JP3578377B2 - 液晶表示装置およびドレインドライバ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、パーソナルコンピュータ、ワークステーション等に用いられる液晶表示装置に係わり、特に、多階調表示が可能な液晶表示装置の映像信号線駆動回路(ドレインドライバ)に適用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
画素毎に能動素子(例えば、薄膜トランジスタ)を有し、この能動素子をスイッチング駆動するアクティブマトリクス型液晶表示装置は、ノート型パソコン等の表示装置として広く使用されている。このアクティブマトリクス型液晶表示装置は、能動素子を介して画素電極に映像信号電圧(階調電圧)を印加するため、各画素間のクロストークがなく、単純マトリックス形液晶表示装置のようにクロストークを防止するための特殊な駆動方法を用いる必要がなく、多階調表示が可能である。
【0003】
このアクティブマトリクス型液晶表示装置の1つに、TFT(Thin Film Transister)方式の液晶表示パネル(TFT−LCD)と、液晶表示パネルの上側に配置されるドレインドライバと、液晶表示パネルの側面に配置されるゲートドライバおよびインタフェース部とを備えるTFT方式の液晶表示モジュールが知られている。
【0004】
このTFT方式の液晶表示モジュールおいては、多階調表示を可能にするため、ドレインドライバ内に多階調電圧生成回路を備えている。なお、このような技術は、例えば、特願平7−289546号に記載されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
前記ドレインドライバ内の多階調電圧生成回路は、電源回路から供給される複数の階調基準電圧間を分圧する抵抗分圧回路で構成される。この場合に、図19に示すように、一般に液晶層に印加する電圧と透過率との関係はリニアではなく、透過率の高いところ、および低いところでは、液晶層に印加する電圧に対する透過率の変化は少なく、その中間となるところでは透過率の変化が大きい。
【0006】
そのため、前記ドレインドライバ内の多階調電圧生成回路を構成する抵抗分圧回路の各分圧抵抗の抵抗値は同一ではなく、液晶層に印加する電圧と透過率との関係に合わせて所定の重み付けが成されている。
【0007】
また、近年、液晶表示装置においては、64階調表示から256階調表示へとより多階調表示が進みつつある。
【0008】
そして、このような多階調の表示画像を液晶表示パネルにリニアに表示するためには、この多階調電圧生成回路を構成する抵抗分圧回路の各分圧抵抗の抵抗値を精細に調整することが要望されている。しかしながら、従来の多階調電圧生成回路においては、抵抗分圧回路の各分圧抵抗の抵抗値を精細に調整することが困難であった。
【0009】
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、液晶表示装置において、階調電圧生成手段で生成される多階調電圧をよりきめ細かく調整することが可能となる技術を提供することにある。
【0010】
本発明の前記目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【0012】
マトリクス状に配置された複数の画素と、階調電圧生成手段を有し当該階調電圧生成手段で生成された多階調の階調電圧の中の任意の階調電圧を映像信号電圧として前記各画素に印加する駆動手段とを具備する液晶表示装置において、前記階調電圧生成手段は、複数の階調基準電圧間を分圧して多階調の階調電圧を生成する抵抗分圧回路を有し、前記抵抗分圧回路は、直列接続された複数個の基準抵抗からなる複数の基準抵抗列を有し、前記抵抗分圧回路の分圧抵抗は、第1列の基準抵抗列の前記基準抵抗の各接続点の1つと、前記第1列の基準抵抗列と隣り合う第2列の基準抵抗列の前記基準抵抗の各接続点の1つとを接続して形成された合成抵抗であることを特徴とする。
【0013】
また、前記駆動手段は半導体集積回路で構成され、前記半導体集積回路は、前記多階調の階調電圧が出力される複数の階調電圧配線と、前記複数の階調電圧配線と同一方向に延在して設けられる前記複数の基準抵抗を構成する複数の抵抗配線と、前記各階調電圧配線と前記各抵抗配線とを絶縁する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に設けられ、前記各階調電圧配線と前記各抵抗配線とを接続するスルーホールとを有し、前記スルーホールの数および設置位置を適宜に選択して、前記分圧抵抗の抵抗値を所定の値に調整することを特徴とする。
【0014】
さらに、前記各分圧抵抗の抵抗値は、液晶層に印加する電圧と透過率との関係に合わせて所定の重み付けがなされていることを特徴とする。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明実施の形態を図面を参照して説明する。
【0016】
なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【0017】
図1は、本発明の実施の形態1のTFT方式の液晶表示モジュールの概略構成を示すブロック図である。
【0018】
本実施の形態の液晶表示モジュール(LCM)は、液晶表示パネル(TFT−LCD)10の上側にドレインドライバ130が配置され、また、液晶表示パネル10の側面に、ゲートドライバ140、インタフェース部100が配置される。
【0019】
インタフェース部100はインタフェース基板に実装され、また、ドレインドライバ130、ゲートドライバ140も、それぞれ専用のプリント基板に実装される。
【0020】
図2は、図1に示す液晶表示パネル10の一例の等価回路を示す図である。
【0021】
なお、図2は回路図であるが、実際の幾何学的配置に対応して描かれており、同図に示すように、液晶表示パネル10は、マトリクス状に形成される複数の画素を有する。
【0022】
各画素は、隣接する2本の信号線(ドレイン信号線(D)またはゲート信号線(G))と、隣接する2本の信号線(ゲート信号線(G)またはドレイン信号線(D))との交差領域内に配置される。
【0023】
各画素は薄膜トランジスタ(TFT1,TFT2)を有し、各画素の薄膜トランジスタ(TFT1,TFT2)のソース電極は、画素電極(ITO1)に接続され、画素電極(ITO1)とコモン電極(ITO2)との間に液晶層(LC)が設けられるので、薄膜トランジスタ(TFT1,TFT2)のソース電極とコモン電極(ITO2)との間には、液晶容量(CLC)が等価的に接続される。
【0024】
また、薄膜トランジスタ(TFT1,TFT2)のソース電極と前段のゲート信号線(G)との間には、付加容量(CADD )が接続される。
【0025】
図3は、図1に示す液晶表示パネル10の他の例の等価回路を示す図である。
【0026】
図2に示す例では、全段のゲート信号線(G)とソース電極との間に付加容量(CADD )が形成されているが、図3に示す例の等価回路では、共通信号線(COM)とソース電極との間に保持容量(CSTG)が形成されている点が異なっている。
【0027】
本発明は、どちらにも適用可能であるが、前者の方式では、全段のゲート信号線(G)パルスが付加容量(CADD )を介して画素電極(ITO1)に飛び込むのに対し、後者の方式では、飛び込みがないため、より良好な表示が可能となる。なお、図2および図3において、ARは表示領域である。
【0028】
図2あるいは図3に示す液晶表示パネル10において、列方向に配置された各画素の薄膜トランジスタ(TFT1,TFT2)のドレイン電極は、それぞれドレイン信号線(D)に接続され、各ドレイン信号線(D)は、列方向に配置された画素の液晶に映像信号電圧(表示データ電圧)を印加するドレインドライバ130に接続される。
【0029】
また、行方向に配置された各画素における薄膜トランジスタ(TFT1,TFT2)のゲート電極は、それぞれゲート信号線(G)に接続され、各ゲート信号線(G)は、1水平走査時間、薄膜トランジスタ(TFT1,TFT2)のゲートに走査駆動電圧(正のバイアス電圧あるいは負のバイアス電圧)を供給するゲートドライバ140に接続される。ここで、図1に示す液晶表示パネル10は、640×3×480画素から構成される。
【0030】
図1に示すインタフェース部100は、表示制御装置110と電源回路120とから構成される。
【0031】
表示制御装置110は、1個の半導体集積回路(LSI)から構成され、コンピュータ本体側から送信されてくるクロック信号、ディスプレイタイミング信号、水平同期信号、垂直同期信号の各表示制御信号および表示用データ(R・G・B)を基に、ドレインドライバ130、および、ゲートドライバ140を制御・駆動する。
【0032】
表示制御装置110は、ディスプレイタイミング信号が入力されると、これを表示開始位置と判断し、受け取った単純1列の表示データを、表示データのバスライン133を介してドレインドライバ130に出力する。
【0033】
その際、表示制御装置110は、ドレインドライバ130のデータラッチ回路に表示データをラッチするための表示制御信号である表示データラッチ用クロック(D2)を信号線131を介して出力する。
【0034】
この場合に、本体コンピュータ側からの表示データは、1画素単位、即ち、赤(R)、緑(G)、青(B)の各データを1つの組にして単位時間毎に転送する。ここで、表示データは、各色毎6ビットの18ビットで構成されている。
【0035】
また、表示制御装置110は、ディスプレイタイミング信号の入力が終了するか、または、ディスプレイタイミング信号が入力されてから所定の一定時間が過ぎると、1水平分の表示データが終了したものとして、ドレインドライバ130のラッチ回路に蓄えていた表示データを液晶表示パネル10のドレイン信号線(D)に出力するための表示制御信号である出力タイミング制御用クロック(D1)を信号線132を介してドレインドライバ130に出力する。
【0036】
また、表示制御装置110は、垂直同期信号入力後に、第1番目のディスプレイタイミング信号が入力されると、これを第1番目の表示ラインと判断して信号線142を介してゲートドライバ140にフレーム開始指示信号を出力する。
【0037】
さらに、表示制御装置110は、水平同期信号に基づいて、1水平走査時間毎に、順次液晶表示パネル10の各ゲート信号線(G)に正のバイアス電圧を印加するように、信号線141を介してゲートドライバ140へ1水平走査時間周期のシフトクロックであるクロック(G1)を出力する。
【0038】
これにより、液晶表示パネル10の各ゲート信号線(G)に接続された複数の薄膜トランジスタ(TFT1,TFT2)が、1水平走査時間の間導通する。以上の動作により、液晶表示パネル10に画像が表示される。
【0039】
図1に示す電源回路120は、正電圧生成回路121、負電圧生成回路122、コモン電極(対向電極)電圧生成回路123、ゲート電極電圧生成回路124から構成される。
【0040】
正電圧生成回路121、負電圧生成回路122は、それぞれ直列抵抗分圧回路で構成され、正極性の5値の階調基準電圧(V0〜V4)を、負電圧生成回路122は負極性の5値の階調基準電圧(V5〜V9)を出力する。この正極性の階調基準電圧(V0〜V4)、および負極性の階調基準電圧(V5〜V9)は、各ドレインドライバ130に供給される。また、各ドレインドライバ130には、表示制御装置110からの交流化信号(交流化タイミング信号;M)も、信号線135を介して供給される。
【0041】
コモン電極電圧生成回路123はコモン電極(ITO2)に印加する駆動電圧を、ゲート電極電圧生成回路124は薄膜トランジスタ(TFT1,TFT2)のゲートに印加する駆動電圧(正のバイアス電圧および負のバイアス電圧)を生成する。
【0042】
一般に、液晶層(LC)は、長時間同じ電圧(直流電圧)が印加されていると、液晶層(LC)の傾きが固定化され、結果として残像現象を引き起こし、液晶層(LC)の寿命を縮めることになる。
【0043】
これを防止するために、従来の液晶表示装置においては、液晶層(LC)に印加する液晶駆動電圧をある一定時間毎に交流化、即ち、コモン電極(ITO2)の液晶駆動電圧を基準にして、画素電極(ITO1)に印加される液晶駆動電圧を、一定時間毎に正電圧側/負電圧側に変化させるようにしている。
【0044】
この液晶層(LC)に交流電圧を印加する駆動方法として、コモン対称法とコモン反転法の2通りの方法が知られている。コモン反転法とは、コモン電極(ITO2)と画素電極(ITO1)に印加される電圧を共に交互に反転させる方法であり、また、コモン対称法とは、コモン電極(ITO2)に印加される電圧を一定とし、画素電極(ITO1)に印加する電圧を、コモン電極(ITO2)に印加される電圧を基準にして、交互に正、負に反転させる方法である。
【0045】
このコモン対称法は、画素電極(ITO1)に印加される電圧の振幅が、コモン反転法の場合に比べ2倍となり、低電圧のドライバが使用できないと言う欠点があるが、低消費電力と表示品質の点で優れているドット反転法あるいはVライン反転法が使用可能である。本実施の形態の液晶表示モジュールでは、その駆動方法として、前記ドット反転法を使用している。
【0046】
図4は、図1に示すドレインドライバ130からドレイン信号線(D)に出力される液晶駆動電圧、即ち、画素電極(ITO1)に印加される液晶駆動電圧と、コモン電極(ITO2)に印加される液晶駆動電圧との関係を示す図である。
【0047】
なお、図4では、ドレインドライバ130からドレイン信号線(D)に出力される液晶駆動電圧は、液晶表示パネル10の表示面に黒を表示する場合の液晶駆動電圧を示している。
【0048】
図4に示すように、ドレインドライバ130から奇数番目のドレイン信号線(D)に出力される液晶駆動電圧(VDH)と、ドレインドライバ130から出力される偶数番目のドレイン信号線(D)に出力される液晶駆動電圧(VDL)とは、コモン電極(ITO2)に印加される液晶駆動電圧(VCOM)に対して逆極性、即ち、奇数番目のドレイン信号線(D)に出力される液晶駆動電圧(VDH)が正極性(または負極性)であれば、偶数番目のドレイン信号線(D)に出力される液晶駆動電圧(VDL)は負極性(または正極性)である。
【0049】
そして、その極性は1ライン毎に反転され、さらに、各ライン毎の極性が、フレーム毎に反転される。
【0050】
このドット反転法を使用することにより、隣り合うドレイン信号線(D)に印加される電圧が逆極性となるため、コモン電極(ITO2)やゲート電極(G)に流れる電流が隣同志で打ち消し合い、消費電力を低減することができる。
【0051】
また、コモン電極(ITO2)に流れる電流が少なく電圧降下が大きくならないため、コモン電極(ITO2)の電圧レベルが安定し、表示品質の低下を最小限に抑えることができる。
【0052】
図5は、図1に示すドレインドライバ130の一例の概略構成示すブロック図である。なお、ドレインドライバ130は、1個の半導体集積回路(LSI)から構成される。
【0053】
同図において、正極性階調電圧生成回路151aは、正電圧生成回路121から入力される正極性の5値の階調基準電圧(V0〜V4)に基づいて、正極性の64階調分の階調電圧を生成し、電圧バスライン158aを介して出力回路157に出力する。負極性階調電圧生成回路151bは、負電圧生成回路122から入力される負極性の5値の階調基準電圧(V5〜V9)に基づいて、負極性の64階調分の階調電圧を生成し、電圧バスライン158bを介して出力回路157に出力する。
【0054】
また、ドレインドライバ130の制御回路152内のシフトレジスタ回路153は、表示制御装置110から入力される表示データラッチ用クロック(D2)に基づいて、入力レジスタ回路154のデータ取り込み用信号を生成し、入力レジスタ回路154に出力する。
【0055】
入力レジスタ回路154は、シフトレジスタ回路153から出力されるデータ取り込み用信号に基づき、表示制御装置110から入力される表示データラッチ用クロック(D2)に同期して、各色毎6ビットの表示データを出力本数分だけラッチする。
【0056】
ストレージレジスタ回路155は、表示制御装置110から入力される出力タイミング制御用クロック(D1)に応じて、入力レジスタ回路154内の表示データをラッチする。このストレージレジスタ回路155に取り込まれた表示データは、レベルシフト回路156を介して出力回路157に入力される。
【0057】
出力回路157は、正極性の64階調分の階調電圧、あるいは負極性の64階調分の階調電圧の中から、表示データに対応した1つの階調電圧を選択し、各ドレイン信号線(D)に出力する。
【0058】
図6は、出力回路157の構成を中心に、図5に示すドレインドライバ130の構成を説明するためのブロック図である。
【0059】
同図において、153は図5に示す制御回路152内のシフトレジスタ回路、156は図5に示すレベルシフト回路であり、また、データラッチ部265は、図5に示す入力レジスタ回路154とストレージレジスタ回路155とを表し、さらに、デコーダ部261、アンプ回路対263、アンプ回路対263の出力を切り替えるスイッチ部(2)264が、図5に示す出力回路157を構成する。
【0060】
ここで、スイッチ部(1)262およびスイッチ部(2)264は、交流化信号(M)に基づいて制御される。また、Y1,Y2,Y3,Y4,Y5,Y6は、それぞれ第1番目、第2番目、第3番目、第4番目、第5番目、第6番目のドレイン信号線(D)を示している。
【0061】
図6に示すドインドライバ130においては、スイッチ部(1)262により、データラッチ部265(より詳しくは、図5に示す入力レジスタ154)に入力されるデータ取り込み用信号を切り替えて、各色毎の表示データを各色毎の隣接するデータラッチ部265に入力する。
【0062】
デコーダ部261は、階調電圧生成回路151aから電圧バスライン158aを介して出力される正極性の64階調分の階調電圧の中から、各データラッチ部265(より詳しくは、図5に示すストレージレジスタ155)から出力される表示用データに対応する階調電圧を選択する高電圧用デコーダ回路278と、階調電圧生成回路151bから電圧バスライン158bを介して出力される負極性の64階調分の階調電圧の中から、各データラッチ部265から出力される表示用データに対応する階調電圧を選択する低電圧用デコーダ回路279とから構成される。この高電圧用デコーダ回路278と低電圧用デコーダ回路279とは、隣接するデータラッチ部265毎に設けられる。
【0063】
アンプ回路対263は、高電圧用アンプ回路271と低電圧用アンプ回路272とにより構成される。高電圧用アンプ回路271には高電圧用デコーダ回路278で選択された正極性の階調電圧が入力され、高電圧用アンプ回路271は正極性の液晶駆動電圧を出力する。低電圧用アンプ回路272には低電圧用デコーダ回路279で選択された負極性の階調電圧が入力され、低電圧用アンプ回路272は負極性の液晶駆動電圧を出力する。
【0064】
ドット反転法では、隣接する各色の映像信号電圧は互いに逆極性となり、また、アンプ回路対263の高電圧用アンプ回路271および低電圧用アンプ回路272の並びは、高電圧用アンプ回路271→低電圧用アンプ回路272→高電圧用アンプ回路271→低電圧用アンプ回路272となるので、スイッチ部(1)262により、データラッチ部165に入力されるデータ取り込み用信号を切り替えて、各色毎の表示データを、各色毎の隣接するデータラッチ部265に入力し、それに合わせて、高電圧用アンプ回路271あるいは低電圧用アンプ回路272から出力される出力電圧を、スイッチ部(2)264により切り替え、各色毎の映像信号電圧が出力されるドレイン信号線(D)、例えば、第1番目のドレイン信号線Y1と第4番目のドレイン信号線Y4とに出力することにより、各ドレイン信号線(D)に正極性あるいは負極性の映像信号電圧を出力することが可能となる。
【0065】
図19に示すように、液晶層に印加する電圧と透過率との関係はリニアではなく、透過率の高いところ、および低いところでは、液晶層に印加する電圧に対する透過率の変化は少なく、その中間となるところでは透過率の変化が大きい。
【0066】
そのため、従来の階調電圧生成回路では、64階調の表示画像をリニアに表示するために、電源回路から供給される、中間調付近(V2〜V6)では差が小さく、それ以外の(V0〜V2、V6〜V8)で差が大きい9値の階調基準電圧(V0〜V8)間を分圧して64階調の階調電圧を生成し、64階調の表示画像を略リニアに表示するようにしている。
【0067】
図7は、従来の階調電圧生成回路の回路構成を示す回路図であり、同図(a)に示すR1〜R8の抵抗は、各階調基準電圧間に接続される抵抗分圧回路の合成抵抗を示し、同図(b)は、各階調基準電圧間に接続される抵抗分圧回路を示している。なお、同図(b)では、簡略化のため、V8の階調基準電圧とV7の階調基準電圧との間を8分割するR81〜R88の抵抗分圧回路と、V1の階調基準電圧とV0の階調基準電圧との間を7分割するR11〜R17の抵抗分圧回路とを図示しており、他の部分は省略してある。
【0068】
この場合に、各階調基準電圧間に接続される抵抗分圧回路の合成抵抗(R1〜R8)の抵抗値は、階調電圧生成回路を構成する抵抗分圧回路に流れる電流が略一定となるように設定される。さらに、各階調基準電圧間に接続される抵抗分圧回路の各分圧抵抗の抵抗値は、液晶層に印加する電圧と透過率との関係に合わせて所定の重み付け、例えば、図8(a)に示すような重み付けを行っている。
【0069】
なお、図8(a)では、重み付けの値を()付きの数字で表し、また、重み付けの値は説明しやすい値を選択している。また、Va〜Viは階調電圧を示している。
【0070】
図8(a)ではRc、Rd、Re、Rfの抵抗値を1.0とした場合、Rb、Rgの抵抗値は1.2(Rc、Rd、Re、Rfの抵抗値の1.2倍)、Ra、Rhの抵抗値は2(Rc、Rd、Re、Rfの抵抗値の2倍)となるように重み付けを行っている。
【0071】
この場合に、図8(b)に示すように、従来の抵抗分圧回路では、同一の抵抗値の抵抗Rを並列に接続したものを使用し、即ち、Rc〜Rfの抵抗として抵抗Rを6本並列に接続(全体の抵抗値はR/6)したものを使用し、また、Rb、Rgの抵抗として抵抗Rを5本並列に接続(全体の抵抗値はR/5)したものを使用し、さらに、Ra、Rhの抵抗として抵抗Rを3本並列に接続(全体の抵抗値をR/3)したものを使用する。
【0072】
これにより、Rb、Rgの抵抗を、Rc〜Rfの抵抗の1.2(=6/5)倍の抵抗値に、また、Ra、Rhの抵抗を、Rc〜Rfの抵抗の2(=6/3)倍の抵抗としている。
【0073】
図9は、半導体チップ内での、従来の階調電圧生成回路のレイアウトを示す図である。従来の階調電圧生成回路は、アルミニウム等で階調配線層19を形成し、その下に層間絶縁膜を介して、拡散抵抗膜等により形成され、前記階調配線層19に直交する抵抗配線層20を設け、この階調配線層19と抵抗配線層20とをスルーホール21で接続して、前記した並列抵抗回路を構成する。
【0074】
しかしながら、この従来の抵抗分割回路では、基準となる抵抗値(図8(a)に示すRc〜Rfの抵抗の抵抗値)がR/m、重み付けされる抵抗値(図8(a)に示すRa,Rb,Rg,Rhの抵抗の抵抗値)がR/nとなり、重み付けの値はm/nとなる。
【0075】
そして、近年、液晶表示パネル10に、よりリニアに64階調の表示画像を表示できることが要望されているが、この場合には、この階調電圧生成回路を構成する抵抗分圧回路の各分圧抵抗を、液晶層に印加する電圧と透過率との関係に合わせて、よりきめ細かな重み付けを行う必要がある。
【0076】
ところが、従来の階調電圧生成回路では、階調電圧生成回路を構成する抵抗分圧回路の各抵抗値を、よりきめ細かく重み付けを行う場合には、mの値が大きくしなければならず、そのため、並列に接続される抵抗の数が多くなるという問題点があり、その重み付けが限定されていた。
【0077】
図10は、本実施の形態の正極性階調電圧生成回路151a、あるいは負極性階調電圧生成回路151bを構成する分圧抵抗回路の回路構成を示す回路図である。図10では、簡略化のためにVaの階調電圧からVgの階調電圧までの分圧抵抗回路を示している。
【0078】
本実施の形態では、各階調電圧が出力される階調電圧配線層(Va〜Vg)の間に、8個の基準抵抗(R1〜R8)が直列接続される直列抵抗回路(30)が構成される。そして、この直列抵抗回路(30)の両端(図10に示すa,i)、および各基準抵抗(R1〜R8)の接続点(図10に示すb〜h)の少なくも1個を、隣接する一方の階調電圧配線層(Va〜Vg)と接続し、隣接する一方の階調電圧配線層(Va〜Vg)と接続された以外の、直列抵抗回路の両端(図10に示すa,i)、および各基準抵抗(R1〜R8)の接続点(図10に示すb〜h)の少なくも1個を、隣接する他方の階調電圧配線層(Va〜Vg)と接続して、抵抗分圧回路の分圧抵抗を構成する。
【0079】
例えば、図10に示すように、VaとVbとの階調電圧配線層との間には、R1からR8までの基準抵抗が8個直列に接続されて、この分圧回路の抵抗値は8Rとなり、同様に、VbとVcとの階調電圧配線層との間には、R5からR8までの基準抵抗が4個直列に接続されて、この分圧回路の抵抗値は4Rとなり、VcとVdとの階調電圧配線層との間には、R5の基準抵抗が1個接続されて、この分圧回路の抵抗値はRとなる。
【0080】
また、VdとVeとの階調電圧配線層との間には、R4の抵抗1個からなるRの抵抗と、R5からR7までの基準抵抗が3個直列に接続された3Rの抵抗とが並列に接続されて、この分圧回路の抵抗値は0.75Rとなり、VeとVfとの階調電圧配線層との間には、R4の抵抗1個からなるRの抵抗と、R5からR7までの基準抵抗が4個直列に接続された4Rの抵抗とが並列に接続されて、この分圧回路の抵抗値は0.8Rとなり、さらに、VfとVgとの階調電圧配線層との間には、R3の抵抗1個からなるRの抵抗と、R4からR8までの基準抵抗が5個直列に接続された5Rの抵抗とが並列に接続されて、この分圧回路の抵抗値は0.83Rとなる。
【0081】
本実施の形態では、隣接する階調電圧配線層の間の分圧抵抗の抵抗値として、最小R/8から最大8Rまでの抵抗値を取ることが可能となる。また、0.75Rを基準とすると、0.80Rは、0.75Rの1.07倍、0.83Rは、0.75Rの1.11倍となり、各分圧抵抗の抵抗値をよりきめ細かく設定することが可能となる。
【0082】
図11は、半導体チップ内での、本実施の形態の階調電圧生成回路のレイアウトを示す図であり、同図(a)はその平面を示す平面図、同図(b)はスルーホール部分の断面を示す断面図である。なお、図11では、簡略化のためにV04の階調電圧からV08の階調電圧までと、R1からR4の抵抗までのレイアウトの一例を示している。
【0083】
本実施の形態では、アルミニウム等で階調配線層19を形成し、その下に層間絶縁膜22を介して、ポリシリコン、拡散抵抗膜等により形成され、前記階調配線層19と同一方向に延在する抵抗配線層20を設ける。この階調配線層19と抵抗配線層20とをスルーホール21で接続して、各抵抗分圧回路の分圧回路を構成する。この場合に、スルーホール21の数およびその位置の変更は、スルーホール形成用のホトマスクを変更することにより対応可能である。
【0084】
図11に示す例では、V04とV05との階調電圧の間においては、スルーホール21aでV04の階調電圧の階調配線層19に抵抗配線層20が接続され、また、スルーホール21dでV05の階調電圧の階調配線層19に抵抗配線層20が接続される。したがって、スルーホール21aと21dとの間には、抵抗R1,R2,R3が3個直列に接続され、V04とV05との階調電圧の間の分圧抵抗の抵抗値は3Rとなる。
【0085】
V05とV06との階調電圧の間においては、スルーホール21aでV05の階調電圧の階調配線層19に抵抗配線層20が接続され、また、スルーホール21dでV06の階調電圧の階調配線層19に抵抗配線層20が接続される。したがって、スルーホール21aと21dとの間には、抵抗R1,R2,R3が3個直列に接続され、V05とV06との階調電圧の間の分圧抵抗の抵抗値は3Rとなる。
【0086】
V06とV07との階調電圧の間においては、スルーホール21eでV06の階調電圧の階調配線層19に抵抗配線層20が接続され、また、スルーホール21dでV07の階調電圧の階調配線層19に抵抗配線層20が接続される。したがって、スルーホール21dと21eとの間には、抵抗R4が接続され、V06とV07との階調電圧の間の分圧抵抗の抵抗値はRとなる。
【0087】
同様に、V07とV08との階調電圧の間においては、スルーホール21cでV07の階調電圧の階調配線層19に抵抗配線層20が接続され、また、スルーホール21bと21dでV08の階調電圧の階調配線層19に抵抗配線層20が接続される。したがって、スルーホール21cと、スルーホール21bおよび21dとの間には、抵抗R2とR3とが並列に接続され、V07とV08との階調電圧の間の分圧抵抗の抵抗値はR/2となる。なお、図11に示す抵抗値は、簡略化のために分かりやすい値を選択しており、必ずしも実際の製品の抵抗値を意味するものではない。
【0088】
また、本実施の形態の階調電圧生成回路を備えるドレインドライバ130では、その半導体チップの長辺方向(ドレイン信号線(D)と直交する方向)は若干長くなるが、その短辺方向(ドレイン信号線(D)と同一の方向)は短くすることが可能である。そのため、液晶表示モジュール(LCD)の表示領域以外の領域、即ち、額縁部分を小さくすることが可能である。
【0089】
図12は、本実施の形態の正極性階調電圧生成回路151aの回路構成を示す回路図である。同図に示すように、本実施の形態では、外部から供給される5値の階調基準電圧(V0〜V4)のうち、V4とV3の階調基準電圧との間を8分割、また、V3とV2の階調基準電圧との間、およびV2とV1の階調基準電圧との間を24分割、V1とV0の階調基準電圧との間を7分割して、64階調の階調電圧を生成する。
【0090】
従来の階調電圧生成回路では、その抵抗分圧回路の分圧回路の抵抗値をきめ細かく設定できなかったため、図19に示す透過率と電圧との関係を表すグラフを8個の折り線からなる折り線グラフで近似し、その折り線グラフの各折り曲げ点の電圧に相当する9値の階調基準電圧を電源回路から供給し、その9値の階調基準電圧間を所定の分圧比の抵抗分圧回路で分圧するようにしていた。
【0091】
しかしながら、本実施の形態では、階調電圧生成回路を構成する抵抗分圧回路の各分圧抵抗の抵抗値をよりきめ細かく設定することが可能であるため、正電圧生成回路121(または負電圧生成回路122)から入力される階調基準電圧の数を、従来の9値から5値(例えば、図19に示すV0、V1、V3、V6、V8の階調基準電圧)に少なくなくすることができる。
【0092】
図13は、本実施の形態の液晶表示モジュールの組立完成図で、液晶表示パネルの表示面側から見た正面図、前側面図、右側面図、左側面図および後側面図である。図14は、本実施の形態の液晶表示モジュールの組立完成図で、液晶表示パネルの裏面側から見た図である。
【0093】
本実施の形態の液晶表示モジュールは、モールドケース(ML)、シールドケース(SHD)を備える。HLD1,HLD2,HLD3およびHLD4は、モールドケース(ML)、シールドケース(SHD)にそれぞれ設けられる取付穴である。当該液晶表示モジュールは、この4個の取付穴にネジ等を通してノートパソコン等に実装される。バックライトを駆動するためのインバータ回路ユニットは、取付穴(HLD1,HLD2)の間の凹部に配置され、接続コネクタ(LCT)、ランプケーブル(LCP1,LCP2)を介して冷陰極蛍光灯(LP)に駆動電圧を供給する。
【0094】
コンピュータ本体側からの表示データ、表示制御信号および電源は、モジュール裏面に位置するインタフェースコネクタ(CT1)を介して、インタフェース部100に供給される。
【0095】
図15(a)は、図13に示す液晶表示モジュールのI−I線で切断した断面図、図15(b)は、図13に示す液晶表示モジュールのII−II線で切断した断面図、図16(a)は、図13に示す液晶表示モジュールのIII−III線で切断した断面図、図16(b)は、図13に示す液晶表示モジュールのIV−IV線で切断した断面図である。
【0096】
図15、図16において、SHDは液晶表示パネルの周辺および液晶表示パネルの駆動回路を覆うシールドケース(上側ケース)である。MLはバックライトユニットを収納するモールドケース(下側ケース)である。LF1およびLF2は下側ケース(ML)を覆う第1および第2の下側シールドケースである。
【0097】
WSPCはバックライトユニットの周囲を覆う枠スペーサである。SUB1およびSUB2は、液晶表示パネルを構成するガラス基板である。図16においては、ガラス基板(SUB1)は薄膜トランジスタ(TFT1,TFT2)および画素電極(ITO1)が形成されている基板、ガラス基板(SUB2)はカラーフィルタおよびコモン電極(ITO2)が形成される基板である。
【0098】
FUSは封止材であり、BMはガラス基板(SUB2)に形成された遮光膜、POL1はガラス基板(SUB2)に貼付けられる上偏光板、POL2はガラス基板(SUB1)に貼付けられる下偏光板、VINC1はガラス基板(SUB2)に貼付けられる視野拡大フィルム、VINC2はガラス基板(SUB2)に貼付けられる視野拡大フィルムである。
【0099】
本実施の形態では、ガラス基板(SUB1,SUB2)に視野拡大フィルム(VINC1,VINC2)を貼付けることにより、ユーザが見る角度によりコントラストが変化する液晶表示パネル特有の問題である、視野依存性をなくしている。なお、視野拡大フィルム(VINC1,VINC2)は、偏光板(POL1,POL2)の外側に貼り付けてもよいが、視野拡大フィルム(VINC1,VINC2)を偏光板(POL1,POL2)とガラス基板(SUB1,SUB2)の間に設けることにより、視野拡大効果を増大することができる。
【0100】
LPは冷陰極蛍光灯、LSはランプ反射シート、GLBは導光板、RFSは反射シート、SPSはプリズムシートである。PORは偏光反射板であり、液晶表示パネルの輝度を向上させるために設けられている。偏光反射板(POR)は特定の偏光軸の光のみを透過し、それ以外の偏光軸の光は反射する性質を持っている。したがって、偏光反射板(POR)の透過する偏光軸を下偏光板(POL2)の偏光軸と合致させることにより、従来下偏光板(POL2)で吸収されていた光も、偏光反射板(POR)と導光板(GLB)との間で行ったり来たりしている間に、下偏光板(POL2)を透過する偏光光に変化されて偏光反射板(POR)から射出されるので、液晶表示パネルのコントラストを向上させることができる。
【0101】
枠スペーサ(WSPC)は導光板(GLB)の周辺部を押さえ、枠スペーサ(WSPC)のフックをモールドケース(ML)の穴に差し込むことにより、導光板(GLB)をモールドケース(ML)にしっかりと固定し、導光板(GLB)が液晶表示パネルに衝突するのを防いでいる。さらに、拡散シート(SPS)、プリズムシート(PRS)および偏光反射板(POR)も、枠スペーサ(WSPC)により抑えつけられているので、拡散シート(SPS)、プリズムシート(PRS)および偏光反射板(POR)が歪むことなく、バックライトユニットを液晶表示モジュールに実装することができる。
【0102】
GC1は枠スペーサ(WSPC)とガラス基板(SUB1)との間に設けられるゴムクッションである。LPC3は冷陰極蛍光灯(LP)に駆動電圧を供給するランプケーブルであり、実装スペースを取らないようにフラットケーブルからなり枠スペーサ(WSPC)とランプ反射シート(LS)との間に設けられる。このランプケーブル(LPC3)は両面テープによりランプ反射シート(LS)が貼り付けられているので、冷陰極蛍光灯(LP)を交換するときにランプ反射シート(LS)とともに交換することができ、ランプケーブル(LPC3)をランプ反射シート(LS)から外す必要がなく、冷陰極蛍光灯(LP)の交換が容易である。
【0103】
OLはOリングで、冷陰極蛍光灯(LP)とランプ反射シート(LS)との間のクッションの働きをする。Oリング(OL)は冷陰極蛍光灯(LP)の発光輝度が低下しないように透明な合成樹脂材料で構成される。また、Oリング(OL)は冷陰極蛍光灯(LP)から高周波の電流が漏れだすのを防止するため、誘電率の低い絶縁材料で構成される。さらに、Oリング(OL)は冷陰極蛍光灯(LP)が導光板(GLB)と衝突するのを防止するクッションの働きもする。
【0104】
IC1は液晶表示パネル10のドレイン信号線(D)に映像信号電圧を供給するドレインドライバ130を構成する半導体チップであり、ガラス基板(SUB1)上に実装されている。この半導体チップ(IC1)はガラス基板(SUB1)の一方の辺にのみ実装されているので、半導体チップ(IC1)が実装された辺と対向する辺の額縁領域を小さくすることができる。また、冷陰極蛍光灯(LP)およびランプ反射シート(LS)は、ガラス基板(SUB1)の半導体チップ(IC1)が実装された部分の下側に重ねて配置されるので、冷陰極蛍光灯(LP)およびランプ反射シート(LS)を、液晶表示モジュール内にコンパクトに収納することができる。
【0105】
IC2は液晶表示パネル10のゲート信号線(G)に走査駆動電圧を供給するゲートドライバ140を構成する半導体チップであり、ガラス基板(SUB1)上に実装されている。この半導体チップ(IC2)もガラス基板(SUB1)の一方の辺にのみ実装されているので、半導体チップ(IC2)が実装された辺と対向する辺の額縁領域を小さくすることができる。
【0106】
FPC1はゲート信号線側フレキシブルプリント基板で、ガラス基板(SUB1)の外部端子に異方性導電膜により接続され、半導体チップ(IC2)に電源および駆動信号を供給する。FPC2はドレイン信号線側フレキシブルプリント基板で、ガラス基板(SUB1)の外部端子に異方性導電膜により接続され、半導体チップ(IC1)に電源および駆動信号を供給する。フレキシブルプリント基板(FPC1,FPC2)上には抵抗、コンデンサ等のチップ部品(EP)が実装されている。
【0107】
本実施の形態では、液晶表示パネル10の額縁領域を縮小するために、フレキシブルプリント基板(FPC2)はランプ反射シート(LS)を包むように折り曲げられ、フレキシブルプリント基板(FPC2)の一部(b部)はバックライトユニットの裏のモールドケース(ML)と第2のシールドケースとの間に挟まれて固定される。そのため、モールドケース(ML)には、フレキシブルプリント基板(FPC2)上に実装されるチップ部品(EP)のスペーサを確保するための切り抜きが設けられている。
【0108】
フレキシブルプリント基板(FPC2)は、折り曲げを容易とするための薄い厚さの部分(a部)と、多層配線のための厚さの厚い部分(b部)とで構成される。また、本実施の形態では、下側シールドケースを第1の下側シールドケース(LF1)と第2の下側シールドケース(LF2)とで構成し、当該2つの下側シールドケース(LF1,LF2)で液晶表示モジュールの裏面を覆うようにしたので、第2の下側シールドケース(LF2)を取り外せばランプ反射シート(LS)を露出させることができるので、冷陰極蛍光灯(LP)の交換が容易である。
【0109】
PCBは表示制御装置110や電源回路120が搭載されるインタフェース基板で、このインタフェース基板(PCB)も多層のプリント基板で構成される。本実施の形態では、液晶表示パネル10の額縁領域を小さくするために、インタフェース基板(PCB)は、フレキシブルプリント基板(FPC1)の下に重ねて配置され両面テープ(BAT)でガラス基板(SUB1)に接着されている。
【0110】
インタフェース基板(PCB)にはコネクタ(CTR3)とコネクタ(CTR4)が設けられ、コネクタ(CTR4)はフレキシブルプリント基板(FPC2)のコネクタ(CT4)と電気的に接続される。同様に、コネクタ(CTR3)はフレキシブルプリント基板(FPC1)のコネクタ(CT3)と電気的に接続される。
【0111】
図17は、液晶表示パネル10の周辺にフレキシブルプリント配線基板(FPC1)と、折り曲げる前のフレキシブルプリント配線基板(FPC2)を実装した状態を示す図である。また、図18は、図17において、液晶表示パネル10とフレキシブルプリント配線基板(FPC1,FPC2)とが接続されている部分を拡大して示す図である。
【0112】
なお、図17、図18において、TCONは表示制御装置110を構成する半導体チップであり、また、DTMはドレイン端子、GTMはゲート端子である。
【0113】
図15、図16において、SUBは補強板であり、下側シールドケース(LF1)とコネクタ(CT4)との間に配置され、コネクタ(CT4)がコネクタ(CTR4)から外れるのを防止している。SPC4はシールドケース(SHD)と上偏光板(POL1)との間に設けられるスペーサであり、腐食布からなり接着剤によりシールドケース(SHD)に貼り付けられている。
【0114】
本実施の形態では、上偏光板(POL1)と視野拡大フィルム(VINC1)とをガラス基板(SUB2)から引出し、上偏光板(POL1)と視野拡大フィルム(VINC1)とをシールドケース(SHD)で押さえている。この構成により、本実施の形態では額縁領域を小さくしても充分な強度を確保している。
【0115】
DSPCはドレインスペーサであり、シールドケース(SHD)とガラス基板(SUB1)との間に設けられ、シールドケース(SHD)とガラス基板(SUB1)とが衝突するのを防止している。また、ドレインスペーサ(DSPC)は半導体チップ(IC1)を覆うように設けられるので、半導体チップ(IC1)の部分には切り欠き(NOT)が設けられる。これにより、シールドケース(SHD)やドレインスペーサ(DSPC)が半導体チップ(IC1)に衝突することがなくなる。また、ドレインスペーサ(DSPC)は、ガラス基板(SUB1)の外部接続端子上にあるフレキシブルプリント基板(FPC2)も押さえているので、ガラス基板(SUB1)からフレキシブルプリント基板(FPC2)が剥離するのを防止している。FUSは液晶表示パネルの液晶封入口を封止する封止材である。
【0116】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【0117】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【0118】
(1)本発明によれば、各画素に印加される多階調の階調電圧を生成する階調電圧生成回路において、分圧抵抗の抵抗値の最小値と最大値との幅を広く設定することができるので、液晶層の透過率に合わせて、分圧抵抗の抵抗値をよりきめ細かく設定することが可能となる。
【0119】
(2)本発明によれば、液晶表示パネルに表示される多階調の表示画像をよりリニアに表示することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態であるTFT方式の液晶表示モジュールの概略構成を示すブロック図である。
【図2】図1に示す液晶表示パネルの一例の等価回路を示す図である。
【図3】図1に示す液晶表示パネルの他の例の等価回路を示す図である。
【図4】図1に示すドレインドライバからドレイン信号線(D)に出力される液晶駆動電圧、即ち、画素電極(ITO1)に印加される液晶駆動電圧と、コモン電極(ITO2)に印加される液晶駆動電圧との関係を示す図である。
【図5】図1に示すドレインドライバの一例の概略構成示すブロック図である。
【図6】出力回路157の構成を中心に、図5に示すドレインドライバ130の構成を説明するためのブロック図である。
【図7】従来の階調電圧生成回路の回路構成を示す回路図である。
【図8】従来の階調電圧生成回路を構成する抵抗分圧回路の重み付けを説明するための図である。
【図9】半導体チップ内での、従来の階調電圧生成回路のレイアウトを示す図である。
【図10】本実施の形態の正極性階調電圧生成回路、あるいは負極性階調電圧生成回路を構成する分圧抵抗回路の回路構成を示す回路図である。
【図11】半導体チップ内での、本実施の形態の階調電圧生成回路のレイアウトを示す図である。
【図12】本実施の形態の正極性階調電圧生成回路の回路構成を示す回路図である。
【図13】本実施の形態の液晶表示モジュールの組立完成図で、液晶表示パネルの表示面側から見た正面図、前側面図、右側面図、左側面図および後側面図である。
【図14】本実施の形態の液晶表示モジュールの組立完成図で、液晶表示パネルの裏面側から見た図である。
【図15】図13に示すI−I線で切断した断面図、および、II−II線で切断した断面図である。
【図16】図13に示すIII−III線で切断した断面図、および、IV−IV線で切断した断面図である。
【図17】本実施の形態の液晶表示モジュールにおいて、液晶表示パネルの周辺にフレキシブルプリント配線基板(FPC1)と、折り曲げる前のフレキシブルプリント配線基板(FPC2)を実装した状態を示す図である。
【図18】図17において、液晶表示パネルとフレキシブルプリント配線基板(FPC1,FPC2)とが接続されている部分を拡大して示す図である。
【図19】液晶層に印加する電圧と透過率との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
10…液晶表示パネル(TFT−LCD)、19…階調配線層、20…抵抗配線層、21…スルーホール、22…層間絶縁膜、30…直列抵抗回路、100…インタフェース部、110…表示制御装置、120…電源回路、121,122…電圧生成回路、123…コモン電極電圧生成回路、124…ゲート電極電圧生成回路、130…ドレインドライバ、131,132,135,141,142…信号線、133…表示データのバスライン、140…ゲートドライバ、151a,151b…階調電圧生成回路、152…制御回路、153…シフトレジスタ回路、154…入力レジスタ回路、155…ストレージレジスタ回路、156…レベルシフト回路、157…出力回路、158a,158b…電圧バスライン、261…デコーダ部、262,264…スイッチ部、263…アンプ回路対、265…データラッチ部、278,279…デコーダ回路、271…高電圧用アンプ回路、272…低電圧用アンプ回路、LCM…液晶表示モジュール、D…ドレイン信号線(映像信号線または垂直信号線)、G…ゲート信号線(走査信号線または水平信号線)、ITO1…画素電極、ITO2…コモン電極(ITO2)、TFT1,TFT2…薄膜トランジスタ、CSTG…保持容量、Cadd…付加容量、ML…モールドケース、SHD…シールドケース、LCT…接続コネクタ、CT1…インタフェースコネクタ、CT3,CT4,CTR3,CTR4…コネクタ、LCP1,LCP2,LPC3…ランプケーブル、LP…冷陰極蛍光灯、LF1,LF2…下側シールドケースで、WSPC…枠スペーサ、SUB1,SUB2…ガラス基板、FUS…封止材、BM…遮光膜、POL1,POL2…偏光板、VINC1,VINC2…視野拡大フィルム、LS…ランプ反射シート、GLB…導光板、RFS…反射シート、SPS…プリズムシート、POR…偏光反射板、GC1…ゴムクッション、OL…Oリング、IC1,IC2,TCON…半導体チップ、FPC1,FPC2…フレキシブルプリント基板、EP…抵抗、コンデンサ等のチップ部品、PCB…インタフェース基板、BAT…両面テープ、SUB…補強板、SPC4…スペーサ、DSPC…ドレインスペーサ。
Claims (8)
- マトリクス状に配置された複数の画素と、
階調電圧生成手段を有し当該階調電圧生成手段で生成された多階調の階調電圧の中の任意の階調電圧を映像信号電圧として前記各画素に印加する駆動手段とを具備する液晶表示装置であって、
前記階調電圧生成手段は、複数の階調基準電圧間を分圧して多階調の階調電圧を生成する抵抗分圧回路と、前記多階調の階調電圧を出力する複数の階調電圧配線とを有し、
前記抵抗分圧回路は、直列接続された複数個の基準抵抗からなる複数の基準抵抗列を有し、
前記複数の基準抵抗列のそれぞれは、絶縁膜を介して前記複数の階調電圧配線のうちの2本と前記基準抵抗の各接続点において複数箇所で重畳し、
前記抵抗分圧回路の分圧抵抗は、第1列の基準抵抗列における前記階調電圧配線と重畳する前記基準抵抗の各接続点の1つと、前記第1列の基準抵抗列と隣り合う第2列の基準抵抗列における前記階調電圧配線と重畳する前記基準抵抗の各接続点の1つとを接続して形成された合成抵抗であることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記駆動手段は半導体集積回路で構成され、
前記複数の階調電圧配線と、前記複数の基準抵抗列を構成する抵抗配線とは同一方向に延在し、
前記絶縁膜に設けられたスルーホールを介して、前記階調電圧配線と前記抵抗配線とが接続され、
前記スルーホールの数および設置位置を適宜に選択して、前記分圧抵抗の抵抗値を所定の値に調整することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記抵抗配線は、ジグザクパターン状に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。
- 複数の階調基準電圧が入力され、前記入力された複数の階調基準電圧の数よりも多数の階調電圧を生成する階調電圧生成手段と、
前記階調電圧生成手段で生成された前記階調電圧の中の任意の階調電圧をドレイン信号線に印加する駆動手段とを具備する液晶表示装置であって、
前記階調電圧生成手段は、前記複数の階調基準電圧のうちの2つの階調基準電圧間に設けられ、前記階調電圧が出力される複数の階調電圧配線と、
前記複数の階調電圧配線のうちの第1の階調電圧配線と第2の階調電圧配線との間に設けられた第1の直列抵抗回路と、
前記第2の階調電圧配線と第3の階調電圧配線との間に設けられた第2の直列抵抗回路とを有し、
前記第1の直列抵抗回路は、絶縁膜を介して前記第1の階調電圧配線と前記第2の階調電圧配線と複数箇所で重畳し、
前記第2の直列抵抗回路は、絶縁膜を介して前記第2の階調電圧配線と前記第3の階調電圧配線と複数箇所で重畳し、
前記第1の階調電圧配線は、前記第1の直列抵抗回路の接続点の1つに接続され、
前記第2の階調電圧配線は、前記第1の直列抵抗回路の前記接続点とは異なる2つの接続点に接続されるとともに、前記第2の直列抵抗回路の接続点の1つに接続され、
前記第3の階調電圧配線は前記第2の直列抵抗回路の前記接続点とは異なる2つの接続点に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記それぞれの接続点は、前記絶縁膜に形成されたスルーホールを介して、前記それぞれの階調電圧配線と前記それぞれの直列抵抗回路とが接続されていることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置。
- 複数の階調基準電圧が入力され、前記入力された複数の階調基準電圧の数よりも多数の階調電圧を生成する階調電圧生成手段と、
前記階調電圧生成手段で生成された前記階調電圧の中の任意の階調電圧をドレイン信号線に印加する駆動手段とを具備するドレインドライバであって、
前記階調電圧生成手段は、前記複数の階調基準電圧のうちの2つの階調基準電圧間に設けられ、前記階調電圧が出力される複数の階調電圧配線と、
前記複数の階調電圧配線のうちの第1の階調電圧配線と第2の階調電圧配線との間に設けられた第1の直列抵抗回路とを有し、
前記第1の直列抵抗回路は、絶縁膜を介して前記第1の階調電圧配線と前記第2の階調電圧配線と複数箇所で重畳し、
前記第1の直列抵抗回路の接続点の1つが前記第1の階調電圧配線に接続され、前記接続点とは異なる接続点が前記第2の階調電圧配線に接続されていることを特徴とするドレインドライバ。 - 前記第2の階調電圧配線と第3の階調電圧配線との間に第2の直列抵抗回路を有し、
前記第2の直列抵抗回路は、絶縁膜を介して前記第2の階調電圧配線と前記第3の階調電圧配線と複数箇所で重畳し、
前記第2の階調電圧配線と前記第2の直列抵抗回路とは一つの接続点で接続されており、
前記第3の階調電圧配線と前記第2の直列抵抗回路とは、前記接続点とは異なる2つの接続点で接続されていることを特徴とする請求項6に記載のドレインドライバ。 - 前記ドレインドライバは、半導体チップ上に形成されていることを特徴とする請求項6または請求項7に記載のドレインドライバ。
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