくとも電荷転送部及び読出しゲート部上
に絶縁膜を介して配された転送電極と、電荷転送部への
外部光の入射を遮断すべく転送電極の外側及びセンサ部
の開口を除く領域に配されかつセンサ部上において基板
に接触して設けられた遮光膜とを具備した固体撮像装置
であって、遮光膜に所定の電位を与える電位付与手段を
備えた構成となっている。

【００１１】

【作用】上記構成の固体撮像装置において、遮光膜がセ
ンサ部上において基板に接触していることで、センサ部
に対して光が斜めに入射しても、その入射光の一部が遮
光膜と基板間を通して電荷転送部側へ漏れ込むことはな
い。したがって、センサ部の開口周縁の遮光膜と基板間
を通しての入射光の漏れ込みに起因するスミアを低減で
きる。さらに、基板とコンタクトがとられている遮光膜
に対して所定の電位を与えることで、センサ部周辺の環
境の影響を受けることなく、センサ界面の電位をセンサ
表面領域の擬フェルミレベル以下に設定できる。その結
果、暗電流を低減し、また偽信号の発生を抑制できるの
で、再生画面上に現れる白点欠陥を低減できる。また、
センサ部の受光時に、センサ部の表面電位よりも低い電
位を与えることで、光電変換により発生した少数キャリ
アが遮光膜に逃げる。これにより、電子・正孔の再結合
確率を小さくでき、これに伴ってセンサ部の受光特性を
向上できる。

【００１２】

【実施例】以下、例えばＣＣＤエリア・センサに適用さ
れた本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
なお、本発明は、センサ部が２次元配列となったＣＣＤ
エリア・センサへの適用に限定されるものでなく、セン
サ部が１次元配列となったＣＣＤリニア・センサにも同
様に適用し得るものである。

【００１３】図１は、本発明の一実施例を示す断面構造
図であり、図１０のＸ‐Ｘ線断面に対応している。図１
において、センサ部１１は、Ｎ型シリコン基板１４上の
第１Ｐウェル（Ｐ‐ｗｅｌｌ１）１５の表面領域に形成
された浅いＰ⁺⁺型不純物からなる正孔蓄積層（第２導電
型の半導体層）１６と、この正孔蓄積層１６の下方に形
成されたＮ型不純物からなる信号電荷蓄積層（第１導電
型の半導体装）１８とによって構成されたＨＡＤ構造を
採っている。また、Ｐ⁺型不純物からなるチャネルスト
ップ部１７は、素子分離部として正孔蓄積層１６及び信
号電荷蓄積層１８に隣接して形成されている。

【００１４】垂直転送レジスタ（ＶＣＣＤ）１３は、第
１Ｐウェル１５の表面領域に、読出しゲート部（ＲＯ
Ｇ）１２を挟んで形成されたＮ型不純物からなる信号電
荷転送層１９と、読出しゲート部１２、信号電荷転送層
１９及びチャネルストップ部１７上にシリコン酸化膜Ｓ
ｉＯ₂からなる絶縁膜２０を介して形成されたポリシリ
コンからなる転送電極２１によって構成されている。こ
の垂直転送レジスタ１３において、信号電荷転送層１９
の下方には、スミアの発生を抑制するために、第２Ｐウ
ェル（Ｐ‐ｗｅｌｌ２）２３が形成されている。

【００１５】転送電極２１の外側及びセンサ部１１の開
口１１ａを除く領域には、垂直転送レジスタ１３の信号
電荷転送層１９への外部光の入射を遮断するために、ア
ルミニウム（Ａｌ）等からなる遮光膜２４が形成されて
いる。この遮光膜２４は、転送電極２１の外側において
は絶縁膜２０を介して設けられる一方、センサ部１１の
開口１１ａの周縁においては絶縁膜２０を介さずに直接
に基板１４上にコンタクトがとられている。そして、こ
の遮光膜２４には、電位付与手段２６によって所定の電
位が与えられるようになっている。遮光膜２４及びセン
サ部１１の上方は、透明な薄い保護膜２５によって覆わ
れている。

【００１６】ここで、遮光膜２４の形成方法について、
図２の工程図に基づいて説明する。先ず、遮光膜２４を
形成する前に、図２（Ａ）に示すように、フォトリソグ
ラフィにより絶縁膜２０をパターニングし、次いでドラ
イエッチングにてシリコン基板１４まで絶縁膜２０を除
去することによって溝２７を形成する（工程１）。な
お、絶縁膜２０のうち、２０ａはポリシリコン酸化膜、
２０ｂは堆積酸化膜である。ただし、コンタクト抵抗を
下げるために、低いエネルギーのＢやＢＦ₂などのＰ型
不純物のイオン注入を行うこともある。また、溝２７の
深さが通常２００ｎｍ以上あるので、Ｂの場合は、約３
０ｋｅＶ以下であれば問題なくマスク追加のないセルフ
アライメントでイオン注入できる。その後、図２（Ｂ）
に示すように、遮光膜２４をスパッタなどの方法により
成膜する（工程２）。このとき、絶縁膜２０に予め形成
された溝２７が遮光膜材料で埋まるようにする。そし
て、センサ部１１へ光を入射するためにフォトリソグラ
フィとエッチングによりパターニングし、図２（Ｃ）に
示すように、センサ部１１の開口１１ａを形成する（工
程３）。

【００１７】上記構成のＣＣＤエリア・センサにおいて
は、遮光膜２４をセンサ部１１上において基板１４に接
触して設けたことにより、センサ部１１の開口１１ａの
周縁の遮光膜２４と基板１４間に絶縁膜２０が介在しな
いことになる。これにより、センサ部１１に対して特に
大光量が入射したり、光が斜めに入射した場合であった
も、その入射光の一部が遮光膜２４と基板１４間を通し
て垂直転送レジスタ１３の信号電荷転送層１９へ漏れ込
むことはない。したがって、センサ部１１の開口１１ａ
の周縁の遮光膜２４と基板１４間を通しての入射光の漏
れ込みに起因するスミアを低減できる。

【００１８】また、遮光膜２４に所定の電位を与える電
位付与手段２６を設け、この電位付与手段２６によって
遮光膜２４に所望の電位を与えることにより、以下のよ
うな作用効果が得られる。すなわち、その一態様とし
て、遮光膜２４に与える電位を適宜調節し、センサ界面
の電位をコントロールする。これにより、センサ部１１
の周辺部と内部とで電圧降下などに起因して電位差が生
じたとしても、その影響を受けることなくセンサ界面の
電位を正孔蓄積層１６の擬フェルミレベル以下に設定で
きる。正孔蓄積層１６の擬フェルミレベルは、例えば不
純物濃度が充分高い（１０²⁰個／ｃｍ³程度）場合には
０．５Ｖ程度となる。したがって、これよりも低い電位
を与えれば界面準位が埋まり、なおかつ正孔蓄積層１６
のエネルギーレベルがほぼフラットになるため、界面準
位や不純物準位から電子が発生するのを抑制できる。そ
の結果、センサ部１１での偽信号の発生を抑制できるた
め、この偽信号に起因して再生画面上に現れる白点欠陥
を低減できることになる。

【００１９】他の態様として、センサ部１１の受光時
に、ホール抵抗が減少するセンサ部１１の表面電位より
も低い電位を遮光膜２４に与えるようにする。このよう
に、遮光膜２４にセンサ部１１の表面電位に対して低い
方向に電位差を持たせることにより、図３に示すよう
に、光電変換により発生した少数キャリア（図中では、
正孔ｈ）を遮光膜２４に逃がす経路が形成される。そし
て、この経路を経て少数キャリアが遮光膜２４に逃げ
る。その結果、光電変換により発生した電子ｅ・正孔ｈ
対のうち間もなく再結合して消滅する分が減少する。

【００２０】すなわち、遮光膜２４に対してセンサ部１
１の表面電位よりも低い電位を与えることにより、電子
ｅ・正孔ｈ対の再結合確率を小さくすることができる。
これにより、感度及びＳ／Ｎを向上でき、また暗電流を
低減できることにより、特に低照度下におけるノイズレ
ベルを低減でき、しかも飽和光量以上に入射光量がある
場合のセンサ部１１の蓄積量が一定に近くなる、いわゆ
るＱｋｎｅｅ特性を向上できるなど、センサ部１１の受
光特性を向上できることになる。なお、図３中におい
て、矢印が正孔の進行経路である。

【００２１】また、垂直転送レジスタ１３の垂直転送時
に、信号電荷転送層１９のある瞬間での電位よりも低い
電位を遮光膜２４に与えることにより、通常はほぼフロ
ーティング状態にある読出しゲート部１２及びチャネル
ストップ部１７の領域の電位をＧＮＤレベル以下に固定
でき、垂直転送レジスタ１３の周辺部の電位を安定化さ
せることができる。これにより、図４に示すように、少
数キャリアである正孔ｈの抜けを容易にできるため、暗
電流を低減でき、転送効率を向上できるとともに、正孔
ｈが第２Ｐウェル２３、チャネルストップ部１７、第１
Ｐウェル１５に蓄積される量が少なくなり、転送部での
取扱電荷量（電荷蓄積量）が少なくて済む。

【００２２】図５及び図６に、基板１４に対する遮光膜
２４のコンタクト部分の平面パターンを示す。図５
（Ａ）の例は、遮光膜２４のコンタクト部分２４ａを垂
直転送レジスタ１３側のみにその転送方向に沿って形成
したものである。この例の場合には、センサ部１１の開
口１１ａから垂直転送レジスタ１３への光入射阻止を主
に考量している。図５（Ａ）において、×印は光電変換
が行われる場所を示している。図５（Ｂ）の例は、遮光
膜２４のコンタクト部分２４ａをセンサ部１１を挟んで
両側に垂直転送方向に沿って形成したものである。この
例の場合には、センサ部１１の開口１１ａから両側へ垂
直転送レジスタ１３への光入射阻止を考量している。

【００２３】図６（Ａ）の例は、遮光膜２４のコンタク
ト部分２４ａをセンサ部１１の周囲全体を囲うように形
成したものである。この例の場合には、センサ部１１の
開口１１ａから全ての経路への光入射阻止を考慮してい
る。すなわち、両側の垂直転送レジスタ１３のみなら
ず、垂直方向での隣接画素への光入射阻止をも考慮して
いる。図６（Ｂ）の例は、図６（Ａ）の例の場合と同様
に、全ての経路への光入射を阻止すべく遮光膜２４のコ
ンタクト部分２４ａをセンサ部１１の周囲全体を囲うよ
うに形成するとともに、その一部分を開放したものであ
る。このように、ループ状のパターンの一部を開放する
のは、以下の理由による。すなわち、遮光膜２４を形成
後、プラズマＣＶＤ法などを用いてＳｉＮを堆積し、３
００℃以上の熱処理により水素を注入して基板１４をシ
リコン酸化膜ＳｉＯ₂との間の界面準位を埋めることに
より、ノイズレベルを低減できる。このための経路を開
けるために、スミアに影響しないループ状のパターンの
一部を開放するのである。

【００２４】図７は、本発明の他の実施例を示す断面構
造図であり、図１０のＸ‐Ｘ線断面に対応している。ま
た、図８は、図１０のＹ‐Ｙ線断面に対応した断面構造
を示している。本実施例においては、垂直転送レジスタ
１３の転送電極２１を、基板１４の読出しゲート部１２
及び信号電荷転送層１９上のみに形成するとともに、遮
光膜２４をセンサ部１１及びチャネルストップ部１７上
において基板１４に接触して設けた構成となっている。
センサ部１１上における遮光膜２４の基板１４に対して
のコンタクトに関しては、先の実施例の場合には、セン
サ部１１の開口１１ａの周縁にて行うとしたが、本実施
例では、図７に示す如くＸ方向においてその片側のみ
で、さらに図８に示す如くＹ方向においもその片側のみ
で行うものとする。

【００２５】上述したように、垂直転送レジスタ１３の
転送電極２１を、読出しゲート部１２及び信号電荷転送
層１９上のみに形成し、転送電極２１のＸ方向における
幅を図１の実施例の場合よりも狭くすることにより、遮
光膜２４を基板１４に接触させる領域を広くとれるの
で、その接触を容易に行えることになる。また、遮光膜
２４の基板１４に対するコンタクトを、センサ部１１上
のみならず、チャネルストップ部１７上でもとるように
したことにより、遮光膜２４の電位を調節することによ
ってチャネルストップ部１７とセンサ界面の電位をコン
トロールできる。したがって、チャネルストップ部１７
及びセンサ界面の電位を擬フェルミレベル以下に設定す
ることにより、センサ部１１での偽信号の発生を抑制で
きるため、この偽信号に起因して再生画面上に現れる白
点欠陥を低減できることになる。

【００２６】垂直転送レジスタ１３において、電荷転送
方向（Ｙ方向）に配列される転送電極２１は、ポリシリ
コンによって２層構造にて形成されている。なお、垂直
転送レジスタ１３相互間において、２層構造の転送電極
２１の各層を互いに接続する配線パターン２２ａ，２２
ｂは、図８に示すように、電荷転送方向における画素
（センサ部１１）間のチャネルストップ部１７上に形成
されている。ここで、配線パターン２２ａ，２２ｂのＹ
方向での幅をその片側において、図１２に示す従来構造
の場合よりも狭くすることにより、Ｙ方向でも遮光膜２
４の基板１４に対するコンタクトをとることができ、し
かも配線パターン２２ａ，２２ｂの幅を狭くしたこと
で、コンタクトをとる領域を広くとれるので、容易にコ
ンタクトがとれることになる。

【００２７】なお、図８の例の場合には、Ｙ方向の片側
のみで遮光膜２４の基板１４に対するコンタクトをとる
構成としたが、図９に示すように、Ｙ方向の両側でコン
タクトをとるようにすることも可能である。

【００２８】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の固
体撮像装置によれば、遮光膜をセンサ部上において基板
に接触して設けるとともに、この遮光膜に対して所定の
電位を与える構成としたことにより、センサ部の開口周
縁の遮光膜と基板間に絶縁膜が介在せず、センサ部への
入射光の一部が遮光膜と基板間を通して電荷転送部側へ
漏れ込むことがないため、センサ部の開口周縁の遮光膜
と基板間を通しての入射光の漏れ込みに起因するスミア
を低減できる。しかも、遮光膜の電位を適宜所望の電位
に設定することで、スミアを低減できるのみならず、セ
ンサ部の感度やＳ／Ｎなどの受光特性を向上できるとと
もに、垂直転送レジスタの電荷蓄積特性及び転送特性を
向上できることになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＣＣＤエリア・センサに適用された本発明の一
実施例を示すセンサ部周辺の断面構造図であり、図１０
のＸ‐Ｘ線断面に対応している。

【図２】遮光膜の形成方法を示す工程図である。

【図３】受光時の少数キャリア経路を示す概念図であ
る。

【図４】垂直転送レジスタの電荷蓄積時の少数キャリア
経路を示す概念図である。

【図５】遮光膜のコンタクト部分の平面パターン図（そ
の１）である。

【図６】遮光膜のコンタクト部分の平面パターン図（そ
の２）である。

【図７】本発明の他の実施例を示すセンサ部周辺の断面
構造図であり、図１０のＸ‐Ｘ線断面に対応している。

【図８】本発明の他の実施例を示すセンサ部周辺の断面
構造図であり、図１０のＹ‐Ｙ線断面に対応している。

【図９】本発明の他の実施例の変形例を示すセンサ部周
辺の断面構造図であり、図１０のＹ‐Ｙ線断面に対応し
ている。

【図１０】インターライン転送方式ＣＣＤエリア・セン
サの概略構成図である。

【図１１】従来例を示すセンサ部周辺の断面構造図であ
り、図１０のＸ‐Ｘ線断面に対応している。

【図１２】従来例を示すセンサ部周辺の断面構造図であ
り、図１０のＹ‐Ｙ線断面に対応している。

【図１３】センサ部からの垂直転送レジスタへの光の漏
込みの状態を示す図１１の要部の拡大断面図である。

【符号の説明】

１１センサ部１２読出しゲート部（ＲＯＧ）１３垂直転送レジスタ（ＶＣＣＤ）１６正孔蓄積層１７チャネルストップ部１８信号電荷蓄積層１９信号電荷転送層２１転送電極２４遮光膜２６電位付与手段

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも１列分設けられた複数個のセ
ンサ部と、前記センサ部から読出しゲート部を介して読
み出された信号電荷を転送する電荷転送部と、前記セン
サ部の少なくとも前記読出しゲート部と反対側に設けら
れた素子分離部と、前記センサ部、前記電荷転送部及び
前記素子分離部が形成された基板の少なくとも前記電荷
転送部及び前記読出しゲート部上に絶縁膜を介して配さ
れた転送電極と、前記電荷転送部への外部光の入射を遮
断すべく前記転送電極の外側及び前記センサ部の開口を
除く領域に配されかつ前記センサ部上において前記基板
に接触して設けられた遮光膜とを具備した固体撮像装置
であって、前記遮光膜に所定の電位を与える電位付与手段を備えた
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】前記センサ部は、第１導電型の半導体層
と、この第１導電型の半導体層の表面に設けられた第２
導電型の半導体層とからなり、前記所定の電位は、前記センサ部の界面の電位を前記第
２導電型の半導体層の擬フェルミレベルと同じか又はそ
れよりも低い電位にする電位であることを特徴とする請
求項２記載の固体撮像装置。
【請求項３】前記所定の電位は、前記センサ部の表面
電位よりも低い電位であり、少なくとも受光時に与えら
れることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項４】前記基板と前記遮光膜との接触領域は、
前記センサ部上と前記素子分離部上とに跨がっているこ
とを特徴とする請求項１，２又は３記載の固体撮像装
置。