DE10151657C1 - Verfahren zur Montage eines Chips auf einem Substrat - Google Patents
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Abstract
Bei einem Verfahren zur Montage eines Chips (1) auf einem Substrat (2) werden Klebemittelpunkte (8) aus Leitklebstoff auf chipseitige oder substratseitige Kontakte (6, 7) aufgebracht. Sodann wird ein Klebemittelfleck aus nichtleitendem Klebstoff (10) auf einen Bereich (9) des Chips oder Substrats zwischen den Kontakten (6, 7) aufgebracht. Der Chip (1) und das Substrat (2) werden unter kurzfristiger Druckeinwirkung zusammengefügt. Sodann erfolgt das Aushärtenlassen der Klebstoffe ohne Druckeinwirkung.
Description
Die vorliegende Erfindung befaßt sich mit einem Verfahren
zur Montage eines Chips auf einem Substrat. Insbesondere be
faßt sich die Erfindung mit einem neuartigen Flipchipmonta
geverfahren.
Es sind eine Vielzahl von Verfahren zur Verbindung von Chips
mit einem Substrat bekannt, bei denen sowohl der Chip mecha
nisch auf dem Substrat montiert wird als auch eine elektri
sche Kontaktierung zwischen chipseitigen Kontakten und sub
stratseitigen Kontakten hergestellt wird.
Unter den verschiedenen bekannten Verbindungstechniken
zeichnet sich das Flipchipverfahren, bei dem der Chip mit
seiner aktiven Seite nach unten auf die korrespondierenden
Anschlußflächen des Substrats montiert wird, durch eine Rei
he von Vorteilen aus. Sämtliche Kontakte zwischen Chip und
Substrat werden simultan hergestellt. Der Platzbedarf ent
spricht der Chipgröße. Es muß keine separate Chipmontage
(Diebond) durchgeführt werden.
Im allgemeinen werden für das Flipchipverfahren die An
schlußflächen des Halbleiterbauelements oder Chips mit soge
nannten Bumps versehen. Für die weitverbreitete Lötmontage
werden die Anschlußflächen mit Lotkugeln versehen. Diese
werden bei der Montage aufgeschmolzen und mit Substratkon
takten verlötet. Aus Zuverlässigkeitsgründen muß nach dem
Lötvorgang der Spalt zwischen Substrat und Chip mit einer
Vergußmasse (underfiller) aufgefüllt werden.
Neben dieser Lötmontage werden aus Kostengründen in zuneh
mendem Maße Flipchiptechniken auf der Basis von Klebstoffen
eingesetzt. Hier werden drei verschiedene Verfahren in der
Literatur unterschieden.
Ein erstes Verfahren ist die Flipchip-Technologie mit Leit
kleber und underfiller (Vergußmasse). Bei diesem Verfahren
wird Leitklebstoff auf die ICs durch Dippen (oberflächliches
Eintauchen) aufgebracht. Hierfür werden Bumps mit einer Höhe
von mindestens 50 µm benötigt, um ein vollständiges Benetzen
der Chipoberfläche beim Dippen zu vermeiden. Durch Aushärten
des gedippten Klebstoffes unter Druck und Temperatur werden
die Bumps des Bauteils bzw. Chips und die Kontaktflächen des
Substrats mechanisch und elektrisch miteinander verbunden.
Wie auch bei der Lötmontage muß aus Zuverlässigkeitsgründen
der Spalt zwischen Bauteil und Substrat durch einen under
filler ausgefüllt werden.
Ein zweites Verfahren ist eine Flipchip-Technologie mit ani
sotrop leitfähigen Klebstoffen, welche auch als ACA (Aniso
tropic Conductive Adhesive) bezeichnet werden. Bei diesem
Verfahren wird der elektrische Kontakt zwischen den Kontakt
flächen des Chips und den Kontaktflächen des Substrats durch
vollmetallische oder metallisierte Kügelchen erzielt, die in
dem Klebstoff enthalten sind und die zwischen den Kontakten
des Substrats und den Kontakten des Chips oder ICs
eingeklemmt sind. Um geringe Kontaktwiderstände zu erhalten,
werden hierfür zumeist vergoldete Kugeln verwendet, die in
einer Klebstoffmatrix in Form eines Filmes oder einer Paste
dispergiert sind. Für eine sichere elektrische Verbindung
ist während der Aushärtung der Polymermatrix des Klebstoffes
eine definierte Andruckkraft notwendig, um die Goldkügelchen
oder vergoldeten Kügelchen zwischen den Kontakten bzw.
Anschlußpads auf dem Substrat und dem Chip einzuklemmen.
Ein drittes Verfahren ist die Flipchip-Technologie mit
nichtleitfähigem Klebstoff (NCA = Non Conductive Adhesive).
Bei diesem Fertigungsverfahren wird der elektrische Kontakt
nicht durch feinverteilte Goldkügelchen in einer Polymerma
trix geschaffen, sondern durch die elektrische Verbindung
allein über einen Druckkontakt zwischen den Anschlußflächen
des Chips und des Substrates. Um hier eine elektrische Ver
bindung zu gewährleisten, müssen sehr viel höhere Andruck
kräfte als bei der ACA-Technologie, d. h. der Flipchip-Tech
nologie mit anisotrop leitfähigem Klebstoff, eingesetzt wer
den. Außerdem sollte bei dieser Technologie ein Kontaktpad
aus einem leicht zu verformenden Bumpmaterial, wie bei
spielsweise Gold, verwendet werden, damit das entgegenge
setzte, härtere Pad mit seiner Oberflächentopographie in das
weichere Material eindringen kann, um auf diese Weise eine
mechanisch-elektrische Verbindung zu erzielen.
Nachteilig bei der üblichen Flipchip-Technologie mit Kleb
stoffen ist, daß während des Auspolymerisierens des Kleb
stoffs ein definierter Druck auf den Montageaufbau aufge
bracht werden muß, um einen sichere Kontaktierung der An
schlußflächen des Chips mit den Anschlußflächen des Sub
strats zu erzielen. Um den Chip bzw. IC mit Druck zu beauf
schlagen und gleichzeitig das Aushärten des Klebstoffs zu
beschleunigen, werden häufig sogenannte Thermoden einge
setzt. Selbst bei hohen Aushärtetemperaturen liegen die mi
nimal notwendigen Härtungszeiten im Minutenbereich. Bei den
quasi kontinuierlich laufenden Bestückungsanlagen beschränkt
dieser Prozeßschritt den Durchsatz, der wiederum nur mit
sehr aufwendigen parallelen Thermodenanordnungen angehoben
werden kann. Im Falle einer Rolle-Zu-Rolle-Produktion, bei
der Substrate auf einer folienartigen Substratträgerbahn in
der Art eines Endlossubstrates angeordnet sind, müssen die
Thermoden ständig in Bandrichtung nachgeführt werden, wobei
sequenziell nur eine bestimmte Anzahl von Chips abgearbeitet
werden kann. Für die Fertigung ist das Aushärten durch Er
wärmen unter gleichzeitiger Beaufschlagung mit Druck sowohl
von der Fertigungstechnik her als auch von der erforderli
chen Zeit her aufwendig und für eine Fertigung mit hohen
Stückzahlen ungünstig.
Aus der DE 42 42 408 C2 ist es bekannt, photoempfindliches
Harz, das leitende Teilchen enthält, zunächst ganzflächig
auf einen Chip aufzubringen und danach so zu strukturieren,
daß lediglich auf den Elektroden Harz und leitende Teilchen
verbleiben. Der so beschichtete Chip wird an einem Schalt
kreissubstrat befestigt.
Aus der WO 00/57467 A1 ist es bekannt, zum Zwecke der Mon
tage von Flip-Chips in Chipkarten auf den Elektroden des
Chips aus leitendem Klebstoff Erhebungen zu bilden und zwi
schen diese Erhebungen zur Verstärkung ein isolierendes Ma
terial einzubringen.
Aus der DE 35 33 159 A1 ist ein Verfahren zum Verkapseln von
auf einem Trägerband montierten Bauelementen bekannt. Bei
diesem Verfahren wird ein mit Klebstoff beschichtetes Film
material zu einer becherförmigen Struktur gebildet, die in
eine Öffnung eines Trägerbandes so plaziert wird, daß sich
deren Ränder unter einen Leiterhalter erstrecken und durch
Pressen und Erwärmen mit diesem verbunden werden, woraufhin
die Formschicht und eine Schutzschicht durch Wärmebehandlung
ausgehärtet werden.
Aus der US 6,100,597 ist ein Verfahren zum Herstellen einer
Halbleitervorrichtung bekannt, bei dem ein Halbleiterchip
auf einem thermoplastischen Film angeordnet wird und auf ei
ne Temperatur oberhalb des Schmelzpunktes des thermoplasti
schen Filmes erwärmt wird, woraufhin der Halbleiterchip ge
gen eine Schaltungsplatine gepresst wird, so daß der thermo
plastische Film erwärmt wird und schmilzt. Beim Abkühlen des
thermoplastischen Films wird der Halbleiterchip gegen die
Schaltungsplatine gepresst. Elektrische Verbindungen werden
durch Lot hergestellt.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe
zugrunde, ein vereinfachtes Verfahren zur Montage eines
Chips auf einem Substrat bereitzustellen.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren nach Patentanspruch 1
gelöst.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß auf das im
Stand der Technik als erforderlich angesehene Einwirken ei
nes Drucks auf den Chip gegenüber dem Substrat während der
gesamten Zeit bis zum Aushärten des Klebstoffes verzichtet
werden kann, wenn Klebemittelpunkte aus Leitklebstoff auf
die chipseitigen oder substratseitigen Kontakte und ein Kle
bemittelfleck aus nichtleitendem Klebstoff auf einen Bereich
zwischen den Kontakten aufgebracht wird und der Chip mit dem
Substrat unter kurzfristiger Druckeinwirkung zusammengefügt
wird, woraufhin allein die sich dann einstellenden Kapillar
kräfte der unterschiedlichen Klebstoffe ausreichen, um eine
Fixierung des Chips gegenüber dem Substrat bis zum Aushär
tenlassen der Klebstoffe zu erreichen.
Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich bevorzugt in der
Form des sogenannten Flipchip-Verfahrens, bei dem der Chip
mit seiner aktiven Seite dem Substrat zugewandt auf diesem
montiert wird.
Da es bei dem erfindungsgemäßen Verfahren im Gegensatz zu
bekannten Flipchip-Technologien mit leitfähigen Klebstoffen
nicht länger erforderlich ist, während der Gesamtdauer des
Aushärtenlassens des Klebstoffs Druck auf den Chip auszu
üben, eignet sich das erfindugsgemäße Verfahren bevorzugt
zur Erhöhung des Durchsatzes bei dem sogenannten Rolle-Zu-
Rolle-Verfahren.
Wenn bei diesem Rolle-Zu-Rolle-Verfahren die Substratträger
bahn aus einer Folienbahn besteht, kann ein einstellbarer
niedriger Anpressdruck, der allein durch den Folienwickel
bewirkt wird, die durch die Kapillarkräfte der Klebstoffe
bewerkstelligte Fixierung des Chips gegenüber dem Substrat
unterstützen.
Vorzugsweise wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren die
kurzfristige Druckeinwirkung so gewählt, daß sich eine defi
nierte Klebefuge aus nichtleitendem Klebstoff zwischen dem
Chip und dem Substrat mit einer Stärke zwischen 1 µm und 30
µm, vorzugsweise zwischen 3 µm und 15 µm ergibt. Bei diesen
Klebefugendicken kommt es zu einer besonders wirksamen Sta
bilisierung des Chips gegenüber dem Substrat, ohne daß es
erforderlich wäre, einen zu hohen Druck auf den druckemp
findlichen Chip ausüben zu müssen.
Bevorzugt bedient sich das erfindungsgemäße Verfahren nicht
der vergleichsweisen teuren isotrop leitfähigen Klebstoffe
mit einer Klebstoffmatrix und Goldkügelchen, sondern eines
einfachen isotrop leitenden Klebstoffes, der beispielsweise
ein silbergefüllter Klebstoff sein kann, wie er im Stand der
Technik zum Siebdrucken von Leiterbahnen eingesetzt wird.
Eine weitere Reduktion des Niveaus des kurzfristigen Drucks
bei der Fixierung des Chips auf dem Substrat kann erreicht
werden, indem der Klebemittelfleck aus nichtleitfähigem
Klebstoff als nicht-geschlossenflächiges Klebemittelmuster,
beispielsweise in Form eines sogenannten Schneeflockenklebe
musters oder Fischgrätklebemusters erzeugt wird.
Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen
Verfahrens wird unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeich
nungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung des sogenannten Rolle-
Zu-Rolle-Verfahrens, auf das die Erfindung anwendbar
ist;
Fig. 2 eine Querschnittdarstellung eines Chips und eines
Substrates bei dem erfindungsgemäßen Verfahren vor
dem Zusammenfügen des Chips und des Substrates; und
Fig. 3 eine Querschnittsdarstellung des Chips und des Sub
strates nach Fig. 2 nach deren Zusammenfügen.
Wie bereits diskutiert wurde, eignet sich das erfindungs
gemäße Verfahren zur Montage eines Chips 1 auf einem Sub
strat 2 bei einem sogenannten Rolle-Zu-Rolle-Verfahren, wel
ches in Fig. 1 schematisch gezeigt ist. Bei diesem Verfahren
ist eine Vielzahl von Substraten 2 auf einer Substratträger
bahn 3 in Form einer Kunststoffolie aufgebracht, welche zu
einem Vorratswickel 4 aufgerollt ist. Von diesem Vorrats
wickel 4 wird die Substratträgerbahn 3 mit darauf angeord
neten Substraten 2 in einen Arbeitsbereich 5 abgezogen, bei
dem in noch näher zu erläuternder Weise der Chip 1 mit dem
Substrat 2 in Flipchipmontagetechnik verbunden wird.
Wie insbesondere unter Bezugnahme auf die Fig. 2 und 3 zu
erkennen ist, verfügt der Chip 1 über chipseitige Kontakte
6, während das Substrat über substratseitige Kontakte 7 ver
fügt. Die sogenannte aktive Seite 11 des Chips 1 ist bei
dieser Flipchipmontagetechnik dem Substrat 2 zugewandt.
Auf die substratseitigen Kontakte 7 werden Klebemittelpunkte
8 aus Leitklebstoff aufgebracht. Auf den Bereich 9 des Chips
2 zwischen dessen Kontakte 7 wird ein Klebemittelfleck 10
aus einem nichtleitenden Klebstoff aufgebracht. Sowohl die
Klebemittelpunkte 8 aus Leitklebstoff wie auch der Klebemit
telfleck 10 aus nichtleitendem Klebstoff können auch auf die
korrespondierenden gegenüberliegenden Bereiche des Chips 1
aufgebracht werden.
Als Leitkleber kann üblicher isotropleitender Klebstoff ver
wendet werden, wie er zum Siebdrucken von Leiterbahnen ein
gesetzt wird. Hier kommt insbesondere silbergefüllter Kleb
stoff in Betracht. Als nichtleitender Klebstoff wird bevor
zugt ein üblicher Diebondklebstoff eingesetzt.
Beim Zusammenfügen des Chips 1 mit dem Substrat 2 ist die
kurzfristige Einwirkung eines Drucks D erforderlich, wie
dies in Fig. 3 versinnbildlicht wird. Die Druckeinwirkung
ist bevorzugt kurzzeitig in einem Bereich von etwas unter
einer Sekunde. Die Höhe des Drucks wird so gewählt, daß eine
definierte Endlage des Chips 1 gegenüber dem Substrat 2 er
zielt wird, wie dies in Fig. 3 zu sehen ist. Die Endlage des
Chips 1 gegenüber dem Substrat 2 ist unter anderem durch die
Dicke der Klebefuge definiert und liegt im Bereich zwischen
1 µm und 40 µm, vorzugsweise im Bereich zwischen 3 µm und 15
µm. Die Klebefuge des nichtleitfähigen Klebers 10 mit der
bevorzugten Dicke von 3 µm bis 15 µm bewirkt einen Aufbau
von Kapillarkräften, durch die der Chip 1 gegenüber dem Sub
strat 2 fixiert bleibt, so daß während des anschließenden
Aushärtevorganges kein zusätzliches Einwirken von externen
Kräften zur Stabilisierung der Klebverbindung erforderlich
ist. Der Aushärteprozeß kann in einem Durchlaufofen be
schleunigt werden.
Durch die Form des Klebstoffauftrags mit Klebemittelpunkten
8 aus leitfähigem Klebstoff und einem dazwischenliegenden
Klebemittelfleck 10 aus nichtleitfähigem Klebstoff wird eine
Trennung zwischen leitenden und nichtleitenden Bereichen er
zielt.
Der Aufbau einer definiert dicken Klebemittelfuge aufgrund
des Klebemittelflecks 10 wird durch ein nicht-geschlossen
flächiges Klebemittelmuster unterstützt. Als Klebemittelmus
ter kommen sogenannte Schneeflockenmuster oder Fischgrätmus
ter in Betracht.
Die Strukturauflösung, die mit der erfindungsgemäßen Methode
erreicht werden kann, hängt von der verwendeten Auftrags
technik und den verwendeten Klebstoffmaterialien ab. Auf
grund der gegenwärtig üblichen Dosierverfahren wird man das
erfindungsgemäße Verfahren bevorzugt für die Montage von
Chips mit wenigen Anschlußkontakten einsetzen.
Neben der beschriebenen drucklosen Aushärtung bietet das er
findungsgemäße Verfahren weitere Vorteile, nämlich niedrige
re und stabilere Kontaktwiderstände verglichen mit den Kon
taktwiderständen, die bei Flipchiptechnik mit anisotrop
leitfähigen Klebstoffen erreicht werden können. Es wird eine
Kostenreduktion erzielt, da die Chips nicht mit hohen Bumps
versehen sein müssen.
Eine weitere Kostenreduktion wird durch die Verwendung kos
tengünstiger isotrop leitender Klebstoffe anstelle der im
Stand der Technik erforderlichen anisotropen Klebstoffe er
reicht.
Nach dem Zusammenfügen des Chips 1 mit dem Substrat 2, wie
es unter Bezugnahme auf Fig. 1 und 2 beschrieben wurde,
können noch vor dem Aushärten der Klebstoffe die Substrat
trägerbahn 3 zusammen mit dem Substrat 2 und dem Chip 1 un
ter vorbestimmbarer Folienspannung auf einen Ausgangswickel
12 aufgerollt werden. Die Folienspannung innerhalb des Aus
gangswickels 12 definiert den möglichen geringfügigen Zu
satzdruck, mit dem der Chip 1 während der Aushärtungsphase
der Klebstoffe gegen das Substrat 2 angedrückt wird. Für den
Fachmann ist es offenkundig, daß dieser zusätzliche Anpress
druck beim erfindungsgemäßen Verfahren nicht über den zeit
lichen und herstellungstechnischen Aufwand von beweglichen
Thermoden erkauft werden mußten, wie dies im Stand der Tech
nik der Fall ist.
Claims (9)
1. Verfahren zur Montage eines Chips mit chipseitigen Kon
takten auf einem Substrat mit substratseitigen Kontakten,
mit folgenden Schritten:
- - Aufbringen von Klebemittelpunkten (8) aus Leitkleb stoff auf die chipseitigen und/oder die substratseiti gen Kontakte (6, 7);
- - Aufbringen eines Klebemittelflecks (10) aus nichtlei tendem Klebstoff auf einen Bereich (9) des Chips (2) und/oder des Substrats (1), der sich zwischen dessen Kontakten (6, 7) befindet;
- - Zusammenfügen des Chips (1) und des Substrats (2) unter kurzfristiger Druckeinwirkung;
- - Aushärtenlassen der Klebstoffe ohne Druckeinwirkung oder unter einem verglichen mit dem Druck der kurzfri stigen Druckeinwirkung geringen Druck.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Chip (1) mit sei
ner aktiven Seite (11) dem Substrat (2) zugewandt auf
diesem montiert wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem eine Vielzahl
von Chips (1) mit einer Vielzahl von Substraten (2) in
einem sogenannten Rolle-Zu-Rolle-Verfahren verbunden
wird, bei welchem
reine Substratträgerbahn (3) mit einer Vielzahl von Sub straten (2) von einer ersten Substratträgerbahnrolle (4) abgezogen wird;
die Chips (1) auf die Substrate (2) eines abgerollten Substratträgerbahnabschnitts aufgebracht werden; und
die Substratträgerbahn (3) mit den auf die Substrate (2) aufgebrachten Chips (1) zu einer zweiten Substrat trägerbahnrolle (12) zusammengerollt wird, bevor das Aushärtenlassen der Klebstoffe erfolgt.
reine Substratträgerbahn (3) mit einer Vielzahl von Sub straten (2) von einer ersten Substratträgerbahnrolle (4) abgezogen wird;
die Chips (1) auf die Substrate (2) eines abgerollten Substratträgerbahnabschnitts aufgebracht werden; und
die Substratträgerbahn (3) mit den auf die Substrate (2) aufgebrachten Chips (1) zu einer zweiten Substrat trägerbahnrolle (12) zusammengerollt wird, bevor das Aushärtenlassen der Klebstoffe erfolgt.
4. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem die Substratträgerbahn
(3) eine Folienbahn ist und bei dem der geringe Druck,
der während des Aushärtenlassens einwirkt, durch die Fo
lienspannung eingestellt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die
Dauer und Höhe der kurzfristigen Druckeinwirkung so ge
wählt sind, daß sich zwischen dem Chip (1) und dem Subs
trat (2) eine Dicke einer Klebefuge (10) aus nichtleiten
dem Klebstoff zwischen 1 µm und 40 µm ergibt.
6. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem die Dauer und Höhe der
kurzfristigen Druckeinwirkung so gewählt sind, daß sich
zwischen Chip (1) und Substrat (2) eine Dicke der Klebe
fuge aus nichtleitendem Klebstoff zwischen 3 µm und 15 µm
ergibt.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem der
Leitklebstoff ein isotropleitender Klebstoff ist.
8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem der isotropleitende
Klebstoff ein silbergefüllter Klebstoff ist.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem der
Klebemittelfleck (10) aus nichtleitendem Klebstoff als
nicht-geschlossenflächiges Klebemittelmuster aufgetragen
wird.
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