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Gebiet der vorliegenden Erfindung
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Im
Allgemeinen betrifft die vorliegende Erfindung die Herstellung integrierter
Schaltungen und betrifft insbesondere moderne Ätzprozesse zum Strukturieren
von im Wesentlichen homogenen Materialien bis zu einer Solltiefe,
etwa moderne Grabenätzprozesse
in der dualen Einlegetechnik, und dergleichen.
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Beschreibung des Stands der
Technik
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In
modernen integrierten Schaltungen haben die minimalen Strukturgrößen, etwa
die Kanallänge von
Feldeffekttransistoren, den Bereich deutlich unter 1 μm erreicht,
wodurch das Leistungsverhalten dieser Schaltungen im Hinblick auf
die Geschwindigkeit und die Leistungsaufnahme ständig verbessert wird. Wenn
die Größe der einzelnen
Schaltungselemente deutlich reduziert wird, wodurch beispielsweise
die Schaltgeschwindigkeit der Transistorelemente verbessert wird,
wird auch der verfügbare
Raum für die
diversen Komponenten, etwa die Drain- und Sourcegebiete, die Gateelektroden
von Transistoren und Verbindungsleitungen, die die einzelnen Schaltungselemente
elektrisch miteinander verbinden, ebenso reduziert. Folglich müssen die
Abmessungen dieser Komponenten ebenso reduziert werden, um dem geringeren
Anteil an verfügbarer
Fläche
und der erhöhten
Anzahl an Schaltungselementen pro Chip Rechnung zu tragen. Ein wichtiges
Beispiel in dieser Hinsicht sind Metallleitungen und Kontaktdurchführungen,
die in den Verdrahtungsebenen integrierter Schaltungen vorgesehen
sind. In integrierten Schaltungen mit minimalen Abmessungen von
ungefähr 0,35 μm und weniger
ist ein begrenzender Faktor des Bauteilverhaltens die Signalausbreitungsverzögerung,
die durch die Schaltgeschwindigkeit der beteiligten Transistorelemente
hervorgerufen wird. Da die Kanallänge dieser Elemente nunmehr
0,18 μm
und weniger erreicht hat, zeigt sich, dass die Signalausbreitungsverzögerung nicht
mehr durch die Feldeffekttransistoren begrenzt ist, sondern auf
Grund der erhöhten
Schaltungsdichte durch den geringen Abstand der Metallleitungen
in den Verdrahtungsebenen, da die Kapazität zwischen den Leitungen erhöht wird,
wozu sich eine geringere Leitfähigkeit
der Leitungen auf Grund einer reduzierten Querschnittsfläche gesellt.
Die parasitäre
RC- Zeitkonstante
(Widerstand/Kapazität)
erfordert das Einführen
einer neuen Art eines dielektrischen Materials vorzugsweise in Verbindung
mit einem gut leitenden Metall.
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Üblicherweise
werden Metallisierungsschichten mittels eines dielektrischen Schichtstapels gebildet,
der beispielsweise Siliziumdioxid und/oder Siliziumnitrid enthält, wobei
Aluminium das typische Metall ist. Da Aluminium eine deutliche Elektromigration
bei höheren
Stromdichten aufweist, wird zunehmend in äußerst anspruchsvollen integrierten
Schaltungen Aluminium durch Kupfer ersetzt, das einen deutlich geringeren
elektrischen Widerstand und eine höhere Widerstandsfähigkeit
gegen Elektromigration zeigt. Des weiteren werden die gut etablierten
und gut bekannten dielektrischen Materialien Siliziumdioxid (ε ungefähr 4,2)
und Siliziumnitrid (ε größer 5) zunehmend
durch Materialien mit kleinem ε ersetzt,
um die parasitäre
Kapazität
zu verringern. Jedoch ist der Übergang
von dem gut bekannten und gut etablierten Metallisierungsschichten
mit Aluminium/Siliziumdioxid zu einer Metallisierungsschicht mit
einem Dielektrikum mit kleinem ε und
Kupfer mit einer Reihe von Problemen behaftet, die es zu lösen gilt.
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Beispielsweise
kann Kupfer nicht in größeren Mengen
in effizienter Weise durch gut etablierte Abscheideverfahren, etwa
die chemische und physikalische Dampfabscheidung, aufgebracht werden. Des
weiteren kann Kupfer nicht in effizienter Weise durch gut etablierte
anisotrope Ätzprozesse
strukturiert werden. Folglich wird die sogenannte Einlegetechnik
oder Damaszener-Technik bei der Herstellung von Metallisierungsschichten,
die kupferenthaltende Leitungen aufweisen, eingesetzt. Typischerweise
wird in der Damaszener-Technik die dielektrische Schicht abgeschieden
und dann mit Gräben und
Kontaktlöchern
strukturiert, die nachfolgend mit einem Metall mittels Plattierverfahren,
etwa Elektroplattieren oder stromloses Plattieren, gefüllt werden. Zur
Herstellung von Kontaktdurchführungen,
die die elektrische Verbindung von einer darüber liegenden Metallleitung
zu einer darunter liegenden Metallleitung einer tieferliegenden
Metallisierungsschicht herstellen, können die Kontaktdurchführungen
und die Gräben
in einem einzelnen Prozess gefüllt
werden, so dass die Kontaktdurchführungen und der Graben vor
dem Einfüllen
des Kupfers zu strukturieren sind. Eine entsprechende Technik, die
auch als duale Damaszener-Technik bezeichnet wird, wird für einen konventionellen
dielektrischen Schichtstapel ausgeführt, indem eine Siliziumdioxidschicht
und eine Zwischenschicht aus Siliziumnitrid vorgesehen wird, die als
eine Ätzstoppschicht
für die
Grabenätzung
dient, und es wird eine zweite Siliziumdioxidschicht darauf gebildet.
Vor oder nach dem Grabenätzprozess
wird ein Kontaktloch in die tiefere Siliziumdioxidschicht geätzt, abhängig von
der speziellen Prozessstrategie. In jedem Falle kann der Grabenätzprozess
zuverlässig
auf der Grundlage dazwischenliegenden Ätzstoppschicht gesteuert werden.
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Wenn
das Material Siliziumdioxid mit großem ε durch ein Material mit kleinem ε ersetzt
wird, ist die Situation bei der Herstellung der Kontaktlochöffnungen
und des Grabens deutlich unterschiedlich, da das Vorsehen einer
zwischenliegenden Ätzstoppschicht,
etwa einer Siliziumnitridschicht mit einem hohen ε Wert in
unerwünschter
Weise die Permittivität des
gesamten dielektrischen Schichtstapels vergrößern kann. Um eine minimale
Permittivität
zu erreichen, wird üblicherweise
die dazwischenliegende Ätzstoppschicht
weggelassen. Folglich kann der Grabenätzprozess nicht durch eine
dazwischenliegende Ätzstoppschicht
gestoppt werden, da typischerweise Materialien mit einer hohen Ätzselektivität in Bezug auf
das betrachtete Dielektrikum mit kleinem ε nicht die gewünschten
Eigenschaften im Hinblick auf eine geringe Permittivität aufweisen.
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Mit
Bezug zu den 1a bis 1c wird
die Situation eines Grabenätzprozesses,
der in einer im Wesentlichen homogenen dielektrischen Schicht ausgeführt wird,
nunmehr detaillierter beschrieben.
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1a zeigt
schematisch Querschnittsansichten eines Halbleiterbauelements 100 mit
einer Metallisierungsschicht 150 nach dem Grabenätzprozess.
Das Halbleiterbauelement 100 umfasst ein Substrat 101,
in und über
dem Schaltungselemente (nicht gezeigt), etwa Transistoren, und dergleichen vorgesehen
sind, die elektrisch durch eine oder mehrere der Metallisierungsschichten 150 verbunden werden.
Das Substrat 101 umfasst ferner eine Ätzstoppschicht 102,
die aus einem beliebigen geeigneten Material aufgebaut sein kann,
das die gewünschten
Eigenschaften im Hinblick der Abdeckung vergrabener Gebiete, etwa
Metallgebiete, und dergleichen zeigt und das als eine Ätzstoppschicht
während
eines Kontaktlochätzprozesses
zur Herstellung eines Kontaktloches 151 in einer dielektrischen
Materialschicht 152 der Metallisierungsschicht 150 dient.
Die dielektrische Schicht 152 kann zumindest über eine
ausgedehnte Höhe
hinweg als ein im Wesentlichen homogenes Material vorgesehen sein,
etwa als ein Material mit kleinem ε, um eine insgesamt geringe
Gesamtpermittivität
zu erhalten. Ferner ist ein Graben 153 in einem oberen
Bereich der Schicht 152 ausgebildet, wobei der Graben 153 eine
Tiefe 153d aufweist, die in Verbindung mit der entsprechenden
Grabenbreite ein wichtiger Faktor zur Bestimmung der Eigenschaften
der Me tallisierungsschicht 150 in Bezug auf die Zuverlässigkeit
darstellt. D. h., die Leitfähigkeit,
das Elektromigrationsverhalten, und dergleichen werden durch die
Dicke der entsprechenden Metallleitungen beeinflusst, die aus dem
Graben 153 hergestellt werden. Somit repräsentiert
die Tiefe 153d ein wichtiges Entwurfsmaß zum Einstellen des Funktionsverhaltens
des Halbleiterbauelements 100.
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Ein
typischer Prozessablauf zur Herstellung des Bauelements 100,
wie es in 1a gezeigt ist, kann die folgenden
Prozesse umfassen. Nachdem Schaltungselemente in und über dem
Substrat 101 hergestellt sind, wird die Ätzstoppschicht 102 mittels eines
geeigneten Abscheideverfahrens, etwa CVD (chemische Dampfabscheidung),
Aufschleuderverfahren, und dergleichen abgeschieden. Danach wird die
dielektrische Schicht 152 unter Anwendung von Fertigungstechniken
gebildet, wie sie im Hinblick auf Material- und Prozesserfordernisse
geeignet sind. Als nächstes
werden Ätzprozesse
ausgeführt,
wobei abhängig
von den Prozesserfordernissen das Kontaktloch 151 auf der
Grundlage eines geeigneten Strukturierungsschemas zuerst gebildet
wird. Danach kann der Graben 153 gebildet werden, wobei die
Oberflächentopographie
vor dem Ausführen
eines entsprechenden Strukturierungsprozesses zur Herstellung einer Ätzmaske
für den
Graben 153 zunächst
geeignet eingeebnet werden kann. Danach wird ein Ätzprozess
auf der Grundlage eines spezifizierten Satzes an Prozessparametern
durchgeführt. Auf
Grund der homogenen Natur der Schicht 152 kann die Tiefe 153d durch
Einstellen der Ätzzeit
gesteuert werden. Bekanntlich werden in komplexen Fertigungsumgebungen
eine Vielzahl von Ätzkammern
für die
diversen Ätzprozesse
eingesetzt, wobei Prozessschwankungen auftreten können, die
sich jedoch direkt als entsprechende Tiefenschwankungen während des
Grabenätzprozesses
auswirken. Selbst in einer einzelnen Ätzkammer kann die Ätzrate leicht variieren,
selbst wenn die entsprechenden Prozessparameter auf ihren Sollwerten
gehalten werden. Folglich können
unerwünschte
Tiefenschwankungen zwischen Substraten oder Losen aus Substraten nach
dem Grabenätzprozess
beobachtet werden.
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1b zeigt
schematisch das Bauelement 100, das auf einem anderen Substrat
hergestellt ist, wobei der entsprechende Graben 153 eine
Tiefe 153a aufweist, die größer ist als der Sollwerte 153d.
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1c zeigt
schematisch das Bauelement 100, das über einem noch weiteren Substrat
gebildet ist. In diesem Falle ist der entsprechende Graben 153 mit
einer Tiefe 153b versehen, die geringer ist als die Solltiefe 153d.
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Folglich
können
die Bauelemente 100 gemäß den 1a, 1b und 1c zumindest deutlich
unterschiedliche Funktionsverhalten aufweisen, wobei ein gewisses
Maß an
Fluktuation zu fehlerhaften Bauelementen führen kann.
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Es
wurde daher vorgeschlagen, ein Material in der Schicht 152 einzuführen, das
unterschiedliche Eigenschaften während
einer optischen Endpunkterkennung aufweist, während es nicht in unerwünschter
Weise die Gesamtpermittivität
der Schicht 152 beeinflusst. Da eine entsprechende Zwischenschicht während der
Herstellung der Schicht 152 mit einem geringeren Maß an Prozessgleichförmigkeit
im Vergleich zu den Ätzschwankungen,
wie sie zuvor beschrieben sind, abgeschieden werden kann, wird dadurch
im Prinzip eine verbesserte Erkennbarkeit des Ende des Grabenätzprozesses
ermöglicht,
was jedoch durch das hohe Maß an Ähnlichkeit
des Ätzindikatormaterials
im Vergleich zu dem eigentlichen Material der Schicht 152,
was zur Beibehaltung der Gesamtpermittivität auf einem geringen Wert erforderlich
ist, deutliche Schwierigkeiten beim Erkennen der zwischenliegenden Ätzindikatorschicht
hervorruft, wenn die Ätzfront
entsprechende Atomsorten in die Ätzumgebung
einbringt. Somit ist das sich ergebende optische Endpunktsignal
nicht sehr zuverlässig.
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Angesichts
der zuvor beschriebenen Situation besteht ein Bedarf für eine Technik,
die die Herstellung von Gräben
in Materialien in zuverlässigerer Weise
ermöglicht,
während
zumindest eines oder mehrere der zuvor genannten Probleme vermieden oder
zumindest in ihrer Auswirkung reduziert werden.
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Überblick über die Erfindung
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Im
Allgemeinen richtet sich die vorliegende Erfindung an eine Technik
zum Strukturieren von Materialschichten während der Herstellung von Mikrostrukturbauelementen,
etwa integrierten Schaltungen und dergleichen, wobei der Strukturierungsprozess in
zuverlässigerer
Weise gesteuert werden kann, indem ein geeignetes Ätzsteuermaterial
eingebaut wird, d. h. ein Material, das ein zuverlässiges Endpunkterkennungssignal
ergibt und/oder eine reduzierte Ätzrate
erzeugt, in die entsprechende Materialschicht nach deren Herstellung
einge baut wird. Das Einbringen des entsprechenden Ätzsteuermaterials nach
dem Herstellen der betrachteten Materialschicht kann für eine verbesserte
Prozessflexibilität und
Steuerbarkeit sorgen, da die Zusammensetzung des Ätzsteuermaterials
auf der Grundlage seiner Nachweisbarkeit in einem nachfolgenden Ätzprozess anstatt
im Hinblick auf die Kompatibilität
mit dem Fertigungsprozess zur Herstellung der betrachteten Materialschicht
ausgewählt
werden kann. In einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein
Implantationsprozess zum Einführen
eines geeigneten Ätzsteuermaterials
in die betrachtete Materialschicht an einer spezifizierten Tiefe
angewendet, wobei das Maß an
Einfluss auf die verbleibende Materialschicht auf einem geringen
Niveau gehalten werden kann, indem beispielsweise das Ätzsteuermaterial
in ein lateral beschränktes
Gebiet der Materialschicht eingebracht wird, und/oder indem eine
geringe Konzentration eingeführt
wird, die dennoch ein deutliches Endpunkterkennungssignal erzeugt,
da äußerst unterscheidbare
Sorten durch den Implantationsprozess eingebaut werden können. Ferner
kann der Implantationsprozess an sich eine erhöhte Prozessgleichförmigkeit
in Bezug auf Substrat-zu-Substrat-Gleichförmigkeiten im Vergleich zu
typischen Fluktuationen von Ätzprozessen
aufweisen, so dass das entsprechende Ätzsteuermaterial mit einem
deutlich geringeren Grad an Substrat-zu-Substrat-Ungleichförmigkeit im Vergleich zu Ätzprozessen
positioniert werden kann, wodurch die Möglichkeit zur Erhöhung der
Gesamtprozessgleichförmigkeit
geschaffen wird. In anderen Aspekten kann ein geeignetes Ätzsteuermaterial
an spezifizierten Positionen eingebaut werden, beispielsweise in
Kontaktlochöffnungen,
um das entsprechende Ätzsteuermaterial
in einem nachfolgenden Strukturierungsprozess freizusetzen, wenn
entsprechende Öffnungen
oder Gräben
um die Kontaktlochöffnungen
herum gebildet werden. Da ein entsprechender Materialabscheideprozess
auch mit einer reduzierten Substrat-zu-Substrat-Gleichförmigkeit ausgeführt werden
kann, kann insgesamt die verbesserte Steuerbarkeit des sich ergebenden Ätzprozesses
erreicht werden.
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Gemäß einer
anschaulichen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung umfasst ein Verfahren das Implantieren
eines spezifizierten Ätzsteuermaterials
in eine Materialschicht eines Mikrostrukturbauelements, um eine
Solltiefe in der Materialschicht zu spezifizieren. Danach wird die
Materialschicht strukturiert, indem ein Ätzprozess ausgeführt wird, und
der Ätzprozess
wird auf der Grundlage des implantierten Ätzsteuermaterials gesteuert.
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Gemäß einer
noch weiteren anschaulichen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung umfasst ein Verfahren das Bilden einer
Materialschicht über
einem Substrat eines Mikro strukturbauelements und das Bilden eines Ätzsteuermaterials
in einem lateral beschränkten
Bereich der Materialschicht, um eine vorbestimmte Solltiefe in der
Materialschicht zu spezifizieren. Des weiteren umfasst das Verfahren das
Ausführen
eines Ätzprozesses
zum Strukturieren der Materialschicht, wobei das Ätzsteuermaterial zum
Steuern des Ätzprozesses
verwendet wird.
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Gemäß einer
noch weiteren anschaulichen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung umfasst ein Verfahren das Bereitstellen
eines Substrats, das darauf ausgebildet eine dielektrische Schicht
eines Mikrostrukturelements aufweist. Ferner wird ein Ätzsteuermaterial
in der dielektrischen Schicht gebildet, wobei das Ätzsteuermaterial
positioniert wird, um eine Solltiefe zum Strukturieren der dielektrischen
Schicht zu spezifizieren.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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Weitere
Vorteile, Aufgaben und Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung sind in den angefügten Patentansprüchen definiert
und gehen deutlicher aus der folgenden detaillierten Beschreibung
hervor, wie sie mit Bezug zu den begleitenden Zeichnungen studiert
wird, in denen:
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1a bis 1c schematisch
Querschnittsansichten eines Halbleiterbauelements zeigen, das darauf
ausgebildet entsprechende Kontaktlochöffnungen und Gräben einer
Metallisierungsschicht aufweist, die gemäß einer konventionellen Prozesstechnik
in einem dualen Damaszener-Schema hergestellt werden;
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2a schematisch
eine Querschnittsansicht eines Mikrostrukturbauelements zeigt, das
ein Ätzsteuermaterial
in einer zuvor hergestellten dielektrischen Schicht gemäß anschaulicher
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung erhält;
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2b schematisch
eine Konzentrationsverteilung des Ätzsteuermaterials zeigt, das
in der dielektrischen Schicht des in 2a gezeigten
Bauelements gebildet ist;
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2c und 2d schematisch
Querschnittsansichten des Mikrostrukturbauelements in 2a in
weiter fortgeschrittenen Fertigungsphasen gemäß anschaulicher Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung zeigen;
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3a bis 3b schematisch
ein Mikrostrukturbauelement während
diverser Fertigungsphasen beim Strukturieren einer dielektrischen Schicht
gemäß einem
dualen Damaszener-Verfahren
zeigen, wobei ein implantiertes Ätzsteuermaterial gemäß noch weiterer
anschaulicher Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung verwendet wird;
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4a und 4b schematisch
ein Mikrostrukturbauelement während
diverser Fertigungsphasen zum Strukturieren einer Materialschicht
auf der Grundlage einer Ätzstoppschicht
zeigen, die lokal in der Materialschicht gemäß noch weiterer anschaulicher
Ausführungsformen
gebildet ist;
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5a bis 5c schematisch
Querschnittsansichten eines Halbleiterbauelements während der Strukturierung
einer dielektrischen Schicht einer Metallisierungsebene gemäß einem
dualen Damaszener-Schema zeigen, wobei ein Ätzsteuermaterial in entsprechende
Kontaktlochöffnungen
vor dem Strukturieren entsprechender Gräben gemäß noch weiterer anschaulicher
Ausführungsformen
eingeführt wird;
und
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6a und 6b schematisch
Querschnittsansichten eines Halbleiterbauelements während der
Strukturierung einer Halbleiterschicht zeigen, um darin entsprechende
Vertiefungen benachbart zu einer Gateelektrode zu erhalten, darin
ein verformtes Halbleitermaterial gemäß noch weiterer anschaulicher
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung zu bilden.
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Detaillierte Beschreibung
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Obwohl
die vorliegende Erfindung mit Bezug zu den Ausführungsformen beschrieben ist,
wie sie in der folgenden detaillierten Beschreibung sowie in den
Zeichnungen dargestellt sind, sollte es selbstverständlich sein,
dass die folgende detaillierte Beschreibung sowie die Zeichnungen
nicht beabsichtigen, die vorliegende Erfindung auf die speziellen
anschaulichen offenbarten Ausführungsformen
einzuschränken,
sondern die beschriebenen anschaulichen Ausführungsformen stellen lediglich
beispielhaft die diversen Aspekte der vorliegenden Erfindung dar,
deren Schutzbereich durch die angefügten Patentansprüche definiert
ist.
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Im
Allgemeinen betrifft die vorliegende Erfindung das Strukturieren
von Materialschichten, die während
der Fertigungssequenz zur Herstellung von Mikrostrukturen, etwa
integrierte Schaltungen, und dergleichen, erforderlich ist. In einigen
Fertigungsphasen für
moderne Mikrostrukturen ist es notwendig, Materialschichten zu ätzen, etwa
dielektrische Schichten, Halbleiterschichten, Metallschichten, und dergleichen,
wobei der entsprechende Ätzprozess
in der Materialschicht bei einer spezifizierten Solltiefe anzuhalten
ist. Wie zuvor erläutert
ist, sind komplexe Ätzprozesse
von einer Vielzahl von Prozessparametern und anderen Umgebungsbedingungen
abhängig,
etwa dem Status der Prozesskammer, und dergleichen, so dass unterschiedliche Ätzraten
angetroffen werden können,
selbst wenn die Prozessparameter, etwa die Plasmaleitung, die Durchflussraten
reaktiver Gase und Trägergase,
der Druck, die Substrattemperatur, und dergleichen innerhalb präzise definierter
Prozessgrenzen gehalten werden. Folglich können während der Bearbeitung in einer
Vielzahl von Substraten entsprechende Tiefenfluktuationen auftreten,
die in negativer Weise die weitere Bearbeitung des Bauelements und/oder
das funktionsverhalten davon beeinflussen können, wie dies zuvor erläutert ist.
In vielen Fällen
ist das Vorsehen einer dazwischenliegenden Ätzstoppschicht auf Grund einer deutlichen
Wechselwirkung mit dem verbleibenden Material der betrachteten Schicht
nicht akzeptabel, beispielsweise im Hinblick auf einen deutlichen
Anstieg der relativen Permittivität. Das Vorsehen eines ähnlichen
Materials, das möglicherweise
während des Ätzprozesses
auf der Grundlage einer freigesetzten Sorte erkannt werden kann,
zeigt jedoch möglicherweise
eine nicht zuverlässige
Erkennbarkeit, oder kann ebenso eine deutliche Änderung der Gesamtmaterialeigenschaften
hervorrufen, da eine merkliche Konzentration erforderlich sein kann.
Folglich wird erfindungsgemäß eine Technik
eingesetzt, mit der ein effizientes Ätzsteuermaterial nach dem Herstellen
der betrachteten Materialschicht eingebaut wird, wobei ein geringes
Maß an
Einfluss auf die Gesamtmaterialeigenschaften beibehalten wird, während dennoch
eine effiziente Steuerung des Ätzprozesses
erreicht wird, wobei auch ein hohes Maß an Kompatibilität mit gut
etablierten Prozessabläufen beibehalten
wird, beispielsweise im Hinblick auf das Vermeiden zusätzlicher
Photolithographieschritte, und dergleichen.
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In
einigen anschaulichen Ausführungsformen
kann ein geringes Maß an
Einfluss auf die Materialeigenschaften der zu strukturierenden Schicht erreicht
werden, indem ein Implantationsprozess zum Einbauen einer geeigneten
Implantationssorte angewendet wird, die für ein ausgeprägtes unterscheidbares
Endpunkterkennungssignal sorgt und/oder das sogar für ein gewisses
Maß an Ätzstoppeigenschaften
sorgt. Zu diesem Zweck wird in einigen anschaulichen Ausführungsformen
eine entsprechende Implantationssorte geringer Konzentration in
die betrachtete Materialschicht eingebaut, um damit den Einfluss
auf die Gesamtmaterialeigenschaften auf einem gewünschten
geringen Niveau zu halten. In anderen Fällen wird die entsprechende
Implantationssorte in einer lateral beschränkten Weise eingebaut, beispielsweise
auf Grundlage einer Ätzmaske,
die zum Strukturieren der betrachteten Materialschicht zu verwenden
ist, wodurch das Einbauen größerer Konzentrationen
möglich
ist und eine verbesserte Zuverlässigkeit
bei der Erzeugung eines entsprechenden Endpunkterkennungssignals
ermöglicht
wird und/oder eine lokal beschränkte
Materialmodifizierung erreicht wird, um damit in geeigneter Weise
die Ätzeigenschaften
an einer vorbestimmten entsprechenden Tiefe zu ändern. In anderen Fällen wird
ein geeignetes Ätzsteuermaterial
in der betrachteten Materialschicht während einer Zwischenfertigungsphase
während
des Strukturierens der Materialschicht eingebaut, wobei der Prozess
des Einbauens des entsprechenden Ätzsteuermaterials auf gut steuerbaren
Prozessparametern mit einem reduzierten Maß an Prozessvariation von Substrat
zu Substrat im Vergleich zu ätzbezogenen
Ungleichförmigkeiten
basiert, wie dies zuvor erläutert
ist.
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Es
sollte beachtet werden, dass die vorliegende Erfindung äußerst vorteilhaft
im Zusammenhang mit der Strukturierung von dielektrischen Materialien,
etwa dielektrischen Materialien mit kleinem ε in Metallisierungsschichten
moderner Halbleiterbauelement ist, da hier Gräben auf der Grundlage einer im
Wesentlichen homogenen dielektrischen Materialschicht herzustellen
sind, deren Eigenschaften nicht wesentlich im Hinblick auf das Funktionsverhalten der
entsprechenden Metallleitungen und Kontaktdurchführungen geändert werden soll. Die Prinzipien der
vorliegenden Erfindung können
jedoch auch auf andere Situationen angewendet werden, in denen eine Öffnung in
entsprechende Materialschichten bis hinab zu einer spezifizierten
Solltiefe zu bilden ist, wobei die vorhergehende Ausbildung einer Ätzstoppschicht
nicht kompatibel ist mit dem Prozessablauf und/oder den Materialeigenschaften.
Beispielsweise wird in modernen Feldeffekttransistoren häufig ein verformtes
Halbleitermaterial in entsprechende Transistorbereiche, etwa die
Drain- und Sourcegebiete, eingebaut, um eine gewünschte hohe Verformung in dem
Kanalgebiets des Bauelements bereitzustellen. Zu diesem Zweck wird
in einigen Vorgehensweisen eine entsprechende Vertiefung in dem
aktiven Gebiet gebildet, wobei die Tiefe und die Größe der Vertiefung
in Kombination mit der Art des in den entsprechenden Vertiefungen
epitaktisch aufgewachsenen Materials im Wesentlichen schließlich erreichte
Verformung in dem Kanalgebiet bestimmen. Da konventioneller Weise
der Ätzprozess
zur Herstellung der Vertiefungen nicht durch eine Ätzstoppschicht
gesteuert werden kann, basiert die Gleichförmigkeit von Substrat zu Substrat
des entsprechenden Ätzprozesses
auf der Gleichförmigkeit
des Ätzprozesses
und kann daher entsprechenden Fluktuationen unterliegen, wie dies
zuvor erläutert
ist. In diesem Falle kann ein entsprechendes Ätzsteuermaterial in effizienter Weise
eingesetzt werden, um die Steuerbarkeit und damit die Gleichförmigkeit
des entsprechenden Ätzprozesses
für die
Aussparungen zu verbessern. Folglich sollte die vorliegende Erfindung,
sofern dies nicht in der Beschreibung und in den angefügten Patentansprüchen anders
definiert ist, nicht auf das Strukturieren von dielektrischen Schichten
in Metallisierungsebenen moderner Halbleiterbauelemente eingeschränkt betrachtet
werden.
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Mit
Bezug zu den begleitenden Zeichnungen werden nunmehr weitere anschauliche
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung detaillierter beschrieben.
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2a zeigt
schematisch eine Querschnittsansicht eines Mikrostrukturbauelements 200,
das in einer anschaulichen Ausführungsform
ein modernes Halbleiterbauelement mit einer Vielzahl von Schaltungselementen
(nicht gezeigt) repräsentieren
kann, die kritische Abmessungen von 100 nm und deutlich weniger
oder sogar 50 nm und weniger besitzen. Das Bauelement 200 umfasst
ein Substrat 201, das ein beliebiges geeignetes Trägermaterial
repräsentieren kann,
um darauf und darin entsprechende Strukturelemente, etwa Schaltungselemente,
mikromechanische Bauelemente, optoelektronische Bauelemente, und
dergleichen zu bilden. Der Einfachheit halber sind derartige Komponenten
in 2a nicht gezeigt. In einigen anschaulichen Ausführungsformen
repräsentiert
das Substrat 201 ein Substrat für ein modernes Halbleiterbauelement
und kann daher ein siliziumbasiertes Material, ein SOI-(Silizium-auf-Isolator)Substrat,
und dergleichen repräsentieren.
Das Bauelement 200 umfasst ferner eine Materialschicht 250,
die über
dem Substrat 201 ausgebildet ist, und die gemäß Prozess-
und Bauteilerfordernissen zu strukturieren ist. In einer anschaulichen
Ausführungsform
repräsentiert
die Materialschicht 250 in dieser Fertigungsphase das dielektrische
Material einer Metallisierungsschicht eines modernen Halbleiterbauelements.
In diesem Falle ist die Materialschicht 250 aus einem geeigneten
dielektrischen Material aufgebaut, wobei in anspruchsvollen Anwendungen
die Materialeigenschaften im Wesentlichen homogen über einen
wesentlichen Teil der gesamten Dicke der Materialschicht 250 vorgesehen
sind. Es sollte beachtet werden, dass die Materialschicht 250 einen
Schichtstapel repräsentieren
kann, der weitere Komponenten beinhaltet, etwa eine Ätzstoppschicht, eine
Deckschicht, und dergleichen, wie dies für die weitere Bearbeitung bei
der Einstellung von Bauteileigenschaften erforderlich ist. Der Einfachheit
halber sind derartige zusätzliche
Schichten in 2a nicht gezeigt. Es sollte
jedoch beachtet werden, dass zumindest ein großer Teil der Materialschicht 250 im Wesentlichen
homogene Eigenschaften aufweist bis zu einem Solltiefenbereich bis
zu welchem eine Öffnung
in der Materialschicht 250 in einem nachfolgenden Strukturierungsprozess
zu bilden ist.
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Das
Mikrostrukturbauelement 200, wie es in 2a gezeigt
ist, kann auf der Grundlage einer geeigneten Prozesstechnik hergestellt
werden, wie sie auch beispielsweise mit Bezug zu dem Halbleiterbauelement 100 beschrieben
ist, wenn die Materialschicht 250 eine Metallisierungsschicht
repräsentiert. In
anderen Fallen können
andere geeignete Prozessverfahren zur Herstellung entsprechender
Mikrostrukturkomponenten in und über
dem Substrat 201 eingesetzt werden, woran sich eine geeignete
Abscheidetechnik zur Herstellung der Materialschicht 250 anschließt, die
unterschiedliche Arten von Abscheideverfahren beinhalten kann, etwa
CVD (chemische Dampfabscheidung), PVD (physikalische Dampfabscheidung),
stromloses Plattieren, Elektroplattieren, Kombinationen davon, und
dergleichen. Ferner können
auch anspruchsvolle Einebnungsverfahren eingesetzt werden, um bei
Bedart die Materialschicht 250 zu bilden. Danach wird gemäß einer anschaulichen
Ausführungsform
ein Implantationsprozess 260 durchgeführt, um eine geeignete Implantationssorte 261 an
einer spezifizierten Tiefe 262 der Schicht 250 einzubauen.
In einer anschaulichen Ausführungsform
wird der Implantationsprozess 260 auf der Grundlage von
Prozessparametern, etwa der Implantationsdosis so durchgeführt, dass
eine moderat geringe Konzentration an der gewünschten Tiefe 262 geschaffen
wird, um damit eine Wechselwirkung der implantierten Sorte 261 während und
nach dem Implantationsprozess 260 mit dem Material der Schicht 250 auf
einem geringen Niveau zu halten. Beispielsweise kann eine moderat
geringe Implantationsdosis von ungefähr 1011 bis
1015 Ionen pro cm2 in Verbindung
mit einer geeigneten Implantationsenergie angewendet werden, um
die entsprechende Implantationssorte 261 an der gewünschten
Tiefe 262 zu positionieren.
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Bekanntlich
kann eine große
Anzahl von Ionensorten in verfügbaren
Implantationsanlagen verarbeitet werden, beispielsweise auf der
Grundlage geeigneter Vorstufenmaterialien, etwa gasförmiger Komponenten,
die in geeigneter Weise ionisiert und beschleunigt werden, um einen
geeigneten Ionenstrahl mit relativ hoher Gleichförmigkeit zu erzeugen. Beispielsweise
kann die Implantationsenergie mit hoher Präzision auf der Grundlage einer
Strahlenoptik mit Magneten und dergleichen gesteuert werden, so dass
die zugeordnete Durch schnittseindringtiefe mit hoher Gleichförmigkeit
für eine
Vielzahl von Substraten eingestellt werden kann, solange die Materialeigenschaften
der Schicht 260 für
die Vielzahl von Substraten innerhalb entsprechender Prozesstoleranzen liegen.
In dieser Hinsicht sollte beachtet werden, dass beispielsweise eine
Schwankung von Substrat zu Substrat in Bezug auf die Schichtdicke
der Materialschicht 250 im Vergleich zu Ätzungleichförmigkeiten
weniger kritisch ist, da die entsprechende Eindringtiefe im Wesentlichen
nicht beeinflusst wird. D. h., die gemittelte Eindringtiefe 262 für Implantationssorte 261 bleibt
im Wesentlichen gleich, so dass eine entsprechende Tiefe eines entsprechenden
Grabens, der auf der Grundlage der Sorte 261 gebildet wird,
im Wesentlichen unverändert
bleibt. Folglich kann auf Grund der geringen Substrat-zu-Substrat-Ungleichförmigkeit
des Implantationsprozesses 260 die Implantationssorte 261 an
der vorbestimmten Tiefe 262 mit einer entsprechenden hohen
Gleichförmigkeit
für eine
Vielzahl von Substraten positioniert werden, wodurch ein effizientes
Mittel zur Erhaltung einer zuverlässigen Steuerinformation für einen nachfolgenden Ätzprozess
bereitgestellt wird. Auf Grund der Verfügbarkeit einer großen Klasse
an Implantationssorten können
geeignete Materialien ausgesucht werden, die ein hohes unterscheidbares Endpunkerkennungssignal
während
eines nachfolgenden Ätzprozesses
liefern. Somit können „exotische" Kandidaten ausgewählt werden,
die ein gut detektierbares Signal liefern, selbst wenn diese mit
einer geringen Konzentration vorgesehen sind. Auf diese Weise können die
Gesamtmaterialeigenschaften der Schicht 250 im Wesentlichen
beibehalten werden, wobei dennoch ein hohes Maß an Steuerbarkeit erreicht
wird. Beispielsweise können
geeignete Atomsorten, die eine gut detektierbare, d. h. gut unterscheidbare
Emissionswellenlänge
aussenden, wenn sie in einer Plasmaumgebung einer Ätzatmosphäre ionisiert
werden, als die Implantationssorte 261 ausgewählt werden.
Auf diese Weise wird ein entsprechendes optisches Endpunkterkennungssystem
auf die entsprechende Emissionswellenlänge eingestellt, ohne dass
ein deutliches Rauschen oder eine Störung von anderen Komponenten
auftritt, die ebenso während
des entsprechenden Ätzprozesses freigesetzt
werden oder vorhanden sind.
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2b zeigt
schematisch eine typische Verteilung der Konzentration der Implantationssorte 261, die
als eine Kurve 261c gezeigt ist, in Bezug auf die Tiefenrichtung,
die als 263 für
die Materialschicht 250 angegeben ist. Wie schematisch
in 2b gezeigt ist, kann ein entsprechendes Maximum 261n der Kurve 261c an
einer gewünschten
Tiefe positioniert werden, in diesem Falle der Tiefe 262,
wobei in einigen anschaulichen Ausführungsformen die gewünschte Tiefe 262 eine
Solltiefe einer Öffnung
repräsentieren
kann, die in der Schicht 250 zu bilden ist. Es sollte jedoch
beachtet werden, dass die Tiefe 262 unter Umständen nicht
die Solltiefe eines Grabens oder einer Öffnung repräsentiert, sondern nur eine
Indikation dafür
repräsentieren
kann. Beispielsweise kann beim Erkennen eines geeigneten Punktes
der Verteilung 262c, die in 2b gezeigt
ist, beispielsweise der Maximalwert 261n, der entsprechende Ätzprozess
nicht notwendigerweise gestoppt werden, sondern kann für eine vordefinierte
Zeitdauer bei Bedarf fortgesetzt werden. Ferner kann, wie in 2b angegeben
ist, die Verteilung 261c der Implantationssorte 261 um
die gewünschte
Tiefe 262 herum angeordnet sein, wobei die „Breite" der entsprechenden
Verteilung 261c von den Materialeigenschaften der Schicht 250,
der Implantationssorte, die einzubauen ist, der gewünschten
Tiefe 262, und dergleichen abhängen kann. Obwohl eine geringe
Breite der Verteilung wünschenswert
ist im Hinblick auf die Steuereffizienz und auf eine geringe Wechselwirkung mit
dem Material der Schicht 250, ermöglicht eine mehr oder weniger
ausgedehnte Breite des Implantationsprofils dennoch eine präzise Erkennung
eines entsprechenden Endpunkterkennungssignals, dort wo das ausgeprägte Maximum 261m vorhanden
ist, da dann der Punkt der maximalen Intensität des entsprechenden Endpunkterkennungssignals
als die eigentliche Steuerinformation für das Implantationsprofil,
wie es in 2b gezeigt ist, verwendet werden kann.
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2c zeigt
schematisch das Mikrostrukturbauelement 200 in einem weiter
fortgeschrittenen Herstellungsstadium, wobei eine Ätzmaske 264 über der
Materialschicht 250 gebildet ist, die die lateralen Grenzen
einer Öffnung
definiert, die in der Materialschicht 250 bis zu einer
gewünschten
Solltiefe, etwa der Tiefe 262 zu bilden ist, wenn ein Ätzprozess 265 im
Wesentlichen an der maximalen Konzentration 261m gestoppt
wird, wie in 2b gezeigt ist. Die Ätzmaske 264 kann
in Form eines beliebigen geeigneten Materials, etwa eines Lackmaterials,
einer Hartmaske oder einer Kombination davon vorgesehen sein, wobei
die Maske 264 auch ein geeignetes ARC-(antireflektierendes
Beschichtungs-)Material bei Bedarf aufweisen kann, um die Maske 264 mittels moderner
Lithographieverfahren zu strukturieren.
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2d zeigt
schematisch das Mikrostrukturbauelement 200 in einem weiter
fortgeschrittenen Stadium des Ätzprozesses 265,
wobei eine Öffnung in
dem oberen Bereich der Schicht 250 gebildet ist, und wobei
die Ätzfront
bereits die Implantationssorte berührt, wodurch zunehmend die
entsprechende atomare oder molekulare Spezies 261r freigesetzt
wird, was zur Aussendung einer entsprechenden Strahlung 266 führen kann,
die wiederum durch ein entsprechendes optisches Endpunkterkennungssystem 267 detektiert
wird. Das System 267 kann ausgebildet sein, eine maximale
Intensität
der entsprechenden Strahlung 266 zu erkennen, d. h. einen
spezifizierten Wellenlängenbereich,
um eine zuverlässige Angabe
zur Steuerung des Ätzprozesses 265 bereitzustellen.
Beispielsweise kann, wie zuvor erläutert ist, beim Erkennen einer
maximalen Intensität
der Strahlung 266 der Ätzprozess 265 angehalten
werden oder kann für
eine vordefinierte kurze Zeitdauer fortgesetzt werden. Da eine unterschiedliche Ätzrate während des Ätzprozesses 265 in
unterschiedlichen Substraten auf Grund von Substrat-zu-Substrat-Schwankungen
auftreten kann, können
somit derartige ätzbezogene
Ungleichförmigkeiten
deutlich reduziert werden auf Grund des Vorsehens der Implantationssorte 261,
da der Implantationsprozess 260 (siehe 2a)
an sich eine erhöhte
Substrat-zu-Substat-Gleichförmigkeit
bietet, während
das entsprechende Endpunkterkennungssignal, das beispielsweise durch
die Strahlung 266 geliefert wird, mit hoher Präzision erkannt
und bewertet werden kann, selbst wenn moderat geringe Konzentrationen
eingebaut werden, um damit eine negative Beeinflussung der Materialschicht 250 durch
die Implantationssorte 261 zu verringern. Da ferner moderat
geringe Implantationskonzentrationen bereits ausreichend sind, um in
effizienter Weise den Ätzprozess 265 zu
steuern, können
durch die Implantation hervorgerufene Schädigungen der Materialschicht 250,
die möglicherweise
die Materialeigenschaften des oberen Bereichs der Schicht 250 ändern, auf
einem sehr geringen Niveau gehalten.
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In
einigen anschaulichen Ausführungsformen
wird der Ionenbeschuss während
des Implantationsprozesses 260 bewusst auf ein spezifiziertes
Niveau angehoben, um in positiver Weise die Materialeigenschaften
zu ändern,
beispielsweise im Hinblick auf das Erhöhen der Porosität und damit
des Reduzierens der Permittivität,
wodurch das Ausgasverhalten und dergleichen verbessert wird. Beispielsweise
kann der Implantationsprozess 260 vor dem Ausführen einer
entsprechenden Wärmebehandlung ausgeführt werden,
um unerwünschte
Komponenten aus der Schicht 250 zu entfernen, indem das
Bauelement 200 einer Vakuumumgebung bei erhöhten Temperaturen
ausgesetzt wird, um Stickstoffradikale, und dergleichen, zu entfernen,
um damit beispielsweise Lackvergiftungseffekte und dergleichen zu
verringern. In anderen Fällen
wird ein moderat hoher Ionenbeschuss zur Verringerung der relativen
Permittivität
auf Grund der Ausbildung von Mikrorissen und dergleichen eingesetzt.
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Folglich
kann der Einbau der Implantationssorte 261 für eine verbesserte
Steuerbarkeit des Strukturierens der Materialschicht 250 sorgen,
wobei in anschaulichen Ausführungsformen
dielektrische Materialien mit kleinem ε moderner Halbleiterbauelemente
effizient mit verbesserter Steuerbarkeit für entsprechende Metallleitungsgräben strukturiert
werden können,
und wobei die Auswahl der Implantationssorte es ermöglicht,
eine große
Klasse an Ätzsteuermaterialien
einzusetzen.
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Mit
Bezug zu den 3a und 3b werden
nunmehr weitere anschauliche Ausführungsformen der vorliegenden
Erfindung beschrieben, in denen eine geeignete Implantationssorte
in lateral beschränkten
Bereich eingebaut wird.
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3a zeigt
schematisch ein Mikrostrukturbauelement 300, das ein Substrat 301 und
eine Materialschicht 350 aufweist, die gemäß den Bauteilerfordernissen
zu strukturieren ist. In Bezug auf das Mikrostrukturbauelement 300 und
das Substrat 301 gelten die gleichen Kriterien, wie sie
zuvor mit Bezug zu den Bauelementen 100 und 200 dargelegt
sind. In der gezeigten anschaulichen Ausführungsform kann das Mikrostrukturbauelement 300 ein
Halbleiterbauelement repräsentieren,
wobei in und auf dem Substrat 301 eine Vielzahl von Schaltungselementen,
etwa Transistoren, Kondensatoren, und dergleichen (nicht gezeigt)
vorgesehen sind. Die entsprechenden Schaltungselemente werden elektrisch
mittels einer oder mehrerer Metallisierungsschichten verbunden, wobei
die Materialschicht 350 eine dieser Metallisierungsschichten
repräsentiert
und daher ein dielektrisches Material 352 aufweist, das
eine geeignete Materialzusammensetzung besitzt, um damit die gewünschten
Eigenschaften bereitzustellen. Beispielsweise kann die Materialschicht 352 zumindest über einen
wesentlichen Teil ihrer Dicke ein dielektrisches Material mit kleinem ε aufweisen.
Des weiteren kann das dielektrische Material 352 auf einer Ätzstoppschicht
oder Barrierenschicht 302 gebildet sein, die aus einem
beliebigen geeigneten Ätzstopp-
und Barrierenmaterial aufgebaut ist, etwa Siliziumnitrid, Siliziumkarbid,
stickstoffangereichertes Siliziumkarbid, und dergleichen. Des weiteren
kann eine Kontaktlochöffnung 351 durch
das dielektrische Material 352 bis zu der Ätzstoppschicht 302 hinab
ausgebildet sein, wobei in dieser Fertigungsphase die Kontaktlochöffnung 351 mit
einem geeigneten Füllmaterial 303 gefüllt sein
kann, das in einigen Ausführungsformen
auch eine geeignete Schicht 303a bildet, die für eine im
Wesentlichen ebene Oberflächentopographie
und ebenso auch ARC-Eigenschaften
zur Herstellung einer Maske 364 auf der Grundlage von Photolithographie verfahren
sorgt. Beispielsweise kann das Füllmaterial 303 aus
einem beliebigen geeigneten Polymermaterial, Lackmaterial, und dergleichen aufgebaut
sein.
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Das
in 3a gezeigte Mikrostrukturbauelement 300 kann
auf der Grundlage gut etablierter Verfahren hergestellt werden,
wie sie zuvor beschrieben ist, wobei das dielektrische Material 352 der
Metallisierungsschicht 350 auf der Grundlage einer beliebigen
geeigneten Abscheidetechnik gebildet werden kann, woran sich gut
etablierte Lithographieprozesse zum Definieren der Kontaktlochöffnung 351 in
dem Material 352 anschließen, wobei ein entsprechender Ätzprozess
zuverlässig
auf der Grundlage der Ätzstoppschicht 302 gestoppt
werden kann. Es sollte jedoch beachtet werden, dass die Kontaktlochöffnung 351 nicht
notwendigerweise in dieser Fertigungsphase gebildet wird, und stattdessen
nach dem Strukturieren eines entsprechenden Grabens in einem oberen
Bereich des Materials 352 gemäß gut etablierter Lösungsansätze mit „Graben
zuerst-Kontaktloch zuletzt" strukturiert
werden kann. Danach wird das Füllmaterial 303 mittels
einer geeigneten Abscheidetechnik, etwa Aufschleudern, CVD, und
dergleichen, abhängig
von der Art des abzuscheidenden Materials aufgebracht. Bei Bedarf
können
zusätzliche
Einebnungsverfahren eingesetzt werden, um die Oberflächentopographie
weiter zu verbessern und um die Schichtdicke des Materials 303a anzupassen.
In einem typischen Verfahren mit „Graben zuerst-Kontaktloch
zuletzt" kann die
Schicht 303a ein geeignetes ARC- oder Hartmaskenmaterial
repräsentieren, das
für die
nachfolgende Strukturierung des Materials 352 erforderlich
ist. Als nächstes
werden gut etablierte Lithographieverfahren eingesetzt, um ein Lackmaterial
zur Bildung der Maske 364 zu strukturieren. in der dargestellten
Ausführungsform
besitzt die Maske 364 eine Öffnung 364a, die im
Wesentlichen die lateralen Abmessungen eines entsprechenden Grabens
definiert, der in einem oberen Bereich des Materials 352 zu
bilden ist. In der gezeigten Ausführungsform wird die Maske 364 zusätzlich als
Implantationsmaske während
eines Implantationsprozesses 360 zum Einführen einer
geeigneten Implantationssorte 361 bis zu einer spezifizierten
Tiefe 362 eingesetzt, wie dies zuvor in Bezug auf den Implantationsprozess 260 beschrieben
ist. Folglich wird in diesem Falle die Implantationssorte 361 lateral
im Wesentlichen auf einen Bereich beschränkt, an welchem ein entsprechender
Graben ist, wodurch das verbleibende Material 352 im Wesentlichen
nicht beeinflusst wird. Folglich kann die entsprechende Konzentration
der Implantationssorte 361 im Hinblick auf die Zuverlässigkeit
des Steuerns eines nachfolgenden Ätzprozesses ausgewählt werden,
während
die Wechselwirkung mit dem Material der Schicht 352 weniger
kritisch ist. Beispielsweise kann die spezifizierte Tiefe 362,
d. h. der Punkt der maximalen Konzentration, nicht exakt der Solltiefe
des betrachteten Grabens entsprechen, sondern es kann eine geringe „Nachätzzeit" beim Erreichen der
maximalen Konzentration erforderlich sein, wodurch ein wesentlicher Anteil
der Implantationssorte 361 abgetragen wird. Somit kann
eine Wechselwirkung mit dem Material der Schicht 352 weiter
verringert werden. Folglich wird während des Implantationsprozesses 360 ein hohes
Maß an
Flexibilität
bei der Auswahl der Art der Implantationssorte sowie bei der sich
ergebenden Konzentration bereitgestellt.
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Es
sollte beachtet werden, dass typischerweise die ionenblockierenden
Eigenschaften der Maske 364 im Wesentlichen das Eindringen
in abgedeckte Bereiche der Schicht 352 verhindern. In anderen
anschaulichen Ausführungsformen
wird der Implantationsprozess 360 in einer Zwischenphase
des nachfolgenden Ätzprozesses
ausgeführt,
d. h. nach dem Öffnen
der Schicht 303a, wodurch eine noch größere Ionenblockierwirkung der
kombinierten Maske 364 und der strukturierten Schicht 303a erreicht wird,
da die entsprechende Implantationsenergie und damit die mittlere
Eindringtiefe im Vergleich zu der Implantation durch die Schicht 303 hindurch
geringer gewählt
werden kann. Folglich kann der Einbau der Implantationssorte 361 in
laterale Bereiche der Schicht 352, die von der Maske 364 abgedeckt
sind, in effizienter Weise unterdrückt oder zumindest deutlich
reduziert werden. Zu beachten ist, dass ein unterschiedlicher Mechanismus
zum Stoppen implantierter Ionen der Sorte 361 in dem Füllmaterial 303 im Vergleich
zu dem Material 352 nicht wesentlich die Effizienz der
Implantationssorte 361 beeinflusst, die an der gewünschten
Tiefe 362 vorgesehen ist, um als ein Ätzsteuermaterial zu dienen.
Wenn beispielsweise das Füllmaterial 303 eine
erhöhte
Stoppeffizienz bietet, kann die entsprechende Implantationssorte 361 um
eine reduzierte Tiefe 362a herum positioniert werden, während in
einem anderen Falle, wenn das Material 303 die eindringende
Implantationssorte 361 weniger effizient stoppt, eine größere Tiefe 362b sich ergeben
kann. Da der Anteil der Implantationssorte 361, der in
der Kontaktlochöffnung 351 positioniert ist,
d. h. innerhalb des Füllmaterials 303 deutlich
geringer ist im Vergleich zu der Sorte 361, die an der
gewünschten
Tiefe 362 positioniert ist, kann die entsprechenden maximale
Konzentration dennoch mit hoher Zuverlässigkeit detektiert werden.
In anderen Fällen,
wenn die entsprechende Kontaktlochöffnung 351 noch nicht
gebildet ist, entsprechend dem „Graben zuerst-Kontaktloch
zuletzt" Ansatz,
kann eine im Wesentlichen gleichförmige Tiefe 362 während des Implantationsprozesses 360 erreicht
werden.
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3b zeigt
schematisch das Mikrostrukturbauelement 300, wenn dieses
einen Ätzprozess 365 ausgesetzt
ist, um eine entsprechende Öffnung 353 in
dem oberen Bereich der Materialschicht 352 zu bilden. Wie
zuvor erläutert
ist, werden, wenn die Ätzfront
des Prozesses 365 sich der Konzentrationsverteilung annähert, die
um die spezifizierte Tiefe 362 herum angeordnet ist, zunehmend
die atomare oder molekulare Sorte 361 in die Ätzatmosphäre freigesetzt
und kann dann mit einer gut erkennbaren Emissionswellenlänge 366 strahlen,
die dann zuverlässig erkannt
werden kann, wie dies zuvor erläutert
ist. Es sollte beachtet werden, dass in einigen anschaulichen Ausführungsformen,
wenn implantationsinduzierte Schäden
der Maske 364, die durch den vorhergehenden Implantationsprozess 360 hervorgerufen wurden,
nicht vernachlässigbar
sind, eine geeignete Dosis und Implantationszeit verwendet werden
können,
um damit einerseits eine gewünschte
hohe Konzentration der Sorte 361 zu erhalten, wobei dennoch sich
der ergebende Implantationsschaden in der Ätzmaske 364 bei einem
geeigneten Niveau einpendelt. In anderen anschaulichen Ausführungsformen
kann die Schicht 303a vor dem Implantationsprozess 360 strukturiert
werden, um eine ausreichende Ätzselektivität während des
Prozesses 365 bereitstellen, wobei die durch die Implantation
hervorgerufenen Schäden
in der strukturierten Schicht 303a im Wesentlichen in den
Prozess 360 vermieden werden, wodurch eine gute Ätzformtreue
während
des Ätzprozesses 365 bereitgestellt
wird, unabhängig
von den Implantationsparametern des Prozesses 360.
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Somit
sorgt die zuvor beschriebene Prozessstrategie für ein hohes Maß an Flexibilität beim Auswählen einer
geeigneten Implantationssorte sowie für deren Konzentration, wobei
die Zuverlässigkeit der Ätzsteuerung
weiter verbessert wird, während eine
Wechselwirkung der Implantationssorte mit dem Basismaterial der
Schicht 352 deutlich reduziert wird oder sogar vollständig vermieden
werden kann.
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Mit
Bezug zu den 4a und 4b werden
weitere anschauliche Ausführungsformen
nunmehr beschrieben, in denen eine moderat hohe Konzentration einer
entsprechenden Implantationssorte in die zu strukturierende Materialschicht
in lateral beschränkter
Weise eingebaut wird, wie dies zuvor beschrieben ist, wobei zusätzlich die
moderat hohe Konzentration benutzt wird, um deutlich die Materialeigenschaften
zu ändern,
um damit ein gewisses Maß an Ätzstoppwirkung
zu erreichen.
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4a zeigt
schematisch ein Mikrostrukturbauelement 400 mit einem Substrat 401, über dem eine
Materialschicht 450 ausgebildet ist, die zu strukturieren
ist. Ferner ist eine Maske 464 mit 450 gebildet,
wobei, bei Bedarf, ein geeignetes ARC-Material oder ein Hartmaskenmaterial 403 vorgesehen
ist, das zum Strukturieren der Schicht 450 eingesetzt wird,
wenn durch Implantation hervorgerufene Schäden der Maske 464 ein
Entfernen der Maske 464 vor dem eigentlichen Strukturierungsprozess
erfordern. Beispielsweise kann die ARC-Schicht oder die Hartmaskenschicht 403 aus
einem geeigneten Material aufgebaut sein, etwa Siliziumoxidnitrid,
Siliziumdioxid, Siliziumnitrid, Siliziumkarbid, sauerstoffangereichertem
Siliziumkarbid, Kombinationen davon, und dergleichen. In Bezug auf
die anderen Komponenten des Bauelements 400 gelten die
gleichen Kriterien, wie sie zuvor mit Bezug zu den Bauelementen 100, 200 und 300 erläutert sind.
Somit wird eine weitere Beschreibung dieser Komponenten sowie eines
Prozessablaufes zur Herstellung dieser Komponenten weggelassen.
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Des
weiteren unterliegt das Bauelement 400 einem Ionenimplantationsprozess 460 zum
Einführen
einer Sorte 461 bis zu einer gewünschten Tiefe 462,
wobei die Art und die Konzentration der entsprechenden Sorte 461 zusätzlich oder
alternativ dazu, dass ein gut unterscheidbares Endpunkterkennungssignal
geliefert wird, so gewählt
wird, um in signifikanter Weise die Materialeigenschaften der Schicht 450 in
der Solltiefe 462 zu ändern.
Beispielsweise können Stickstoff,
Kohlenstoff oder andere Komponenten mit moderat hoher Konzentration
eingeführt
werden, um in deutlicher Weise die Ätzrate während eines nachfolgenden Ätzprozesses
zu beeinflussen. Beispielsweise kann eine moderat hohe Stickstoffkonzentration,
beispielsweise im Bereich von 1019 bis 1022 Atomen pro cm3 auf
der Grundlage des Implantationsprozesses 460 eingeführt werden.
Auf Grund der moderat hohen Implantationsdosiswerte, die zum Erhalten
der Konzentration erforderlich sind, können zusätzlich entsprechende, durch
die Implantation hervorgerufene Schäden in den oberen Bereich der Schicht 450 bis
hinab zu der spezialisierten Tiefe 462 erzeugt werden,
wodurch ebenso die Ätzrate
in dem nachfolgenden Ätzprozess
beeinflusst wird. Somit kann auf Grund des Ionenbeschusses die Ätzrate in dem
oberen Bereich erhöht
werden, wobei auf Grund der Sorte 461 ein deutlicher Ätzstoppeffekt
an der Solltiefe 462 erhalten werden kann. Wenn die durch die
Implantation hervorgerufenen Schäden
in der Lackmaske 464 ebenso zu einer entsprechenden Korrosion
des Lackmaterials führen,
kann in einigen anschaulichen Ausführungsformen das Lackmaterial 464 vor
dem eigentlichen Strukturierungsprozess entfernt werden, der dann
auf der Grundlage der Maske 403 ausgeführt wird.
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4b zeigt
schematisch das Bauelement 400 während eines Strukturierungsprozesses 465, wobei
das Lackmaterial 464 entfernt ist, wie dies zuvor erläutert ist.
In anderen anschaulichen Ausführungsformen
wird der Prozess 465 auch auf der Grundlage der Lackmaske 464 ausgeführt. Wenn sich
folglich die Ätzfront
der spezifizierten Tiefe 462 annähert, wird die Ätzrate zunehmend
geringer, wodurch sich die Ätzrate über das
gesamte Substrat 401 hinweg ausgleicht. Ferner kann die
Sorte 461 zunehmend in die Ätzatmosphäre freigesetzt werden und kann
dann auf der Grundlage optischer Endpunkterkennungssysteme detektiert
werden, wie dies zuvor erläutert
ist. Es sollte beachtet werden, dass in einigen anschaulichen Ausführungsformen
ein zusätzliches „Indikator"-Material beispielsweise
in einer moderat geringen Konzentration zum Erreichen einer geringen
Prozessdauer in einem weiteren Implantationsprozess, eingeführt werden
kann, wenn die „Ätzstopp"-Sorte nicht eine
gewünschte
unterscheidbare Wellenlänge
während
des Ätzprozesses
bereitstellt. Somit kann auf Grund der deutlich reduzierten Ätzrate an
der spezifizierten Tiefe 462 die Substrat-zu-Substrat-Gleichförmigkeit
deutlich erhöht
werden, wie dies in den vorhergehenden Ausführungsformen der Fall ist,
wobei zusätzlich
eine verbesserte substratüberspannende
Gleichförmigkeit
erreicht werden kann auf Grund der Ätzstoppwirkung der implantierten
Sorte 461. Auf Grund der lateralen Beschränkung der
Implantationssorte 461 werden die Gesamtmaterialeigenschaften
der Schicht 450 nicht wesentlich beeinflusst.
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Mit
Bezug zu den 5a bis 5b werden nunmehr
weitere anschauliche Ausführungsformen der
vorliegenden Erfindung beschrieben, wobei ein Ätzstoppmaterial oder ein „Indikatormaterial" in einer Kontaktlochöffnung vor
dem Strukturieren eines Grabens vorgesehen wird, wobei das Indikatormaterial ein
effizientes Endpunkterkennungssignal liefert.
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5a zeigt
schematisch ein Mikrostrukturbauelement 500 mit einem Substrat 501, über welchem
eine Materialschicht 550 gebildet ist, die zum Erhalten
einer Kontaktlochöffnung
und eines Grabens gemäß einem
typischen Ansatz mit „Kontaktloch
zuerst-Graben zuletzt" in
einem dualen Damaszener-Schema zu strukturieren ist. Ferner ist
eine Ätzstoppschicht 502 zwischen
dem Substrat 501 und der Schicht 550 vorgesehen.
In Bezug auf diese Komponenten geltend die gleichen Kriterien, wie
sie zuvor erläutet
sind. Ferner kann in dieser Fertigungsphase die Schicht 550 eine
Kontaktlochöffnung 551 aufweisen,
die darin ausgebildet ein Indikatormaterial oder Ätzsteuermaterial 561 aufweist,
das bis zu einer Höhe
aufgefüllt
ist, so dass eine Tiefe 562 spezifiziert ist. Das Material 561 kann
ein beliebiges ge eignetes Material repräsentieren, das in einer geeigneten
Weise abgeschieden werden kann, um damit das teilweise Auffüllen der
Kontaktlochöffnung 551 zu
ermöglichen,
wie dies gezeigt ist. Des weiteren kann das Material 561 eine
spezifizierte Komponente oder Sorte, etwa ein Metall, und dergleichen
aufweisen, das eine zuverlässige
Erkennung während
eines nachfolgenden Prozesses ermöglicht, wenn das Material in
die Ätzumgebung
freigesetzt wird. In anderen Fällen weist
das Material 561 eine entsprechende Komponente nicht auf
und diese Komponente kann einem weiteren Material zugesetzt werden,
das über
dem Material 561 gebildet wird, wie dies mit Bezug zu 5b beschrieben
ist.
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Das
Material 561 kann auf der Grundlage einer geeigneten Abscheidetechnik,
etwa einem Aufschleuderprozess, vorgesehen werden, wobei eine definierte
Menge des Materials abgeschieden und über das Substrat 501 hinweg
verteilt wird, wobei auf Grund des Zustands mit geringer Viskosität ein zuverlässiges Füllen der
Kontaktlochöffnung 551 erreicht
wird. In einigen Fällen
werden zusätzliche
Behandlungen ausgeführt,
beispielsweise Aufheizen des Substrats 501, um damit ein
zuverlässiges
Füllen des
unteren Teils der Kontaktlochöffnung 551 zu
gewährleisten.
Danach kann das Material 561 ausgehärtet werden, und ein Oberflächenreinigungsprozess
kann ausgeführt
werden, um Reste des Materials 561 von freiliegenden Oberflächenbereichen
der Schicht 550 zu entfernen. Danach kann ein weiteres Füllmaterial
vorgesehen werden, das komplementär zu dem Material 561 in
Bezug auf ein entsprechendes Ätzsteuermaterial
ist, wie zuvor erläutert
ist. D. h., wenn das Material 561 eine entsprechende Komponente
aufweist, die eine unterscheidbare Emissionswellenlänge aufsendet,
weist das nachfolgende Füllmaterial
eine derartiges Material nicht auf, und umgekehrt.
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5b zeigt
schematisch das Bauelement 500 in einem weiter fortgeschrittenen
Herstellungsstadium. Ein zweites Füllmaterial 503 ist
in einem oberen Bereich der Kontaktlochöffnung 551 ausgebildet
und kann ebenso eine entsprechende Schicht 503a zum Bereitstellen
einer im Wesentlichen ebenen Oberflächentopographie definieren.
Wie zuvor erläutert
ist, kann das Material 503 zusätzlich für die gewünschte ARC-Wirkung sorgen.
Des weiteren ist eine Lackmaske 564 über der Schicht 503a ausgebildet
und kann eine entsprechende Öffnung 564a aufweisen,
die im Wesentlichen die lateralen Abmessungen eines in dem oberen
Bereich der Schicht 550 zu bildenden Grabens definiert.
Das Material 503 und die Schicht 503a können auf
der Grundlage gut etablierter Verfahren hergestellt werden, etwa
durch Abscheiden mittels Aufschleudern und dergleichen, wie dies
im Stand der Technik bekannt ist. Des weiteren wird die Lackmaske 564 auf
der Grundlage gut etablierter Photolithographieverfahren hergestellt.
Das Bauelement 500 unterliegt einem anisotropen Ätzprozess 565,
wobei gut etablierte Ätzrezepte
eingesetzt werden. Während
des Voranschreitens der entsprechenden Ätzfront führt eine Grenzfläche 561s zwischen
dem Material 503 und dem Material 561 zu einer
entsprechenden Änderung
der Zusammensetzung der Gasumgebung auf Grund eines zunehmenden
Freisetzens eines Indikatormaterials oder auf Grund eines abrupten
Stoppens des Freisetzens eines Indikatormaterials, abhängig davon,
ob das entsprechende Material in dem Material 503 oder 561 vorgesehen
ist. Es sollte beachtet werden, dass der effektive Bereich der Grenzfläche 561s relativ
klein ist im Vergleich zu dem Gesamtbereich, der während des
Prozesses 561 zu ätzen
ist, d. h. die entsprechende Grabenunterseitenfläche ist deutlich größer als
entsprechende Kontaktlöcher,
die in dem entsprechenden Graben zu bilden sind, die jedoch dennoch für ein zuverlässiges Endpunkterkennungssignal
sorgen, da eine entsprechende exotische Komponente mit einer ausreichend
hohen Konzentration vorgesehen werden kann.
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Da
die Ätzrate
in dem Material 503 nicht notwendigerweise die gleiche
ist wie die Ätzrate
in dem Material der Schicht 550, kann die entsprechende Tiefe 562 so
ausgewählt
sein, dass eine entsprechende Korrelation zwischen den unterschiedlichen Ätzraten
berücksichtigt
wird. Wenn beispielsweise die Ätzrate
in dem Material 503 größer ist
im Vergleich zu der Ätzrate
in der Schicht 550, kann die entsprechend Tiefe 562 größer gewählt werden
als eine Solltiefe des entsprechenden Grabens, der in dem oberen
Bereich des Materials 550 zu ätzen ist. Wenn in ähnlicher
Weise die Ätzrate
geringer ist, kann die entsprechende spezifizierte Tiefe 562 kleiner
gewählt werden
im Vergleich zur eigentlichen Solltiefe des zu bildenden Grabens.
Dieser zuletzt genannte Fall ist schematisch in 5b gezeigt,
wobei die spezifizierte Tiefe 562 geringer ist als die
Solltiefe 562a, die in dem Material der Schicht 550 erforderlich
ist.
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5c zeigt
schematisch das Bauelement 500 in einem weiter fortgeschrittenen
Herstellungsstadium. Hier hat die Ätzfront in dem Material 561 die Grenzfläche 561s erreicht,
wodurch die entsprechende Sorte in die Ätzumgebung freigesetzt wird
oder wobei ein Freisetzen des Ätzsteuermaterials
beendet wird, wie dies in dem Material 503 vorgesehen ist, wobei
dies zuverlässig
erkannt werden kann, selbst wenn die Gesamtfläche der Grenzfläche 561s lediglich
einen kleinen Anteil der gesamten geätzten Fläche repräsentiert. Für das zuvor beschriebene Beispiel,
d. h. einer höheren Ätzrate des
Materials 550, kann die Ätz front die gewünschte Solltiefe 562a in der
Schicht 550 erreichen, wenn die Grenzfläche 561 erreicht wird.
Es sollte beachtet werden, dass eine entsprechende Korrelation zwischen
den entsprechenden Ätzraten
in den Materialien 503 und 550 effizient im Voraus
auf der Grundlage entsprechender Untersuchungen, und dergleichen
ermittelt werden kann.
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Folglich
kann ein hohes Maß an Ätzsteuerbarkeit
erreicht werden, wobei gleichzeitig ein hohes Maß an Kompatibilität mit konventionellen
Vorgehensweisen mit „Kontaktloch
zuerst-Graben zuletzt" erreicht wird. Des
weiteren kann eine negative Wechselwirkung des Ätzsteuermaterials mit der Schicht 550 vermieden
oder zumindest deutlich reduziert werden.
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Mit
Bezug zu den 6a und 6b werden
weitere anschauliche Ausführungsformen
beschrieben, in denen eine verbesserte Ätzsteuerung für einen Ätzprozess
erreicht wird, um ein Halbleitergebiet zu vertiefen.
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Ein
Halbleiterbauelement 600 umfasst ein Substrat 601, über welchem
eine Halbleiterschicht 605 gebildet ist, die beispielsweise
ein siliziumbasiertes Material repräsentieren kann. Des weiteren
ist über
der Halbleiterschicht 605 ein Schaltungselement, etwa ein
Feldeffekttransistor 610 in einer frühen Fertigungsphase vorgesehen.
In dieser Phase kann das Schaltungselement 610 eine Gateelektrode 611 aufweisen,
die über
der Halbleiterschicht 605 ausgebildet und davon durch eine
Gateisolationsschicht 612 getrennt ist. Des weiteren ist
die Gateelektrode 611 von einer Deckschicht 613 und
einem entsprechenden Seitenwandabstandshalter 614 umschlossen.
Beispielsweise sind der Abstandshalter 614 und die Deckschicht 613 aus
einem beliebigen geeigneten dielektrischen Material, etwa Siliziumnitrid,
Siliziumdioxid, und dergleichen hergestellt, das als ein effizientes Ätz- und
Epitaxiewachstumsmaskenmaterial während der nachfolgenden Beareitung des
Bauelements 600 dienen kann. Bekanntlich kann eine Verformung
in einem Kanalgebiet 615 des Feldeffekttransistors 610 effizient
die Ladungsträgerbeweglichkeit
modifizieren, wodurch ein effizientes Mittel zum Verbessern des
Gesamtleistungsverhaltens von Feldeffekttransistoren bereitgestellt
ist. In einigen Vorgehensweisen wird daher ein verformtes Halbleitermaterial
benachbart zu dem Kanalgebiet 615 gebildet, indem eine
entsprechende Vertiefung oder Aussparung hergestellt wird und darin
ein verformtes Halbleitermaterial epitaktisch aufgewachsen wird, etwa
Silizium/Germanium, Silizium/Kohlenstoff, und dergleichen, abhängig von
der Art der in dem Kanalgebiet 615 gewünschten Verformung. Während des entsprechenden Ätzprozesses
zur Herstellung der Vertiefung kann daher eine verbesserte Steuerbarkeit
deutlich die Gesamtprozessgleichförmigkeit und damit die Gleichförmigkeit
des entsprechenden Leistungszuwachses des Bauelements 610 verbessern. Folglich
wird erfindungsgemäß ein Implantationsprozess 660 ausgeführt, um
damit eine spezifizierte Implantationssorte 661 an einer
spezifizierten Tiefe 662 einzubauen. Im Hinblick auf die
Eigenschaften des Implantationsprozesses 660 gelten die
gleichen Kriterien, wie sie zuvor erläutert sind.
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6b zeigt
schematisch das Bauelement 660 in einer weiter fortgeschrittenen
Fertigungsphase, wobei das Bauelement 660 einen Ätzprozess 665 zur
Herstellung entsprechender Aussparungen 667 benachbart
zu dem Kanalgebiet 615 unterzogen wird. Während des Ätzprozesses 665 bewegt
sich die Ätzfront
in Richtung auf das Ätzsteuermaterial 661, wovon
Komponenten in die Ätzatmosphäre freigesetzt
werden und mittels eines entsprechenden optischen Endpunkterkennungssystems
erfasst werden, wie dies zuvor verläutert ist. Folglich kann die
Gleichförmigkeit
von Substrat zu Substrat effizient verbessert werden, wie dies zuvor
beschrieben ist.
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In
anderen anschaulichen Ausführungsformen
ist die Implantationssorte 661 so ausgewählt, dass
das Ätzverhalten
der Halbleiterschicht 605 lokal deutlich geändert wird,
um damit ein gewisses Maß an Ätzstoppverhalten
bereitzustellen. Beispielsweise kann während des Implantationsprozesses 660 Sauerstoff
in die Halbleiterschicht 605 eingebaut werden, wenn diese
beispielsweise einen merklichen Anteil an Silizium aufweist. Danach
kann eine Wärmebehandlung
ausgeführt
werden, um lokal Siliziumdioxid an der spezifizierten Tiefe 662 zu
bilden, das als eine effiziente Ätzindikatorschicht
und/oder Ätzstoppschicht
während
des Prozesses 665 dienen kann. Folglich kann sogar eine
verbesserte Substrat interne Gleichförmigkeit des Ätzprozesses 665 auf
Grund der Ätzstoppeigenschaften
der Sorte 661 erreicht werden. Es sollte beachtet werden,
dass entsprechende Implantationsprozesse zum Einführen einer hohen
Konzentration an Sauerstoff im Stand der Technik etabliert sind
und für
den Prozess 660 eingesetzt werden können.
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Es
gilt also: Die vorliegende Erfindung ermöglicht das Einbauen eines Ätzsteuermaterials
in Materialschichten, die zu strukturieren sind, nach dem Herstellen
der Schicht, wobei eine Wechselwirkung des Ätzsteuermaterials mit der Materialschicht auf
geringem Niveau gehalten werden kann, oder im Wesentlichen vollständig vermieden
werden kann, wobei dennoch ein ausgeprägtes Endpunkterkennungssignal
bereitgestellt wird. In einigen anschauli chen Ausführungsformen
wird das entsprechende Ätzsteuermaterial
in lateral beschränkter
Weise eingebaut, wodurch eine Wechselwirkung mit dem verbleibenden
Material noch weiter reduziert wird. In anschaulichen Ausführungsformen
wird das Ätzsteuermaterial
durch Ionenimplantation eingebaut, wodurch ein hohes Maß an Prozessgleichförmigkeit
und Flexibilität
bei der Auswahl des Ätzsteuermaterials
geboten wird, da eine breite Klasse an Materialien in aktuell verfügbaren Implantationsanlagen
verarbeitet werden kann, wodurch sogar die Auswahl sehr „exotischer" Kandidaten möglich ist.
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Weitere
Modifizierungen und Variationen der vorliegenden Erfindung werden
für den
Fachmann angesichts dieser Beschreibung offenkundig. Daher ist diese
Beschreibung als lediglich anschaulich und für die Zwecke gedacht, dem Fachmann
die allgemeine Art und Weise des Ausführens der vorliegenden Erfindung
zu vermitteln. Selbstverständlich
sind die hierin gezeigten und beschriebenen Formen der Erfindung
als die gegenwärtig
bevorzugten Ausführungsformen
zu betrachten.