DE102005020453A1 - Flachleiterstruktur für ein Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents

Flachleiterstruktur für ein Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung derselben Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Flachleiterstruktur (16) für ein Halbleiterbauteil (1) und ein Verfahren zur Herstellung derselben. Dazu weist die Flachleiterstruktur (16) Außenflachleiter (2) für Außenanschlüsse (3) außerhalb einer Kunststoffgehäusemasse (4) auf und besitzt darüber hinaus Innenflachleiter (5) für elektrische Verbindungen (6) innerhalb der Kunststoffgehäusemasse (4) sowie eine Chipmontageinsel (7) aus dem Flachleitermaterial (8). Die Oberseiten (10) der Chipmontageinsel (7) und der Innenflachleiter sind unter Freilassung von Kontaktanschlussflächen (11) mit Nanoröhren (12) als Verankerungsschicht ausgestattet. In den Zwischenräumen zwischen den Nanoröhren (12) weist der Innenflachleiter (5) die Kunststoffgehäusemasse (4) auf, während in den Zwischenräumen (13) zwischen den Nanoröhren (12) auf der Chipmontageinsel (7) eine Klebstoffmasse (15) für den Halbleiterchip (9) angeordnet ist. Dabei füllen die Klebstoffmasse (15) und die Kunststoffgehäusemasse (4) die Zwischenräume (13, 14) lunkerfrei auf.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Flachleiterstruktur für ein Halbleiterbauteil und ein Verfahren zur Herstellung derselben. Derartige Flachleiterstrukturen sind aus einem Flachleitermaterial und weisen Außenflachleiter für Außenanschlüsse und Innenflachleiter für elektrische Verbindungen innerhalb einer Kunststoffgehäusemasse auf. Außerdem weisen die Flachleiterstrukturen eine Chipmontageinsel aus dem Flachleitermaterial auf. Bei oberflächenmontierten Halbleiterbauteilen besteht die Flachleiterstruktur aus ähnlichen Elementen, jedoch ragen als Außenflachleiter lediglich Oberflächen von Flachleitern aus der Kunststoffgehäusemasse heraus, während die Innenflächen, die von Kunststoffgehäusemasse umgeben sind, als Innenflachleiter bezeichnet werden. In beiden Fällen handelt es sich um Flachleiterstrukturen, da sie mit Hilfe eines Flachleiterrahmens entstehen, aus dem die Halbleiterbauteile nach Fertigstellung herausgestanzt werden.
  • Ein Problem dieser Flachleiterstrukturen ist es, dass die Oberflächen der Innenflachleiter eine intensive Verbindung mit der Kunststoffgehäusemasse eingehen müssen, damit die Innenflachleiter nicht aus der Kunststoffgehäusemasse herausbrechen. Ein weiteres Problem, das bei der Chipmontageinsel auftritt, liegt darin, dass die Oberseite der Chipmontageinsel mit einem Halbleiterchip verbunden werden muss, was üblicherweise durch eine leitende Klebstoffmasse erreicht wird. Dabei besteht die Gefahr, dass sich unter dem Halbleiterchip in der Klebstoffmasse Lunker bilden und sich Feuchtigkeitsreservoirs ansammeln, die zu einer Delamination des Halbleiterchips von der Chipmontageinsel führen können, indem entweder die Grenzschicht zwischen Oberseite der Chipmontageinsel und Klebstoffschicht oder zwischen Klebstoffschicht und Rückseite des Halbleiterchips delaminiert.
  • Zur Verbesserung von derartigen Flachleiterstrukturen wird bisher der Flachleiterrahmen, insbesondere die Chipmontageinsel und die Oberseite der Innenflachleiter durch eine spezielle Abscheidung von rauen Beschichtungen mit Hilfe eines speziellen Platings oder durch Aufrauen der entsprechenden Oberflächen der Flachleiterstruktur oder durch physikalisch-chemische Verfahren, wie Plasmaätzen behandelt, so dass eine Verzahnung der Grenzflächen erreicht wird.
  • Auch ein elektrolytisches Beschichten mit haftverbessernden Schichten auf der Basis von anorganischen und metallorganischen Verbindungen zeigt nicht die gewünschten Ergebnisse. Ebenfalls sind die bisherigen haftverbessernden Maßnahmen, wie ein Plasmaätzen oder ein Abscheiden von anorganischen oder metallischen Verbindungen äußerst teuer und liefern keine signifikante Verbesserung der Pressmassenhaftung sowie der Haftung der Halbleiterchips auf den Chipmontageflächen der Flachleiterstruktur.
    •
  • Aufgabe der Erfindung ist es, eine Flachleiterstruktur anzugeben, die eine verbesserte Haftung von Umhüllmaterialien und eine verbesserte Haftung des Halbleiterchips bzw. der Klebstoffmasse auf der Chipmontageinsel ermöglicht.
  • Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
  • Erfindungsgemäß wird eine Flachleiterstruktur für ein Halbleiterbauteil geschaffen, wobei die Flachleiterstruktur Außenflachleiter für Außenanschlüsse außerhalb einer Kunststoffgehäusemasse und Innenflachleiter für elektrische Verbindungen innerhalb der Kunststoffgehäusemasse aufweist. Ferner weist die Flachleiterstruktur eine Chipmontageinsel aus Flachleitermaterial zum Aufbringen eines Halbleiterchips auf. Auf den Oberseiten der Chipmontageinsel und der Innenflachleiter sind unter Freilassung von Kontaktanschlussflächen der Innenflachleiter Nanoröhren angeordnet, die auf den Oberseiten verankert sind. Die Zwischenräume zwischen den Nanoröhren sind auf den Innenflachleitern mit Kunststoffgehäusemasse aufgefüllt, und in den Zwischenräumen zwischen den Nanoröhren auf der Chipmontageinsel ist eine Klebstoffmasse angeordnet, wobei die Klebstoffmasse und die Kunststoffgehäusemasse die Zwischenräume lunkerfrei auffüllen.
  • Diese Flachleiterstruktur hat den Vorteil, dass die Haftungseigenschaften bzw. die Verzahnung zwischen Kunststoffgehäusemasse und Oberseiten der Innenflachleiter sowie die Verzahnung zwischen der Oberseite der Chipmontageinsel und der Klebstoffmasse deutlich verbessert wird. Diese Verbesserung beruht auf den Eigenschaften der Nanoröhren, die eine enge van der Waalsche-Bindung zu den metallischen Oberflächen eingehen. Ferner sind die Nanoröhren äußerst flexibel und können bei einem Durchmesser von wenigen Nanometern bis zu einigen Millimetern lang werden. Für die hier vorgesehene Anwendung auf Flachleiterstrukturen reicht jedoch bereits eine mittlere Länge der Nanoröhren von wenigen Mikrometern, um eine Verbesserung der Hafteigenschaften der Kunststoffgehäusemasse bzw. der Klebstoffmasse auf der Flachleiterstruktur zu erreichen.
  • Dabei hilft auch die hohe Zugfestigkeit von Nanoröhren, die bei Kohlenstoff-Nanoröhren mit etwa 1011 Pa um mehrere Größenordnungen besser ist als bei Kunststoffen. Dadurch wird die Gefahr einer Delamination zwischen den Berührungsflächen der Klebstoffmasse und der Chipmontageinsel bzw. zwischen der Kunststoffgehäusemasse und den Innenflachleitern vermindert. Insbesondere bei hoher thermischer Belastung aufgrund unterschiedlicher Ausdehnungskoeffizienten der beteiligten Materialien bewirkt die hohe Zugfestigkeit der Nanoröhren gegenüber herkömmlichen Konstruktionen eine höhere Zugbelastbarkeit und damit eine größere Scherfestigkeit der haftvermittelnden Schichten. Da Kohlenstoff-Nanoröhren trotz ihrer Länge keine Korngrenzen aufweisen, ist ihre Verformbarkeit und Elastizität deutlich größer als bei herkömmlichen Materialien, so dass ein Aufbrechen oder eine Mikrorissbildung an Korngrenzen praktisch nicht möglich ist. Somit bilden die haftvermittelnden Nanoröhren biegefeste verformbare und elastische Anker, welche sowohl in der Kunststoffgehäusemasse als auch in der Klebstoffmasse sowie an den metallischen Oberflächen stabile Verankerungen bilden können.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weisen die Innenflachleiter bzw. die Außenflachleiter und die Chipmontageinsel gleiche Materialdicken auf. Diese Eigenschaft ergibt sich im Prinzip aus der Flachleitertechnik bzw. Flachleiterstruktur, bei der sowohl die Innenflachleiter als auch die Chipmontageinsel aus dem gleichen Kupferblech, das den Flachleiterrahmen bildet, gestanzt werden. Jedoch ist es möglich, die Chipmontageinsel durch entsprechende Kühlplatten zu verstärken, so dass die Gesamtmaterialdicke der Chipmontageinsel durchaus von der Materialstärke der Flachleiter abweichen kann. Dieses ist jedoch nicht der Fall bei oberflächenmontierbaren Halbleiterbauteilen auf einem Flachleiterrahmen, da die Außenseite der Chipmontageinsel, die nicht von dem Halbleiterchip oder von Kunststoffgehäusemasse bedeckt ist, gleichzeitig als oberflächenmontierbarer Außenanschluss dient.
  • In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist die Flachleiterstruktur mehrlagig und weist auf einer Basisstruktur aus einer Kupferlegierung Metalllagen von mindestens einem der Metalle Nickel, Eisen, Molybdän, Kobalt oder Legierungen derselben auf. Diese Metalllagen haben den Vorteil, dass sie Metalle aufweisen, die als Katalysator zur Bildung von Kohlenstoff-Nanoröhren dienen. Somit kann eine weitere Lage auf einer derartigen Metalllage Kohlenstoff-Nanoröhren aufweisen, die sich aus Keimen von Kohlenstoff-Nanoröhren gebildet haben. Diese zweilagige Schicht auf einer Flachleiterstruktur aus einer Metalllage aus Katalysatormetall und einer Lage aus Kohlenstoff-Nanoröhren hat den Vorteil, dass sie sich mit den Grenzflächen der Kunststoffgehäusemasse bzw. mit der Klebstoffmasse unter dem Halbleiterchip eng verzahnen kann.
  • Die Kohlenstoff-Nanoröhren auf der Flachleiterstruktur weisen einen Durchmesser d in der Größenordnung von nm, vorzugsweise zwischen 1,2 nm ≤ d ≤ 300 nm auf. Dieser minimale Durchmesser ist es, der die hohe Flexibilität der Kohlenstoff-Nanoröhren bedingt. Ferner ist es möglich, bei der erfindungsgemäßen Struktur Kohlenstoff-Nanoröhren auf der Flachleiterstruktur mit einem Volumenanteil von ΔV zwischen 1 Vol.% ≤ ΔV ≤ 10 Vol.% Rest Kunststoffgehäusemasse bzw. Klebstoffmasse in Form von polymeren Kettenmolekülen aufzubringen. Diese Lage aus einer Mischung aus Kohlenstoff-Nanoröhren und polymeren Kettenmolekülen der beteiligten Kunststoffgehäusemasse bzw. Klebstoffmasse ergibt eine enge Verflechtung beider Strukturen, so dass eine haftverbessernde Wirkung insbesondere auf der Chipmontageinsel entsteht. Wie bereits oben erwähnt, weisen die Kohlenstoff-Nanoröhren vorzugsweise eine Länge l in der Größenordnung von einigen 50 nm ≤ l ≤ 3 mm auf. Jedoch ist für die hier geplante Anwendung eine mittlere Länge l der Kohlenstoff-Nanoröhren zwischen 0,1 μm ≤ l ≤ 20 μm von Vorteil. Für den erfindungsgemäßen Flachleiterrahmen können die Kohlenstoff-Nanoröhren auf der Flachleiterstruktur vorzugsweise orthogonal zu den Oberflächen ausgerichtet sein und bilden praktisch eine Kolumnarstruktur aus.
  • Ein weitere Aspekt der Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil mit einer Flachleiterstruktur wie sie oben ausgeführt wurde. Dabei wird die Flachleiterstruktur als haftvermittelnde Komponente in dem Halbleiterbauteil zwischen Innenflachleitern und Kunststoffgehäusemasse zwischen Chipmontageinsel und Klebstoffschicht für den Halbleiterchip eingesetzt. Auf der Oberseite der Innenflachleiter ist jedoch ein Bereich für Kontaktanschlussflächen freigehalten, um eine stoffschlüssige metallische Verbindung von Bonddrähten mit den Innenflachleitern zu ermöglichen. Um dieses sicher zu gewährleisten, werden diese Bereiche der Oberseite der Innenflachleiter frei von Kohlenstoff-Nanoröhren gehalten. Jedoch ist es gegenüber dem Stand der Technik wünschenswert, dass im Bereich der leitfähigen Klebstoffmasse für den Halbleiterchip ebenfalls Nanoröhren vorgesehen werden, welche die Haftung der Halbleiterchips auf der Chipmontageinsel im Zusammenwirken mit der Klebstoffmasse verbessern.
  • Ein Verfahren zur Herstellung einer Flachleiterstruktur weist die nachfolgenden Verfahrensschritte auf. Zunächst wird ein streifenförmiger Flachleiterrahmen, der eine Vielzahl von Halbleiterbauteilpositionen mit Außenflachleitern, Innenflachleitern und Chipmontageinseln aufweist, hergestellt. Anschließend werden selektiv Nanoröhrenkeime auf Oberflächen der Chipmontageinseln und der Innenflachleiter unter Freilassen von Kontaktanschlussflächen auf den Innenflachleitern aufgebracht. Danach erfolgt ein Züchten von kolumnar angeordneten Nanoröhren auf den Nanoröhrenkeimen.
  • Anstelle von diskreten Nanoröhrenkeimen können auch Katalysatorschichten aufgebracht werden, die ein Wachsen von Nanoröhren beschleunigen. Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass die Flachleiterstruktur mit relativ geringem Aufwand mit einer haftverbessernden Struktur auf ihren Oberseiten, insbesondere auf den Innenflachleitern und der Chipmontageinsel versehen werden kann. Ferner hat dieses Verfahren den Vorteil, dass eine enge Verzahnung zwischen Klebstoffmasse auf der Chipmontageinsel und den dort mit dem Verfahren bereits vorbereiteten oder vorhandenen Nanoröhren erfolgen kann.
  • Beim selektiven Aufbringen von Nanoröhrenkeimen auf die Oberflächen der Innenflachleiter und der Chipmontageinseln können die übrigen Oberflächen des Flachleiterrahmens mit einer Schutzschicht bedeckt werden, um zu vermeiden, dass der Flachleiterrahmen rundherum mit Nanoröhren beschichtet wird. Als Nanoröhrenkeime werden selektiv Fullerene auf den ungeschützten Oberflächen abgeschieden. Diese Fullerene sind ringförmig aneinander gelagerte Kohlenstoffatome, wobei in jedem Ring sechs Atome entsprechend dem so genannten Kekülé-Ring angeordnet sind und eine kugelförmige Oberfläche bilden. Diese kugelförmige Oberfläche kann als Keimzelle für kolumnar wachsende zylindrische Nanoröhren eingesetzt werden.
  • In einer bevorzugten Durchführung des Verfahrens wird vor dem selektiven Aufbringen der Nanoröhrenkeime auf die Oberflächen der Flachleiterstruktur eine Lage aus Katalysatormaterial, vorzugsweise eine Lage, die eines der Metalle Nickel, Eisen, Molybdän, Kobalt oder Legierungen derselben aufweist. Die Vorteile dieser Metalllagen wurden bereits oben diskutiert, so dass sich eine Wiederholung erübrigt.
  • Weiterhin ist es auch möglich, zur Herstellung einer Schicht mit Kohlenstoff-Nanoröhren auf die Flachleiterstruktur Katalysatormetall mit einer Lösung von Kohlenstoff-Nanoröhrenkeimen und mit Oligomeren eines Kunststoffharzes aufzubringen. Diese können anschließend durch thermische Behandlung der Lösung Kohlenstoff-Nanoröhren und polymere Kettenmoleküle des Kunstharzes bilden.
  • Ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen mit einer Flachleiterstruktur weist die nachfolgenden Verfahrensschritte auf. Zunächst wird ein streifenförmiger Flachleiterrahmen mit einer Vielzahl von Halbleiterbauteilpositionen, die Außenflachleiter, Innenflachleiter und Chipmontageinseln aufweisen, hergestellt. Anschließend wird ein selektives Aufbringen von Nanoröhrenkeimen auf Oberflächen der Chipmontageinseln und der Innenflachleiter unter Freilassen von Kontaktanschlussflächen auf den Innenflachleitern durchgeführt. Danach werden kolumnar angeordnete Nanoröhren auf den Nanoröhrenkeimen gezüchtet. Anschließend wird eine Klebstoffmasse auf die Chipmontageinsel der Halbleiterbauteilpositionen aufgebracht. Danach werden Halbleiterchips auf die Klebstoffmasse auf den Chipmontageinseln in den Halbleiterbauteilpositionen angeordnet.
  • Schließlich werden elektrische Verbindungen zwischen den Halbleiterchips und den Kontaktanschlussflächen der Innenflachleiter hergestellt. Danach werden die Halbleiterchips und die elektrischen Verbindungen sowie die Innenflachleiter in eine Kunststoffgehäusemasse eingebracht. Dabei können die Unterseiten der Chipmontageinsel und der Innenflachleiter als oberflächenmontierbare Außenkontakte dienen, wobei die Innenflachleiter nun von außen betrachtet Außenflachleiter sind. Dabei erfolgt das Einbetten des Halbleiterchips und der elektrischen Verbindungen in die Kunststoffgehäusemasse und das Aufbringen der Kunststoffgehäusemasse auf die Oberflächen der Innenflachleiter mittels Dispenstechnik oder mittels Spritzgusstechnik.
  • Zusammenfassend ist festzustellen, dass erfindungsgemäß auf eine Flachleiterstruktur Nanoröhrchen aufgebracht werden, wobei dieses durch selektives Aufwachsen an entsprechenden Nanoröhrenkeimen erfolgt. Die Nanoröhren-Keimdichte bzw. der Abstand zwischen den Nanoröhrenkeimen ist dabei so gewählt, dass die Kunststoffgehäusemasse bzw. die Klebstoffmasse lunkerfrei in die Zwischenräume eindringen kann. Dabei kommt es zu einer deutlichen Vergrößerung der benetzbaren Oberfläche und somit auch zu einer verbesserten Haftung der Kunststoffgehäusemasse bzw. der Klebstoffmasse mit der Flachleiterstruktur.
    •
  • Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Figuren näher erläutert.
  • 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil mit Flachleiterstruktur gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
  • 2 zeigt eine schematische Draufsicht auf eine Oberseite einer Chipmontageinsel mit Nanoröhrenkeimen;
  • 3 zeigt schematisch ein perspektivisches Modell einer Kohlenstoff-Nanoröhre;
  • 4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine Flachleiterstruktur gemäß einer Ausführungsform der Erfindung nach Aufbringen bzw. Züchten von Nanoröhren aus den Nanoröhrenkeimen gemäß 2;
  • 5 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine Flachleiterstruktur gemäß 4 nach Freilegen von Kontaktanschlussflächen auf den Oberseiten der Innenflachleiter;
  • 6 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die Flachleiterstruktur gemäß 5 nach Aufbringen einer Klebstoffmasse;
  • 7 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die Flachleiterstruktur gemäß 6 nach Aufbringen eines Halbleiterchips;
  • 8 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die Flachleiterstruktur gemäß 7 nach dem Herstellen elektrischer Verbindungen und vor dem Einbetten der Flachleiterstruktur in eine Kunststoffgehäusemasse.
  • 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil 1 mit Flachleiterstruktur 16 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Dieses Halbleiterbauteil 1 ba siert auf der Flachleiterstruktur 16 als Schaltungsträger, wobei die Flachleiterstruktur 16 eine Chipmontageinsel 7 aufweist und Innenflachleiter 5 besitzt, die gleichzeitig mit ihren Außenflächen Außenflachleiter 2 bilden. Diese Flachleiterstruktur 16 des in 1 gezeigten Halbleiterbauteils 1 ermöglicht eine Oberflächenmontage, da die Unterseite 19 des Halbleiterbauteils 1 oberflächenmontierbare Unterseiten der Außenflachleiter 2 und der Chipmontageinsel 7 aufweist. Die Chipmontageinsel 7 trägt einen Halbleiterchip 9, während die Innenflachleiter 5 Kontaktanschlussflächen 11 aufweisen, die über Bonddrähte 20 als elektrische Verbindungen 6 mit entsprechenden Kontaktflächen 21 der Oberseite 22 des Halbleiterchips 9 elektrisch verbunden sind.
  • Die Oberseiten 10 der Chipmontageinsel 7 und der Innenflachleiter 5 weisen orthogonal zu den Oberseiten 10 angeordnete Nanoröhren 12 auf, in deren Zwischenräumen (13, 14) einerseits eine Kunststoffgehäusemasse 4 auf den Innenflachleitern 5 angeordnet ist und andererseits eine Klebstoffmasse 15 in den Zwischenräumen 14 auf der Chipmontageinsel 7 vorhanden ist. Dabei unterstützen die Nanoröhren 12 das Fixieren der Klebstoffmasse 15 auf der Chipmontageinsel 7 und das Befestigen des Halbleiterchips 9 auf der Klebstoffmasse 15.
  • Durch die Nanoröhren 12 wird einerseits die adhäsive Fläche vergrößert und andererseits dienen die Nanoröhren 12 der Verankerung der Klebstoffmasse 15 sowohl auf der Rückseite 23 des Halbleiterchips 1 als auch auf der Oberseite 10 der Chipmontagefläche 7. Um eine elektrische Leitfähigkeit zwischen der Rückseite 23 des Halbleiterchips 1 und der Chipmontageinsel 7 zu erwirken, ist die Klebstoffmasse 15 zusätzlich mit elektrisch leitenden Partikeln gefüllt. Auch die Oberseiten 10 der Innenflachleiter 5 sind mit Nanoröhren 12 ausgestat tet, wobei die Zwischenräume 13 zwischen den Nanoröhren 12 durch die Kunststoffgehäusemasse 4 aufgefüllt sind. Dazu ist der Abstand zwischen den Nanoröhren 12 geeignet groß gewählt, um zu gewährleisten, dass die Zwischenräume (13, 14) zwischen den Nanoröhren 12 vollständig von Kunststoffgehäusemasse 4 bzw. Klebstoffmasse 15 aufgefüllt werden können.
  • Ein derartiges Halbleiterbauteil mit der erfindungsgemäßen Flachleiterstruktur 16 hat den Vorteil, dass durch die Nanoröhren 12 auf den Oberflächen 10 der Innenflachleiter 5 und der Chipmontageinsel 7 eine Delamination zwischen Kunststoffgehäusemasse 4 und Innenflachleitern 5 sowie zwischen Chipmontageinsel 7 und Klebstoffmasse 15 praktisch vermieden wird. Das gleiche gilt für die Grenzschicht zwischen der Rückseite 23 des Halbleiterchips 9 und der Klebstoffmasse 15.
  • Die 2 bis 8 zeigen einzelne Komponenten von Fertigungsschritten zur Herstellung eines Halbleiterbauteils 1 gemäß 1.
  • 2 zeigt eine schematische Draufsicht auf eine Oberseite 10 einer Chipmontageinsel 7 mit Nanoröhrenkeimen 18. Die Nanoröhrenkeime 18 sind vorzugsweise Fullerene, die zusammen oder nacheinander mit einer Katalysatormetalllage aus Nickel, Eisen, Molybdän, Kobalt oder Legierungen derselben aufgebracht werden. Dabei sind die Nanoröhrenkeime 18 statistisch auf der Oberseite 10 der Chipinsel 7 verteilt.
  • 3 zeigt schematisch ein perspektivisches Modell einer Kohlenstoff-Nanoröhre 12. Derartige Nanoröhren 12 können einlagig oder mehrlagig sein, wobei die mehrlagige Nanoröhre dadurch entsteht, dass Nanoröhren von unterschiedlichem Durchmesser ineinander geschachtelt sind. Der Durchmesser d derar tiger Nanoröhren liegt zwischen 1,2 nm ≤ d ≤ 300 nm und der Volumenanteil ΔV der Kohlenstoff-Nanoröhren 12 auf der in 4 gezeigten Flachleiterstruktur liegt bei 1 Vol.% ≤ ΔV ≤ 10 Vol.%.
  • Das bedeutet, dass die Zwischenräume zwischen den Nanoröhren 12 groß genug sind, um sie mit Kunststoffgehäusemasse bzw. mit Klebstoffmasse lunkerfrei aufzufüllen. Die Kohlenstoffatome C der in 3 gezeigten Nanoröhre sind hexagonal zueinander angeordnet und bilden sogenannte Kekülé-Ringe, wobei jeweils sechs Kohlenstoffatome C einen Ring bilden. Diese hexagonalen Ringe bilden einen Hohlzylinder, der dem Durchmesser der Nanoröhre 12 entspricht. Die Länge l derartiger Nanoröhren liegt zwischen 50 nm ≤ l ≤ 3 mm. Jedoch für die erfindungsgemäße Verwendung der Nanoröhren 12 zur Verbesserung der Haftvermittlung zwischen Innenflachleitern und Kunststoffgehäusemasse bzw. Chipmontageinsel und Klebstoffschicht wird eine mittlere Länge l der Nanoröhren 12 von 100 nm ≤ l ≤ 20 μm bevorzugt.
  • 4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine Flachleiterstruktur 16 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung nach Aufbringen bzw. Züchten von Nanoröhren 12 aus den Nanoröhrenkeimen 18, die in 2 gezeigt sind, auf den inneren Oberseiten 10 der Innenflachleiter 5 und der Chipmontageinsel 7. Bei dieser Ausführungsform der Erfindung einer Flachleiterstruktur 16 weist das Flachleitermaterial 8 sowohl für die Chipmontageinsel 7 als auch für die Innenflachleiter 5 eine gleiche Materialdicke D auf.
  • Die Flachleiterstruktur 16 gehört zu einem Flachleiterrahmen 17, von dem in 4 lediglich eine einzelne Halbleiterbauteilposition gezeigt wird. Diese Halbleiterbauteilposition weist im Zentrum die Chipmontageinsel 7 und an den Rändern die Außenanschlüsse 3 in Form von Außenflachleitern 2 auf. Die äquidistante Beabstandung der Nanoröhren 12 auf den Oberseiten 10 der Chipmontageinsel 7 und der Innenflachleiter 5 ist nur eine schematische Darstellung, zumal die Abstände und Zwischenräume 14 auf der Chipmontageinsel 7 und die Zwischenräume 13 auf den Innenflachleitern 5 variieren.
  • 5 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine Flachleiterstruktur 16 gemäß 4 nach Freilegen von Kontaktanschlussflächen 11 auf den Oberseiten 10 der Innenflachleiter 5. Die Innenflachleiter 5 tragen derartige Kontaktanschlussflächen 11, um die Innenflachleiter 5 und somit auch die Außenflachleiter 2 elektrisch mit entsprechenden Kontaktflächen auf der Oberseite von Halbleiterchips verbinden zu können. Um eine ausreichende Bondfähigkeit zu gewährleisten, werden deshalb, wie es 5 zeigt, diese Bereiche der Innenflachleiter 5 von Nanoröhren 12 und Nanoröhrenkeimen freigelegt oder freigehalten, wobei der übrige Aufbau der Flachleiterstruktur 16 mit der in 4 gezeigten Struktur identisch ist.
  • 6 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die Flachleiterstruktur 16 gemäß 5 nach Aufbringen einer Klebstoffmasse 15. Diese Klebstoffmasse 15 wird nur im Bereich der Chipmontageinsel 7 aufgebracht, um anschließend einen Halbleiterchip in diesem Bereich zu fixieren. Das selektive Aufbringen der Klebstoffmasse 15 kann durch Dispensen erfolgen, wobei die Zwischenräume 14 zwischen den Nanoröhren 12 mit Klebstoffmasse 15 aufgefüllt werden. Dabei kann das Aufbringen der Klebstoffmasse 15 durch entsprechende Kapillarwirkung von dicht gepackten Nanoröhren 12 unterstützt werden.
  • 7 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die Flachleiterstruktur 16 gemäß 6 nach Aufbringen eines Halbleiterchips 9. Dieser Halbleiterchip 9 wird mit seiner Rückseite 23 auf die Klebstoffmasse 15 aufgebracht, die mit entsprechend leitenden Partikeln gefüllt ist, so dass die Rückseite 23 des Halbleiterchips 9 elektrisch mit der Chipmontageinsel 7 verbunden ist. Die Oberseite 22 des Halbleiterchips 9 weist Kontaktflächen 21 auf, die mit den integrierten Schaltungen auf der Oberseite 22 des Halbleiterchips 9 in Verbindung stehen und noch keine elektrische Verbindung zu den Kontaktanschlussflächen 11 auf den Innenflachleitern 5 der Flachleiterstruktur 16 aufweisen. Diese elektrische Verbindung erfolgt mit der nachfolgenden Figur.
  • 8 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die Halbleiterstruktur 16 gemäß 7 nach dem Herstellen elektrischer Verbindungen 6 und vor dem Einbetten der Flachleiterstruktur 16 in eine Kunststoffgehäusemasse zu einem oberflächenmontierbaren Halbleiterbauteil. Nach dem Anbringen von Bonddrähten 20 unter Verbinden der Kontaktflächen 21 auf der aktiven Oberseite 22 des Halbleiterchips 9 mit den Kontaktanschlussflächen 11 auf den Innenflachleitern 5 ist der elektrische Aufbau eines Halbleiterbauteils in einer Halbleiterbauteilposition des Flachleiterrahmens vollendet, so dass lediglich noch ein Dispensen oder Spritzgießen der Kunststoffgehäusemasse, wie sie in 1 gezeigt wird, und ein Ausstanzen des Halbleiterbauteils aus dem Flachleiterrahmen erfolgen muss.
    • 1
    Halbleiterbauteil
    2
    Außenflachleiter
    3
    Außenanschluss
    4
    Kunststoffgehäusemasse
    5
    Innenflachleiter
    6
    elektrische Verbindung
    7
    Chipmontageinsel
    8
    Flachleitermaterial
    9
    Halbleiterchip
    10
    Oberseite der Chipmontageinsel und der
    Innenflachleiter
    11
    Kontaktanschlussfläche
    12
    Nanoröhren
    13
    Zwischenraum zwischen Nanoröhren auf
    Innenflachleitern
    14
    Zwischenraum zwischen Nanoröhren auf
    Chipmontageinseln
    15
    Klebstoffmasse
    16
    Flachleiterstruktur
    17
    Flachleiterrahmen
    18
    Nanoröhrenkeime
    19
    Unterseite des Halbleiterbauteils
    20
    Bonddraht
    21
    Kontaktfläche
    22
    Oberseite des Halbleiterchips
    23
    Rückseite des Halbleiterchips
    D
    Materialdicke
    d
    Durchmesser der Nanoröhren
    C
    Kohlenstoffatom
    l
    Länge

Claims (18)

  1. Flachleiterstruktur für ein Halbleiterbauteil (1) mit Außenflachleitern (2) für Außenanschlüsse (3) außerhalb einer Kunststoffgehäusemasse (4) und Innenflachleitern (5) für elektrische Verbindungen (6) innerhalb der Kunststoffgehäusemasse (4) und mit einer Chipmontageinsel (7) aus Flachleitermaterial (8) zum Aufbringen eines Halbleiterchips (9), wobei die Oberseiten (10) der Chipmontageinsel (7) und der Innenflachleiter (5) unter Freilassung von Kontaktanschlussflächen (11) Nanoröhren (12) aufweisen, die auf den Oberseiten (10) verankert sind, wobei in den Zwischenräumen (13) zwischen den Nanoröhren (12) auf den Innenflachleitern (5) die Kunststoffgehäusemasse (4) und in den Zwischenräumen (14) zwischen den Nanoröhren (12) auf der Chipmontageinsel (7) eine Klebstoffmasse (15) angeordnet sind, und wobei die Klebstoffmasse (15) und die Kunststoffgehäusemasse (4) die Zwischenräume (13, 14) lunkerfrei auffüllen.
  2. Flachleiterstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Innenflachleiter (5), die Außenflachleiter (2) und die Chipmontageinsel (7) gleiche Materialdicken (D) aufweisen.
  3. Flachleiterstruktur nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Flachleiterstruktur (16) mehrlagig ist und auf einer Basisstruktur aus einer Kupferlegierung Metalllagen von mindestens einem der Metalle Nickel, Eisen, Molybdän, Kobalt oder Legierungen derselben aufweist.
  4. Flachleiterstruktur nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Flachleiterstruktur (16) auf der Basisstruktur eine Lage aus einer Mischung von Kohlenstoff-Nanoröhren (12) und polymeren Kettenmolekülen aufweist.
  5. Flachleiterstruktur nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Flachleiterstruktur (16) auf den Oberseiten (10) der Innenflachleiter (5) und der Chipmontageinsel (7) Kohlenstoff-Nanoröhren aufweist.
  6. Flachleiterstruktur nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Kohlenstoff-Nanoröhren (12) auf der Flachleiterstruktur (16) einen Durchmesser (d) in der Größenordnung von Nanometern, vorzugsweise zwischen 1,2 nm ≤ d ≤ 300 nm aufweisen.
  7. Flachleiterstruktur nach Anspruch 5 oder Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Kohlenstoff-Nanoröhren (12) auf der Flachleiterstruktur (16) einen Volumenanteil von ΔV zwischen 1 Vol.% ≤ ΔV ≤ 10 Vol.% Rest polymere Kettenmoleküle der Kunststoffgehäusemasse (4) oder der Klebstoffmasse (15) aufweisen.
  8. Flachleiterstruktur nach Anspruch 5 oder Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Kohlenstoff-Nanoröhren (12) eine Länge (l) in der Größenordnung von einigen 50 nm ≤ l ≤ 3 mm aufweisen.
  9. Flachleiterstruktur nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kohlenstoff-Nanoröhren (12) der Flachleiterstruktur (16) eine nahezu orthogonal zu den Oberflächen (10) ausgerichtete Kolumnarstruktur aufweisen.
  10. Halbleiterbauteil mit einer Flachleiterstruktur gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche.
  11. Verwendung der Flachleiterstruktur (16) nach einem der Ansprüche 1 bis 9 als haftvermittelnde Komponente in Halbleiterbauteilen (1) zwischen Innenflachleitern (5) und Kunststoffgehäusemasse (4) und zwischen Chipmontageinsel (7) und Klebstoffschicht (15) für den Halbleiterchip (9).
  12. Verfahren zur Herstellung einer Flachleiterstruktur (16), wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist: – Herstellen eines streifenförmigen Flachleiterrahmens (17) mit einer Vielzahl von Halbleiterbauteilpositionen, die Außenflachleiter (2), Innenflachleiter (5) und Chipmontageinseln (7) aufweisen; – selektives Aufbringen von Nanoröhrenkeimen (18) auf Oberflächen (10) der Chipmontageinseln (7) und der Innenflachleiter (5) unter Freilassen von Kontaktanschlussflächen (11) auf den Innenflachleitern (5) und – Züchten von kolumnar angeordneten Nanoröhren (12) auf den Nanoröhrenkeimen (18).
  13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass zum selektiven Aufbringen von Nanoröhrenkeimen (18) auf die Oberflächen (10) der Innenflachleiter (5) und der Chipmontageinseln (7) die übrigen Oberflächen des Flachleiterrahmens (17) mit einer Schutzschicht bedeckt werden.
  14. Verfahren nach Anspruch 12 oder Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass zum selektiven Aufbringen von Nanoröhrenkeimen (18) Fullerene auf den ungeschützten Oberflächen (10) abgeschieden werden.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem selektiven Aufbringen der Nanoröhrenkeime (18) auf die Oberflächen (10) der Flachleiterstruktur (16) eine Lage aus Katalysatormaterial, vorzugsweise eine Lage, die eines der Metalle Nickel, Eisen, Molybdän, Kobalt oder Legierungen derselben aufweist, aufgebracht wird.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass auf die Flachleiterstruktur (16) mit einer Schicht aus Katalysatormetall eine Lösung mit Kohlenstoff-Nanoröhrenkeimen (18) und mit Oligomeren eines Kunstharzes aufgebracht wird, die anschließend unter thermischer Behandlung der Lösung Kohlenstoff-Nanoröhren (12) und polymere Kettenmoleküle des Kunstharzes bildet.
  17. Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen (1) mit einer Flachleiterstruktur (16), wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist: – Herstellen eines streifenförmigen Flachleiterrahmens (17) mit einer Vielzahl von Halbleiterbauteilpositionen, die Außenflachleiter (2), Innenflachleiter (5) und Chipmontageinseln (7) aufweisen; – selektives Aufbringen von Nanoröhrenkeimen (18) auf Oberflächen (10) der Innenflachleiter (5) und der Chipmontageinseln (7) unter Freilassen von Kontaktanschlussflächen (11) auf den Innenflachleitern (5); – Züchten von kolumnar angeordneten Nanoröhren (12) auf den Nanoröhrenkeimen (18); – Aufbringen einer Klebstoffmasse (15) auf die Chipmontageinseln (7) der Halbleiterbauteilpositionen; – Aufbringen von Halbleiterchips (9) auf die Klebstoffmasse (15) auf den Chipmontageinseln (7) in den Halbleiterbauteilpositionen; – Herstellen elektrischer Verbindungen (6) zwischen den Halbleiterchips (9) und den Kontaktanschlussflächen (11) der Innenflachleiter (5); – Einbetten der Halbleiterchips (9) und der elektrischen Verbindungen (6) sowie der Innenflachleiter (5) in eine Kunststoffgehäusemasse (4).
  18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass das Einbetten des Halbleiterchips (9) und der elektrischen Verbindungen (6) in die Kunststoffgehäusemasse (4) und das Aufbringen der Kunststoffgehäusemasse (4) auf die Oberflächen (10) der Innenflachleiter (5) mittels Spritzgusstechnik erfolgt.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4744360B2 (ja) * 2006-05-22 2011-08-10 富士通株式会社 半導体装置
US20090315159A1 (en) * 2008-06-20 2009-12-24 Donald Charles Abbott Leadframes having both enhanced-adhesion and smooth surfaces and methods to form the same
US8753924B2 (en) * 2012-03-08 2014-06-17 Texas Instruments Incorporated Grown carbon nanotube die attach structures, articles, devices, and processes for making them
US11325828B2 (en) * 2013-02-22 2022-05-10 Vibrant Composites Inc. High-volume millimeter scale manufacturing
JP6278297B2 (ja) * 2013-07-24 2018-02-14 株式会社日立製作所 接合構造およびそれを用いた半導体装置
US8912637B1 (en) * 2013-09-23 2014-12-16 Texas Instruments Incorporated Self-adhesive die
US20160106004A1 (en) * 2014-10-13 2016-04-14 Ntherma Corporation Carbon nanotubes disposed on metal substrates with one or more cavities
WO2018026592A1 (en) * 2016-08-03 2018-02-08 Soliduv, Inc. Strain-tolerant die attach with improved thermal conductivity, and method of fabrication
EP3624182B1 (de) * 2018-09-12 2022-04-20 Infineon Technologies AG Leistungshalbleitermodulanordnung, substratanordnung und verfahren zur herstellung davon

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997012397A1 (en) * 1995-09-27 1997-04-03 Texas Instruments Incorporated Microelectronic assemblies including z-axis conductive films
DE10206818A1 (de) * 2002-02-18 2003-08-28 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit Klebstoffschicht und Verfahren zur Herstellung derselben
DE10221503A1 (de) * 2002-05-14 2003-11-27 Infineon Technologies Ag Zur wenigstens teilweisen Beschichtung mit einer Substanz bestimmter Metallgegenstand
EP1411549A1 (de) * 2002-10-18 2004-04-21 Semikron Elektronik GmbH Patentabteilung Leistungshalbleitermodul mit elektrisch leitenden Kohlenstoffnanoröhrchen

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5554569A (en) 1994-06-06 1996-09-10 Motorola, Inc. Method and apparatus for improving interfacial adhesion between a polymer and a metal
AU2762699A (en) * 1998-02-12 1999-08-30 Board Of Trustees Of Michigan State University Micro-fastening system and method of manufacture
DE10124047B4 (de) * 2001-05-16 2006-12-14 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung elektronischer Bauteile mit Halbleiterchips und Systemträger
US6891724B2 (en) * 2002-06-12 2005-05-10 Intel Corporation Increasing thermal conductivity of thermal interface using carbon nanotubes and CVD
US7316061B2 (en) * 2003-02-03 2008-01-08 Intel Corporation Packaging of integrated circuits with carbon nano-tube arrays to enhance heat dissipation through a thermal interface
US7056409B2 (en) * 2003-04-17 2006-06-06 Nanosys, Inc. Structures, systems and methods for joining articles and materials and uses therefor
DE102004048201B4 (de) 2004-09-30 2009-05-20 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit Haftvermittlerschicht, sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE102004054598A1 (de) 2004-11-11 2006-05-24 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit mindestens einem Halbleiterchip und Abdeckmasse und Verfahren zur Herstellung desselben
US7553681B2 (en) * 2006-03-24 2009-06-30 Intel Corporation Carbon nanotube-based stress sensor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997012397A1 (en) * 1995-09-27 1997-04-03 Texas Instruments Incorporated Microelectronic assemblies including z-axis conductive films
DE10206818A1 (de) * 2002-02-18 2003-08-28 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit Klebstoffschicht und Verfahren zur Herstellung derselben
DE10221503A1 (de) * 2002-05-14 2003-11-27 Infineon Technologies Ag Zur wenigstens teilweisen Beschichtung mit einer Substanz bestimmter Metallgegenstand
EP1411549A1 (de) * 2002-10-18 2004-04-21 Semikron Elektronik GmbH Patentabteilung Leistungshalbleitermodul mit elektrisch leitenden Kohlenstoffnanoröhrchen

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