DE102005040527A1 - Halbleitervorrichtung, ihr Herstellungsverfahren und Elektronikkomponenteneinheit - Google Patents

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Junichi Sonoda
Seiichiro Kobayashi
Kazuyuki Yoshimizu
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Stanley Electric Co Ltd
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Abstract

Ein LED-Chip mit ersten und zweiten Elektroden an gegenüberliegenden Hauptoberflächen wird mit einem Substrat mittels einer zusammengesetzten Verbindungsschicht verbunden. Die zusammengesetzte Verbindungsschicht wird gebildet, wenn ein Trägersubstrat einschließlich des Substrats und einer ersten Verbindungsschicht mit einer Schichtstruktur einschließlich der LED, der ersten Elektrode und einer zweiten Verbindungsschicht verbunden wird. Die erste und die zweite Verbindungsschicht enthalten mindestens Teile einer eutektischen Zusammensetzung. Das Trägersubstrat und/oder die Schichtstruktur umfasst bzw. umfassen eine Diffusionsmaterialschicht. Die zusammengesetzte Verbindungsschicht wird dergestalt gebildet, dass Anteile eutektischen Materials mit dem anderen gemischt werden, um ein erstes Gemisch zu bilden und so, dass das erste Gemisch mit Diffusionsmaterial gemischt wird, um ein zweites Gemisch mit einem Schmelzpunkt zu bilden, welcher höher ist als ein Schmelzpunkt des ersten Gemisches.

Description

  • Diese Anmeldung beruht auf und beansprucht die Priorität der Japanischen Patentanmeldung Nr. 2004-267159, angemeldet am 14. September 2004, deren gesamter Inhalt hiermit vollinhaltlich einbezogen wird.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • A) GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung, ihr Herstellungsverfahren und eine Elektronikkomponenteneinheit.
  • Halbleiterleuchtvorrichtungen sind vorgeschlagen worden, welche die Struktur aufweisen, dass eine Halbleiterleuchtschicht mit einem leitfähigen Substrat verbunden ist (siehe beispielsweise Japanische Patentveröffentlichungsschriften Nr. 2001-189490, Nr. 2001-44491, Nr. 2002-217450, Nr. HEI-5-251739 sowie US 5,917,202 , welche hiermit durch Bezug einbezogen sind).
  • 19 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche ein Beispiel für eine herkömmliche Halbleiterleuchtvorrichtung 61 mit der Struktur zeigt, dass eine Halbleiterleuchtschicht mit einem leitfähigen Substrat verbunden ist. Eine aus Metall hergestellte Reflexionsschicht 68 ist auf einem leitfähigen Trägersubstrat 63 aufgestapelt, z. B. einem Si-Substrat, das stark mit Fehlstellen vom n-Typ dotiert ist. Auf dieser Reflexionsschicht 68 sind eine Mantelschicht 66 vom n-Typ mit einer Potenzialbarrierefunktion aus Löchern, eine aktive Schicht 65 zum Aussenden von Licht bei Rekombination von Löchern und Elektronen so wie eine Mantelschicht 64 vom p-Typ mit einer Potenzialbarrierefunktion aus Elektronen in dieser Reihenfolge vom Boden aus epitaktisch aufgebracht. Auf der Mantelschicht 64 vom p-Typ ist eine p-seitige ohmsche Elektrode 62 ausgebildet. Eine n-seitige optische Ausgabeelektrode 67 ist auf dem leitfähigen Trägersubstrat 63 auf der der Reflexionsschicht 68 gegenüber liegenden Seite ausgebildet.
  • In der aktiven Schicht 65 erzeugtes Licht, das auf die Reflexionsschicht 68 auftrifft, bevor es das leitfähige Trägersubstrat 63 erreicht, wird durch die Reflexionsschicht 68 reflektiert und von der Halbleitervorrichtung 61 ausgegeben. Falls die Reflexionsschicht 68 durch Verringern einer Winkelabhängigkeit eines Reflexionsvermögens hergestellt wird, kann ein optischer Ausgabewirkungsgrad verbessert werden.
  • 20A bis 20D sind schematische Darstellungen, die ein Herstellungsverfahren für die in 19 gezeigte Halbleiterleuchtvorrichtung 61 zeigen.
  • Nun wird sich auf 20A bezogen. Eine Reflexionsschicht 68 wird auf einem leitfähigen Trägersubstrat 63 ausgebildet, um ein erstes Substrat 70 zu bilden.
  • Nun wird sich auf 20B bezogen. Auf einem vorübergehenden Substrat (Aufwuchssubstrat) 69, das beispielsweise aus GaAs gemacht ist, werden eine Mantelschicht 64 vom p-Typ, eine aktive Schicht 65 und eine Mantelschicht 66 vom n-Typ in dieser Reihenfolge von dem Boden bzw. von unten epitaktisch aufgebracht, um ein zweites Substrat 71 zu bilden.
  • Nun wird sich auf 20C bezogen. Das in 20A gezeigte erste Substrat 70 wird mit dem in 20B gezeigten zweiten Substrat 71 verbunden, wobei die Metallschicht 68 an der Mantelschicht 66 vom n-Typ haftet.
  • Nun wird sich auf 20D bezogen. Nachdem das vorübergehende Substrat 69 entfernt wurde, wird eine p-seitige ohmsche Elektrode 62 auf der Mantelschicht 64 vom p-Typ ausgebildet, und eine n-seitige optische Ausgabeelektro de 67 wird auf dem leitfähigen Trägersubstrat 63 auf der der Reflexionsschicht 68 gegenüberliegenden Seite ausgebildet.
  • In einer Vorrichtung mit dieser Verbundstruktur werden ohmsche Elektroden nach einem Verbindungsprozess bzw. -ablauf ausgebildet. Da die Vorrichtung bei einer höheren Temperatur (ungefähr 400 °C bis 500 °C) geheizt wird als derjenigen einer Verbindungs- bzw. Bonding-Temperatur, um die ohmschen Kontakte auszubilden, wird eine Verbindungsschicht aus verbindendem eutektischen Material oder Lot erneut aufgeheizt und verflüssigt, so dass ein Abschälen (einschließlich eines "Aufschwimmens" nichtvollständiger Abschälungen) auftreten kann. Das Abschälen wird der Grund für eine niedrigere Zuverlässigkeit.
  • Die Reflexionsschicht 68 hat einen ohmschen Kontakt mit der Mantelschicht 66 vom n-Typ, wodurch eine n-seitige Elektrodenfunktion bereitgestellt wird. Es existiert eine schwerwiegende Abwägung zwischen guten Reflexionseigenschaften und gutem ohmschen Kontakt. Um einen ohmschen Kontakt zu bilden, ist ein Legierungsprozess notwendig. Jedoch diffundiert während des Legierens Elektrodenmaterial, und ein Reflexionsvermögen wird herabgesetzt.
  • Lot oder eutektisches Material (nicht gezeigt) wird verwendet, um das erste Substrat 70 und das zweite Substrat 71 miteinander haften zu lassen (zu verbinden). Falls Lot oder eutektisches Material in die Reflexionsschicht eindringt, werden die Reflexionseigenschaften der Reflexionsschicht verschlechtert. Zusätzlich zu diesem Problem tritt das weitere Problem des Aufkugelns bzw. Krümmens ("ball-up") des Lots oder eutektischen Materials auf dem Substrat 70 auf, falls das Substrat 70 größer als das Substrat 71 ist, wenn die beiden Substrate 70 und 71 miteinander verbunden werden.
  • US 5,917,202 schlägt die Struktur einer Halbleiterleuchtvorrichtung vor, in welcher eine Trenn- bzw. Barriereschicht und eine Lotverbindungsschicht zwischen einer Reflexionsschicht und einer Lotschicht eingebracht sind. Die Trennschicht ist aus Wolfram (W) oder Molybdän (Mo) gemacht und verhindert eine Ele mentdiffusion, und die Lotverbindungsschicht ist aus Nickel (Ni) gemacht und verbessert eine starke Haftung.
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  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Es ist eine Aufgabe dieser Erfindung, eine Halbleitervorrichtung hoher Qualität, ihr Herstellungsverfahren und eine Elektronikkomponenteneinheit bereitzustellen.
  • Gemäß eines Aspekts der vorliegenden Erfindung wird ein Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung bereitgestellt, welches die folgenden Schritte umfasst: (a) Herstellen eines ersten Substrats; (b) Bilden einer ersten Verbindungsschicht oberhalb des ersten Substrats, um ein Trägersubstrat zu bilden; (c) Herstellen eines zweiten Substrats; (d) Herstellen einer Halbleiterschicht auf dem zweiten Substrat; (e) Bilden einer zweiten Verbindungsschicht oberhalb der Halbleiterschicht, um eine Halbleiterschichtstruktur zu bilden; (f) Bilden einer Diffusionsmaterial enthaltenden Diffusionsmaterialschicht mittels eines Schritts (f1) des Bildens der Diffusionsmaterialschicht oberhalb des ersten Substrats bzw. Bilden der ersten Verbindungsschicht oberhalb der Diffusionsmaterialschicht in Schritt (b), und/oder mittels eines Schritts (f2) des Bildens der Diffusionsmaterialschicht oberhalb der Halbleitermaterialschicht bzw. Bilden der zweiten Verbindungsschicht oberhalb der Diffusionsmaterialschicht in Schritt (e); und (g) Bilden der ersten Verbindungsschicht des Trägersubstrats und der zweiten Verbindungsschicht der Halbleiterschichtstruktur, um einen Verbindungskörper zu bilden, wobei Schritt (g) einen Schritt (g1) des Bildens eines ersten Mischungskörpers durch Mischen der ersten und zweiten Verbindungsschichten enthält, wobei die erste oder zweite Verbindungsschicht ein eutektisches Material enthält, sowie einen Schritt (g2) des Bildens eines zweiten Mischungskörpers durch Mischen des ersten Mischungskörpers und des Diffusionsmaterials der Diffusionsmaterialschicht, wobei der zweite Mischungskörper einen Schmelzpunkt aufweist, der höher ist als ein Schmelzpunkt des ersten Mischungskörpers.
  • Gemäß des Herstellungsverfahrens für eine Halbleitervorrichtung kann eine Halbleitervorrichtung hoher Qualität mit einer verbesserten starken Haftung während eines Heizprozesses nach einem Verbinden hergestellt werden.
  • Gemäß eines weiteren Aspekts der vorliegenden Erfindung wird eine Halbleitervorrichtung bereitgestellt, welche umfasst: ein Substrat; eine oberhalb des Substrats ausgebildete zusammengesetzte Verbindungsschicht; eine oberhalb der zusammengesetzten Verbindungsschicht ausgebildete erste Elektrode; eine in einem Bereich einschließlich einer Oberfläche der ersten Elektrode ausgebildete Halbleiterschicht; und eine in einem Teiloberflächenbereich der Halbleiterschicht ausgebildete zweite Elektrode, worin: die zusammengesetzte Verbindungsschicht ausgeformt wird, wenn ein Trägersubstrat einschließlich des Substrats und eine erste Verbindungsschicht mit einer Halbleiterschichtstruktur einschließlich der Halbleiterschicht, der ersten Elektrode und einer zweiten Verbindungsschicht verbunden werden; und wobei die erste und zweite Verbindungsschicht Anteile an eutektischem Material enthalten; und wobei mindestens das Trägersubstrat und/oder die Halbleiterschichtstruktur eine Diffusionsmaterialschicht umfassen, welche Diffusionsmaterial enthält; und wobei die zusammengesetzte Verbindungsschicht dergestalt ausgebildet ist, dass in einer der ersten und der zweiten Verbindungsschicht enthaltene Eutektikmaterialanteile mit den anderen gemischt werden, um einen ersten Mischungskörper zu bilden, und dass der erste Mischungskörper mit Diffusionsmaterial gemischt wird, welches in der Diffusionsmaterialschicht enthalten ist, um einen zweiten Mischungskörper zu bilden, welcher einen Schmelzpunkt aufweist, der höher ist als ein Schmelzpunkt des ersten Mischungskörpers.
  • Diese Halbleitervorrichtung hat einen guten ohmschen Kontakt, kann ein Verkrümmen ("Ball-up") und eine Verschlechterung der Elektrodenfunktion verhindern und hat eine verbesserte starke Haftung während eines Heizprozesses nach dem Verbinden.
  • Gemäß eines weiteren Aspekts der vorliegenden Erfindung wird eine Elektronikkomponenteneinheit bereitgestellt, welche umfasst: eine Basis bzw. einen Sockel; eine oberhalb des Substrats ausgebildete zusammengesetzte Verbindungsschicht; und eine oberhalb der zusammengesetzten Verbindungsschicht ausgebildete elektronische Komponente, wobei: die zusammengesetzte Verbindungsschicht ausgebildet wird, wenn ein Basiselement einschließlich der Basis und eine erste Verbindungsschicht mit einem Elektronikkomponentenelement einschließlich der elektronischen Komponente und einer zweiten Verbindungsschicht verbunden werden; wobei die erste oder die zweite Verbindungsschicht Eutektikmaterialanteile enthält; das Basiselement und/oder das Elektronikkomponentenelement eine Diffusionsmaterial enthaltende Diffusionsmaterialschicht umfassen; und die zusammengesetzte Verbindungsschicht dergestalt ausgebildet ist, dass die Eutektikmaterialanteile, die in einer ersten und zweiten Verbindungsschicht enthalten sind, mit den anderen verbunden werden, um einen ersten Mischungskörper zu bilden, und dass der erste Mischungskörper mit dem in der Diffusionsmaterialschicht enthaltenen Diffusionsmaterial gemischt wird, um einen zweiten Mischungskörper zu bilden, welcher einen Schmelzpunkt hat, der höher ist als ein Schmelzpunkt des ersten Mischungskörpers.
  • Diese Elektronikkomponenteneinheit hat eine hohe Qualität und eine verbesserte starke Haftung während eines Heizprozesses nach einem Verbinden.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, eine Halbleitervorrichtung hoher Qualität, ihr Herstellungsverfahren und eine Elektronikkomponenteneinheit bereitzustellen.
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  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1A bis 1H sind schematische Querschnittsansichten, welche ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterleuchtvorrichtung zeigen.
  • 2A bis 2C sind Darstellungen, welche die Struktur einer Halbleiterleuchtschicht 22 einer in 1E gezeigten Halbleiterschichtstruktur 31 zeigen.
  • 3 ist eine Rasterelektronenmikroskop (Scanning Typ Electron Microscope; REM)-Aufnahme einer Halbleiterleuchtvorrichtung, welche mittels des in Bezug auf die 1A bis 1H beschriebenen Verfahrens hergestellt wurde.
  • 4 bis 7 sind rasterelektronenmikroskopische (REM) Aufnahmen, welche die Diffusionszustände von Ta, Al, Au bzw. Sn auf einer in 3 gezeigten rasterelektronenmikroskopischen (REM) Aufnahme zeigen.
  • 8 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Halbleiterleuchtvorrichtung, welche mittels des in Bezug auf die 1A bis 1H beschriebenen Verfahrens hergestellt wurde.
  • 9 und 10 sind mikroskopische Aufnahmen von reflektierenden Elektrodenschichten von Halbleiterleuchtvorrichtungen.
  • 11 und 12 sind mikroskopische Aufnahmen von reflektierenden Elektrodenschichten von Vergleichsbeispielen der Halbleiterleuchtvorrichtung.
  • 13A bis 13C bis zu 17A bis 17C sind schematische Querschnittsansichten, welche Herstellungsverfahren für erste bis fünfte Halbleiterleuchtvorrichtungen zeigen, mit Effekten ähnlich denen einer Halbleiterleuchtvorrichtungen, die durch das in Bezug auf die 1A bis 1H gezeigte Verfahren hergestellt worden ist.
  • 18A bis 18C sind schematische Querschnittsansichten, welche ein Herstellungsverfahren einer Halbleiterleuchtvorrichtung mit sowohl einer Elektrode als auch Reflexionsschichten zeigt.
  • 19 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche ein Beispiel einer herkömmlichen Halbleiterleuchtvorrichtung zeigt.
  • 20A bis 20D sind schematische Querschnittsansichten, welche ein Herstellungsverfahren für die in 19 gezeigte Halbleiterleuchtvorrichtung 61 zeigen.
  • 21A bis 21C sind schematische Querschnittsansichten, welche ein Herstellungsverfahren für eine sechste Halbleiterleuchtvorrichtung mit Effekten ähnlich denen einer Halbleiterleuchtvorrichtung, die mittels der in Bezug auf die 1A bis 1H gezeigten Verfahrens hergestellt wurde, zeigen.
  • 22 ist eine mikroskopische Aufnahme einer mittels des in Bezug auf die 1A bis 1H gezeigten Verfahrens hergestellten Halbleiterleuchtvorrichtung, wie von der Seite einer Vorderelektrode 28 nach einem Trennverfahren ("dicing") aus gesehen.
  • 23 ist eine mikroskopische Aufnahme eines Vergleichsbeispiels einer Halbleiterleuchtvorrichtung, wie von der Seite einer Vorderelektrode 28 nach einem Trennverfahren aus gesehen.
  • 24A bis 24D sind schematische Querschnittsansichten, welche ein Herstellungsverfahren für Elektronikkomponenteneinheiten zeigen.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Untersuchungen bezüglich der Japanischen Patentanmeldung Nr. 2003-088181, welche von den vorliegenden Erfindern vorgeschlagen wurden, wurden energisch betrieben, und die vorliegende Anmeldung schlägt eine Halbleitervorrichtung hoher Qualität, ihr Herstellungsverfahren und eine Elektronikkomponenteneinheit vor.
  • Die 1A bis 1H sind schematische Querschnittsansichten, welche ein Herstellungsverfahren für eine Halbleiterleuchtvorrichtung zeigen.
  • Nun wird sich auf 1A bezogen. Eine Au-Schicht 12 wird auf beiden Oberflächen eines leitfähigen Substrats 11 gebildet, das beispielsweise aus Si hergestellt ist, welches stark mit Fehlstellen vom n- oder p-Typ dotiert ist, und zwar mittels Aufdampfung, und welches bei 400 °C in einer Stickstoffatmosphäre legiert wird. Eine Dicke der Au-Schicht 12 beträgt beispielsweise 150 bis 600 nm. Eine der Au-Schichten 12 hat eine Dicke von 150 nm und die andere hat eine Dicke von 600 nm. Bei diesem Legierungsablauf wird das leitfähige Substrat 11 mit den Au-Schichten 12 integriert, wodurch sich ohmsche Kontakte bilden.
  • Es ist daher möglich, ein Abschälen der Au-Schichten 12 vom leitfähigen Substrat 11 zu verhindern und eine Halbleiterleuchtvorrichtung mit guten ohmschen Kontakten, einer langen Lebensdauer und einer hohen Zuverlässigkeit bereitzustellen. Es ist auch möglich, die Haltbarkeit in einem folgenden Prozess nach einem Legierungsprozess in Halbleiterherstellungsabläufen bzw. -prozessen zu verbessern.
  • Das leitfähige Substrat 11 kann andere Materialien als Si mit einer Leitfähigkeit und einer hohen Wärmeleitfähigkeit verwenden, wie beispielsweise Cu.
  • Auf der Au-Schicht 12 (mit einer Dicke von 150 nm) wird eine Ti-Schicht 13 ausgebildet, und eine Ni-Schicht 14 wird auf der Ti-Schicht 13 ausgebildet, und zwar mittels Elektronenstrahlaufdampfens [EB ("electron beam"; Elektronen strahl) – Verfahren]. Die Ti-Schicht 13 hat eine Dicke von 100 bis 200 nm, und die Ni-Schicht 14 hat eine Dicke von 50 bis 150 nm. Die Ti-Schicht 13 und die Ni-Schicht 14 wurden auf 150 nm bzw. 100 nm festgesetzt.
  • Nun wird sich auf 1B bezogen. Eine AuSn-Schicht 15 wird auf die Ni-Schicht 14 durch ein Widerstandsheiz-aufdampfverfahren aufgedampft. Die AuSn-Schicht 15 hat eine Dicke von 600 bis 3000 nm. Die AuSn-Schicht 15 wurde auf 2000 nm festgesetzt. Die Zusammensetzung der AuSn-Schicht 15 ist vorteilhafterweise so, dass Au : Sn = ca. 80 Gew.-% : 20 Gew.-% (= ca. 70 at ca. 30 at%). Die AuSn-Schicht 15 hat diese Zusammensetzung. AuSn ist ein eutektisches Material. Falls die AuSn-Schicht 15 AuSn als ihre Hauptkomponente enthält, kann AuSn Additive enthalten.
  • Die Ti-Schicht 13, die Ni-Schicht 14 und die AuSn-Schicht 15 können durch Sputtern aufgedampft werden.
  • Eine Schichtstruktur aus dem leitfähigen Substrat 11, der Au-Schicht 12, der Ti-Schicht 13, der Ni-Schicht 14 und der AuSn-Schicht 15 wird ein Trägersubstrat 30 genannt.
  • Das Trägersubstrat 30 hat die Ti-Schicht 13 und die Ni-Schicht 14. Wegen Effekten der Ti-Schicht, welche die starke Haftung verbessern, und wegen Effekten der Ni-Schicht, welche die Benetzbarkeit verbessern, ist möglich, eine ausreichende Verlässlichkeit der starken Haftung des Endproduktes des leitfähigen Substrats zu erzielen. Sogar falls das leitfähige Substrat in einem späteren Prozessschritt auf ca. 280 °C (einer eutektischen Temperatur) aufgeheizt wird, bei der die AuSn-Schicht 15 schmilzt, ist es möglich, ein Verkrümmen ("Ball-up") der AuSn-Schicht 15 auf dem Trägersubstrat 30 zu verhindern. Das sog. "Ball-up" ist das Phänomen, dass dann, wenn einmal bei einer eutektischen Temperatur oder höher verflüssigtes AuSn bei sinkender Temperatur wieder verfestigt wird, AuSn auf dem Trägersubstrat 30 getrennt wird und teilweise anschwillt.
  • Statt der Ni-Schicht 14 können eine NiV-Schicht oder eine Pt-Schicht auf der Ti-Schicht ausgebildet werden, um die verkrümmungsverhindernden Effekte bereitzustellen.
  • Nun wird sich auf 1C bezogen. Als nächstes wird ein Halbleitersubstrat 21 hergestellt, dessen Gitter zu einer Halbleiterleuchtschicht 22 passen kann, die epitaktisch auf dem Halbleitersubstrat aufgewachsen ist. Durch Einschießen von Elektronen und Löchern in die Halbleiterleuchtschicht 22 kann diese Schicht Licht mit einer Wellenlänge aussenden, die dem Halbleiter inhärent ist.
  • Ein GaAs-Substrat wurde als das Halbleitersubstrat 21 verwendet. Die Mehrfach-Quantentopfstruktur der Halbleiterleuchtschicht 22 wird durch abwechselndes Stapeln einer Trennschicht und einer Topfschicht aus AlGalnP-enthaltenden Verbindungshalbleitern mit verschiedenen Zusammensetzungen gebildet. Die Halbleiterleuchtschicht 22 kann aus einer homo-pn-Übergangsstruktur, einer Doppelhetero (DH)-Struktur oder einer Einzelhetero ("single hetero";SH)-Struktur aufgebaut sein. Die Struktur der zwischen den Mantelschichten vom n-Typ und vom p-Typ eingefügten Halbleiterleuchtschicht wird auch eine Halbleiterleuchtschicht genannt. Die Halbleiterleuchtschicht 22 wird weiter unten genauer beschrieben.
  • Nun wird sich auf 1D bezogen. Eine reflektierende Elektrodenschicht 23 wird auf der Halbleiterleuchtschicht 22 ausgebildet. Die reflektierende Elektrodenschicht 23 einer hergestellten Halbleiterleuchtvorrichtung dient nicht nur als eine Elektrode sondern auch als eine Reflexionsschicht zum Reflektieren des von der Halbleiterleuchtschicht 22 zu der der optischen Ausgangsseite gegenüberliegenden Seite ausgestrahlten Lichts zur optischen Ausgabenseite, um dadurch den optischen Ausgabewirkungsgrad der Halbleiterleuchtvorrichtung zu verbessern.
  • Die reflektierende Elektrodenschicht 23 ist aus einem Metall gemacht, welches in der Lage ist, mit der Halbleiterleuchtschicht 22 einen ohmschen Kontakt zu bilden. Eine Oberflächenschicht der Halbleiterleuchtschicht 22 ist aus AlGalnP hergestellt, welches einen Verbundhalbleiter eines p-Typs enthält und eine p-seitige Elektrode mit einer Dicke von 300 nm wird unter Verwendung von AuZn gebildet. Die reflektierende Elektrodenschicht 23 wird auf der Halbleiterleuchtschicht 22 beispielsweise durch ein Widerstandsheiz-Aufdampfungsverfahren, ein Elektronenstrahl-Aufdampfungsverfahren (EB-Verfahren), ein Sputterverfahren oder dergleichen gebildet.
  • Nun wird sich auf 1E bezogen. Eine TaN-Schicht 24 aus Tantalnitrid (TaN) wird auf der reflektierenden Elektrodenschicht 23 bis zu einer Dicke von 100 nm abgeschieden, beispielsweise durch ein reaktives Sputterverfahren.
  • Ein Legierungsprozessablauf wurde durchgeführt, um einen guten ohmschen Kontakt zwischen der Halbleiterleuchtschicht 22 und der reflektierenden Elektrodenschicht 23 (p-seitige Elektrode) zu haben. Da AuZn als der AlGalnP-enthaltende Verbundhalbleiter vom p-Typ verwendet wurde, wurde eine Wärmebehandlung bei ungefähr 500 °C in einer Stickstoffatmosphäre durchgeführt.
  • Die TaN-Schicht 24 wird verwendet, um zu verhindern, dass eutektisches Material in die Seite der reflektierenden Elektrode 21 eindringt (diffundiert), wenn das Trägersubstrat 30 und die die Halbleiterleuchtschicht einschließende Struktur verbunden werden (Metallverbinden bzw. -bonden), und zwar durch Verwenden eines eutektischen Materials in einem späteren Prozessablauf.
  • Eine Al-Schicht 25 mit einer Dicke von 600 nm wird auf der TaN-Schicht 24 abgeschieden. Für diese Abscheidung kann ein Elektronenstrahl-Aufdampfungsverfahren (EB-Verfahren), ein Widerstandsheiz- Aufdampfungsverfahren oder dergleichen verwendet werden. Wie später beschrieben, trägt die Al-Schicht 25 zur Verbesserung der starken Haftung der Halbleiterleuchtvorrichtung, zur sich daraus ergebenden Verhinderung des Eindringens (Diffusion) eutektischen Materials (AuSn) in die Seite der reflektierenden Elektrodenschicht 23 aufgrund der Bildung einer AuSnAl-Legierung und zur damit zusammenhängenden Verbesserung der Qualität der Halbleiterleuchtvorrichtung bei.
  • Eine Ta (Tantal-) Schicht 26 von 100 nm Dicke wird auf der Al-Schicht 25 aufgedampft. Ein Elektronenstrahl-Aufdampfungsverfahren (EB-Verfahren) wird für diese Aufdampfung verwendet. Da Tantal ein hitzebeständiges Metall ist, ist eine Widerstandsheizverdampfung für den Verdampfungsvorgang nicht geeignet. Durch Verwenden des Elektronenstrahl-Aufdampfungsverfahrens (EB-Verfahrens) kann die Ta-Schicht einfach gebildet werden. Auch ein Sputterverfahren kann verwendet werden.
  • Wie später beschrieben, hat die Ta-Schicht 26 eine Funktion des Steuerns einer gegenseitigen Diffusion (Mischung) von AuSn in der AuSn-Schicht 15 und Al in der Al-Schicht 25, wenn das Trägersubstrat 30 mit der die Halbleiterleuchtschicht 22 enthaltende Struktur in einem späteren Prozessschritt verbunden (metallverbunden) wird.
  • Eine Au-Schicht 27 mit einer Dicke von beispielsweise 200 nm wird auf die Ta-Schicht 26 aufgestapelt. Die Au-Schicht 27 wird verwendet, um zusammen mit der AuSn-Schicht 15 des Trägersubstrats 30 eine Verbindungsschicht zu bilden, wenn das Trägersubstrat 30 mit der die Halbleiterleuchtschicht 22 einschließende Struktur in einem späteren Prozessschritt verbunden (metallverbunden) wird.
  • Eine Schichtstruktur aus dem Halbleitersubstrat 21, der Halbleiterleuchtschicht 22, der reflektierenden Elektrodenschicht 23, der TaN-Schicht 24, der Al-Schicht 25, der Ta-Schicht 26 und der Au-Schicht 27 wird eine Halbleiterschichtstruktur 31 genannt.
  • Nun wird sich auf 1 F bezogen. Als nächstes werden das Trägersubstrat 30 und die Halbleiterschichtstruktur 31 beispielsweise durch Metallverbinden bzw. – bonden verbunden. Das Metallverbinden ist ein Verbindungsverfahren des Aufheizens auf einen Schmelzpunkt eines eutektischen Materials und Anlegen eines Drucks, um das Trägersubstrat 30, das die AuSn-Schicht (eutektischen Schicht) 15 umfasst, und die Halbleiterschichtungsschicht bzw. -stapelschicht 31, die die Au-Schicht 27 umfasst, zu verbinden. Beide werden verbunden, weil die AuSn-Schicht 15 und die Au-Schicht 27 ein neues eutektisches Material (AuSn) bilden. Das Metallverbinden wurde durch starkes Haften und Halten der AuSn-Schicht 15 des Trägersubstrats 30 und der Au-Schicht 27 der Halbleiterschichtstruktur 31 unter einer Stickstoffatmosphäre für 10 Minuten bei 300 °C und bei einem Druck von ungefähr 1 MPa durchgeführt. Da das eutektische Material während des Verbindens schmilzt, wurden das Trägersubstrat 30 und die Halbleiterschichtstruktur 31 an einer vorbestimmten Position durch geeignetes Festhalten verbunden.
  • Das Verbindungsmaterial, die Atmosphäre und die Zeit sind nicht auf nur die oben beschriebenen Werte beschränkt, sondern jegliche andere Verbindungsmaterialien, Atmosphären, Verbindungstemperaturen und Zeiten können ebenfalls verwendet werden, falls diese Bedingungen das Trägersubstrat 30 und die Halbleiterschichtstruktur 31 durch Schmelzen des eutektischen Materials und ohne Ändern der Verbindungseigenschaften (z.B. ohne Erniedrigen einer Verbindungsstärke durch Oxidation oder dergleichen) verbinden können.
  • Nun wird sich auf 1G bezogen. Nachdem das Trägersubstrat 30 und die Halbleiterschichtstruktur 31 verbunden sind, wird das Halbleitersubstrat 21 (GaAs-Substrat) der Halbleiterschichtstruktur 31 entfernt. Das Halbleitersubstrat 21 wurde durch Nassätzen unter Verwendung eines gemischten Ätzmittels aus Ammoniak und Wasserstoffperoxyd entfernt. Entfernen des Halbleitersubstrats 21 (GaAs-Substrat) ist nicht auf Nassätzen beschränkt, sondern es können auch Trockenätzen, chemisch-mechanisches Polieren (CMP), mechanisches Polieren oder eine Kombination davon verwendet werden.
  • Die AuSn-Schicht 15 des Trägersubstrats 30 und die Au-Schicht 27 der Halbleiterschichtstruktur 31 werden durch das Metallverbinden in dem in Bezug auf 1F beschriebenen Prozessablauf verbunden. Eine während dieses Metallverbindens neu geformte AuSn-Schicht ist in 1G als eine Verbindungsschicht 29 gezeigt.
  • Nun wird sich auf 1H bezogen. Nachdem das Halbleitersubstrat 21 entfernt ist, werden vordere Elektroden 28 auf der Halbleiterleuchtschicht 22 ausgebildet, die auf der Oberfläche der Halbleiterleuchtvorrichtung freiliegen, wobei die vordere Elektrode in ohmschem Kontakt mit der Halbleiterleuchtschicht steht. Die Halbleiterleuchtschicht 22, auf welcher die vorderen Elektroden aufgedampft werden, ist ein Halbleiter vom n-Typ. Daher kann die Vorderelektrode 28 aus dem Material gemacht sein, das in der Lage ist, einen ohmschen Kontakt mit dem Halbleiter vom n-Typ zu bilden, wie beispielsweise AuSnNi, AuGeNi, AuSn und AuGe. In dieser Ausführungsform wurde AuSnNi verwendet.
  • Die Vorderelektrode 28 wird beispielsweise mittels eines Abziehverfahrens gebildet. Bei dem Abziehverfahren wird die Halbleiterleuchtschicht 22 mit einem Fotolack beschichtet und selektiv mittels einer Fotomaske belichtet, um ein Fotolackmuster mit einer Öffnung einer gewünschten Elektrodenform zu erlangen, dann wird Elektrodenmaterial aufgedampft und danach werden das Fotolackmuster und die Metallschicht auf dem Fotolackmuster entfernt. Aufdampfen des Elektrodenmaterials kann mittels eines Widerstandsheiz-Aufdampfungsverfahrens, eines Elektrodenstrahl-Aufdampfungsverfahrens (EB-Verfahren), eines Sputterverfahrens oder dergleichen durchgeführt werden.
  • Legieren durch Hitzebehandlung in einer Stickstoffatmosphäre bei ungefähr 400 °C wurde durchgeführt, um einen guten ohmschen Kontakt zwischen der Halbleiterleuchtschicht 22 und Vorderelektroden (n-seitigen Elektroden) 28 herzustellen.
  • Die Halbleiterleuchtvorrichtung wurde mittels der oben beschriebenen Prozessabläufe hergestellt.
  • Die vorliegenden Erfinder haben die Struktur der hergestellten Halbleiterleuchtvorrichtung untersucht. Dies wird weiter unten genauer beschrieben.
  • Eine Beschreibung wird unter dem Gesichtspunkt gegeben, dass das Trägersubstrat 30 die Ti-Schicht 13 und die Ni-Schicht 14 aufweist. Falls das Träger substrat 30 diese Schichten nicht hat und mittels Metallverbindens mit der Halbleiterschichtstruktur 31 verbunden wird, tritt erstens ein Abschälen zwischen dem Trägersubstrat 30 und der Halbleiterschichtstruktur 31 auf. Falls das Trägersubstrat 30 zweitens größer ist als die Halbleiterschichtstruktur 31 (im Unterschied zu der in 1G gezeigten Struktur), wird eine Krümmung bzw. eine Aufkugelung eutektischen Maierials auf dem Trägersubstrat 30 nach einem Verbinden gebildet. Dieses Krümmen bewirkt einen Defekt bei einem späteren fotolithografischen Ablauf. Beispielsweise verhindert in dem in Bezug auf 1H beschriebenen Prozessablauf getrenntes eutektisches Material die Fotolackoberfläche daran, stark an der Fotomaske zu haften. Es ist daher schwierig, die Vorderelektrode einer gewünschten Form mit einer Größe von 10 μm oder kleiner auszubilden. Sogar falls das Elektrodenmaterial zuerst auf der Halbleiterleuchtschicht 22 aufgedampft und dann mittels eines Fotolackmusters in eine gewünschte Elektrodenform gemustert wird, um danach unnötiges Elektrodenmaterial zu entfernen, existiert immer noch der Einfluss einer Krümmung, solange der Fotolithografie-Prozessschritt betroffen ist. Als ein einfaches Elektroden bildendes Verfahren ist ein bekanntes Lochmasken-Aufdampfungsverfahren bekannt. Bei diesem Verfahren ist es jedoch schwierig, eine Elektrode mit einer Größe von 10 μm oder kleiner mit hoher Genauigkeit herzustellen.
  • Die oben beschriebenen Probleme können durch Herstellen der Halbleiterleuchtvorrichtung unter Verwendung des Trägersubstrats 30 mit der Ti-Schicht 13 und der Ni-Schicht 14 vermieden werden.
  • Nun wird eine zusätzliche Beschreibung des Legierens des leitfähigen Substrats 11 und der Au-Schicht 12 gegeben. Bei ihrem effektiven Legieren ist die Oberflächenschicht der Au-Schicht 12 auf der Verbindungsseite mit der Halbleiterschichtstruktur 31 wichtig. Da die Oberflächenschicht auf der gegenüberliegenden Seite für Elektrodenverbindungen mittels sog. "Die-Bondens" bzw. Rohchip-Verbindens oder dergleichen verwendet wird, kann sie aus anderen Elektrodenmaterialien, wie beispielsweise Ti/TiN/Al, gemacht sein. Um die Abläufe zu vereinfachen, wird erwartet, das Einzelmaterial zu verwenden. Das Ma terial ist nicht auf Au beschränkt, sondern es können andere Materialien verwendet werden, welche einen ohmschen Kontakt mit Si bilden, wie beispielsweise Ni, Ti und Pt.
  • Nun wird in Bezug auf die 2A bis 2C eine Beschreibung der Struktur einer Halbleiterleuchtschicht 22 der in 1E gezeigten Halbleiterschichtstruktur 31 gegeben.
  • Nun wird sich auf 2A bezogen. Die Halbleiterleuchtschicht 22 hat eine Mehrfach-Quantentopf-Struktur, die aus einer Schichtstruktur aus beispielsweise Trennschichten 22b und Topfschichten 22w aufgebaut ist.
  • Nun wird sich auf 2B bezogen. Die Halbleiterleuchtvorrichtung 22 kann eine Einzel-Hetero ("Single Hetero"; SH)-Struktur haben, welche gestapelte Halbleiterschichten 22p vom p-Typ mit unterschiedlichen Zusammensetzungen und auf einer Halbleiterschicht 22n von einem n-Typ gebildet aufweist.
  • Nun wird sich auf 2C bezogen. Die Halbleiterleuchtvorrichtung 22 kann eine Doppel-Hetero (DH)-Struktur aufweisen, welche i Schichten 22i mit unterschiedlichen Zusammensetzungen und einer engen Bandlücke und gebildet auf einer Halbleiterschicht 22n vom n-Typ aufweist, als auch Halbleiterschichten 22p vom p-Typ mit unterschiedlichen Zusammensetzungen und einer breiten Bandlücke und gebildet auf der i-Schicht 22i.
  • Mit dem oben beschriebenen Herstellungsverfahren für die Halbleiterleuchtvorrichtung kann durch Verwenden des Trägersubstrats 30 mit der Ti-Schicht 13 und der Ni-Schicht 14 unter der AuSn-Schicht 15 ein Krümmen von AuSn während des Verbindens des Trägersubstrats 30 und der Halbleiterschichtstruktur 31 verhindert werden. Ein Krümmen kann vollständig oder innerhalb einer Höhe von 2 μm oder weniger unterdrückt werden.
  • Es kann überlegt werden, dass die Ti-Schicht 13 als eine Schicht mit einer hohen starke Haftung an der unteren Au-Schicht 12 dient. Die Ti-Schicht 13 ist eine ein starkes Haften verbessernde Schicht zum Verbessern einer starken Haftung zwischen der Au-Schicht 12 und der Ni-Schicht 14. Durch Bilden der Ni-Schicht 14 auf der Ti-Schicht 13, wird die Benetzbarkeit einer auf der Ti-Schicht gebildeten Schicht verbessert. Die Ni-Schicht 14 ist eine nasse bzw. benetzte Schicht zum Verbessern der Benetzbarkeit des eutektischen Materials AuSn, und es kann angenommen werden, dass die Verbesserung der Benetzbarkeit durch die Ni-Schicht 14 eine Trennung von AuSn verhindert. Die benetzte Schicht für AuSn wird vorzugsweise aus Ni oder Pt hergestellt.
  • Die die starke Haftung verbessernde Schicht und die benetzte Schicht können auf der Si-Substratoberfläche ausgebildet werden. Die die starke Haftung verbessernde Schicht und die benetzte Schicht sind nicht auf diese Ausführungsform beschränkt, sondern können abhängig von den Materialien, den Filmdickestrukturen und den Schichtstrukturen geeignet verwendet werden.
  • 3 ist eine rasterelektronenmikroskopische (REM-) Aufnahme einer Halbleiterleuchtvorrichtung, die mittels des in Bezug auf die 1A bis 1H beschriebenen Verfahrens hergestellt worden ist.
  • Die 4 bis 7 sind rasterelektronenmikroskopische (REM-) Aufnahmen, welche die Diffusionszustände von Ta, Al, Au bzw. Sn in der in 3 gezeigten rasterelektronenmikroskopischen (REM-) Aufnahme zeigen.
  • Nun werden die in den 4 bis 7 gezeigten Diffusionsverteilungen von Ta, Al, Au und Sn im Vergleich zu der in 3 gezeigten REM-Aufnahme und der schematischen Darstellung der in 1H gezeigten Halbleiterleuchtvorrichtung betrachtet. Man kann erkennen, dass die REM-Aufnahme aus 3 in der Reihenfolge von oben nach unten zeigt: die Halbleiterleuchtschicht 22, die aus einem AlGalnP-enthaltenden Verbundhalbleiter gemacht ist; die aus AuZn hergestellte reflektierende Elektrodenschicht 23; die TaN-Schicht 24, die Al/Au/Sn-Schicht, die Ta-Schicht 26, die AuSn(Al)-Schicht und das aus Si hergestellte leitfähige Substrat 11 (in diesem Fall wird beschränkend angenommen, dass das leitende Substrat 11 die obere gestapelte Au-Schicht 12, die Ti-Schicht 13 und die Ni-Schicht 14 umfasst).
  • Die vorliegenden Erfinder verglichen die Dicke jeder Schicht in der REM-Aufnahme von 3 mit der Dicke jeder Schicht des Trägersubstrats 30 und der Haibleiterschichtstruktur 31 vor dem in 1 F gezeigten Metallverbinden und haben bestätigt, dass die aus AuZn hergestellte reflektierende Elektrodenschicht 23, die TaN-Schicht 24 und die Ta-Schicht 26 ungefähr die Dicken vor dem Metallverbinden haben. Dies kann aus Diffusionsverteilungsergebnissen von Ta und Au, die in den 4 und 6 gezeigt sind, bestätigt werden.
  • Verglichen mit der Al-Schicht 25 und der AuSn-Schicht 15 vor dem Verbinden, sind die Diffusionsbereiche von Al und Sn, die in den 5 und 7 gezeigt sind, breiter. Die in der REM-Aufnahme von 3 gezeigte Ta-Schicht 26 ist abgeschnitten oder in den Zwischenbereichen verloren gegangen. Die vorliegenden Efinder haben die mittels des in Bezug auf die 1A bis 1H beschriebenen Verfahrens hergestellte Halbleiterleuchtvorrichtung untersucht und haben herausgefunden, dass die Al-Schicht 25 und die AuSn-Schicht 15 nach einem Verbinden gegenseitig diffundieren und eine AuSnAl enthaltende Schicht gebildet wird.
  • Es kann daher angenommen werden, dass die mittels des in Bezug auf die 1A bis 1H beschriebenen Vefahrens hergestellte Halbleiterleuchtvorrichtung nicht die in 1H gezeigte Struktur hat, sondern die weiter unten beschriebene Struktur.
  • 8 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Halbleiterleuchtvorrichtung, die mittels des in Bezug auf die 1A bis 1H beschriebenen Verfahrens hergestellt wurde.
  • Verschiedene Punkte aus 1H deuten darauf hin, dass die Ta-Schicht 26 gebrochen bzw. zerbrochen ist, dass eine zusammengesetzte Verbindungsschicht 33 abgeschieden wird, welche durch drei Lagen einschließlich der Al- Schicht 25, Ta-Schicht 26 und Verbindungsschicht 29 gebildet wird, und dass eine zusammengesetzte Trennschicht 34 abgeschieden wird, welche durch die zusammengesetzte Verbindungsschicht und die TaN-Schicht 24 gebildet wird.
  • Die Ta-Schicht 26 wird während des Metallverbindens zerbrochen, Al in der Al-Schicht 25 diffundiert durch die zerbrochene Ta-Schicht zur Verbindungsschicht 29, und AuSn in der Verbindungsschicht 29 diffundiert zur Al-Schicht 25, um dadurch einen Mischbereich zu bilden. Durch diese Diffusionen wird eine AuSnAl-Legierung gebildet.
  • Weil in dem in Bezug auf 1 F beschriebenen Metallverbindungsablauf AuSn mit einem Anteil von ungefähr 20 Gew.-% Sn als dem eutektischen Material verwendet wird, schmilzt die AuSn-Schicht 15 während des Verbindens bei ungefähr 280 °C (eutektischer Punkt, eutektische Temperatur). Da jedoch danach eine AuSnAl-Legierung durch gegenseitige Diffusionen gebildet wird, wird die zusammengesetzte Verbindungsschicht 33 sogar dann nicht vollständig geschmolzen, wenn sie auf ungefähr 400 °C bis 500 °C aufgeheizt wird. Da die zusammengesetzte Verbindungsschicht 33 mit einem Schmelzpunkt höher als dem der AuSn-Schicht 15 mittels gegenseitiger Diffusionen gebildet wird, ist es möglich, eine stabile Halbleiterleuchtvorrichtung zu bilden, welche in der Lage ist, ein Abschälen (Verbessern einer starken Haftung), zu verhindern, welches durch den Heizprozessablauf nach einem Verbinden bewirkt wird.
  • Vom Einführen des Konzepts der zusammengesetzten Verbindungsschicht 33 wird erwartet, dass sie geeigneter ist als das Verwenden der Dreilagenstruktur aus Al-Schicht 25, Ta-Schicht 26 und Verbindungsschicht 29.
  • Es wird auch angenommen, dass ein Verbindungskörper mit einem hohen Schmelzpunkt – d. h., die zusammengesetzte Verbindungsschicht 33 – durch zeitweiliges Bilden eines Mischkörpers wie der Verbindungsschicht 29 durch Mischung eutektischer Inhalte (Elementbestandteile eutektischer Materialien) Au und Sn der AuSn-Schicht 15 und der Au-Schicht 27 gebildet wird, als auch durch Mischung des AuSn-Mischkörpers und des Al der Al-Schicht.
  • Die vorliegenden Erfinder haben bestätigt, dass die gegenseitigen Diffusionen von Al und AuSn mittels einer Dicke der Ta-Schicht 26 gesteuert werden können. Die Zusammensetzung der zusammengesetzten Verbindungsschicht kann nicht nur durch Ta, sondern auch durch andere Materialien mit einem hohen Schmelzpunkt und einer niedrigen Löslichkeit bezüglich des Verbindungsmaterials gesteuert werden. Ti, W, Mo oder dergleichen können zusätzlich zu Ta verwendet werden.
  • Obwohl die AuSn-Schicht 15 und die Au-Schicht 27 zum Verbinden des Trägersubstrats 30 und der Halbleiterschichtstruktur 31 verwendet werden, kann eutektische Material, das Au als seinen Hauptbestandteil enthält, wie beispielsweise AuGe und AuSi, vorzugsweise zusätzlich zu AuSn verwendet werden. Das zum Verbinden der Halbleiterleuchtvorrichtung verwendete Material, das eine eutektische Temperatur hat, die höher ist als diejenige einer den ohmschen Kontakt einer Elektrode bildenden Temperatur, wird nicht bevorzugt, um Beschädigungen der Halbleiterschichten zu verringern. Falls es einen späteren Prozessablauf des Befestigens der Halbleiterleuchtvorrichtung durch Löten gibt, wird es bevorzugt, ein eutektisches Material zu verwenden, das eine eutektische Temperatur aufweist, die höher als ein Schmelzpunkt eines allgemeinen Lötmaterials (SnPb (183 °C), SnAgCu (217 °C)) ist.
  • Obwohl die Al-Schicht als das Diffusionsmaterial von Al verwendet wird, ist das Material nicht auf Al beschränkt, sondern auch Ag, Cu oder eine Legierung daraus, die einfach mit Au zu mischen ist, können verwendet werden. Durch Auswählen des Materials und der Filmdicke kann die Al-Schicht nicht nur die Funktion des Zuführens eines Diffusionsmaterials bereitstellen, sondern kann auch die zusammengesetzte Verbindungsschicht 33 mit einer Trennfunktion durch Bilden der AuSnAl-Legierung bereitstellen. Beispielsweise durch Auswählen einer Dicke der Al-Schicht 25, kann die zusammengesetzte Verbindungsschicht 33 mit einer Trennfunktion ausgestaltet werden, so dass die Zahl der Schichten der Halbleiterleuchtvorrichtung verringert werden kann. Die Zahl der Herstel lungsprozessschritte für eine Halbleiterleuchtvorrichtung kann ebenfalls verringert werden.
  • Die TaN-Schicht 24 kann wie gewünscht gebildet werden. Sogar falls die TaN-Schicht 24 gebildet wird, ist es nicht nötig, dass die TaN-Schicht 24 die zusammengesetzte Verbindungsschicht 33 auf der Seite der reflektierenden Elektrodenschicht 23 kontaktiert, sondern es ist ausreichend, falls die TaN-Schicht zwischen der zusammengesetzten Verbindungsschicht 33 und der reflektierenden Elektrodenschicht 23 gebildet wird. Das Material ist nicht nur auf TaN beschränkt, sondern auch andere Materialien, die zum Verhindern des Eindringens von eutektischem Material geeignet sind, können verwendet werden, wie beispielsweise ein hitzebeständiges Metall wie Mo, Ta, W und dergleichen, TiW, TiWN und dergleichen.
  • Mit Bezug auf die Aufnahmen wird eine Beschreibung eines Beitrags zu einer effektiven Verhinderung des Eindringens (Diffusion) eutektischen Materials (AuSn) zur Seite der reflektierenden Elektrodenschicht 23 gegeben, und zwar mittels der AuSnAl-Legierung, die durch Al in der Al-Schicht 25 mit einer Dicke von 600 nm gebildet wird.
  • Die vorliegenden Erfinder stellten Halbleiterleuchtvorrichtungen mittels des in Bezug auf die 1A und 1H beschriebenen Verfahrens her, sowie Leuchtvorrichtungen (Vergleichsbeispiele) mit der Struktur ohne die Al-Schicht 25, und untersuchten die aus AlZn hergestellte reflektierende Elektrodenschicht 23 jeder Vorrichtung.
  • Die 9 und 10 sind mikroskopische Aufnahmen, welche die reflektierende Elektrodenschicht jeder Halbleiterleuchtvorrichtung zeigen, die mittels des in Bezug auf die 1A bis 1H beschriebenen Verfahrens hergestellt wurde.
  • Die 11 und 12 sind mikroskopische Aufnahmen, welche die reflektierende Elektrodenschicht jedes Vergleichsbeispiels der Halbleiterleuchtvorrichtung zeigen.
  • Die 9 und 11 sind Draufsichten, welche die gesamten äußeren Erscheinungen einer Halbleiterleuchtvorrichtung zeigen, die mittels des in Bezug auf die 1A bis 1H beschriebenen Verfahrens hergestellt wurden, und ein Vergleichsbeispiel der Halbleiterleuchtvorrichtung. Die 10 und 12 sind vergrößerte Ansichten der mittigen Flächen der in den 9 bzw. 11 gezeigten Aufnahmen. Die aus AuZn hergestellte reflektierende Elektrodenschicht kann in allen in den 10 bis 12 gezeigten mikroskopischen Aufnahmen bestätigt werden, weil die Halbleiterleuchtschicht transparent ist.
  • Man kann aus den in den 9 und 10 gezeigten Aufnahmen verstehen, dass die reflektierende Elektrodenschicht der Halbleiterleuchtvorrichtung, die mittels des in Bezug auf die 1A und 1H beschriebenen Verfahrens hergestellt werden, eine gleichförmige Oberfläche hat. Es kann aus den in den 11 und 12 gezeigten mikroskopischen Aufnahmen bestätigt werden, dass die reflektierende Elektrodenschicht des Vergleichsbeispiels der Halbleiterleuchtvorrichtung teilweise zerbrochen ist und eine ungleichmäßige Oberfläche hat.
  • Man kann aus den vier in den 9 bis 12 gezeigten mikroskopischen Aufnahmen erkennen, dass die Al-Schicht der Halbleiterleuchtvorrichtung, die mittels des in Bezug auf die 1A bis 1H beschriebenen Verfahrens hergestellt wird, auch mit der Funktion ausgestattet ist, eine Schicht zum Schützen der reflektierenden Elektrodenschicht bereitzustellen. Dies kann der Tatsache zugeschrieben werden, dass Al und AuSn während des Metallverbindens gegenseitig diffundieren und die AuSnAl-Legierung bilden.
  • Wenn, wie vorher beschrieben, die Halbleiterschichtstruktur 31 durch Metallverbinden mit dem Trägersubstrat 30 unter Verwenden eutektischen Materials (AuSn) verbunden wird, verhindert die TaN-Schicht 24 das Eindringen (Diffusion) des eutektischen Materials (AuSn) zur Seite der reflektierenden Elektrodenschicht 23. Zusätzlich verhindert die Al-Schicht 25 weiterhin das Eindringen (Diffusion) des eutektischen Materials (AuSn) zur Seite der reflektierenden Elektrodenschicht 23. Durch Bilden der TaN-Schicht 24 und der Al-Schicht 25 ist es möglich, eine Diffusion und Mischung der Elemente in Richtung der reflektierenden Elektrodenschicht 23 zu verhindern, und zu verhindern, dass die Reflexions- oder Elektrodenfunktion der reflektierenden Elektrodenschicht verschlechtert wird. Durch Bilden der TaN-Schicht 24 und der Al-Schicht 25 ist es möglich, zu verhindern, dass Elemente in Richtung der Seite der reflektierenden Elektrodenschicht 23 diffundieren und gemischt werden, und zu verhindern, dass die Reflexionsfunktion oder die Elektrodenfunktion der reflektierenden Elektrodenschicht 23 verschlechtert werden, während das Trägersubstrat 30 und die Halbleiterschichtstruktur 31 miteinander verbunden werden.
  • Die vorliegenden Erfinder verglichen optisch die Halbleiterleuchtvorrichtungen, die mittels des in Bezug auf die 1A bis 1H beschriebenen Verfahrens hergestellt wurden sowie Vergleichsbeispiele der Leuchtvorrichtung, und untersuchten sie. Es wurde bestätigt, dass das Vergleichsbeispiel der Halbleiterleuchtvorrichtung eine abgeschrägte bzw. geneigte obere Oberfläche der endgültigen Vorrichtung hatte und diese abgeschrägte obere Oberfläche wurde für die mittels des in Bezug auf die 1A bis 1H beschriebenen Verfahrens hergestellten Halbleiterleuchtvorrichtungen nicht bestätigt. Dies kann der Tatsache zugeschrieben werden, dass ein Schmelzpunkt aufgrund der Bildung von AuSnAl durch Mischung von Al und AuSn angehoben wird.
  • Eine Beschreibung wird nun in Bezug auf die anderen Aufnahmen für hoch verlässliches Verbinden der Halbleiterleuchtvorrichtungen gegeben, die mittels des in Bezug auf die 1A bis 1H beschriebenen Verfahrens hergestellt werden.
  • 22 und 23 sind mikroskopische Aufnahmen einer Halbleiterleuchtvorrichtung, die mittels des in Bezug auf die 1A bis 1H beschriebenen Verfahrens hergestellt wird, und eines Vergleichsbeispiels der Leuchtvorrichtung, und zwar fotografiert von der Seite der Vorderelektrode 28 nach einem Trennablauf (einer der späteren Prozessabläufe nach dem Verbindungsprozessablauf).
  • Nun wird sich auf die Aufnahme aus 22 bezogen. Die gesamte Fläche der Aufnahme der Fläche ist schwärzlich. Kein Abschälen wurde für die mittels des in Bezug auf die 1A bis 1H beschriebenen Verfahrens hergestellte Halbleiterleuchtvorrichtung beobachtet.
  • Nun wird sich auf die Aufnahme aus 23 bezogen. Eine weißliche Fläche der mikroskopischen Aufnahme entspricht einer abgeschälten Fläche. Abschälung wurde in ungefähr 80 % der aufgenommenen Fläche des Vergleichsbeispiels der Halbleiterleuchtvorrichtung beobachtet. Bei dem Vergleichsbeispiel der Halbleiterleuchtvorrichtung wurden die Schichten von der TaN-Schicht 24 bis zur Halbleiterleuchtschicht 22 von der zusammengesetzten Verbindungsschicht 33 abgeschält und gingen verloren, und die zusammengesetzte Verbindungsschicht 33 wurde beobachtet und direkt fotografiert. Es war unsicher, ob die Abschälung an der Grenzfläche zwischen der TaN-Schicht 24 und der zusammengesetzten Verbindungsschicht 33 auftrat.
  • Man kann aus den zwei in den 22 und 23 gezeigten mikroskopischen Aufnahmen verstehen, dass die Al-Schicht der Halbleiterleuchtvorrichtung, welche mittels des in Bezug auf die 1A und 1H beschriebenen Verfahrens hergestellt wird, zu einem hochverlässlichen Verbinden beiträgt.
  • Bei dem Vergleichsbeispiel mit einer niedrigen Verbindungszuverlässigkeit, trat ein Abschälen aufgrund einer Vibration einer Trennschneide ('dicing blade'), eines Wasserdüsenstrahlflusses und dergleichen während des Trennprozessablaufs auf.
  • Als nächstes wird eine Beschreibung von Halbleiterleuchtvorrichtungen gegeben, die ähnliche Effekte zu denen der mittels des in Bezug auf die 1A bis 1H beschriebenen Verfahrens hergestellte Halbleiterleuchtvorrichtung zeigen.
  • Die 13A bis 13C sind schematische Querschnittsansichten, welche ein Herstellungsverfahren für eine erste Halbleiterleuchtvorrichtung mit ähnlichen Effekten zu denen der in 8 gezeigten Vorrichtung darstellen. Es kann angenommen werden, dass die Ta-Schicht nicht wesentlich ist, weil die Tatsche, dass die AuSnAl-Legierung, die gebildet wurde, nachdem die Ta-Schicht zer brochen wurde, und dass Al in der Al-Schicht und AuSn in der Verbindungsschicht gemischt werden, zur hohen Qualität der Vorrichtung beitragen.
  • Nun wird sich auf 13A bezogen. 13A entspricht 1B. Ein Trägersubstrat 30 ähnlich zu dem in 1B gezeigten Trägersubstrat 30 wird durch die in Bezug auf die 1A und 1B beschriebenen Prozessschritte gebildet.
  • Nun wird sich auf 13B bezogen. 13B entspricht 1E. In 1E wird die Ta-Schicht 26 zwischen der Al-Schicht 25 und der Au-Schicht 27 gebildet. Ein unterschiedlicher Punkt in 13B ist, dass eine Au-Schicht 27 auf einer Al-Schicht 25 gebildet wird.
  • Andere Schichten werden mittels Prozessschritten gebildet, die ähnlich zu den in Bezug auf die 1C bis 1E beschrieben sind, um eine Halbleiterschichtstruktur 31 zu bilden.
  • Nun wird sich auf 13C bezogen. 13C entspricht 8. Das Trägersubstrat 30 und die Halbleiterschichtstruktur 31 sind miteinander verbunden, um eine Halbleiterleuchtvorrichtung zu bilden, und zwar durch Prozessabläufe, die ähnlich zu den in Bezug auf die 1F bis 1H beschriebenen sind.
  • Verglichen mit der in 8 gezeigten Halbleiterleuchtvorrichtung ist es ein unterschiedlicher Punkt der in 13C gezeigten Halbleiterleuchtvorrichtung, dass die Ta-Schicht 26 nicht von der zusammengesetzten Verbindungsschicht 33 umfasst ist.
  • Die 14A bis 14C sind schematische Querschnittsdarstellungen, welche ein Herstellungsverfahren für eine zweite Halleiterleuchtvorrichtung mit Effekten zeigen, die denen der in 8 gezeigten Vorrichtung ähnlich sind. Diese Halbleiterleuchtvorrichtung ist dadurch gekennzeichnet, dass eine AuSn-Schicht 15 und eine Au-Schicht 27, die direkt zum Verbinden verwendet werden, wenn das Trägersubstrat 30 und die Halbleiterschichtstruktur 31 verbunden werden, zwischen Al-Schichten über Ta-Schichten eingefügt sind. Die Al-Schicht, die Al zum Bilden der AuSnAl-Legierung durch Mischen mit AuSn bereitstellt, kann nicht nur auf einer Seite der Verbindungsschicht gebildet werden, sondern auch auf beiden Seiten, wodurch sie die Verbindungsschicht zwischen sich einfügt.
  • Nun wird sich auf 14A bezogen. 14A entspricht 1B. Verglichen mit 1B ist ein unterschiedlicher Punkt von 14A, dass eine Al-Schicht 25a und eine Ta-Schicht 26a zwischen einer Ni-Schicht 14 und einer AuSiN-Schicht 15 ausgebildet werden.
  • Die Al-Schicht 25a mit einer Dicke von beispielsweise 3 μm wird auf der Ni-Schicht 14 ausgebildet, und die Ta-Schicht 26a mit einer Dicke von beispielsweise 0,1 μm wird auf der Al-Schicht ausgebildet. Beide Schichten werden beispielsweise mittels eines Elektronenstrahl-Aufdampfungsverfahrens (EB-Verfahrens) gebildet.
  • Andere Schichten werden durch Prozessabläufe gebildet, die den in Bezug auf die 1A und 1B beschriebenen ähnlich sind, um ein Trägersubstrat 30 zu bilden.
  • Nun wird sich auf 14B bezogen. 14B entspricht 1E. Obwohl die in den 1E und 14B gezeigten Halbleiterleuchtvorrichtungen die gemeinsame Schichtstruktur haben, hat die in 1E gezeigte Al-Schicht 25 eine Dicke von 600 nm, eine in 14B gezeigte Al-Schicht 25b hat eine Dicke von 3 μm.
  • Andere Schichten werden durch Prozessabläufe gebildet, die den in Bezug auf die 1C bis 1E beschriebenen ähnlich sind, um eine Halbleiterschichtstruktur 31 zu bilden.
  • Nun wird sich auf 14C bezogen. 14C entspricht 8. Das Trägersubstrat 30 und die Halbleiterschichtstruktur 31 werden verbunden, um eine Halbleiterleuchtvorrichtung zu bilden, und zwar durch Prozessabläufe, die den in Bezug auf die 1F bis 1H beschriebenen ähnlich sind.
  • Verglichen mit der in 8 gezeigten Halbleiterleuchtvorrichtung bestehen unterschiedliche Punkte der in 14C gezeigten Halbleiterleuchtvorrichtung darin, dass die zusammengesetzte Verbindungsschicht 33 zwei zerbrochene Ta-Schichten 26a und 26b umfasst, und dass die AuSnAl-Legierung mittels Diffusionsmaterials (Al) von den zwei Al-Schichten 25a und 25b gebildet wird, welche die Verbindungsschicht (AuSn-Schicht 15 und Au-Schicht 27) über die Ta-Schichten umfassen.
  • Es kann angenommen werden, dass die Verhinderung der Diffusion von AuSn zur reflektierenden Elektrodenseite hauptsächlich durch Al in der Al-Schicht 25b an der Seite der reflektierenden Elektrode und AuSn in der Verbindungsschicht realisiert wird.
  • Die 15A bis 15C sind schematische Querschnittsdarstellungen, welche ein Herstellungsverfahren für eine dritte Halbleiterleuchtvorrichtung zeigt, welche ähnliche Effekte zu denen der in 8 gezeigten Vorrichtung hat. Diese Halbleiterleuchtvorrichtung ist ähnlich zur zweiten Halbleiterleuchtvorrichtung mit ähnlichen Effekten zu denen der in 8 gezeigten Vorrichtung. Verglichen mit der zweiten Halbleiterleuchtvorrichtung ist es ein unterschiedlicher Punkt der dritten Halbleiterleuchtvorrichtung, dass die Ta-Schicht nicht ausgebildet ist.
  • Nun wird sich auf 15A bezogen. 15A entspricht 14A. Verglichen mit 14A ist es ein unterschiedlicher Punkt von 15A, dass nur eine Al-Schicht 25c zwischen einer Ni-Schicht 14 und einer AuSn-Schicht 15 gebildet wird.
  • Die Al-Schicht 25c mit einer Dicke von 3 μm wird auf der Ni-Schicht 14 gebildet, beispielsweise durch ein Elektronenstrahl-Aufdampfungsverfahren (EB-Verfahren).
  • Andere Schichten werden durch Prozessabläufe gebildet, die ähnlich zu den in Bezug auf die 1A und 1B beschriebenen sind, um ein Trägersubstrat 30 zu bilden.
  • Nun wird sich auf 15B bezogen. 15B entspricht 14B. Verglichen mit 14B ist es ein unterschiedlicher Punkt der in 15B gezeigten Halbleiterleuchtvorrichtung, dass nur eine Al-Schicht 25d zwischen einer TaN-Schicht 24 und einer Au-Schicht 27 ausgebildet ist.
  • Die Al-Schicht 25d mit einer Dicke von 3 μm wird auf der TaN-Schicht 24 gebildet, beispielsweise mittels eines Elektronenstrahl-Aufdampfungsverfahrens (EB-Verfahrens).
  • Andere Schichten werden durch Prozesse gebildet, die den in Bezug auf die 1C bis 1E beschriebenen ähnlich sind, um eine Halbleiterschichtstruktur 31 zu bilden.
  • Nun wird sich auf 15C bezogen. 15C entspricht 14C. Das Trägersubstrat 30 und die Halbleiterschichtstruktur 31 werden verbunden, um eine Halbleiterleuchtvorrichtung zu bilden, und zwar durch Prozessabläufe, die ähnlich zu den in Bezug auf die 1F bis 1H beschriebenen sind.
  • Verglichen mit der in 14C gezeigten Halbleiterleuchtvorrichtung, ist es ein unterschiedlicher Punkt der in 15C gezeigten Halbleiterleuchtvorrichtung, dass die zusammengesetzte Verbindungsschicht 33 keine Ta-Schicht umfasst.
  • Die 16A bis 16C sind schematische Querschnittsansichten, welche ein Herstellungsverfahren für eine vierte Halbleiterleuchtvorrichtung zeigen, welche Effekte aufweist, die ähnlich zu denen der in 8 gezeigten Vorrichtung sind. Bei dem in Bezug auf die 1A bis 1H beschriebenen Herstellungsverfahren werden die Al-Schicht und die Ta-Schicht in der Halbleiterschichtstruktur 31 ausgebildet. Ein unterschiedlicher Punkt der vierten Halbleiterleuchtvorrichtung ist es, dass die Al-Schicht und die Ta-Schicht in dem Trägersubstrat 30 ausgebildet werden.
  • Nun wird sich auf 16A bezogen. 16A entspricht 1B. Verglichen mit 1B ist es ein unterschiedlicher Punkt von 16A, dass eine Al-Schicht 25e und eine Ta-Schicht 26c zwischen einer Ni-Schicht 14 und einer AuSn-Schicht 15 gebildet werden.
  • Die Al-Schicht 25e mit einer Dicke von beispielsweise 6 μm wird auf der Ni-Schicht 14 gebildet, und die Ta-Schicht 26c mit einer Dicke von beispielsweise 0,1 μm wird auf der Al-Schicht ausgebildet. Beide Schichten werden beispielsweise mittels eines Elektronenstrahl-Aufdampfungsverfahrens (EB-Verfahrens) gebildet.
  • Andere Schichten werden durch Vorgänge gebildet, die ähnlich zu den in Bezug auf 1A und 1B beschriebenen sind, um ein Trägersubstrat 30 zu bilden.
  • Nun wird sich auf 16B bezogen. 16B entspricht 1E. Verglichen mit 1E werden in 16B die Al-Schicht 25 und die Ta-Schicht 26 nicht ausgebildet, und eine Au-Schicht 27 wird direkt auf einer TaN-Schicht 24 gebildet.
  • Andere Lagen werden durch Prozessabläufe gebildet, die ähnlich zu den in Bezug auf die 1C bis 1E gebildeten sind, um eine Halbleiterschichtstruktur 31 zu bilden.
  • Nun wird sich auf 16C bezogen. 16C entspricht 8. Das Trägersubstrat 30 und die Halbleiterschichtstruktur 31 werden verbunden, um eine Halbleiterleuchtvorrichtung durch Prozessabläufe zu bilden, die ähnlich zu den in Bezug auf die 1F bis 1H beschriebenen sind.
  • Verglichen mit der in 8 gezeigten Halbleiterleuchtvorrichtung hat die in 16C gezeigte Halbleiterleuchtvorrichtung die gleiche Schichtstruktur als Ganzes, obwohl die Elementverteilung in der zusammengesetzten Verbindungsschicht 33 unterschiedlich ist.
  • Die 17A bis 17C sind schematische Querschnittsansichten, welche ein Herstellungsverfahren für eine fünfte Halbleiterleuchtvorrichtung zeigen, die ähnliche Effekte zu denen der in 8 gezeigten Vorrichtung hat. Die fünfte Halbleiterleuchtvorrichtung ist ähnlich zur vierten Halbleiterleuchtvorrichtung. Verglichen mit der vierten Halbleiterleuchtvorrichtung, ist es ein unterschiedlicher Punkt der fünften Halbleiterleuchtvorrichtung, dass keine Ta-Schicht ausgebildet ist.
  • Nun wird sich auf 17A bezogen. 17A entspricht 16A. Verglichen mit 16A ist es ein unterschiedlicher Punkt von 17A, dass nur eine Al-Schicht 25f zwischen einer Ni-Schicht 14 und einer AuSn-Schicht 15 ausgebildet ist.
  • Die Al-Schicht 25f mit einer Dicke von beispielsweise 3 μm wird auf der Ni-Schicht 14 gebildet, beispielsweise durch ein Elektronenstrahl-Aufdampfungsverfahren (EB-Verfahren).
  • Andere Schichten werden durch Prozessabläufe gebildet, die ähnlich zu den in Bezug auf die 1A und 1B beschriebenen sind, um ein Trägersubstrat 30 zu bilden.
  • Nun wird sich auf 17B bezogen. 17B entspricht 16B. Eine Halbleiterschichtstruktur 31 wird durch Prozessabläufe gebildet, die den in Bezug zu 16B beschriebenen ähnlich sind.
  • Nun wird sich auf 17C bezogen. 17C entspricht 16C. Das Trägersubstrat 30 und die Halbleiterschichtstruktur 31 werden verbunden, um eine Halbleiterleuchtvorrichtung zu bilden, und zwar durch Prozessschritte, die ähnlich zu den in Bezug auf die 1F bis 1H beschriebenen sind.
  • Verglichen mit der in 16C gezeigten vierten Halbleiterleuchtvorrichtung ist es ein unterschiedlicher Punkt der in 17C gezeigten Halbleiterleuchtvorrich tung, dass die zusammengesetzte Verbindungsschicht 33 keine Ta-Schicht enthält.
  • Die Halbleiterleuchtvorrichtung mit der reflektierenden Elektrodenschicht (AuZn-Schicht), welche sowohl die Funktion als Elektrodenschicht als auch als Reflexionsschicht hat, sind oben beschrieben worden. Die Funktionen als Elektrodenschicht und als Reflexionsschicht können aufgeteilt werden.
  • Die 18A bis 18C sind schematische Querschnittsansichten, welche ein Herstellungsverfahren für eine Halbleiterleuchtvorrichtung zeigen, die eine Elektrodenschicht und eine Reflexionsschicht aufweist.
  • Nun wird sich auf 18A bezogen. 18A entspricht 1B. Ein Trägersubstrat 30, das ähnlich zu dem in 1E gezeigten Trägersubstrat 30 ist, wird durch die in Bezug auf die 1A und 1B beschriebenen Prozessabläufe gebildet.
  • Nun wird sich auf 18B bezogen. 18B entspricht 1E.
  • Eine Reflexionsschicht 23a mit einer Dicke von beispielsweise 0,1 μm und beispielsweise aus SiO2 hergestellt, wird auf einer Halbleiterleuchtschicht 22 gebildet. Die Reflexionsschicht 23a wird mittels eines Sputterverfahrens, eines EB-Verfahrens, eines CVD-Verfahrens oder dergleichen gebildet.
  • Die Reflexionsschicht 23a kann aus einem zusammengesetzten Halbleiter, aus einem anderen dielektrischen Material als SiO2, Metall oder dergleichen gemacht sein.
  • Eine Elektrodenschicht 23b mit einer Dicke von beispielsweise 0,6 μm und beispielsweise aus einer AuZn-Legierung hergestellt, wird auf einer Halbleiterleuchtschicht 22 und der Reflexionsschicht 23a ausgebildet. Die Elektrodenschicht 23b wird mittels eines Sputterverfahrens, eines Widerstandsheiz-Aufdampfungsverfahrens oder dergleichen gebildet.
  • Falls eine Oberflächenschicht der Halbleiterleuchtschicht 22 beispielsweise aus einem zusammengesetzten Halbleiter vom p-Typ besteht, kann die Elektrodenschicht 23 aus einer AuBe-Legierung oder dergleichen gemacht sein, die als p-seitiges Elektrodenmaterial gut bekannt ist.
  • Andere Schichten werden durch Prozessabläufe gebildet, die ähnlich zu den in Bezug auf die C1 bis 1E beschriebenen sind, um eine Halbleiterschichtstruktur 31 zu bilden.
  • Nun wird sich auf 18C bezogen. 18C entspricht 8. Das Trägersubstrat 30 und die Halbleiterschichtstruktur 31 werden verbunden, um eine Halbleiterleuchtvorrichtung mit unabhängigen Elektroden- und Reflexionsschichten anstatt der reflektierenden Elektrodenschicht zu bilden, und zwar durch Prozessabläufe, die ähnlich zu den in Bezug auf die 1 F bis 1 H beschriebenen sind.
  • Die 21A bis 21C sind schematische Querschnittsdarstellungen, welche ein Herstellungsverfahren für eine sechste Halbleiterleuchtvorrichtung darstellen, welche ähnliche Effekte zu denen der in 8 gezeigten Vorrichtung hat.
  • Nun wird sich auf 21A bezogen. 21A entspricht 18A (1B). Verglichen mit 18A ist es ein unterschiedlicher Punkt von 21A, dass, obwohl die AuSn-Schicht 15 in 18A auf der Ni-Schicht 14 gebildet wird, eine Al-Schicht 25, eine Ta-Schicht 26 und eine Au-Schicht 27 in dieser Reihenfolge in 21A auf einer Ni-Schicht 14 aufgestapelt sind.
  • Die Al-Schicht 25 mit einer Dicke von beispielsweise 6 μm wird auf der Ni-Schicht 14 gebildet, und die Ta-Schicht 26 mit einer Dicke von beispielsweise 0,1 μm wird auf der Al-Schicht gebildet, beispielsweise mittels eines Elektronenstrahl-Aufdampfungsverfahrens (EB-Verfahrens). Die Au-Schicht 27 mit einer Dicke von beispielsweise 0,3 μm wird auf der Ta-Schicht 26 gebildet.
  • Andere Schichten werden durch Prozessabläufe gebildet, die ähnlich zu den in Bezug auf 18 beschriebenen sind, um ein Trägersubstrat 30 zu bilden.
  • Wenn die Struktur einschließlich der Halbleiterleuchtschicht mit dem Trägersubstrat 30 bei einem späteren Prozessschritt unter Verwendung eutektischen Materials metallverbunden wird, wird die Au-Schicht 27 dazu verwendet, zusammen mit einer AuSn-Schicht eine Verbindungsschicht in der Struktur zu bilden.
  • Nun wird sich auf 21B bezogen. 21B entspricht 18B. Verglichen mit 18B ist es ein unterschiedlicher Punkt von 21B, dass, obwohl die Al-Schicht 25, die Ta-Schicht 26 und die Au-Schicht 27 in dieser Reihenfolge in 18B auf der TaN-Schicht 24 aufgestapelt sind, eine Ti-Schicht 13, eine Ni-Schicht 14 und eine AuSn-Schicht 15 in dieser Reihenfolge in 21B auf eine TaN-Schicht 24 aufgestapelt sind.
  • Die Ti-Schicht 13 mit einer Dicke von beispielsweise 0,15 μm wird auf der TaN-Schicht 24 ausgebildet, und die Ni-Schicht 14 mit einer Dicke von beispielsweise 0,1 μm wird auf der Ti-Schicht gebildet, beispielsweise durch Elektronenstrahl-Aufdampfung (EB-Verfahren). Die AuSn-Schicht 15 mit einer Dicke von beispielsweise 2 μm wird auf der Ni-Schicht 14 mittels eines Widerstandsheiz-Aufdampfungsverfahrens gebildet. Andere Schichten werden durch Prozessabläufe gebildet, die den in Bezug auf die 18B beschriebenen ähneln, um eine Halbleiterschichtstruktur 31 zu bilden.
  • Nun wird sich auf 21C bezogen. 21C entspricht 18C. Das Trägersubstrat 30 und die Halbleiterschichtstruktur 31 werden verbunden, um eine Halbleiterleuchtvorrichtung zu bilden, und zwar durch Prozessabläufe, die den in Bezug auf 18C beschriebenen ähnlich sind.
  • Bie der sechsten Halbleiterleuchtvorrichtung werden die Ti-Schicht 13 und die Ni-Schicht 14 sowohl im Trägersubstrat als auch in der Halbleiterschichtstruktur 31 gebildet. Die Ti-Schicht 13 ist eine die starke Haftung verbessernde Schicht, was eine hohe Haftung mit einer darunter liegenden Schicht darstellt (z.B. dem leitenden Substrat 11, welches mit der Au-Schicht 12 in dem Trägersubstrat 30 integriert ist, wie in 21A gezeigt). Die Ni-Schicht ist eine benetzte Schicht zum Verbessern der Benetzbarkeit einer oberen Schicht (beispielsweise der AuSn-Schicht 15 in der Halbleiterschichtstruktur 31, wie in 21B gezeigt).
  • Die Ti-Schicht 13 und die Ni-Schicht 14 können wie gewünscht ausgebildet werden. Falls diese Schichten gebildet werden, können sie entweder in dem Trägersubstrat 30 oder in der Halbleiterschichtstruktur 31 ausgebildet werden. Sie können sowohl im Trägersubstrat 30 als auch in der Halbleiterschichtstruktur 31 ausgebildet werden. Es kann auch nur die Ti-Schicht 13 oder es kann nur die Ni-Schicht 14 ausgebildet sein.
  • In den 21A und 21B wird die Au-Schicht 27 auf dem Trägersubstrat 30 ausgebildet, und die AuSn-Schicht 15 wird auf der Halbleiterschichtstruktur 31 ausgebildet. Diese Struktur ist auch dahingehend verfügbar, dass die AuSn-Schicht 15 nicht auf dem Trägersubstrat 30 ausgebildet wird und die Au-Schicht 27 nicht auf der Halbleiterschichtstruktur 31 ausgebildet wird.
  • Durch Bilden der zusammengesetzten Verbindungsschicht ist es möglich, nicht nur hochqualitative Halbleitervorrichtungen herzustellen, sondern auch hochqualitative elektronische Komponenteneinheiten oder dergleichen. Beispielsweise ist die zusammengesetzte Verbindungsschicht anwendbar auf ein Verbinden elektronischer Komponenten, welche in einem folgenden Prozessschritt bei einer höheren Verbindungs (Haft)-Temperatur herzustellen ist als bei einer Verbindungs (Haftungs)-Temperatur in einem vorhergehenden Prozessschritt .
  • Die 24A bis 24D sind schematische Querschnittsansichten, welche ein Herstellungsverfahren für eine Elektronikkomponenteneinheit zeigen.
  • Nun wird sich auf 24A bezogen. Ein Basisschichtbereich 82 wird auf einer Befestigung 81 oberhalb einer Basis 80 ausgebildet. Eine elektronische Kom ponente 84 wird durch Hinzufügen eines Verbindungsbereichs zu einem Halbleiterchip 83 einschließlich einer Halbleiterleuchtvorrichtung gebildet.
  • Nun wird sich auf 24B bezogen, die 1F entspricht.
  • Der Basisschichtbereich 82 besteht aus einer Ti-Schicht 13, einer Ni-Schicht 14 und einer AuSn-Schicht 15, die in dieser Reihenfolge auf der Befestigung 81 von unten aufgestapelt sind. Der Basisschichtbereich 82 entspricht dem in 1B gezeigten Trägersubstrat 30 und hat die Ti-Schicht 13, die Ni-Schicht 14 und die AuSn-Schicht 45 auf dem Substrat ausgebildet.
  • Die elektronische Komponente 84 ist aus einer Al-Schicht 25, einer Ta-Schicht 26 und einer Au-Schicht 27 aufgebaut, die in dieser Reihenfolge von unten auf dem Halbleiterchip 83 aufgestapelt sind. Die elektronische Komponente 84 entspricht der in 1E gezeigten Halbleiterschichtstruktur 31. Der Halbleiterchip 83 entspricht der Halbleiterleuchtschicht 22 der in 1E gezeigten Halbleiterschichtstruktur 31. In der Halbleiterschichtstruktur 31 werden die reflektierende Elektrodenschicht 23 und die TaN-Schicht 24 zwischen der Halbleiterleuchtschicht 22 und der Al-Schicht 25 ausgebildet. Im Unterschied zu der Halbleiterschichtstruktur werden die reflektierende Elektrodenschicht und die TaN-Schicht in der elektronischen Komponente 84 nicht ausgebildet.
  • Der Halbleiterchip 83, dem der Verbindungsbereich (Al-Schicht 25, Ta-Schicht 26 und Au-Schicht 27) hinzugefügt ist, wird mit dem Träger 81 Rohchipverbunden ("die-bonded"), und zwar durch Verwenden des Verbindungsbereichs und des Trägerschichtbereichs 82.
  • Nun wird sich auf 24C bezogen, welche 8 entspricht. 24C zeigt den Verbindungszustand des Basisschichtbereichs 82 und der elektronischen Komponente 84.
  • Von dem Verbindungskörper (zusammengesetzte Verbindungsschicht 33) mit einem Schmelzpunkt, der höher ist als der des AuSn-Gemischs, wird ange nommen, dass er auf folgende Art gebildet wird. Eutektische Anteile (Elementbestandteile eutektischen Materials) der AuSn-Schicht 15 und der Au-Schicht 27 werden gemischt, um vorübergehend ein AuSn-Gemisch zu bilden, welches mit AI in der Al-Schicht über die zerbrochenen Bereiche der Ta-Schicht 26 gemischt wird.
  • Im Unterschied zu der Halbleiterschichtstruktur 31 der in 8 gezeigten Halbleiterleuchtvorrichtung werden die reflektierende Elektrodenschicht 23 und die TaN-Schicht 24 in der elektronischen Komponente 85 nicht ausgebildet.
  • Nun wird sich auf 24D bezogen. Nach dem Rohchip-Verbinden der durch T angedeuteten elektronischen Komponente werden äußere Anschlüsse unter Verwendung eutektischen Materials montiert und wie durch S angedeutet befestigt, um dadurch eine Paketeinheit (elektronische Komponenteneinheit) 85 zu bilden.
  • Da die zusammengesetzte Verbindungsschicht 33 mittels des Rohchip-Verbindungs-Prozessablaufs zwischen den Halbleiterchip 83 und dem Basisschichtbereich 82 gebildet wird, kann eine hohe feste Haftung zwischen Halbleiterchip 83 und dem Basisschichtbereich 82 sogar während des Montageprozesses aufrechterhalten werden, der eine höhere Temperatur als beim Rohchip-Verbindungsprozess benötigt.
  • Falls beispielsweise In als eutektisches Material für den Rohchip-Verbindungsprozessablauf verwendet wird, beträgt die Verbindungstemperatur um die 140 °C. Eine Temperatur beim Montageprozess unter Verwendung von SnPb-Lot in einem Rückflussbrennofen ist ungefähr 220 °C höher als die eutektische Temperatur von 183 °C. Daher wird die In-Verbindungsschicht während des Montageprozesses durch Hitze beeinflusst, so dass sich die Verlässlichkeit des Verbindens des Halbleiterchips verringert.
  • Da AuSn für das Rohchip-Verbinden verwendet wird, kann die Verbindungstemperatur auf 280 °C festgesetzt werden, so dass das oben beschriebene Problem des Montageprozesses unter Verwendung von SnPb gelöst werden kann. Falls jedoch Lot, wie beispielsweise SnAgCu, welches eine höhere Temperatur benötigt, verwendet wird, bleibt das obige Problem bestehen. Die eutektische Temperatur von SnAgCu ist 217 °C, und diese Temperatur steigt auf ungefähr 250 °C in einem Rückflussmontageprozess an, welches nahe der eutektischen Temperatur von AuSn liegt.
  • Jedoch, wie in Bezug auf die 24A und 24D beschrieben, kann durch Verwenden von AuSn als dem eutektischen Material für den Rohchip-Verbindungsprozess und Al als dem Material der Diffusionsmaterialschicht eine stabile feste Haftung sogar bei einer Temperatur während des Rückflussmontageprozesses erreicht werden, die höher liegt als der Schmelzpunkt von AuSn.
  • Bei der in Bezug zu den 24A bis 24D beschriebenen Herstellungsmethode für eine Elektronikkomponenteneinheit können – obwohl der Basisschichtbereich 82, der dem in 1B gezeigten Trägersubstrat entspricht, und die Elektronikkomponente 84, die der Halbleiterschichtstruktur 31 entspricht, gebildet werden – der Basisschichtbereich 82 und die elektronische Komponente 84 so gebildet werden, dass sie die Strukturen der anderen Halbleiterleuchtvorrichtungen aufweisen, die ähnlich Effekte zu denen der in 8 gezeigten Vorrichtung aufweisen.
  • Die vorliegende Erfindung ist in Verbindung mit den bevorzugten Ausführungsformen beschrieben worden. Die Erfindung ist nicht auf die obigen Ausführungsformen beschränkt. Obwohl beispielsweise die Halbleiterleuchtvorrichtung, die mittels des in Bezug auf die 1A bis 1H beschriebenen Verfahrens hergestellt worden ist, die Halbleiterleuchtschicht aufweist, können auch andere Halbleiterschichten mit zu der Halbleiterleuchtschicht unterschiedlichen Funktionen ausgebildet werden. Es wird für die Fachleute klar sein, dass verschiedene andere Modifikationen, Verbesserungen, Kombinationen und dergleichen durchgeführt werden können.
  • Die Ausführungsform ist vorteilhafter Weise anwendbar auf elektronische Komponenten, die nach einem Montageprozess einem Aufheizen auf eine hohe Temperatur unterworfen werden soll, insbesondere Leuchtdioden für Anzeigen, Infrarotleuchtdioden und dergleichen, welche eine hohe Leuchtdichte und einen hohen Leuchtwirkungsgrad benötigen.

Claims (17)

  1. Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung, welches die folgenden Schritte umfasst: (a) Herstellen eines ersten Substrats; (b) Bilden einer ersten Verbindungsschicht oberhalb des ersten Substrats, um ein Trägersubstrat zu bilden; (c) Herstellen eines zweiten Substrats; (d) Herstellen einer Halbleiterschicht auf dem zweiten Substrat; (e) Bilden einer zweiten Verbindungsschicht oberhalb der Halbleiterschicht, um eine Halbleiterschichtstruktur zu bilden; (f) Bilden einer Diffusionsmaterial enthaltenden Diffusionsmaterialschicht mittels eines Schritts (f1) des Bildens der Diftusionsmaterialschicht oberhalb des ersten Substrats bzw. Bilden der ersten Verbindungsschicht oberhalb der Diffusionsmaterialschicht in Schritt (b), und/oder mittels eines Schritts (f2) des Bildens der Diffusionsmaterialschicht oberhalb der Halbleitermaterialschicht bzw. Bilden der zweiten Verbindungsschicht oberhalb der Diftusionsmaterialschicht in Schritt (e); und (g) Bilden der ersten Verbindungsschicht des Trägersubstrats und der zweiten Verbindungsschicht der Halbleiterschichtstruktur, um einen Verbindungskörper zu bilden, wobei Schritt (g) einen Schritt (g1) des Bildens eines ersten Mischungskörpers durch Mischen der ersten und zweiten Verbindungsschichten enthält, wobei die erste oder zweite Verbindungsschicht ein eutektisches Material enthält, sowie einen Schritt (g2) des Bildens eines zweiten Mischungskörpers durch Mischen des ersten Mischungskörpers und des Diffusionsmaterials der Diffusionsmaterialschicht, wobei der zweite Mischungskörper einen Schmelzpunkt aufweist, der höher ist als ein Schmelzpunkt des ersten Mischungskörpers.
  2. Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei Schritt (f) eine Diffusionssteuerschicht auf mindestens einer der Diffusionsmaterialschichten bildet und die erste oder zweite Verbindungsschicht auf der Diffusionssteuerschicht bildet; und die Diffusionssteuerschicht in Schritt (g) zerbrochen wird.
  3. Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei Schritt (b) mindestens eine eine starke Haftung verbessernde Schicht und/oder eine benetzte Schicht oberhalb des ersten Substrats ausbildet und die erste Verbindungsschicht oberhalb der die starke Haftung verbessernden Schicht und/oder der benetzten Schicht bildet, und Schritt (f1) die Diffusionsmaterialschicht oberhalb der die starke Haftung verbessernden Schicht oder der benetzten Schicht bildet.
  4. Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei Schritt (e) eine eine starke Haftung verbessernde Schicht und/oder eine benetzte Schicht oberhalb der Halbleiterschicht bildet und die zweite Verbindungsschicht oberhalb der die starke Haftung verbessernden Schicht und/oder der benetzten Schicht bildet; und wobei Schritt (f2) die Diffusionsmaterialschicht oberhalb der die starke Haftung verbessernden Schicht oder der benetzten Schicht bildet.
  5. Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei Schritt (d) weiterhin eine erste Elektrode zumindest in einem teilweisen Oberflächenbereich der Halbleiterschicht bildet und eine Trennschicht oberhalb der ersten Elektrode bildet; wobei Schritt (e) die zweite Verbindungsschicht oberhalb der Trennschicht bildet; wobei Schritt (f2) die Diffusionsmaterialschicht zwischen der Trennschicht und der zweiten Verbindungsschicht bildet; und wobei die Trennschicht verhindert, dass in der ersten oder der zweiten Verbindungsschicht enthaltenes eutektisches Material in Richtung der ersten Elektrode im Schritt (g) vordringt.
  6. Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die erste oder die zweite Verbindungsschicht aus einem eutektischen Material gemacht ist, welches hauptsächlich Au enthält.
  7. Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei Schritt (f) die Diffusionsmaterialschicht durch Verwenden einer Legierung bildet, welche hauptsächlich Al, Ag oder Cu oder Al, Ag oder Cu enthält.
  8. Halbleitervorrichtung umfassend: ein Substrat; eine oberhalb des Substrats ausgebildete zusammengesetzte Verbindungsschicht; eine oberhalb der zusammengesetzten Verbindungsschicht ausgebildete erste Elektrode; eine in einem Bereich einschließlich einer Oberfläche der ersten Elektrode ausgebildete Halbleiterschicht; und eine in einem Teiloberflächenbereich der Halbleiterschicht ausgebildete zweite Elektrode, wobei: die zusammengesetzte Verbindungsschicht ausgeformt wird, wenn ein Trägersubstrat einschließlich des Substrats und eine erste Verbindungsschicht mit einer Halbleiterschichtstruktur einschließlich der Halbleiterschicht, der ersten Elektrode und einer zweiten Verbindungsschicht verbunden werden; und wobei die erste und zweite Verbindungsschicht Anteile an eutektischem Material enthalten; und wobei mindestens das Trägersubstrat und / oder die Halbleiterschichtstruktur eine Diffusionsmaterialschicht umfassen, welche Diffusionsmaterial enthält; und wobei die zusammengesetzte Verbindungsschicht dergestalt ausgebildet ist, dass in einer der ersten und der zweiten Verbindungsschicht enthaltene Eutektikmaterialanteile mit den anderen gemischt werden, um einen ersten Mischungskörper zu bilden, und dass der erste Mischungskörper mit Diffusionsmaterial gemischt wird, welches in der Diftusionsmaterialschicht enthalten ist, um einen zweiten Mischungskörper zu bilden, welcher einen Schmelzpunkt aufweist, der höher ist als ein Schmelzpunkt des ersten Mischungskörpers.
  9. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 8, weiterhin umfassend mindestens eine eine starke Haftung verbessernde Schicht und l oder eine benetzte Schicht, die zwischen dem Substrat und der zusammengesetzten Verbindungsschicht ausgebildet ist bzw. sind.
  10. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 8 oder 9, weiterhin umfassend mindestens eine eine starke Haftung verbessernde Schicht und/oder eine benetzte Schicht, die zwischen der zusammengesetzten Verbindungsschicht und der ersten Elektrode ausgebildet ist bzw. sind.
  11. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 10, weiterhin umfassend eine Trennschicht, die zwischen der zusammengesetzten Verbindungsschicht und der ersten Elektrode ausgebildet ist.
  12. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 11, die weiterhin eine in der zusammengesetzten Verbindungsschicht ausgebildete Diffusionssteuerschicht umfasst, und zwar zum Steuern der Mischung des ersten Mischungskörpers und des in der Diffusionsmaterialschicht enthaltenden Diffusionsmaterials, wenn das Trägersubstrat mit der Halbleiterschichtstruktur verbunden wird.
  13. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 12, wobei die Diffusionsmaterialschicht aus einer Legierung hergestellt ist, die hauptsächlich Al, Ag oder Cu oder Al, Ag oder Cu enthält.
  14. Elektronikkomponenteneinheit umfassend: eine Basis; eine oberhalb des Substrats ausgebildete zusammengesetzte Verbindungsschicht; und eine oberhalb der zusammengesetzten Verbindungsschicht ausgebildete elektronische Komponente, wobei: die zusammengesetzte Verbindungsschicht ausgebildet wird, wenn ein Basiselement einschließlich der Basis und eine erste Verbindungsschicht mit einem Elektronikkomponentenelement einschließlich der elektronischen Komponente und einer zweiten Verbindungsschicht verbunden werden; wobei die erste oder die zweite Verbindungsschicht Eutektikmaterialanteile enthält; das Basiselement und/oder das Elektronikkomponentenelement eine Diffusionsmaterial enthaltende Diffusionsmaterialschicht umfassen; und die zusammengesetzte Verbindungsschicht dergestalt ausgebildet ist, dass die Eutektikmaterialanteile, die in einer ersten und zweiten Verbindungsschicht enthalten sind, mit den anderen verbunden werden, um einen ersten Mischungskörper zu bilden, und dass der erste Mischungskörper mit dem in der Diffusionsmaterialschicht enthaltenen Diffusionsmaterial gemischt wird, um einen zweiten Mischungskörper zu bilden, welcher einen Schmelzpunkt hat, der höher ist als ein Schmelzpunkt des ersten Mischungskörpers.
  15. Elektronikkomponenteneinheit nach Anspruch 14, weiterhin umfassend eine eine starke Haftung verbessernde Schicht und/oder eine benetzte Schicht, die zwischen der Basis und der zusammengesetzten Verbindungsschicht ausgebildet wird bzw. werden.
  16. Elektronikkomponenteneinheit nach Anspruch 14 oder 15, weiterhin umfassend eine eine starke Haftung verbessernde Schicht und/oder eine benetzte Schicht, die zwischen der zusammengesetzten Verbindungsschicht und der elektronischen Komponente ausgebildet ist bzw. sind.
  17. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 16, weiterhin umfassend eine in der zusammengesetzten Verbindungsschicht ausgebildete Diffusionssteuerschicht zum Steuern einer Mischung aus dem ersten Mischungskörper und dem in der Diffusionsmaterialschicht enthaltenen Diffusionsmaterial, wenn das Basiselement mit dem Elektronikkomponentenelement verbunden wird.
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4592388B2 (ja) * 2004-11-04 2010-12-01 シャープ株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体発光素子およびその製造方法
JP5196288B2 (ja) * 2005-04-27 2013-05-15 信越半導体株式会社 発光素子の製造方法及び発光素子
JP2008098336A (ja) * 2006-10-11 2008-04-24 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光素子およびその製造方法
WO2008064068A2 (en) * 2006-11-17 2008-05-29 3M Innovative Properties Company Planarized led with optical extractor
TWI370555B (en) * 2006-12-29 2012-08-11 Epistar Corp Light-emitting diode and method for manufacturing the same
JP2008244312A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
JP5426081B2 (ja) 2007-06-20 2014-02-26 スタンレー電気株式会社 基板接合方法及び半導体装置
KR101393745B1 (ko) * 2007-06-21 2014-05-12 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP2009054892A (ja) * 2007-08-28 2009-03-12 Panasonic Electric Works Co Ltd Ｌｅｄチップの実装方法
DE102007046519A1 (de) 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-LED mit einer Spiegelschicht und Verfahren zu deren Herstellung
JP2009141093A (ja) 2007-12-06 2009-06-25 Toshiba Corp 発光素子及び発光素子の製造方法
JP5376866B2 (ja) 2008-08-22 2013-12-25 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置
JP5312988B2 (ja) 2009-03-04 2013-10-09 スタンレー電気株式会社 光半導体装置及びその製造方法
JP2011029612A (ja) * 2009-06-24 2011-02-10 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
KR20120024489A (ko) * 2010-09-01 2012-03-14 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광다이오드 칩, 발광장치 및 그 제조방법
JP2012089828A (ja) * 2010-09-22 2012-05-10 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP5608589B2 (ja) * 2011-03-10 2014-10-15 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
EP2605295A3 (de) * 2011-12-13 2015-11-11 LG Innotek Co., Ltd. Ultraviolett-Licht emittierende Vorrichtung
JP6018219B2 (ja) * 2011-12-14 2016-11-02 ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 発光ダイオードの製造方法
CN103840043A (zh) * 2012-11-26 2014-06-04 株式会社高松电镀 Led用晶片及其制造方法
CN104241496A (zh) * 2013-06-18 2014-12-24 株式会社高松电镀 Led用的金属基板
TWI616002B (zh) * 2013-12-30 2018-02-21 新世紀光電股份有限公司 發光晶片
CN103996784A (zh) * 2014-05-06 2014-08-20 上海大学 一种降低大功率led热阻的封装结构及其制造方法
CN105702810B (zh) * 2014-11-27 2019-08-06 晶能光电（江西）有限公司 一种发光二极管及其制造方法
JP7068577B2 (ja) * 2018-03-28 2022-05-17 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
WO2021059485A1 (ja) * 2019-09-27 2021-04-01 三菱電機株式会社 光半導体装置およびその製造方法
EP3933914A4 (de) * 2020-04-16 2023-07-19 Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd. Verpackungsstruktur, elektrisches fahrzeug und elektronisches gerät

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5197654A (en) * 1991-11-15 1993-03-30 Avishay Katz Bonding method using solder composed of multiple alternating gold and tin layers
JPH05251739A (ja) 1992-03-06 1993-09-28 Toshiba Corp 半導体発光デバイス
JP2797958B2 (ja) * 1993-04-27 1998-09-17 日本電気株式会社 光半導体素子接合構造と接合方法
US5917202A (en) * 1995-12-21 1999-06-29 Hewlett-Packard Company Highly reflective contacts for light emitting semiconductor devices
US20010042866A1 (en) * 1999-02-05 2001-11-22 Carrie Carter Coman Inxalygazn optical emitters fabricated via substrate removal
JP2001044491A (ja) 1999-07-13 2001-02-16 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi Ｌｅｄ及びその製造方法
JP3460019B2 (ja) 1999-12-27 2003-10-27 全新光電科技股▲ふん▼有限公司 金属コーティング反射永久基板を有する発光ダイオードおよび金属コーティング反射永久基板を有する発光ダイオードの製造方法
JP2002217450A (ja) 2001-01-22 2002-08-02 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
TW577178B (en) * 2002-03-04 2004-02-21 United Epitaxy Co Ltd High efficient reflective metal layer of light emitting diode
JP4333249B2 (ja) * 2002-12-25 2009-09-16 株式会社デンソー Ｉｃパッケージ及びその製造方法、回路基板

Also Published As

Publication number Publication date
US7666692B2 (en) 2010-02-23
JP2006086208A (ja) 2006-03-30
US7429754B2 (en) 2008-09-30
CN1750284A (zh) 2006-03-22
JP4814503B2 (ja) 2011-11-16
US20060057817A1 (en) 2006-03-16
CN100511735C (zh) 2009-07-08
US20080268616A1 (en) 2008-10-30

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