DE10048151A1 - Photomaske und ihre Verwendung zum lithographischen Strukturieren einer Photoresistschicht und zum Herstellen von magnetischen Speicherelementen - Google Patents
Photomaske und ihre Verwendung zum lithographischen Strukturieren einer Photoresistschicht und zum Herstellen von magnetischen SpeicherelementenInfo
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Abstract
Es wird eine Photomaske und ein Verfahren zu ihrer Verwendung beschrieben, bei welchem mittels Lithographie und Maskentechnik eine regelmäßige Anordnung von Resistdots oder -löchern hergestellt werden kann, wobei mindestens eine Photomaske eine Phasenmaske ist. Das Verfahren kann für die Herstellung von magnetischen Speicherbauelementen, insbesondere MRAM-Speichern, mit elliptisch geformten magnetischen Speicherelementen hoher Dichte verwendet werden.
Description
Die Erfindung betrifft allgemein Photomasken für lithographi
sche Belichtungs- und Strukturierungsverfahren mit dem Ziel
der Herstellung mikroskopischer Materialstrukturen wie Photo
resiststrukturen und darauf aufbauend der Herstellung mikro
skopischer Materialstrukturen wie magnetischer Speicherele
mentanordnungen oder dergleichen. Insbesondere bezieht sich
die Erfindung dabei auf Phasenmasken und deren Verwendung bei
diesen Verfahren und die Herstellung von dimensionskritischen
Materialstrukturen.
Für die Herstellung der Speicherebene (XMR-Ebene) von magne
tischen Speicherbauelementen wie magnetischen RAM-Datenspei
chern (MRAM), wie beispielsweise beschrieben in S. Mengel:
Technologieanalyse Magnetismus Band 2, XMR-Technologien, Her
ausgeber VDI-Technologiezentrum Physikalische Technologien,
1997, ist es ein generelles Ziel, die einzelnen magnetischen
Speicherelemente in immer höherer Dichte zu erzeugen, um die
Speicherkapazität des gesamten Speicherbauelements zu erhö
hen. Bisher wurden solche Strukturen entweder elektronenop
tisch durch ein Direktschreibverfahren oder mittels konven
tioneller optischer Lithographie entsprechend den herkömmli
chen Verfahren zur Herstellung mikroelektronischer Schaltun
gen.
Bei photolithographischen Verfahren werden die Strukturen auf
lichtempfindliche Schichten wie Photoresistschichten auf ei
nem Substrat in konventioneller Weise durch Photomasken op
tisch abgebildet. Aufgrund der Beugungseffekte ist das Auflö
sungsvermögen eines derartigen Abbildungssystems begrenzt und
Maskenstrukturen mit Abmessungen unter dem reziproken Wert
dieses Auflösungsvermögens, die sogenannten dimensionskritischen
Strukturen, werden verschmiert bzw. unscharf abgebil
det. Um magnetische Speicherelemente hoher Dichte herstellen
zu können, muß zuvor eine Photoresistschicht in Form einer
matrixförmigen Anordnung von Resistclustern oder -dots oder
von Aussparungen oder Vertiefungen in einer Resistschicht
strukturiert werden. Mit der konventionellen Lithographie ist
es jedoch sehr schwierig, die normalerweise gegebene Auflö
sungsgrenze, bei der der halbe Abstand zwischen zwei Re
sistdots durch k1λ/NA mit (k1 ≈ 0,38, λ der Trägerwellenlänge
der Belichtung, NA der numerischen Apertur) zu unterschrei
ten. Zumindest sind solchen dichten Resistdots auf konventio
nellem optischen Weg nicht mit einem nennenswerten Prozeß
spielraum herstellbar. Darüberhinaus ist die konventionelle
optische Abbildung sehr empfindlich auf Schwankungen der Mas
kenmaße, die beispielsweise durch den sogenannten Mask Error
Enhancement Factor (MEF) beschrieben werden können.
Die obigen Probleme stellen limitierende Faktoren für die ko
stengünstige und wettbewerbsfähige Fertigung von MRAM-Spei
cherbauelementen mit kritischen Dimensionen unterhalb von 100 nm
mit der konventionellen Lithographie und Maskentechnik
dar.
Diese Schwierigkeiten lassen sich überwinden, indem man in
sogenannten Phasenmasken den destruktiven Interferenzeffekt
von zwei eng benachbarten und kohärenten Lichtstrahlen um
180° verschobener Phasen ausnutzt.
Die verschiedenen Arten von Phasenmasken sind beispielsweise
in dem Buch "Technologie hochintegrierter Schaltungen" von D.
Widmann, H. Mader und H. Friedrich, 2. Auflage, Springer-Ver
lag, S. 135ff. beschrieben. Eine ausführliche Übersicht über
die Phasenmaskentechnologie ist in den Publikationen "Impro
ving Resolution in Photolithography with a Phase-Shifting
Mask" von M. D. Levenson et al. in IEEE Trans. Electron. De
vices 29 (1982), 1828ff. und "Wavefront Engineering for Photolithography"
von M. D. Levenson in Physics Today, July
1993, S. 28ff. enthalten.
Bei MRAM-Speicherbauelementen ist es zusätzlich von Vorteil,
die einzelnen magnetischen Speicherelemente als elliptisch
geformte Strukturen hoher Dichte herzustellen, da sie somit
dem magnetischen Speichermedium bereits eine Vorzugsrichtung
vorgeben. Dies wurde in den Veröffentlichungen "Giant magne
toresistance by melt-spun CU-CO alloys" von J. Wecker et al.
in Appl. Phys. Lett. 62 (1993), S. 1985-1987 sowie "GMR angle
detector with an artificial antiferromagnetic subsystem
(AAF)" in J. Magn. Mat. 165 (1997) S. 524 anhand von Magneto
widerstandselementen gezeigt.
Auch unter diesem zuletzt genannten Aspekt ist die konventio
nelle optische Lithographie problematisch, da mit den übli
chen binären Chrom-Photomasken eine definierte Erzeugung von
elliptischen Strukturen, also sowohl Vertiefungen (Löchern)
in Resistschichten als auch Resistdots, im allgemeinen nicht
durchgeführt werden kann. Bei dichten Strukturen wäre der
notwendige Vorhalt an den Maskenstrukturen unter Umständen zu
groß für die praktische Maskenerzeugung.
Es ist somit Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfah
ren zum lithographischen Strukturieren einer Materialschicht,
insbesondere einer Photoresistschicht, anzugeben, mit welchem
mikroskopische, insbesondere elliptische Materialstrukturen
herstellbar sind. Insbesondere ist es Aufgabe der vorliegen
den Erfindung, eine geeignete Photomaske und deren Verwendung
zur Durchführung eines solchen Verfahrens anzugeben. Weiter
hin ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein darauf
aufbauendes Verfahren zur Herstellung eines magnetischen
Speicherbauelements wie eines MRAM-Speicherbauelements unter
Zuhilfenahme des Strukturierungsverfahrens bereitzustellen.
Diesen Aufgaben werden mit den Merkmalen der unabhängigen Pa
tentansprüche gelöst.
Ein wesentlicher Gedanke der Erfindung besteht darin, bei den
Belichtungen einer zu strukturierenden Materialschicht, ins
besondere einer Photoresistschicht, mindestens eine Photo
maske zu verwenden, die als Phasenmaske ausgebildet ist. Eine
solche Photomaske weist eine Anordnung mindestens teilweise
lichtdurchlässiger streifenförmiger Bereiche auf, welche un
mittelbar benachbart und parallel zueinander angeordnet sind,
wobei benachbarte Bereiche derart ausgebildet sind, daß durch
sie hindurchtretende Lichtstrahlungsbündel eine Phasendiffe
renz von 180° zueinander aufweisen.
Mit einer derartigen Photomaske kann eine erste Belichtung
durchgeführt werden, wobei auf der zu belichtenden Oberfläche
der Materialschicht aufgrund der destruktiven Interferenz der
durch benachbarte Bereiche hindurchtretenden Strahlungsbündel
schmale streifenförmige Abschnitte unbelichtet bleiben, die
durch die Grenzen zwischen den benachbarten Bereichen defi
niert werden.
Dann kann eine zweite Belichtung durchgeführt werden, bei der
beispielsweise eine zweite entsprechende Photomaske verwendet
wird, wobei die Ausrichtung der streifenförmigen Anordnung
der Photomasken zwischen den Belichtungen um einen Winkel,
insbesondere 90° verdreht wird. Auf den Kreuzungspunkten der
streifenförmigen Anordnungen werden loch- oder clusterartige
Resiststrukturen gebildet, so daß im Ergebnis eine matrixför
mige Anordnung derartiger Resiststrukturen hergestellt wird.
Dieses Verfahren hat den Vorteil, daß mit ihm loch- oder clu
sterartige Materialstrukturen wie Resiststrukturen, herge
stellt werden können, deren Ausdehnung mindestens in einer
Richtung kritische Dimensionen unterschreitet. Es kann bei
spielsweise der Fall auftreten, daß Strukturen gefordert
sind, die nur in einer Richtung subkritisch sein müssen, in
der anderen Richtung jedoch eine Ausdehnung oberhalb der kri
tischen Dimensionen aufweisen. Bezüglich der letztgenannten
Richtung kann dann beispielsweise eine konventionelle, binäre
Chrom-Photomaske verwendet werden, die eine Anordnung von in
dieser Richtung verlaufenden Streifen aus Chrom aufweist, de
ren Breiten der in dieser Richtung gewünschten Strukturbreite
entspricht. Auf diese Weise können beispielsweise elliptische
Strukturen erzeugt werden, bei denen die kurze Achse der El
lipse dimensionskritisch ist, die lange Achse jedoch nicht.
Ebenso kann gewünscht sein, daß die zu erzeugenden Resist
strukturen in beiden Richtungen dimensionskritisch sein sol
len. In diesem Fall kann praktischerweise eine einzige Pha
senmaske verwendet und nach Durchführung eines ersten Belich
tungsschrittes um einen vorbestimmten Winkel gedreht werden,
worauf dann ein zweiter Belichtungsschritt durchgeführt wird.
Dabei können beide Belichtungsschritte identisch durchgeführt
werden, so daß im Idealfall kreisrunde cluster- oder lochar
tige Resiststrukturen mit dimensionskritischen Ausdehnungen
erzeugt werden. Es kann aber auch für diesen Fall gewünscht
sein, daß elliptische Strukturen erzeugt werden, die in bei
den Richtungen dimensionskritisch sind. Dies kann dann durch
Wahl unterschiedlicher Belichtungsdosen und/oder unterschied
lichen Füllfaktoren (σ oder NA) für die verschiedenen Belich
tungen und/oder willkürliches Herbeiführen eines Abbildungs
fehlers wie Coma oder Astigmatismus bei mindestens einer Be
lichtung und/oder Einführung eines schrägen Verlaufs der Pha
sengrenze auf einer der bei den Belichtungen verwendeten Pha
senmasken erreicht werden.
Im Falle der Verwendung von Phasenmasken kommen bevorzugter
weise chromlose Phasenmasken zum Einsatz. Mit diesen können
prinzipiell lichtoptisch die kleinsten Werte für k1 bei der
lithographischen Abbildung von dichten Strukturen erzeugt
werden, wie in der Publikation "170 nm gates fabricated by
phase-shift mask and top anti-reflector process" von T. Brun
ner et al. in Proc. SPIE, Vol. 1927 (1993), S. 182-189, gezeigt
wurde, die hiermit in den Offenbarungsgehalt der vorliegenden
Anmeldung einbezogen wird.
Eine besonders bevorzugte Ausführungsart der vorliegenden Er
findung besteht in einer zweifachen Belichtung mit chromlosen
Phasenmasken der beschriebenen Art, wobei relativ zu einer
ersten chromlosen Phasenmaske eine zweite chromlose Phasen
maske zum Einsatz kommt. Diese wird so relativ zur ersten
Phasenmaske angeordnet, daß ihre Anordnung von streifenförmi
gen ersten und zweiten Bereichen bezüglich der Anordnung von
streifenförmigen ersten und zweiten Bereichen der ersten Pha
senmaske einen Winkel, vorzugsweise 90°, einnimmt. Die Be
lichtung kann somit in einem einzigen Belichtungsschritt mit
den übereinander gelegten Photomasken ausgeführt werden. Al
ternativ dazu kann auch eine einzelne Photomaske verwendet
werden, welche in zwei aufeinanderfolgenden Belichtungs
schritten zum Einsatz kommt und nach dem ersten Belichtungs
schritt um den genannten Winkel verdreht wird.
Je nach Verwendung eines Positiv- oder eines Negativresistsy
stems können nach den Belichtungsschritten entweder die be
lichteten oder die unbelichteten Bereiche bei einem Entwick
lungsschritt entfernt werden, so daß entweder eine regelmä
ßige Clusteranordnung oder eine ebenso regelmäßige Lochanord
nung in einer Resistschicht erhalten werden kann. Die Verwen
dung von negativen Resists führt zu Kontaktlöchern, von posi
tiven Resists zu Clustern oder Dots.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann dann in der Weise weiter
gebildet werden, daß unter Zuhilfenahme der erzeugten Mate
rial- insbesondere Photoresiststrukturen eine entsprechende
Anordnung von Speicherbauelementen wie magnetischen Speicher
bauelementen hergestellt wird. Dabei wird zuerst eine matrix
förmige Anordnung mikroskopischer Photoresiststrukturen nach
einem der vorhergehenden Ansprüche erzeugt und anschließend
wird unter Zuhilfenahme der Anordnung von Photoresiststruktu
ren die Anordnung magnetischer Speicherelemente hergestellt.
Beispielsweise kann zuerst nach dem erfindungsgemäßen Verfah
ren eine matrixförmige Anordnung von Vertiefungen in einer
Resistschicht erzeugt werden, die dann anschließend in einem
Abscheidungsprozeß mit einem geeigneten magnetischen Material
gefüllt werden. Nach Entfernen des die gefüllten Vertiefungen
umgebenden Resistmaterials bleibt eine regelmäßige Anordnung
von magnetischen Clusterstrukturen erhalten, deren Ausdehnung
durch die Ausdehnung der in dem erfindungsgemäßen Verfahren
hergestellten Vertiefungen bestimmt wird und die als magneti
sche Speicherelemente genutzt werden können.
Im folgenden wird das erfindungsgemäße Verfahren anhand von
Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung zweier übereinander
gelegter chromloser Phasenmasken, deren streifen
förmige Anordnungen zueinander einen 90°-Winkel
einnehmen;
Fig. 2-5 Helligkeitsverteilungen an einzelnen Kreuzungspunk
ten aufgrund von Simulationen der Belichtung durch
chromlose Phasenmasken gemäß Fig. 1 unter Variation
verschiedener Parameter.
In Fig. 1 sind zwei chromlose Phasenmasken 10 und 20 schema
tisch dargestellt, die bezüglich ihrer streifenförmigen Be
reiche in einem 90°-Winkel übereinandergelegt und in einer
Belichtungseinrichtung wie einem Waferstepper belichtet und
auf der Oberfläche einer zu strukturierenden Materialschicht
wie einer Photoresistschicht abgebildet werden. In dem Aus
schnitt a. ist ein Teil der Phasenmaske 10 entlang der Pha
sengrenze 20.1 der Phasenmaske 20 schematisch dargestellt.
Darin wird deutlich, daß jede Phasenmaske streifenförmige er
ste Bereiche mit einer ersten Phase (0) und daran angrenzende
streifenförmige zweite Bereiche mit einer zweiten Phase (π)
aufweist, die bezüglich der durch beide Bereiche hindurchtre
tenden Belichtungsstrahlung relativ zu den ersten Bereichen
eine Phasendifferenz von 180° aufweist. Bei der Belichtung
entstehen durch destruktive Interferenz unbelichtete streifenförmige
Bereiche, die zwischen den ersten und zweiten Be
reichen liegen und den annähernd linienförmigen Phasengrenzen
10.1. . .10.n zwischen den ersten und zweiten Bereichen zuge
ordnet sind.
Ebensolche streifenförmigen unbelichteten Bereiche entstehen
bei Belichtung mit der zweiten um 90° gedrehten Phasenmaske.
Bei Doppelbelichtung mit der ersten und der zweiten Phasen
maske verbleiben als einzige unbelichtete Bereiche die an den
Kreuzungspunkten der jeweiligen Phasengrenzen gebildeten
Überlappungsbereiche zwischen den streifenförmigen unbelich
teten Bereichen der einzelnen Phasenmasken. Ein derartiger
Überlappungsbereich ist in dem Ausschnitt b. der Fig. 1 ver
größert dargestellt.
Um diesen Überlappungsbereichen wie in dem Ausschnitt b. eine
elliptische Form zu geben, gibt es eine Reihe von Möglichkei
ten, die unter Zugrundelegung der Anordnung der Fig. 1 zum Ge
genstand von Simulationsrechnungen gemacht wurde.
In den Fig. 2a-c ist jeweils ein Ausschnitt mit vier Über
lappungsbereichen an vier Kreuzungspunkten der Matrix darge
stellt. Die drei Bilder zeigen Simulationsrechnungen in der
Form von Linien gleicher Helligkeit, wobei die relative Be
lichtungsdosis zwischen dem ersten und dem zweiten Belich
tungsschritt verändert wurde. Dabei wurde angenommen, daß in
den Belichtungsschritten eine Phasenmaske mit gleichen Eigen
schaften verwendet wurde. Während in Fig. 2a das Dosisverhält
nis noch 1 : 1 betrug, wurde es in den Fig. 2b und 2c
schrittweise zu 1 : 1,5 und 1 : 2 verändert. Wie zu erkennen ist,
führt die gleiche Dosis in den beiden Belichtungen erwar
tungsgemäß zur Ausbildung einer kreissymmetrischen Hellig
keitsverteilung an den Kreuzungspunkten, während die Verände
rung der Dosis eine zunehmend elliptische Helligkeitsvertei
lung entstehen läßt.
Ein anderes Verfahren zur Erzeugung elliptischer Überlap
pungsbereiche besteht darin, bei gleicher Belichtungsdosis
der beiden Belichtungsschritte die Belichtungsbedingungen in
der Belichtungseinrichtung zu verändern. In Fig. 3a, b sind
z. B. Simulationsrechnungen für die Anordnung der Fig. 1 darge
stellt, bei denen die Belichtungen angenommen wurde, daß die
Belichtungen mit unterschiedlichem Füllfaktor durchgeführt
wurden. Der Füllfaktor ist ein Maß dafür, wieviel Prozent des
Durchmessers der Objektivöffnung von der nullten Beugungsord
nung des Objektivs ausgefüllt wird. Ein Füllfaktor bedeutet
z. B., daß die nullte Beugungsordnung etwa 50% des Durchmes
sers ausfüllt. Bei Fig. 3a wurde der Füllfaktor der ersten Be
lichtung mit 0,5 und der der zweiten Belichtung mit 0,6 ange
nommen. Bei Fig. 3b wurde bei unverändertem Füllfaktor für die
erste Belichtung der Füllfaktor der zweiten Belichtung auf
0,7 heraufgesetzt. Auch hier ist an den Helligkeitsverteilun
gen zu erkennen, daß sich elliptische Strukturen erzeugen
lassen.
Auch das in Fig. 4 gezeigte Beispiel bezieht sich auf Simula
tionsrechnungen für den Fall geänderter optischer Bedingungen
zwischen den einzelnen Belichtungsschritten. In diesem Fall
wurde die numerische Apertur im ersten Belichtungsschritt zu
0,5 und im zweiten Belichtungsschritt zu 0,6 gewählt. Die Si
mulationsrechnungen zeigen auch hierfür deutlich, die Ausbil
dung elliptischer Helligkeitsverteilungen um die Kreuzungs
punkte.
Die in Fig. 5 gezeigte Helligkeitsverteilung wurde schließlich
aus einer Simulationsrechnung gewonnen, bei der Phasenstufen
an den Phasengrenzen zwischen den 0- und π-phasenschiebenden
Gebieten vorhanden sind. Hierbei wird auf einer der bei einer
Doppelbelichtung verwendeten Phasenmasken ein schräger Ver
lauf des Phasensprungs eingeführt. Fertigungstechnisch kann
dieser Phasenverlauf auf dem Maskenreticle durch eine oder
mehrere Phasenstufen (z. B. 180°, 120°, 60°) realisiert wer
den. In dem in Fig. 5 gezeigten Beispiel wies eine Phasenmaske
an der Phasengrenze eine 75 nm breite Phasenkante mit 120°
Phasenverschiebung und eine 75 nm breite Phasenkante mit 60°
Phasenverschiebung auf. Wie man sieht, kann auch auf diese
Weise eine elliptische Struktur erzeugt werden.
Claims (13)
1. Photomaske für lithographische Strukturierungsverfahren,
mit
einer Anordnung mindestens teilweise lichtdurchlässiger streifenförmiger Bereiche, welche
unmittelbar benachbart und parallel zueinander angeord net sind, wobei
benachbarte Bereiche derart ausgebildet sind, daß durch sie hindurchtretende Lichtstrahlungsbündel eine Phasen differenz von 180° zueinander aufweisen.
einer Anordnung mindestens teilweise lichtdurchlässiger streifenförmiger Bereiche, welche
unmittelbar benachbart und parallel zueinander angeord net sind, wobei
benachbarte Bereiche derart ausgebildet sind, daß durch sie hindurchtretende Lichtstrahlungsbündel eine Phasen differenz von 180° zueinander aufweisen.
2. Photomaske nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Bereiche im wesentlichen lichtdurchlässig sind.
3. Photomaske nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
erste Bereiche eine Phasenverschiebung von im wesentlichen 0° und zweite Bereiche eine Phasenverschiebung von im we sentlichen 180° für hindurchtretende Lichtstrahlungsbündel aufweisen, und
die ersten und zweiten Bereiche in alternierender Abfolge angeordnet sind.
erste Bereiche eine Phasenverschiebung von im wesentlichen 0° und zweite Bereiche eine Phasenverschiebung von im we sentlichen 180° für hindurchtretende Lichtstrahlungsbündel aufweisen, und
die ersten und zweiten Bereiche in alternierender Abfolge angeordnet sind.
4. Verwendung einer Photomaske nach einem der vorhergehenden
Ansprüche zum lithographischen Strukturieren einer Material
schicht, insbesondere einer Photoresistschicht.
5. Verwendung nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet, daß
im wesentlichen zwei Belichtungsschritte mit ein und der selben Photomaske durchgeführt werden, wobei
zwischen den Belichtungsschritten die Ausrichtung der streifenförmigen Bereiche um einen Winkel, insbesondere 90°, verdreht wird.
im wesentlichen zwei Belichtungsschritte mit ein und der selben Photomaske durchgeführt werden, wobei
zwischen den Belichtungsschritten die Ausrichtung der streifenförmigen Bereiche um einen Winkel, insbesondere 90°, verdreht wird.
6. Verwendung nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet, daß
mindestens zwei, insbesondere voneinander verschiedene Photomasken verwendet werden, und
mindestens eine Photomaske gemäß Anspruch 1 ausgeführt ist.
mindestens zwei, insbesondere voneinander verschiedene Photomasken verwendet werden, und
mindestens eine Photomaske gemäß Anspruch 1 ausgeführt ist.
7. Verwendung nach Anspruch 6
dadurch gekennzeichnet, daß
im wesentlichen ein Belichtungsschritt durchgeführt wird, bei welchem die Photomasken übereinander im Strahlengang angeordnet sind, wobei
zwischen den Ausrichtungen der streifenförmigen Bereiche der Photomasken ein Winkel, insbesondere 90°, erzeugt wird.
im wesentlichen ein Belichtungsschritt durchgeführt wird, bei welchem die Photomasken übereinander im Strahlengang angeordnet sind, wobei
zwischen den Ausrichtungen der streifenförmigen Bereiche der Photomasken ein Winkel, insbesondere 90°, erzeugt wird.
8. Verwendung nach Anspruch 6 oder 7,
dadurch gekennzeichnet, daß
alle verwendeten Photomasken gemäß Anspruch 1 ausgeführt
sind.
9. Verwendung nach Anspruch 6 oder 7,
dadurch gekennzeichnet, daß
mindestens eine Photomaske eine konventionelle durchläs
sige und undurchlässige Bereiche aufweisende Photomaske
ist.
10. Verwendung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß
elliptisch geformte Materialstrukturen geformt werden, in dem
die Belichtungen mit unterschiedlicher Belichtungsdosis durchgeführt werden, und/oder
die Belichtungen mit unterschiedlichem Füllfaktor σ durch geführt werden, und/oder
bei mindestens einer Belichtung ein Abbildungsfehler wie Coma oder Astigmatismus herbeigeführt wird.
elliptisch geformte Materialstrukturen geformt werden, in dem
die Belichtungen mit unterschiedlicher Belichtungsdosis durchgeführt werden, und/oder
die Belichtungen mit unterschiedlichem Füllfaktor σ durch geführt werden, und/oder
bei mindestens einer Belichtung ein Abbildungsfehler wie Coma oder Astigmatismus herbeigeführt wird.
11. Verwendung nach einem der Ansprüche 4 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Materialstrukturen Cluster oder Dots sind.
12. Verwendung nach einem der Ansprüche 4 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Materialstrukturen Aussparungen in einer Material
schicht sind.
13. Verfahren zur Herstellung einer matrixförmigen Anordnung
magnetischer Speicherelemente, bei welchem
zuerst eine matrixförmige Anordnung mikroskopischer Photo resiststrukturen nach einem der vorhergehenden Ansprüche erzeugt wird und anschließend
unter Zuhilfenahme der Anordnung von Photoresiststrukturen die Anordnung magnetischer Speicherelemente hergestellt wird.
zuerst eine matrixförmige Anordnung mikroskopischer Photo resiststrukturen nach einem der vorhergehenden Ansprüche erzeugt wird und anschließend
unter Zuhilfenahme der Anordnung von Photoresiststrukturen die Anordnung magnetischer Speicherelemente hergestellt wird.
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DE10048151A DE10048151B4 (de) | 2000-09-28 | 2000-09-28 | Verfahren zum lithographischen Strukturieren einer Photoresistschicht |
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DE10048151A1 true DE10048151A1 (de) | 2002-05-02 |
DE10048151B4 DE10048151B4 (de) | 2009-04-09 |
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