JP3743132B2 - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、CCD型の固体撮像素子及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
図6は、従来のCCD固体撮像素子の撮像領域の要部を示す。
このCCD固体撮像素子30は、撮像領域において、複数の画素を構成するセンサ部51がマトリックス状に配列され、各センサ部列の一側にCCD構造の垂直転送レジスタ52が形成されて成る。
【0003】
CCD固体撮像素子30は、撮像領域において、複数の画素を構成するセンサ部51がマトリックス状に配列され、各センサ部列の一側に、CCD構造の垂直転送レジスタ52が形成されて成る。
CCD固体撮像素子30は、いわゆる縦型オーバーフロードレイン構造を有して成り、例えばn型のシリコンからなる半導体基板31に、オーバーフローバリアとなる第1のP型半導体ウエル領域32が形成され、この第1のp型半導体ウエル領域32内に、センサ部51を構成するn型の不純物拡散領域33、読み出しゲート部42、垂直転送レジスタ52を構成するn型の転送チャネル領域34及び画素分離部を構成するp型のチャネルストップ領域35がそれぞれ形成されている。
【0004】
また、n型の不純物拡散領域33の上部には、センサ部51の表面層となるp型の正電荷領域36が形成される。このp型の正電荷蓄積領域36とn型の不純物拡散領域33とp型の半導体ウエル領域32によって、いわゆるHAD(ホールアキュミュレイテッドダイオード)センサによるセンサ部51が形成される。n型の転送チャネル領域34の下には、第2のp型半導体ウエル領域44が形成されている。
【0005】
第1のp型半導体ウエル領域32が形成された半導体基板31の表面には、ゲート絶縁膜37が形成され、読み出し部42、転送チャネル領域34、チャネルストップ領域35上に、このゲート絶縁膜37を介して、例えば多結晶シリコン層による転送電極38が形成される。転送チャネル領域34、ゲート絶縁膜37及び転送電極38によって、垂直転送レジスタ52が構成される。
【0006】
そして、転送電極38を覆って層間絶縁膜39が形成され、これの上にAl等による遮光膜40が形成され、転送電極38の上面及び側面を覆うと共に、センサ部に対応して遮光膜40に開口部43が形成されている。
さらに、全体を覆って酸化膜等の透明な絶縁膜からなるパッシベーション膜41が形成され、その上に、透明な絶縁膜からなる平坦化膜46が形成されている。平坦化膜46の表面上には、オンチップカラーフィルター47が形成され、最上部にオンチップレンズ48が形成されている。
【0007】
上述の固体撮像素子30のチャネルストップ領域35及びセンサ部51を構成するn型の不純物拡散領域33、P型の正電荷蓄積領域36は、図7に示すような方法で形成される。
まず、図7Aに示すように、半導体基板31に第1のp型ウエル領域32を形成し、このp型ウエル領域32に、第2のp型ウエル領域44、n型の転送チャネル領域34を形成し、更に基板表面にゲート絶縁膜37を形成した後、フォトレジストマスク54を介して、p型不純物55を選択的にイオン注入してp型のチャネルストップ領域35を形成する。
【0008】
次に、図7Bに示すように、フォトレジストマスク54を除去し、ゲート絶縁膜37上に転送電極38を形成し、層間絶縁膜39を形成した後、転送電極38をマスクして、n型不純物56をイオン注入してn型の不純物拡散領域33を形成し、続いてp型不純物57をイオン注入してp型の正電荷蓄積領域36を形成する。
【0009】
この図7A,Bで示すように、チャネルストップ領域35、センサ部を形成するn型不純物拡散領域33及びp型の正電荷蓄積領域36を形成するためには、気相拡散法よりも熱処理量が小さく微細な拡散層を形成できるイオン注入法を用いる場合が多くなっている。イオン法入作業は受光部33を形成するイオン注入に限らず、一般に最小限の軸・面チャネリング抑制できるように、ウエハ法線に対して5〜7°程度傾斜させ、かつ、結晶軸から20°以上回転させて注入することが多い。
【0010】
このような注入法では、ウエハ法線からの傾きが小さいため、フォトリソグラフィ法によりフォトレジストで形成したパターンとほぼ同等のパターンで不純物層が形成される。その後、層間絶縁膜を形成するための酸化や不純物活性化のためのアニール等、様々な熱処理により不純物層が拡がるので、素子の微細化は、このフォトリソグラフィの微細化によって進められてきた。従って、画素分離部即ち、チャネルストップ領域35を縮小するためには、フォトリソグラフィの解像度を高め、狭い開口部59(図7A参照)が得られるような技術開発が必要であった。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、年々素子の微細化が進むのに伴い、より高い電気特性が得られるようにして、より微細なパターンを形成するためには、上から見た各領域の平面パターンをそのまま形成する技術では限界があり、層の下に潜り込ませたり、上にずらしながら重ね合わせる等の階層設計が重要になってきている。
すなわち、従来からの単純な、ほぼ鉛直方向のイオン注入によるセンサ部や画素分離部の形成方法では、固体撮像素子をいっそう微細化するという時代の要求に応えられなくなってきている。
【0012】
本発明は、上記の課題に鑑みて成されたものであり、撮像素子のより微細化を可能にした固体撮像素子の製造方法を提供することを目的とする。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
本発明に係る固体撮像素子の製造方法は、センサ部の表面層を形成する不純物イオン注入を、ウエハ法線から10°以上傾斜させてセンサ部からみて形成すべき画素分離部側へ向って行う。
【0016】
この製法においては、センサ部の表面層を形成する不純物イオン注入を、ウエハ法線から10°以上傾斜させ、センサ部からみて画素分離部へ向かって行うことにより、センサ部の表面層と画素分離部が同時に形成され、画素分離部が小さく形成できる。従って、より微細化された固体撮像素子を製造することができる。
【0017】
一方、センサ部の表面層から読み出しゲート部への不純物の横方向拡散が小さくなり、読み出しゲート部のセンサ部側の不純物濃度が低くなり、読み出し電圧の低減が図れる。
また、センサ部に表面層と一体に形成される画素分離部の不純物が隣接する垂直転送レジスタの転送チャネル領域へ横方向拡散して転送チャネル領域の一部を相殺する量が小さくなる。
さらに、センサ部の表面層と画素分離部が同時に形成されるので、製造工程数が低減する。画素分離部は最も微細な領域であり、この微細な領域を形成するための難易度の高い工程を省略することができる。
【0018】
本発明に係る固体撮像素子の製造方法は、センサ部の表面層を形成する不純物イオン注入工程において、不純物イオン注入によって、センサ部の表面層と画素分離部とを同時に形成する
この製法においては、センサ部の表面層と画素分離部が同時に形成されるので、製造工程数が低減する。画素分離部は最も微細な領域であり、この微細な領域を形成するための難易度の高い工程を省略することができる。
【0019】
【発明の実施の形態】
本発明に係る固体撮像素子は、複数のセンサ部と、各センサ部列に対応した垂直転送レジスタと、センサ部の一側に形成された読み出しゲート部と、センサ部の他側に形成された画素分離部を有し、センサ部の中心の層に対して、センサ部の表面層が画素分離側にずれ、かつセンサ部の表面層と画素分離部とが、同一のイオン注入層で形成された構成とする。
【0020】
また、本発明は、上記固体撮像素子において、センサ部の中心の層が、第1導電型の半導体層で形成され、センサ部の表面層が、第2導電型の電荷蓄積層で形成され、画素分離部が、第2導電型のチャネルストップ領域で形成された構成とする。
【0021】
さらに、本発明に係る固体撮像素子の製造方法は、センサ部の表面層を形成する不純物イオン注入工程において、不純物イオン注入を、ウエハ法線から10°以上傾斜させ、センサ部からみて、画素分離部を形成すべき側へ向かって行い、センサ部の表面層と前記画素分離部とを同時に形成する。
【0022】
また、本発明は、上記固体撮像素子の製造方法において、不純物イオン注入を転送電極が形成された後に行う。
【0023】
以下、本発明の固体撮像素子及びその製造方法について図面を参照して説明する。
図1及び図2は、本発明に係る固体撮像素子の一実施の形態を示す。
図1は、CCD固体撮像素子の撮像領域、即ち有効画素領域を上から見た図であり、遮光膜を一部透視して、第1転送電極及び第2転送電極のパターンが分かるように表示されている。
図2は、図1の水平方向に沿ったA−A線上の断面を示す。
【0024】
このCCD固体撮像素子1は、図1に示すように、撮像領域において、複数の画素を構成するセンサ部2がマトリックス状に配列され、各センサ部列の一側にCCD構造の垂直転送レジスタ3が形成されて成る。
【0025】
4は、センサ部2の開口、即ち遮光膜5に設けられたセンサ部2が臨む開口である。垂直転送レジスタ3は、センサ部2から読み出しゲート部を介して読み出された信号電荷を転送するための、例えば多結晶シリコン層からなる2層の垂直転送電極6〔6A,6B〕、即ち、第1層目の第1転送電極6A及び第2層目の第2転送電極6Bを有して形成される。15は、後述するように、センサ部2の表面層となる電荷蓄積層と同時に形成された画素分離部を構成するチャネルストップ領域を示す。図1中矢印aの方向が垂直転送方向になる。
【0026】
そして、このCCD固体撮像素子1は、いわゆる縦型オーバーフロードレインを有して成り、図2に示すように、第1導電型、例えばn型のシリコンからなる半導体基板11に、オーバーフローバリアとなる第2導電型例えばp型の第1半導体ウエル領域12が形成され、この第1のp型半導体ウエル領域12内に、センサ部2の中心の層を構成するn型の不純物拡散領域13、読み出しゲート部22、垂直転送レジスタ3を構成するn型の転送チャネル領域14及び後述する画素分離部を構成するp型のチャネルストップ領域15がそれぞれ形成されている。
【0027】
また、n型の不純物拡散領域13の上部には、センサ部2の表面層を構成する電荷蓄積層、本例ではp型の正電荷(ホール)領域16が形成される。このp型の正電荷蓄積領域16とn型の不純物拡散領域13とp型の半導体ウエル領域12によって、いわゆるHAD(ホールアキュミュレイテッドダイオード)センサによるセンサ部2が形成される。n型の転送チャネル領域14の下には、第2のp型半導体ウエル領域24が形成されている。
【0028】
第1のp型半導体ウエル領域12が形成された半導体基板11の表面には、ゲート絶縁膜17が形成され、このゲート絶縁膜17を介して、読み出し部22、転送チャネル領域14、チャネルストップ領域15上に、例えば多結晶シリコン層による転送電極6〔6A,6B〕が形成される。転送チャネル領域14、ゲート絶縁膜17及び転送電極6〔6A,6B〕によって、垂直転送レジスタ3が構成される。
【0029】
そして、転送電極6〔6A,6B〕を覆って層間絶縁膜19が形成され、これの上に例えばAl等による遮光膜5が形成され、転送電極6〔6A,6B〕の上面及び側面を覆うと共に、センサ部に対応して遮光膜5に開口部4が形成されている。
さらに、全体を覆って酸化膜等の透明な絶縁膜からなるパッシベーション膜21が形成され、その上に、透明な絶縁膜からなる平坦化膜26が形成されている。平坦化膜26の表面上には、オンチップカラーフィルター27が形成され、最上部にオンチップレンズ28が形成されて成る。
【0030】
本実施の形態では、特に、センサ部2の表面層であるp型の正電荷蓄積領域16をセンサ部2の中心の層であるn型の不純物拡散層13に対して画素分離部側にずらすようにして、n型の不純物拡散層16と画素分離部となる転送電極6〔6A,6B〕下のp型チャネルストップ領域15とを同一のp型イオン注入層29で一体に形成する。
【0031】
ここで、正電荷蓄積領域16を画素分離側にずらすことにより、正電荷蓄積領域16と転送チャネル領域14間の読み出しゲート部22の間隔は、前述した図6の従来のそれよりも大きくなる。
【0032】
ただし、正電荷蓄積領域16の一つの機能は、センサ部2においてシリコン─ゲート絶縁膜(いわゆるSi−SiO2 )界面の準位から発生した暗電流の原因となる電子が、n型不純物拡散層13に入り込まないように抑制することにある。従って、正電荷蓄積領域16は、界面凖位からの電子を抑制できる範囲内の不純物濃度で形成される。
【0033】
垂直方向に隣接するセンサ部2間の画素分離部では、センサ部2と隣接画素の垂直転送レジスタ3間の画素分離部の幅より充分広いのでチャネルストップ領域は不要である。
【0034】
本発明のCCD固体撮像素子1によれば、同一のイオン注入層29によって、センサ部2の正電荷蓄積層16と画素分離部となるチャネルストップ領域15が一体に形成されるので、センサ部2と隣接画素の垂直転送レジスタ3間の画素分離部、即ち、チャネルストップ領域15の幅を小さくすることができ、撮像素子のより微細化を可能とする。
【0035】
そして、チャネルストップ領域15による画素分離部が小さくなることにより、垂直転送レジスタ3及びセンサ部2の面積を大きくすることができ、垂直転送レジスタ3及びセンサ部2の取扱い電荷量が増大し、ダイナミックレンジの大きな優れた撮像画素が得られる。
また、上記の垂直転送レジスタ3における取扱い電荷量の増大分をセンサ部2の開口に振り向ければ、感度を増大することができる。
【0036】
次に、本発明のCCD固体撮像素子1の製造方法、特にセンサ部2の正電荷蓄積領域16及び画素分離部となるチャネルストップ領域15の形成について説明する。
【0037】
先ず、図3Aに示すように、半導体基板11に第1のp型ウエル領域12を形成し、この第1のp型ウエル領域12に第2のp型ウエル領域24、n型の転送チャネル領域14を形成し、さらに、基板表面にゲート絶縁膜17を介して垂直転送電極6〔6A,6B〕を形成し、垂直転送電極6〔6A,6B〕を覆うように層間絶縁膜19を形成する。
【0038】
さらに、垂直転送電極6〔6A,6B〕をマスクにn型不純物66をイオン注入してセンサ部2の中心の層であるn型不純物拡散層13を形成する。この時のイオン注入は、従来と同様に、ウエハ法線(即ち、半導体ウエハの面に対して垂直方向の線)68に対して5〜7°程度(図3Aのα)傾斜させて行う。
【0039】
次に、図3Bに示すように、同じく垂直転送電極6〔6A,6B〕をマスクにp型不純物67をイオン注入してp型の正電荷蓄積領域16及び画素分離部となるp型のチャネルストップ領域15を同時に形成する。この時のイオン注入は、その注入角度βをウエハ法線に対して10°以上、即ち10〜45°、好ましくは、30〜40°としてセンサ部2からみて、画素分離部を形成すべき領域側に向けて行う。この角度βでイオン注入すると、p型不純物67は、転送電極6〔6A,6B〕下の画素分離部とすべき領域へ到達し、この結果、正電荷蓄積領域16と画素分離部となるチャネルストップ領域15が同時に形成される。
【0040】
p型不純物67のイオン注入角度βが10°より小さいと、p型不純物67が転送電極6〔6A,6B〕下に打ち込まれずチャネルストップ領域15の同時形成が難しい。イオン注入角度βが45°を超えると、正電荷蓄積領域16がn型不純物拡散層13に対してずれ量が大きくなり、センサ部2において界面準位からの電子を抑制するのが不十分になる。
【0041】
ここで、従来(図7参照)の画素分離部のチャネルストップ領域35形成のための、例えばホウ素(ボロン)のイオン注入条件は、ゲート絶縁膜37の形成前に注入する場合、打ち込みエネルギー40〜100keV程度で、ドーズ量0.5〜3×1012cm-2程度であり、センサ部51表面の正電荷蓄積領域36を形成のための、例えばホウ素(ボロン)のイオン注入条件が、打ち込みエネルギー10〜50KeV程度で、ドーズ量0.5〜3×1013cm-2程度である。従って、本発明において、図3Bのp型不純物67としてホウ素(ボロン)を、打ち込みエネルギー10〜50KeV程度、ドーズ量0.5〜3×1013cm-2程度でイオン注入すれば、正電荷蓄積領域16と同時に形成されるp型チャネルストップ領域15は、画素分離の機能を充分に発揮する。
【0042】
深さ方向には、図3Aにおいて、第2のp型半導体ウエル領域24が垂直転送レジスタ3のn型の転送チャネル領域14とセンサ部2の中心の層であるn型不純物拡散層13を分離するため、それらの形成条件を変えなくても、総合的に見て画素分離を損なうことは無い。
【0043】
例えば、センサ部2の形成条件の一例は、次の通りである。
p+ 正電荷蓄積領域16:B(ボロン)、
打ち込みエネルギー=10〜50KeV、
ドーズ量=0.5〜3×1013cm-2
n型不純物拡散層13(中心の層):P(リン)、
打ち込みエネルギー=200〜1000keV、
ドーズ量=1〜5×1012cm-2
第1のP型半導体ウエル領域(オーバーフローバリア)12:B(ボロン)
打ち込みエネルギー=1000〜4000keV、
ドーズ量=0.3〜3×1011cm-2
シリコン半導体基板11:P(リン)
抵抗=1〜100Ω・cm
【0044】
また、垂直転送レジスタ3の形成条件の一例は、次の通りである。
n型転送チャネル領域14:P(リン)、
打ち込みエネルギー=30〜200keV
ドーズ量=1〜8×1012cm-2
第2のp型半導体ウエル領域24:B(ボロン)、
打ち込みエネルギー100〜1000keV
ドーズ量=0.5〜5×1011cm-2
【0045】
図4は、上述の製法にて得られた本発明の画素のポテンシャル(即ち水平方向の画素断面のポテンシャル等高線)のシュミレーションを示し、図5は、従来製法にて得られた画素のポテンシャル(即ち水平方向の画素断面のポテンシャル等高線)のシュミレーションを示す。
【0046】
上述した本発明の製造方法によれば、図4の本発明における画素のポテンシャルと、図5の従来における画素のポテンシャルとの比較から分かるように、センサ部2の正電荷蓄積領域16から読み出しゲート22へのp型不純物の横方向拡散が小さくなり、読み出しゲート部22のセンサ部2側のp型不純物濃度が低くなり、読み出しゲート部22に印加する電圧に対する追随性が高くなり、読み出し電圧を低減することができる。
【0047】
そして、本発明では、読み出し切る電位より低い所で、即ち、読み出しゲート部22をオンしない時に、読み出しゲート部のゲートバリアによって、センサ部2から垂直転送レジスタ3への電荷が漏れ出すのを阻止する、いわゆるブルーミング耐性は、従来と変わらない。
【0048】
転送電極6〔6A,6B〕を形成した後に、イオン注入によって画素分離部となるp型チャネルストップ領域15を形成するため、転送電極6の形成時、或いは層間絶縁膜19の形成時の熱処理を受けず、チャネルストップ領域15が受ける被熱処理量が従来に比べて小さくなり、従って、小さな画素分離部、即ちチャネルストップ領域15が形成できる。
【0049】
また、同様に被熱処理量が小さいので、チャネルストップ領域15のp型不純物が隣接する垂直転送レジスタ3のn型の転送チャネル領域14へ横方向拡散して、転送チャネル領域14の一部を相殺する量も従来に比べて小さくなり(即ち相殺されて転送チャネル領域14が減る面積が小さくなり)、垂直転送レジスタ3における取扱い電荷量が増大する。この結果、ダイナミックレンジの大きな優れた撮像画質が得られる。
【0050】
センサ部2の正電荷蓄積領域16と画素分離のチャネルストップ領域15を同じイオン注入工程で同時に形成するので、従来のチャネルストップ領域を形成するための工程が省略される。従って、製造工程を減らすことができ、コストダウンが可能となる。
すなわち、最も微細なチャネルストップ領域を形成する難易度の高い工程を省略することができるので、製造歩留りが向上し、コストダウンが可能となる。
【0051】
なお、上述の本発明の実施の形態では、N型基板を使用した場合について説明したが、その他P型基板を使用した場合でも、上述と逆型の不純物を用いることにより、本発明を同様に適用できる。
また、インターライン・トランスファ方式、フレームインタライン・トランスファ方式のいずれの方式でも、本発明を同様に適用できる。
【0053】
【発明の効果】
本発明に係る製造方法によれば、転送電極を形成した後に、不純物イオン注入により、センサ部の表面層と同時に画素分離部を形成するので、被熱処理量が小さく、小さな画素分離を形成することができる。従って、電極形成前に画素分離部を形成する従来の製造方法と比較すると、垂直転送部及び受光部の取扱い電荷量が増大し、ダイナミックレンジの優れた撮像画質が得られる撮像素子を製造することができる。
【0054】
さらに、最も微細で高度の技術を要する画素分離部を形成する工程が不要となり、製造工程を削減できるのでコストダウンが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る固体撮像素子の平面概略構成図である。
【図2】図1のA−A断面概略図である。
【図3】A 本発明に係る固体撮像素子の製造方法を示す工程図である。B 本発明に係る固体撮像素子の製造方法を示す工程図である。
【図4】本発明に係る画素のポテンシャル図である。
【図5】従来の画素のポテンシャル図である。
【図6】従来の固体撮像素子の概略断面図である。
【図7】従来の固体撮像素子の製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
1,30 固体撮像素子、2、51 センサ部、3、52 垂直転送レジスタ
4,43 開口部、6〔6A,6B〕,38 転送電極、
11,31 シリコン基板、12,32 第1のP型半導体ウエル領域、
14,44 第2のP型半導体ウェル領域、15,35画素分離部、
16,36 正電荷蓄積領域、17,37 ゲート絶縁膜、
19,39 層間絶縁膜、20,40 Al遮光膜、
22,42 読み出しゲート部、24,34 転送チャネル領域、
Claims (2)
- センサ部の表面層を形成する不純物イオン注入工程において、
該不純物イオン注入を、ウエハ法線から10°以上傾斜させ、前記センサ部からみて、画素分離部を形成すべき側へ向って行い、
前記センサ部の表面層と前記画素分離部とを同時に形成する
ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 前記不純物イオン注入は、転送電極を形成した後に行う
ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21207997A JP3743132B2 (ja) | 1997-08-06 | 1997-08-06 | 固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21207997A JP3743132B2 (ja) | 1997-08-06 | 1997-08-06 | 固体撮像素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1154740A JPH1154740A (ja) | 1999-02-26 |
JP3743132B2 true JP3743132B2 (ja) | 2006-02-08 |
Family
ID=16616528
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21207997A Expired - Fee Related JP3743132B2 (ja) | 1997-08-06 | 1997-08-06 | 固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3743132B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100700270B1 (ko) * | 2001-11-22 | 2007-03-26 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 시모스 이미지센서 및 그 제조방법 |
-
1997
- 1997-08-06 JP JP21207997A patent/JP3743132B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
JPH1154740A (ja) | 1999-02-26 |
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Date | Code | Title | Description |
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A521 | Written amendment |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040428 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050308 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051107 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091125 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091125 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101125 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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