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QUERVERWEIS ZU VERWANDTEN
ANMELDUNGEN
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Diese
Anmeldung beansprucht die Priorität der koreanischen Patentanmeldung
mit der Nummer
10-2006-0059794 ,
die am 29. Juni 2006 beim koreanischen Amt für geistiges Eigentum eingereicht
wurde und deren Offenlegung hier durch Referenz eingeführt wird.
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HINTERGRUND
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Gebiet die Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft im Allgemeinen eine Flachtafelanzeige
und im Einzelnen eine Flüssigkristallanzeige,
die geeignet ist, kleiner und mit weniger Einzeleinheiten aufgebaut
zu werden.
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Beschreibung des Stands der
Technik
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Mit
der Entwicklung der Informationsgesellschaft sind die Anforderungen
an Anzeigen in vielerlei Hinsicht gestiegen. Daher sind verschiedene Flachtafelanzeigen
wie z.B. eine LCD (Flüssigkristallanzeige),
eine PDP (Plasmaanzeigetafel) und eine ELD (elektrolumineszierende
Anzeige) entwickelt worden und einige von ihnen werden bereits als
Anzeigen in verschiedenen Einrichtungen eingesetzt.
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Unter
diesen ist die Flüssigkristallanzeige durch
ihre hervorragende Bildqualität,
ihr geringes Gewicht, ihre kompakten Maße und ihre geringe Leistungsaufnahme
am weitesten als tragbare Bildanzeige verbreitet und ersetzt die
Kathodenstrahlröhre.
Die Flüssigkristallanzeige
wurde vielseitig ausgebildet, so z.B. als Fernsehgerät oder für tragbare Zwecke,
wie z.B. als Monitor für
ein Notebook.
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Die
Flüssigkristallanzeige
nutzt die optische Anisotropie und die Polarität eines Flüssigkristalls zur Darstellung
eines Bildes aus. Die Flüssigkristallmoleküle im Flüssigkristall
können
vorbestimmt (konstant) ausgerichtet werden. Die Richtung der Flüssigkristallmoleküle ist durch
Anlegen eines elektrischen Feldes an den Flüssigkristall eingestellbar.
Wird daher die molekulare Ausrichtung des Flüssigkristalls gezielt eingestellt, ändert sich
die molekulare Anordnung des Flüssigkristalls.
Eine Bildinformation ist außerdem
durch Verändern
der Lichtpolarisation in der molekularen Ausrichtung des Flüssigkristalls
darstellbar, wobei seine optische Anisotropie ausgenutzt wird.
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Die
Flüssigkristallanzeige
enthält
eine Flüssigkristalltafel,
die ein Bild darstellt und einen Treiberbereich zum Treiben der
Flüssigkristalltafel.
Der Treiberbereich enthält
einen Gatetreiber zum Treiben einer Vielzahl von Gateleitungen auf
der Flüssigkristalltafel
und einen Datentreiber zum Treiben einer Vielzahl von Datenleitungen
auf der Flüssigkristalltafel. Der
Treiberbereich enthält
ferner eine Zeitsteuerung, die den Gatetreiber, den Datentreiber
und einen Bereich zum Erzeugen von Spannungen steuert, wobei der
Bereich zum Erzeugen von Spannungen Treiberspannungen ausgibt, die
für die
Flüssigkristalltafel, den
Gatetreiber, den Datentreiber und die Zeitsteuerung benötigt werden.
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Der
Bereich zum Erzeugen von Spannungen liefert eine niedrige Gatespannung
VGL und eine hohe Gatespannung VGH zum Treiben der Gateleitungen
und legt die niedrige und die hohe Gatespannung an den Gatetreiber
an. Der Bereich zum Erzeugen von Spannungen liefert mindestens zwei
Treiberspannungen (z.B. Vdd und Vcc), die zum Treiben der Schaltungen
notwendig sind, zum Gatetreiber, zum Datentreiber und zur Zeitsteuerung.
Zusätzlich
liefert der Bereich zum Erzeugen von Spannungen eine allgemeine
Spannung Vcom, die als Bezugsspannung für die Flüssigkristalltafel dient. Der
Bereich zum Erzeugen von Spannungen ist deshalb zusammen mit der
Zeitsteuerung auf einer gedruckten Leiterplatte angeordnet.
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Man
kann auch sagen, dass die gedruckte Leiterplatte neben der Zeitsteuerung
mit einer Schaltung zur Erzeugung niedriger Gatespannungen VGL, einer
Schaltung zur Erzeugung hoher Gatespannungen VGH, einer Schaltung
zur Erzeugung von mindestens zwei Treiberspannungen und einer Schaltung
zur Erzeugung einer allgemeinen Spannung bestückt ist. Ferner sind auf der
gedruckten Leiterplatte Leitungen zum Übertragen von Spannungen von
den Schaltungen zur Erzeugung von Spannungen zur Flüssigkristallanzeige,
zum Gatetreiber, zum Datentreiber und zur Zeitsteuerung ausgebildet.
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Da
die Schaltungen zum Erzeugen von Spannungen, die für die Flüssigkristalltafel,
den Gatetreiber, den Datentreiber und die Zeitsteuerung notwendig
sind, individuell auf der gedruckten Leiterplatte realisiert sind,
ist die gedruckte Leiterplatte mit einer großen Anzahl an Einzeleinheiten
bestückt. Folglich
wird die gedruckte Leiterplatte größer. Daher werden die Abmessungen
und die Dicke der herkömmlichen
Flüssigkristallanzeige
ebenso größer und
die Herstellungszeit sowie die Kosten steigen.
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ZUSAMMENFASSUNG ERFINDUNG
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Daher
betrifft die Erfindung eine Flüssigkristallanzeige
und ein Verfahren zum Treiben derselben, wobei im Wesentlichen ein
oder mehrere Probleme durch Beschränkungen und Nachteile aus dem
Stand der Technik vermieden werden.
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Aufgabe
der Erfindung ist es, eine kleinere Flüssigkristallanzeige mit weniger
Einzelkomponenten zu schaffen.
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Zur
Lösung
der oben genannten Aufgabe umfasst eine erfindungsgemäße Flüssigkristallanzeige
eine Flüssigkristalltafel
mit einer Vielzahl von Flüssigkristallpixeln
in Bereichen, die durch eine Vielzahl von Gateleitungen und Datenleitungen
unterteilt sind, wobei jeder Flüssigkristallpixel
mit einem Signal an der entsprechenden Gateleitung anzusteuern und mit
einer Differenzspannung zwischen einer Pixelspannung an der entsprechenden
Datenleitung und einer Spannung an einer allgemeinen Elektrode zu treiben
ist; einen Gatetreiber, der die Vielzahl der Gateleitungen treibt;
einen Datentreiber, der die Vielzahl der Datenleitungen als Antwort
auf einen Pixeldatenstrom treibt; eine Zeitsteuerung, die den Gatetreiber
und den Datentreiber steuert; und einen Bereich zum Erzeugen von
Treiberspannungen in Form eines einzelnen Chips, der notwendige
Spannungen für
die gemeinsame bzw. allgemeine Elektrode auf der Flüssigkristalltafel,
den Gatetreiber, den Datentreiber und die Zeitsteuerung ausgibt,
wobei der Bereich zum Erzeugen von Treiberspannungen in Form eines
einzelnen Chips eine externe Eingangsspannung nutzt.
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Weitere
Vorteile, Aufgaben und Merkmale der Erfindung werden teilweise in
der folgenden Beschreibung fortgesetzt und gehen teilweise für den Fachmann
durch das Studium aus ihr hervor oder können durch die praktische Anwendung
der Erfindung erlernt werden. Die Aufgaben und andere Vorteile der
Erfindung können
durch die Struktur, die in der Beschreibung und den angefügten Ansprüchen sowie
in den Zeichnungen dargestellt ist, realisiert und erreicht werden.
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Es
wird vorausgesetzt, dass beides, die vorliegende allgemeine und
die nachfolgende detaillierte Beschreibung der Erfindung exemplarisch
und erklärend
sind, um die Erfindung detaillierter als beansprucht zu erläutern.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Die
angefügten
Zeichnungen, die zu einem besseren Verständnis der Erfindung beitragen,
stellen einen Teil dieser Anmeldung dar, erläutern Ausführungsbeispiele der Erfindung
und zusammen mit der Beschreibung dienen sie dazu das Prinzip der
Erfindung zu erklären.
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1 zeigt
ein Blockdiagramm zum Erläutern
einer Flüssigkristallanzeige
gemäß einer
bevorzugten Ausführung
der Erfindung;
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2 zeigt
ein Schaltungsdiagramm zum genaueren Erläutern eines Bereichs zum Erzeugen von
Treiberspannungen aus 1.
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3 zeigt
ein Blockdiagramm zum Erläutern
einer Flüssigkristallanzeige
gemäß einer
weiteren bevorzugten Ausführung
der Erfindung; und
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4 zeigt
ein Schaltungsdiagramm zum Erläutern
eines Bereichs zum Erzeugen von Treiberspannungen aus 3.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
VON BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGEN
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Nachstehend
werden bevorzugte Ausführungen
zur vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die angefügten Zeichnungen
beschrieben.
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1 zeigt
ein Blockdiagramm zum Erläutern
einer Flüssigkristallanzeige
gemäß einer
bevorzugten Ausführung
der vorliegenden Erfindung. Nach 1 umfasst
die erfindungsgemäße Flüssigkristallanzeige
gemäß der bevorzugten
Ausführung
einen Treiberbereich 130 zum Treiben einer Flüssigkristalltafel 102.
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Die
Flüssigkristalltafel 102 stellt
ein aus Videodaten gewonnenes Bild dar. Dafür umfasst die Flüssigkristalltafel 102 ein
erstes Substrat mit einer Vielzahl von Dünnschichttransistoren TFT,
ein zweites Substrat mit Farbfiltern und eine Flüssigkristallschicht zwischen
den Substraten. Das erste Substrat umfasst eine Vielzahl sich kreuzender
Gateleitungen GL bzw. Gatezeilen und Datenleitungen DL bzw. Datenzeilen.
Das erste Substrat ist durch die Gateleitungen GL und die Datenleitungen
DL in viele Pixelbereicheinheiten unterteilt. Der Dünnschichttransistor und
eine Pixelelektrode sind in jeder Pixelbereicheinheit ausgebildet.
Ferner kann eine allgemeine Elektrode entweder auf dem ersten oder
dem zweiten Substrat ausgebildet sein. Ist an der Gateleitung GL des
Dünnschichttransistors
TFT eine hohe elektrische Potenzial spannung angelegt, lädt sich
eine Pixeldatenspannung an der entsprechenden Datenzeile zwischen
der entsprechenden Pixelelektrode und der allgemeinen Elektrode
auf. Die Flüssigkristallschicht
reguliert die durch eine Pixelbereicheinheit dringende Lichtmenge
mit einer Spannung zwischen der allgemeinen Elektrode und der Pixelelektrode und
stellt so ein Bild dar.
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Der
Treiberbereich 130 umfasst einen Gatetreiber 104,
der die Vielzahl an Gateleitungen GL treibt; einen Datentreiber 106,
der die Vielzahl an Datenleitungen DL treibt und eine Zeitsteuerung 108, die
den Gatetreiber 104 und den Datentreiber 106 steuert.
Der Treiberbereich 130 umfasst ferner einen Bereich 112 zum
Erzeugen von Gammaspannungen, der eine Gammaspannung ausgibt, die
für den
Datentreiber 106 benötigt
wird; und einen Bereich 110 zum Erzeugen von Treiberspannungen,
der eine Vielzahl von Spannungen ausgibt, die für die allgemeine Elektrode
der Flüssigkristalltafel 102,
den Gatetreiber 104, den Datentreiber 106, die
Zeitsteuerung 108 und den Bereich 112 zum Erzeugen
von Gammaspannungen benötigt
werden.
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Der
Gatetreiber 104 gibt als Antwort auf das Gatesteuerungssignal
von der Zeitsteuerung 108 entweder eine hohe Gatespannung
VGH oder eine niedrige Gatespannung VGL aus dem Bereich 110 zum
Erzeugen von Treiberspannungen an die Vielzahl von Gateleitungen
GL aus. Durch den Gatetreiber 104 werden die Gateleitungen
GL auf der Flüssigkristalltafel 108 nacheinander
für eine
vorbestimmte Zeit (z.B. entsprechend der Periode eines horizontalen
Synchronisierungssignals) eingeschaltet.
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Der
Datentreiber 106 legt als Antwort auf das Datensteuerungssignal
von der Zeitsteuerung 108 die Pixeldatenspannung an die
Vielzahl von Datenleitungen DL auf der Flüssigkristalltafel 102 an.
Dafür werden
dem Datentreiber 106 RGB-Pixeldaten für eine Zeile aus der Zeitsteuerung 108 zugeführt. Diese
für eine
Zeile empfangenen Pixeldaten wandelt der Datentreiber 106 mit
den Gammaspannungen aus dem Bereich 112 zum Erzeugen von
Gammaspannungen in analoge Pixeldatenspannungen um. Die der Zeile
entsprechenden konvertierten Datenspannungen werden an die Vielzahl
von Datenleitungen DL auf der Flüssigkristalltafel 102 angelegt.
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Die
Zeitsteuerung 108 erzeugt ein Gatesteuerungssignal zum
Steuern des Gatetreibers 104 und ein Datensteuerungssignal
zum Steuern des Datentreibers 106 als Antwort auf ein vertikales/horizontales
Synchronisierungssignal Vsync/Hsync, ein Datenschaltsignal DE und
ein Taktsignal CLK aus einem (nicht gezeigten) externen System (z.B.
einem Grafikmodul eines Computersystems oder einem Bilddemodulationsmodul
eines Fernsehgeräts).
Zusätz lich überträgt die Zeitsteuerung 108 für eine Zeile
die RGB-Pixeldaten in einer Bildeinheit eines Bildes aus einem externen
System an den Datentreiber 106.
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Der
Bereich 112 zum Erzeugen von Gammaspannungen verwendet
erste und zweite Versorgungsspannungen Vdd und Vss, die im Bereich 110 zum
Erzeugen von Treiberspannungen erzeugt werden und gibt eine Vielzahl
von Gammaspannungen mit verschiedenen Pegeln aus. Dafür umfasst
der Bereich 112 zum Erzeugen von Gammaspannungenen einen
Spannungsteiler aus Widerständen
(nicht gezeigt), der in Reihe zur ersten und zweiten Versorgungsspannung
Vdd und Vss liegt. Die durch den Spannungsteiler geteilten Spannungen
werden dem Datentreiber 106 als Gammaspannungen zugeführt.
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Der
Bereich 110 zum Erzeugen von Treiberspannungen erzeugt
die zum Treiben der Gateleitungen GL notwendige hohe Gatespannung
VGH und niedere Gatespannung VGL. Ferner erzeugt der Bereich 110 zum
Erzeugen von Treiberspannungen die allgemeine Spannung Vcom für die gemeinsame Elektrode
der Flüssigkristalltafel 102.
Zusätzlich
erzeugt der Bereich 110 zum Erzeugen von Treiberspannungen
erste bis dritte Versorgungsspannungen Vdd, Vss und Vcc, die zum
Treiben des Gatetreibers 104, des Datentreibers 106,
der Zeitsteuerung 108 und des Bereiches 112 zum
Erzeugen von Gammaspannungen benötigt
werden. Die Schaltungen, die die hohe und niedere Gatespannung VGH
und VGL, die allgemeine Spannung Vcom und die erste bis dritte Versorgungsspannung
Vdd, Vss und Vcc erzeugen, sind im Bereich zum Erzeugen von Treiberspannungen
vorgesehen, der in Form eines einzelnen Chips ausgebildet ist. Mit
anderen Worten wird der Bereich 110 zum Erzeugen von Treiberspannungen in
Form eines einzelnen Chips hergestellt. Der Bereich 110 zum
Erzeugen von Treiberspannungen in Form eines einzelnen Chips ist
auf einer gedruckten Leiterplatte (nicht gezeigt) zusammen mit der
Zeitsteuerung 108 und dem Bereich 112 zum Erzeugen von
Gammaspannungen angeordnet.
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Der
Bereich zum Erzeugen von Treiberspannungen in Form eines einzelnen
Chips benötigt
nur wenig Platz auf der gedruckten Leiterplatte, kann neben der
Zeitsteuerung 108 und dem Bereich 112 zum Erzeugen
von Gammaspannungen angeordnet werden und zusammen mit ihnen bestückt sein.
Zusätzlich
verkürzt
der Bereich 110 zum Erzeugen von Treiberspannungen in Form
eines einzelnen Chips die Länge
der Verdrahtung auf der gedruckten Leiterplatte. Folglich kann die
Anzahl der Schaltungseinheiten auf der gedruckten Leiterplatte verringert
und die Größe der gedruckten
Leiterplatte geringer ausgelegt werden. Das heißt, dass die Größe und/oder
die Dicke der Flüssigkristallanzeige
verringert werden kann.
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2 zeigt
ein Schaltungsdiagramm zum genaueren Erläutern des Bereichs 110 zum
Erzeugen von Treiberspannungen aus 1. Der Bereich 110 zum
Erzeugen von Treiberspannungen aus 2 umfasst
einen DC-DC Umwandlungsbereich 114, dem eine Eingangsspannung
Vin aus einem externen System (z.B. einer Spannungsversorgungseinheit
eines Computersystems oder einer Spannungsversorgungseinheit eines
Fernsehgeräts)
zugeführt
wird, einen Bereich 118 zum Erzeugen niedrigerer Gatespannungen,
einen Pegelwandler 120, einen Bereich 123 zum
Erzeugen hoher Gatespannungen und einen Bereich 125 zum
Erzeugen einer gemeinsamen Spannung, dem gewöhnlich eine erste Versorgungsspannung
Vdd aus dem DC-DC Umwandlungsbereich 114 zuführt wird.
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Der
DC-DC Umwandlungsbereich 114 erzeugt eine erste Versorgungsspannung
Vdd mit einem hohen Potenzial und eine zweite Versorgungsspannung
Vss mit einem niedrigen Potenzial, wobei ihm eine Eingangsspannung
Vin aus einer Spannungsversorgungseinheit eines externen Systems zugeführt wird.
Genauer gesagt erzeugt der DC-DC Umwandlungsbereich 114 eine
erste Versorgungsspannung Vdd mit einem hohen Potenzial und eine zweite
Versorgungsspannung Vss mit einem niedrigen Potenzial, die stabil
die notwendigen Pegel einhalten, wobei er die Eingangsspannung in
eine Wechselspannung umwandelt und dann die Wechselspannung in eine
Gleichspannung zurück
konvertiert. Die erste Versorgungsspannung Vdd mit einem hohen Potenzial
wird zum Treiben einer Schaltungseinheit mit relativ hoher Kapazität wie z.B.
einem MOS Transistor verwendet, während die zweite Versorgungsspannung
Vss mit einem niedrigen Potenzial als eine Bezugsspannung (z.B.
GND) verwendet wird. Die im DC-DC Umwandlungsbereich 114 erzeugte
erste Versorgungsspannung Vdd wird gemäß 1 an den
Datentreiber 106 und an den Bereich 112 zum Erzeugen
von Gammaspannungen angelegt. Die zweite Versorgungsspannung Vss
wird an den Gatetreiber 104, den Datentreiber 106,
die Zeitsteuerung 108 und den Bereich 112 zum
Erzeugen von Gammaspannungen angelegt.
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Der
Pegelwandler 21 erzeugt eine dritte Versorgungsspannung
Vcc durch Heruntersetzen der ersten Versorgungsspannung Vdd aus
dem DC-DC Umwandlungsbereich 114. Die dritte Versorgungsspannung
Vcc hält
konstant einen hohen Potenzialpegel, so dass sie kleiner ist als
die erste Versorgungsspannung Vdd aber höher als die zweite Versorgungsspannung
Vss ist. Die dritte Versorgungsspannung Vcc wird zum Treiben der
logischen Einheiten verwendet, die eine relativ kleine Spannung benötigen. Demzufolge
wird die im Pegelwandler 120 erzeugte dritte Versorgungsspannung
Vcc gemäß 1 an
den Gatetreiber 104, den Datentreiber 106 und
die Zeitsteuerung 108 angelegt.
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Der
Bereich 123 zum Erzeugen hoher Spannungen umfasst einen
Bereich 116 zum Steuern einer hohen Spannung gemäß einem
Steuerungssignal CTL sowie erste und zweite Transistoren T1 und T2,
die gewöhnlich
mit dem Ausgangsanschluss des Bereichs 116 zum Steuern
einer hohen Gatespannung verbunden sind. Die ersten und zweiten
Versorgungsspannungen aus dem DC-DC Umwandlungsbereich 114 werden
auch an den Bereich 116 zum Steuern einer hohen Gatespannung
angelegt. Der Sourceanschluss des ersten Transistors T1 ist an eine
Ausgangsleitung der ersten Versorgungsspannung Vdd des DC-DC Umwandlers 114 angeschlossen
und der Drainanschluss des ersten Transistors T1 führt gemäß 1 zusammen
mit dem Sourceanschluss des zweiten Transistors T2 in den Gatetreiber 104.
Der Drainanschluss des zweiten Transistors T2 ist mit dem die zweite
Versorgungsspannung Vss ausgebenden Ausgangsanschluss des DC-DC
Umwandlers 114 verbunden. Der Bereich 116 zum
Steuern einer hohen Gatespannung wird durch das Steuerungssignal
CTL aus einem externen System oder der Zeitsteuerung 108 eingeschaltet,
um den ersten und zweiten Transistor T1 und T2 zu treiben. Mit dem ersten
und zweiten Transistor T1 und T2 kann die Spannung am Eingangsanschluss
des Gatetreibers 104 durch Schalten der ersten und zweiten
Versorgungsspannung Vdd und Vss positiv vervielfacht werden. Die
positiv vervielfachte Spannung wird an den Gatetreiber 104 aus 1 als
eine hohe Gatespannung VGH angelegt. Der Gatetreiber 104 legt die
hohe Gatespannung VGH gezielt an eine Vielzahl von Gateleitungen
GL der Flüssigkristalltafel 102 an, um
die Vielzahl von Gateleitungen GL gezielt anzusprechen. So wird
der Dünnschichttransistor
TFT der gezielt angesprochenen Gateleitung eingeschaltet.
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Wie
der Bereich 123 zum Erzeugen hoher Gatespannungen wird
der Bereich 118 zum Erzeugen niederer Gatespannungen durch
das Steuersignal CTL aus einem externen System oder der Zeitsteuerung
aus 1 eingeschaltet. Nach dem Einschalten kann der
Bereich 118 zum Erzeugen niederer Gatespannungen die Spannung
am Eingangsanschluss des Gatetreibers 104 durch Schalten
der ersten und zweiten Versorgungsspannung Vdd und Vss aus dem DC-DC
Umwandlungsbereich 114 negativ vervielfachen. Demzufolge
wird eine niedere Gatespannung VGL für den Gatetreiber 104 aus 1 im Bereich 118 zum
Erzeugen niederen Gatespannungen erzeugt. Die niedere Gatespannung
VGL wird gezielt an die Vielzahl von Gateleitungen GL über den
Gatetreiber 104 angelegt, um die Vielzahl der Gateleitungen
GL gezielt abzuschalten. Somit wird der Dünnschichttransistor TFT der
gezielt abgeschalteten Gateleitung GL ausgeschaltet.
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Der
Bereich 125 zum Erzeugen einer allgemeinen Spannung umfasst
einen Spannungsteilerbereich 126, der eine erste und zweite
Versorgungs spannung Vdd und Vss aus dem DC-DC Umwandlungsbereich 114 empfängt und
einen Pufferbereich 122, der mit dem Spannungsteilebereich 126 verbunden
ist. Der Spannungsteilerbereich 126 umfasst zwei Widerstände, die
in Reihe zwischen den Ausgangsleitungen der ersten und zweiten Versorgungsspannung
Vdd und Vss des DC-DC Umwandlungsbereichs 114 geschaltet
sind. Die zwei Widerstände teilen
die Differenzspannung zwischen der ersten und zweiten Versorgungsspannung
Vdd und Vss und legen die geteilte Spannung an den Pufferbereich
an. Die geteilte Spannung aus dem Spannungsteilerbereich 126 wird
an einen nicht invertierenden Eingangsanschluss (+) angelegt und
eine Referenzspannung Vref wird an einen invertierenden Eingangsanschluss
(–) des
Pufferbereichs 122 angelegt. Der Pufferbereich 122 puffert
die geteilte Spannung aus dem Spannungsteilerbereich 126 und
legt sie an die allgemeine Elektrode der Flüssigkristalltafel 102 aus 1 als
eine allgemeine Spannung Vcom an.
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Der
DC-DC Umwandlungsbereich 114, der Pegelwandler 120,
der Bereich 118 zum Erzeugen niederer Gatespannungen und
der Bereich 123 zum Erzeugen hoher Gatespannungen sind
auf einem einzelnen Chip ausgebildet. Mit anderen Worten ist der
Bereich 110 zum Erzeugen von Treiberspannungen aus einem
einzelnen Chips hergestellt und erzeugt die hohe und niedere Gatespannung
VGH und VGL, die gemeinsame Spannung Vcom und die erste bis dritte
Versorgungsspannung Vdd, Vss und Vcc. Der Bereich 110 zum
Erzeugen von Treiberspannungen in Form eines einzelnen Chips benötigt nur
wenig Platz auf der gedruckten Leiterplatte und kann neben der Zeitsteuerung 108 und
dem Bereich 112 zum Erzeugen von Gammaspannungen zusammen
mit diesen bestückt
sein. Zusätzlich
verkürzt
der Bereich 110 zum Erzeugen von Treiberspannungen in Form eines
einzelnen Chips die Verdrahtungslänge auf der gedruckten Leiterplatte.
Demzufolge kann die Anzahl der Schaltungseinheiten auf der gedruckten
Leiterplatte verringert werden und die gedruckte Leiterplatte wird
kleiner. Daher reduziert sich die Größe und/oder die Dicke der Flüssigkristallanzeige.
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3 zeigt
ein Blockdiagramm zum Erläutern
einer Flüssigkristallanzeige
gemäß einer
weiteren bevorzugten Ausführung
der Erfindung. Die Flüssigkristallanzeige
aus 3 weist den selben Aufbau wie die Flüssigkristallanzeige
aus 1 auf, mit der Ausnahme dass ein Bereich 200 zum
Erzeugen von Treiberspannungen zusammen mit einem Bereich 112 zum
Erzeugen von Gammaspannungen aufgebaut ist, und dass ein Datentreiber 106 seine
Gammaspannungen aus dem Bereich 112 zum Erzeugen von Gammaspannungen
innerhalb des Bereichs 200 zum Erzeugen von Treiberspannungen
erhält.
Die gleichnamigen Elemente aus 3 mit derselben Funktion
und Wirkung wie aus 1 werden mit denselben Bezugszeichen
versehen und auf ihre genaue Beschreibung wird verzichtet.
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Wie
der Bereich 110 zum Erzeugen von Treiberspannungen aus 1,
so erzeugt auch der Bereich 200 zum Erzeugen von Treiberspannungen,
in dem der Bereich 112 zum Erzeugen von Gammaspannungen
eingebettet ist, hohe und niedere Gatespannungen VGH und VGL, erste
bis dritte Versorgungsspannungen Vdd, Vss und Vcc, und eine gemeinsame
Spannung Vcom. Zusätzlich
gibt der Bereich 200 zum Erzeugen von Treiberspannungen Gammaspannungen
aus dem darin eingebetteten Bereich 112 zum Erzeugen von
Gammaspannungen an den Datentreiber 106 aus.
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Wie
oben erwähnt,
umfasst der Bereich 200 zum Erzeugen von Treiberspannungen
zusätzlich
zu den Schaltungen zum Erzeugen hoher und niederer Gatespannungen
VGH und VGL, der gemeinsamen Spannung Vcom und erster bis dritter
Versorgungsspannungen Vdd, Vss und Vcc eine Schaltung zum Erzeugen
von Gammaspannungen. Ferner ist der Bereich 200 zum Erzeugen
von Treiberspannungen in Form eines einzelnen Chips hergestellt.
Die gedruckte Leiterplatte ist mit dem Bereich 200 zum
Erzeugen von Treiberspannungen in Form eines einzelnen Chips zusammen
mit der Zeitsteuerung 108 bestückt.
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Der
Bereich 200 zum Erzeugen von Treiberspannungen in Form
eines einzelnen Chips benötigt wenig
Platz und kann benachbart zu der Zeitsteuerung 108, die
zusammen mit ihm bestückt
ist, angeordnet werden. Zusätzlich
verkürzt
der Bereich 200 zum Erzeugen von Treiberspannungen in Form
eines einzelnen Chips die Verdrahtungslänge auf der gedruckten Leiterplatte.
Demzufolge kann die Anzahl der Schaltungseinheiten auf der gedruckten
Leiterplatte weiter verkleinert werden und die gedruckte Leiterplatte
wird noch kleiner. Folglich kann die Größe und/oder die Dicke der Flüssigkristallanzeige
weiter reduziert werden.
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4 ist
ein Schaltungsdiagramm zum genaueren Erläutern des Bereichs 200 zum
Erzeugen von Treiberspannungen aus 3. Der Bereich
zum Erzeugen von Treiberspannungen aus 4 weist dieselbe
Konstruktion wie der Bereich 110 zum Erzeugen von Treiberspannungen
aus 2 auf, mit der Ausnahme, dass der Bereich 200 zum
Erzeugen von Treiberspannungen ferner den Bereich 112 zum Erzeugen
von Gammaspannungen umfasst. Die gleichnamigen Elemente aus 4 mit
derselben Funktion und Wirkung, wie die Elemente aus 2 werden
mit denselben Bezugszeichen versehen und auf ihre genaue Beschreibung
wird verzichtet.
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An
den Bereich 112 zur Erzeugung von Gammaspannungen, der
im Bereich 200 zum Erzeugen von Treiberspannungen aus 4 enthalten
ist, ist die erste und zweite Versorgungsspannung Vdd und Vss aus
dem DC-DC Umwandlungsbereich 114 angelegt. Der Bereich 112 zum
Erzeugen von Gammaspannungen erzeugt unter Verwendung die ersten und
zweiten Versorgungsspannung Vdd und Vss eine Vielzahl von Gammaspannungen
verschiedener Pegel. Dafür
umfasst der Bereich 112 zum Erzeugen von Gammaspannungen
einen Spannungsteiler aus (nicht gezeigten) Widerständen, der
in Reihe zu den Ausgangsleitungen der ersten und zweiten Versorgungsspannung
Vdd und Vss aus dem DC-DC Umwandlungsbereich 114 liegt.
Die durch den Spannungsteiler geteilten Spannungen werden an den Datentreiber 106 als
Gammaspannungen GMA angelegt.
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Wie
oben erwähnt
umfasst der Bereich 200 zum Erzeugen von Treiberspannungen
zusätzlich
zu den Schaltungen zum Erzeugen von hohen und niederen Gatespannungen
VGH und VGL, von der gemeinsamen Spannung Vcom und von ersten bis
dritten Versorgungsspannungen Vdd, Vss und Vcc auch eine Schaltung
zum Erzeugen von Gammaspannungen. Ferner ist der Bereich 200 zum
Erzeugen von Treiberspannungen in Form eines einzelnen Chips hergestellt.
Der Bereich 200 zum Erzeugen von Treiberspannungen in Form
eines einzelnen Chips ist auf der gedruckten Leiterplatte zusammen
mit der Zeitsteuerung 108 bestückt.
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Der
Bereich 200 zum Erzeugen von Treiberspannungen in Form
eines einzelnen Chips benötigt wenig
Platz auf der gedruckten Leiterplatte und kann benachbart zur Zeitsteuerung 108 bestückt werden. Zusätzlich verkürzt der
Bereich 200 zum Erzeugen von Treiberspannungen in Form
eines einzelnen Chips die Verdrahtungslänge auf der gedruckten Leiterplatte.
Folglich kann die Anzahl der Schaltungseinheiten auf der gedruckten
Leiterplatte weiter verringert werden und die gedruckte Leiterplatte
wird kleiner. Das heißt,
dass die Größe und/oder
die Dicke der Flüssigkristallanzeige
weiter reduziert werden kann.
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Wie
oben erwähnt,
können
die Treiberspannungen in der erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeige, die für die Flüssigkristalltafel
und ihre Treiberschaltungen benötigt
werden in einem einstückigem IC-Chip
zum Erzeugen von Treiberspannungen erzeugt werden. Der Bereich zum
Erzeugen von Treiberspannungen in Form eines einzelnen Chips benötigt wenig
Platz auf der gedruckten Leiterplatte und kann benachbart zur Zeitsteuerung
bestückt
werden. Zusätzlich
verkürzt
der Bereich zum Erzeugen von Treiberspannungen in Form eines einzelnen
Chips die Länge
der Verdrahtung auf der gedruckten Leiterplatte. Demzufolge kann
die Zahl der Schaltungseinheiten auf der ge druckten Leiterplatte
weiter verringert werden und die gedruckte Leiterplatte wird kleiner.
Folglich wird die Größe und/oder
die Dicke der Flüssigkristallanzeige
weiter reduziert.
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Obwohl
die bevorzugten Ausführungsformen der
vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die 1-4 beschrieben
wurden, werden dem Fachmann an diesen Ausführungsformen Änderungen
offensichtlich sein, ohne vom Prinzip und Grundgedanken der Erfindung
abzuweichen. Daher ist der technische Umfang und Charakter der vorliegenden Erfindung
nicht auf die Beschreibung und die bevorzugten Ausführungsformen
beschränkt
sondern wird durch die Ansprüche
und ihren Schutzbereich bestimmt.