DE102005009292A1

DE102005009292A1 - Mehrschichtleiterplatte, Mehrchipmodulstruktur und Herstellungsverfahren

Info

Publication number: DE102005009292A1
Application number: DE200510009292
Authority: DE
Inventors: Young Yongin Yun; Byun-Se Sungnam So; Young-Man Yongin Ahn; You-Keun Yongin Han
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2004-02-23
Filing date: 2005-02-22
Publication date: 2005-09-15
Also published as: US20050183882A1; KR100631922B1; JP2005244199A; KR20050083298A; CN1662122A; TW200541431A

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf eine Mehrschichtleiterplatte mit einer Stapelschichtstruktur mit einer äußeren Schicht (101b), einer ersten inneren Schicht (102b) und einer zweiten inneren Schicht (103b), auf eine entsprechende Mehrchipmodulstruktur und auf ein zugehöriges Herstellungsverfahren.
Erfindungsgemäß weisen die erste innere Schicht und die zweite innere Schicht verschiedene Dicken auf.
Verwendung in der Mehrschichtleiterplattentechnik.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Mehrschichtleiterplatte, eine Mehrchipmodulstruktur sowie ein zugehöriges Herstellungsverfahren.

Mehrschichtleiterplatten werden allgemein verbreitet in elektronischen Systemen verwendet, wie Personalcomputern oder dergleichen. Die Mehrschichtleiterplatten haben Vorteile gegenüber Einzelschichtleiterplatten. Die Vorteile beinhalten zum Beispiel eine erhöhte Effizienz der Platzausnutzung und eine Reduktion der physikalischen Gesamtabmessung. Die Mehrschichtleiterplatte weist z.B. ein elektronisches Schaltkreiselement, wie einen Mikroprozessor, einen Kondensator oder dergleichen, ebenso wie ein darauf angebrachtes Halbleiterspeicherbauelement auf, wie ein DRAM oder dergleichen, um so ein Mehrchipmodul bereitzustellen.

Aufgrund von Trends zu höheren Geschwindigkeiten und höheren Kapazitäten des elektronischen Systems erzeugen derartige Mehrschichtleiterplatten immer mehr Wärme. Wenn die von der Mehrschichtleiterplatte erzeugte Wärme nicht schnell abgeführt werden kann, nimmt die Temperatur der elektronischen Komponenten zu. Bei entsprechend starkem Anstieg der Temperatur tritt möglicherweise ein Betriebsversagen auf oder die Leistungsfähigkeit des Systems verschlechtert sich. Es ist bekannt, einen Wärmediffusor oder Wärmeverteiler oder dergleichen auf der herkömmlichen Mehrschichtleiterplatte zu installieren, um Diffusion und Abfuhr von Wärme zu erleichtern. Die Verwendung dieser Wärmediffusoren in Verbindung mit der Mehrschichtleiterplatte verbraucht jedoch relativ viel Platz. Die Wärmediffusoren reduzieren den für eine Platzierung von Komponenten zur Verfügung stehenden Raum und begrenzen außerdem den Raum zur Signalführung.

Die Wärmeerzeugung solcher herkömmlicher Mehrschichtleiterplatten und die durch die Installation eines Wärmediffusors oder -verteilers verursachten Probleme werden nachstehend unter Bezugnahme auf die zugehörigen Zeichnungen detaillierter erläutert.

Die 1A und 1B stellen den Aufbau eines herkömmlichen Mehrchipmoduls dar, bei dem ein Wärmediffusor in einer typischen Mehrschichtleiterplatte 10 installiert ist. Ein Schaltkreiselement 25, wie ein Kondensator, integrierte Halbleiterschaltkreischips 20, 21, die über Lothügeln 23, 24 auf der Platte 10 angebracht sind, sowie ein Wärmeverteiler 40 sind an der Mehrschichtleiterplatte 10 angebracht. In 1A stellt die Anbringungsstruktur einen Abschnitt der Mehrschichtleiterplatte 10 in deren schmalseitiger Erstreckung dar. Die Anbringungsstruktur in 1B stellt lediglich einen oberen Teil der Mehrschichtleiterplatte 10 in einer Längsrichtung derselben dar.

Die in den 1A und 1B gezeigte Mehrschichtleiterplatte 10 kann eine Mehrschichtstruktur aufweisen, wie sie für zwei verschiedene Beispiele in den 2 und 3 gezeigt ist. 2 stellt ein Beispiel für eine Schichtstruktur der Mehrschichtleiterplatte dar, wie sie in der Patentschrift US 5 .764.491 offenbart ist. Bei dieser Struktur beinhaltet die Mehrschichtlei terplatte eine Komponentenschicht 11, eine Leistungsspannungs(VDD)-Schicht 13, eine isolierende Schicht 15 und eine Massespannungsschicht 17. 3 stellt ein Beispiel für eine Mehrschichtleiterplatte dar, wie sie in der Patentschrift US 6 .175.088 offenbart ist und bei der leitfähige Schichten 101 bis 104, insbesondere Leistungsspannungs-, Massespannungs- und Signalführungsschichten durch isolierende Schichten 105 getrennt sind. Hierbei können auf den äußeren Schichten 101 elektronische Schaltkreiskomponenten angebracht sein. Die Leistungsspannungsschichten 102 und die Massespannungsschichten 103 dienen der Zuführung einer Leistungs- bzw. einer Massespannung zu den angebrachten elektronischen Schaltkreiskomponenten. Die leitfähigen Signalführungsschichten 104 und die leitfähigen Leistungs- und Massespannungsschichten 102, 103 sind zwischen den äußeren Schichten 101 angeordnet und werden deshalb als innere Schichten bezeichnet.

Die Schichten von 3 sind mit ihren relativen Dicken in 4 für ein Beispiel gezeigt. 4 ist eine Ansicht, welche die Schichtstruktur der Mehrschichtleiterplatte von 1 darstellt, wobei innere Schichten 102a, 103a, 106a, 107a zwischen äußeren Schichten 101a, 108a angeordnet sind und im Allgemeinen die gleiche Dicke aufweisen und aus dem gleichen Material, zum Beispiel Kupfer, bestehen. Isolierende Schichten 201a, 202a, 203a, 204a zum Isolieren der obigen Schichten können aus Prepregschichten bestehen, und ihre Dicken können während der Auslegung oder der Herstellung eingestellt werden, um gewünschte elektrische Eigenschaften, wie Impedanz oder dergleichen, sicherzustellen und einer vorgegebenen Gesamtdicke der zusammengebauten Mehrschichtleiterplatte zu entsprechen.

Die 5A und 5B sind Ansichten, welche eine Achtschicht- bzw. Zehnschicht-Stapelstruktur in Bezug auf 4 darstellen. In der Achtschicht-Stapelstruktur von 5A wirkt eine leitfähige oder leitende Schicht 101a als obere leitende Zwischenverbindungsschicht mit einer Haupt oberfläche, auf der Schaltkreiselemente angebracht werden, und eine leitfähige Schicht 108a wirkt als untere leitfähige Zwischenverbindungsschicht mit einer Oberflächenschicht, die der oberen leitfähigen Zwischenverbindungsschicht 101a zugewandt ist. Jede innere leitfähige Schicht 102a, 103a, 104a, 105a, 106a, 107a kann eine innere, leitfähige Spannungsversorgungsschicht oder eine innere, leitfähige Signalführungsschicht sein. Die inneren, leitfähigen Leistungsschichten sind durch Zwischenfügen isolierender Schichten 201a bis 207a voneinander isoliert. Die acht leitfähigen Schichten L1 bis L8 bestehen z.B. aus Kupferschichten, die z.B. jeweils eine Dicke von etwa 18 μm aufweisen.

Im Fall der Zehnschicht-Stapelstruktur von 5B sind zehn leitfähige Schichten L1 bis L10, die jeweils durch eine zwischenliegende isolierende Schicht voneinander getrennt sind, derart ausgebildet, dass jede leitfähige Schicht die gleiche Dicke aufweist.

In der Offenlegungsschrift JP 2001-53421 A ist ein glättendes gedrucktes Substrat offenbart, bei dem ein Schaltkreis für ein kleines Stromsignal und ein Schaltkreis für ein hohes Stromsignal integriert sind, um Kompaktheit, hohe Zuverlässigkeit und geringe Kosten des resultierenden Bauelements zu fördern. Die Struktur optimiert jedoch nicht die Wärmediffusionsfähigkeit für das Substrat bei der Bildung eines Mehrchipmoduls, da leitfähige Schichten Höhenstufen aufweisen. Die Dicke einer jeweiligen Schicht ist im Wesentlichen gleich der Dicke von anderen gleichartigen Schichten.

Mit den in den 4, 5A und 5B gezeigten Strukturen kann ein Betriebsausfall oder eine Verschlechterung der Leistungsfähigkeit eines Mehrchipmoduls auftreten, da Wärme während des Betriebs eines Mehrchipmoduls oder Mehrchipspeichersystems nach Art von 1 nicht schnell und gleichmäßig abgeführt werden kann. Wenn Wärme von den integrierten Halbleiterschaltkreischips 20, 21 und der Schaltkreis komponente 25 in 1 abgegeben wird, wird die Wärme zur Mehrschichtleiterplatte 10 über darin befindliche Leiterbahnen transmittiert. Da die Wärmediffusionseffizienz durch die Mehrschichtleiterplatte 10 hindurch sehr gering ist, wird in diesem Fall ein jeweiliger Streifen 30, 31 mit einer guten Wärmediffusionseigenschaft an dem Aufbau angebracht, und der Wärmediffusor oder -verteilen 40 wird an der Außenseite der Platte installiert. Die Wärmediffusion mit diesem Wärmediffusor verursacht jedoch andere Probleme. Die Installation und Verbindung des Wärmediffusors mit der Mehrschichtleiterplatte verbraucht wertvollen Platz. Dies resultiert in einer Vergrößerung der Abmessung eines Mehrchipmoduls oder des resultierenden elektronischen Systems. Außerdem erzeugt die Verwendung dieses Typs von Wärmediffusor das Problem einer weiteren Trennung von Komponenten und einer komplizierter werdenden Signalführung. Die Anordnung von Komponenten und/oder die Signalführung können nicht in einfacher und/oder effizienter Weise erreicht werden, da die Installation des Wärmediffusors sowohl die Abmessung erhöht als auch die Zugänglichkeit beschränkt.

Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstellung einer Mehrschichtleiterplatte und einer Mehrchipmodulstruktur sowie eines zugehörigen Herstellungsverfahrens zugrunde, mit denen sich die oben genannten Schwierigkeiten des Standes der Technik wenigstens teilweise vermeiden lassen.

Die Erfindung löst dieses Problem durch die Bereitstellung einer Mehrschichtleiterplatte mit den Merkmalen des Anspruchs 1, 7, 12 oder 16, einer Mehrchipmodulstruktur mit den Merkmalen des Anspruchs 21 sowie eines Herstellungsverfahrens mit den Merkmalen des Anspruchs 25, 26 oder 29.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.

Die Erfindung ermöglicht die Erzielung einer Mehrschichtleiterplatte und einer Mehrchipmodulstruktur mit allenfalls geringem Platzbedarf für einen externen Wärmeableiter bei gleichzeitig hohem Wärmeableitvermögen.

Vorteilhafte, nachfolgend beschriebene Ausführungsformen der Erfindung sowie die zu deren besserem Verständnis oben erläuterten herkömmlichen Ausführungsbeispiele sind in den Zeichnungen dargestellt. Hierbei zeigen:
1A und 1B schematische Querschnittansichten eines herkömmlichen Mehrchipmoduls, bei dem ein Wärmediffusor auf einer Mehrschichtleiterplatte installiert ist,
2 und 3 eine schematische perspektivische Explosionsansicht bzw. Querschnittansicht von Beispielen von Schichtstrukturen herkömmlicher Mehrschichtleiterplatten,
4 eine schematische Querschnittansicht einer Schichtstruktur der Mehrschichtleiterplatte von 1,
5A und 5B schematische Querschnittansichten einer Achtschicht- bzw. Zehnschicht-Stapelstruktur gemäß dem Stand der Technik entsprechend 4,
6 eine schematische Querschnittansicht einer Schichtstruktur einer Mehrschichtleiterplatte gemäß der Erfindung,
7A und 7B schematische Querschnittansichten einer Achtschicht- bzw. Zehnschicht-Stapelstruktur gemäß der Erfindung entsprechend 6 und
8 eine graphische Darstellung experimenteller Daten, die Komponententemperaturen während Tests von Strukturen gemäß 6 und 4 vergleichen.
Im Folgenden wird nunmehr die Erfindung anhand ausgewählter Beispiele unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben. In den Zeichnungen sind die Dicken von Schichten und Bereichen zwecks Deutlichkeit übertrieben dargestellt. Gleiche Bezugszeichen beziehen sich jeweils auf identische oder funktionell gleiche Elemente.
Es versteht sich, dass ein Element, wie eine Schicht, ein Bereich oder ein Substrat, wenn es als "auf" einem anderen Element liegend bezeichnet wird, direkt auf dem anderen Element liegen kann oder auch zwischenliegende Elemente vorhanden sein können. Wenn im Gegensatz dazu ein Element als "direkt auf" einem anderen Element liegend bezeichnet wird, sind keine zwischenliegenden Elemente vorhanden. Es versteht sich außerdem, dass wenn ein Element als mit einem anderen Element "verbunden" oder "gekoppelt" bezeichnet wird, es mit dem anderen Element direkt verbunden oder gekoppelt sein kann oder zwischenliegende Elemente vorhanden sein können. Wenn im Gegensatz dazu ein Element als mit einem anderen Element "direkt verbunden" oder "direkt gekoppelt" bezeichnet wird, sind keine zwischenliegenden Elemente vorhanden.
6 stellt die Schichtstruktur einer Mehrschichtleiterplatte (PCB) gemäß der Erfindung dar. Leitfähige Schichten 101b, 102b, 103b, 106b, 107b, 108b sind durch isolierende Schichten 201b, 202b, 203b, 204b getrennt. Innere Schichten 102b, 103b, 106b, 107b unter den leitfähigen Schichten sind zwischen den äußeren Schichten 101b und 108b angeordnet. Wie gezeigt, weisen die inneren Schichten 102b, 103b Dicken auf, die sich von denjenigen der äußeren Schichten 101b, 108b unter scheiden können und die sich auch voneinander unterscheiden können. Die inneren Schichten 107b und 106b können ebenso mit unterschiedlichen Dicken ausgebildet sein. Die äußeren Schichten 101b, 108b und die inneren Schichten 102b, 103b, 106b, 107b können aus dem gleichen Material bestehen, wie zum Beispiel Kupfer. Die isolierenden Schichten 201b, 202b, 203b, 204b, welche die leitfähigen Schichten isolieren, können aus einem Material bestehen, das dazu gedacht ist, elektrische Eigenschaften sicherzustellen, wie Impedanz oder dergleichen. Jede der Isolationsschichten 201b bi 204b kann in ihrer Dicke während der Auslegung oder Herstellung eingestellt werden, um der gewünschten Gesamtdicke der Mehrschichtleiterplatte zu genügen, und zum Beispiel eine Prepregschicht sein.
Während der Auslegung der PCB wird die Gesamtanzahl an Schichten festgelegt. Die Anzahl an Schichten ist durch die Art der Verwendung oder den Zweck der PCB vorgegeben. Der Designer kann jene vorgegebene Anzahl an Schichten verwenden und weitere Aspekte der Erfindung einsetzen. Zum Beispiel kann, wenn Raumbeschränkungen dies ermöglichen, der Designer die relative Dicke bestimmter Schichten im Vergleich zu anderen Schichten erhöhen, während die vorgegebene Anzahl an Schichten aufrechterhalten wird.
In einer Anzahl n von Schichten der Mehrschichtleiterplatte gemäß 6, wobei n eine natürliche Zahl größer als zwei ist, können eine äußere Schicht, eine erste innere Schicht und eine zweite innere Schicht, die aus dem gleichen Material wie die erste innere Schicht besteht, als eine Stapelstruktur ausgebildet sein. Die erste innere Schicht und die zweite innere Schicht können zum Beispiel mit unterschiedlichen Dicken ausgebildet sein. Hierbei bestehen die äußere Schicht, die erste innere Schicht und die zweite innere Schicht vorzugsweise aus einem leitfähigen Material, das die thermische Diffusion verbessert. Alternativ können sie aus einem nichtleitfähigen Material bestehen oder Prepregschichten sein. In einem Fall, in dem die erste innere Schicht 102b als eine leitfähige Leistungsversorgungsschicht zum Übertragen einer Leistungsspannung oder einer Massespannung verwendet wird und die zweite innere Schicht 103b als eine Signalführungsschicht zum Übertragen eines Eingabe-/Ausgabesignals oder eines inneren Signals eines eingebetteten Schaltkreiselements verwendet wird, ist die erste innere Schicht 102b vorzugsweise dicker als die zweite innere Schicht 103b, was eine größere thermische Diffusion bereitstellt.
Die 7A und 7B stellen laminierte Acht- beziehungsweise Zehnschichtstrukturen gemäß dem Beispiel von 6 dar. In 7A wird eine leitfähige Schicht 101b als obere leitfähige Zwischenverbindungsschicht mit einer Hauptoberfläche verwendet, auf der Schaltkreiselemente angebracht werden, und eine leitfähige Schicht 108b wird als untere leitfähige Zwischenverbindungsschicht verwendet, die der oberen leitfähigen Zwischenverbindungsschicht 101b gegenüberliegt. Hierbei sind die obere und die untere leitfähige Zwischenverbindungsschicht 101b, 108b außenliegende Oberflächenschichten.
Innere leitfähige Schichten 102b, 103b, 104b, 105b , 106b, 107b können innere leitfähige Leistungsversorgungsschichten und/oder innere leitfähige Signalführungsschichten sein. Die inneren leitfähigen Leistungsversorgungsschichten sind zwischen der oberen leitfähigen Zwischenverbindungsschicht 101b und der unteren leitfähigen Zwischenverbindungsschicht 108b angeordnet, wobei isolierende Schichten 201b bis 207b zwischengefügt sind. Das heißt, die innere leitfähige Leistungsversorgungsschicht 102b ist über der inneren leitfähigen Signalführungsschicht 103b angeordnet, wobei die isolierende Schicht 202b zwischen diese eingefügt ist, und die innere leitfähige Leistungsversorgungsschicht 107b ist unter der inneren leitfähigen Signalführungsschicht 106b angeordnet, wobei die isolierende Schicht 206b zwischen diese eingefügt ist. In diesem Beispiel weist die Mehrschichtleiterplatte eine sym metrische Struktur bzgl. der mittleren isolierenden Schicht 204b auf. In einer Ausführungsform bestehen die acht leitfähigen Schichten L1 bis L8 mit Ausnahme der leitfähigen Schichten L2, L7 aus Kupferlaminierungsschichten mit einer Dicke von etwa 18 μm, und die leitfähigen Schichten L2, L7 bestehen aus Kupferlaminierungsschichten mit einer Dicke von etwa 52 μm bis etwa 108 μm.
Des Weiteren sind im Beispiel der Zehnschicht-Stapelstruktur von 7B leitfähige Schichten L2, L9 dicker als die anderen der zehn leitfähigen Schichten L1 bis L10 ausgebildet. Die minimale Dicke der inneren leitfähigen Schichten 102b und 109b ist größer als die minimale Dicke der anderen inneren leitfähigen Schichten 103b bis 108b. Somit sind in entsprechenden Ausführungsformen der Erfindung einige vorgegebene innere Schichten unter allen inneren Schichten dicker als andere ausgebildet, so dass die von den angebrachten elektronischen Teilen erzeugte Wärme rasch durch die dickeren inneren leitfähigen Schichten verteilt werden kann. Somit können Probleme hinsichtlich eines Temperaturanstiegs, die in Mehrchipmodulen, Speichersystemen oder dergleichen verursacht werden, durch beträchtliche Steigerung der thermischen Diffusion signifikant minimiert oder eliminiert werden.
Wie vorstehend beschrieben, kann die Herstellung einer Mehrschichtleiterplatte unter Verwendung des zum Beispiel in der Patentschrift US 6 .395.329 offenbarten herkömmlichen Verfahrens durchgeführt werden. Die Dicke der leitfähigen Leistungsversorgungsschicht wird zu Wärmediffusionszwecken vorzugsweise bis zu sechs Mal größer als die Dicke der leitfähigen Signalführungsschicht gebildet.
Wenngleich die elektrisch leitfähigen Schichten bislang vor allem unter Bezugnahme auf Kupfer beschrieben wurden, können auch andere Materialien verwendet werden, einschließlich Aluminium und Siliciden, wie Wolframsilicid.
8 ist eine graphische Darstellung von Daten, die den Effekt gemäß der Struktur von 6 im Vergleich zu der Struktur von 4 darstellt. Dabei repräsentiert die Abszisse fünf Messpunkte, und die Ordinate repräsentiert die Temperatur (°C). Drei Messpunkte ITEM1 bis ITEM3 beziehen sich auf Wärmeerzeugungstests für DRAM-Chips, die durch jedes der Testprogramme geführt werden, und zwei Messpunkte ITEM4 sowie ITEM5 beziehen sich auf Wärmeerzeugungstests für aktive Bauelemente, wie einen Operationsverstärker oder dergleichen. Der Test wurde an einem Leiterplattensubstrat mit einem darauf angebrachten DDR-DRAM-Modul durchgeführt, das bei 200 MHz arbeitet. Das Bauelement befand sich im Inneren einer Kammer, die auf einer Temperatur von etwa 50°C gehalten wurde. In 8 ist PI eine Kurve, die einer Ausführungsform der Erfindung entspricht, und PA ist eine Kurve gemäß dem Stand der Technik. Da die Ausführungsform der Erfindung relativ niedrige Temperaturen zeigt, wenn die Oberflächentemperatur des Bauelements in jedem Messpunkt gemessen wurde, wurde geschlossen, dass die Ausführungsform der Erfindung eine verbesserte Wärmediffusion gegenüber jener der Ausführungsform des Standes der Technik zeigte.
Als Ergebnis kann geschlossen werden, dass die thermische Leitfähigkeit verbessert werden kann, wenn eine oder mehrere der Leistungsversorgungsschichten dicker als die Signalführungsschicht gebildet werden. Somit kann durch Änderungen der Dicke der inneren Schichten ohne Modifikation der Mehrschichtnatur der Leiterplattenstruktur oder in einigen Fällen der Signalführungsschichten) die von den auf der Mehrschichtleiterplatte angebrachten elektronischen Teilen erzeugte Wärme effektiv abgeführt werden.
Gemäß der Erfindung kann, wie vorstehend beschrieben, die Wärmediffusionsfähigkeit einer Mehrschichtleiterplatte im Vergleich zu einer her kömmlichen Leiterplattenstruktur beträchtlich verbessert werden. Daher liefert die Erfindung Vorteile, die eine Minimierung oder Reduzierung von Abmessungen von Wärmediffusionsbauteilen separat von den Schichten der Leiterplatte eines Mehrchipmoduls umfassen. Des Weiteren kann die Erfindung ggf. auch ohne Anbringung eines Wärmediffusors separat bzw. extern von den Schichten der Leiterplatte auskommen.
Die Erfindung umfasst verschiedene Änderungen hinsichtlich Form und Details, ohne vom Inhalt und Umfang der Erfindung abzuweichen, wie in den folgenden Ansprüchen definiert. Zum Beispiel kann die Anzahl der inneren Schichten und die Position der relativ dicken inneren Schicht in verschiedenen Formen modifiziert werden, ohne vom Inhalt der Erfindung abzuweichen. In ähnlicher Weise können die relativ dickeren Schichten die Signalführungsschichten anstelle der leitfähigen Leistungsversorgungsschichten sein. Im Fall, dass ein Wärmediffusor installiert wird, kann dieser des Weiteren hinsichtlich der Abmessung signifikant reduziert werden, oder die Installation des Wärmeverteilers kann weggelassen werden. Des Weiteren wurde in der Ausführungsform eine Mehrschichtleiterplatte eines Mehrchipmoduls dargestellt, die Erfindung kann jedoch auch in einer Leiterplatte verwendet werden.

Claims

Mehrschichtleiterplatte mit einer Stapelschichtstruktur, mit – einer äußeren Schicht (101b), – einer ersten inneren Schicht (102b) und – einer zweiten inneren Schicht (103b), die das gleiche Material wie die erste innere Schicht beinhaltet, dadurch gekennzeichnet, dass – die erste innere Schicht (102b) und die zweite innere Schicht (103b) voneinander verschiedene Dicken aufweisen.
Mehrschichtleiterplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die äußere Schicht, die erste innere Schicht und die zweite innere Schicht ein elektrisch leitfähiges Material beinhalten.
Mehrschichtleiterplatte nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste innere Schicht dicker als die zweite innere Schicht ist.
Mehrschichtleiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass von der ersten und der zweiten inneren Schicht die dickere Schicht eine Leistungsspannungs-Schicht ist.
Mehrschichtleiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 4, weiter gekennzeichnet durch einen externen Wärmediffusor.
Mehrschichtleiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 5, weiter gekennzeichnet durch eine dritte innere Schicht (202b), die zwischen der ersten und der zweiten inneren Schicht angeordnet ist, wobei die dritte innere Schicht ein anderes Material als die erste und die zweite innere Schicht beinhaltet.
Mehrschichtleiterplatte mit – einer äußeren Schicht (101b), die aus einem leitfähigen Material besteht, – einer ersten inneren Schicht (102b), die aus einem leitfähigen Material besteht, und – einer zweiten inneren Schicht (103b), die aus einem leitfähigen Material besteht, dadurch gekennzeichnet, dass – eine kontinuierliche Querschnittdicke der ersten inneren Schicht (102b) größer als eine kontinuierliche Querschnittdicke der zweiten inneren Schicht (103b) ist und/oder eine minimale Dicke der ersten inneren Schicht größer als eine minimale Dicke der zweiten inneren Schicht ist.
Mehrschichtleiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die erste innere Schicht näher bei der äußeren Schicht angeordnet ist als die zweite innere Schicht.
Mehrschichtleiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die erste innere Schicht eine leitfähige Leistungsversorgungsschicht ist und die zweite innere Schicht eine Signalführungsschicht ist.
Mehrschichtleiterplatte nach einem der Ansprüche 7 bis 9, gekennzeichnet durch – eine zweite äußere Schicht (108b), die aus einem leitfähigen Material besteht, – eine dritte innere Schicht (105b), die aus einem leitfähigen Material besteht, und – eine vierte innere Schicht (107b), die aus einem leitfähigen Material besteht, – wobei die erste innere Schicht (102b) dicker als die zweite innere Schicht (103b) ist und die vierte innere Schicht (107b) dicker als die dritte innere Schicht (105b) ist.
Mehrschichtleiterplatte nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die erste innere Schicht und die vierte innere Schicht im Wesentlichen symmetrisch zur Mitte der Schichten der Mehrschichtleiterplatte angeordnet sind.
Mehrschichtleiterplatte mit – einer ersten inneren Schicht (102b) zum Übertragen von Leistung und – einer zweiten inneren Schicht (103b) zum Übertragen von Signalen, dadurch gekennzeichnet, dass – die erste innere Schicht (102b) dicker als die zweite innere Schicht (103b) ist.
Mehrschichtleiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die erste innere Schicht um einen Faktor von etwa zwei oder mehr dicker als die zweite innere Schicht ist.
Mehrschichtleiterplatte nach Anspruch 12 oder 13, gekennzeichnet durch – eine dritte innere Schicht (105b) zum Übertragen von Signalen und – eine vierte innere Schicht (107b) zum Übertragen von Leistung, – wobei die vierte innere Schicht (107b) dicker als die dritte innere Schicht (105b) ist.
Mehrschichtleiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass sie eine Leiterplatte oder ein Substrat mit einem darauf angebrachten Speichermodul bildet.
Mehrschichtleiterplatte mit isolierenden Schichten und leitfähigen Zwischenverbindungsschichten, die alternierend gestapelt sind, dadurch gekennzeichnet, dass unter den leitfähigen Zwischenverbindungsschichten wenigstens eine innere leitfähige Zwischenverbindungsschicht eine andere Dicke als wenigstens eine andere innere leitfähige Schicht aufweist, die unter einer äußeren leitfähigen Zwischenverbindungsschicht mit einer Hauptoberfläche angeordnet sind, auf der Schaltkreiselemente anzubringen sind.
Mehrschichtleiterplatte nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die inneren leitfähigen Zwischenverbindungsschichten leitfähige Leistungsversorgungsschichten und leitfähige Signalführungsschichten beinhalten.
Mehrschichtleiterplatte nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass die leitfähigen Zwischenverbindungsschichten beinhalten: – eine obere leitfähige Zwischenverbindungsschicht mit einer Hauptoberfläche, mit der Schaltkreiselemente operativ verbunden sind, – eine untere leitfähige Zwischenverbindungsschicht, die der oberen leitfähigen Zwischenverbindungsschicht gegenüber liegt, – eine innere leitfähige Leistungsversorgungsschicht, die eine vorgegebene Dicke aufweist und zwischen der oberen leitfähigen Zwischenverbindungsschicht und der unteren leitfähigen Zwischenverbindungsschicht angeordnet ist, und – eine innere leitfähige Signalführungsschicht, die eine Dicke aufweist, die geringer als jene der inneren leitfähigen Leistungsversorgungsschicht ist und zwischen der inneren leitfähigen Leistungsschicht und der unteren leitfähigen Zwischenverbindungsschicht angeordnet ist.
Mehrschichtleiterplatte nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die isolierenden Schichten Prepregschichten sind und die leitfähigen Zwischenverbindungsschichten Kupferschichten sind.
Mehrschichtleiterplatte nach Anspruch 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, dass die inneren leitfähigen Leistungsversorgungsschichten Kupferschichten zum Übertragen einer Leistungsspannung und/oder einer Massespannung sind.
Mehrchipmodulstruktur, die darauf angeordnete elektronische Schaltkreiselemente und eine Mehrschichtleiterplatte aufweist, die derart konfiguriert ist, dass isolierende Schichten und leitfähige Zwischenverbindungsschichten alternierend gestapelt sind, gekennzeichnet durch – eine äußere leitfähige Zwischenverbindungsschicht mit einer Hauptoberfläche, auf der die elektronischen Schaltkreiselemente angebracht sind, – innere leitfähige Zwischenverbindungsschichten, die unter der äußeren leitfähigen Zwischenverbindungsschicht angeordnet sind, wobei wenigstens eine innere Zwischenverbindungsschicht eine andere Dicke als wenigstens eine andere innere Zwischenverbindungsschicht aufweist, – einen Wärmediffusor, der zwischen einer Oberfläche einer Packung von einigen der elektronischen Schaltkreiselemente und einer Oberfläche der Mehrschichtleiterplatte angeordnet ist, um Wärme, die durch einen Betrieb der elektronischen Schaltkreiselemente erzeugt wird, aus der Leiterplatte abzuführen.
Mehrchipmodulstruktur nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass die inneren leitfähigen Zwischenverbindungsschichten wenigstens eine leitfähige Leistungsversorgungsschicht und wenigstens eine leitfähige Signalführungsschicht beinhalten.
Mehrchipmodulstruktur nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass eine Dicke der leitfähigen Leistungsversorgungsschicht größer oder kleiner als jene der leitfähigen Signalführungsschicht ist.
Mehrchipmodulstruktur nach einem der Ansprüche 21 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass die elektronischen Schaltkreiselemente wenigstens DRAM-Chips beinhalten.
Verfahren zur Herstellung einer Mehrschichtleiterplatte, gekennzeichnet durch folgende Schritte: – Bilden einer ersten inneren Schicht, die ein leitfähiges Material beinhaltet, mit einer vorgegebenen Dicke und – Bilden einer zweiten inneren Schicht, die ein leitfähiges Material beinhaltet, mit einer Dicke, die geringer als jene der ersten inneren Schicht ist.
Verfahren zur Herstellung einer Mehrschichtleiterplatte, die derart konfiguriert ist, dass isolierende Schichten und leitfähige Zwischenverbindungsschichten alternierend gestapelt sind, dadurch gekennzeichnet, dass innere leitfähige Zwischenverbindungsschichten zwischen äußeren leitfähigen Schichten gebildet werden, wobei wenigstens eine innere leitfähige Zwischenverbindungsschicht dicker als wenigs tens eine andere innere leitfähige Zwischenverbindungsschicht ausgebildet ist, wodurch die Wärmeverteilungsfähigkeit der Mehrschichtleiterplatte verbessert wird.
Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass die inneren leitfähigen Zwischenverbindungsschichten aus Kupfer bestehen und leitfähige Leistungsversorgungsschichten sowie leitfähige Signalführungsschichten umfassen.
Verfahren nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicken der leitfähigen Leistungsversorgungsschichten größer als jene der leitfähigen Signalführungsschichten sind.
Verfahren zur Bildung einer Mehrschichtleiterplatte, gekennzeichnet durch folgende Schritte: – Bestimmen der Anzahl leitfähiger und isolierender Schichten in der Mehrschichtleiterplatte und – Bilden ausgewählter Schichten derart, dass sie eine andere Dicke als andere Schichten aufweisen.
Verfahren nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, dass die ausgewählten Schichten mit der anderen Dicke isolierende Schichten sind.