DE10128578A1 - Optische Vorrichtung und ihr Herstellungsverfahren - Google Patents
Optische Vorrichtung und ihr HerstellungsverfahrenInfo
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 214
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 110
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- SUBDBMMJDZJVOS-UHFFFAOYSA-N 5-methoxy-2-{[(4-methoxy-3,5-dimethylpyridin-2-yl)methyl]sulfinyl}-1H-benzimidazole Chemical compound N=1C2=CC(OC)=CC=C2NC=1S(=O)CC1=NC=C(C)C(OC)=C1C SUBDBMMJDZJVOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001214257 Mene Species 0.000 description 1
- 101100400378 Mus musculus Marveld2 gene Proteins 0.000 description 1
- UIQMVEYFGZJHCZ-SSTWWWIQSA-N Nalorphine Chemical compound C([C@@H](N(CC1)CC=C)[C@@H]2C=C[C@@H]3O)C4=CC=C(O)C5=C4[C@@]21[C@H]3O5 UIQMVEYFGZJHCZ-SSTWWWIQSA-N 0.000 description 1
- 235000010678 Paulownia tomentosa Nutrition 0.000 description 1
- 240000002834 Paulownia tomentosa Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0102—Constructional details, not otherwise provided for in this subclass
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/025—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction in an optical waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/06—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 integrated waveguide
- G02F2201/063—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 integrated waveguide ridge; rib; strip loaded
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/08—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 light absorbing layer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
Es wird eine optische Vorrichtung geschaffen, die hervorragende Frequenzcharakteristiken und eine hohe Stabilität einer optischen Achse aufweist. Hintere Oberflächen eines optischen Modulators und ein Paar von Übertragungsleitungen sind auf eine derartige Weise mit einem Sockel verbunden, daß die Übertragungsleitungen auf beiden Seiten des optischen Modulators angeordnet sind. Leitfähige Kontaktierungsflecken sind auf den Übertragungsleitungen und Elektrodenanschlußflächen ausgebildet, die auf der vorderen Oberfläche des optischen Modulators ausgebildet sind. Eine Verbindungsübertragungsleitung ist mit den Kontaktierungsflecken verbunden, wodurch die Elektrodenanschlußflächen des optischen Modulators über die Verbindungsübertragungsleitung mit den Übertragungsleitungen verbunden sind.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine optische Vor
richtung und ihr Herstellungsverfahren. Insbesondere be
trifft die vorliegende Erfindung eine optische Modula
tionsvorrichtung, die für eine optische Kommunikation
verwendet wird, und ihr Herstellungsverfahren.
Bei verbreiteten öffentlichen Kommunikationsnetzwer
ken, die optische Fasern verwenden, ist es wichtig, das
Leistungsvermögen von Halbleiterlasern zu verbessern und
die Ausbeute von Halbleiterlasern zu verbessern und die
Ausbeute von Halbleiterlasern zu erhöhen, um diese mit
niedrigen Kosten herzustellen.
Insbesondere ist es, um das Leistungsvermögen von
Halbleiterlasern zu verbessern, unverzichtbar, eine
schnelle Modulation von Laserlicht zuzulassen, um mit ei
ner Erhöhung einer Informationsmenge fertig zu werden.
Zum Zwecke einer schnellen Modulation von Laserlicht wird
ein externes Modulationsverfahren verwendet, um eine Wel
lenlängenänderung bei einer Modulation zu verringern und
dadurch eine Weitbereichsübertragung zuzulassen. Bei dem
externen Modulationsverfahren wird im allgemeinen Laser
licht von einem Halbleiterlaser mit einer konstanten In
tensität abgegeben und dann durch Eingeben von ihm in ei
nen optischen Modulator moduliert, der imstande ist,
Licht durchzulassen oder zu unterbrechen (Ein/Aus-Steu
ern).
Der Elektroabsorptionsmodulator (hier im weiteren
Verlauf als EAM abgekürzt) wird als ein optischer Modula
tor bei dem externen Modulationsverfahren verwendet. Ein
Auslöschen wird unter Verwendung einer Änderung eines Ab
sorptionsspektrums aufgrund des Franz-Keldysh-Effekts
(bei einem EAM, der eine Einzelschicht, dicke Lichtab
sorptionsschicht, verwendet) oder des Stark-Verschie
bungseffekts (bei einem EAM, der eine Mehrfachquantenmul
denstruktur verwendet) erzielt.
Bei optischen Modulatoren ändert sich der Grad einer
Absorption von Laserlicht abhängig von der angelegten
Spannung. Deshalb erhält, wenn eine Modulations
signalspannung an eine elektrische Hochfrequenzschaltung
angelegt wird, die mit einem optischen Modulatator ver
bunden ist, Laserlicht, das von der Austrittsendfläche
des optischen Modulators abgegeben wird, eine Intensi
tätsmodulation, die der Signalspannung entspricht.
Fig. 11 zeigt eine perspektivische Ansicht einer op
tischen Vorrichtung im Stand der Technik.
In Fig. 11 bezeichnet das Bezugszeichen 200 eine op
tische Vorrichtung, bezeichnet das Bezugszeichen 202 ei
nen optischen Modulator, bezeichnet das Bezugszeichen 204
eine koplanare Leitung als eine Übertragungsleitung, be
zeichnet das Bezugszeichen 224 einen Abschlußwiderstand,
bezeichnet das Bezugszeichen 228 Kontaktierungsflecken,
bezeichnet das Bezugszeichen 210 eine optische Wellenlei
terschicht und bezeichnet das Bezugszeichen 212 Laser
licht (durch einen Pfeil dargestellt), das in die opti
sche Wellenleiterschicht 210 eingegeben wird.
Fig. 12 zeigt eine perspektivische Ansicht des opti
schen Modulators 202 im Stand der Technik.
In Fig. 12 bezeichnet das Bezugszeichen 214 p-seitige
Elektrodenanschlußflächen und bezeichnet das Bezugszei
chen 216 n-seitige Elektrodenanschlußflächen.
Fig. 13 zeigt eine perspektivische Ansicht der Über
tragungsleitung 204 im Stand der Technik.
In Fig. 13 bezeichnet das Bezugszeichen 204a eine
Signalleitung der koplanaren Leitung 204, bezeichnet das
Bezugszeichen 204b Masseleitungen der koplanaren Leitung
204, bezeichnet das Bezugszeichen 224 einen Abschlußwi
derstand und bezeichnet das Bezugszeichen 226 ein
Substratteil der Übertragungsleitung 204.
Das Bezugszeichen 228 bezeichnet leitfähige Kontak
tierungsflecken, die auf der Signalleitung 204a und den
Masseleitungen 204b angeordnet sind.
Als nächstes wird ein Montageverfahren der optischen
Vorrichtung 200 im Stand der Technik beschrieben.
Wenn die Leitungsoberfläche einer koplanaren Leitung
204 oben angeordnet ist, werden zwei Kontaktierungsflec
ken 228 auf sowohl der Signalleitung 204a als auch den
Massenleitungen 204b angeordnet. Die Kontaktierungsflec
ken 228 werden an Positionen ausgebildet, die den p-sei
tigen Elektrodenanschlußflächen 214 und den n-seitigen
Elektrodenanschlußflächen 216 des optischen Modulators
202 entsprechen.
Danach wird die vordere Oberfläche des optischen Mo
dulators 202 der koplanaren Leitung 204 gegenüber gelegt
und dann auf eine derartige Weise auf die koplanare Lei
tung 204 gelegt, daß die p-seitigen Elektrodenanschluß
flächen 214 und die n-seitigen Elektrodenanschlußflächen
216 auf den jeweiligen Kontaktierungsflecken 228 angeord
net sind. Der optische Modulator 202 und die koplanare
Leitung 204 werden über die Kontaktierungsflecken 228
durch Ausüben eines Drucks bei einer erhöhten Temperatur
miteinander verbunden.
Bei der optischen Vorrichtung 200 im Stand der Tech
nik, die auf die zuvor beschriebene Weise montiert ist,
weisen die Kontaktierungsflecken 228 sowohl eine Rolle
von Leitern für ein elektrisches Verbinden der koplanaren
Leitung 204 und des optischen Modulators 202 als auch
eine Rolle eines Befestigens des optischen Modulators 202
auf der koplanaren Leitung 204 und Stützens des optischen
Modulators 202 auf.
Da die Kontaktierungsflecken 228 einen kleineren
elektrischen Widerstand und eine kleinere elektrische In
duktivität als herkömmliche Verbindungsdrähte aufweisen,
liefern sie darin einen Vorteil, daß die optische Vor
richtung 200 hervorragende Frequenzcharakteristiken er
hält.
Jedoch können die Kontaktierungsflecken 228 aufgrund
einer Änderung der Umgebungstemperatur, die aufgrund ei
nes Erwärmens von peripheren Vorrichtungen der optischen
Vorrichtung 200 auftritt, oder abhängig von der Tempera
turbedingung einer Gebrauchsumgebung während eines Ver
wendens des optischen Modulators 202 thermisch deformiert
werden (Ausdehnung oder Schrumpfung).
Bei der optischen Vorrichtung 200 im Stand der Tech
nik führt die thermische Deformation der Kontaktierungs
flecken 228, da lediglich die Kontaktierungsflecken 228
die Rolle eines Befestigens und Stützens des optischen
Modulators 202 aufweisen, zu einer positionellen Änderung
des optischen Modulators 202, der von den Kontaktierungs
flecken 228 gestützt wird. Als Ergebnis weicht der opti
sche Modulator 202 von einem optischen System ab, das un
abhängig von dem optischen Modulator 202 befestigt ist,
und es treten Verschlechterungen von Charakteristiken
aufgrund einer Abweichung einer optischen Achse oder der
gleichen auf.
Wie es zuvor beschrieben worden ist können im allge
meinen Kontaktierungsflächen, welche einen kleineren
elektrischen Widerstand und eine kleinere elektrische In
duktivität als Verbindungsdrähte aufweisen, eine optische
Vorrichtung schaffen, die bessere Hochfrequenzcharakteri
stiken als eine optische Vorrichtung aufweist, die Ver
bindungsdrähte verwendet. Insbesondere lassen Kontaktie
rungsflecken ein Ausbilden einer optischen Vorrichtung,
die hervorragende Frequenzcharakteristiken aufweist, auch
in einem Fall zu, in dem ein Hochfrequenzmodulations
signal wie in dem Fall eines optischen Modulatiors ge
handhabt wird. Jedoch weist die optische Vorrichtung 200
im Stand der Technik darin ein Problem auf, das sie nicht
sowohl hervorragende Frequenzcharakteristiken als auch
eine hohe Stabilität einer optischen Achse zum Verhindern
von Verschlechterungen von Charakteristiken aufgrund ei
ner Abweichung einer optischen Achse oder dergleichen er
füllen kann.
Eine Bezugnahme zum Stand der Technik ist die Japani
sche ungeprüfte Patentoffenlegungsschrift Nr. Hei.
10-56163. Diese Offenlegungsschrift offenbart einen Photode
tektor, der über Kontaktierungsflecken auf einem IC eines
unverkapselten Chip befestigt ist, und ein IC eines un
verkapselten Chip, das im Hinblick auf die Tatsache, daß
eine Drahtverbindung keinen stabilen Hochgeschwindig
keitsbetrieb liefern kann, einen Photodetektor auf eine
monolithische Weise einschließt. Jedoch ist in dem erste
ren Fall der Photodetektor über die Kontaktierungsflecken
mit dem IC eines unverkapselten Chip verbunden und ist
das IC eines unverkapselten Chip über Kontaktierungsflec
ken mit einer festen Seite verbunden. Auf ähnliche Weise
ist in dem letzteren Fall das IC eines unverkapselten
Chip über Kontaktierungsflecken mit einer festen Seite
verbunden. In jedem Fall ist die Photodetektorseite über
die Kontaktierungsflecken mit einem System verbunden, in
welchem ein optisches System befestigt ist, und daher
kann das zuvor beschriebene Problem nicht gelöst werden.
Die vorliegende Erfindung ist im Hinblick auf das zu
vor beschriebene Problem im Stand der Technik geschaffen
worden und eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung be
steht demgemäß darin, eine optische Vorrichtung, die her
vorragende Frequenzcharakteristiken und eine hohe Stabi
lität einer optischen Achse aufweist, und ein einfaches
Verfahren zu deren Herstellung zu schaffen.
Diese Aufgabe wird hinsichtlich der Vorrichtung mit
den in den Anspruch 1 und hinsichtlich des Verfahrens mit
den in Anspruch 6 angegebenen Maßnahmen gelöst.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der vorliegenden
Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Eine erfindungsgemäße optische Vorrichtung weist auf:
einen Sockel für die optische Vorrichtung; einen opti
schen Modulator, der eine hintere Oberfläche, die mit dem
Sockel verbunden ist, und eine vordere Oberfläche auf
weist, an der eine Signalelektrodenanschlußfläche und
eine Masseelektrodenanschlußfläche angeordnet sind; ein
Paar von Übertragungsleitungen, die auf dem Sockel auf
beiden Seiten des optischen Modulators vorgesehen sind
und von denen jede eine Signalleitung und eine Masselei
tung auf einer vorderen Oberfläche eines ersten dielek
trischen Substrats aufweist; leitfähige Kontaktierungs
flecken, die auf Oberflächen der Signalleitung und der
Masseleitung von jeder der Übertragungsleitungen und auf
Oberflächen der Signalelektrodenanschlußfläche und der
Masseelektrodenanschlußfläche des optischen Modulators
vorgesehen sind; und eine Verbindungsübertragungsleitung,
die eine Signalverbindungsleitung und eine Masseverbin
dungsleitung aufweist, die auf einer vorderen Oberfläche
eines zweiten dielektrischen Substrats vorgesehen sind,
die auf eine derartige Weise ausgerichtet ist, daß die
Signalverbindungsleitung und die Masseverbindungsleitung
den Kontaktierungsflecken gegenüberliegen, und die die
Kontaktierungsflecken auf den Elektrodenanschlußflächen
des optischen Modulators mittels der Signalverbindungs
leitung und der Masseverbindungsleitung mit den Kontak
tierungsflecken auf den Übertragungsleitungen verbindet.
Demgemäß ist eine erfindungsgemäße optische Vorrich
tung darin vorteilhaft, daß der optische Modulator direkt
an dem Sockel befestigt werden kann, wobei eine positio
nelle Abweichung von einem externen optischen System ver
hindert werden kann, die ansonsten durch eine positio
nelle Änderung des optischen Modulators aufgrund einer
thermischen Deformation der Kontaktierungsflecken verur
sacht werden würde. Die Verwendung der Kontaktierungs
flecken ermöglicht es, Verschlechterungen von optischen
Charakteristiken aufgrund einer Abweichung einer opti
schen Achse oder dergleichen zu verhindern, während her
vorragende Frequenzcharakteristiken aufrechterhalten wer
den. Deshalb kann eine optische Vorrichtung, die eine
hohe Stabilität einer optischen Achse aufweist, ausgebil
det werden, während hervorragende Frequenzcharakteristi
ken aufrechterhalten werden.
Ein erfindungsgemäßes Herstellungsverfahren einer
optischen Vorrichtung weist die folgenden Schritte auf:
Vorbereiten eines Sockels für die optische Vorrichtung,
der einen Verbindungsabschnitt aufweist; Verbinden einer
hinteren Oberfläche eines optischen Modulators, der eine
Signalelektrodenanschlußfläche und eine Masseelektroden
anschlußfläche auf einer vorderen Oberfläche aufweist,
mit dem Verbindungsabschnitt des Sockels; Vorsehen eines
Paars von Übertragungsleitungen, von denen jede eine Sig
nalleitung und eine Masseleitung auf einer vorderen Ober
fläche eines ersten dielektrischen Substrats aufweist,
auf beiden Seiten des Verbindungsabschnitts des Sockels;
Ausbilden von leitfähigen Kontaktierungsflecken auf Ober
flächen der Signalelektrodenanschlußfläche und der Masse
elektrodenanschlußfläche des optischen Modulators und auf
Oberflächen der Signalleitung und der Masseleitung von
jeder der Übertragungsleitungen; und Ausrichten einer
Verbindungsübertragungsleitung, die eine Signalverbin
dungsleitung und eine Masseverbindungsleitung auf einer
vorderen Oberfläche eines zweiten dielektrischen
Substrats aufweist, auf eine derartige Weise, daß die
Signalverbindungsleitung und die Masseverbindungsleitung
den Kontaktierungsflecken gegenüberliegen, und Verbinden
der Kontaktierungsflecken auf den Elektrodenanschlußflä
chen des optischen Modulators mittels der Signalverbin
dungsleitung und der Masseverbindungsleitung mit den Kon
taktierungsflecken auf den Übertragungsleitungen.
Demgemäß ist ein erfindungsgemäßes Herstellungsver
fahren einer optischen Vorrichtung darin vorteilhaft, daß
es das Herstellungsverfahren ermöglicht, eine optische
Vorrichtung, die eine hohe Stabilität einer optischen
Achse aufweist, durch ein einfaches Verfahren herzustel
len, während hervorragende Frequenzcharakteristiken auf
rechterhalten werden, und daß eine optische Vorrichtung,
die eine hohe Stabilität einer optischen Achse und her
vorragende Frequenzcharaktistiken aufweist, mit niedrigen
Kosten geschaffen werden kann.
Die vorliegende Erfindung wird nachstehend anhand von
Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beilie
gende Zeichnung näher erläutert.
Es zeigt:
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht einer optischen Vor
richtung gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 eine perspektivische Ansicht eines optischen Mo
dulators gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
Fig. 3 eine entlang einer Linie III-III in Fig. 2 genom
mene Schnittansicht;
Fig. 4 eine entlang einer Linie IV-IV in Fig. 2 genom
mene Schnittansicht;
Fig. 5 eine entlang einer Linie V-V in Fig. 2 genommene
Schnittansicht;
Fig. 6 eine perspektivische Ansicht der Verbindungsüber
tragungsleitung gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 7 eine perspektivische Ansicht eines Hauptkörpers
der optischen Vorrichtung gemäß der vorliegenden
Erfindung;
Fig. 8 eine teilweise durchsichtige perspektivische An
sicht der optischen Vorrichtung gemäß der vorlie
genden Erfindung;
Fig. 9 eine teilweise durchsichtige perspektivische An
sicht einer anderen optischen Vorrichtung gemäß
der vorliegenden Erfindung;
Fig. 10 eine teilweise durchsichtige perspektivische An
sicht einer weiteren optischen Vorrichtung gemäß
der vorliegenden Erfindung;
Fig. 11 eine perspektivische Ansicht einer optischen Vor
richtung im Stand der Technik;
Fig. 12 eine perspektivische Ansicht eines optischen Mo
dulators gemäß der optischen Vorrichtung im Stand
der Technik; und
Fig. 13 eine perspektivische Ansicht einer Übertragungs
leitung im Stand der Technik.
In allen Figuren sind im wesentlichen gleiche Ele
mente mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet.
Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines ersten
Ausführungsbeispiels zur vorliegenden Erfindung.
Eine optische Vorrichtung gemäß diesem Ausführungs
beispiel der vorliegenden Erfindung ist wie folgt aufge
baut. Die hintere Oberfläche eines optischen Modulators
ist mit einem Sockel für die optische Vorrichtung verbun
den. Ein Paar von Übertragungsleitungen ist auf beiden
Seiten des optischen Modulators vorgesehen, wobei ihre
vorderen Oberflächen ähnlich denjenigen des optischen Mo
dulators oben angeordnet sind. Leitfähige Kontaktierungs
flecken sind auf p-seitigen und n-seitigen Elektrodenan
schlußflächen, die auf der vorderen Oberfläche des opti
schen Modulators ausgebildet sind, und Signalleitungen
und Masseleitungen ausgebildet, die auf den vorderen
Oberflächen der Übertragungsleitungen ausgebildet sind.
Eine Verbindungsübertragungsleitung ist nach unten ausge
richtet und eine Signalverbindungsleitung und Massever
bindungsleitungen, die auf der vorderen Oberfläche der
Verbindungsübertragungsleitung ausgebildet sind, sind mit
den Kontaktierungsflecken verbunden. Auf diese Weise sind
die p-seitigen und n-seitigen Elektrodenanschlußflächen
des optischen Modulators über die Signalverbindungslei
tung und die Masseverbindungsleitungen der Verbindungs
übertragungsleitung mit den Signalleitungen und den Mas
seleitungen der Übertragungsleitungen verbunden.
Fig. 1 zeigt eine perspektivische Ansicht der opti
schen Vorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung.
In Fig. 1 bezeichnet das Bezugszeichen 10 eine opti
sche Vorrichtung, bezeichnet das Bezugszeichen 12 einen
Chipträger als einen Sockel für die optische Vorrichtung
und bezeichnet das Bezugszeichen 14 einen optischen Modu
lator, der ein Elektroabsorptionsmodulator bzw. EAM ist.
Weiterhin bezeichnet das Bezugszeichen 16 Übertragungs
leitungen, die in diesem Ausführungsbeispiel der vorlie
genden Erfindung koplanare Leitungen sind, bezeichnet das
Bezugszeichen 18 leitfähige Kontaktierungsflecken und be
zeichnet das Bezugszeichen 20 eine Verbindungsübertra
gungsleitung.
Der optische Modulator 14 weist eine Länge und Breite
von ungefähr 300 µm und eine Dicke von ungefähr 100 µm
auf. Jede Übertragungsleitung 14 weist eine Breite von
ungefähr 300 µm und eine Dicke von ungefähr 200 µm auf.
Die Kontaktierungsflecken 18 weisen einen Durchmesser von
ungefähr 30 bis 50 µm auf. Die Breite und die Dicke der
Verbindungsübertragungsleitung 20 sind ungefähr gleich zu
denjenigen jeder Übertragungsleitung 16.
Das Bezugszeichen 15 bezeichnet Laserlicht (durch ei
nen Pfeil dargestellt), das in den optischen Modulator 14
eingegeben wird.
Fig. 2 zeigt eine perspektivische Ansicht des opti
schen Modulators 14 gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung. In Fig. 2 bezeichnet das Be
zugszeichen 26 ein halbisolierendes InP-Substrat, be
zeichnet das Bezugszeichen 28 eine InP-Schicht eines
n-Leitfähigkeitstyps, die auf das InP-Substrat 26 gelegt
ist (der n-Leitfähigkeitstyp und ein p-Leitfähigkeitstyp
werden hier im weiteren Verlauf mit "n-" bzw. "p-" abge
kürzt), bezeichnet das Bezugszeichen 30 einen optischen
Wellenleitersteg 30 zum Leiten von Laserlicht, das in der
Mitte auf der n-InP-Schicht 28 ausgebildet wird. Der op
tische Wellenleitersteg 30 besteht aus einer Beschich
tungslage 32 des n-Typs aus n-InP, die auf der n-InP-
Schicht 28 ausgebildet ist, einer optischen Wellenleiter
schicht 34 aus InP, die auf der Beschichtungslage 32 des
n-Typs ausgebildet ist, und einer Beschichtungslage 36
des p-Typs aus p-InP, die auf der optischen Wellenleiter
schicht 34 ausgebildet ist. Das Bezugszeichen 38 bezeich
net Elektrodenanschlußflächensockel aus InP, die auf der
n-InP-Schicht 28 ausgebildet sind und sich parallel zu
dem optischen Wellenleitersteg 30 mit sich dazwischen be
findenden Trennrillen 40 ausdehnen. Die Oberflächen des
optischen Wellenleiterstegs 30, der Trennrillen 40 und
der Elektrodenanschlußflächensockel 38 sind im allgemei
nen ausgenommen dessen mit einem Isolationsfilm (in Fig.
2 nicht gezeigt) bedeckt, daß Öffnungen an Elektrodenver
bindungspunkten ausgebildet sind.
Das Bezugszeichen 42 bezeichnet n-seitige Elektroden
anschlußflächen als Masseelektrodenanschlußflächen, die
über die n-InP-Schicht 28 mit der Beschichtungslage 32
des n-Typs des optischen Wellenleiterstegs 30 verbunden
sind. Die n-seitigen Elektrodenanschlußflächen 42 sind
Metallfilme, die auf den Oberflächen der Elektrodenan
schlußflächensockel 38 ausgebildet sind, und sind mit den
Oberflächen der n-InP-Schicht 28 verbunden. Das Bezugs
zeichen 44 bezeichnet p-seitige Elektrodenanschlußflächen
als Signalelektrodenanschlußflächen, die ein Metallfilm
sind, der auf den oberen Oberflächen der Elektrodenan
schlußflächensockel 38, den Trennrillen 40 und dem opti
schen Wellenleitersteg 30 ausgebildet ist. Die p-seitigen
Elektrodenanschlußflächen 44 sind über eine Öffnung (in
Fig. 2 nicht gezeigt), die in einem Isolationsfilm (in
Fig. 2 nicht gezeigt) auf der oberen Oberfläche des opti
schen Wellenleiterstegs 30 ausgebildet ist, mit der Be
schichtungslage 26 des p-Typs verbunden.
Fig. 3 zeigt eine entlang einer Linie III-III in Fig.
2 genommene Schnittansicht.
In Fig. 3 bezeichnet das Bezugszeichen 46 einen Iso
lationsfilm und bezeichnet das Bezugszeichen 48 eine Öff
nung des Isolationsfilms 46, das über der Oberfläche der
Beschichtungslage 36 des p-Typs ausgebildet ist. Die
p-seitigen Elektrodenanschlußflächen 44 sind über die Öff
nung 48 mit der Beschichtungslage 36 des p-Typs verbun
den.
Fig. 4 zeigt eine entlang einer Linie IV-IV in Fig. 2
genommene Schnittansicht.
In Fig. 4 bezeichnet das Bezugszeichen 50 Öffnungen,
die an den Bodenflächen der Trennrillen 40 in dem Isola
tionsfilm 46 ausgebildet sind. Die n-seitigen Elektroden
anschlußflächen 42 sind über die Öffnungen 50 mit der
n-InP-Schicht 28 und weiterhin über die n-InP-Schicht 28
mit der Beschichtungslage 32 des n-Typs verbunden.
Fig. 5 zeigt eine entlang einer Linie V-V in Fig. 2
genommene Schnittansicht.
Wie es in Fig. 5 gezeigt ist, besteht die optische
Wellenleiterschicht 34 aus einer Lichtabsorptionsschicht
34a, die eine optische Modulation durchführt, und Licht
durchlaßschichten 34b, die auf beiden Seiten der Lichtab
sorptionsschicht 34a vorgesehen sind und Licht mit gerin
ger Dämpfung durchlassen. Die p-seitigen Elektrodenan
schlußflächen (mit dem Bezugszeichen 44 dargestellt) sind
mit der sich dazwischen befindenden Öffnung 48 des Isola
tionsfilms 40 und Beschichtungslage 36 des p-Typs direkt
über der Lichtabsorptionsschicht 34a ausgebildet.
Fig. 6 zeigt eine perspektivische Ansicht der Verbin
dungsübertragungsleitung 20 gemäß dem ersten Ausführungs
beispiel der vorliegenden Erfindung.
In Fig. 6 bezeichnet das Bezugszeichen 56 ein Verbin
dungsleitungssubstrat als ein zweites dielektrisches
Substrat, daß aus Keramik, wie zum Beispiel Aluminium
oxid, besteht. Das Bezugszeichen 58 bezeichnet eine Sig
nalverbindungsleitung und das Bezugszeichen 60 bezeichnet
zwei Masseverbindungsleitungen. Die Signalverbindungslei
tung 58 und die Masseverbindungsleitungen 60 sind durch
Goldplattieren auf der vorderen Oberfläche des Verbin
dungsleitungssubstrats 56 ausgebildet und bilden zusammen
eine koplanare Leitung aus. Die Breite sowohl der Signal
verbindungsleitung 58 als auch den Masseverbindungslei
tungen 60 beträgt geringfügig kleiner als 100 µm.
In der Verbindungsübertragungsleitung ist jede der
Signalverbindungsleitung 58 und der Masseverbindungslei
tungen 60 in der Mitte in zwei Teile geteilt.
Fig. 7 zeigt eine perspektivische Ansicht eines
Hauptkörpers der optischen Vorrichtung gemäß dem ersten
Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Wie es in Fig. 7 gezeigt ist, weist ein Chipträger
12, welcher aus Metall oder Keramik besteht, in der Mitte
einen Vorsprung 12a auf. Die hintere Oberfläche des opti
schen Modulators 14 ist mit dem Vorsprung 12a verbunden.
Ein Paar von Übertragungsleitungen 16 ist mit den Ab
schnitten des Chipträgers 12 verbunden, die auf beiden
Seiten des Vorsprungs 12a angeordnet sind. Der Ausdruck
"ein Paar von" meint die Übertragungsleitung 16 auf einer
derartigen Seite, die mit einer externen Verdrahtung
(später beschrieben) zu verbinden ist, und die Übertra
gungsleitung 16 auf der Abschlußseite.
Die Höhe des Vorsprungs 12a ist derart festgelegt,
daß die Oberflächen des Übertragungsleitungen 16 zu der
Oberfläche des optischen Modulators 14, der mit dem Vor
sprung 12a verbunden ist, bündig sind.
Die Übertragungsleitungen 16 sind als koplanare Lei
tungen ausgebildet. Das Bezugszeichen 16a bezeichnet
Übertragungsleitungssubstrate als erste dielektrische
Substrate, die aus Keramik, wie zum Beispiel Aluminium
oxid, bestehen. Das Bezugszeichen 16b bezeichnet Signal
leitungen und das Bezugszeichen 16c bezeichnet zwei Sätze
von Masseleitungen. Eine Übertragungsleitung 16 ist mit
einer externen Verdrahtung (nicht gezeigt) verbunden, die
eine externe Signalleitung und eine Masseleitung auf
weist. Ein Modulationssignal wird von der externen Ver
drahtung eingegeben. Bei der anderen Übertragungsleitung
16, welche sich auf der Abschlußseite befindet, ist die
Signalleitung 16b über einen Abschlußwiderstand 66 mit
den Masseleitungen 16c verbunden. Im allgemeinen beträgt
der Abschlußwiderstand 66 50 Ω. Die Signalleitung 16b
und die Masseleitungen 16c weisen eine Breite von gering
fügig kleiner als 100 µm auf und sind durch Goldplattie
ren ausgebildet.
Der Hauptkörper der optischen Vorrichtung besteht aus
dem Chipträger 12, dem optischen Modulator 14 und den
Übertragungsleitungen 16.
Das Bezugszeichen 18 bezeichnet leitfähige Kontaktie
rungsflecken, die zum Beispiel aus Gold bestehen. Die
Kontaktierungsflecken 18 sind auf der p-seitigen Elektro
denanschlußfläche 44 und dem Paar von n-seitigen Elektro
denanschlußflächen 42, die auf jedem der zwei Elektroden
anschlußflächensockel 38 ausgebildet sind, die an beiden
Enden des optischen Modulators 14 angeordnet sind, und
auf der Signalleitung 16b und den Massenleitungen 16c
ausgebildet, die auf der vorderen Oberfläche von jeder
der zwei Übertragungsleitungen 16 ausgebildet sind.
Als nächstes wird ein Montageverfahren der optischen
Vorrichtung 10 gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Erfindung beschrieben.
Es wird auf Fig. 7 verwiesen. Der optische Modulator
14 wird auf eine derartige Weise ausgerichtet, daß seine
vordere Oberfläche, an der die n-seitigen Elektrodenan
schlußflächen 42 und die p-seitigen Elektrodenanschluß
flächen 44 ausgebildet sind, oben angeordnet ist, und
dann wird die hintere Oberfläche des optischen Modulators
14 mit einem AuSn-Lot oder dergleichen mit dem Vorsprung
12a des Chipträgers 12 verbunden.
Dann wird das Paar von Übertragungsleitungen 16 mit
AuSn-Lot oder dergleichen mit den Abschnitten des Chip
trägers 12, die auf beiden Seiten des Vorsprungs 12a an
geordnet sind, derart verbunden, daß sie benachbart dem
optischen Modulator 14 angeordnet sind. Ähnlich dem opti
schen Modulator 14 werden die Übertragungsleitungen 16
auf eine derartige Weise mit dem Chipträger 12 verbunden,
daß ihre vorderen Oberflächen, an denen die Signalleitung
16b und die zwei Masseleitungen 16c ausgebildet sind,
oben angeordnet sind. Der Vorsprung 12a des Chipträgers
12 wird im voraus derart ausgebildet, daß er eine derar
tige vorgeschriebene Höhe aufweist, daß die Oberfläche
des optischen Modulators 14 zu den Oberflächen des Paars
von Übertragungsleitungen 16 bündig sein wird.
Dann werden Kontaktierungsflecken 18 auf der p-seiti
gen Elektrodenanschlußfläche 44 und den n-seitigen Elek
trodenanschlußflächen 42, die auf jedem der Elektrodenan
schlußflächensockel 38 des optischen Modulators 14 ausge
bildet sind, die auf beiden Seiten des optischen Wellen
leiterstegs 30 ausgebildet sind, und der Signalleitung
16b und den zwei Masseleitungen 16c ausgebildet, die auf
der vorderen Oberfläche von jeder der zwei Übertragungs
leitungen 16 ausgebildet sind.
Danach wird die Verbindungsübertragungsleitung 40,
die in Fig. 6 gezeigt ist, auf eine derartige Weise aus
gerichtet, daß ihre vordere Oberfläche, an der die Sig
nalverbindungsleitung 58 und die Masseverbindungsleitun
gen 60 ausgebildet sind, unten angeordnet ist, und dann
derart auf die Kontaktierungsflecken 18 gelegt, daß die
Signalverbindungsleitung 58 auf den Kontaktierungsflecken
18 angeordnet ist, die auf den Oberflächen der p-seitigen
Elektrodenanschlußflächen 44 und den Signalleitungen 16b
ausgebildet sind, und daß die Masseverbindungsleitungen
60 auf den Kontaktierungsflecken 18 angeordnet sind, die
auf den Oberflächen der n-seitigen Elektrodenanschlußflä
chen 42 und den Masseleitungen 16c ausgebildet sind.
Dann werden die Kontaktierungsflecken 18 durch Aus
üben eines Drucks auf die Verbindungsübertragungsleitung
20 bei einer erhöhten Temperatur mit der Signalverbin
dungsleitung 58 und den Masseverbindungsleitungen 60 der
Verbindungsübertragungsleitung 20 verbunden.
Als Ergebnis werden die p-seitigen Elektrodenan
schlußflächen 44 des optischen Modulators 14 über die
Signalverbindungsleitung 58 der Verbindungsübertragungs
leitung 20, die über den Kontaktierungsflecken 18 ange
ordnet ist, mit den Signalleitungen 16b der Übertragungs
leitungen 16 verbunden und werden die n-seitigen Elektro
denanschlußflächen 42 des optischen Modulators 14 über
die Masseverbindungsleitungen 60 der Verbindungsübertra
gungsleitung 20, die über den Kontaktierungsflecken 18
angeordnet ist, mit den Masseleitungen 16c der Übertra
gungsleitungen 16 verbunden.
Die Vorrichtung 10, die in Fig. 1 gezeigt ist, wird
auf die zuvor beschriebene Weise montiert.
Fig. 8 zeigt eine teilweise durchsichtige perspekti
vische Ansicht der optischen Vorrichtung 10 gemäß dem er
sten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Fig. 8 ist ausgenommen dessen gleich zu Fig. 1, daß
das Verbindungsleitungssubstrat 56 in durchsichtiger Form
gezeichnet ist, um die Verbindungszustände der Verbin
dungsübertragungsleitung 20 einfach erkennbar zu machen.
Die Signalverbindungsleitung 58 und die Masseverbindungs
leitungen 60 der Verbindungsübertragungsleitung 20 sind
schraffiert, um die Deutlichkeit der Verbindungen der
Signalverbindungsleitung 58 und der Masseverbindungslei
tungen 60 zu verbessern und stellen keine Querschnitte
dar.
Das heißt, die Signalverbindungsleitung 58 und die
Masseverbindungsleitungen 60 der Verbindungsübertragungs
leitung 20 sind über die Kontaktierungsflecken 18, die
Signalleitung 16b und die Masseleitungen 16c des Paars
von Übertragungsleitungen 16 mit den p-seitigen Elektro
denanschlußflächen 44 und den n-seitigen Elektrodenan
schlußflächen 46 auf den Elektrodenanschlußflächensockeln
38 verbunden, die an beiden Enden des optischen Modula
tors 14 angeordnet sind.
Als nächstes wird die Funktionsweise beschrieben.
Laserlicht wird von einem externen optischen System
(nicht gezeigt) über eine optische Faser und ein Linsen
system in die optische Vorrichtung 10 eingegeben. Das La
serlicht fällt auf eine Endfläche der optischen Wellen
leiterschicht 34 des optischen Modulators 14 ein.
Andererseits ist eine externe Verdrahtung (nicht ge
zeigt), die eine Signalleitung und eine Masseleitung auf
weist, mit der nicht abschlußseitigen Übertragungsleitung
16 der optischen Vorrichtung 10 verbunden. Ein Modula
tionssignal wird von der externen Verdrahtung in die Sig
nalleitung 16b der Übertragungsleitung 16 eingegeben. Das
Modulationssignal wird über den Kontaktierungsflecken 18
zu der Signalverbindungsleitung 58 der Verbindungsüber
tragungsleitung 20 und weiterhin über den Kontaktierungs
flecken 18 zu den p-seitigen Elektrodenanschlußflächen 44
des optischen Modulators 14 übertragen.
Das elektrische Signal, das zu den p-seitigen Elek
trodenanschlußflächen 44 übertragen wird, wird als eine
Modulationssignalspannung zwischen der Beschichtungslage
36 des p-Typs und der masseseitigen Beschichtungslage 32
des n-Typs des optischen Modulators 14 angelegt. Die Mo
dulationssignalspannung wirkt auf die Lichtabsorptions
schicht 34a direkt unter den p-seitigen Elektrodenan
schlußflächen 44.
In der Lichtabsorptionsschicht 34a wird das Laser
licht, das in die optische Wellenleiterschicht 34 einge
geben wird, in Übereinstimmung mit der Modulations
signalspannung geleitet/unterbrochen (Ein/Aus-Steuern).
Moduliertes Laserlicht wird von der anderen Endfläche
der optischen Wellenleiterschicht 34 ausgegeben, über ein
Linsensytem zu einer optischen Faser geleitet und zu dem
externen optischen System übertragen.
Da das elektrische Signal anstelle von Verbindungs
drähten über die Kontaktierungsflecken 18 übertragen
wird, läßt ein verringerter elektrischer Widerstand und
eine verringerte elektrische Induktivität eine Signal
übertragung zu, die hervorragende Frequenzcharakteristi
ken aufweist.
Während der zuvor beschriebenen optischen Modulation
ändert sich die Umgebungstemperatur aufgrund einer Erwär
mung von peripheren Vorrichtungen oder abhängig von der
Temperaturbedingung einer Gebrauchsumgebung. Die Änderung
der Umgebungstemperatur verursacht eine thermische Defor
mation (Ausdehnung oder Schrumpfung) der Kontaktierungs
flecken 18, wobei sich als Ergebnis von dieser die Posi
tion der Verbindungsübertragungsleitung 20 ändert, die
von den Kontaktierungsflecken 18 gestützt wird.
Jedoch ist bei der optischen Vorrichtung 10 gemäß
diesem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung der
optische Modulator 14 mit einem AuSn-Lot an dem Chipträ
ger 12 befestigt und ist der Chipträger 12 an dem exter
nen optischen System befestigt. Deshalb ändert sich die
Position des optischen Modulators 14 auch dann nicht,
wenn sich die Umgebungstemperatur ändert und die Kontak
tierungsflecken 18 thermisch deformiert werden, obgleich
sich die Position der Verbindungsübertragungsleitung 20
ändert.
Deshalb kann die positionelle Abweichung des opti
schen Modulators 14 bezüglich des externen optischen Sy
stems, die durch eine Änderung der Umgebungstemperatur
verursacht wird, klein gemacht werden. Deshalb können
Verschlechterungen von Charakteristiken aufgrund einer
Abweichung einer optischen Achse oder dergleichen verhin
dert werden und erhält die Vorrichtung 10 eine hohe Sta
bilität einer optischen Achse.
Das heißt, kraft der Verwendung der Kontaktierungs
flecken 18 in dem elektrischen Signalübertragungsystem
erhält die optische Vorrichtung 10 eine hohe Stabilität
einer optischen Achse, während hervorragende Frequenzcha
rakteristiken aufrechterhalten werden.
Bei der Verbindungsübertragungsleitung 20 sind sowohl
die Signalverbindungsleitung 58 als auch die Masseverbin
dungsleitungen 60 in der Mitte in zwei Teile geteilt.
Deshalb ist jede der Signalverbindungsleitung 58 und der
Masseverbindungleitungen 60 in einen Abschnitt, der mit
der externen Signalleitung verbunden ist, und einen ab
schlußseitigen Abschnitt geteilt und daher gibt es im Ge
gensatz zu dem Fall des Aufbaus im Stand der Technik
keine Kurzschlußleitung, die sich parallel zu dem opti
schen Modulator 14 ausdehnt. Dies verhindert eine Verrin
gerung einer Signalleistung, die zu den p-seitigen Elek
trodenanschlußflächen 44 des optischen Modulators 14 zu
übertragen ist, und kann daher eine Verringerung eines
Modulationswirkungsgrads verhindern.
Weiterhin kann, da die Signalleitung 16b der ab
schlußseitigen Übertragungsleitung 16 über den Abschluß
widerstand 66 mit den Masseleitungen 16c verbunden ist,
die Dämpfung einer Signalleistung verringert werden, und
kann daher eine Verringerung eines Modulationswirkungs
grads verhindert werden.
Fig. 9 zeigt eine teilweise durchsichtige perspekti
vische Ansicht einer optischen Vorrichtung gemäß einer
Abwandlung des ersten Ausführungsbeispiels der vorliegen
den Erfindung. In Fig. 9 bezeichnet das Bezugszeichen 70
eine optische Vorrichtung. In der optischen Vorrichtung
70 ist das Verbindungsleitungssubstrat 56 der Verbin
dungsübertragungsleitung 60 in zwei Teile geteilt, um
eine Verbindungsübertragungsleitung 20a auf der Seite der
Übertragungsleitung 16, mit welcher eine externe Verdrah
tung (nicht gezeigt) verbunden ist, und eine Verbindungs
übertragungsleitung 20 auf der Seite der abschlußseitigen
Übertragungsleitung 16 auszubilden, welche der Struktur
entspricht, daß jede der Signalverbindungsleitung 58 und
der Masseverbindungsleitungen 60 in der Mitte in zwei
Teile geteilt ist.
Jede der Verbindungsübertragungsleitung 20a und der
abschlußseitigen Verbindungsübertragungsleitung 20b ist
mit der Signalverbindungsleitung 58 und den Masseverbin
dungsleitungen 60 versehen.
Die optische Vorrichtung 70 liefert die gleichen Vor
teile wie die zuvor beschriebene optische Vorrichtung 20.
Weiterhin kann, da die Verbindungsübertragungsleitung 20
in zwei Teile, das heißt die Verbindungsübertragungslei
tungen 20a und 20b, geteilt ist, der optische Wellenlei
tersteg 30 des optischen Modulators 14 von oben einfach
visuell erkannt werden. Da die Position der optischen
Wellenleiterschicht 34 einfach erkannt werden kann, wird
darin ein weiterer Vorteil erzielt, daß die optische Wel
lenleiterschicht 34 einfach optisch mit einem externen
optischen System (zum Beispiel optischen Fasern) gekop
pelt werden kann.
Fig. 10 zeigt eine teilweise durchsichtige perspekti
vische Ansicht einer optischen Vorrichtung gemäß einer
weiteren Abwandlung des ersten Ausführungsbeispiels der
vorliegenden Erfindung.
In Fig. 10 bezeichnet das Bezugszeichen 75 eine opti
sche Vorrichtung und bezeichnet das Bezugszeichen 20c
eine Verbindungsübertragungsleitung.
Bei der Verbindungsübertragungsleitung 20c der opti
schen Vorrichtung 75 ist jede der Signalverbindungslei
tung 58 und der Masseverbindungsleitungen 60 nicht in der
Mitte geteilt und ist statt dessen eine durchgängige Lei
tung. Deshalb weist die Verbindungsübertragungsleitung
20c eine Kurzschlußleitung auf, die sich parallel zu dem
optischen Modulator 14 ausdehnt, und daher ist eine Sig
nalleistung, die zu den p-seitigen Elektrodenanschlußflä
chen 44 des optischen Modulators 14 übertragen wird, ge
ringfügig kleiner als bei dem zuvor beschriebenen opti
schen Modulator 10. Jedoch liefert die optische Vorrich
tung 75 in den anderen Punkten die gleichen Vorteile wie
die optische Vorrichtung 10.
Wie es zuvor beschrieben worden ist, schafft die vor
liegende Erfindung eine optische Vorrichtung, die einen
Sockel für die optische Vorrichtung; einen optischen Mo
dulator, der eine hintere Oberfläche, die mit dem Sockel
verbunden ist, und eine vordere Oberfläche aufweist, an
der eine Signalelektrodenanschlußfläche und eine Masse
elektrodenanschlußfläche angeordnet sind; ein Paar von
Übertragungsleitungen, die auf dem Sockel auf beiden Sei
ten des optischen Modulators vorgesehen sind, und von de
nen jede eine Signalleitung und eine Masseleitung auf ei
ner vorderen Oberfläche eines ersten dielektrischen
Substrats aufweist; leitfähige Kontaktierungsflecken, die
auf Oberflächen der Signalleitung und der Masseleitung
von jeder der Übertragungsleitungen und auf Oberflächen
der Signalelektrodenanschlußfläche und der Masseelektro
denanschlußfläche des optischen Modulators vorgesehen
sind; und eine Verbindungsübertragungsleitung aufweist,
die eine Signalverbindungsleitung und eine Masseverbin
dungsleitung aufweist, die auf einer vorderen Oberfläche
eines zweiten dielektrischen Substrats vorgesehen sind,
die auf eine derartige Weise ausgerichtet ist, daß die
Signalverbindungsleitung und die Masseverbindungsleitung
den Kontaktierungsflecken gegenüberliegen, und die die
Kontaktierungsflecken auf den Elektrodenanschlußflächen
des optischen Modulators mittels der Signalverbindungs
leitung und der Masseverbindungsleitung mit den Kontak
tierungsflecken auf den Übertragungsleitungen verbindet.
Da der optische Modulator direkt an dem Sockel befestigt
werden kann, kann eine positionelle Abweichung von einem
externen optischen System verhindert werden, die anson
sten durch eine positionelle Änderung des optischen Modu
lators aufgrund einer thermischen Deformation der Kontak
tierungsflecken verursacht werden würde. Die Verwendung
der Kontaktierungsflecken ermöglicht es, Verschlechterun
gen von optischen Charakteristiken aufgrund einer Abwei
chung einer optischen Achse oder dergleichen zu verhin
dern, während hervorragende Frequenzcharakteristiken auf
rechterhalten werden. Deshalb kann eine optische Vorrich
tung, die eine hohe Stabilität einer optischen Achse auf
weist, ausgebildet werden, während hervorragende Fre
quenzcharakteristiken aufrechterhalten werden.
Jede der Übertragungsleitungen und der Verbindungs
übertragungsleitung ist eine koplanare Leitung und in dem
optischen Modulator ist eine Mehrzahl von Masseelektro
denanschlußflächen in einer Anzahl vorgesehen, die gleich
der Anzahl von Masseleitungen von jeder der Übertragungs
leitungen ist. Dies vereinfacht die Strukturen der Über
tragungsleitungen und der Verbindungsübertragungsleitung.
Deshalb kann eine billige optische Vorrichtung ausgebil
det werden.
Signalelektrodenanschlußflächen und Masseelektroden
anschlußflächen sind auf der vorderen Oberfläche des op
tischen Modulators auf beiden Seiten einer optischen Wel
lenleiterschicht vorgesehen, die eine Lichtabsorptions
schicht aufweist, die in dem optischen Modulator vorgese
hen ist, und jede der Signalverbindungsleitung und der
Masseverbindungsleitung oder -leitungen der Verbindungs
übertragungsleitung ist in zwei Teile geteilt, die den
Signalelektrodenanschlußflächen oder den Masseelektroden
anschlußflächen entsprechen, die auf beiden Seiten der
optischen Wellenleiterschicht angeordnet sind. Dies kann
eine Signalleistung verringern, die nicht durch die Vor
richtungsseite geht, und kann daher eine Verringerung ei
nes Modulationswirkungsgrads verhindern. Deshalb kann
eine optische Vorrichtung ausgebildet werden, die einen
hohen Modulationswirkungsgrad aufweist.
Die Verbindungsübertragungsleitung ist in zwei Teile
geteilt, die zwei jeweiligen Sätzen einer Teilsignalver
bindungsleitung und Teilmasseverbindungsleitung oder
-leitungen entsprechen. Da die Position des optischen Wel
lenleiters des optischen Modulators einfach visuell von
oben erkannt werden kann, kann ein optisches Koppeln an
ein externes optisches Systems einfach durchgeführt wer
den. Deshalb kann eine einfach montierbare optische Vor
richtung ausgebildet werden.
Weiterhin ist die Signalleitung von einer des Paars
von Übertragungsleitungen über einen Abschlußwiderstand
mit der Masseleitung oder -deitungen verbunden. Dies kann
die Impedanzanpassung verbessern und kann daher den Modu
lationswirkungsgrad erhöhen. Deshalb kann eine optische
Vorrichtung ausgebildet werden, die einen hohen Modula
tionswirkungsgrad aufweist.
Die vorliegende Erfindung schafft ebenso ein
Herstellungsverfahren einer optischen Vorrichtung, daß
die Schritte eines Vorbereitens eines Sockels für die op
tische Vorrichtung, der einen Verbindungsabschnitt auf
weist; eines Verbindens einer hinteren Oberfläche eines
optischen Modulators, der eine Signalelektrodenanschluß
fläche und eine Masseelektrodenanschlußfläche auf einer
vorderen Oberfläche aufweist, mit dem Verbindungsab
schnitt des Sockels; eines Vorsehens eines Paars von
Übertragungsleitungen, von denen jede eine Signalleitung
und eine Masseleitung auf einer vorderen Oberfläche eines
ersten dielektrischen Substrats aufweist, auf beiden Sei
ten des Verbindungsabschnitts des Sockels; eines Ausbil
dens von leitfähigen Kontaktierungsflecken auf Oberflä
chen der Signalelektrodenanschlußfläche und der Masse
elektrodenanschlußfläche des optischen Modulators und auf
Oberflächen der Signalleitung und der Masseleitung von
jeder der Übertragungsleitungen; und eines Ausrichtens
einer Verbindungsübertragungsleitung, die eine Signalver
bindungsleitung und eine Masseverbindungsleitung auf ei
ner vorderen Oberfläche eines zweiten dielektrischen
Substrats aufweist, auf eine derartige Weise, daß die
Signalverbindungsleitung und die Masseverbindungsleitung
den Kontaktierungsflecken gegenüberliegen, und Verbindens
der Kontaktierungsflecken auf den Elektrodenanschlußflä
chen des optischen Modulators mittels der Signalverbin
dungsleitung und der Masseverbindungsleitung mit den Kon
taktierungsflecken auf den Übertragungsleitungen auf
weist. Dieses Herstellungsverfahren ermöglicht es, eine
optische Vorrichtung, die eine hohe Stabilität einer op
tischen Achse aufweist, durch ein einfaches Verfahren
herzustellen, während hervorragende Frequenzcharakteri
stiken aufrechterhalten werden. Deshalb kann eine opti
sche Vorrichtung, die eine hohe Stabilität einer opti
schen Achse und hervorragende Frequenzcharakteristiken
aufweist, mit niedrigen Kosten hergestellt werden.
Claims (6)
1. Optische Vorrichtung, die aufweist:
einen Sockel (12) für die optische Vorrichtung;
einen optischen Modulator (14), der eine hintere Oberfläche, die mit dem Sockel (12) verbunden ist, und eine vordere Oberfläche aufweist, an der eine Signalelek trodenanschlußfläche (44) und eine Masselektrodenan schlußfläche (42) angeordnet sind;
ein Paar von Übertragungsleitungen (16), die auf dem Sockel (12) auf beiden Seiten des optischen Modulators (14) vorgesehen sind und von denen jede eine Signallei tung (16b) und eine Masseleitung (16c) auf einer vorderen Oberfläche eines ersten dielektrischen Substrats (16a) aufweist;
leitfähige Kontaktierungsflecken (18), die auf Ober flächen der Signalleitung und der Masseleitung von jeder der Übertragungsleitungen und auf Oberflächen der Signal elektrodenanschlußfläche (44) und der Masselektrodenan schlußfläche (42) des optischen Modulators (14) vorgese hen sind; und
eine Verbindungsübertragungsleitung (20), die eine Signalverbindungsleitung (58) und ein Masseverbindungs leitung (60) aufweist, die auf einer vorderen Oberfläche eines zweiten dielektrischen Substrats (56) vorgesehen sind, wobei die Verbindungsübertragungsleitung (20) auf eine derartige Weise ausgerichtet ist, daß die Signalver bindungsleitung (58) und die Masseverbindungsleitung (60) den Kontaktierungsflecken (18) gegenüberliegen, wobei die Verbindungsübertragungsleitung (20) die Kontaktierungs flecken (18) auf den Elektrodenanschlußflächen des opti schen Modulators (14) mittels der Signalverbindungslei tung (58) und der Masseverbindungsleitung (60) mit den Kontaktierungsflecken (18) auf den Übertragungsleitungen (16) verbindet.
einen Sockel (12) für die optische Vorrichtung;
einen optischen Modulator (14), der eine hintere Oberfläche, die mit dem Sockel (12) verbunden ist, und eine vordere Oberfläche aufweist, an der eine Signalelek trodenanschlußfläche (44) und eine Masselektrodenan schlußfläche (42) angeordnet sind;
ein Paar von Übertragungsleitungen (16), die auf dem Sockel (12) auf beiden Seiten des optischen Modulators (14) vorgesehen sind und von denen jede eine Signallei tung (16b) und eine Masseleitung (16c) auf einer vorderen Oberfläche eines ersten dielektrischen Substrats (16a) aufweist;
leitfähige Kontaktierungsflecken (18), die auf Ober flächen der Signalleitung und der Masseleitung von jeder der Übertragungsleitungen und auf Oberflächen der Signal elektrodenanschlußfläche (44) und der Masselektrodenan schlußfläche (42) des optischen Modulators (14) vorgese hen sind; und
eine Verbindungsübertragungsleitung (20), die eine Signalverbindungsleitung (58) und ein Masseverbindungs leitung (60) aufweist, die auf einer vorderen Oberfläche eines zweiten dielektrischen Substrats (56) vorgesehen sind, wobei die Verbindungsübertragungsleitung (20) auf eine derartige Weise ausgerichtet ist, daß die Signalver bindungsleitung (58) und die Masseverbindungsleitung (60) den Kontaktierungsflecken (18) gegenüberliegen, wobei die Verbindungsübertragungsleitung (20) die Kontaktierungs flecken (18) auf den Elektrodenanschlußflächen des opti schen Modulators (14) mittels der Signalverbindungslei tung (58) und der Masseverbindungsleitung (60) mit den Kontaktierungsflecken (18) auf den Übertragungsleitungen (16) verbindet.
2. Optische Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei jede
der Übertragungsleitungen (16) und der Verbindungsüber
tragungsleitung (20) eine koplanare Leitung ist und der
optische Modulator (14) mit einer Mehrzahl von Masseelek
trodenanschlußflächen (42) in einer Anzahl versehen ist,
die gleich der Anzahl von Masseleitungen (16c) von jeder
der Übertragungsleitungen (16) ist.
3. Optische Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wo
bei Signalelektrodenanschlußflächen (44) und Masseelek
trodenanschlußflächen (42) auf der vorderen Oberfläche
des optischen Modulators (14) auf beiden Seiten einer op
tischen Wellenleiterschicht vorgesehen sind, die eine
Lichtabsorptionsschicht aufweist, die in dem optischen
Modulator (14) vorgesehen ist, und die Signalverbindungs
leitung (58) der Verbindungsübertragungsleitung (20) in
zwei Teile geteilt ist, die den Signalelektrodenanschluß
flächen (44) entsprechen, die auf beiden Seiten der opti
schen Wellenleiterschicht angeordnet sind.
4. Optische Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei die
Verbindungsübertragungsleitung (20) in zwei Teile geteilt
ist, die einer Teilsignalverbindungsleitung entsprechen.
5. Optische Vorrichtung nach einem der vorhergehen
den Ansprüche, wobei die Signalleitung (16b) von einer
des Paars von Übertragungsleitungen (16) über einen Ab
schlußwiderstand mit der oder den Masseleitungen (16c)
verbunden ist.
6. Herstellungsverfabren einer optischen Vorrich
tung, das die folgenden Schritte aufweist:
Vorbereiten eines Sockels (12) für die optische Vor richtung, der einen Verbindungsabschnitt aufweist;
Verbinden einer hinteren Oberfläche eines optischen Modulators (14), der eine Signalelektrodenanschlußfläche (44) und eine Masseelektrodenanschlußfläche (42) auf ei ner vorderen Oberfläche aufweist, mit dem Verbindungsab schnitt des Sockels;
Vorsehen eines Paars von Übertragungsleitungen (16), von denen jede eine Signalleitung (16b) und eine Masse leitung (16c) auf einer vorderen Oberfläche eines ersten dielektrischen Substrats aufweist, auf beiden Seiten des Verbindungsabschnitts des Sockels (12);
Ausbilden von leitfähigen Kontaktierungsflecken (18) auf Oberflächen der Signalelektrodenanschlußfläche (44) und der Masseelektrodenanschlußfläche (42) des optischen Modulators (14) und auf Oberflächen der Signalleitung (16b) und der Masseleitung (16c) von jeder der Übertra gungsleitungen (16); und
Ausrichten einer Verbindungsübertragungsleitung (20), die eine Signalverbindungsleitung (58) und eine Massever bindungsleitung (60) auf einer vorderen Oberfläche eines zweiten dielektrischen Substrats aufweist, auf eine der artige Weise, daß die Signalverbindungsleitung (58) und die Masseverbindungsleitung (60) den Kontaktierungsflec ken (18) gegenüberliegen, und Verbinden der Kontaktie rungsflecken (18) auf den Elektrodenanschlußflächen des optischen Modulators (14) mittels der Signalverbindungs leitung (58) und der Masseverbindungsleitung (60) mit den Kontaktierungsflecken (18) auf den Übertragungsleitungen (16).
Vorbereiten eines Sockels (12) für die optische Vor richtung, der einen Verbindungsabschnitt aufweist;
Verbinden einer hinteren Oberfläche eines optischen Modulators (14), der eine Signalelektrodenanschlußfläche (44) und eine Masseelektrodenanschlußfläche (42) auf ei ner vorderen Oberfläche aufweist, mit dem Verbindungsab schnitt des Sockels;
Vorsehen eines Paars von Übertragungsleitungen (16), von denen jede eine Signalleitung (16b) und eine Masse leitung (16c) auf einer vorderen Oberfläche eines ersten dielektrischen Substrats aufweist, auf beiden Seiten des Verbindungsabschnitts des Sockels (12);
Ausbilden von leitfähigen Kontaktierungsflecken (18) auf Oberflächen der Signalelektrodenanschlußfläche (44) und der Masseelektrodenanschlußfläche (42) des optischen Modulators (14) und auf Oberflächen der Signalleitung (16b) und der Masseleitung (16c) von jeder der Übertra gungsleitungen (16); und
Ausrichten einer Verbindungsübertragungsleitung (20), die eine Signalverbindungsleitung (58) und eine Massever bindungsleitung (60) auf einer vorderen Oberfläche eines zweiten dielektrischen Substrats aufweist, auf eine der artige Weise, daß die Signalverbindungsleitung (58) und die Masseverbindungsleitung (60) den Kontaktierungsflec ken (18) gegenüberliegen, und Verbinden der Kontaktie rungsflecken (18) auf den Elektrodenanschlußflächen des optischen Modulators (14) mittels der Signalverbindungs leitung (58) und der Masseverbindungsleitung (60) mit den Kontaktierungsflecken (18) auf den Übertragungsleitungen (16).
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000319707A JP2002131712A (ja) | 2000-10-19 | 2000-10-19 | 光デバイスおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10128578A1 true DE10128578A1 (de) | 2002-05-08 |
Family
ID=18798119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10128578A Ceased DE10128578A1 (de) | 2000-10-19 | 2001-06-13 | Optische Vorrichtung und ihr Herstellungsverfahren |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6574379B2 (de) |
JP (1) | JP2002131712A (de) |
DE (1) | DE10128578A1 (de) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3914428B2 (ja) * | 2001-12-10 | 2007-05-16 | 株式会社日立製作所 | 光送信装置、光受信装置 |
US6707679B2 (en) * | 2002-03-20 | 2004-03-16 | Tektronix, Inc. | Butt joined opto-electronic module |
US7024057B2 (en) * | 2002-09-16 | 2006-04-04 | Triquint Technology Holding Co. | Optical device having dual microstrip transmission lines with a low-k material and a method of manufacture thereof |
US20040064050A1 (en) * | 2002-09-20 | 2004-04-01 | Jun Liu | System and method for screening tissue |
US7079559B2 (en) * | 2003-02-25 | 2006-07-18 | Tyco Electronics Corporation | Flip-chip automatically aligned optical device |
WO2005011072A1 (en) * | 2003-06-24 | 2005-02-03 | Emcore Corporation | Mechanical protection for semiconductor edge-emitting ridge waveguide lasers |
JP4727916B2 (ja) * | 2003-10-22 | 2011-07-20 | 富士通株式会社 | 光デバイスモジュール |
CN1645172A (zh) * | 2004-01-22 | 2005-07-27 | 松下电器产业株式会社 | 光传送路基板、光传送路内置基板、及它们的制造方法 |
US7773330B2 (en) * | 2005-04-15 | 2010-08-10 | Seagate Technology Llc | Apparatus for excitation, enhancement, and confinement of surface electromagnetic waves for confined optical power delivery |
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DE102014203925B4 (de) * | 2014-03-04 | 2016-06-02 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Elektro-optischer Modulator und Verfahren zum Herstellen eines elektro-optischen Modulators |
JP6510966B2 (ja) * | 2015-12-07 | 2019-05-08 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ及び光半導体モジュール |
JP6183479B2 (ja) * | 2016-01-28 | 2017-08-23 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器及びそれを用いた光送信装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5228101A (en) * | 1992-03-02 | 1993-07-13 | Motorola, Inc. | Electrical to optical links using metalization |
CA2103611A1 (en) * | 1992-08-11 | 1994-02-12 | Hiromi Kurashima | Optical module with improved grounding of an optical element |
US5412748A (en) * | 1992-12-04 | 1995-05-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical semiconductor module |
DE69434105T2 (de) | 1993-08-09 | 2005-10-20 | Nippon Telegraph And Telephone Corp. | Optoelektronische Hybridintegrationsplattform, optisches Untermodul, optoelektronische hybridintegrierte Schaltung, und Herstellungsverfahren der Plattform |
JP3598408B2 (ja) | 1996-08-07 | 2004-12-08 | 富士通株式会社 | 集積回路パッケージ |
JP2924953B2 (ja) * | 1996-11-05 | 1999-07-26 | 日本電気株式会社 | 光素子の実装構造 |
DE19653094A1 (de) * | 1996-12-20 | 1998-06-25 | Alsthom Cge Alcatel | Photonisches Bauelement mit elektrischen Leiterbahnen |
JP3662402B2 (ja) | 1997-11-07 | 2005-06-22 | 三菱電機株式会社 | 光半導体モジュール |
US6343171B1 (en) * | 1998-10-09 | 2002-01-29 | Fujitsu Limited | Systems based on opto-electronic substrates with electrical and optical interconnections and methods for making |
-
2000
- 2000-10-19 JP JP2000319707A patent/JP2002131712A/ja active Pending
-
2001
- 2001-02-09 US US09/779,840 patent/US6574379B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-13 DE DE10128578A patent/DE10128578A1/de not_active Ceased
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6574379B2 (en) | 2003-06-03 |
US20020048421A1 (en) | 2002-04-25 |
JP2002131712A (ja) | 2002-05-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: G02F 1025 |
|
8131 | Rejection |