DE102005013410B4 - Vorrichtung und Verfahren zum Kristallisieren von Nichteisenmetallen - Google Patents
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- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 31
- -1 ferrous metals Chemical class 0.000 title claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 52
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 43
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 claims description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 14
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 13
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 13
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 claims description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 41
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000029305 taxis Effects 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/003—Heating or cooling of the melt or the crystallised material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/121—The active layers comprising only Group IV materials
- H10F71/1221—The active layers comprising only Group IV materials comprising polycrystalline silicon
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102005013410A DE102005013410B4 (de) | 2005-03-23 | 2005-03-23 | Vorrichtung und Verfahren zum Kristallisieren von Nichteisenmetallen |
| AT06723370T ATE440804T1 (de) | 2005-03-23 | 2006-03-11 | Vorrichtung und verfahren zum kristallisieren von nichteisenmetallen |
| US11/816,943 US7981214B2 (en) | 2005-03-23 | 2006-03-11 | Device and process for the crystallizing of non-ferrous metals |
| PCT/EP2006/002258 WO2006099955A1 (de) | 2005-03-23 | 2006-03-11 | Vorrichtung und verfahren zum kristallisieren von nichteisenmetallen |
| DE502006004664T DE502006004664D1 (de) | 2005-03-23 | 2006-03-11 | Vorrichtung und verfahren zum kristallisieren von nichteisenmetallen |
| EP06723370A EP1866247B1 (de) | 2005-03-23 | 2006-03-11 | Vorrichtung und verfahren zum kristallisieren von nichteisenmetallen |
| JP2008502280A JP2008534414A (ja) | 2005-03-23 | 2006-03-11 | 非鉄金属材料の結晶化の為の装置及び方法 |
| NO20075331A NO20075331L (no) | 2005-03-23 | 2007-10-18 | Innretning og fremgangsmate for krystallisering av ikke-jernholdige metaller. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102005013410A DE102005013410B4 (de) | 2005-03-23 | 2005-03-23 | Vorrichtung und Verfahren zum Kristallisieren von Nichteisenmetallen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102005013410A1 DE102005013410A1 (de) | 2006-09-28 |
| DE102005013410B4 true DE102005013410B4 (de) | 2008-01-31 |
Family
ID=36190440
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102005013410A Expired - Fee Related DE102005013410B4 (de) | 2005-03-23 | 2005-03-23 | Vorrichtung und Verfahren zum Kristallisieren von Nichteisenmetallen |
| DE502006004664T Active DE502006004664D1 (de) | 2005-03-23 | 2006-03-11 | Vorrichtung und verfahren zum kristallisieren von nichteisenmetallen |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE502006004664T Active DE502006004664D1 (de) | 2005-03-23 | 2006-03-11 | Vorrichtung und verfahren zum kristallisieren von nichteisenmetallen |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7981214B2 (enExample) |
| EP (1) | EP1866247B1 (enExample) |
| JP (1) | JP2008534414A (enExample) |
| AT (1) | ATE440804T1 (enExample) |
| DE (2) | DE102005013410B4 (enExample) |
| NO (1) | NO20075331L (enExample) |
| WO (1) | WO2006099955A1 (enExample) |
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| DE102011002599A1 (de) | 2011-01-12 | 2012-07-12 | Solarworld Innovations Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Ingots |
| DE102011002598A1 (de) | 2011-01-12 | 2012-07-12 | Solarworld Innovations Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Ingots |
| DE102011005503A1 (de) | 2011-03-14 | 2012-09-20 | Solarworld Innovations Gmbh | Vorrichtung zur Herstellung von Silizium-Blöcken |
| DE102011082628A1 (de) | 2011-09-13 | 2013-03-14 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Silizium-Blöcken |
| DE102011086669A1 (de) | 2011-11-18 | 2013-05-23 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung von Silizium-Blöcken |
| DE102012203706A1 (de) | 2012-02-06 | 2013-08-08 | Solarworld Innovations Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Silizium-Ingots |
| DE102012203527A1 (de) | 2012-03-06 | 2013-09-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung von Silizium-Ingots |
| DE102012203524A1 (de) | 2012-03-06 | 2013-09-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung von Silizium-Ingots |
| DE102012209005A1 (de) | 2012-05-29 | 2013-12-05 | Solarworld Innovations Gmbh | Keimvorlage |
| DE102013203740A1 (de) | 2013-03-05 | 2014-09-11 | Solarworld Innovations Gmbh | Vorrichtung zur Herstellung von Silizium-Blöcken |
| US8936652B2 (en) | 2012-12-20 | 2015-01-20 | Solarworld Industries America Inc. | Method for manufacturing silicon blocks |
| EP2982780A1 (de) | 2014-08-04 | 2016-02-10 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Kokille aus Quarzglas oder Quarzgut sowie Verfahren für deren Herstellung |
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- 2005-03-23 DE DE102005013410A patent/DE102005013410B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-03-11 JP JP2008502280A patent/JP2008534414A/ja active Pending
- 2006-03-11 US US11/816,943 patent/US7981214B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-11 EP EP06723370A patent/EP1866247B1/de not_active Not-in-force
- 2006-03-11 AT AT06723370T patent/ATE440804T1/de active
- 2006-03-11 WO PCT/EP2006/002258 patent/WO2006099955A1/de not_active Ceased
- 2006-03-11 DE DE502006004664T patent/DE502006004664D1/de active Active
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- 2007-10-18 NO NO20075331A patent/NO20075331L/no not_active Application Discontinuation
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| DE102012203706A1 (de) | 2012-02-06 | 2013-08-08 | Solarworld Innovations Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Silizium-Ingots |
| DE102012203527A1 (de) | 2012-03-06 | 2013-09-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung von Silizium-Ingots |
| DE102012203524A1 (de) | 2012-03-06 | 2013-09-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung von Silizium-Ingots |
| DE102012209005A1 (de) | 2012-05-29 | 2013-12-05 | Solarworld Innovations Gmbh | Keimvorlage |
| US8936652B2 (en) | 2012-12-20 | 2015-01-20 | Solarworld Industries America Inc. | Method for manufacturing silicon blocks |
| DE102013203740A1 (de) | 2013-03-05 | 2014-09-11 | Solarworld Innovations Gmbh | Vorrichtung zur Herstellung von Silizium-Blöcken |
| DE102013203740B4 (de) | 2013-03-05 | 2020-06-18 | Solarworld Industries Gmbh | Vorrichtung und Vefahren zur Herstellung von Silizium-Blöcken |
| EP2982780A1 (de) | 2014-08-04 | 2016-02-10 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Kokille aus Quarzglas oder Quarzgut sowie Verfahren für deren Herstellung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1866247A1 (de) | 2007-12-19 |
| DE102005013410A1 (de) | 2006-09-28 |
| JP2008534414A (ja) | 2008-08-28 |
| US7981214B2 (en) | 2011-07-19 |
| NO20075331L (no) | 2007-12-18 |
| DE502006004664D1 (de) | 2009-10-08 |
| US20080264207A1 (en) | 2008-10-30 |
| EP1866247B1 (de) | 2009-08-26 |
| ATE440804T1 (de) | 2009-09-15 |
| WO2006099955A1 (de) | 2006-09-28 |
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