DE102004021399B3 - Herstellungsverfahren für ein Stapelkondensatorfeld mit einer regelmäßigen Anordnung einer Mehrzahl von Stapelkondensatoren - Google Patents
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Abstract
Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstellung eines Stapelkondensatorfeldes (1), welches eine regelmäßige Anordnung einer Mehrzahl von Stapelkondensatoren (2) in bestimmten ersten Richtungen (3) einen geringeren Abstand zu dem jeweiligen angrenzenden Stapelkondensator (2) aufweist als in bestimmte zweite Richtungen (4), mit den Verfahrensschritten: Bereitstellen eines Hilfsschichtstapels (5) mit ersten Hilfsschichten (6) einer vorbestimmten Ätzrate und wenigstens einer zweiten Hilfsschicht (7) einer höheren Ätzrate auf einem Substrat (8); Ätzen jeweils eines Hohlzylinders (9) für jeden Stapelkondensator (2) durch den Hilfsschichtstapel (5) gemäß der regelmäßigen Anordnung, wobei in Zwischenbereichen (10) zwischen den Hohlzylindern (9) der Hilfsschichtstapel (5) bestehen bleibt; isotropes Ätzen der zweiten Hilfsschichten (7) zur Ausbildung von Ausweitungen (11) der Hohlzylinder (9), wobei jeweils zwischen zwei in der ersten Richtung (3) angrenzenden Hohlzylindern (9) keine zweite Hilfsschicht (7) bestehen bleibt und wobei jeweils zwischen zwei in der zweiten Richtung (4) angrenzenden Hohlzylindern (9) eine zweite Resthilfsschicht (7a) bestehen bleibt; konforme Abscheidung einer Isolatorschicht (12) zur vollständigen Füllung der Ausweitungen (11); Abscheiden einer ersten Elektrodenschicht (13) in die Hohlzylinder (9) zur Ausbildung der Stapelkondensatoren (2); Füllen der Hohlzylinder (9) mit einer ersten Füllung (14); Entfernen der ersten Hilfsschichten ...
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102004021399A DE102004021399B3 (de) | 2004-04-30 | 2004-04-30 | Herstellungsverfahren für ein Stapelkondensatorfeld mit einer regelmäßigen Anordnung einer Mehrzahl von Stapelkondensatoren |
US11/079,131 US7112487B2 (en) | 2004-04-30 | 2005-03-14 | Method for fabricating a stacked capacitor array having a regular arrangement of a plurality of stacked capacitors |
US11/526,788 US20070037349A1 (en) | 2004-04-30 | 2006-09-25 | Method of forming electrodes |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102004021399A DE102004021399B3 (de) | 2004-04-30 | 2004-04-30 | Herstellungsverfahren für ein Stapelkondensatorfeld mit einer regelmäßigen Anordnung einer Mehrzahl von Stapelkondensatoren |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102004021399B3 true DE102004021399B3 (de) | 2005-10-20 |
Family
ID=35034336
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102004021399A Expired - Fee Related DE102004021399B3 (de) | 2004-04-30 | 2004-04-30 | Herstellungsverfahren für ein Stapelkondensatorfeld mit einer regelmäßigen Anordnung einer Mehrzahl von Stapelkondensatoren |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7112487B2 (de) |
DE (1) | DE102004021399B3 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007054077A1 (de) | 2007-11-13 | 2009-07-23 | Qimonda Ag | Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung und Anordnung mit einem Substrat |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070037349A1 (en) * | 2004-04-30 | 2007-02-15 | Martin Gutsche | Method of forming electrodes |
DE102004021401B4 (de) * | 2004-04-30 | 2011-02-03 | Qimonda Ag | Herstellungsverfahren für ein Stapelkondensatorfeld |
DE102005042524A1 (de) * | 2005-09-07 | 2007-03-08 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung von Stapelkondensatoren für dynamische Speicherzellen |
US7829410B2 (en) * | 2007-11-26 | 2010-11-09 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming capacitors, and methods of forming DRAM arrays |
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DE19950364A1 (de) * | 1999-10-19 | 2001-04-26 | Infineon Technologies Ag | Integrierte Schaltungsanordnung mit mindestens einem Kondensator und Verfahren zu deren Herstellung |
DE10212868A1 (de) * | 2001-06-29 | 2003-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitervorrichtung und Verfahrfen für ihre Herstellung |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10212868A (ja) | 1997-01-30 | 1998-08-11 | Sankyo Alum Ind Co Ltd | 形 材 |
KR100423900B1 (ko) * | 2002-02-08 | 2004-03-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 커패시터 형성 방법 |
-
2004
- 2004-04-30 DE DE102004021399A patent/DE102004021399B3/de not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-03-14 US US11/079,131 patent/US7112487B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7112487B2 (en) | 2006-09-26 |
US20050245027A1 (en) | 2005-11-03 |
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