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HINTERGRUND
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Gebiet der Erfindung
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Die vorliegende Erfindung betrifft im Allgemeinen eine Flachtafelanzeige und im Einzelnen eine Flüssigkristallanzeige, die geeignet ist, kleiner und mit weniger Einzeleinheiten aufgebaut zu werden.
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Beschreibung des Stands der Technik
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Mit der Entwicklung der Informationsgesellschaft sind die Anforderungen an Anzeigen in vielerlei Hinsicht gestiegen. Daher sind verschiedene Flachtafelanzeigen wie z. B. eine LCD (Flüssigkristallanzeige), eine PDP (Plasmaanzeigetafel) und eine ELD (elektrolumineszierende Anzeige) entwickelt worden und einige von ihnen werden bereits als Anzeigen in verschiedenen Einrichtungen eingesetzt.
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Unter diesen ist die Flüssigkristallanzeige durch ihre hervorragende Bildqualität, ihr geringes Gewicht, ihre kompakten Maße und ihre geringe Leistungsaufnahme am weitesten als tragbare Bildanzeige verbreitet und ersetzt die Kathodenstrahlröhre. Die Flüssigkristallanzeige wurde vielseitig ausgebildet, so z. B. als Fernsehgerät oder für tragbare Zwecke, wie z. B. als Monitor für ein Notebook.
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Die Flüssigkristallanzeige nutzt die optische Anisotropie und die Polarität eines Flüssigkristalls zur Darstellung eines Bildes aus. Die Flüssigkristallmoleküle im Flüssigkristall können vorbestimmt (konstant) ausgerichtet werden. Die Richtung der Flüssigkristallmoleküle ist durch Anlegen eines elektrischen Feldes an den Flüssigkristall eingestellbar. Wird daher die molekulare Ausrichtung des Flüssigkristalls gezielt eingestellt, ändert sich die molekulare Anordnung des Flüssigkristalls. Eine Bildinformation ist außerdem durch Verändern der Lichtpolarisation in der molekularen Ausrichtung des Flüssigkristalls darstellbar, wobei seine optische Anisotropie ausgenutzt wird.
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Die Flüssigkristallanzeige enthält eine Flüssigkristalltafel, die ein Bild darstellt und einen Treiberbereich zum Treiben der Flüssigkristalltafel. Der Treiberbereich enthält einen Gatetreiber zum Treiben einer Vielzahl von Gateleitungen auf der Flüssigkristalltafel und einen Datentreiber zum Treiben einer Vielzahl von Datenleitungen auf der Flüssigkristalltafel. Der Treiberbereich enthält ferner eine Zeitsteuerung, die den Gatetreiber, den Datentreiber und einen Bereich zum Erzeugen von Spannungen steuert, wobei der Bereich zum Erzeugen von Spannungen Treiberspannungen ausgibt, die für die Flüssigkristalltafel, den Gatetreiber, den Datentreiber und die Zeitsteuerung benötigt werden.
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Der Bereich zum Erzeugen von Spannungen liefert eine niedrige Gatespannung VGL und eine hohe Gatespannung VGH zum Treiben der Gateleitungen und legt die niedrige und die hohe Gatespannung an den Gatetreiber an. Der Bereich zum Erzeugen von Spannungen liefert mindestens zwei Treiberspannungen (z. B. Vdd und Vcc), die zum Treiben der Schaltungen notwendig sind, zum Gatetreiber, zum Datentreiber und zur Zeitsteuerung. Zusätzlich liefert der Bereich zum Erzeugen von Spannungen eine gemeinsame Spannung Vcom, die als Bezugsspannung für die Flüssigkristalltafel dient. Der Bereich zum Erzeugen von Spannungen ist deshalb zusammen mit der Zeitsteuerung auf einer gedruckten Leiterplatte angeordnet.
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Man kann auch sagen, dass die gedruckte Leiterplatte neben der Zeitsteuerung mit einer Schaltung zur Erzeugung niedriger Gatespannungen VGL, einer Schaltung zur Erzeugung hoher Gatespannungen VGH, einer Schaltung zur Erzeugung von mindestens zwei Treiberspannungen und einer Schaltung zur Erzeugung einer gemeinsamen Spannung bestückt ist. Ferner sind auf der gedruckten Leiterplatte Leitungen zum Übertragen von Spannungen von den Schaltungen zur Erzeugung von Spannungen zur Flüssigkristallanzeige, zum Gatetreiber, zum Datentreiber und zur Zeitsteuerung ausgebildet.
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Da die Schaltungen zum Erzeugen von Spannungen, die für die Flüssigkristalltafel, den Gatetreiber, den Datentreiber und die Zeitsteuerung notwendig sind, individuell auf der gedruckten Leiterplatte realisiert sind, ist die gedruckte Leiterplatte mit einer großen Anzahl an Einzeleinheiten bestückt. Folglich wird die gedruckte Leiterplatte größer. Daher werden die Abmessungen und die Dicke der herkömmlichen Flüssigkristallanzeige ebenso größer und die Herstellungszeit sowie die Kosten steigen.
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US 2003/0053321 A1 zeigt einen Spannungsversorgungsschaltkreis für eine Anzeigevorrichtung. Die Spannungsversorgungsschaltung befindet sich auf einem gemeinsamen Schaltkreis mit der Treibersteuerung, mit einem Speicher und mit dem Datentreiber.
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US 2004/0113907 A1 beschreibt eine Vorrichtung zur Spannungsversorgung in einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Daher betrifft die Erfindung eine Flüssigkristallanzeige und ein Verfahren zum Treiben derselben, wobei im Wesentlichen ein oder mehrere Probleme durch Beschränkungen und Nachteile aus dem Stand der Technik vermieden werden.
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Aufgabe der Erfindung ist es, eine Flüssigkristallanzeige für Fernseher bzw. Notebooks mit weniger Einzelkomponenten zu schaffen.
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Die Aufgabe wird durch den Gegenstand des unabhängigen Anspruchs gelöst. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen sind in den entsprechenden abhängigen Ansprüchen beschrieben.
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Eine Flüssigkristallanzeige umfasst eine Flüssigkristalltafel mit einer Vielzahl von Flüssigkristallpixeln in Bereichen, die durch eine Vielzahl von Gateleitungen und Datenleitungen unterteilt sind, wobei jeder Flüssigkristallpixel mit einem Signal an der entsprechenden Gateleitung anzusteuern und mit einer Differenzspannung zwischen einer Pixelspannung an der entsprechenden Datenleitung und einer Spannung an einer gemeinsamen Elektrode zu treiben ist; einen Gatetreiber, der die Vielzahl der Gateleitungen treibt; einen Datentreiber, der die Vielzahl der Datenleitungen als Antwort auf einen Pixeldatenstrom treibt; eine Zeitsteuerung, die den Gatetreiber und den Datentreiber steuert; und einen Treiberspannungserzeugungsbereich in Form eines einzelnen Chips, der notwendige Spannungen für die gemeinsame Elektrode auf der Flüssigkristalltafel, den Gatetreiber, den Datentreiber und die Zeitsteuerung ausgibt, wobei der Treiberspannungserzeugungsbereich in Form eines einzelnen Chips eine externe Eingangsspannung nutzt.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Die angefügten Zeichnungen, die zu einem besseren Verständnis der Erfindung beitragen, stellen einen Teil dieser Anmeldung dar, erläutern Ausführungsbeispiele der Erfindung und zusammen mit der Beschreibung dienen sie dazu das Prinzip der Erfindung zu erklären.
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1 zeigt ein Blockdiagramm zum Erläutern einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer bevorzugten Ausführung der Erfindung;
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2 zeigt ein Schaltungsdiagramm zum genaueren Erläutern eines Treiberspannungserzeugungsbereichs aus 1.
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3 zeigt ein Blockdiagramm zum Erläutern einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführung der Erfindung; und
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4 zeigt ein Schaltungsdiagramm zum Erläutern eines Treiberspannungserzeugungsbereichs aus 3.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG VON BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGEN
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Nachstehend werden bevorzugte Ausführungen zur vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die angefügten Zeichnungen beschrieben.
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1 zeigt ein Blockdiagramm zum Erläutern einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer bevorzugten Ausführung der vorliegenden Erfindung. Nach 1 umfasst die erfindungsgemäße Flüssigkristallanzeige gemäß der bevorzugten Ausführung einen Treiberbereich 130 zum Treiben einer Flüssigkristalltafel 102.
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Die Flüssigkristalltafel 102 stellt ein aus Videodaten gewonnenes Bild dar. Dafür umfasst die Flüssigkristalltafel 102 ein erstes Substrat mit einer Vielzahl von Dünnschichttransistoren TFT, ein zweites Substrat mit Farbfiltern und eine Flüssigkristallschicht zwischen den Substraten. Das erste Substrat umfasst eine Vielzahl sich kreuzender Gateleitungen GL bzw. Gatezeilen und Datenleitungen DL bzw. Datenzeilen. Das erste Substrat ist durch die Gateleitungen GL und die Datenleitungen DL in viele Pixelbereicheinheiten unterteilt. Der Dünnschichttransistor und eine Pixelelektrode sind in jeder Pixelbereicheinheit ausgebildet. Ferner kann eine gemeinsame Elektrode entweder auf dem ersten oder dem zweiten Substrat ausgebildet sein. Ist an der Gateleitung GL des Dünnschichttransistors TFT eine hohe elektrische Potenzialspannung angelegt, lädt sich eine Pixeldatenspannung an der entsprechenden Datenzeile zwischen der entsprechenden Pixelelektrode und der gemeinsamen Elektrode auf. Die Flüssigkristallschicht reguliert die durch eine Pixelbereicheinheit dringende Lichtmenge mit einer Spannung zwischen der gemeinsamen Elektrode und der Pixelelektrode und stellt so ein Bild dar.
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Der Treiberbereich 130 umfasst einen Gatetreiber 104, der die Vielzahl an Gateleitungen GL treibt; einen Datentreiber 106, der die Vielzahl an Datenleitungen DL treibt und eine Zeitsteuerung 108, die den Gatetreiber 104 und den Datentreiber 106 steuert. Der Treiberbereich 130 umfasst ferner einen Gammaspannungserzeugungsbereich 112, der eine Gammaspannung ausgibt, die für den Datentreiber 106 benötigt wird; und einen Treiberspannungserzeugungsbereich 110, der eine Vielzahl von Spannungen ausgibt, die für die gemeinsame Elektrode der Flüssigkristalltafel 102, den Gatetreiber 104, den Datentreiber 106, die Zeitsteuerung 108 und den Gammaspannungserzeugungsbereich 112 benötigt werden.
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Der Gatetreiber 104 gibt als Antwort auf das Gatesteuerungssignal von der Zeitsteuerung 108 entweder eine hohe Gatespannung VGH oder eine niedrige Gatespannung VGL aus dem Treiberspannungserzeugungsbereich 110 an die Vielzahl von Gateleitungen GL aus. Durch den Gatetreiber 104 werden die Gateleitungen GL auf der Flüssigkristalltafel 108 nacheinander für eine vorbestimmte Zeit (z. B. entsprechend der Periode eines horizontalen Synchronisierungssignals) eingeschaltet.
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Der Datentreiber 106 legt als Antwort auf das Datensteuerungssignal von der Zeitsteuerung 108 die Pixeldatenspannung an die Vielzahl von Datenleitungen DL auf der Flüssigkristalltafel 102 an. Dafür werden dem Datentreiber 106 RGB-Pixeldaten für eine Zeile aus der Zeitsteuerung 108 zugeführt. Diese für eine Zeile empfangenen Pixeldaten wandelt der Datentreiber 106 mit den Gammaspannungen aus dem Gammaspannungserzeugungsbereich 112 in analoge Pixeldatenspannungen um. Die der Zeile entsprechenden konvertierten Datenspannungen werden an die Vielzahl von Datenleitungen DL auf der Flüssigkristalltafel 102 angelegt.
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Die Zeitsteuerung 108 erzeugt ein Gatesteuerungssignal zum Steuern des Gatetreibers 104 und ein Datensteuerungssignal zum Steuern des Datentreibers 106 als Antwort auf ein vertikales/horizontales Synchronisierungssignal Vsync/Hsync, ein Datenschaltsignal DE und ein Taktsignal CLK aus einem (nicht gezeigten) externen System (z. B. einem Grafikmodul eines Computersystems oder einem Bilddemodulationsmodul eines Fernsehgeräts). Zusätzlich überträgt die Zeitsteuerung 108 für eine Zeile die RGB-Pixeldaten in einer Bildeinheit eines Bildes aus einem externen System an den Datentreiber 106.
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Der Gammaspannungserzeugungsbereich 112 verwendet erste und zweite Versorgungsspannungen Vdd und Vss, die im Treiberspannungserzeugungsbereich 110 erzeugt werden und gibt eine Vielzahl von Gammaspannungen mit verschiedenen Pegeln aus. Dafür umfasst der Gammaspannungserzeugungsbereich 112 einen Spannungsteiler aus Widerständen (nicht gezeigt), der in Reihe zur ersten und zweiten Versorgungsspannung Vdd und Vss liegt. Die durch den Spannungsteiler geteilten Spannungen werden dem Datentreiber 106 als Gammaspannungen zugeführt.
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Der Treiberspannungserzeugungsbereich 110 erzeugt die zum Treiben der Gateleitungen GL notwendige hohe Gatespannung VGH und niedrige Gatespannung VGL. Ferner erzeugt der Treiberspannungserzeugungsbereich 110 die gemeinsame Spannung Vcom für die gemeinsame Elektrode der Flüssigkristalltafel 102. Zusätzlich erzeugt der Treiberspannungserzeugungsbereich 110 erste bis dritte Versorgungsspannungen Vdd, Vss und Vcc, die zum Treiben des Gatetreibers 104, des Datentreibers 106, der Zeitsteuerung 108 und des Gammaspannungserzeugungsbereichs 112 benötigt werden. Die Schaltungen, die die hohe und niedrige Gatespannung VGH und VGL, die gemeinsame Spannung Vcom und die erste bis dritte Versorgungsspannung Vdd, Vss und Vcc erzeugen, sind im Treiberspannungserzeugungsbereich vorgesehen, der in Form eines einzelnen Chips ausgebildet ist. Mit anderen Worten wird der Treiberspannungserzeugungsbereich 110 in Form eines einzelnen Chips hergestellt. Der Treiberspannungserzeugungsbereich 110 in Form eines einzelnen Chips ist auf einer gedruckten Leiterplatte (nicht gezeigt) zusammen mit der Zeitsteuerung 108 und dem Gammaspannungserzeugungsbereich 112 angeordnet.
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Der Treiberspannungserzeugungsbereich in Form eines einzelnen Chips benötigt nur wenig Platz auf der gedruckten Leiterplatte, kann neben der Zeitsteuerung 108 und dem Gammaspannungserzeugungsbereich 112 angeordnet werden und zusammen mit ihnen bestückt sein. Zusätzlich verkürzt der Treiberspannungserzeugungsbereich 110 in Form eines einzelnen Chips die Länge der Verdrahtung auf der gedruckten Leiterplatte. Folglich kann die Anzahl der Schaltungseinheiten auf der gedruckten Leiterplatte verringert und die Größe der gedruckten Leiterplatte geringer ausgelegt werden. Das heißt, dass die Größe und/oder die Dicke der Flüssigkristallanzeige verringert werden kann.
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2 zeigt ein Schaltungsdiagramm zum genaueren Erläutern des Treiberspannungserzeugungsbereichs 110 aus 1. Der Treiberspannungserzeugungsbereich 110 aus 2 umfasst einen DC-DC Umwandlungsbereich 114, dem eine Eingangsspannung Vin aus einem externen System (z. B. einer Spannungsversorgungseinheit eines Computersystems oder einer Spannungsversorgungseinheit eines Fernsehgeräts) zugeführt wird, einen Niedrige-Gatespannungserzeugungsbereich 118, einen Pegelwandler 120, einen Hohe-Gatespannungserzeugungsbereich 123 und einen Gemeinsame-Spannungserzeugungsbereich 125, dem gewöhnlich eine erste Versorgungsspannung Vdd aus dem DC-DC Umwandlungsbereich 114 zuführt wird.
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Der DC-DC Umwandlungsbereich 114 erzeugt eine erste Versorgungsspannung Vdd mit einem hohen Potenzial und eine zweite Versorgungsspannung Vss mit einem niedrigen Potenzial, wobei ihm eine Eingangsspannung Vin aus einer Spannungsversorgungseinheit eines externen Systems zugeführt wird. Genauer gesagt erzeugt der DC-DC Umwandlungsbereich 114 eine erste Versorgungsspannung Vdd mit einem hohen Potenzial und eine zweite Versorgungsspannung Vss mit einem niedrigen Potenzial, die stabil die notwendigen Pegel einhalten, wobei er die Eingangsspannung in eine Wechselspannung umwandelt und dann die Wechselspannung in eine Gleichspannung zurück konvertiert. Die erste Versorgungsspannung Vdd mit einem hohen Potenzial wird zum Treiben einer Schaltungseinheit mit relativ hoher Kapazität wie z. B. einem MOS Transistor verwendet, während die zweite Versorgungsspannung Vss mit einem niedrigen Potenzial als eine Bezugsspannung (z. B. GND) verwendet wird. Die im DC-DC Umwandlungsbereich 114 erzeugte erste Versorgungsspannung Vdd wird gemäß 1 an den Datentreiber 106 und an den Gammaspannungserzeugungsbereich 112 angelegt. Die zweite Versorgungsspannung Vss wird an den Gatetreiber 104, den Datentreiber 106, die Zeitsteuerung 108 und den Gammaspannungserzeugungsbereich 112 angelegt.
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Der Pegelwandler 120 erzeugt eine dritte Versorgungsspannung Vcc durch Heruntersetzen der ersten Versorgungsspannung Vdd aus dem DC-DC Umwandlungsbereich 114. Die dritte Versorgungsspannung Vcc hält konstant einen hohen Potenzialpegel, so dass sie kleiner ist als die erste Versorgungsspannung Vdd aber höher als die zweite Versorgungsspannung Vss ist. Die dritte Versorgungsspannung Vcc wird zum Treiben der logischen Einheiten verwendet, die eine relativ kleine Spannung benötigen. Demzufolge wird die im Pegelwandler 120 erzeugte dritte Versorgungsspannung Vcc gemäß 1 an den Gatetreiber 104, den Datentreiber 106 und die Zeitsteuerung 108 angelegt.
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Der Hohe-Gatespannungserzeugungsbereich 123 umfasst einen Bereich 116 zum Steuern einer hohen Spannung gemäß einem Steuerungssignal CTL sowie erste und zweite Transistoren T1 und T2, die gewöhnlich mit dem Ausgangsanschluss des Bereichs 116 zum Steuern einer hohen Gatespannung verbunden sind. Die ersten und zweiten Versorgungsspannungen aus dem DC-DC Umwandlungsbereich 114 werden auch an den Bereich 116 zum Steuern einer hohen Gatespannung angelegt. Der Sourceanschluss des ersten Transistors T1 ist an eine Ausgangsleitung der ersten Versorgungsspannung Vdd des DC-DC Umwandlers 114 angeschlossen und der Drainanschluss des ersten Transistors T1 führt gemäß l zusammen mit dem Sourceanschluss des zweiten Transistors T2 in den Gatetreiber 104. Der Drainanschluss des zweiten Transistors T2 ist mit dem die zweite Versorgungsspannung Vss ausgebenden Ausgangsanschluss des DC-DC Umwandlers 114 verbunden. Der Bereich 116 zum Steuern einer hohen Gatespannung wird durch das Steuerungssignal CTL aus einem externen System oder der Zeitsteuerung 108 eingeschaltet, um den ersten und zweiten Transistor T1 und T2 zu treiben. Mit dem ersten und zweiten Transistor T1 und T2 kann die Spannung am Eingangsanschluss des Gatetreibers 104 durch Schalten der ersten und zweiten Versorgungsspannung Vdd und Vss positiv vervielfacht werden. Die positiv vervielfachte Spannung wird an den Gatetreiber 104 aus 1 als eine hohe Gatespannung VGH angelegt. Der Gatetreiber 104 legt die hohe Gatespannung VGH gezielt an eine Vielzahl von Gateleitungen GL der Flüssigkristalltafel 102 an, um die Vielzahl von Gateleitungen GL gezielt anzusprechen. So wird der Dünnschichttransistor TFT der gezielt angesprochenen Gateleitung eingeschaltet.
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Wie der Hohe-Gatespannungserzeugungsbereich 123 wird der Niedrige-Gatespannungserzeugungsbereich 118 durch das Steuersignal CTL aus einem externen System oder der Zeitsteuerung aus 1 eingeschaltet. Nach dem Einschalten kann der Niedrige-Gatespannungserzeugungsbereich 118 die Spannung am Eingangsanschluss des Gatetreibers 104 durch Schalten der ersten und zweiten Versorgungsspannung Vdd und Vss aus dem DC-DC Umwandlungsbereich 114 negativ vervielfachen. Demzufolge wird eine niedrige Gatespannung VGL für den Gatetreiber 104 aus 1 im Niedrige-Gatespannungserzeugungsbereich 118 erzeugt. Die niedrige Gatespannung VGL wird gezielt an die Vielzahl von Gateleitungen GL über den Gatetreiber 104 angelegt, um die Vielzahl der Gateleitungen GL gezielt abzuschalten. Somit wird der Dünnschichttransistor TFT der gezielt abgeschalteten Gateleitung GL ausgeschaltet.
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Der Gemeinsame-Spannungserzeugungsbereich 125 umfasst einen Spannungsteilerbereich 126, der eine erste und zweite Versorgungsspannung Vdd und Vss aus dem DC-DC Umwandlungsbereich 114 empfängt und einen Pufferbereich 122, der mit dem Spannungsteilebrereich 126 verbunden ist. Der Spannungsteilerbereich 126 umfasst zwei Widerstände, die in Reihe zwischen den Ausgangsleitungen der ersten und zweiten Versorgungsspannung Vdd und Vss des DC-DC Umwandlungsbereichs 114 geschaltet sind. Die zwei Widerstände teilen die Differenzspannung zwischen der ersten und zweiten Versorgungsspannung Vdd und Vss und legen die geteilte Spannung an den Pufferbereich an. Die geteilte Spannung aus dem Spannungsteilerbereich 126 wird an einen nicht invertierenden Eingangsanschluss (+) angelegt und eine Referenzspannung Vref wird an einen invertierenden Eingangsanschluss (–) des Pufferbereichs 122 angelegt. Der Pufferbereich 122 puffert die geteilte Spannung aus dem Spannungsteilerbereich 126 und legt sie an die gemeinsame Elektrode der Flüssigkristalltafel 102 aus 1 als eine gemeinsame Spannung Vcom an.
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Der DC-DC Umwandlungsbereich 114, der Pegelwandler 120, der Niedrige-Gatespannungserzeugungsbereich 118 und der Hohe-Gatespannungserzeugungsbereich 123 sind auf einem einzelnen Chip ausgebildet. Mit anderen Worten ist der Treiberspannungserzeugungsbereich 110 aus einem einzelnen Chips hergestellt und erzeugt die hohe und niedrige Gatespannung VGH und VGL, die gemeinsame Spannung Vcom und die erste bis dritte Versorgungsspannung Vdd, Vss und Vcc. Der Treiberspannungserzeugungsbereich 110 in Form eines einzelnen Chips benötigt nur wenig Platz auf der gedruckten Leiterplatte und kann neben der Zeitsteuerung 108 und dem Gammaspannungserzeugungsbereich 112 zusammen mit diesen bestückt sein. Zusätzlich verkürzt der Treiberspannungserzeugungsbereich 110 in Form eines einzelnen Chips die Verdrahtungslänge auf der gedruckten Leiterplatte. Demzufolge kann die Anzahl der Schaltungseinheiten auf der gedruckten Leiterplatte verringert werden und die gedruckte Leiterplatte wird kleiner. Daher reduziert sich die Größe und/oder die Dicke der Flüssigkristallanzeige.
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3 zeigt ein Blockdiagramm zum Erläutern einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführung der Erfindung. Die Flüssigkristallanzeige aus 3 weist den selben Aufbau wie die Flüssigkristallanzeige aus l auf, mit der Ausnahme, dass ein Treiberspannungserzeugungsbereich 200 zusammen mit einem Gammaspannungserzeugungsbereich 112 aufgebaut ist, und dass ein Datentreiber 106 seine Gammaspannungen aus dem Gammaspannungserzeugungsbereich 112 innerhalb des Treiberspannungserzeugungsbereichs 200 erhält. Die gleichnamigen Elemente aus 3 mit derselben Funktion und Wirkung wie aus 1 werden mit denselben Bezugszeichen versehen und auf ihre genaue Beschreibung wird verzichtet.
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Wie der Treiberspannungserzeugungsbereich 110 aus 1, so erzeugt auch der Treiberspannungserzeugungsbereich 200, in dem der Gammaspannungserzeugungsbereich 112 eingebettet ist, hohe und niedrige Gatespannungen VGH und VGL, erste bis dritte Versorgungsspannungen Vdd, Vss und Vcc, und eine gemeinsame Spannung Vcom. Zusätzlich gibt der Treiberspannungserzeugungsbereich 200 Gammaspannungen aus dem darin eingebetteten Gammaspannungserzeugungsbereich 112 an den Datentreiber 106 aus.
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Wie oben erwähnt, umfasst der Treiberspannungserzeugungsbereich 200 zusätzlich zu den Schaltungen zum Erzeugen hoher und niedriger Gatespannungen VGH und VGL, der gemeinsamen Spannung Vcom und erster bis dritter Versorgungsspannungen Vdd, Vss und Vcc eine Schaltung zum Erzeugen von Gammaspannungen. Ferner ist der Treiberspannungserzeugungsbereich 200 in Form eines einzelnen Chips hergestellt. Die gedruckte Leiterplatte ist mit dem Treiberspannungserzeugungsbereich 200 in Form eines einzelnen Chips zusammen mit der Zeitsteuerung 108 bestückt.
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Der Treiberspannungserzeugungsbereich 200 in Form eines einzelnen Chips benötigt wenig Platz und kann benachbart zu der Zeitsteuerung 108, die zusammen mit ihm bestückt ist, angeordnet werden. Zusätzlich verkürzt der Treiberspannungserzeugungsbereich 200 in Form eines einzelnen Chips die Verdrahtungslänge auf der gedruckten Leiterplatte. Demzufolge kann die Anzahl der Schaltungseinheiten auf der gedruckten Leiterplatte weiter verkleinert werden und die gedruckte Leiterplatte wird noch kleiner. Folglich kann die Größe und/oder die Dicke der Flüssigkristallanzeige weiter reduziert werden.
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4 ist ein Schaltungsdiagramm zum genaueren Erläutern des Treiberspannungserzeugungsbereichs 200 aus 3. Der Treiberspannungserzeugungsbereich aus 4 weist dieselbe Konstruktion wie der Treiberspannungserzeugungsbereich 110 aus 2 auf, mit der Ausnahme, dass Treiberspannungserzeugungsbereich 200 ferner den Gammaspannungserzeugungsbereich 112 umfasst. Die gleichnamigen Elemente aus 4 mit derselben Funktion und Wirkung, wie die Elemente aus 2 werden mit denselben Bezugszeichen versehen und auf ihre genaue Beschreibung wird verzichtet.
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An den Gammaspannungserzeugungsbereich 112, der im Treiberspannungserzeugungsbereich 200 aus 4 enthalten ist, ist die erste und zweite Versorgungsspannung Vdd und Vss aus dem DC-DC Umwandlungsbereich 114 angelegt. Der Gammaspannungserzeugungsbereich 112 erzeugt unter Verwendung die ersten und zweiten Versorgungsspannung Vdd und Vss eine Vielzahl von Gammaspannungen verschiedener Pegel. Dafür umfasst der Gammaspannungserzeugungsbereich 112 einen Spannungsteiler aus (nicht gezeigten) Widerständen, der in Reihe zu den Ausgangsleitungen der ersten und zweiten Versorgungsspannung Vdd und Vss aus dem DC-DC Umwandlungsbereich 114 liegt. Die durch den Spannungsteiler geteilten Spannungen werden an den Datentreiber 106 als Gammaspannungen GMA angelegt.
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Wie oben erwähnt umfasst der Treiberspannungserzeugungsbereich 200 zusätzlich zu den Schaltungen zum Erzeugen von hohen und niedrigen Gatespannungen VGH und VGL, von der gemeinsamen Spannung Vcom und von ersten bis dritten Versorgungsspannungen Vdd, Vss und Vcc auch eine Schaltung zum Erzeugen von Gammaspannungen. Ferner ist der Treiberspannungserzeugungsbereich 200 in Form eines einzelnen Chips hergestellt. Der Treiberspannungserzeugungsbereich 200 in Form eines einzelnen Chips ist auf der gedruckten Leiterplatte zusammen mit der Zeitsteuerung 108 bestückt.
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Der Treiberspannungserzeugungsbereich 200 in Form eines einzelnen Chips benötigt wenig Platz auf der gedruckten Leiterplatte und kann benachbart zur Zeitsteuerung 108 bestückt werden. Zusätzlich verkürzt der Treiberspannungserzeugungsbereich 200 in Form eines einzelnen Chips die Verdrahtungslänge auf der gedruckten Leiterplatte. Folglich kann die Anzahl der Schaltungseinheiten auf der gedruckten Leiterplatte weiter verringert werden und die gedruckte Leiterplatte wird kleiner. Das heißt, dass die Größe und/oder die Dicke der Flüssigkristallanzeige weiter reduziert werden kann.
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Wie oben erwähnt, können die Treiberspannungen in der erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeige, die für die Flüssigkristalltafel und ihre Treiberschaltungen benötigt werden in einem einstückigem IC-Chip zum Erzeugen von Treiberspannungen erzeugt werden. Der Treiberspannungserzeugungsbereich in Form eines einzelnen Chips benötigt wenig Platz auf der gedruckten Leiterplatte und kann benachbart zur Zeitsteuerung bestückt werden. Zusätzlich verkürzt der Treiberspannungserzeugungsbereich in Form eines einzelnen Chips die Länge der Verdrahtung auf der gedruckten Leiterplatte. Demzufolge kann die Zahl der Schaltungseinheiten auf der gedruckten Leiterplatte weiter verringert werden und die gedruckte Leiterplatte wird kleiner. Folglich wird die Größe und/oder die Dicke der Flüssigkristallanzeige weiter reduziert.
