DE10109643A1 - Dünnschicht-Photovoltaikmodul aus mehreren Teilmodulen und Herstellungsverfahren hierfür - Google Patents
Dünnschicht-Photovoltaikmodul aus mehreren Teilmodulen und Herstellungsverfahren hierfürInfo
- Publication number
- DE10109643A1 DE10109643A1 DE10109643A DE10109643A DE10109643A1 DE 10109643 A1 DE10109643 A1 DE 10109643A1 DE 10109643 A DE10109643 A DE 10109643A DE 10109643 A DE10109643 A DE 10109643A DE 10109643 A1 DE10109643 A1 DE 10109643A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- modules
- sub
- module
- thin
- further characterized
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000009975 flexible effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 101150107341 RERE gene Proteins 0.000 description 1
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 210000003608 fece Anatomy 0.000 description 1
- 239000000077 insect repellent Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
- H01L31/0468—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising specific means for obtaining partial light transmission through the module, e.g. partially transparent thin film solar modules for windows
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
- H01L31/0488—Double glass encapsulation, e.g. photovoltaic cells arranged between front and rear glass sheets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Die Erfindung bezieht sich auf ein Dünnschicht-Photovoltaikmodul, das aus mehreren einzelnen, miteinander elektrisch verschaltbaren Teilmodulen (T¶1¶ bis T¶n¶) aufgebaut ist, und auf ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Moduls. DOLLAR A Erfindungsgemäß beinhalten die Teilmodule jeweils mehrere, integriert serienverschaltete Photovoltaik-Einzelzellen (Z¶1¶ bis Z¶m¶) und werden durch Zerteilen wenigstens eine Ursprungsmoduls, das mehrere, über Sereienverschaltungslinien integriert serienverschaltete Photovoltaikzelleneinheiten beinhaltet, entlang von zu den Serienverschaltungslinien nicht-parallelen Trennlinien gebildet, DOLLAR A Verwendung z. B. als Solarmodule.
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Dünnschicht-Photovoltaik
modul, das aus mehreren einzelnen, miteinander elektrisch ver
schalteten Teilmodulen aufgebaut ist, und auf ein Verfahren
zur Herstellung desselben.
Bei einem in der Patentschrift US 5.330.585 beschriebenen
Dünnschicht-Photovoltaikmodul dieser Art bestehen die Teilmo
dule jeweils aus einer einzigen Photovoltaik-Einzelzelle. Die
Einzelzellen, bei denen es sich um GaAs-Solarzellen handelt,
werden gemeinsam in feldförmiger Anordnung auf einem Ge-Wafer
gebildet, der dann in die Einzelzellen zerteilt wird. Die Ein
zelzellen werden anschließend mit ihrer Substratfläche vonein
ander physikalisch und elektrisch isoliert wiederum in feld
förmiger Anordnung auf eine gemeinsame Unterlage gebondet.
Dann werden die Einzelzellen miteinander durch manuelle Ver
drahtung in gewünschter Weise elektrisch verschaltet.
Ein solches Zerteilen des ursprünglichen, generischen Wafers
in die Einzelzellen und das Aufbringen jeder einzelnen Zelle
auf die Unterlage sowie das anschließende manuelle Verdrahten
der einzelnen Zellen untereinander hat einen relativ hohen
Herstellungsaufwand zur Folge, insbesondere für Module, die
eine Vielzahl einzelner Zellen beinhalten.
Alternativ ist es bekannt, Dünnschicht-Photovoltaikmodule, die
mehrere und vorzugsweise eine Vielzahl von miteinander elekt
risch verschalteten Einzelzellen beinhalten, in monolithisch
integrierter Form herzustellen, d. h. die Einzelzellen werden
auf einem gemeinsamen Substrat gebildet und dabei durch geeig
nete Strukturierungsprozesse miteinander integriert elektrisch
verschaltet. So kann das Modul beispielsweise aus einer Viel
zahl von Einzelzellen aufgebaut sein, die integriert serien
verschaltet sind. Verschiedene Typen solcher Module aus integ
riert serienverschalteten Einzelzellen und geeignete Verfahren
zu deren Herstellung sind in der Offenlegungsschrift DE 199 34 560 A1
und der dort zitierten Literatur offenbart. Üblich ist
hierbei insbesondere eine Aufteilung der Modulfläche in strei
fenförmige Einzelzellen, die integriert serienverschaltet ne
beneinander liegen. Der die integrierte Serienverschaltung be
wirkende elektrische Kontakt von Rückkontaktschicht einer Zel
le und Frontkontaktschicht einer benachbarten Zelle kann je
nach Anwendungsfall auf der ganzen Länge oder nur in bestimm
ten Abschnitten entlang einer zugehörigen Serienverschaltungs
linie zwischen je zwei streifenförmigen Einzelzellen gebildet
sein.
Je großflächiger derartige monolithische Photovoltaikmodule
sind, um so stärker können sich lokale Defekte, wie punktuelle
elektrische Kurzschlüsse oder mechanische Risse, über einen
größeren Modulbereich hinweg auswirken oder ausbreiten, was zu
Wirkungsgradverlusten bis hin zum völligen Ausfall des Moduls
führen kann.
Für manche Anwendungen werden sogenannte teil- oder semitrans
parente Module gewünscht, die einen gewissen Anteil von durch
sichtigen Bereichen aufweisen, so dass ein Teil des auftreffenden
Lichtes durch das Modul hindurchtritt und diesem ein
teiltransparentes Aussehen gibt. Bei monolithisch integriert
gefertigten Modulen ist es dazu bekannt, in die Schichtfolge
des Moduls ein Muster von Öffnungen einzubringen, die mit ei
nem transparenten Material gefüllt werden können, siehe z. B.
die Patentschrift US 5.254.179. Dies geht zwangsläufig mit ei
nem gewissen Wirkungsgradverlust bezogen auf die produzierte
Absorberfläche einher, d. h. bezogen auf die produzierte Fläche
an photovoltaisch aktiver Absorberschicht.
Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstellung
eines Dünnschicht-Photovoltaikmoduls der eingangs genannten
Art, das auch bei relativ großer Modulfläche und/oder bei
teiltransparenter Auslegung einen vergleichsweise hohen Wir
kungsgrad ermöglicht und bei dem die Auswirkungen lokaler De
fekte relativ beschränkt bleiben, sowie eines Verfahrens zur
Herstellung eines solchen Moduls zugrunde.
Die Erfindung löst dieses Problem durch die Bereitstellung ei
nes Dünnschicht-Photovoltaikmoduls mit den Merkmalen des An
spruchs 1 sowie auf ein Herstellungsverfahren hierfür mit den
Merkmalen des Anspruchs 7.
Dieses erfindungsgemäße Dünnschicht-Photovoltaikmodul ist cha
rakteristischerweise aus speziellen Teilmodulen aufgebaut, die
durch Zerteilen eines oder mehrerer monolithisch gefertigter
Ursprungsmodule gebildet sind, wobei jedes Ursprungsmodul meh
rere, über Serienverschaltungslinien integriert serienver
schaltete Photovoltaikzelleneinheiten beinhaltet. Das Zertei
len erfolgt entlang von Trennlinien, die senkrecht oder in ei
nem Schrägwinkel nicht parallel zu den Serienverschaltungsli
nien verlaufen, wodurch die Teilmodule jeweils mehrere integ
riert serienverschaltete Photovoltaik-Einzelzellen beinhalten.
Es konnte von den Erfindern festgestellt werden, dass für das
erfindungsgemäße Photovoltaikmodul, das aus den Teilmodulen
aufgebaut ist, die durch das Zerteilen des oder der Ursprungs
module entstehen, bei ansonsten unveränderten Parametern ein
höherer Wirkungsgrad erzielt werden kann als für das bzw. die
Ursprungsmodule. Eine Ursache hierfür kann darin begründet
sein, dass durch den Aufbau des Photovoltaikmoduls aus mehre
ren einzelnen Teilmodulen Defekte in ihrer Wirkung auf das je
weilige Teilmodul beschränkt bleiben und sich nicht über einen
größeren Bereich der Modulfläche ausdehnen können.
In einer Weiterbildung der Erfindung nach Anspruch 2 bzw. 8
werden die Teilmodule in einem vorgebbaren Anordnungsmuster
auf eine gemeinsame Unterlage aufgebracht, wobei besonders
vorteilhaft ist, dass das Anordnungsmuster frei wählbar ist,
was beliebige Designrealisierungen für das Modul ermöglicht.
Insbesondere können in weiterer Ausgestaltung der Erfindung
nach Anspruch 3 bzw. 9 die Teilmodule mit vorgebbarem Abstand
voneinander auf eine transparente und/oder flexible Unterlage
aufgebracht sein. Im Fall einer transparenten Unterlage ergibt
sich dadurch auf sehr einfache Weise die Möglichkeit, teil
transparente Module zu realisieren, bei denen die Zwischenräu
me zwischen den Teilmodulen lichtdurchlässig sind. Im Fall ei
ner flexiblen Unterlage erlauben die Zwischenräume das Biegen
der Unterlage und damit die Realisierung eines gebogenen Mo
duls auch dann, wenn die Teilmodule selbst unflexible, starre
Bauteile sind.
Der Aufbau des Moduls aus einzelnen Teilmodulen ermöglicht
auch die Realisierung nicht-planer Module, z. B. von Modulen
mit lamellenjalousieartig angeordneten Teilmodulen, wie im An
spruch 4 bzw. 10 angegeben. Dies erlaubt z. B. bei im Einbauzu
stand vertikal an einer Gebäudefassade angebrachten Modulen
eine Steigerung der Energieausbeute im Vergleich zu einem pla
nen Modul, da die einzelnen Teilmodule in einem günstigen Win
kel zur Sonne ausgerichtet sein können, der schräg zur Vertikalen
liegt. Gleichzeitig ermöglichen solche lamellenjalousie
artigen Module eine blinkwinkelabhängige Teiltransparenz.
In einer weiteren Ausgestaltung dieses Modultyps werden gemäß
Anspruch 5 bzw. 11 die lamellenjalousieartig angeordneten
Teilmodule in einem Hohlraum von einem Füllmedium umgeben,
dessen Brechungsindex auf denjenigen eines für die Teilmodule
verwendeten Substrats abgestimmt ist. Damit lassen sich vor
teilhafte optische Effekte erreichen, z. B. eine quasi optische
Unsichtbarkeit des Substrats der Teilmodule bei gleichem Bre
chungsindex von Füllmedium und Substrat, was dem Modul ein
schlankes Aussehen verleiht, da von außen nur noch die auf die
jeweiligen Substrate der Teilmodule aufgebrachten Schichten
optisch sichtbar sind.
Besonders vorteilhaft ist zudem eine Weiterbildung der Erfin
dung nach Anspruch 6 bzw. 12, wonach die Teilmodule zum Aufbau
des Photovoltaikmoduls aus einer größeren Anzahl von Teilmodu
len nach dem Kriterium möglichst gleicher photovoltaischer
Leistungscharakteristik ausgewählt werden. Dies minimiert
stärkere Abweichungen im Leistungsvermögen der einzelnen Teil
module und folglich verschiedener Bereiche des Photovoltaikmo
duls und minimiert diesbezügliche Fehlanpassungen. Dadurch
lassen sich Photovoltaikmodule mit über ihre Modulfläche hin
weg weitestgehend homogenem Leistungsvermögen realisieren,
insbesondere ist auf diese Weise eine gezielte Erzeugung von
Höchstleistungsmodulen möglich.
Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den
Zeichnungen dargestellt und werden nachfolgend beschrieben.
Hierbei zeigen:
Fig. 1 eine schematische Perspektivansicht eines planen Pho
tovoltaikmoduls mit mehreren parallel nebeneinander
liegenden und elektrisch parallel geschalteten Teilmo
dulen,
Fig. 2 eine schematische Draufsicht auf ein planes Photovol
taikmodul mit mehreren, sternförmig angeordneten Teil
modulen,
Fig. 3 eine schematische Stirnansicht eines Photovoltaikmo
duls mit lamellenjalousieartig angeordneten Teilmodu
len,
Fig. 4 eine schematische Perspektivansicht einer Teilmodulan
ordnung entsprechend Fig. 1, jedoch mit elektrisch se
riell geschalteten Teilmodulen, und
Fig. 5 eine schematische Perspektivansicht einer Teilmodulan
ordnung entsprechend Fig. 1, jedoch mit gemischter elek
trischer Serien und Parallelschaltung der Teilmodule.
Fig. 1 zeigt ein Dünnschicht-Photovoltaikmodul in Form eines
rechteckigen Solarmodul, das mehrere streifenförmige Teilmo
dule T1, . . ., Tn, nachfolgend Modulstreifen genannt, beinhaltet,
die in einer Reihe quer zu ihrer Längsrichtung nebeneinander
liegend angeordnet sind. Die Modulstreifen T1 bis Tn befinden
sich zwischen einer Front- und einer Rückabdeckung 1, 2, die
zwecks besserer Erkennbarkeit in Explosionsansicht voneinander
beabstandet wiedergegeben sind und z. B. von transparenten
Glasplatten oder Folien gebildet sein können.
Die Modulstreifen T1 bis Tn entstammen einem Zerteilungspro
zess, bei dem ein oder mehrere, nicht gezeigte Ursprungsmodule
in entsprechende Modulstreifen zerteilt werden. Diese Ursprungs
module sind von einem herkömmlichen Typ mit einer Schichtfolge
aus Substrat, z. B. einem Glassubstrat, einer ersten Kontakt
schichtstruktur, z. B. einer Rückkontaktstruktur, einem photo
voltaisch aktiven Absorberschichtaufbau, z. B. aus amorphen Si
lizium, Kadmiumtellurid oder Kupferindiumdiselenid, und einer
zweiten Kontaktschichtstruktur, z. B. einer Frontkontaktstruktur.
Dabei ist jedes Ursprungsmodul vom monolithischen, integ
riert serienverschalteten Typ, d. h. es besteht aus mehreren
streifenförmigen Photovoltaikzelleneinheiten, die nebeneinan
derliegend und über Serienverschaltungslinien integriert se
rienverschaltet angeordnet sind.
Das Zerteilen erfolgt längs von zu den Serienverschaltungsli
nien nicht-parallelen Trennlinien, im gezeigten Beispiel sind
die Trennlinien senkrecht zu den Serienverschaltungslinien,
alternativ ist aber je nach Gestaltungswünschen ein schräger
Trennlinienverlauf mit gewünschtem Schrägwinkel möglich. Da
durch besteht jeder Modulstreifen T1 bis Tn aus mehreren, in
Streifenlängsrichtung aufeinanderfolgenden Photovoltaik-Ein
zelzellen Z1 bis Zm, die über den jeweiligen Teil S1, . . ., Sm-1 der
ursprünglichen Serienverschaltungslinien des bzw. der Ur
sprungsmodule integriert serienverschaltet sind, wie in Fig. 1
für den Modulstreifen T1 stellvertretend für alle Modulstreifen
T1 bis Tn explizit angegeben. Beispielsweise können rechteckige
Ursprungsmodule mit den Abmessungen 30 cm × 40 cm hergestellt und
nach dem letzten Prozessschritt der Modulfertigung auf einem
Schneidetisch durch Ritzen und Brechen in jeweils 40 Modul
streifen von 1 cm Breite zerteilt werden. Alternativ kann eine
unterschiedliche Breite der Modulstreifen gewählt werden, wenn
größere Gestaltungsfreiräume für das aus solchen geschnittenen
Teilmodulen zusammengesetzte Modul gewünscht werden.
Bevorzugt werden die Modulstreifen T1 bis Tn, aus denen ein zu
gehöriges Modul zusammengesetzt wird, aus einer demgegenüber
größeren Anzahl p von Modulstreifen, mit p < n, ausgewählt, die
von einer Zerteilung eines oder mehrerer Ursprungsmodule stam
men. Dazu werden alle p Modulstreifen hinsichtlich ihrer pho
tovoltaischen Leistungscharakteristik vermessen, z. B. in einem
Sonnensimulator, und nach ihrer gemessenen Leistungscharakte
ristik sortiert. Für das jeweilige zusammengesetzte Modul wer
den dann die n Modulstreifen T1 bis Tn nach dem Kriterium mög
lichst gleicher Leistungscharakteristik aus den vorhandenen p
Modulstreifen ausgewählt. Dadurch lässt sich das jeweilige
Photovoltaikmodul aus Modulstreifen T1 bis Tn mit relativ homo
gener photovoltaischer Leistungscharakteristik aufbauen, was
zu einem verbesserten Wirkungsgrad des zusammengesetzten Mo
duls führen kann. Insbesondere lassen sich auf diese Weise
sehr einfach durch geeignete Auswahl der Modulstreifen
zusammengesetzte Höchstleistungsmodule herstellen.
Die für ein bestimmtes Photovoltaikmodul ausgewählten Modul
streifen T1 bis Tn werden dann im Beispiel von Fig. 1 auf der
einen Abdeckung 1 als gemeinsamer Unterlage parallel nebenein
anderliegend angeordnet und in herkömmlicher Weise elektrisch
parallelgeschaltet, indem die außenseitigen Einzelzellen Z1,
Zm der Modulstreifen T1 bis Tn auf jeder der beiden Seiten
durch je ein Kontaktbändchen 3, 4 miteinander verbunden wer
den.
Wie aus Fig. 1 weiter zu erkennen, sind die Modulstreifen T1
bis Tn jeweils mit einem vorgebbaren Abstand a voneinander an
geordnet. Die dadurch gebildeten Zwischenräume 5 zwischen den
Modulstreifen T1 bis Tn fungieren als teiltransparente Zwi
schenräume, die einfallendes Licht passieren lassen und dem
zusammengesetzten Modul ein teiltransparentes Aussehen verlei
hen. Wenn die Modulstreifen T1 bis Tn beispielsweise eine Brei
te von 1 cm aufweisen und sie in einem Abstand a von 2 mm ange
ordnet sind, führt dies zu einem teiltransparenten Modul mit
einem Teiltransparenzgrad von 20%. Ein Vorteil des so herge
stellten teiltransparenten Moduls besteht darin, dass die
Teiltransparenz im Gegensatz zu herkömmlichen subtraktiven
Verfahren, bei denen zu diesem Zweck ein Teil der zuvor aufge
brachten Schichten durch Ätzen oder eine andere Technik ent
fernt wird, ohne Verlust an beschichteter Fläche allein da
durch erzielt wird, dass die durch Zerteilen eines oder mehre
rer Ursprungsmodule gebildeten Modulstreifen mit entsprechen
dem Abstand voneinander zur Bildung des zusammengesetzten Mo
duls angeordnet werden.
Zusätzlich oder alternativ kann ein derartiges beabstandetes
Anordnen der Modulstreifen T1 bis Tn auch dazu dienen, ein zu
sammengesetztes Photovoltaikmodul mit gekrümmter Modulfläche
herzustellen. In diesem Fall werden die Modulstreifen T1 bis Tn
auf einer flexiblen Unterlage angeordnet, z. B. auf eine fle
xible Folie laminiert. Zur gegenüberliegenden Abdeckung kann
ein gleichfalls flexibles Material über den Modulstreifen T1
bis Tn angeordnet werden, z. B. wiederum eine flexible Folie.
Wenn in dieser Weise die Modulstreifen T1 bis Tn beabstandet
zwischen zwei flexible Folien laminiert sind, kann das zusam
mengesetzte Modul in zumindest einer Richtung, nämlich entlang
von zu den Zwischenräumen 5 parallelen Biegelinien, gebogen
werden, beispielsweise zylinderförmig, und zwar selbst dann,
wenn die Modulstreifen T1 bis Tn selbst nicht biegsam sind.
Fig. 2 zeigt ein weiteres planes Dünnschicht-Photovoltaikmodul
aus mehreren Modulstreifen M1 bis Mk, z. B. k = 12, die in ihrem
Aufbau und in ihrer Herstellung durch Fertigung und Zerteilung
eines oder mehrerer großflächigerer Ursprungsmodule den Modul
streifen T1 bis Tn der Fig. 1 entsprechen. Das zusammengesetzte
Modul von Fig. 2 unterscheidet sich von demjenigen der Fig. 1
dadurch, dass die Modulstreifen M1 bis Mk auf einer gemeinsamen
Unterlage 6 nicht parallel nebeneinander liegen, sondern stern
förmig mit von einem Modulmittelpunkt C radial verlaufenden
Modulstreifen-Längsachsen angeordnet sind.
Auch in diesem Beispiel sind die Modulstreifen M1 bis Mk, von
denen jeder aus mehreren, integriert serienverschalteten Ein
zelzellen besteht, elektrisch parallel geschaltet. Dazu ist
ein erstes Kontaktbändchen 7 entlang des äußeren Radius der
sternförmigen Modulstreifenanordnung geführt, das die radial
äußersten Einzelzellen der Modulstreifen M1 bis Mk elektrisch
unter Bereitstellung eines Pluspols des zusammengesetzten Mo
duls parallel schaltet, während ein zweites Kontaktbändchen 8
entlang des inneren Radius der sternförmigen Modulstreifenanordnung
verläuft und die radial innenliegenden Einzelzellen
der Modulstreifen unter Bereitstellung eines Minuspols des zu
sammengesetzten Moduls parallel schaltet.
Das Ausführungsbeispiel von Fig. 2 macht die hohe Gestaltungs
freiheit deutlich, die durch die Bildung des erfindungsgemäßen
Dünnschicht-Photovoltaikmoduls aus einzelnen Teilmodulen be
steht. Es versteht sich, dass dementsprechend erfindungsgemäße
Dünnschicht-Photovoltaikmodule mit beliebigen anderen Anord
nungsmustern von streifenförmigen oder andersartig gestalte
ten, durch Zerteilen eines oder mehrerer Ursprungsmodule ent
stehenden Teilmodule möglich sind.
Die Herstellung des Photovoltaikmoduls von Fig. 1 oder 2 kann
beispielsweise dadurch erfolgen, dass nach Zerteilung des oder
der Ursprungsmodule die zu verwendenden Modulstreifen T1 bis Tn
bzw. M1 bis Mk ausgewählt und in der gewünschten Art angeordnet
und nach der Kontaktierung mit den Kontaktbändchen unter Ver
wendung eines polymeren Klebematerials, z. B. EVA, auf einen
Träger laminiert werden, bei dem es sich z. B. um eine als
Frontplatte dienende Glasplatte handeln kann. Auf der gegen
überliegenden Seite kann eine abdichtende Schicht auflaminiert
werden, die z. B. die Rückabdeckung 13 bilden und aus einem Fo
lienmaterial bestehen kann, wie einer Verbundfolie aus Ted
lar®/Aluminium/PET. Zur Realisierung eines flexiblen Gesamtmo
duls wird ein Träger aus einem flexiblen, transparenten Poly
mer anstelle der genannten Glasplatte verwendet.
Fig. 3 zeigt ein Ausführungsbeispiel mit nicht-planer Anord
nung einer gewünschten Anzahl w von Modulstreifen J1 bis Jw,
die nach Art ihrer Herstellung durch Fertigen und geeignetes
Zerteilen eines oder mehrerer Ursprungsmodule und in ihrem
Aufbau den Modulstreifen T1 bis Tn bzw. M1 bis Mk der Fig. 1 und
2 entsprechen. Speziell veranschaulicht Fig. 3 eine lamellen
jalousieartige Anordnung der Modulstreifen J1 bis Jw, d. h.
letztere sind in der Art von Jalousielamellen in einer Reihe
parallel versetzt mit in Reihenrichtung schrägstehender Modul
ebene angeordnet. Jeder Modulstreifen J1 bis Jw besteht wieder
um, wie in der Seitenansicht von Fig. 3 zu erkennen, aus einem
Substrat 9 und einem darauf aufgebrachten, photovoltaisch ak
tiven Schichtaufbau 10. Senkrecht zur Zeichenebene besteht
jeder Modulstreifen J1 bis Jw aus einer Aufeinanderfolge von
integriert serienverschalteten Photovoltaik-Einzelzellen, wie
oben zu Fig. 1 erläutert.
Die lamellenjalousieartige Modulstreifenanordnung ist in einem
Hohlraum 11 aufgenommen, der von einer transparenten Front
platte 12, einer transparenten Rückplatte 13 und schmalseiti
gen Abschlüssen 14a, 14b begrenzt wird. In dieser Form kann
das lamellenjalousieartige Photovoltaikmodul z. B. vertikal an
einer Gebäudefassade angebracht werden, d. h. mit vertikal lie
gender Reihenrichtung der Modulstreifenreihe. Der Schrägwinkel
α, um den die Modulstreifen J1 bis Jw mit ihren Streifenebenen
gegenüber der Reihenrichtung und damit der Vertikalen geneigt
sind, ist so gewählt, dass zur Steigerung der Energieausbeute
Sonnenlicht 15 über einen möglichst langen Tageszeitraum hin
weg unter einem möglichst steilen Winkel auf die Ebene der Mo
dulstreifen J1 bis Jw einfällt, d. h. mit möglichst kleinem Win
kel zur Flächennormalen der Modulstreifen J1 bis Jw. Alternativ
oder zusätzlich zu einem festen Einbau der Modulstreifen J1 bis
Jw in den Hohlraum 11 und einer festen, z. B. vertikalen Plat
zierung des Gesamtmoduls kann eine variable, an die sich im
Tagesverlauf ändernde Sonneneinfallsrichtung angepasste An
bringung der einzelnen Modulstreifen J1 bis Jw im Hohlraum 11
und/oder des Gesamtmoduls an einem entsprechenden Modulträger
vorgesehen sein, so dass direktes Sonnenlicht über einen gro
ßen Teil des Tagesverlaufs unter einem relativ hohen Winkel
auf die Modulstreifen J1 bis Jw einfallen kann, gegebenenfalls
abhängig von der Orientierung des Gebäudes, an dem das
Gesamtmodul angeordnet wird.
Ein weiterer Vorteil der lamellenjalousieartigen Modulstrei
fenanordnung besteht darin, dass für gewisse Blickwinkel, im
Beispiel von Fig. 3 ist exemplarisch ein horizontaler Blick
winkel 16 gezeigt, eine Teiltransparenz des Gesamtmoduls gege
ben ist, deren Stärke von dem in Blickrichtung projizierten
Abstand der Modulstreifen J1 bis Jw abhängt. Es ergibt sich
folglich eine blickwinkelabhängige Teiltransparenz, die in ei
ner Blickrichtung parallel zu den Modulstreifenebenen nahezu
100% beträgt, da in dieser Blickrichtung nur der dünne Modul
streifen-Schichtaufbau den Lichtdurchgang begrenzt.
Zudem lässt sich bei Bedarf ein weiterer optischer Verschlan
kungseffekt für das lamellenjalousieartige Gesamtmodul errei
chen, wenn der Hohlraum 11 mit einem transparenten Füllmedium
gefüllt wird, das so gewählt ist, dass sein Brechungsindex we
nigstens annähernd demjenigen der transparent gewählten Modul
streifensubstrate 9 entspricht. Dadurch werden die Modulstrei
fensubstrate 9 optisch quasi unsichtbar. Der Betrachter nimmt
dann von den Modulstreifen J1 bis Jw nur noch den dünnen photo
voltaisch aktiven Schichtaufbau 10 wahr, was dem Modul insge
samt ein schlankes Aussehen gibt.
Die elektrische Kontaktierung der Modulstreifen J1 bis Jw und
damit deren elektrische Parallelschaltung erfolgt wiederum
über je ein zickzackförmig durchlaufendes Kontaktbändchen an
den gegenüberliegenden Modulstreifenenden, wobei in der An
sicht von Fig. 3 das eine durchlaufende Kontaktbändchen 17 zu
erkennen ist. Wie in Fig. 3 anhand des einen Kontaktbändchens
17 weiter zu erkennen, sind die Kontaktbändchen an einer Mo
dulschmalseite mit einem Anschlussende 17a durch den dortigen
Stirnseitenabschluss 14b hindurchgeführt.
Die Herstellung des lamellenjalousieartigen Photovoltaikmoduls
kann nach Zerteilung des oder der Ursprungsmodule und der Aus
wahl der zu verwendenden Modulstreifen J1 bis Jw dadurch erfol
gen, dass die Modulstreifen J1 bis Jw in der gewünschten Weise
zwischen den beiden Platten 12, 13 angeordnet werden, bei
spielsweise unter Zuhilfenahme von stützenden Kunststofftei
len. Der gesamte Verbund wird dann stirnseitig unter Verwen
dung der Abschlüsse 14a, 14b abgedichtet, wonach der Hohlraum
11 mit dem gewünschten Füllmedium befüllt wird, bei dem es
sich z. B. um ein Gießharz handeln kann, mit dem die Modul
streifenanordnung eingegossen wird.
Während in den Ausführungsbeispielen der Fig. 1 bis 3 die
Teilmodule jeweils elektrisch parallel geschaltet sind, ist es
selbstverständlich ohne weiteres möglich, die Teilmodule in
jeder beliebigen anderen Weise elektrisch zu verschalten. Bei
spielhaft ist dies in den Fig. 4 und 5 für eine jeweilige An
ordnung der mehreren streifenförmigen Teilmodule T1 bis Tn ge
mäß Fig. 1 gezeigt, wobei die Anzahl n in jedem Beispiel einen
gewünschten Wert haben kann und in den Fig. 4 und 5 der Ein
fachkeit halber nur die Teilmodule T1 bis Tn ohne ihre Front-
und Rückabdeckung wiedergegeben sind.
Dabei zeigt Fig. 4 ein Ausführungsbeispiel, bei dem alle Teil
module T1 bis Tn elektrisch in Reihe geschaltet sind. Dazu ist
eine erste, äußere Einzelzelle des ersten Moduls T1 mit einem
Pluspol 20 und eine letzte, äußere Einzelzelle des letzten Mo
duls Tn mit einem Minuspol 21 verbunden. Im übrigen sind auf
einanderfolgende Teilmodule Ti-1, Ti (2 ≦ i ≦ n) alternierend auf je
einer Seite elektrisch miteinander verbunden, indem dort ein
jeweiliger Kontaktsteg K1 bis Kn-1 die beiden zugehörigen äuße
ren Einzelzellen elektrisch verbindet. Zur Verdeutlichung die
ser elektrischen Reihenschaltung sind für jedes Teilmodul T1
bis Tn die Plus- und Minus-Polaritäten an beiden Enden in Fig.
4 angegeben.
Durch die Reihenschaltung entsteht ein Gesamtmodul mit ent
sprechend hoher Generatorspannung, wie dies für manche Anwen
dungen wünschenswert ist, z. B. bei Weidezäunen, Mückenabwehr
geräten und zum Diebstahlschutz. So können beispielsweise aus
einem Ursprungsmodul der Größe 60 cm × 120 cm, das zweihundert in
tegriert serienverschaltete Zelleneinheiten mit parallel zur
kürzeren Kante verlaufenden Serienverschaltungslinien beinhal
tet, durch Zerteilen sechzig Modulstreifen von 1 cm Breite mit
je zweihundert Einzelzellen und damit etwa 100 V Spannung ge
wonnen werden, die dann bei reiner Serienverschaltung eine
Ausgangsspannung von 600 V für das Solargeneratormodul liefern,
während sich im anderen Extremfall einer reinen Parallelschal
tung der Modulstreifen gemäß Fig. 1 eine Generatorausgangs
spannung von 100 V ergibt.
Fig. 5 zeigt ein Ausführungsbeispiel mit einer Mischform aus
elektrischer Serien- und Parallelschaltung. Dabei sind je drei
aufeinanderfolgende Teilmodule Ti, Ti+1, Ti+2 (1 ≦ i ≦ n - 2) in der zu
Fig. 4 beschriebenen Weise elektrisch in Reihe geschaltet. Da
durch entstehen aus den n Teilmodulen T1 bis Tn eine Anzahl n/3
von Teilmodulgruppen G1 bis Gn/3 aus je drei seriell geschalte
ten Teilmodulen. Diese Teilmodulgruppen G1 bis Gn/3 sind dann
elektrisch parallel geschaltet, indem sie jeweils mit ihrem
einen Anschlussende parallel an einen Pluspol 22 und mit ihrem
anderen Anschlussende parallel an einen Minuspol 23 ange
schlossen sind.
In analoger Weise können beliebige andere Verschaltungen der
Teilmodule T1 bis Tn realisiert werden. Dadurch kann eine ganze
Palette von gewünschten Generatorspannungen z. B. zwischen den
oben genannten Extremwerten von 100 V bis 6000 V eingestellt
werden. Die endgültige Generatorausgangsspannung kann somit in
einem sehr späten Schritt der Modulfertigung über das Ver
schaltungsschema festgelegt werden, ohne dass das Moduldesign
selbst geändert werden muss.
Die obige Beschreibung vorteilhafter Ausführungsbeispiele ver
deutlicht, dass das erfindungsgemäße Dünnschicht-Photovoltaik
modul in einfacher, auch für Massenfertigung geeigneter Weise
dadurch hergestellt wird, dass relativ großflächige Ursprungsmodule
mit integriert serienverschalteten Photovoltaikzellen
einheiten in Teilmodule verteilt werden, die dann ihrerseits
aus jeweils mehreren integriert serienverschalteten Photovol
taik-Einzelzellen bestehen und in einer gewünschten Anord
nungsstruktur zur Bildung des Gesamtmoduls angeordnet werden.
Durch den Aufbau aus den Teilmodulen können hierfür Teilmodule
mit gut zueinander passender Leistungscharakteristik ausge
wählt werden. Außerdem bleiben eventuelle Defekte auf das
betreffende Teilmodul begrenzt. Beides begünstigt die Erzie
lung hoher Wirkungsgrade für das Gesamtmodul. Außerdem lassen
sich sehr einfach und ohne Verlust an beschichteter Fläche
teiltransparente und/oder flexible Photovoltaikmodule reali
sieren.
Claims (12)
1. Dünnschicht-Photovoltaikmodul mit
einem Aufbau aus mehreren einzelnen, miteinander elektrisch verschalteten Teilmodulen (T1 bis Tn),
dadurch gekennzeichnet, dass
die Teilmodule (T1 bis Tn) jeweils mehrere integriert serien verschaltete Photovoltaik-Einzelzellen (Z1 bis Zm) beinhalten und durch Zerteilen wenigstens eines monolithisch gefertig ten Ursprungsmoduls, das mehrere, über Serienverschaltungs linien integriert serienverschaltete Photovoltaikzellenein heiten beinhaltet, entlang von zu den Serienverschaltungsli nien nicht-parallelen Trennlinien gebildet sind.
einem Aufbau aus mehreren einzelnen, miteinander elektrisch verschalteten Teilmodulen (T1 bis Tn),
dadurch gekennzeichnet, dass
die Teilmodule (T1 bis Tn) jeweils mehrere integriert serien verschaltete Photovoltaik-Einzelzellen (Z1 bis Zm) beinhalten und durch Zerteilen wenigstens eines monolithisch gefertig ten Ursprungsmoduls, das mehrere, über Serienverschaltungs linien integriert serienverschaltete Photovoltaikzellenein heiten beinhaltet, entlang von zu den Serienverschaltungsli nien nicht-parallelen Trennlinien gebildet sind.
2. Dünnschicht-Photovoltaikmodul nach Anspruch 1, weiter da
durch gekennzeichnet, dass die Teilmodule (T1 bis Tn) in einem
vorgebbaren Anordnungsmuster auf eine gemeinsame Unterlage (1)
aufgebracht sind.
3. Dünnschicht-Photovoltaikmodul nach Anspruch 2, weiter da
durch gekennzeichnet, dass die Teilmodule (T1 bis Tn) unter Be
lassung vorgebbarer Zwischenräume (5) auf eine transparente
und/oder flexible Unterlage (1) aufgebracht sind.
4. Dünnschicht-Photovoltaikmodul nach Anspruch 1, weiter da
durch gekennzeichnet, dass die Teilmodule (J1 bis Jw) lamellen
jalousieartig angeordnet sind.
5. Dünnschicht-Photovoltaikmodul nach Anspruch 4, weiter da
durch gekennzeichnet, dass die Teilmodule (J1 bis Jw) in einem
Hohlraum (11) zwischen zwei transparenten Abschlussplatten
(12, 13) lamellenjalousieartig angeordnet aufgenommen sind,
der mit einem Füllmedium gefüllt ist, dessen Brechungsindex
auf denjenigen eines Substratmaterials der Teilmodule abge
stimmt ist.
6. Dünnschicht-Photovoltaikmodul nach einem der Ansprüche 1
bis 5, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Teilmodule (T1
bis Tn) aus einer größeren Anzahl von Teilmodulen, die durch
Zerteilen des oder der Ursprungsmodule entstehen, nach dem
Kriterium möglichst gleicher photovoltaischer Leistungscharak
teristik ausgewählt sind.
7. Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-Photovoltaik
moduls mit den Merkmalen eines der Ansprüche 1 bis 6, bei dem
ein oder mehrere Ursprungsmodule gefertigt werden, die je weils mehrere, über Serienverschaltungslinien integriert se rienverschaltete Photovoltaikzelleneinheiten beinhalten,
dadurch gekennzeichnet, dass
das jeweilige Ursprungsmodul entlang von zu den Serienver schaltungslinien nicht-parallelen Trennlinien in einzelne Teilmodule zerteilt wird, und
wenigstens zwei dieser einzelnen Teilmodule (T1 bis Tn) zur Bildung des Dünnschicht-Photovoltaikmoduls angeordnet und elektrisch miteinander verschaltet werden.
ein oder mehrere Ursprungsmodule gefertigt werden, die je weils mehrere, über Serienverschaltungslinien integriert se rienverschaltete Photovoltaikzelleneinheiten beinhalten,
dadurch gekennzeichnet, dass
das jeweilige Ursprungsmodul entlang von zu den Serienver schaltungslinien nicht-parallelen Trennlinien in einzelne Teilmodule zerteilt wird, und
wenigstens zwei dieser einzelnen Teilmodule (T1 bis Tn) zur Bildung des Dünnschicht-Photovoltaikmoduls angeordnet und elektrisch miteinander verschaltet werden.
8. Verfahren nach Anspruch 7, weiter dadurch gekennzeichnet,
dass die Teilmodule (T1 bis Tn) in einem vorgebbaren Anord
nungsmuster auf eine gemeinsame Unterlage (1) aufgebracht wer
den.
9. Verfahren nach Anspruch 8, weiter dadurch gekennzeichnet,
dass die Teilmodule (T1 bis Tn) unter Belassung vorgebbarer
Zwischenräume (5) auf eine transparente und/oder flexible Un
terlage (1) aufgebracht werden.
10. Verfahren nach Anspruch 7, weiter dadurch gekennzeichnet,
dass die Teilmodule (T1 bis Tn) lamellenjalousieartig angeord
net werden.
11. Verfahren nach Anspruch 10, weiter dadurch gekennzeich
net, dass die Teilmodule (J1 bis Jw) in einen Hohlraum (11)
zwischen zwei transparenten Abschlussplatten (12, 13 lamellen
jalousieartig angeordnet eingebracht werden, der mit einem
Füllmedium gefüllt wird, dessen Brechungsindex auf denjenigen
eines Substratmaterials der Teilmodule abgestimmt wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 11, weiter da
durch gekennzeichnet, dass die Teilmodule (T1 bis Tn) aus einer
größeren Anzahl von Teilmodulen, die durch Zerteilen des oder
der Ursprungsmodule gebildet werden, nach dem Kriterium mög
lichst gleicher photovoltaischer Leistungscharakteristik aus
gewählt werden.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10109643A DE10109643B4 (de) | 2001-02-27 | 2001-02-27 | Dünnschicht-Photovoltaikmodul aus mehreren Teilmodulen und Herstellungsverfahren hierfür |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10109643A DE10109643B4 (de) | 2001-02-27 | 2001-02-27 | Dünnschicht-Photovoltaikmodul aus mehreren Teilmodulen und Herstellungsverfahren hierfür |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10109643A1 true DE10109643A1 (de) | 2002-09-12 |
DE10109643B4 DE10109643B4 (de) | 2005-10-27 |
Family
ID=7675805
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10109643A Expired - Lifetime DE10109643B4 (de) | 2001-02-27 | 2001-02-27 | Dünnschicht-Photovoltaikmodul aus mehreren Teilmodulen und Herstellungsverfahren hierfür |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10109643B4 (de) |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004057663A1 (de) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Sunways Ag | Solarmodul |
DE102006015495A1 (de) * | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Hammud, Adnan | Solarzellenmodul |
DE102006057454A1 (de) * | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Schott Solar Gmbh | Photovoltaisches Modul |
DE202007010590U1 (de) * | 2007-07-27 | 2008-12-11 | SCHÜCO International KG | Solarmodul |
DE202007017775U1 (de) * | 2007-12-20 | 2009-02-05 | Anker, Johannes | Photovoltaikmodul |
EP2053661A1 (de) * | 2006-07-31 | 2009-04-29 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solarzellenmodul |
WO2010133279A1 (de) * | 2009-05-20 | 2010-11-25 | Energetica Holding Gmbh | Isolierglasverbund mit schräg angeordneten photovoltaik zellen und verfahren zur herstellung und anwendung |
DE102009026149A1 (de) * | 2009-07-10 | 2011-01-27 | Eppsteinfoils Gmbh & Co.Kg | Verbundsystem für Photovoltaik-Module |
DE102009027852A1 (de) * | 2009-07-20 | 2011-01-27 | Q-Cells Se | Dünnschicht-Solarmodul mit verbesserter Zusammenschaltung von Solarzellen sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102006024714B4 (de) * | 2005-05-25 | 2011-03-17 | Yi Li | Integriertes Photovoltaikmodulpanel für Vorhangfassadenglas |
DE102009042093A1 (de) * | 2009-09-18 | 2011-03-24 | Inventux Technologies Ag | Niederspannungsmodul mit Rückkontakt |
WO2011112765A3 (en) * | 2010-03-10 | 2011-11-03 | Dow Global Technologies Llc | Flexible solar cell interconnection systems and methods |
WO2011151048A2 (de) | 2010-06-02 | 2011-12-08 | Calyxo Gmbh | Dünnschichtsolarmodul und herstellungsverfahren hierfür |
DE102011010131A1 (de) * | 2011-02-03 | 2012-08-09 | Schott Solar Ag | Rohmodul zur Herstellung eines Dünnschichtsolarmoduls und Dünnschichtsolarmodul |
DE102013211179A1 (de) * | 2013-06-14 | 2014-12-18 | Robert Bosch Gmbh | Solarmodul und System von Solarmodulen |
WO2017118904A1 (en) * | 2016-01-06 | 2017-07-13 | Flisom Ag | Interconnected photovoltaic module configuration |
JP2017523752A (ja) * | 2014-07-01 | 2017-08-17 | アルセロールミタル | 光起電装置を備えるパネル |
DE102017130162A1 (de) * | 2017-12-15 | 2019-06-19 | Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh | Dünnschicht-Photovoltaikmodul mit zwei Ausgangsleistungen |
CN110230457A (zh) * | 2018-03-05 | 2019-09-13 | 四川聚创石墨烯科技有限公司 | 一种基于建筑室内外观感设计的光伏光热联供窗体组件 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4245386A (en) * | 1978-06-20 | 1981-01-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of manufacturing a solar cell battery |
EP0028820A2 (de) * | 1979-11-13 | 1981-05-20 | Harry Teddy Züllig | Verfahren zur Erzeugung elektrischer Energie an Fenstern |
EP0113959A2 (de) * | 1982-11-24 | 1984-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Fotovoltaischer Wandler |
DE8911906U1 (de) * | 1989-10-06 | 1989-11-30 | Degussa Ag, 60311 Frankfurt | Solarmodul |
JPH06173386A (ja) * | 1992-12-07 | 1994-06-21 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 入隅・外壁用パネル |
US6111188A (en) * | 1997-01-21 | 2000-08-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell array and solar power generation apparatus using it |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ES2134795T3 (es) * | 1991-02-21 | 1999-10-16 | Angew Solarenergie Ase Gmbh | Dispositivo fotovoltaico y modulo solar de transparencia parcial; y procedimiento de fabricacion. |
DE19934560B4 (de) * | 1999-07-22 | 2005-12-22 | Zentrum für Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung Baden-Württemberg | Photovoltaikmodul mit integriert serienverschalteten Zellen und Herstellungsverfahren hierfür |
-
2001
- 2001-02-27 DE DE10109643A patent/DE10109643B4/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4245386A (en) * | 1978-06-20 | 1981-01-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of manufacturing a solar cell battery |
EP0028820A2 (de) * | 1979-11-13 | 1981-05-20 | Harry Teddy Züllig | Verfahren zur Erzeugung elektrischer Energie an Fenstern |
EP0113959A2 (de) * | 1982-11-24 | 1984-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Fotovoltaischer Wandler |
DE8911906U1 (de) * | 1989-10-06 | 1989-11-30 | Degussa Ag, 60311 Frankfurt | Solarmodul |
JPH06173386A (ja) * | 1992-12-07 | 1994-06-21 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 入隅・外壁用パネル |
US6111188A (en) * | 1997-01-21 | 2000-08-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell array and solar power generation apparatus using it |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Sonnenenergie, H.1, 2000, S.36-38 * |
Cited By (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004057663B4 (de) * | 2004-09-15 | 2015-08-20 | Sunways Ag | Solarmodul mit durch regulär angeordnete Löcher semitransparenten kristallinen Solarzellen und Verfahren zur Herstellung |
DE102004057663A1 (de) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Sunways Ag | Solarmodul |
US8450601B2 (en) | 2005-05-25 | 2013-05-28 | Shenzhen Trony Science & Technology Development Co., Ltd. | Integrated photovoltaic modular panel |
US8013237B2 (en) | 2005-05-25 | 2011-09-06 | Yi Li | Integrated photovoltaic modular panel for a curtain wall glass |
DE102006024714B4 (de) * | 2005-05-25 | 2011-03-17 | Yi Li | Integriertes Photovoltaikmodulpanel für Vorhangfassadenglas |
DE102006015495A1 (de) * | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Hammud, Adnan | Solarzellenmodul |
US9159859B2 (en) | 2006-07-31 | 2015-10-13 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solar cell module |
EP2053661A4 (de) * | 2006-07-31 | 2014-06-25 | Sanyo Electric Co | Solarzellenmodul |
EP2053661A1 (de) * | 2006-07-31 | 2009-04-29 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solarzellenmodul |
US7888585B2 (en) | 2006-12-06 | 2011-02-15 | Schott Solar Gmbh | Photovoltaic module including tap cells and method of making |
DE102006057454A1 (de) * | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Schott Solar Gmbh | Photovoltaisches Modul |
DE202007010590U1 (de) * | 2007-07-27 | 2008-12-11 | SCHÜCO International KG | Solarmodul |
DE202007017775U1 (de) * | 2007-12-20 | 2009-02-05 | Anker, Johannes | Photovoltaikmodul |
WO2010133279A1 (de) * | 2009-05-20 | 2010-11-25 | Energetica Holding Gmbh | Isolierglasverbund mit schräg angeordneten photovoltaik zellen und verfahren zur herstellung und anwendung |
DE102009022125A1 (de) * | 2009-05-20 | 2011-02-10 | Energetica Holding Gmbh | Isolierglasverbund mit schräg angeordneten Photovoltaik Zellen und Verfahren zur Herstellung und Anwendung |
DE102009026149A1 (de) * | 2009-07-10 | 2011-01-27 | Eppsteinfoils Gmbh & Co.Kg | Verbundsystem für Photovoltaik-Module |
WO2011009860A3 (de) * | 2009-07-20 | 2011-07-21 | Q-Cells Se | Dünnschicht-solarmodul mit verbesserter zusammenschaltung von solarzellen sowie verfahren zu dessen herstellung |
DE102009027852A1 (de) * | 2009-07-20 | 2011-01-27 | Q-Cells Se | Dünnschicht-Solarmodul mit verbesserter Zusammenschaltung von Solarzellen sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102009042093A1 (de) * | 2009-09-18 | 2011-03-24 | Inventux Technologies Ag | Niederspannungsmodul mit Rückkontakt |
US9171991B2 (en) | 2010-03-10 | 2015-10-27 | Dow Global Technologies Llc | Flexible solar cell interconnection systems and methods |
CN102792463B (zh) * | 2010-03-10 | 2015-10-14 | 陶氏环球技术有限责任公司 | 挠性太阳能电池互连系统和方法 |
CN102792463A (zh) * | 2010-03-10 | 2012-11-21 | 陶氏环球技术有限责任公司 | 挠性太阳能电池互连系统和方法 |
WO2011112765A3 (en) * | 2010-03-10 | 2011-11-03 | Dow Global Technologies Llc | Flexible solar cell interconnection systems and methods |
US9425339B2 (en) | 2010-06-02 | 2016-08-23 | Calyxo Gmbh | Thin film solar module and method for production of the same |
DE102010017223A1 (de) * | 2010-06-02 | 2011-12-08 | Calyxo Gmbh | Dünnschichtsolarmodul und Herstellungsverfahren hierfür |
WO2011151048A2 (de) | 2010-06-02 | 2011-12-08 | Calyxo Gmbh | Dünnschichtsolarmodul und herstellungsverfahren hierfür |
DE102011010131A1 (de) * | 2011-02-03 | 2012-08-09 | Schott Solar Ag | Rohmodul zur Herstellung eines Dünnschichtsolarmoduls und Dünnschichtsolarmodul |
DE102013211179A1 (de) * | 2013-06-14 | 2014-12-18 | Robert Bosch Gmbh | Solarmodul und System von Solarmodulen |
JP2017527243A (ja) * | 2014-07-01 | 2017-09-14 | アルセロールミタル | 光起電装置を備えるパネル |
JP2017523752A (ja) * | 2014-07-01 | 2017-08-17 | アルセロールミタル | 光起電装置を備えるパネル |
US10879841B2 (en) | 2014-07-01 | 2020-12-29 | Arcelormittal | Panel equipped with a photovoltaic device |
WO2017118904A1 (en) * | 2016-01-06 | 2017-07-13 | Flisom Ag | Interconnected photovoltaic module configuration |
US20190027625A1 (en) * | 2016-01-06 | 2019-01-24 | Flisom Ag | Interconnected photovoltaic module configuration |
US10770607B2 (en) | 2016-01-06 | 2020-09-08 | Flisom Ag | Interconnected photovoltaic module configuration |
DE102017130162A1 (de) * | 2017-12-15 | 2019-06-19 | Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh | Dünnschicht-Photovoltaikmodul mit zwei Ausgangsleistungen |
DE102017130162B4 (de) | 2017-12-15 | 2023-06-07 | Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Dünnschicht-Photovoltaikmodul mit zwei Ausgangsleistungen |
CN110230457A (zh) * | 2018-03-05 | 2019-09-13 | 四川聚创石墨烯科技有限公司 | 一种基于建筑室内外观感设计的光伏光热联供窗体组件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10109643B4 (de) | 2005-10-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10109643A1 (de) | Dünnschicht-Photovoltaikmodul aus mehreren Teilmodulen und Herstellungsverfahren hierfür | |
DE10239845C1 (de) | Elektrode für fotovoltaische Zellen, fotovoltaische Zelle und fotovoltaischer Modul | |
DE3709153C2 (de) | ||
DE602005001449T2 (de) | Elektrische energieerzeugungsmodule mit zweidimensionalem profil und herstellungsverfahren dafür | |
DE112006001752T5 (de) | Solarzellenmodul | |
EP3084841B1 (de) | Photovoltaikmodul | |
DE112010005717T5 (de) | Solarbatteriemodul und Herstellungsverfahren für dieses | |
DE102009058794A1 (de) | Dünnschichttyp-Solarzelle und Verfahren zum Herstellen derselben, sowie Dünnschichttyp-Solarzellenmodul und Stromerzeugungssystem, welche die Dünnschichttyp-Solarzelle verwenden | |
DE202012004526U1 (de) | Photovoltaikmodul | |
DE2363120A1 (de) | Sonnenzellenanordnung | |
DE202012004369U1 (de) | Photovoltaikmodul | |
DE102013220802A1 (de) | Solarmodul und Verfahren zum Herstellen eines Solarmoduls | |
DE3727823A1 (de) | Tandem-solarmodul | |
EP1638150A2 (de) | Solarmodul | |
DE4201571C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer für Licht teildurchlässigen Solarzelle und eines entsprechenden Solarmoduls | |
EP3900051A1 (de) | Schaltungsanordnung zur stromerzeugung mit serienverschalteten solarzellen mit bypass-dioden | |
EP3039718B1 (de) | Teiltransparente dünnschichtsolarmodule | |
DE19715138A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Anordnung von in Serie bzw. Reihe geschalteten Einzel-Solarzellen | |
DE102016125637A1 (de) | Photovoltaik-Modul und Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaik-Moduls | |
DE202010013136U1 (de) | Dünnschicht-Photovoltaikmodul | |
DE202008008743U1 (de) | Photovoltaisches Solarmodul | |
DE202015106374U1 (de) | Photovoltaikmodul | |
DE102013203414A1 (de) | Solarmodul und Verfahren zu dessen Herstellung | |
EP4122017B1 (de) | Dünnschichtsolarmodul und herstellungsverfahren | |
DE102017122530A1 (de) | Photovoltaikmodul mit auf der Rückseite ineinandergreifenden Kontakten und Verfahren zu seiner Herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R071 | Expiry of right |