DE102009020540A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe, mit dem Verfahren oder in der Vorrichtung hergestellte elektronische Baugruppe - Google Patents

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Abstract

Ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe mit wenigstens einem elektronischen Bauteil und einem Träger, hat folgende Schritte: Erzeugen einer Struktur an dem Träger, wobei die Struktur dazu geeignet ist, ein elektronisches Bauteil an ihr auszurichten, so dass das elektronische Bauteil relativ zu der Struktur eine gewünschte Ziellage einnehmen kann, Beschicken der Struktur mit einem Stoff zur Bildung eines Flüssigkeitsmeniskus, wobei der Flüssigkeitsmeniskus zur wenigstens teilweisen Aufnahme des elektronischen Bauteils geeignet ist, Bereitstellen eines Vorrates mit einer Vielzahl der elektronischen Bauteile bei einer Abgabestelle für die elektronischen Bauteile, Bewegen des Trägers mit der Struktur zumindest in die Nähe gegenüber der Abgabestelle, berührungsloses Abgeben eines der elektronischen Bauteile von der Abgabestelle, während sich die Struktur an dem Träger nahe der Abgabestelle vorbeibewegt, so dass das elektronische Bauteil nach einer Freiphase den Stoff zumindest teilweise berührt, und Bewegen des Trägers mit der Struktur zu einer nachgeordneten Verarbeitungsstelle, während sich das elektronische Bauteil auf dem Flüssigkeitsmeniskus an der Struktur ausrichtet und seine Ziellage einnimmt.

Description

  • Hintergrund
  • Hier wird ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe vorgestellt, bei dem ein elektronisches Bauteil auf einem Trägersubstrat aufgebracht wird. Dabei kann das Trägersubstrat flexibel sein. Weiterhin wird eine Vorrichtung zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe vorgestellt. Schließlich wird auch eine elektronische Baugruppe mit einem Trägersubstrat, zum Beispiel aus einem flexiblen Foliensubstrat und mit einem daran angeordneten elektronischen Bauteil beschrieben, bei dem an oder aus dem Trägersubstrat ein Faltbereich umgeklappt ist.
  • Stand der Technik
  • Derzeit werden kleinere elektronische Bauteile, zum Beispiel aktive und passive Bauelemente wie Halbleiterchips mit zwei oder mehr (bis zu einigen hundert) Anschlüssen, Widerstände, Kondensatoren, Leistungshalbleiter (Transistoren, Thyristoren, TRIACs), Licht emittierende Bauelemente (LEDs), etc. mit mechanisch arbeitenden Greif- und Absetz-Automaten ergriffen und auf einem geeigneten Verdrahtungsträger in mehreren Dimensionen (Längs, quer, Winkellage, etc.) lagegenau positioniert um eine elektronische Baugruppe herzustellen. Selbstausrichtungseffekte der Bauteile spielen dabei in der Regel keine Rolle. Im Gegenteil: Sie sind bei der bisher üblichen Vorgehensweise des möglichst lagegenauen Absetzens der Bauteile an ihrer Montage- und Kontaktierposition eher störend und werden daher tunlichst vermieden. Elektrisches Kontaktieren der elektronische Bauteile erfolgt oft durch ein Flip-Chip-Verfahren zum Beispiel im Zusammenhang mit ACA (anisotrop conductive adhesive) oder ACF (anisotrop conductive foil/film) unter Druck- und Wärmeeintrag. Jedoch begrenzen einerseits die hierfür erforderlichen Indexer und andererseits das Platzieren der einzelnen Bauteile die Produktionsgeschwindigkeit. Zudem können wegen der Bruchgefahr sehr dünne Bauteile nur schwer oder mit hoher Ausschussrate auf diese Weise verarbeitet werden. Die Handhabung sehr dünner Bauteile mit Greif- und Absetz-Automaten ist ebenfalls schwierig.
  • Die Möglichkeit, einzelne Bauteile auf dem Verdrahtungsträger mittels eines Selbstausrichtungseffektes auf einem zuvor auf dem Verdrahtungsträger aufgetragenen geeigneten Fluid abzusetzen wurde bereits diskutiert (Konferenz Smart System Integration 2008, 8.–9. April 2008, Barcelona in der Präsentation "Contactless Device Handling – New Assembly Approaches for the Micro-Nano-Integration" K.-F. Becker, J. Bauer, G. Mollath, G. Schreck, I. Kolesnik, E. Jung, H. Reichl, J. Lienemann, D. Kauzlarić, J. Korvink).
  • Die JP 2005115916 A beschreibt ein Verfahren zum Herstellen eines RFID-Halbleiterbauteils, bei welchem ein RFID-Chip mittels eines herkömmlichen Flip-Chip-Verfahrens mechanisch auf eine metallische Sender- und Empfänger-Struktur eines Trägermaterials montiert wird. Anschliessend wird das Trägermaterial gefaltet.
  • Eine ähnliche Methode zum Herstellen eines RFID-Halbleiterbauteils ist in der Publikation „An Ultra-Small RFID-Chip: μ-chip" von Mitsuo Usami (2004 IEEE Asia-Pacific Conference on Advanced Systems Integrated Circuits (AP-ASIC2004/Aug. 4–5, 2004) beschrieben, bei der ein doppelseitig mit elektrischen Anschlüssen versehener RFID-Chip beidseits abgedeckt ist. Einerseits ist der RFID-Chip mit einer ersten dünnen Antenne aus einem anisotropen, elektrisch leitenden Film, kurz ACF (anisotrop conductive film/foil) genannt, verbunden und abgedeckt, wobei der anisotrope, elektrisch leitende Film das Trägersubstrat des RFID-Halbleiterbauteils bildet. Andererseits ist der RFID-Chip mit einer zweiten dünnen Antenne aus einer weiteren dünnen Metallfolie verbunden und abgedeckt, wobei die weitere dünne Metallfolie derart umgeklappt ist, dass die weitere dünne Metallfolie an der Unterseite des ACF befestigt ist. Damit ist der RFID-Chip von beiden Seiten von jeweils einer dünnen Antenne abgedeckt. Da sowohl ein anisotroper, elektrisch leitender Film als auch eine zusätzliche Metallfolie zum Herstellen eines RFID-Halbleiterbauteils erforderlich ist, baut das RFID-Halbleiterbauteil recht aufwändig.
  • Die DE 19962194 A1 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von kontaktierbaren Leiterschleifen für Transponder mit den Schritten: Ausbilden einer Leiterschleife mit mehreren Windungen auf einer Seite eines verformbaren Substrats. Die Leiterschleife hat zunächst ein inneres und ein äußeres Ende, wobei das innere Ende innerhalb und das äußere Ende außerhalb der Leiterschleife liegt. Verlängern der Leiterschleife ausgehend vom äußeren Ende um ein vorbestimmtes Stück, das bzgl. der Leiterschleife nach außen gerichtet ist. Falten des Substrats zwischen dem verlängerten äußeren Ende und dem äußeren Ende, derart, dass das verlängerte äußere Ende nach dem Falten über dem Bereich des Substrats liegt, der durch das Innere der Leiterschleife definiert wird.
  • Die DE 60 2004 007 861 T2 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Kommunikationsmediums, wobei eine Basislage von einer ersten Rolle abgewickelt wird, auf eine jeweilige einer Vielzahl von Sende-Empfangsantennen auf einer Fläche der Basislage ein IC-Chip gebondet wird und die Basislage dann auf eine zweite Rolle gewickelt wird. Zwischen dem Abwic keln und dem Aufwickeln der Basislage werden die folgenden Schritte ausgeführt: Bonden eines IC-Chips auf jede Antenne auf der Basislage unter Bildung mehrerer Anordnungen mit jeweils einer Antenne und einem IC-Chip. Einzelnes Testen einer Kommunikationsleistung jeder Anordnung und Sortieren der Anordnungen entsprechend ihrer Qualitäten. Ausbilden eines rechteckigen Schnittbereichs in einem Zwischenraum zwischen benachbarten Anordnungen auf der Basislage. Entsprechendes Abdecken der einen der benachbarten Anordnungen mit dem Schnittbereich durch Falten des Schnittbereichs über die eine Anordnung.
  • Weiterer technologischer Hintergrund kann den DE 10151657 C1 , DE 10 2006 001 885 A1 , EP 1 143 378 A1 entnommen werden.
  • Zugrunde liegendes Problem
  • Ziel ist es, ein gegenüber bisherigen Verfahren zum Herstellen elektronischer Baugruppen verbessertes Verfahren bereit zu stellen, (i) das in der Serienfertigung einsetzbar ist, (ii) das einen höheren Montagedurchsatz erlaubt, und (iii) das eine für die Bauteile stressarme Zuführung zu einer hochgenauen Platzierung bietet, um eine anschließende einfache elektrische Kontaktierung von mehreren elektrischen Anschlüssen des Bauteils an seine elektrische Umgebung zu ermöglichen.
  • Lösung
  • Um dieses Ziel zu erreichen wird hier ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 vorgeschlagen. Dieses Verfahren ermöglicht das Herstellen einer elektronischen Baugruppe mit wenigstens einem elektronischen Bauteil und einem Träger. An dem Träger wird eine Struktur erzeugt, die dazu geeignet ist, ein Bauteil an ihr auszurichten, so dass das Bauteil relativ zu der Struktur eine gewünschte Ziellage einnehmen kann. Diese Struktur wird zur Bildung eines Flüssigkeitsmeniskus mit einem Stoff beschickt. Der Flüssigkeitsmeniskus ist zur wenigstens teilweisen Aufnahme des Bauteils geeignet. Ein Vorrat mit einer Vielzahl der Bauteile wird bei einer Abgabestelle für die Bauteile bereitgestellt. Der Träger mit der Struktur wird zumindest in die Nähe gegenüber der Abgabestelle bewegt. Eines der Bauteile wird von der Abgabestelle berührungslos abgegeben, während sich die Struktur an dem Träger nahe der Abgabestelle befindet oder vorbeibewegt, so dass das Bauteil nach einer Freiphase den Stoff zumindest teilweise berührt. Der Träger mit der Struktur wird zu einer nachgeordneten Verarbeitungsstelle bewegt, während das Bauteil (von Wechselwirkungen aus Kapillarkräften, Benetzung und Oberflächenspannungen getrieben,) auf dem Flüssigkeitsmeniskus sich an der Struktur ausrichtet und seine Ziellage einnimmt.
  • Die Serien-Herstellung von Halbleiterbauteilen der eingangs beschriebenen Art ist mit diesem Verfahren signifikant kostengünstiger, schneller, sicherer und mit weniger Stress für die Bauteile verbunden als bei den bisher industriell üblichen Verfahren. Dies gilt insbesondere auch für die Montage und die Gehäuseeinkleidung für Chipbauelemente mit wenigen elektrischen Kontakten (zum Beispiel RFIDs, LEDs, etc.) auf Foliensubstraten (zum Beispiel auf Transponder-Interposern oder Inlays für RFIDs) bei hoher Geschwindigkeit und mit hoher Zuverlässigkeit. Diese Vorteile treten insbesondere bei der Montage sehr kleiner und/oder sehr dünner Chipbauelemente zu Tage aufgrund der konzeptionellen Unterschiede zu bisherigen Vorgehensweisen: Kein direktes Berühren der Chipbauelemente beim Montageprozess und Selbst-Ausrichten lediglich annähernd genau zugeführter Chipbauelemente unter Ausnutzung von Grenzflächenspannungseffekten.
  • Obwohl die Chipbauelemente zum Zeitpunkt ihrer Abgabe nur mit geringer Genauigkeit relativ zu ihrer Ziellage in der Abgabestelle positioniert sind, bewirkt das anschließende Selbst-Ausrichten ein präzises Positionieren. So ist nachfolgend ein sehr effizientes und zuverlässiges elektrisches Kontaktieren möglich. Außerdem kann durch ein anschließendes Umfalten eines Teils des Substrates auf sich selbst eine hohe Widerstandsfähigkeit der Gesamtanordnung gegen mechanische Belastungen und Feuchtigkeit erreicht werden.
  • Die Selbstausrichtung kommt ohne im Stand der Technik erforderliche Regelschleifen mit aufwändigen Bilderkennungssystemen zur Erfassung der Position der Chipbauelemente und eine davon gesteuerte hochpräzise aktive Positionierung in mehreren Koordinaten und/oder Winkellagen aus. Durch die berührungslose Abgabe der Chipbauelemente sind diese mechanisch weniger beansprucht. Deshalb kann der Vorgang kontinuierlich ablaufen; er muss nicht wie im Stand der Technik im Takt der Greif- und Absetzroboter ablaufen. Obwohl ein kontinuierliches Transportieren der Träger zum Beispiel auf einem Trägerband vorteilhaft und bevorzugt ist, ist dies jedoch keinesfalls zwingend. Vielmehr ist es auch möglich – zum Beispiel weil vorgelagerte oder nach gelagerte Verarbeitungsstellen diskontinuierlich oder getaktet arbeiten – auch das vorstehend beschriebene Zuführen und Abführen der Träger diskontinuierlich oder getaktet, also schrittweise auszuführen. Im Übrigen kommt diese gegenüber dem Stand der Technik konzeptionell völlig andere Vorgehensweise auch mit einem wesentlich geringeren apparativen Aufwand als der Stand der Technik aus. Dies reduziert die Fertigungs-, Justierungs-, und Erhaltungsaufwendungen erheblich.
  • So können auch kleine aktive oder passive elektronische Bauelemente mit wenigen elektrischen Kontakten auf einer Bauteilseite (zum Beispiel RFIDs), und solche mit Kontakten auf der Ober- und Unterseite (zum Beispiel LEDs) sehr schnell montiert werden. Das Verfahren ermöglicht auch vollständig durchlaufende Rolle-zu-Rolle-Prozesse, in denen das Band mit den Trägern nicht angehalten werden muss. Das Verfahren ermöglicht auch eine deutliche Durchsatzsteigerung gegenüber derzeit industriell eingesetzten Prozessen zur Montage elektronischer Bauelemente (zum Beispiel RFID-Chips) auf strukturierten, flexiblen Substraten. Das Verfahren ermöglicht zudem ein Low-Cost Packaging anderer Bauelemente auf strukturierten Foliensubstraten und ist einfach an unterschiedliche Chiptypen anpassbar.
  • Das mit einer Strukur versehene Trägersubstrat, also der Träger, kann aus einer Polymerfolie (z. B. PET, PEN, PI) oder einem alternativen, auch flexiblen Substratmaterial (z. B. Papier, Verbundmaterialien) mit einer aufgebrachten leitfähigen strukturierten Beschichtung (z. B. Kupfermetallisierung, Aluminiummetallisierung, gedruckte Silberleittinte, etc.). gebildet sein. Die Abgabe der Chips und deren Selbstausrichtung in einem Flüssigkeitsmeniskus ist auch auf starren Trägern, wie zum Beispiel Leiterplatten anwendbar.
  • Die Struktur kann an dem Träger jeweils durch Materialantrag an eine Oberfläche des Trägers oder durch Materialabtrag von einer Oberfläche des Trägers gebildet werden. Die Gestalt der Struktur kann an die Kontur des elektronischen Bauteils angepasst werden. Durch die Struktur kann die Ziellage des elektronischen Bauteils in einer oder mehreren Dimensionen (X-, X- und/oder Z-Richtung) und/oder dessen Orientierung in einer oder mehreren Richtungen (Winkellage) festgelegt werden.
  • Die Struktur kann auch als mehrere Teilstrukturen aufweisende Struktur auf dem Träger ausgebildet werden, die jeweils ein Gebiet umgrenzen um einen jeweiligen Flüssigkeitsmeniskus zu formen.
  • Durch die Strukturierung ist die Oberfläche des Substrates selektiv mit dem Stoff benetzbar gestaltet. Der in diese Struktur eingebrachte Stoff zur Bildung des Meniskus kann eine Flüssigkeit, ein Klebstoff, oder ein Lot sein, das noch aufzuschmelzen ist. In diesem flüssigem Zustand bildet der Stoff/das Lot einen Meniskus. Die Struktur ist in ihrer Gestalt zur Grundfläche des Chips ähnlich oder angepasst, was ein Selbstausrichten des Chips an der Struktur ermöglicht.
  • Die durch die Struktur definierte, selektiv benetzbare Oberfläche des Trägers kann abhängig von dem Stoff (zum Beispiel Klebstoff, Acrylatklebstoff, Epoxy-Klebstoff, Wasser, Flussmittel, organischer Lösungsmittel oder deren Mischungen) ausgewählt werden. Zur Herstellung strukturiert benetzbarer Oberflächen sind zum Beispiel aber nicht ausschließlich strukturierte Metallisierungen (z. B. für Prozesse mit Lot); Plasma-Behandlungen (z. B. für Prozesse mit Acrylatklebstoff oder Wasser); Herstellung einer Oberflächentopographie durch Prägen, Stanzen oder additive Verfahren; additiver Auftrag von Silikonen, Harzen oder Wachsen (zum Beispiel für Prozesse mit Acrylatklebstoff, Klebstoff, Wasser, Flussmittel, org. Lösungsmittel und deren Mischungen); sowie die Kombination mehrerer solcher Verfahren möglich.
  • Beim Selbstausrichten der elektronischen Bauelemente auf dem strukturierten Tragersubstrat wird der Effekt der Minimierung der freien Grenzflächenenergie eines Systems aus lokal strukturiertem Träger-Substrat, Fluid und Bauelement genutzt.
  • Die verarbeitbaren Bauteile sind elektrische und/oder elektronische Bauelemente für ein Halbleiterbauteil, welche auf einem vorzugsweise flexiblen Trägersubstrat aufgebracht werden können. Solche Bauteile werden auch als Chip bezeichnet.
  • Das Trägersubstrat kann in jeglicher Gestalt vorliegen, die sich zum Herstellen eines Halbleiterbauteils eignet. Das Trägersubstrat kann flexibel sein und zerstörungsfrei elastisch oder plastisch verformbar sein. Ein solches flexibles Trägersubstrat kann ein so in sich umklappbares Foliensubstrat sein, dass zwei aneinander angrenzende Bereiche des Foliensubstrats aufeinandergeklappt werden können.
  • Ein Trägerband kann mit einer Vielzahl von jeweils die Struktur aufweisenden Trägern kontinuierlich in die Nähe gegenüber der Abgabestelle für die elektronischen Bauteile und von dort weg bewegt werden.
  • Der Stoff kann von solcher Art und/oder in solcher Menge an die Struktur abgegeben werden, dass sich der Flüssigkeitsmeniskus konvex relativ zu der Struktur bildet. Bei einer nachfolgenden Verarbeitung kann der Stoff zumindest teilweise aus der Struktur zu entfernen sein. Der Stoff kann auch ein Klebstoff sein, der zwischen der Struktur und dem Bauteil zumindest teilweise verbleibt. Der Stoff kann auch aufzuschmelzendes Lot sein.
  • Wenn vor dem Bewegen des Trägers mit der Struktur zu einer nachgeordneten Verarbeitungsstelle das Flussmittel enthaltende Lot unter Bildung des Flüssigkeitsmeniskus geschmolzen wird, kann sich das mit dem Flüssigkeitsmeniskus im Kontakt befindliche elektronische Bauteil an der Struktur ausrichten und seine Ziellage einnehmen.
  • Das elektronische Bauteil kann ein Halbleiterchip mit metallischen Anschlusskontakten sein, die auf einer, oder auf zwei zueinander entgegengesetzten Seitenflächen des Halbleiterchips angeordnet sind, wobei das elektronische Bauteil so aus der Abgabestelle abgegeben wird, dass entweder eine Seitenfläche mit metallischen Anschlusskontakten dem Stoff zugewandt ist und eine Seitenfläche ohne Anschlusskontakte von dem Stoff abgewandt ist. Alternativ oder zusätzlich kann eine Seitenfläche mit metallischen Anschlusskontakten dem Stoff zugewandt sein und eine Seitenfläche mit metallischen Anschlusskontakten von dem Stoff abgewandt sein. Alternativ oder zusätzlich dazu kann wenigstens eine Seitenfläche mit metallischen Anschlusskontakten quer zu der Oberfläche des Stoffes orientiert sein.
  • Eine Vielzahl elektronischer Bauteile kann an einer Trägerschicht als voneinander vereinzelte Halbleiterchips haftend der Abgabestelle zugeführt werden, wobei die vereinzelten Halbleiterchips an einer dem Träger zugewandten Seite der Trägerschicht an dieser haften.
  • Zur berührungslosen Abgabe kann eine Energie solcher Art und Menge von einer von den anhaftenden Halbleiterchips abgewandten Seite der Trägerschicht durch diese Trägerschicht hindurch so auf einen einzelnen Halbleiterchip gerichtet werden, dass sich der jeweilige Halbleiterchip von der Trägerschicht trennt oder ablöst um danach zumindest mit einem Teil einer seiner Seitenflächen den Stoff und/oder dessen Flüssigkeitsmeniskus kontaktieren. Diese Energie kann durch einen (Infrarot-)Laser, eine Heißgasdüse (zum Beispiel eine Heißluftdüse), ein Heizstrahlelement, oder dergl. bereitgestellt werden. Dabei kann die Energiequelle die Trägerschicht auch berühren; da die Energiequelle auf der Seite der Trägerschicht angeordnet ist, die den an der Trägerschicht anhaftenden Halbleiterchips abgewandt ist, werden die an der Trägerschicht anhaftenden Halbleiterchips während des Transfers von der Abgabestelle zu dem Stoff/der Struktur dennoch nicht berührt.
  • Die Trägerschicht kann mit einer Haftschicht für die vereinzelten Halbleiterchips versehen werden. Diese Haftschicht kann sich unter Einwirkung von zumindest einem Teil der auf die einzelnen Halbleiterchips gerichteten Energie wenigstens teilweise zersetzen um auf den jeweiligen Halbleiterchip einen mechanischen Impuls auszuüben, der den jeweiligen Halbleiterchip von der Trägerschicht weg bewegt. Alternativ oder zusätzlich können in der Haftschicht dicht angeordnet kleine Partikel enthalten sein, zum Beispiel kleine Kapseln mit einer eingelagerten Flüssigkeit, die bei Energieeinwirkung expandieren, zu Blasen werden und den Halbleiterchip anheben sowie die Grenzfläche zum Halbleiterchip hin vergrößern und ihn damit von der Haftschicht ablösen.
  • Die in vorstehend beschriebener Weise lokal eingetragene Energie wird im von der Trägerschicht zu trennenden Halbleiterchip in ihm und/oder in der Trägerschicht teilweise oder vollständig in Wärme umgewandelt. Diese Wärme bewirkt, dass die zwischen dem Halbleiterchip und der Trägerschicht befindliche, auf Wärme reagierende Haftschicht den Halbleiterchip von der Haftschicht frei gibt, da die Haftschicht das Klebstoff/Kapselgemisch einer thermisch lösenden Folie ist. Dabei ist es auch möglich, dass die Haftschicht selbst (oder die Trägerschicht bzw. der von der Trägerschicht zu trennende Halbleiterchip) die eingetragene Energie je nach Absorption der Wellenlänge der Energiestrahlung, diese in Wärme umwandelt und damit die thermische Reaktion beschleunigt.
  • Der Träger kann aus einem elastisch oder plastisch verformbaren Material gebildet werden, der mit einer elektrisch leitenden Musterung versehen wird, die wenigstens einen Pfad aufweist. Der elektrisch leitende Pfad kann entweder soweit in die Struktur reichend ausgebildet werden, dass er einen der Anschlusskontakte eines Halbleiterchips kontaktiert, nachdem dieser Halbleiterchip sich (auf dem Flüssigkeitsmeniskus) an der Struktur(selbst-)ausgerichtet hat. Der elektrisch leitende Pfad kann auch in einen Bereich des Trägers reichend ausgebildet werden, der von der Struktur beabstandet ist. In diesem Fall wird eine Perforation oder Schwächungsstelle in dem Bereich des Trägers um einen Teil des Pfades der Musterung zum Bilden einer den Teil des Pfades enthaltenden Klappe angebracht. Dann wird die Klappe aus dem Träger ausgeformt und anschließend wird die Klappe so umgefaltet, dass der auf der Klappe befindliche Teil des Pfades zumindest einen Teil eines der Anschlusskontakte eines Halbleiterchips kontaktiert. Alternativ dazu kann eine Perforation oder Schwächungsstelle in dem Bereich des Trägers zum Bilden einer den Halbleiterchip enthaltenden Klappe angebracht werden. Danach kann die Klappe aus dem Träger ausgeformt werden und anschließend kann die Klappe so umgefaltet werden, dass der auf der Klappe befindliche Halbleiterchip mit wenigstens einem seiner Anschlusskontakte zumindest einen Teil des Pfades der Musterung kontaktiert.
  • Der umklappbare Faltbereich kann in vielfältiger Weise von dem übrigen Träger abgegrenzt werden. Dazu eignen sich zum Beispiel mechanische Verfahren, wie Stanzen, Schneiden, Kerben, Ritzen, Prägen und/oder Perforieren. Es sind aber auch lasergestützte Verfahren, wie Schneiden, Kerben, oder Perforieren möglich, mit denen eine geeignete Abgrenzung betriebssicher und schnell erfolgen kann. Weiterhin sind aber auch Wasserstrahlschneideverfahren oder dergl. möglich.
  • Ein oder mehrere umklappbare Faltbereiche können von dem flexiblen Trägersubstrat abgetrennt werden, wobei mindestens eine Verbindung des derart abgetrennten umklappbaren Faltbereichs zu dem flexiblen Trägersubstrat bestehen bleibt, so dass eine Lasche oder Klappe entsteht. Zum Beispiel wird eine rechteckige Lasche durch drei durchtrennte Grenzkanten und eine nicht oder nur teilweise durchtrennte, perforierte, gekerbte oder anderweitig ge schwächte Grenzkante hergestellt. Es sind auch andere geometrische Formen der Laschen möglich, wie etwa ein nahezu beliebiges Viereck, eine Rundung oder eine Freiform.
  • Das Falten des Trägersubstrats zur Bildung der Klappe kann sowohl in der Bahnlaufrichtung von Rolle zu Rolle als auch quer dazu erfolgen.
  • Durch den umklappbaren Faltbereich kann das Bauteil in einer Sandwichbauweise einfach zwischen zwei Lagen des flexiblen Trägersubstrats aufgenommen werden, wodurch das Bauteil besonders gut gegenüber Umwelteinflüssen geschützt werden kann.
  • Der den Halbleiterchip enthaltende Raum zwischen dem Träger und der Klappe kann mit einer Füllmasse befüllt werden, so dass der Halbleiterchip zumindest teilweise in die Füllmasse eingebettet wird. Dies kann ein geeigneter Klebstoff sein, wodurch eine besonders hohe mechanische Belastbarkeit des Halbleiterbauteils erzielt werden kann. Zudem ist das Bauteil hierdurch zusätzlich geschützt.
  • Der umklappbare Faltbereich mit dem daran angeordneten elektronischen Bauteil kann auch auf die (metallische) Struktur umgeklappt werden.
  • Da das elektronische Bauteil mit diesem Verfahren berührungslos auf das Trägersubstrat aufgebracht wird, entfällt eine bisher industriell eingesetzte mechanische Montage des Bauteils mittels eines mechanischen Greifers oder Saugers, der das jeweilige Bauteil erfasst und auf das Trägersubstrat ablegt. So ist das Platzieren des Bauteils signifikant schneller und insbesondere für dünne Bauteile (etwa 10 μm Dicke und weniger) mechanisch weniger belastend als bisher.
  • Insbesondere eignet sich das vorliegende Verfahren für Halbleiterbauteile, bei denen Halbleiterchips mit einer überschaubaren Anzahl an elektrischen Anschlüssen ausgerüstet sind. Gleichermaßen eignet sich das vorliegende Verfahren aber auch für Halbleiterbauteile mit einer Vielzahl von elektrischen Anschlüssen, zum Beispiel Logik-, Controller – oder Prozessor-Bausteinen.
  • Durch das berührungslose Abgeben (oder Aufbringen) gelangt das Bauteil auf das Träger-(substrat), wobei das Bauteil, nachdem es den Vorrat verlassen hat, für einen Moment (der Freiphase oder Freiflug- oder Freifallphase) bevor es auf dem Stoff in der Struktur auf dem Träger angelangt ist, von keiner mechanischen Einrichtung mechanisch gehalten oder ge führt wird. Das Bauteil kann also zum Beispiel in einem freien Fall auf das Trägersubstrat aufgebracht werden. Hierbei kann das Bauteil allein oder nahezu allein auf Grund der Schwerkraft auf das Trägersubstrat aufgebracht werden, wodurch sich das vorliegende Verfahren besonders einfach gestalten lässt.
  • Das elektronische Bauteil kann auch berührungslos zu dem Träger hin beschleunigt werden. Beispielsweise kann das Bauteil mittels Druckluftunterstützung zusätzlich beschleunigt und so effektiver auf das Trägersubstrat aufgebracht werden. Eine solche Druckluftunterstützung kann zum Beispiel dadurch erfolgen, dass die Haftschicht zum Halten der Bauteile so stark erhitzt wird, dass Bestandteile der Haftschicht in die Gasphase übergehen und als treibende Kraft zwischen Bauteil und Trägerschicht wirken.
  • Durch die Struktur auf dem Träger wird dieser in einen durch den Stoff benetzbaren/bedeckten Bereich und einen unbenetzbaren/unbedeckten Bereich unterteilt. Der derart selektiv benetzbare Bereich kann sich insbesondere dadurch auszeichnen, dass eine darauf befindliche Flüssigkeit auf dem Träger einen Meniskus ausbilden kann, dessen Form/Gestalt der Grundfläche des Bauteils angepasst ist, was ein Selbstausrichten des Bauteils an der Struktur ermöglicht.
  • Der benetzbare Bereich kann in Abhängigkeit von dem verwendeten Stoff und von dem Bauteil gestaltet werden.
  • Zur Herstellung einer strukturierten und benetzbaren Oberfläche an dem Träger können zum Beispiel, aber nicht ausschliesslich, strukturierte Metallisierungen, etwa für Prozesse mit einem Lot, Plasma-Behandlungen, etwa für Prozesse mit einem Acrylat-Klebstoff oder Wasser, vorgesehen werden. Hierbei kann die Struktur als eine spezielle, zum Beispiel ringförmige Oberflächentopographie zum Beispiel durch Prägen, durch Stanzen oder durch additive Verfahren, wie etwa durch einen additiven Auftrag von Silikonen, Harzen und/oder Wachsen sowie die Kombination mehrerer solcher Verfahren hergestellt werden. Die Struktur kann auch durch eine ringförmige elektrische Leiterbahn gebildet sein.
  • Das Bauteil auf dem Trägersubstrat kann einfach mit weiteren Funktionskomponenten elektrisch verbunden werden, wenn das Trägersubstrat eine entsprechend gemusterte elektrisch leitende Struktur aufweist.
  • Daher kann vor und/oder während des Aufbringens des Bauteils das Trägersubstrat mit einer elektrisch leitfähigen Struktur, insbesondere mit einer metallischen Struktur, beschichtet, zum Beispiel bedruckt werden. Insbesondere der benetzbare Bereich kann mittels einer elektrisch leitfähigen Struktur auf dem flexiblen Trägersubstrat vorteilhaft hergestellt werden.
  • Niedrig viskose Flüssigkeiten erleichtern ein ausreichend schnelles Selbstausrichten des Bauteils. In einem einfachen Fall kann Wasser zum Ausrichten verwendet werden, welches nach dem erfolgreichen Ausrichten des elektronischen Bauteils idealerweise vollständig verdunstet, wonach ein Lot oder ein hoch viskoser Klebstoff mit dem ausgerichteten Bauteil in Kontakt kommen kann. Das Lot oder der hoch viskose Klebstoff übernehmen hierbei ein dauerhaftes Fixieren und/oder Kontaktieren des Bauteils an dem Trägersubstrat.
  • Als Mittel zum Ausrichten des elektronischen Bauteils kann ein Klebstoff verwendet werden, der eine ähnliche Viskosität hat wie Wasser. Hierdurch kann ein elektronisches Bauteil einerseits in kürzester Zeit mit einem Klebstoff an der Struktur auf dem Trägersubstrat ausgerichtet und andererseits mit dem Klebstoff an dem Trägersubstrat befestigt werden.
  • Ein Klebstoff mit einer von der Viskosität von Wasser weniger als 30%, vorzugsweise weniger als 10%, abweichenden Viskosität erlaubt ein ausreichend schnelles Ausrichten des elektrischen Bauteils insbesondere vor dem Festkleben des elektrischen Bauteils.
  • Das Selbstausrichten funktioniert auch bei höher viskosen Klebstoffen, auch wenn es hier entsprechend langsamer verläuft. Daher ist dafür zu sorgen, dass die höher viskosen Klebstoffe erst zu einem späteren Zeitpunkt als bei niedrig viskosen, gehärtet werden, so dass ein Festkleben des elektrischen Bauteils erst nach dem Ausrichten erfolgt. Diese Variante erlaubt aber, dass ein Bauteil mit dem Klebstoff sowohl ausgerichtet als auch dauerhaft an dem Trägersubstrat befestigt wird.
  • Wenn der verwendete Stoff besonders gut benetzend wirkt, kann zum Beispiel der Klebstoff in Ecken der zu benetzenden Struktur Oberflächenbereiches gelangen. Dies bewirkt eine gute Winkelausrichtung des elektrischen Bauteils, da eine effektive Winkelausrichtung insbesondere von den Eckbereichen der Struktur ausgeht.
  • Ein rechtwinkliges oder quadratisches Klebstoffdepot auf dem Substrat kann zu einer besonders guten Winkelausrichtung des (in der Regel ebenfalls einen rechtwinkligen oder quadratischen Grundriss aufweisenden) Bauteils führen, wodurch eine besonders hohe Genauigkeit und Reproduzierbarkeit der Ausrichtung, insbesondere einer rotatorischen und/oder translatorischen Selbstausrichtung, des Bauteils erreicht werden kann.
  • Bei einer Variante des Verfahrens wird das Bauteil auf dem umklappbaren Faltbereich aufgebracht. Beispielsweise wird das Bauteil mit derjenigen seiner Seiten auf einem mit geeigneten Verbindungsmitteln und/oder mit Mitteln zum Ausrichten des elektronischen Bauteils beaufschlagten umklappbaren Faltbereich aufgebracht, an welcher keine elektrischen Anschlüsse des Bauteils vorgesehen sind und welche den Anschlüssen abgewandt gegenüberliegt. Hierdurch kann sich das Bauteil beispielsweise auf dem meniskusbildenden Stoff an dem umklappbaren Faltbereich besonders gut ausrichten, bevor der umklappbare Faltbereich auf das Trägersubstrat geklappt wird. Durch das Umklappen können die elektrischen Anschlüsse des elektronischen Bauteils mit einer elektrischen leitfähigen Struktur elektrisch verbunden werden, wodurch ein funktionsfähiges Halbleiterbauteil hergestellt werden kann.
  • Vorzugsweise ist der umklappbare Faltbereich wesentlich kleiner als die übrigen Bereiche des flexiblen Trägersubstrats ausgebildet, so dass die übrigen Bereiche nicht vollständig durch die Klappe abgedeckt werden.
  • Die elektrische Kontaktierung des Bauteils und dessen mechanische Fixierung kann mit oder aber auch ohne zusätzliche Stoffe oder Verbindungswerkstoffe, wie die Mittel zum Bonden und/oder zum Ausrichten des elektronischen Bauteils, lediglich durch Falten des Trägers erfolgen. Hierbei kann die elektrische Kontaktierung mittels Lot, ICA, ACA, ACF oder Bumps mit ausreichender Oberfächenrauheit, wie z. B. Studbumps oder Pd-Bumps und NCA bewerkstelligt werden. Es können zum Kontaktieren unterschiedlicher elektrischer Anschlüsse des Bauteils auch verschiedene Verbindungswerkstoffe eingesetzt werden.
  • Insgesamt kann das Bauteil durch Falten des Faltbereiches des Trägers nicht nur vorteilhaft an dem Träger fixiert sondern auch mit elektrisch leitfähigen Strukturen kontaktiert werden.
  • Die Merkmale bzw. die Merkmalskombinationen des umklappbaren Faltbereiches stellen eine eigenständige Weiterentwicklung herkömmlicher Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils dar, die auch ohne die anderen vorstehend beschriebenen Merkmale einsetzbar sind.
  • Ein Halbleiterbauteil kann demnach aus einem Foliensubstrat und einem darauf angeordneten elektronischen Bauteil gebildet sein, bei dem an dem Foliensubstrat ein umklappbarer Faltbereich ausgebildet ist. Hierbei kann die Ortslage des klappbaren Faltbereichs außergewöhnlich präzise bestimmt werden, was insbesondere bei besonders kleinen Halbleiterbauteilen von Vorteil ist.
  • Noch kompakter kann ein Halbleiterbauteil konstruiert werden, wenn sich der Chip nicht auf, sondern neben der Lasche befindet und nicht der Chip, sondern auf der Lasche befindliche Anschlussflächen mit Leitbahnen, die weniger Platz als der Chip benötigen, auf den Chip gefaltet werden.
  • Das derart gestaltete Halbleiterbauteil ist einerseits wesentlich einfacher aufgebaut als das in der eingangs erwähnten Publikation gezeigte RFID-Halbleiterbauteil, da das vorliegende Halbleiterbauteil lediglich aus einem einzigen Foliensubstrat besteht, mittels welchem zwei Lagen geschaffen sind, zwischen denen das elektronische Bauteil eingebettet ist.
  • Andererseits grenzt sich das vorliegende Halbleiterbauteil auch gegenüber dem Halbleiterbauteil aus der eingangs zitierten Druckschrift JP 200511916 A ab, da hier nur ein kleiner Faltbereich des einzigen, flexiblen Foliensubstrats umgeklappt ist.
  • Wenn die Faltbereichsgrundfläche mehr als ein Drittel, vorzugsweise mehr als die Hälfte, kleiner ist als die Halbleiterbauteilgrundfläche, muss nur ein kleinerer Faltbereich umgeklappt werden. Insbesondere können hierdurch elektrisch leitfähige Strukturen auf dem einzigen, flexiblen Foliensubstrat von dem darauf umgeklappten Faltbereich unabgedeckt bleiben. So kann zum Beispiel die Sende- und/oder Empfangsleistung eines RFID-Halbleiterbauteils verbessert werden.
  • Das Foliensubstrat des Halbleiterbauteils kann auch bei einem umgeklappten Faltbereich noch sehr stabil bauen, wenn der umklappbare Faltbereich einen Fensterbereich innerhalb des einzigen, flexiblen Foliensubstrates ausbildet. Der Fensterbereich beschreibt hierbei eine Materialausnehmung, welche sich innerhalb des Foliensubstrats bei umgeklapptem Faltbereich ergibt. Der Fensterbereich bzw. die Materialausnehmung ist hierbei noch vollständig von dem übrigen Foliensubstrat umrandet. Bei anderen Ausgestaltungen muss die Materialausnehmung auch nicht vollständig von dem Foliensubstrat umgeben sein.
  • Bei einer Variante wird das auf dem Foliensubstrat angeordnete Bauteil an dem umklappbaren Faltbereich gegenüber dem Foliensubstrat umklappbar befestigt. Hierdurch kann das Bauteil etwa mit dem umklappbaren Faltbereichs einfach auf eine metallische Struktur aufgeklappt werden, mit der das Foliensubstrat zumindest teilweise beschichtet sein kann.
  • Das Bauteil ist auf dem Träger gut ausrichtbar und befestigbar, wenn es mittels eines einen Flüssigkeitsmeniskus bildenden Stoffes auf dem Träger ausgerichtet und/oder befestigt wird. Vorzugsweise können geeignete Stoffdepots unter Luftatmosphäre aufgetragen werden.
  • Der Stoff kann auch elektrisch leitend sein, so dass das Bauteil auch an elektrisch leitenden Strukturen elektrisch angebunden werden kann.
  • In einer anderen Variante ist der Stoff elektrisch isolierend. Hier kann eine elektrische Verbindung des Bauteils lediglich durch ein Umklappen es umklappbaren Faltbereichs erzielt werden, nämlich wenn elektrische Anschlusseinrichtungen des Bauteils mit einer elektrischen Struktur des flexiblen Trägersubstrats in Kontakt kommt.
  • Eine spezielle Lösung schlägt ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils mit einem Bauteil vor, bei welchem eine metallische Struktur auf einer Oberfläche eines flexiblen Foliensubstrats aufgebracht wird, und bei welchem anschließend das derart strukturierte, Foliensubstrat einem kontinuierlichen Montageprozess, wie etwa einem Rolle-zu-Rolle-Montageprozess zugeführt werden kann, wobei in das strukturierte, Foliensubstrat ein umklappbarer Faltbereich eingebracht wird, bei welchem Verbindungsmittel auf den Faltbereich aufgetragen werden, bei welchem das Bauteil auf die Verbindungsmittel im Faltbereich aufgebracht wird, und bei dem das Bauteil sich mit dem Verbindungsmittel auf der Oberfläche an der Struktur auf dem Foliensubstrat ausrichtet, und bei dem der Faltbereich gemeinsam mit dem Bauteil auf die metallische Struktur geklappt wird, wodurch das Bauteil mit der metallischen Struktur auch elektrisch verbunden wird. Dies erlaubt eine sehr effiziente kostengünstige Montage eines nahezu beliebigen geformten Bauteils an einem vorzugsweise flexiblen Trägersubstrat.
  • Der hier beschriebene Rolle-zu-Rolle-Montageprozess zeichnet sich insbesondere dadurch aus, dass ein Montageband, welches entlang einer Montagestrecke bewegt wird, Idealerweise nie angehalten oder verlangsamt werden muss, um einen Montageschritt an dem Halbleiterbauteil auszuführen. So ermöglicht dieses Verfahren eine deutliche Durchsatzsteigerung gegenüber heutigen, getakteten Prozessen zur Montage von Bauelementen auf strukturierten Trägern.
  • Die hier beschriebenen Verfahren bzw. Verfahrensvarianten ermöglichen auch eine Montage von besonders kleinen elektronischen Bauteilen mit wenigen elektrischen Anschlusseinrichtungen, insbesondere auch im Zusammenhang mit Transponder-Interposer oder Inlays für RFID. Dabei kann durch die berührungslose Montage der Bauteile und deren Selbstausrichten an dem Träger selbst bei der Montage sehr kleiner und/oder sehr dünner Bauteile eine hohe Herstellungsgeschwindigkeit bei hoher Zuverlässigkeit gewährleistet werden.
  • Das elektronische Bauteil kann mehr als einen elektrischen Anschluss, zum Beispiel zwei bis vier elektrische Anschlüsse aufweisen. Das Bauteil kann auch weniger als zehn elektrische Anschlüsse, vorzugsweise weniger als fünf elektrische Anschlüsse, aufweisen. Hierbei spielt es keine Rolle, ob sich die elektrischen Anschlusseinrichtungen lediglich auf einer einzigen Chipseite, wie beispielsweise bei derzeitig verfügbaren RFID-Chips, oder jeweils auf zwei Chipseiten, wie beispielsweise bei derzeitig verfügbaren LED-Chips, befinden.
  • Zur Ausführung der vorstehend beschriebenen Verfahren kann zum Beispiel eine Vorrichtung mit einer Einrichtung zum Erzeugen einer Struktur an dem Träger eingesetzt werden, wobei die Struktur durch die Einrichtung zu zugestalten ist, dass sie dazu geeignet ist, ein elektronisches Bauteil an ihr auszurichten, so dass das Bauteil relativ zu der Struktur eine gewünschte Ziellage einnehmen kann. Diese Strukturerzeugungseinrichtung kann ein Druckwerk, ein Prägewerk, oder dergl. sein. Weiterhin ist eine Einrichtung zum Beschicken der Struktur mit einem Stoff zur Bildung eines Flüssigkeitsmeniskus vorgesehen, wobei der Flüssigkeitsmeniskus zur wenigstens teilweisen Aufnahme des Bauteils geeignet ist. Des Weiteren ist eine Aufnahme für einen Vorrat mit einer Vielzahl der Bauteile bei einer Abgabestelle für die Bauteile vorhanden. Eine erste Fördereinrichtung bewegt den Träger mit der Struktur zumindest in die Nähe gegenüber der Abgabestelle. Einer Energiezuführeinrichtung initiiert ein berührungsloses Abgeben eines der Bauteile aus dem Vorrat von der Abgabestelle, während sich die Struktur an dem Träger nahe der Abgabestelle vorbeibewegt, so dass das Bauteil nach einer Freiphase den Flüssigkeitsmeniskus zumindest teilweise berührt. Die Fördereinrichtung bewegt den Träger mit der Struktur zu einer nachgeordneten Verarbeitungsstelle, während sich das Bauteil auf dem Flüssigkeitsmeniskus an der Struktur ausrichtet um seine Ziellage einzunehmen.
  • Die Fördereinrichtung der Vorrichtung können angetriebene Transportrollen oder Stachelwalzen sein, die ein Trägerband mit einer Vielzahl von jeweils die Struktur aufweisenden Trägern kontinuierlich fördern.
  • Die Einrichtung zum Erzeugen der Struktur an dem Träger kann dazu eingerichtet sein, diese Struktur jeweils entweder durch Materialantrag an eine Oberfläche des Trägers oder durch Materialabtrag von einer Oberfläche des Trägers zu bilden. Dies kann zum Beispiel ein Rotationsdruckwerk sein, mit dem eine Ringstruktur aus Silikon oder Wachs oder dergl. auf jeden Träger aufgedruckt wird.
  • Eine Einrichtung zum Beschicken einer Dosiereinrichtung kann vorgesehen sein, um den Stoff von solcher Art und/oder in solcher Menge an die Struktur abzugeben, dass sich der Flüssigkeitsmeniskus konvex relativ zu der Struktur bildet. Der Stoff kann auch ein Flussmittel enthaltendes, aufzuschmelzendes Lot sein.
  • Soweit der Stoff ein Lot ist, kann eine Heizeinrichtung zum Schmelzen des Lotes vorgesehen sein, die bei dem Bewegen des Trägers mit der Struktur zu einer nachgeordneten Verarbeitungsstelle das Lot unter Bildung des Flüssigkeitsmeniskus schmelzt, so dass sich das mit dem Flüssigkeitsmeniskus im Kontakt befindliche elektronische Bauteil an der Struktur ausrichtet und seine Ziellage einnimmt.
  • Soweit der Stoff bei einer nachfolgenden Verarbeitung zumindest teilweise aus der Struktur zu entfernen ist, kann eine Heizeinrichtung oder dergl. zum zumindest teilweisen Austreiben des Stoffes aus der Struktur vorgesehen sein.
  • Die Aufnahme kann eine in wenigstens zwei Dimensionen positionierbare Verstelleinrichtung haben. Sie kann dazu eingerichtet sein, die Trägerschicht mit den an der dem Träger anhaftenden Halbleiterchips in diesen beiden Dimensionen so zu positionieren, dass sich jeweils einer der Halbleiterchips in der Nähe einer im Abstand gegenüberliegenden Struktur befindet.
  • Die Energiezuführeinrichtung kann eine Wärmenergiequelle sein, die als Wärmestrahler oder als Wärmeleitungsquelle ausgebildet ist, und die Wärmenergie einer von den anhaftenden Halbleiterchips abgewandten Seite der Trägerschicht durch diese hindurch so auf einen einzelnen Halbleiterchip abzugeben eingerichtet ist, dass sich der jeweilige Halbleiterchip von der Trägerschicht trennt und danach zumindest mit einem Teil einer seiner Seitenflächen den Flüssigkeitsmeniskus kontaktiert.
  • Die Verstelleinrichtung ist eingerichtet, die Trägerschicht so in wenigstens zwei Dimensionen zu positionieren, dass eine an der Trägerschicht befindliche Haftschicht in der Lage ist die vereinzelten Halbleiterchips zu halten. Dabei können die Halbleiterchips so mittels der Haftschicht an der Trägerschicht anhaften, dass ihre elektrischen Anschlüsse von der Trägerschicht abgewandt sind, oder der Trägerschicht zugewandt sind.
  • Eine Einrichtung zum Ausbilden einer Perforation oder Schwächungsstelle des Trägers kann vorhanden sein um in einem Bereich des aus einem elastisch oder plastisch verformbaren Material gebildeten Trägers eine Klappe zu bilden. Des Weiteren kann eine Einrichtung zum Ausformen/Herausdrücken der Klappe aus dem Träger vorhanden sein. Schließlich kann eine Einrichtung vorhanden sein zum Umfalten der Klappe so, dass die Klappe, zumindest ein Teil eines der Anschlusskontakte eines Halbleiterchips und/oder der Träger einander kontaktieren.
  • Weiterhin kann eine Fülleinrichtung für eine Füllmasse vorhanden sein um einen den Halbleiterchip enthaltenden Raum zwischen dem Träger und der Klappe mit einer Füllmasse so zu befüllen, dass der Halbleiterchip zumindest teilweise in die Füllmasse eingebettet ist.
  • Schließlich wird hier eine elektronische Baugruppe beschrieben, die erhältlich ist nach dem vorstehenden beanspruchten Verfahren und/oder mit der vorstehenden beanspruchten Vorrichtung, mit wenigstens einem elektronischen Bauteil und einem Träger. An dem Träger ist eine Struktur angeordnet, an der das elektronische Bauteil in seiner Ziellage ausgerichtet ist. Zwischen dem Träger und dem elektronischen Bauteil befindet sich ein Stoff, auf dem das elektronische Bauteil aufgenommen ist.
  • An dem Träger ist jeweils durch Materialantrag an eine Oberfläche des Trägers oder durch Materialabtrag von einer Oberfläche des Trägers die Struktur zum Ausrichten und Aufnehmen des elektronischen Bauteils gebildet. Die Struktur ist in ihrer Gestalt an die Kontur des Bauteils angepasst ist, und/oder legt die Ziellage des Bauteils in einer oder mehreren Dimensionen und/oder dessen Orientierung in einer oder mehreren Richtungen fest.
  • Die Struktur kann als mehrere Teilstrukturen aufweisende Struktur auf dem Träger ausgebildet sein, die jeweils ein Gebiet umgrenzen und den Stoff aufnehmen. Der Stoff kann ein Klebstoff sein, der zwischen der Struktur und dem Bauteil zumindest teilweise verbleibt, oder der Stoff kann ein Flussmittel enthaltendes zu schmelzendes Lot sein.
  • Sofern zusätzlich an der Kontaktierposition des Substrates oder auf die Oberfläche des Chips, auf der sich die Kontaktbumps befinden, ein mit Flussmittel gefüllter Klebstoff, ein sogenanntes „no flow underfill” aufgetragen, dann verbessert dieser die Kontaktierung und trägt zusätzlich zur mechanischen Festigkeit der Verbindung zwischen Chip und Trägersubstrat bei.
  • Bei der elektronischen Baugruppe kann das elektronische Bauteil ein Halbleiterchip mit metallischen Anschlusskontakten sein, die auf einer, oder auf zwei zueinander entgegengesetzten Seitenflächen des Halbleiterchips angeordnet sind. Dabei kann entweder eine Seitenfläche des elektronischen Bauteils mit metallischen Anschlusskontakten dem Stoff zugewandt sein und eine Seitenfläche ohne Anschlusskontakte von dem Stoff abgewandt sein.
  • Alternativ dazu kann eine Seitenfläche des elektronischen Bauteils mit metallischen Anschlusskontakten dem Stoff zugewandt und eine Seitenfläche mit metallischen Anschlusskontakten von dem Stoff abgewandt sein. Bei einer weiteren Variante kann wenigstens eine Seitenfläche des elektronischen Bauteils mit metallischen Anschlusskontakten quer zu der Oberfläche des Stoffes orientiert sein.
  • Bei der elektronischen Baugruppe kann der den Halbleiterchip enthaltende Raum zwischen dem Träger und der Klappe mit einer Füllmasse befüllt sein, so dass der Halbleiterchip zumindest teilweise in die Füllmasse eingebettet ist.
  • Kurzbeschreibung der Figuren
  • Weitere Merkmale, Eigenschaften, Vorteile und mögliche Abwandlungen werden für einen Fachmann anhand der nachstehenden Beschreibung deutlich, in der auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen ist. Dabei zeigen:
  • 1 schematisch einen Verfahrensschritt, bei dem ein Chipelement einem Foliensubstrat berührungslos zugeführt wird;
  • 2 schematisch einen weiteren Verfahrensschritt, bei dem das Chipelement durch ein Mittel zum Ausrichten an dem Foliensubstrat ausgerichtet wird;
  • 3 schematisch einen anschließenden Verfahrensschritt, bei dem das Chipelement mit dem Mittel zum Ausrichten an dem Foliensubstrat dauerhaft fixiert wird;
  • 4 schematisch eine Draufsicht eines Interposers mit einem geflippten RFID-Chip;
  • 5 schematisch eine Schnittansicht des Interposers aus 4 entlang der Schnittlinie A-A in 4;
  • 6 schematisch einen Verfahrensablauf zum Herstellen des Interposers aus den 4 und 5;
  • 7 schematisch eine Aufsicht eines weiteren Interposers mit geflipptern LED-Chip;
  • 8 schematisch eine Schnittansicht des Interposers aus 7 entlang der Schnittlinie A-A in 7;
  • 9 schematisch einen Verfahrensablauf zum Herstellen des weiteren Interposers aus 7 und 8;
  • 10 schematisch ein Flussdiagramm eines Rolle-zu-Rolle-Verfahrens zur Kontaktierung eines Chips durch Faltung aus einem durchgehenden Foliensubstrat;
  • 11 schematisch eine Vorrichtung zum Ausführen eines Rolle-zu-Rolle-Verfahrens zum Kontaktieren eines Chips durch Faltung aus einem durchgehenden Foliensubstrat; und
  • 12 schematisch einen Vorrat an Chips zum berührungslosen Abgeben an die Struktur, an der sich der Chip selbst ausrichtet.
  • Detaillierte Beschreibung der Figuren
  • Beispiele für Prozessketten der oben dargestellten Verfahrens(varianten), insbesondere auch für eine Rolle-zu-Rolle-Verarbeitung eines flexiblen Substrates zu einem mit kleinen elektronischen Bauelementen bestückten flexiblen Träger(substrat) ist in den Fig. dargestellt.
  • Bei dem in den 1 bis 3 gezeigten Verfahrensablauf zum Herstellen eines Halbleiterbauteils 1 (siehe 3) wird ein Chip 2 als elektronisches Bauteil berührungslos auf ein Trägersubstrat 3 aufgebracht, wobei das flexible Trägersubstrat 3 hier als flexibles Foliensubstrat 4 ausgestaltet ist.
  • Die 1 bis 3 sind hierbei in obere Seitenansichten 5 und in darunter abgebildeten Draufsichten 6 unterteilt, wobei das Verfahren in Pfeilrichtung 7 von links nach rechts fortschreitet.
  • 1 zeigt auf dem Foliensubstrat 4 ausgebildete eine quadratische Landezone 8, deren Flächengestalt an die Flächengestalt des Chips 2 angepasst ist. Bei dem Chip 2 handelt es sich um ein elektrisches oder elektronisches Bauteilelement.
  • Das Foliensubstrat 4 ist an seiner dem Chip 2 zugewandten Oberfläche 9 in einen benetzbaren Bereich 10 und einen unbenetzbaren Bereich 11 unterteilt, wobei der benetzbare Bereich 10 im Wesentlichen die quadratische Landezone 8 an dem flexiblen Foliensubstrat 4 ist.
  • Im benetzbaren Bereich 10 kann ein Stoff 12 als Verbindungsmittel 13 und zum Ausrichten des Chips 2 auf das flexible Foliensubstrat 4 aufgetragen werden. Der Stoff 12 verteilt sich im benetzbaren Bereich 10 zu einem Fluiddepot 15 und bildet einen in der Draufsicht konvexen Flüssigkeitsmeniskus 14.
  • Wird nun der Chip 2 im freien Fall 16 berührungslos auf das flexible Foliensubstrat 4 hin bewegt, und so auf das dem Flüssigkeitsmeniskus 14 des Stoffdepots 15 aufgebracht (siehe 1), kommt der Chip 2 mit dem Stoff 12 in Kontakt (siehe 2). Durch den Effekt 17 der Minimierung der freien Grenzflächenenergie im Bereich des Stoffs 12 wird der Chip 2 auf dem flexiblen Foliensubstrat 4 gegenüber der quadratischen Landezone 8 so ausgerichtet, dass der Chip 2 mit der quadratischen Landezone 8 bzw. mit dem benetzbaren Bereich 10 in Überdeckung gebracht ist. Dies gelingt insbesondere dann sehr gut, wenn an einer der quadratischen Landezone 8 zugewandten Chipseite 18 eine hinsichtlich des Stoffs 12 gut benetzbare Chipfläche 19 vorgesehen ist. In dieser Variante ist der Stoff 12 ein wärmeaushärtbarer Klebstoff mit niedriger Viskosität.
  • Nach dem Selbstausrichten auf dem Klebstoffdepot 15 kann der Klebstoff 12 aushärten und der Chip 2 ist auf dem flexiblen Foliensubstrat 4 geflippt (umgedreht), so dass das Halbleiterbauteil 1 zu weiteren Verareitung, zum Beispiel zum Kontaktieren der von dem Träger abgewandten elektrischen Anschlüsse des Chips 2 zur Verfügung steht (siehe 3).
  • In diesem Ausführungsbeispiel ist der unbenetzbare Bereich 11 mittels einer metallischen Struktur 20 ausgebildet, welche auf dem flexiblen Foliensubstrat 4 aufgebracht ist. Insofern ist die quadratische Landezone 8 von der metallischen Struktur 20 vollständig umgeben, so dass das Fluid 12 definiert auf dem flexiblen Substrat 4 positioniert werden kann.
  • Durch die metallische Struktur 20 wird auch eine Referenzkante 21 auf dem flexiblen Foliensubstrat 4 definiert, von der ausgehend weitere Verfahrensschritte referenziert werden können, so dass für das Halbleiterbauteil 1 eine besonders hohe Präzision gewährleistbar ist.
  • Bei dem in den 4 und 5 gezeigten Halbleiterbauteil 101 handelt es sich um einen Interposer 125 mit einem RFID-Chip 102. Das Halbleiterbauteil 101 hat ein flexibles Foliensubstrat 104, das teilweise mit einer strukturierten Kupfermetallisierung 120 beschichtet ist. Die strukturierte Kupfermetallisierung 120 ist auch eine Referenzkante 121 an dem flexiblen Foliensubstrat 104. Auf die Referenzkante 121 werden alle weiteren ortsrelevanten Arbeitsschritte bezogen, so dass diese für das Foliensubstrat 104 besonders präzise und mit sehr hoher Geschwindigkeit durchgeführt werden können.
  • An dem flexiblen Foliensubstrat 104 ist ein umklappbarer Faltbereich 126 vorhanden, der als Lasche 127 aus dem flexiblen Foliensubstrat 104 heraus gestanzt ist.
  • Zwischen der Lasche 127 und der strukturierten Kupfermetallisierung 120 ist der RFID-Chip 102 angeordnet, wobei der RFID-Chip 102 mit hier nicht näher gezeigten elektrischen Anschlüssen mit der strukturierten Kupfermetallisierung 120 elektrisch verbunden ist, sobald der umklappbare Faltbereich 126 aus 5 umgeklappt wurde.
  • Vor dem Umklappen wurde der RFID-Chip 102 mittels eines Klebstoff-Depots 115 auf dem umklappbaren Faltbereich 126 gebondet, so dass der RFID-Chip 102 gemeinsam mit der Lasche 127 umgeklappt werden konnte.
  • Die derart aus dem flexiblen Foliensubstrat 104 heraus gearbeitete und auf das flexible Foliensubstrat 104 umgeklappte Lasche 127 hinterlässt eine Materialausnehmung 128 in Gestalt eines Fensterbereichs 129 in dem flexiblen Foliensubstrat 104.
  • Bei dem Halbleiterbauteil 101 ist mit nur einem einzigen und flexiblen Foliensubstrat 104 eine Kapselung des RFID-Chips 102 möglich, so dass der RFID-Chip 102 besonders gut vor schädlichen Umwelteinflüssen geschützt ist.
  • Um einen Spalt 130 im Bereich zwischen der umgeklappten Lasche 127 und dem flexiblen Foliensubstrat 104 zusätzlich gut verschließen zu können, ist dort weiterer Klebstoff 131 angeordnet.
  • In 6 ist ein kontinuierlicher Prozess 132 zur Herstellung des Interposers 125 aus den 4 und 5 gezeigt, wobei eingangsseitig 133 eine Folienbahn 134 zugeführt wird, die bereits mit der strukturierten Kupfermetallisierung 120 vorstrukturierte Foliensubstrate 104 trägt.
  • In einem hier zuerst gezeigten Verfahrensschritt 135 wird das Klebstoff-Depot 115 auf dem umklappbaren Faltbereich 126 aufgespritzt (aufgejettet). In einem daran anschließenden Verfahrensschritt 136 wird der RFID-Chip 102 berührungslos auf das Klebstoff-Depot 115 abgelegt, wo er sich selbst ausrichtet. Nun härtet das Klebstoff-Depot 115 aus und der RFID-Chip 102 ist in einem weiteren Verfahrensschritt 137 auf dem flexiblen Foliensubstrat 104 korrekt ausgerichtet, orientiert und befestigt. Nun kann ein Flussmittel 138 auf den RFID-Chip 102 oder auf die Kontaktierposition des Trägers gegenüber dem Chip aufgespritzt (aufgejettet) werden, siehe nächsten Verfahrensschritt.
  • Anschließend wird der umklappbare Faltbereich 126 als Lasche 127 gemeinsam mit dem RFID-Chip 102 auf das flexible Foliensubstrat 104 bzw. auf die strukturierte Kupfermetallisierung 120 geklappt (siehe Verfahrensschritt 140), um dann den RFID-Chip 102 unter Zuhilfenahme des Flussmittels 138 mit der strukturierten Kupfermetallisierung 120 in einem zusätzlichen Verfahrensschritt 141 zu verlöten. Um die Spalte 130 (siehe 5) noch zusätzlich zu verschließen, wird in einem weiteren Verfahrensschritt 142 weiterer Klebstoff 131 auf das flexible Foliensubstrat 104 aufgetragen, der dann aushärtet (siehe Verfahrensschritt 143), und die einzelnen bis hierin gefertigten Halbleiterbauteile 101 ausgangsseitig 144 zur Weiterverarbeitung bereit gestellt werden können.
  • In einer Variation des in 6 veranschaulichten Ablaufes kann an Stelle des Flussmittels eine Kombination aus Klebstoff und Flussmittel oder nur Klebstoff 131 auf die Kontaktierposition oder Chip 102 aufgetragen wird. Die Menge ist dabei so bemessen, dass der Klebstoff und das Flussmittel bzw. nur der Klebstoff 131 den Spalt 130 soweit ausfüllt, dass ein zuvor beschriebenes nachträgliches Verfüllen mit Klebstoff 131 nicht mehr notwendig ist.
  • Bei dem in den 7 und 8 gezeigten weiteren Halbleiterbauteil 201 handelt es sich um einen Interposer 225 mit einem flexiblen Foliensubstrat 204, auf dem ein LED-Chip 202 berührungslos aufgetragen wurde. Das flexible Foliensubstrat 204 ist zumindest teilweise mit strukturierten Kupfermetallisierungen 220 und 220A beschichtet. Insbesondere durch die strukturierte Kupfermetallisierung 220A ist auch eine Referenzkante 221 an dem Foliensubstrat 204 bereitgestellt, von welcher ausgehend alle weiteren wesentlichen Arbeitsschritte koordiniert werden.
  • An dem flexiblen Foliensubstrat 204 ist zudem auch hier ein umklappbarer Faltbereich 226 vorgesehen, der als Lasche 227 aus dem Foliensubstrat 204 heraus gestanzt ist.
  • Zwischen einer ersten strukturierten Kupfermetallisierung 220 und der Lasche 227 bzw. einer weiteren strukturierten Kupfermetallisierung 220A ist der LED-Chip 202 platziert, wobei der LED-Chip 202 mit hier nicht näher gezeigten elektrischen Anschlüssen sowohl mit der ersten strukturierten Kupfermetallisierung 220 als auch mit der weiteren strukturierten Kupfermetallisierung 220A elektrisch verbunden ist, sobald der umklappbare Faltbereich 226 aus 8 umgeklappt wurde.
  • Vor dem Umklappen wurde der LED-Chip 202 mittels eines auf dem umklappbaren Faltbereich 226 aufgedruckten Lotpasten-Depots 215 auf dem Faltbereich 226 befestigt, so dass der LED-Chip 202 gemeinsam mit der Lasche 227 umgeklappt werden konnte.
  • Die derart aus dem flexiblen Foliensubstrat 204 heraus gearbeitete und auf das flexible Foliensubstrat 204 umgeklappte Lasche 227 hinterlässt eine Materialausnehmung 228 in Gestalt eines Fensterbereichs 229 in dem flexiblen Foliensubstrat 204.
  • Bei dem Halbleiterbauteil 201 ist mit nur einem einzigen und flexiblen Foliensubstrat 204 eine Kapselung des LED-Chips 202 möglich, so dass der LED-Chip 202 auch hierbei besonders gut vor schädlichen Umwelteinflüssen geschützt ist. Um einen Spalt 230 im Bereich zwischen der umgeklappten Lasche 227 und dem Foliensubstrat 204 verschließen zu können, ist dort durch Auftrag vor dem Falten oder daran anschließend in den Spalt 230 ein Klebstoff 231 zugeführt.
  • In 9 ist ein weiterer durchlaufender Prozess 232 zur Herstellung des Interposers 225 aus den 7 und 8 gezeigt, wobei eingangsseitig 233 eine Folienbahn 234 zugeführt wird, die bereits mit den Kupfermetallisierungen 220, 220A vorstrukturierte Foliensubstraten 204 hat.
  • In dem hier zuerst gezeigten Verfahrensschritt 235 wird das Lotpasten-Depot 215 auf das flexible Foliensubstrat 204 aufgedruckt. In einem anschließenden Verfahrensschritt 236 wird der LED-Chip 202 berührungslos auf das Lotpasten-Depot 215 abgelegt, wodurch der LED-Chip 202 auf dem flexiblen Foliensubstrat 204 zumindest vorfixiert ist.
  • Anschließend erfolgt ein lokaler Wärmeeintrag, z. B. durch Heizen des Foliensubstrates 204 von unten mittels einer hier nicht weiter veranschaulichten Heizeinrichtung, so dass das Lot schmilzt und der Chip in die durch die Struktur vorgegebene Sollposition einschwimmt.
  • Nun kann der umklappbare Faltbereich 226 auf den LED-Chip 202 aufgeklappt werden, wie anhand des weiteren Verfahrensschritts 237 erkennbar ist. Anschließend wird der LED-Chip 202 mit den strukturierten Kupfermetallisierungen 220 und 220A in einem zusätzlichen Verfahrensschritt 238 verlötet.
  • Um den Spalt 230 (siehe 8) noch zusätzlich zu verschließen, wird in einem nächsten Verfahrensschritt 239 Klebstoff 231 auf das flexible Foliensubstrat 204 aufgetragen, der dann aushärtet (siehe weiterer Verfahrensschritt 240). Anschließend stehen die bis hierher gefertigten Halbleiterbauteile 201 zur Weiterverarbeitung bereit.
  • Bei der in dem Flussdiagramm 350 gezeigten Prozesskette 351 eines Rolle-zu-Rolle-Verfahrens wird ein flexibles Foliensubstrat 304 einerseits mit einer elektrisch leitfähigen Struktu rierung 352 und andererseits mit einer selektiv benetzbaren Strukturierung 353 ausgestattet, wobei die elektrisch leitfähige Strukturierung 352 und die selektiv benetzbare Strukturierung 353 identisch sein können. Insbesondere die elektrisch leitfähige Strukturierung 352 kann hier eine Antenne, ein Interposer, ein Strap oder dergl. sein.
  • Zusätzlich findet eine Vorbereitung 354 für einen Faltvorgang des Foliensubstrates 304 statt, indem noch ein umklappbarer Faltbereich an dem flexiblen Foliensubstrat 304 perforiert wird. Hierdurch ist eine Vorstrukturierung 355 des Foliensubstrates 304 im Wesentlichen abgeschlossen. Mit Hilfe der Strukturierung 352 kann zusätzlich eine Referenz bzw. Referenzbereich geschaffen werden, wovon aus mittels einer Kamera die exakten Positionen, beispielsweise die Lage der Perforation und/oder die Lage des Chips gemessen und bestimmt werden können.
  • Nun wird mit einem Auftrag 356 eine Flüssigkeit bzw. Verbindungswerkstoff (zum Beispiel Klebstoff) auf das flexible Foliensubstrat 304 aufgebracht, wobei daran anschließend eine Zuführung 357 eines Chips stattfindet, der sich auf dem Verbindungswerkstoff an dem Substrat 304 selbst ausrichtet.
  • Weiter findet eine Verbindungsbildung bzw. Fixierung 358 zwischen dem Chip und dem Foliensubstrat 304 statt. Eine elektrische Kontaktierung 359 des Chips erfolgt durch (Um-)Falten des Foliensubstrats 304. Hierzu wird zuerst ein Klebstoff aufgetragen 360. Anschließend findet ein Umfalten 361 des umklappbaren Faltbereichs statt, wodurch eine weitere Verbindung 362 gebildet wird. Vor dem Umfalten kann weiterer Klebstoff aufgebracht werden.
  • Mit der erläuterten Prozesskette 351 kann ein mit wenigstens einem Chip fertig bestücktes Foliensubstrat 304A zur Weiterverarbeitung bereitgestellt werden.
  • Die Prozesskette 351 kann auch zum Herstellen es vorstehend beispielhaft beschriebenen Halbleiterbauteils 1, 101 und 102 verwendet werden.
  • In 11 ist schematisch eine Vorrichtung 500 veranschaulicht, die zur Ausführung eines kontinuierlich ausführbaren Rolle-zu-Rolle-Verfahrens zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe mit wenigstens einem elektronischen Bauteil B und einem Träger T verwendet werden kann.
  • Im veranschaulichten Beispiel ist der Träger T ein von einer Rolle mit einer flexiblen PET-Folie kommender Interposer, der bereits zwei aufgedruckte Kupfer-Kontaktflächen KK1, KK2 mit einer Freifläche zwischen ihnen trägt.
  • Eine Einrichtung 510 in Form eines Druckwerks dient zum Erzeugen einer Struktur S im Bereich der Freifläche an der Oberfläche des Trägers T durch Materialantrag, in diesem Beispiel in Form eines in der Draufsicht rechteckigen Rings. Die Einrichtung 510 kann sich auch in einer Druckanlage befinden, die der in 11 gezeigten Vorrichtung vorgelagert ist. Die Struktur S ist in ihrer Form und in ihren Abmessungen so gestaltet, dass sich ein elektronisches Bauteil B an ihr auszurichten kann um eine gewünschte Ziellage einnehmen. Das Bauteil B ist in diesem Beispiel ein Halbleiterchip mit zwei Anschlusskontakten A1, A2, die im fertig montierten Zustand mit den beiden Kupfer-Kontaktflächen KK1, KK2 elektrisch und mechanisch in Verbindung stehen.
  • In einer nachgeordneten Bearbeitungsstation ist eine Einrichtung 520 zum Beschicken der Struktur S mit einem Stoff F zur Bildung eines Flüssigkeitsmeniskus M vorgesehen. Die Einrichtung 520 ist hier eine steuerbare und Düse zur dosierten Abgabe des Stoffs F. In diesem Beispiel ist der Stoff F ein Klebstoff. Der sich in der Struktur S bildende Flüssigkeitsmeniskus M ist konvex, wobei die Wölbung des Flüssigkeitsmeniskus M in der Seitenansicht einen spitzen Winkel (alpha – siehe auch 12) mit Kanten der Struktur S einschließt.
  • In einer nachgeordneten Bearbeitungsstation ist eine Aufnahme 530 für einen Vorrat mit einer Vielzahl der elektronischen Bauteile B bei einer Abgabestelle A vorgesehen. Eine erste Fördereinrichtung 540 in Form eines Drehantriebs dient dazu, die Rolle R1 mit den unbearbeiteten Trägern T abzuwickeln. Eine zweite Fördereinrichtung 560 in Form eines Drehantriebs wickelt eine Rolle R2 mit fertig verarbeiteten Trägern und aufgebrachten Bauteilen wieder auf. Diese Fördereinrichtungen dienen zum Bewegen des Trägers T mit der Struktur S in die Nähe gegenüber der Abgabestelle A. Bei der Abgabestelle A befindet sich eine Laserlichtquelle als Energiezuführeinrichtung 550 zum Initiieren eines berührungslosen Abgebens eines der Bauteile B von der Abgabestelle A, während sich die Struktur S auf dem Träger T nahe der Abgabestelle A befindet oder vorbeibewegt, so dass das Bauteil B nach einer Freiphase den Flüssigkeitsmeniskus M zumindest teilweise berührt. Um ein Überhitzen/Beschädigen/Zerstören des Bauteils B durch die Strahlung der Laserlichtquelle 550 zu vermeiden wird deren Laserstrahl durch eine nicht weiter veranschaulichte Optik oder sonstige Maßnahmen so defokussiert, dass die auf das Bauteil B auftreffende Strahlung etwa der Fläche des Bauteils B entspricht.
  • In der gezeigten Variante ist der die Freiphase des Bauteils B festlegende Abstand zwischen der Aufnahme 530 für den Vorrat der Bauteile B und der Struktur S etwa in der Größenordnung von weniger als einer bis einer Kantenlänge der Bauteile B. Sofern durch geeignete Maßnahmen in der Freiphase ein Wenden des Chips verhindert werden kann, oder wenn bei dem Chip auf zwei einander gegenüberliegenden Flächen Anschlusskontakte ausgeformt sind und der Chip nicht gepolt angeschlossen werden muss, dann kann der Spalt auch ein Vielfaches der Chipkantenlänge betragen.
  • In der gezeigten Variante wird durch die erste und die zweite Fördereinrichtung 540, 560 ein Trägerband TB mit einer Vielzahl von jeweils die Struktur S aufweisenden Trägern T kontinuierlich gefördert. Einer Spendereinrichtung 520 dient zum Beschicken einer Dosiereinrichtung 522 für den (Kleb-)Stoff F. Damit kann dieser in solcher Menge an die Struktur S abgegeben werden, dass sich in jeder die Dosiereinrichtung 522 passierenden Struktur S der Flüssigkeitsmeniskus M konvex relativ zu der Struktur S bildet.
  • Die Aufnahme 530 hat eine in zwei Dimensionen positionierbare Verstelleinrichtung 532, 534 in Gestalt von Linearantrieben, mit der die Aufnahme 530 relativ zu der Abgabestelle A verfahrbar ist. Wegen der Selbstausrichtung des Chips an der Struktur (nach dessen Abgeben an die Struktur) ist eine besondere Genauigkeit der Linearantriebe nicht erforderlich. Es genügt, wenn die Trägerschicht C mit den anhaftenden Halbleiterchips in diesen beiden Dimensionen so zu positionieren eingerichtet ist, dass sich jeweils einer der Halbleiterchips bei der Abgabestelle A in der Nähe einer im Abstand gegenüberliegenden Struktur S befindet.
  • Um aus dem Vorrat mit der Vielzahl elektronischer Bauteile B bei einer Abgabestelle A jeweils eines der Bauteile B abzugeben, damit es sich auf dem Stoff F an der Struktur S selbst ausrichtet, liefert die Energiezuführeinrichtung 550 eine Wärmenergie von einer von den anhaftenden Halbleiterchips abgewandten Seite der Trägerschicht C (in 12 von oben, während die Chips unten an der Trägerschicht anhaften) durch diese hindurch so auf einen einzelnen Halbleiterchip auszustrahlen eingerichtet ist, dass sich der jeweilige Halbleiterchip B von der Haftschicht H an der Trägerschicht C trennt und dann zumindest mit einem Teil einer seiner Seitenflächen (in der Regel seiner Grundfläche) den Flüssigkeitsmeniskus M kontaktiert.
  • Weiterhin hat im vorliegenden Beispiel die Vorrichtung 500 eine Stanzeinrichtung 580 zum Ausbilden einer rechteckigen, die Struktur S umgebenden Perforation 582 mit einer zu den beiden Kupfer-Kontaktflächen KK1, KK2 hin gewandten Scharnierkante 584 aus dem Träger T. Damit wird eine die Struktur S umfassende Klappe K aus dem Träger T ausgeformt. Die Trägerbahn TB wird bei der Umlenkrolle 586 um 90 Grad nach unten umgelenkt. Dabei wird die Klappe K aus der Fläche der Trägerbahn TB abstehen. Die Stanzeinrichtung 580 kann der Vorrichtung 500 auch vorgelagert sein kann.
  • In einer nachfolgenden Bearbeitungsstation ist dicht über der Trägerbahn TB ein Falzblech 588 als Einrichtung zum vollständigen Umfalten der Klappe K angebracht. Damit kontaktieren die Anschlusskontakte K1, K2 des Halbleiterchips und die Kupferkontakte KK1, KK2 des Trägers T einander.
  • Als weitere Bearbeitungsstation hat die Vorrichtung 500 eine Fülleinrichtung 590 für eine Füllmasse FM um einen den Halbleiterchip enthaltenden Raum R zwischen dem Träger T und der Klappe K mit der Füllmasse FM so zu befüllen, dass der Halbleiterchip zumindest teilweise in die Füllmasse FM eingebettet ist. Die Fülleinrichtung 590 kann der Einrichtung zum vollständigen Umfalten der Klappe K auch vorgelagert sein. Vor dem Aufwickeln wird in einer abschließenden, hier nicht näher bildlich dargestellten Station zum Härten der Füllmasse der Füllstoff, je nach Härtemechanismus, zum Beispiel durch Halten der Lasche, Wärme oder Lichteintrag, zum Beispiel UV-Licht gehärtet. Schließlich werden die so fertig gestellten elektronischen Baugruppen auf die Rolle R2 aufgewickelt.
  • Die vorstehend erläuterten Details der Verfahren, der Vorrichtung sowie der Erzeugnisse sind zwar im Zusammenhang dargestellt; es sei jedoch darauf hingewiesen, dass sie, zumindest soweit einzelne auf sie gerichtete Patentansprüche aufgestellt sind, auch unabhängig von einander sind und auch frei miteinander kombinierbar sind. So ist auch offenbart, einen Halbleiterchip mit zum Beispiel zwei oder mehreren Anschlusskontakten der Struktur zugewandt auf diese abzugeben, wobei die Struktur aus mehreren Teilstrukturen – für jeden Anschlusskontakt eine Teilstruktur – gebildet ist, in denen jeweils als Stoff ein Lotdepot mit Flussmittel enthalten ist. Nachdem der Halbleiterchip auf der Struktur mit dem Stoff gelandet ist, wird das Lot geschmolzen und der Chip richtet sich auf dem geschmolzenen Lot selbständig an der Struktur bzw. den Teilstrukturen aus. Sofern der Chip auf seiner gegenüberliegenden Seitenfläche weitere Anschlusskontakte hat, kann nun das Umklappen erfolgen um auch diese Anschlüsse zu kontaktieren.
  • Die in den Fig. gezeigten Verhältnisse der einzelnen Teile und Abschnitte hiervon zueinander und deren Abmessungen und Proportionen sind nicht einschränkend zu verstehen. Vielmehr können einzelne Abmessungen und Proportionen auch von den gezeigten abweichen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - JP 2005115916 A [0004]
    • - DE 19962194 A1 [0006]
    • - DE 602004007861 T2 [0007]
    • - DE 10151657 C1 [0008]
    • - DE 102006001885 A1 [0008]
    • - EP 1143378 A1 [0008]
    • - JP 200511916 A [0061]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • - Konferenz Smart System Integration 2008, 8.–9. April 2008, Barcelona in der Präsentation ”Contactless Device Handling – New Assembly Approaches for the Micro-Nano-Integration” K.-F. Becker, J. Bauer, G. Mollath, G. Schreck, I. Kolesnik, E. Jung, H. Reichl, J. Lienemann, D. Kauzlarić, J. Korvink [0003]
    • - „An Ultra-Small RFID-Chip: μ-chip” von Mitsuo Usami (2004 IEEE Asia-Pacific Conference on Advanced Systems Integrated Circuits (AP-ASIC2004/Aug. 4–5, 2004) [0005]

Claims (31)

  1. Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe mit wenigstens einem elektronischen Bauteil (B) und einem Träger (T), mit den Schritten: • Erzeugen einer Struktur (S) an dem Träger (T), wobei die Struktur (S) dazu geeignet ist, ein elektronisches Bauteil (B) an ihr auszurichten, so dass das elektronische Bauteil (B) relativ zu der Struktur (S) eine gewünschte Ziellage (Z) einnehmen kann, • Beschicken der Struktur (S) mit einem Stoff (F) zur Bildung eines Flüssigkeitsmeniskus (M), wobei der Flüssigkeitsmeniskus (M) zur wenigstens teilweisen Aufnahme des elektronischen Bauteils (B) geeignet ist, • Bereitstellen eines Vorrates mit einer Vielzahl der elektronischen Bauteile (B) bei einer Abgabestelle (A) für die elektronischen Bauteile (B), • Bewegen des Trägers (T) mit der Struktur (S) zumindest in die Nähe gegenüber der Abgabestelle (A), • berührungsloses Abgeben eines der elektronischen Bauteile (B) von der Abgabestelle (A), während sich die Struktur (S) an dem Träger (T) nahe der Abgabestelle (A) befindet, so dass das elektronische Bauteil (B) nach einer Freiphase den Stoff (F) zumindest teilweise berührt, und • Bewegen des Trägers (T) mit der Struktur (S) zu einer nachgeordneten Verarbeitungsstelle, während das elektronische Bauteil (B) sich auf dem Flüssigkeitsmeniskus (M) an der Struktur (S) ausrichtet um seine Ziellage (Z) einzunehmen.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem ein Trägerband (TB) mit einer Vielzahl von jeweils die Struktur (S) aufweisenden Trägern (T) kontinuierlich in die Nähe gegenüber der Abgabestelle (A) für die elektronischen Bauteile (B) und von dort weg bewegt wird, oder bei dem ein Trägerband (TB) mit einer Vielzahl von jeweils die Struktur (S) aufweisenden Trägern (T) schrittweise in die Nähe gegenüber der Abgabestelle (A) für die elektronischen Bauteile (B) und von dort weg bewegt wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Struktur (S) • an dem Träger (T) jeweils durch Materialantrag an eine Oberfläche des Trägers (T) oder durch Materialabtrag von einer Oberfläche des Trägers (T) gebildet wird, und/oder • hinsichtlich ihrer Gestalt an die Kontur des elektronischen Bauteils (B) angepasst ist, und/oder • die Ziellage (Z) des elektronischen Bauteils (B) hinsichtlich dessen Position in einer oder mehreren Dimensionen und/oder dessen Orientierung in einer oder mehreren Richtungen festlegt.
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Struktur als mehrere Teilstrukturen (TS1, TS2, TS3) aufweisende Struktur auf dem Träger (T) ausgebildet wird, die jeweils ein Gebiet umgrenzen um einen jeweiligen Flüssigkeitsmeniskus (M) zu formen.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Stoff (F) • von solcher Art ist und/oder in solcher Menge an die Struktur (S) abgegeben wird, dass sich der Flüssigkeitsmeniskus (M) konvex relativ zu der Struktur (S) bildet, und/oder • bei einer nachfolgenden Verarbeitung zumindest teilweise aus der Struktur (S) zu entfernen ist, oder • der Stoff (F) ein Klebstoff ist, der zwischen der Struktur (S) und dem Bauteil (B) zumindest teilweise verbleibt, oder • der Stoff (F) ein Flussmittel enthaltendes aufzuschmelzendes Lot ist.
  6. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, soweit der Stoff (F) ein Flussmittel enthaltendes Lot ist, das aufgeschmolzen wird, bei dem • vor dem Erreichen des Trägers (T) mit der Struktur (S) einer nachgeordneten Verarbeitungsstelle nach Anspruch 1 das Flussmittel enthaltende Lot unter Bildung des Flüssigkeitsmeniskus (M) geschmolzen wird, so dass sich das mit dem Flüssigkeitsmeniskus (M) im Kontakt befindliche elektronische Bauteil (B) an der Struktur (S) ausrichtet und seine Ziellage (Z) einnimmt.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das elektronische Bauteil (B) ein Halbleiterchip mit metallischen Anschlusskontakten (K1, K2, ... Kn) ist, die auf einer, oder auf zwei zueinander entgegengesetzten Seitenflächen des Halbleiterchips angeordnet sind, wobei das elektronische Bauteil (B) so aus der Abgabestelle (A) abgegeben wird, dass entweder • eine Seitenfläche mit metallischen Anschlusskontakten (K1, K2, ... Kn) dem Stoff (F) zugewandt ist und eine Seitenfläche ohne Anschlusskontakte (K1, K2, ... Kn) von dem Stoff (F) abgewandt ist, oder • eine Seitenfläche mit metallischen Anschlusskontakten (K1, K2, ... Kn) dem Stoff (F) zugewandt und eine Seitenfläche mit metallischen Anschlusskontakten (K1, K2, ... Kn) von dem Stoff (F) abgewandt ist, oder • wenigstens eine Seitenfläche mit metallischen Anschlusskontakten (K1, K2, ... Kn) quer zu der Oberfläche des Stoffes (F) orientiert ist.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine Vielzahl elektronischer Bauteile (B) an einer Trägerschicht (C) als voneinander vereinzelte Halbleiterchips haftend der Abgabestelle (A) zugeführt werden, wobei die vereinzelten Halbleiterchips an einer dem Träger (T) zugewandten Seite der Trägerschicht (C) an dieser haften.
  9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine Energie (E) solcher Art und Menge von einer von den anhaftenden Halbleiterchips abgewandten Seite der Trägerschicht (C) durch diese hindurch so auf einen einzelnen Halbleiterchip gerichtet wird, dass sich der jeweilige Halbleiterchip von der Trägerschicht (C) trennt und danach zumindest mit einem Teil einer seiner Seitenflächen den Stoff (F) und/oder dessen Flüssigkeitsmeniskus (M) kontaktiert.
  10. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem die lokal eingetragene Energie im von der Trägerschicht (C) zu trennenden Halbleiterchip (B) in ihm und/oder in der Trägerschicht (C) und/oder der Haftschicht (H) zumindest teilweise in Wärme umgewandelt wird, damit die zwischen dem Halbleiterchip (B) und der Trägerschicht (C) befindliche, auf Wärme reagierende Haftschicht (H) den Halbleiterchip (B) von der Haftschicht (H) frei gibt.
  11. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem die Trägerschicht (C) mit einer Haftschicht (H) für die vereinzelten Halbleiterchips versehen wird, wobei sich die Haftschicht (H) unter Einwirkung von zumindest einem Teil der Energie (E) wenigstens teilweise zersetzt um auf den jeweiligen Halbleiterchip einen mechanischen Impuls auszuüben, der den jeweiligen Halbleiterchip von der Trägerschicht (C) weg bewegt.
  12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der • der Träger (T) aus einem elastisch oder plastisch verformbaren Material gebildet wird, • der Träger (T) mit einer elektrisch leitenden Musterung (M) versehen wird, die wenigstens einen Pfad (P) aufweist, der entweder – soweit in die Struktur (S) reichend ausgebildet wird, dass er einen der Anschlusskontakte (K1, K2, ... Kn) eines Halbleiterchips kontaktiert, nachdem dieser Halbleiterchip an der Struktur (S) ausgerichtet ist, oder – in einen Bereich (V) des Trägers (T) reichend ausgebildet wird, der von der Struktur (S) beabstandet ist, wobei folgende Schritte ausgeführt werden: a. Anbringen einer Perforation oder Schwächungsstelle (P) in dem Bereich (V) des Trägers (T) um einen Teil des Pfades (P) der Musterung (M) zum Bilden einer den Teil des Pfades (P) enthaltenden Klappe (K), b. Ausformen der Klappe (K) aus dem Träger (T), und c. Umfalten der Klappe (K) so, dass der auf der Klappe (K) befindliche Teil des Pfades (P) zumindest einen Teil eines der Anschlusskontakte (K1, K2, ... Kn) eines Halbleiterchips kontaktiert, oder folgende Schritte ausgeführt werden: d. Anbringen einer Perforation oder Schwächungsstelle (P) in dem Bereich (V) des Trägers (T), zum Bilden einer den Halbleiterchip enthaltenden Klappe (K), e. Ausformen der Klappe (K) aus dem Träger (T), und f. Umfalten der Klappe (K) so, dass der auf der Klappe g. (K) befindliche Halbleiterchip mit wenigstens einem seiner Anschlusskontakte (K1, K2, ... Kn) zumindest einen Teil des Pfades (P) der Musterung (M) kontaktiert.
  13. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem der den Halbleiterchip enthaltende Raum (R) zwischen dem Träger (T) und der Klappe (K) mit einer Füllmasse (FM) befüllt wird, so dass der Halbleiterchip zumindest teilweise in die Füllmasse (FM) eingebettet ist.
  14. Vorrichtung (500) zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe mit wenigstens einem elektronischen Bauteil (B) und einem Träger (T), mit – einer Einrichtung (510) zum Erzeugen einer Struktur (S) an dem Träger (T), wobei die Struktur (S) dazu geeignet ist, ein elektronisches Bauteil (B) an ihr auszurichten, so dass das elektronische Bauteil (B) relativ zu der Struktur (S) eine gewünschte Ziellage (Z) einnehmen kann, oder einer Einrichtung zum Zuführen eines vorher mit einer Struktur (S) versehenen Trägers (T), wobei die Struktur (S) dazu geeignet ist, ein elektronisches Bauteil (B) an ihr auszurichten, so dass das elektronische Bauteil (B) relativ zu der Struktur (S) eine gewünschte Ziellage (Z) einnehmen kann, – einer Einrichtung (520) zum Beschicken der Struktur (S) mit einem Stoff (F) zur Bildung eines Flüssigkeitsmeniskus (M), wobei der Flüssigkeitsmeniskus (M) zur wenigstens teilweisen Aufnahme des elektronischen Bauteils (B) geeignet ist, – einer Aufnahme (530) für einen Vorrat mit einer Vielzahl der elektronischen Bauteile (B) bei einer Abgabestelle (A) für die elektronischen Bauteile (B), – einer ersten Fördereinrichtung (540) zum Bewegen des Trägers (T) mit der Struktur (S) zumindest in die Nähe gegenüber der Abgabestelle (A), • einer Energiezuführeinrichtung (550) zum Initiieren eines berührungslosen Abgebens eines der elektronischen Bauteile (B) von der Abgabestelle (A), während sich die Struktur (S) an dem Träger (T) nahe der Abgabestelle (A) vorbeibewegt, so dass das elektronische Bauteil (B) nach einer Freiphase den Flüssigkeitsmeniskus (M) zumindest teilweise berührt, und • einer zweiten Fördereinrichtung (560) zum Bewegen des Trägers (T) mit der Struktur (S) zu einer nachgeordneten Verarbeitungsstelle, während sich das elektronische Bauteil (B) auf dem Flüssigkeitsmeniskus (M) an der Struktur (S) ausrichtet und seine Ziellage (Z) einnimmt.
  15. Vorrichtung (500) nach Anspruch 13, bei der die erste und die zweite Fördereinrichtung (540, 560) ein Trägerband (TB) mit einer Vielzahl von jeweils die Struktur (S) aufweisenden Trägern (T) kontinuierlich oder schrittweise fördern, und/oder die erste und die zweite Fördereinrichtung (540, 560) entweder eine einheitliche oder getrennte Fördereinrichtungen sind.
  16. Vorrichtung (500) nach Anspruch 13 oder 14, bei der die Einrichtung (510) zum Erzeugen einer Struktur (S) an dem Träger (T) dazu eingerichtet ist, diese Struktur (S) jeweils entweder durch Materialantrag an eine Oberfläche des Trägers (T) oder durch Materialabtrag von einer Oberfläche des Trägers (T) zu bilden.
  17. Vorrichtung (500) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, mit einer Einrichtung (520) zum Beschicken einer Dosiereinrichtung (522), um den Stoff (F) • von solcher Art und/oder in solcher Menge an die Struktur (S) abzugeben, dass sich der Flüssigkeitsmeniskus (M) konvex relativ zu der Struktur (S) bildet, oder • der Stoff (F) ein Flussmittel enthaltendes, aufzuschmelzendes Lot ist.
  18. Vorrichtung (500) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei der entweder, • soweit der Stoff (F) ein Flussmittel enthaltendes Lot ist, eine Heizeinrichtung (524) zum Aufschmelzen des Lotes vorgesehen ist, die vor oder bei dem Bewegen des Trägers (T) mit der Struktur (S) zu einer nachgeordneten Verarbeitungsstelle Lot unter Bildung des Flüssigkeitsmeniskus (M) aufschmelzt, so dass sich das mit dem Flüssigkeitsmeniskus (M) im Kontakt befindliche elektronische Bauteil (B) an der Struktur (S) ausrichtet und seine Ziellage (Z) einnimmt, oder • soweit der Stoff (F) bei einer nachfolgenden Verarbeitung zumindest teilweise aus der Struktur (S) zu entfernen ist, eine Heizeinrichtung (524) zum zumindest teilweisen Austreiben des Stoffes (F) aus der Struktur (S) vorgesehen ist.
  19. Vorrichtung (500) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Aufnahme (530) eine in wenigstens zwei Dimensionen positionierbare Verstelleinrichtung (532, 534) aufweist und/oder die Trägerschicht (C) mit den anhaftenden Halbleiterchips in diesen beiden Dimensionen so zu positionieren eingerichtet ist, dass sich jeweils einer der Halbleiterchips in der Nähe einer im Abstand gegenüberliegenden Struktur (S) befindet.
  20. Vorrichtung (500) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Energiezuführeinrichtung (550) eine Wärmenergiequelle ist, die Wärmenergie einer von den anhaftenden Halbleiterchips abgewandten Seite der Trägerschicht (C) durch diese hindurch so auf einen einzelnen Halbleiterchip auszustrahlen eingerichtet ist, dass sich der jeweilige Halbleiterchip von der Trägerschicht (C) trennt und danach zumindest mit einem Teil einer seiner Seitenflächen den Flüssigkeitsmeniskus (M) kontaktiert.
  21. Vorrichtung (500) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Verstelleinrichtung (532, 534) die Trägerschicht (C) so in wenigstens zwei Dimensionen zu positionieren eingerichtet ist, dass eine an der Trägerschicht (C) befindliche Haftschicht (H) die vereinzelten Halbleiterchips zu halten in der Lage ist.
  22. Vorrichtung (500) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, mit • einer Einrichtung (580) zum Ausbilden einer Perforation oder Schwächungsstelle des aus einem elastisch oder plastisch verformbaren Material gebildeten Trägers (T), um in einem Bereich (V) des Trägers (T) eine Perforation oder Schwächungsstelle anzubringen um eine Klappe (K) zu bilden, • einer Einrichtung (582) zum Ausformen der Klappe (K) aus dem Träger (T), und • einer Einrichtung (588) zum Umfalten der Klappe (K) so, dass die Klappe (K), zumindest ein Teil eines der Anschlusskontakte (K1, K2 ... Kn) eines Halbleiterchips und/oder der Träger (T) einander kontaktieren.
  23. Vorrichtung (500) nach dem vorhergehenden Anspruch, mit einer Fülleinrichtung (590) für eine Füllmasse (FM) um einen den Halbleiterchip enthaltenden Raum (R) zwischen dem Träger (T) und der Klappe (K) mit einer Füllmasse (FM) so zu befüllen, dass der Halbleiterchip zumindest teilweise in die Füllmasse (FM) eingebettet ist.
  24. Vorrichtung (500) nach dem vorhergehenden Anspruch, mit einer Einrichtung zum Härten der Füllmasse (FM).
  25. Elektronische Baugruppe erhältlich nach dem vorstehenden beanspruchten Verfahren und/oder mit der vorstehenden beanspruchten Vorrichtung, mit wenigstens einem elektronischen Bauteil (B) und einem Träger (T), mit • einer Struktur (S) an dem Träger (T), an der das elektronische Bauteil (B) in seiner Ziellage (Z) ausgerichtet ist, • einem zwischen dem Träger (T) und dem elektronischen Bauteil (B) befindlichen Stoff (F), auf dem das elektronische Bauteil (B) aufgenommen ist.
  26. Elektronische Baugruppe nach Anspruch 23, bei der die Struktur (S) • an dem Träger (T) jeweils durch Materialantrag an eine Oberfläche des Trägers (T) oder durch Materialabtrag von einer Oberfläche des Trägers (T) gebildet ist, und/oder • hinsichtlich ihrer Gestalt an die Kontur des elektronischen Bauteils (B) angepasst ist, und/oder • die Ziellage (Z) des elektronischen Bauteils (B) hinsichtlich dessen Position in einer oder mehreren Dimensionen und/oder dessen Orientierung in einer oder mehreren Richtungen festlegt.
  27. Elektronische Baugruppe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Struktur als mehrere Teilstrukturen aufweisende Struktur auf dem Träger (T) ausgebildet ist, die jeweils ein Gebiet umgrenzen und den Stoff (F) aufnehmen.
  28. Elektronische Baugruppe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der der Stoff (F) • ein Klebstoff ist, der zwischen der Struktur (S) und dem Bauteil (B) zumindest teilweise verbleibt, oder • ein Flussmittel enthaltendes aufzuschmelzendes Lot ist.
  29. Elektronische Baugruppe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der das Bauteil (B) ein Halbleiterchip mit metallischen Anschlusskontakten (K1, K2) ist, die auf einer, oder auf zwei zueinander entgegengesetzten Seitenflächen des Halbleiterchips angeordnet sind, wobei entweder • eine Seitenfläche des Bauteils (B) mit metallischen Anschlusskontakten (K1, K2 ... Kn) dem Stoff (F) zugewandt ist und eine Seitenfläche ohne Anschlusskontakte (K1, K2 ... Kn) von dem Stoff (F) abgewandt ist, oder • eine Seitenfläche des Bauteils (B) mit metallischen Anschlusskontakten (K1, K2 ... Kn) dem Stoff (F) zugewandt und eine Seitenfläche mit metallischen Anschlusskontakten (K1, K2 ... Kn) von dem Stoff (F) abgewandt ist, oder • wenigstens eine Seitenfläche des Bauteils (B) mit metallischen Anschlusskontakten (K1, K2 ... Kn) quer zu der Oberfläche des Stoffes (F) orientiert ist.
  30. Elektronische Baugruppe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der der Träger (T) • aus einem elastisch oder plastisch verformbaren Material gebildet ist, • eine elektrisch leitende Musterung (M) mit wenigstens einem Pfad (P) aufweist, der entweder – soweit in die Struktur (S) reicht, dass er einen der Anschlusskontakte (K1, K2 ... Kn) eines Halbleiterchips kontaktiert, oder – in einen Bereich (V) des Trägers (T) reicht, der von der Struktur (S) beabstandet ist, • eine Klappe (K) ausgeformt hat, die so umgefaltet ist, dass der auf der Klappe (K) befindliche Teil des Pfades (P) zumindest einen Teil eines der Anschlusskontakte (K1, K2 ... Kn) eines Halbleiterchips kontaktiert, oder • eine Klappe (K) ausgeformt hat, die so umgefaltet ist, dass der auf der Klappe befindliche Halbleiterchip mit wenigstens einem seiner Anschlusskontakte (K1, K2 ... Kn) zumindest einen Teil des Pfades (P) der Musterung (M) kontaktiert.
  31. Elektronische Baugruppe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der der den Halbleiterchip enthaltende Raum (R) zwischen dem Träger (T) und der Klappe (K) mit einer Füllmasse (FM) so befüllt ist, dass der Halbleiterchip zumindest teilweise in die Füllmasse (FM) eingebettet ist.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016004592A1 (de) 2016-04-14 2017-10-19 Mühlbauer Gmbh & Co. Kg System und Verfahren zum Ausrichten elektronischer Bauteile
EP3419063A1 (de) * 2017-06-19 2018-12-26 Schreiner Group GmbH & Co. KG Folienaufbau mit erzeugen von sichtbarem licht mittels led-technologie
US10847692B2 (en) 2017-06-19 2020-11-24 Schreiner Group Gmbh & Co. Kg Foil structure with generation of visible light by means of LED technology
WO2021165450A1 (de) * 2020-02-21 2021-08-26 Muehlbauer GmbH & Co. KG Vorrichtung und verfahren zum übertragen elektronischer bauteile von einem ersten zu einem zweiten träger

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19837946A1 (de) * 1998-08-21 2000-02-24 Asea Brown Boveri Verfahren zur Bestückung eines Substrates mit Halbleiterchips
DE19962194A1 (de) 1999-12-22 2001-06-28 Flexchip Ag Verfahren zur Herstellung von kontaktierbaren Leiterschleifen für Transponder
EP1143378A1 (de) 2000-04-04 2001-10-10 Smartag (S) Pte. Ltd. Verfahren zum Herstellen von RFID Leiterplatten
US20020195194A1 (en) * 2000-02-18 2002-12-26 Moore North America, Inc.. RFID manufacturing concepts
DE10151657C1 (de) 2001-08-02 2003-02-06 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Montage eines Chips auf einem Substrat
JP2005115916A (ja) 2004-06-29 2005-04-28 Hitachi Ltd 無線通信媒体およびその製造方法
DE102006001885A1 (de) 2006-01-13 2007-07-26 Siemens Ag Verwendung eines Schmelzklebstoffes, pastöses Fixationsmittel für Mikrobauteile und Detektor zum Nachweis ionisierender Strahlung
DE602004007861T2 (de) 2003-10-07 2008-04-10 Hitachi, Ltd. Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung zur drahtlosen Kommunikation

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10325179A1 (de) * 2003-06-04 2004-12-23 Marconi Communications Gmbh Verfahren zum Montieren einer Schaltung
TWI395253B (zh) * 2004-12-28 2013-05-01 Mitsumasa Koyanagi 使用自我組織化功能之積體電路裝置的製造方法及製造裝置
DE102008062211A1 (de) * 2008-12-13 2010-06-17 Mühlbauer Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils und Halbleiterbauteil

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19837946A1 (de) * 1998-08-21 2000-02-24 Asea Brown Boveri Verfahren zur Bestückung eines Substrates mit Halbleiterchips
DE19962194A1 (de) 1999-12-22 2001-06-28 Flexchip Ag Verfahren zur Herstellung von kontaktierbaren Leiterschleifen für Transponder
US20020195194A1 (en) * 2000-02-18 2002-12-26 Moore North America, Inc.. RFID manufacturing concepts
EP1143378A1 (de) 2000-04-04 2001-10-10 Smartag (S) Pte. Ltd. Verfahren zum Herstellen von RFID Leiterplatten
DE10151657C1 (de) 2001-08-02 2003-02-06 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Montage eines Chips auf einem Substrat
DE602004007861T2 (de) 2003-10-07 2008-04-10 Hitachi, Ltd. Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung zur drahtlosen Kommunikation
JP2005115916A (ja) 2004-06-29 2005-04-28 Hitachi Ltd 無線通信媒体およびその製造方法
DE102006001885A1 (de) 2006-01-13 2007-07-26 Siemens Ag Verwendung eines Schmelzklebstoffes, pastöses Fixationsmittel für Mikrobauteile und Detektor zum Nachweis ionisierender Strahlung

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"An Ultra-Small RFID-Chip: mu-chip" von Mitsuo Usami (2004 IEEE Asia-Pacific Conference on Advanced Systems Integrated Circuits (AP-ASIC2004/Aug. 4-5, 2004)
Konferenz Smart System Integration 2008, 8.-9. April 2008, Barcelona in der Präsentation "Contactless Device Handling - New Assembly Approaches for the Micro-Nano-Integration" K.-F. Becker, J. Bauer, G. Mollath, G. Schreck, I. Kolesnik, E. Jung, H. Reichl, J. Lienemann, D. Kauzlaric, J. Korvink

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016004592A1 (de) 2016-04-14 2017-10-19 Mühlbauer Gmbh & Co. Kg System und Verfahren zum Ausrichten elektronischer Bauteile
WO2017178364A1 (de) 2016-04-14 2017-10-19 Muehlbauer GmbH & Co. KG Vorrichtung, system und verfahren zum ausrichten elektronischer bauteile
DE102016004592B4 (de) * 2016-04-14 2017-11-02 Mühlbauer Gmbh & Co. Kg System und Verfahren zum Ausrichten elektronischer Bauteile
EP3419063A1 (de) * 2017-06-19 2018-12-26 Schreiner Group GmbH & Co. KG Folienaufbau mit erzeugen von sichtbarem licht mittels led-technologie
US10847692B2 (en) 2017-06-19 2020-11-24 Schreiner Group Gmbh & Co. Kg Foil structure with generation of visible light by means of LED technology
WO2021165450A1 (de) * 2020-02-21 2021-08-26 Muehlbauer GmbH & Co. KG Vorrichtung und verfahren zum übertragen elektronischer bauteile von einem ersten zu einem zweiten träger
TWI771919B (zh) * 2020-02-21 2022-07-21 德商紐豹有限責任合資公司 從第一載體移轉電子組件至第二載體之裝置以及方法
US20230056420A1 (en) * 2020-02-21 2023-02-23 Muehlbauer GmbH & Co. KG Apparatus and method for transferring electronic components from a first carrier to a second carrier
US12094736B2 (en) * 2020-02-21 2024-09-17 Muehlbauer GmbH & Co. KG Apparatus and method for transferring electronic components from a first carrier to a second carrier

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