DE10026900A1 - Passive CMOS-Eingangsschaltung - Google Patents
Passive CMOS-EingangsschaltungInfo
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Abstract
Passive Verarbeitungsschaltung für die Verarbeitung eines masseseitigen Schalterschlusses an einem CMOS-Eingang (20) einer Mikrocontrollereinheit MCU, insbesondere geeignet für elektrische Gleichspannungsanlagen z. B. im Kraftfahrzeugbereich, bei denen Masse-Offsets auftreten können. Drei Widerstände (R1, R2, R3) sind zwischen dem Versorgungs- und dem Massepotential einer Gleichspannungsversorgung geschaltet. Ein Verbindungspunkt des ersten und des zweiten Widerstands (R1, R2) steht in Kontakt zu einem Ausgang (16) eines geerdeten Eingangsschalters (12). Die Verbindung des zweiten und dritten Widerstands (R2, R3) steht in Kontakt zum CMOS-Eingang (20). Ein vierter Widerstand (R4) stellt einen Kontakt zwischen dem bidirektionalen Eingang/Ausgang (22) der MCU und dem Verbindungspunkt des zweiten und dritten Widerstands her. Die MCU führt einen Algorithmus aus, durch welchen es dem Widerstand (R4) selektiv ermöglicht beziehungsweise nicht ermöglicht wird, mit dem zweiten und dritten Widerstand zusammenzuwirken. Die Schaltung bietet eine kosteneffiziente Lösung zur Ausdehnung des Bereiches der Versorgungsspannung, über den ein Schalterschluss an einem CMOS-Eingang korrekt erkannt werden kann.
Description
Die Erfindung betrifft allgemein Schaltungen für die Verar
beitung von Schalterbetätigungen in elektronischen Schalt
kreisen, insbesondere eine verbesserte passive Eingangs
schaltung für die Verarbeitung des Schließvorgangs eines ge
erdeten mechanischen Eingabeschalters an einem CMOS Eingang.
Die Erfindung ist insbesondere in elektrischen Gleichstrom
anlagen von Kraftfahrzeugen einsetzbar.
Kraftfahrzeuge weisen verschiedene elektronische Module zur
Ausführung verschiedener unterschiedlicher, mit dem Fahrzeug
betrieb zusammenhängender Funktionen auf. Zu den möglichen
Eingangssignalen für derartige Module gehören Eingangssignale
von mechanischen Schaltern. Der Einsatz mechanischer Schalter
ist in Kraftfahrzeugen aus verschiedenen Gründen sinnvoll,
zum Beispiel aufgrund ihrer Eignung für die vielfältigen Um
gebungsbedingungen, denen Fahrzeuge während ihrer Nutzungs
dauer ausgesetzt sein können, aufgrund ihrer Kosteneffizienz
sowie aufgrund ihrer allgemeinen Zuverlässigkeit. Mechanische
Erdungsschalter können im Kraftfahrzeugbereich in vielen ver
schiedenen Anwendungsbereichen sinnvoll eingesetzt werden.
Aufgrund der Beschaffenheit bestimmter mechanischer Erdungs
schalter und der Beschaffenheit bestimmter elektrischer Sys
teme in Kraftfahrzeugen führt das Schließen eines derartigen
Schalters nicht immer zu einer "wahren" Erdung, das heißt
null Volt, am Eingang eines elektronischen Moduls, das den
Schalter überwacht oder ausliest. Am Eingang des Moduls kann
vielmehr ein Masse-Offset anliegen, was bedeutet, dass die
bei einem Schließen des Schalters an dem Modul anliegende
tatsächliche Eingangsspannung zwar nahe bei, jedoch nicht ex
akt gleich null Volt ist. Der geschlossene Schalter kann fer
ner eine gewisse Reihenimpedanz im Eingang des Moduls, mit
dem dieser elektrisch verbunden ist, aufweisen. Des weiteren
kann ein elektrisches Versorgungssystem eines Kraftfahrzeuges
eine tatsächliche Versorgungsspannung liefern, die beträcht
lich vom nominellen Wert abweicht. Die Spannungsabweichungen
von einer nominellen +12 V Gleichspannung in einem Kraftfahr
zeug können im Extremfall von wenigen Volt oberhalb des Mas
sepotentials bis zu beträchtlich oberhalb des nominellen Wer
tes gelegenen Spannungen reichen, so zum Beispiel von +6 V
Gleichspannung bis +18 V Gleichspannung.
Zur Verarbeitung des Schließvorganges derartiger Schalter in
Kraftfahrzeugen enthalten die entsprechenden Module häufig
eingebundene Mikrocomputereinheiten. Derartige Mikrocomputer
einheiten weisen in der Regel Eingangsstrukturen vom CMOS-Typ
auf. Dementsprechend ist es bekannt, das Schließen eines ge
erdeten Schalters an einen CMOS-Eingang zu verarbeiten. Eine
bekannte Verarbeitungsschaltung zur Pegelanpassung (level
shifting) eines Schalters auf der Masseseite an einem CMOS-
Eingang umfasst eine Diode und drei Widerstände. In einem e
lektrischen System positiver Polarität ist die Anode der Dio
de mit der positiven Versorgungsspannung verbunden, und die
Kathode der Diode ist mit einem Anschluss des ersten der drei
Widerstände verbunden. Der zweite und dritte Widerstand sind
in Reihe zwischen dem anderen Anschluss des ersten Widerstan
des und Masse angeschlossen. Der Ausgangsanschluss des mecha
nischen Schalters ist mit dem Verbindungspunkt des ersten und
zweiten Widerstandes verbunden, während der Eingangsanschluss
des Schalters mit der Erdung der elektrischen Anlage gekop
pelt ist. Der Verbindungspunkt des zweiten und dritten Wider
standes ist mit dem entsprechenden CMOS-Eingang des Moduls
verbunden, welches den Zustand des Schalters überwachen soll.
Durch die Diode wird ein Spannungsschutz gewährleistet, indem
negative Transienten, die auf der Versorgungsspannungsleitung
auftreten können, an einem Erreichen des CMOS-Eingangs gehin
dert werden. Durch den ersten Widerstand wird ein Potential
gewährleistet, das der mechanische Schalter herunterziehen
kann. Ferner wird hierdurch ein gewisser Benetzungsstrom
(wetting current) für den Schalter gewährleistet, welcher da
zu beiträgt, die Schaltkontakte sauber bzw. korrosionsfrei zu
halten. Durch den zweiten Widerstand wird der elektrische
Strom begrenzt, der aufgrund von Spannungen, die die nominel
le Spannung übersteigen, aus den Versorgungsspannungs
leitungen in den CMOS-Eingang fließen kann (Gleichspannung
oder transient). Der dritte Widerstand vervollständigt einen
Spannungsteiler, durch welchen verhindert wird, dass eine po
sitive Masse-Offsetspannung beim Schließen des Schalters als
logisches "1"-Signal falsch interpretiert oder falsch ausge
lesen wird. Ein Vorteil der vorstehend beschriebenen bekann
ten Verarbeitungsschaltung besteht darin, dass diese verhält
nismäßig wenige Schaltungskomponenten enthält.
Die vorliegende Erfindung basiert auf der Erkenntnis bestimm
ter Beschränkungen der bekannten Schaltung, welche unter be
stimmten Bedingungen dazu führen können, dass der tatsächli
che Schalterzustand fehlinterpretiert oder falsch ausgelesen
wird, und zwar entweder als logisches "1"-Signal, wenn das
korrekte Signal ein logisches "0"-Signal sein sollte, oder
als logisches "0"-Signal, wenn das korrekte Signal ein logi
sches "1"-Signal sein sollte.
Es ist davon auszugehen, dass derartige falsche Auslesevor
gänge u. a. aus einem oder mehreren der folgenden Gründe auf
treten: Eine mehr als 5%ige Varianz in den Widerstandswerten
von Widerständen mit nominell 5%iger Toleranz aufgrund von
Faktoren wie der Bauteilalterung und thermischen Effekten;
der Unfähigkeit eines CMOS-Eingangs, den logischen Wert eines
Einganges in einem bestimmten mittleren Abschnitt des Ein
gangsspannungsbereichs festzustellen (zum Beispiel in einem
mittleren Abschnitt zwischen +1 V und +3,5 V im Falle eines
Moduls, welches eine +5 V Versorgungsspannung verwendet); Un
gleichheit zwischen den tatsächlichen Werten der Massespan
nung am Schalter und der Massespannung am Modul; eine signi
fikante Schalterimpedanz im geschlossenen Zustand sowie Ab
weichung der tatsächlichen Versorgungsspannung von dem nomi
nellen Wert (das heißt +6 V bis +18 V).
Andere als die vorstehend erwähnten Faktoren (zum Beispiel
Schalter-, Kabelbaum- oder Leiterplattenleckagen) können
ebenfalls eine Rolle spielen, welche jedoch im allgemeinen
als weniger bedeutend anzusehen ist. Trotz der ungünstigen
Einflüsse der erwähnten Faktoren wird die bekannte, vorste
hend beschriebene Verarbeitungsschaltung für Versorgungsspan
nungen von +10 V bis +16 V für geeignet gehalten.
Da es jedoch möglich ist, dass die Versorgungsspannung in ei
nem Kraftfahrzeug über einen ausgedehnteren Bereich als zwi
schen +10 V und +16 V variiert, erscheinen weitere Verbesse
rungen in den Verarbeitungsschaltungen für Schalterschlüsse
wünschenswert. Es ist zwar möglich, derartige Verbesserungen
durch aktive (im Gegensatz zu passiven) Verarbeitungsschal
tungen zu erzielen. Aktive Verarbeitungsschaltungen führen
jedoch im allgemeinen zu höherer Komplexität und höheren Kos
ten.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht somit darin,
eine verbesserte Lösung unter Verwendung passiver Verarbei
tungsschaltungen zu erzielen.
Der Stand der Technik, von dem die vorliegende Erfindung aus
geht, wird durch die US 44 20 669, US 45 32 432, US 51 84
026, US 57 54 890 sowie US 57 83 875 repräsentiert.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung wird durch eine Schal
tung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte
Ausgestaltungen sind in den Unteransprüchen enthalten.
Allgemein ausgedrückt betrifft die vorliegende Erfindung eine
passive Verarbeitungsschaltung zur Verarbeitung eines masse
seitigen Schalterschlusses an einem CMOS-Eingang. Die Erfin
dung ist insbesondere in elektrischen Gleichstromanlagen von
Kraftfahrzeugen, in denen Masse-Offsets auftreten können,
vorteilhaft einsetzbar.
Ein wesentlicher Aspekt der Erfindung betrifft eine Verarbei
tungsschaltung zur Verwendung mit einer Gleichstromver
sorgung, die Versorgungs- und Massepotentiale umfasst, um das
masseseitige Schließen eines Schalters an einem CMOS-Eingang
einer Mikrocomputereinheit bzw. Mikrocontrollereinheit (MCU)
zu verarbeiten, die ferner eine bidirektionale Einga
be/Ausgabe (I/O) aufweist, wobei die Verarbeitungsschaltung
in Kombination mit dem Schalter und der MCU folgende Elemente
aufweist: einen ersten Widerstand, durch welchen ein Ausgang
des Schalters, an welchen während des Schalterschlusses die
Masse gelegt wird, für die Verbindung mit dem Versorgungspo
tential angepasst wird; zweite und dritte Widerstände in Rei
he, in dieser Reihenfolge, durch welche der Schalterausgang
angepasst wird, um mit dem Massepotential verbunden zu wer
den; und einen vierten Widerstand, durch welchen der bidirek
tionale I/O der MCU mit einem Knoten verbunden ist, welcher
von dem CMOS-Eingang, dem zweiten Widerstand und dem dritten
Widerstand gebildet wird, um zu bewirken, dass der äquivalen
te Widerstand zwischen diesem Knoten und dem Massepotential
verhältnismäßig größer ist, wenn die MCU den bidirektionalen
I/O als Eingang konfiguriert, und verhältnismäßig kleiner
ist, wenn die MCU den bidirektionalen I/O als Ausgang zur
Masse konfiguriert.
Ein anderer wesentlicher Aspekt der Erfindung betrifft ein
Kraftfahrzeug enthaltend: eine elektrische Anlage mit einer
elektrischen Spannungsversorgung, die elektrische Gleich
spannung über Versorgungs- und Massepotentiale bereitstellt;
eine Masseverbindung vom Massepotential des elektrischen
Gleichstromsystems zur Masse des Fahrzeugs; einen Schalter
mit Schaltkontakten zwischen einem ersten Anschluss des
Schalters und einem zweiten Anschluss des Schalters, der se
lektiv in einen geöffneten und einen geschlossenen Zustand
versetzt werden kann, um einen Strompfad zwischen dem ersten
und zweiten Anschluss zu öffnen und zu schließen; einer Mas
severbindung vom ersten Anschluss des Schalters zur Masse des
Kraftfahrzeuges; einer mit elektrischer Spannung vom elektri
schen System des Kraftfahrzeuges versorgten MCU, welche eine
MCU-Masse, einen bidirektionalen Eingang/Ausgang (I/O) und
einen CMOS-Eingang aufweist; eine Masseverbindung von der
MCU-Masse zur Masse des Fahrzeugs; eine Verarbeitungs
schaltung, welche den Schalter mit dem elektrischen System
des Fahrzeuges und der MCU verbindet, um die MCU in die Lage
zu versetzen, den Zustand der Schaltkontakte zu lesen; wobei
die Verarbeitungsschaltung enthält: einen ersten Widerstand,
durch welchen der zweite Anschluss des Schalters mit dem Ver
sorgungspotential verbunden ist; zweite und dritte Widerstän
de in Reihe, in dieser Reihenfolge, durch welche der zweite
Anschluss des Schalters mit einer der Massen verbunden ist;
und einen vierten Widerstand, durch welchen der bidirektiona
le I/O der MCU mit einem Knoten verbunden ist, der dem CMOS-
Eingang, dem zweiten Widerstand und dem dritten Widerstand
gemeinsam ist, um zu bewirken, dass der äquivalente Wider
stand zwischen jenem Knoten und der einen Masse verhältnismä
ßig größer ist, wenn die MCU den bidirektionalen I/O als Ein
gang konfiguriert, und verhältnismäßig kleiner ist, wenn die
MCU den bidirektionalen I/O als Ausgang zur MCU-Masse konfi
guriert.
Ein weiterer wesentlicher Aspekt der Erfindung betrifft ein
Verfahren für eine MCU, welche einen CMOS-Eingang und einen
bidirektionalen Eingang/Ausgang (I/O) aufweist, um das
Schließen eines Erdungsschalters in einem Kraftfahrzeug mit
einer Gleichspannungsquelle und mit einer Verarbeitungs
schaltung zu erkennen, wobei die Verarbeitungsschaltung ent
hält: einen ersten Widerstand, durch den ein Ausgang des
Schalters, an den während des Schließens des Schalters Masse
gelegt ist, mit einem Versorgungspotential der Gleichspan
nungsquelle verbunden wird; zweite und dritte Widerstände in
Reihe, in dieser Reihenfolge, durch welche der Schalteraus
gang mit Masse verbunden wird; und einen vierten Widerstand,
durch welchen der bidirektionale I/O der MCU mit einem Knoten
verbunden ist, welcher dem CMOS-Eingang, dem zweiten Wider
stand und dem dritten Widerstand gemeinsam ist; wobei das
Verfahren die folgenden Schritte aufweist:
Konfiguration des bidirektionalen Eingangs/Ausgangs, um dem vierten Widerstand zu erlauben, mit dem zweiten und dritten Widerstand zusammenzuwirken, und, während der bidirektionale Eingang/Ausgang derartig konfiguriert ist, Lesen eines Sig nals am CMOS-Eingang;
Annahme des gelesenen Signals als ein korrektes Signal, falls das gelesene Signal mit einem der logischen Pegel eines binä ren logischen Signals korrespondiert;
falls das gelesene Signal mit dem anderen logischen Pegel des binären Signals korrespondiert: Rekonfiguration des bidirek tionalen Eingangs/Ausgangs, um den vierten Widerstand nicht mehr mit dem zweiten und dritten Widerstand zusammenwirken zu lassen, und dann erneutes Auslesen des Signals am CMOS- Eingang; und
Annahme des erneut ausgelesenen Signals am CMOS-Eingang als korrektes Signal.
Konfiguration des bidirektionalen Eingangs/Ausgangs, um dem vierten Widerstand zu erlauben, mit dem zweiten und dritten Widerstand zusammenzuwirken, und, während der bidirektionale Eingang/Ausgang derartig konfiguriert ist, Lesen eines Sig nals am CMOS-Eingang;
Annahme des gelesenen Signals als ein korrektes Signal, falls das gelesene Signal mit einem der logischen Pegel eines binä ren logischen Signals korrespondiert;
falls das gelesene Signal mit dem anderen logischen Pegel des binären Signals korrespondiert: Rekonfiguration des bidirek tionalen Eingangs/Ausgangs, um den vierten Widerstand nicht mehr mit dem zweiten und dritten Widerstand zusammenwirken zu lassen, und dann erneutes Auslesen des Signals am CMOS- Eingang; und
Annahme des erneut ausgelesenen Signals am CMOS-Eingang als korrektes Signal.
Weitere allgemeine sowie speziellere Aspekte werden durch die
nachfolgende Beschreibung und die Ansprüche erläutert.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand des in den Zeichnungen
dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert. Es zei
gen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer elektrischen
Schaltung, welche die Prinzipien der vorliegenden Er
findung erläutert; und
Fig. 2 ein Flussdiagramm des Betriebs der Schaltung von
Fig. 1.
Fig. 1 zeigt einen Ausschnitt aus der elektrischen Anlage
eines Kraftfahrzeuges mit einer erfindungsgemäßen Schaltung.
Die elektrische Anlage hat eine Gleichstromversorgung 10,
welche negativ geerdet ist, um eine nominell positive Gleich
stromversorgungsspannung von +12 V zu liefern. Im tatsächli
chen Betrieb des Fahrzeugs kann die Versorgungsspannung über
einen Bereich variieren, der sich von einer erheblich niedri
geren als der nominellen Spannung bis zu einer erheblich hö
heren als der nominellen Spannung erstreckt.
Ein normalerweise geöffneter mechanischer Schalter 12 ist re
präsentativ dargestellt für eine Anzahl verschiedener Er
dungsschalter, die in dem Fahrzeug eingesetzt werden können.
Der Schalter 12 weist einen ersten oder Eingangsanschluss 14,
der mit der Fahrzeugmasse VG verbunden ist, sowie einen zwei
ten oder Ausgangsanschluss 16 auf. Wenn der Schalter 12 ge
öffnet ist, ist der Anschluss 16 nicht geerdet, und wenn der
Schalter 12 geschlossen ist, ist der Anschluss über die ge
schlossenen Schalterkontakte geerdet. In Abhängigkeit von den
zuvor beschriebenen Bedingungen kann die tatsächliche Span
nung am Anschluss 16 einen Offset gegenüber der wahren Masse
aufweisen, das heißt einen Offset gegenüber den wahren 0 V.
In Fig. 1 sind zwei Widerstandscharakteristiken dargestellt,
aufgrund derer die tatsächliche Schaltercharakteristik von
der eines idealen Schalters abweichen kann.
Eine passive Verarbeitungsschaltung 18 vor einem Anschluss
pin 20 eines CMOS-Eingangs einer Mikrocontrollereinheit MCU
verarbeitet den Schließvorgang des Schalters 12. Wenn der
Schalter 12 geöffnet ist, soll der CMOS-Eingang eine im Ver
hältnis positivere Spannung entsprechend einem logischen "1"-
Signal "sehen", und wenn der Schalter 12 geschlossen ist,
soll der CMOS-Eingang eine im Verhältnis weniger positive
Spannung entsprechend einem logischen "0"-Signal sehen. Falls
die MCU eine +5 V Gleichspannung als Betriebsspannung verwen
det, wird ein 0 V Signal am CMOS-Eingang als logisches "0"-
Signal gelesen, während ein +5 V Gleichspannungssignal am
CMOS-Eingang als logisches "1"-Signal gelesen wird. Im tat
sächlichen Betrieb wird auch ein Signal, das etwas größer als
0 V Gleichspannung ist, definitiv als logisches "0"-Signal
gelesen, und ein Signal, das etwas kleiner als +5 V Gleich
spannung ist, wird definitiv auch als logisches "1"-Signal
gelesen. Beispielsweise wird ein Signal zwischen etwa +3,5 V
Gleichspannung und +5 V Gleichspannung als logisches "1"-
Signal gelesen, und ein Signal zwischen +0 V Gleichspannung
und +1 V Gleichspannung wird als logisches "0"-Signal gele
sen. Ein Signal, dessen Spannung zwischen +1 V Gleichspannung
und +3,5 V Gleichspannung liegt, repräsentiert ein Zwischen
signal, das entweder als logisches "1"-Signal oder als logi
sches "0"-Signal gelesen werden kann, je nach den Bedingun
gen, die in diesem Zeitpunkt vorherrschen.
Die Verarbeitungsschaltung 18 umfasst eine Diode D1 und drei
Widerstände R1, R2 und R3, die in derselben Weise verbunden
sind wie bei der bekannten, eingangs beschriebenen Verarbei
tungsschaltung. Die Verarbeitungsschaltung 18 enthält ferner
einen vierten Widerstand R4, welcher wie dargestellt zwischen
einem Anschlusspin 22 eines bidirektionalen Eingang/Ausgangs
(I/O) der MCU und einer gemeinsamen Verbindung der Widerstän
de R2 und R3 und dem CMOS-Eingangsanschlusspin 20 angeordnet
ist. Eine Motorola HC12 MCU ist ein Beispiel einer MCU mit
derartigen bidirektionalen I/Os. Die MCU hat die Möglichkeit,
einen derartigen bidirektionalen I/O entweder als Eingang
oder als Ausgang zu konfigurieren. Eine derartige Konfigura
tion erfolgt durch interne Software. Als Eingang konfiguriert
weist der bidirektionale I/O eine hohe Impedanz an seinem An
schlusspin - wie zum Beispiel dem Anschlusspin 22 - auf. Als
Ausgang konfiguriert kann ein bidirektionaler I/O selektiv in
einen von zwei logischen Zuständen geschaltet werden, das
heißt entweder in einen logischen Zustand High (eine binäre
1) oder in einen logischen Zustand Low (eine binäre 0).
Fig. 2 veranschaulicht die Reihenfolge von Schritten, die
ausgeführt werden, wenn die MCU zum Lesen des CMOS-Eingangs
bereit ist, um den Zustand des Schalters 12 zu überprüfen.
Schritt 24 umfasst die Konfiguration des bidirektionalen I/O
als Ausgang, welcher auf das Massepotential der MCU gelegt
wird, was durch das Symbol GMCU in Fig. 1 angedeutet wird.
Obwohl die MCU-Masse und die Fahrzeugmasse VG verbunden sind,
kann ihr tatsächliches Potential aufgrund eines Masse-Offsets
abweichen. Nach Erdung des Anschlusses von Widerstand R4 ist
die MCU darauf vorbereitet, den Schalterzustand durch Ausfüh
rung eines Leseschrittes 26 des CMOS-Eingangs zu lesen, wobei
dieser Eingang am anderen Anschluss des Widerstandes R4
liegt. Falls die MCU ein logisches "1"-Signal liest, was ei
nen geöffneten Schalter 12 bedeutet, wird das Signal durch
die MCU als korrekt angenommen (Schritte 28, 30).
Wenn dagegen das Signal als logisches "0"-Signal (Schritt 32)
gelesen wird, rekonfiguriert die MCU durch Softwareaktion den
bidirektionalen I/O als Eingang (Schritt 34). Dies hat den
Effekt, eine sehr hohe Impedanz in Reihe mit dem Wider
stand R4 zu erzeugen, welche im wesentlichen jeglichen Strom
fluss durch den Widerstand R4 verhindert. Auf diese Art und
Weise wird der Widerstand R4 faktisch aus der Schaltung ent
fernt. Die MCU liest nunmehr den CMOS-Eingang erneut und
nimmt das Ergebnis unabhängig vom gelesenen Wert als korrek
ten Schalterzustand an (Schritt 36).
Die Widerstände R2 und R3 bilden einen Spannungsteiler, wel
cher die Spannung am CMOS-Eingang entsprechend dem Verhältnis
des Widerstands R3 zur Summe der Widerstände R2 und R3 fest
legt (der Widerstand R1 wird ignoriert, da er gering ist
- zum Beispiel 750 Ohm - in Vergleich zur Summe der Wider
stände R2 und R3 - zum Beispiel 30 kOhm). Die dargestellte
Einschaltung des Widerstandes R4 und die beschriebene Be
triebsweise ändern das Spannungsteilerverhältnis immer dann,
wenn der bidirektionale I/O auf Masse gelegt wird, da der Wi
derstand R4 hierdurch parallel zum Widerstand R3 geschaltet
wird.
Nachfolgend wird näher erläutert, wie erfindungsgemäß das Le
sen des Schalters 12 durch die Mikrocontrollereinheit MCU so
wohl gegenüber Fluktuationen in der Versorgungsspannung 10
von ihren nominellen 12 V Gleichspannung als auch gegenüber
Offsets in der Fahrzeugmasse gegenüber 0 V Gleichspannung ro
buster gestaltet werden kann.
Es sei angenommen, dass der Schalter 12 während der Zeit, in
der er vom CMOS-Eingang der Mikrocontrollereinheit MCU gele
sen wird, geöffnet ist, so dass eine logische "1" das korrek
te Resultat wäre. Vor dem Lesen des Schalters wird der Wider
stand R4 in die Schaltung aufgenommen, indem die Mikrocont
rollereinheit MCU ihren bidirektionalen I/O als einen Ausgang
konfiguriert, der an Masse gelegt ist. Dementsprechend ist
das Spannungsteilerverhältnis, d. h. die parallele Kombination
der Widerstände R3 und R4 (R3||R4) dividiert durch die Summe
der Widerstände R2 und des Widerstandes dieser parallelen
Kombination (R3||R4), im wesentlichen 0,45. Beim Vorliegen
dieses Spannungsteilerverhältnisses liest der Mikrocontroller
dann den CMOS-Eingang. Wenn der Eingang als eine logische "1"
gelesen wird, wird der Schalter 12 als offen angesehen, und
das Ergebnis wird aufgrund der folgenden Überlegungen als
korrekt akzeptiert.
Damit der CMOS-Eingang bei Vorliegen eines Spannungsteiler
verhältnisses von 0,45 als eine logische "0" (geschlossener
Schalter) anstelle einer logischen "1" (offener Schalter) ge
lesen würde, müssten bestimmte extreme Abweichungen in der
Versorgungsspannung und/oder in der Schaltercharakteristik
vorliegen, so zum Beispiel eine Versorgungsspannung von
17,5 V, ein Masse-Offset von 1 V und/oder eine Schalterimpe
danz von 50 Ohm. Da die Wahrscheinlichkeit solcher extremer
Abweichungen gering ist, wird das Auslesen einer logischen
"1" als korrekt akzeptiert.
Wenn jedoch, während das Spannungsteilerverhältnis von 0,45
vorliegt, der CMOS-Eingang statt dessen als eine logische "0"
gelesen wird und der Schalter 12 in Wirklichkeit offen ist,
könnte ein solches falsches Auslesen auf bestimmte andere ex
treme Abweichungen zurückführbar sein, wie zum Beispiel eine
Versorgungsspannung 10 von 8,5 V, einen Masse-Offset von -1 V
und eine Schalterimpedanz von 50 kOhm. Um hier einen Schutz
vor der Annahme eines unkorrekten Ergebnisses zugewährleis
ten, werden die folgenden Schritte ausgeführt, wann immer aus
dem ersten Lesen eine logische "0" resultiert.
Die Mikrocontrollereinheit MCU rekonfiguriert in diesem Falle
den bidirektionalen I/O von einem geerdeten Ausgang zu einem
Eingang hoher Impedanz und entfernt hierdurch effektiv den
Widerstand R4 aus der Schaltung. Bei entferntem Widerstand R4
hat das Spannungsteilerverhältnis des Widerstands R3 zur Sum
me der Widerstände R3 und R2 den Wert 0,63. Bei Vorliegen
dieses Verhältnisses wird der CMOS-Eingang erneut gelesen.
Wenn der CMOS-Eingang dabei als logische "1" gelesen wird,
was anzeigt, dass der Schalter 12 offen ist, wird dieses Er
gebnis als korrekt akzeptiert, da es bei dem 0,63-Verhältnis
möglich ist, bei einer niedrigen Spannung "low BAT"
(BAT = 6 V), bei VG = -1 V und bei einer Schalterleckage von
50 kOhm in zutreffender Weise eine "1" bei einem geöffneten
Schalter zu lesen (was bedeutet, dass bei dem zuvor verwende
ten 0,45 Verhältnis die Interpretation als "0" inkorrekt
war). Wenn andererseits der CMOS-Eingang als logische "0" ge
lesen wird, wird der Schalter als geschlossen angesehen und
dieses Ergebnis wird als korrekt akzeptiert, da sowohl bei
dem 0,45 als auch dem 0,63 Verhältnis unter den extremen Be
dingungen von BAT = 16 V, VG = 1 V und Schalterimpe
danz = 50 Ohm ein geschlossener Schalter zutreffend gelesen
werden kann.
Es konnte somit gezeigt werden, dass durch die Erfindung eine
verbesserte passive Verarbeitung oder Konditionierung sowie
eine Schaltung zur Verarbeitung oder Konditionierung eines
Erdungssignals eines mechanischen Schalters gewährleistet
werden kann. Die verbesserte Schaltung arbeitet passiv unter
Hinzufügung nur eines einzigen Widerstandes zusätzlich zu dem
vorbekannten Schaltkreis. Die Erfindung dehnt den Bereich der
Versorgungsspannung, über welchen ein CMOS-Eingang einen me
chanischen Schalter korrekt lesen kann, in kosteneffizienter
Weise aus. Obwohl der Schalter 12 als ein normalerweise ge
öffneter Schalter beschrieben wurde, versteht es sich, dass
die erfindungsgemäßen Prinzipien sich auch auf andere Formen
von Schaltern - einschließlich normalerweise geschlossener
mechanischer Schalter - erstrecken.
Claims (12)
1. Verarbeitungsschaltung zur Verwendung bei einer Gleich
spannungsversorgung (10), welche Versorgungs- und Mas
sepotentiale (VG, GMCU) umfasst, um das masseseitige
Schließen eines Schalters (12) an einem CMOS-
Eingang (20) einer Mikrocontrollereinheit MCU, welche
einen bidirektionalen Eingang/Ausgang I/O (22) auf
weist, zu verarbeiten, wobei die Verarbeitungsschaltung
in Kombination mit dem Schalter und der MCU enthält:
einen ersten Widerstand (R1), durch den ein Aus gang (16) des Schalters, an den während des Schließens des Schalters Masse (VG) gelegt ist, für die Verbindung mit dem Versorgungspotential angepasst wird;
einen zweiten (R2) und einen dritten (R3) Widerstand in Reihe, in dieser Reihenfolge, durch welche der Aus gang (16) des Schalters für die Verbindung mit dem Mas sepotential angepasst wird; und
einen vierten Widerstand (R4), durch welchen der bidi rektionale I/O der MCU mit einem Knoten verbunden wird, welcher dem CMOS-Eingang (20), dem zweiten Wider stand (R2) und dem dritten Widerstand (R3) gemeinsam ist, um zu bewirken, dass der äquivalente Widerstand zwischen jenem Knoten und dem Massepotential (GMCU) verhältnismäßig größer ist, wenn die MCU die bidirekti onale I/O (22) als Eingang konfiguriert, und verhält nismäßig kleiner, wenn die MCU den bidirektionalen I/O als Ausgang auf Masse konfiguriert.
einen ersten Widerstand (R1), durch den ein Aus gang (16) des Schalters, an den während des Schließens des Schalters Masse (VG) gelegt ist, für die Verbindung mit dem Versorgungspotential angepasst wird;
einen zweiten (R2) und einen dritten (R3) Widerstand in Reihe, in dieser Reihenfolge, durch welche der Aus gang (16) des Schalters für die Verbindung mit dem Mas sepotential angepasst wird; und
einen vierten Widerstand (R4), durch welchen der bidi rektionale I/O der MCU mit einem Knoten verbunden wird, welcher dem CMOS-Eingang (20), dem zweiten Wider stand (R2) und dem dritten Widerstand (R3) gemeinsam ist, um zu bewirken, dass der äquivalente Widerstand zwischen jenem Knoten und dem Massepotential (GMCU) verhältnismäßig größer ist, wenn die MCU die bidirekti onale I/O (22) als Eingang konfiguriert, und verhält nismäßig kleiner, wenn die MCU den bidirektionalen I/O als Ausgang auf Masse konfiguriert.
2. Verarbeitungsschaltung nach Anspruch 1, gekennzeichnet
durch eine Diode (D1) in Reihe mit dem ersten Wider
stand (R1).
3. Verarbeitungsschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß der Schalter (12) mechanische
Schaltkontakte aufweist, die schließen, wenn der Schal
ter in den geschlossenen Zustand betätigt wird, und die
öffnen, wenn der Schalter in den offenen Zustand betä
tigt wird.
4. Verarbeitungsschaltung nach mindestens einem der An
sprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die MCU
mit einem Algorithmus programmiert ist, bei welchem der
bidirektionale Eingang/ Ausgang (22) der MCU so konfi
guriert wird, dass es dem vierten Widerstand (R4) er
möglicht ist, mit dem zweiten (R2) und dritten (R3) Wi
derstand zusammenzuwirken, und dass, wenn ein Signal am
CMOS-Eingang (20) durch die MCU als ein bestimmter lo
gischer Pegel eines binären logischen Signals erkannt
wird, dieser eine logische Pegel als das korrekte Sig
nal akzeptiert wird,
dass jedoch, wenn ein Signal am CMOS-Eingang (20) durch
die MCU als anderer Pegel des binären logischen Signals
erkannt wird, die bidirektionale Eingabe/Ausgabe rekon
figuriert wird, um dem vierten Widerstand (R4) kein Zu
sammenwirken mit dem zweiten und dritten Widerstand zu
ermöglichen, und dann das Signal erneut gelesen wird,
und das erneut gelesene Signal am CMOS-Eingang als das
korrekte Signal akzeptiert wird.
5. Verarbeitungsschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß die MCU veranlasst, dass der bidirektio
nale Eingang/Ausgang (22) als Masse mit vorzugsweise
geringer Impedanz konfiguriert wird, wenn die MCU ein
Signal am CMOS-Eingang (20) als den einen logischen Pe
gel eines binären logischen Signals liest, und dieser
eine logische Pegel als korrektes Signal akzeptiert
wird,
wobei jedoch, wenn die MCU ein Signal am CMOS-
Eingang (20) als den anderen Pegel des binären logi
schen Signals liest, die MCU veranlasst, dass der bidi
rektionale Eingang/Ausgang rekonfiguriert wird als ein
Eingang sehr hoher Impedanz, wodurch der vierte Wider
stand (R4) daran gehindert wird, mit dem zweiten (R2)
und dritten (R3) Widerstand zusammenzuwirken, und die
MCU dann das Signal am CMOS-Eingang erneut liest und
das erneut gelesene Signal als das korrekte Signal
akzeptiert.
6. Kraftfahrzeug, enthaltend:
eine elektrische Anlage mit einer elektrischen Span nungsversorgung (10), welche elektrische Gleichspannung über Versorgungs- und Massepotentiale bereitstellt;
eine Masseverbindung vom Massepotential des elek trischen Gleichspannungssystems zur Fahrzeugmasse;
einen Schalter (12) enthaltend Schaltkontakte zwischen einem ersten Anschluss (14) des Schalters und einem zweiten Anschluss (16) des Schalters, die selektiv in einem geöffneten und einen geschlossenen Zustand betä tigbar sind, um einen Strompfad zwischen dem ersten und dem zweiten Anschluss zu öffnen und zu schließen;
eine Masseverbindung vom ersten Schalteranschluss (14) zur Fahrzeugmasse (VG);
eine Mikrocontrollereinheit MCU, welche mit elektri scher Spannung aus der elektrischen Anlage des Fahr zeugs versorgt wird und eine MCU-Masse (GMCU), einen bidirektionalen Eingang/Ausgang (22) und einen CMOS- Eingang (20) aufweist;
eine Masseverbindung von der MCU-Masse (GMCU) zur Fahr zeugmasse (VG);
eine Verarbeitungsschaltung, welche den Schalter mit der elektrischen Anlage des Fahrzeugs und der MCU ver bindet, um der MCU das Lesen des Zustandes der Schalt kontakte zu ermöglichen;
wobei die Verarbeitungsschaltung enthält: einen ersten Widerstand (R1), durch den ein Ausgang (16) des Schal ters, an den während des Schließens des Schalters Mas se (VG) gelegt ist, für die Verbindung mit dem Versor gungspotential angepasst wird; zweite (R2) und drit te (R3) Widerstände in Reihe, in dieser Reihenfolge, durch welche der Ausgang (16) des Schalters für die Verbindung mit dem Massepotential angepasst wird; und
einen vierten Widerstand (R4), durch welchen der bidi rektionale I/O der MCU mit einem Knoten verbunden wird, welcher dem CMOS-Eingang (20), dem zweiten Wider stand (R2) und dem dritten Widerstand (R3) gemeinsam ist, um zu bewirken, dass der äquivalente Widerstand zwischen jenem Knoten und dem Massepotential (GMCU) verhältnismäßig größer ist, wenn die MCU die bidirekti onale I/O (22) als Eingang konfiguriert, und verhält nismäßig kleiner, wenn die MCU den bidirektionalen I/O als Ausgang auf Masse konfiguriert.
eine elektrische Anlage mit einer elektrischen Span nungsversorgung (10), welche elektrische Gleichspannung über Versorgungs- und Massepotentiale bereitstellt;
eine Masseverbindung vom Massepotential des elek trischen Gleichspannungssystems zur Fahrzeugmasse;
einen Schalter (12) enthaltend Schaltkontakte zwischen einem ersten Anschluss (14) des Schalters und einem zweiten Anschluss (16) des Schalters, die selektiv in einem geöffneten und einen geschlossenen Zustand betä tigbar sind, um einen Strompfad zwischen dem ersten und dem zweiten Anschluss zu öffnen und zu schließen;
eine Masseverbindung vom ersten Schalteranschluss (14) zur Fahrzeugmasse (VG);
eine Mikrocontrollereinheit MCU, welche mit elektri scher Spannung aus der elektrischen Anlage des Fahr zeugs versorgt wird und eine MCU-Masse (GMCU), einen bidirektionalen Eingang/Ausgang (22) und einen CMOS- Eingang (20) aufweist;
eine Masseverbindung von der MCU-Masse (GMCU) zur Fahr zeugmasse (VG);
eine Verarbeitungsschaltung, welche den Schalter mit der elektrischen Anlage des Fahrzeugs und der MCU ver bindet, um der MCU das Lesen des Zustandes der Schalt kontakte zu ermöglichen;
wobei die Verarbeitungsschaltung enthält: einen ersten Widerstand (R1), durch den ein Ausgang (16) des Schal ters, an den während des Schließens des Schalters Mas se (VG) gelegt ist, für die Verbindung mit dem Versor gungspotential angepasst wird; zweite (R2) und drit te (R3) Widerstände in Reihe, in dieser Reihenfolge, durch welche der Ausgang (16) des Schalters für die Verbindung mit dem Massepotential angepasst wird; und
einen vierten Widerstand (R4), durch welchen der bidi rektionale I/O der MCU mit einem Knoten verbunden wird, welcher dem CMOS-Eingang (20), dem zweiten Wider stand (R2) und dem dritten Widerstand (R3) gemeinsam ist, um zu bewirken, dass der äquivalente Widerstand zwischen jenem Knoten und dem Massepotential (GMCU) verhältnismäßig größer ist, wenn die MCU die bidirekti onale I/O (22) als Eingang konfiguriert, und verhält nismäßig kleiner, wenn die MCU den bidirektionalen I/O als Ausgang auf Masse konfiguriert.
7. Kraftfahrzeug nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch ei
ne Diode (D1) in Reihe mit dem ersten Widerstand (R1).
8. Kraftfahrzeug nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Schalter (12) mechanische Schaltkon
takte aufweist, die schließen, wenn der Schalter in den
geschlossenen Zustand betätigt wird, und die öffnen,
wenn der Schalter in den offenen Zustand betätigt wird.
9. Kraftfahrzeug nach wenigstens einem der Ansprüche 6
bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die MCU mit einem
Algorithmus programmiert ist, bei welchem der bidirek
tionale Eingang/Ausgang (22) der MCU derart konfigu
riert wird, dass es dem vierten Widerstand (R4) ermög
licht wird, mit dem zweiten (R2) und dritten (R3) Wi
derstand zusammenzuwirken, und dass, wenn ein Signal am
CMOS-Eingang (20) durch die MCU als ein bestimmter lo
gischer Pegel eines binären logischen Signals erkannt
wird, dieser bestimmte logische Pegel als das korrekte
Signal akzeptiert wird,
dass jedoch, wenn ein Signal am CMOS-Eingang (20) durch
die MCU als ein anderer Pegel des binären logischen
Signals erkannt wird, die bidirektionale Einga
be/Ausgabe rekonfiguriert wird, um dem vierten Wider
stand (R4) kein Zusammenwirken mit dem zweiten und
dritten Widerstand zu ermöglichen, und dann das Signal
erneut gelesen wird, und das erneut gelesene Signal am
CMOS-Eingang als das korrekte Signal akzeptiert wird.
10. Kraftfahrzeug nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
daß die MCU veranlasst, dass der bidirektionale Ein
gang/Ausgang (22) als Masse mit vorzugsweise geringer
Impedanz konfiguriert wird, wenn die MCU ein Signal am
CMOS-Eingang (20) als den einen logischen Pegel eines
binären logischen Signals liest, und dieser eine logi
sche Pegel als korrektes Signal akzeptiert wird,
wobei jedoch die MCU, wenn diese ein Signal am CMOS-
Eingang (20) als den anderen Pegel des binären logi
schen Signals erkennt, veranlasst, dass der bidirektio
nale Eingang/Ausgang als Eingang sehr hoher Impedanz
rekonfiguriert wird, wodurch der vierte Widerstand (R4)
daran gehindert wird, mit dem zweiten (R2) und dritten
(R3) Widerstand zusammenzuwirken, und die MCU dann das
Signal am CMOS-Eingang erneut liest und das erneut ge
lesene Signal als das korrekte Signal akzeptiert.
11. Verfahren zum Auslesen des Schließens eines Erdungs
schalters (12) durch eine Mikrocontrollereinheit MCU
mit einem CMOS-Eingang (20) und einem bidirektionalen
Eingang/Ausgang (22) in einem Fahrzeug mit einer
Gleichspannungsquelle (10),
wobei eine Verarbeitungsschaltung verwendet wird,
die einen ersten Widerstand (R1) enthält, durch den ein Schalterausgang (16), an den während des Schließens des Schalters Masse gelegt ist, mit einem Versorgungs potential der Gleichspannungsquelle verbunden wird,
die ferner einen zweiten (R2) und einen dritten (R3) Widerstand in Reihe, in dieser Reihenfolge, enthält, durch welche der Schalterausgang mit Masse verbunden wird,
und die einen vierten Widerstand (R4) enthält, durch den der bidirektionale Eingang/Ausgang der MCU mit ei nem Knoten verbunden wird, der dem CMOS-Eingang (20) dem zweiten Widerstand (R2) und dem dritten Wider stand (R3) gemeinsam ist,
wobei das Verfahren umfasst:
Konfiguration des bidirektionalen Eingangs/Aus gangs (22) derart, dass der vierte Widerstand (R4) mit dem zweiten (R2) und dritten (R3) Widerstand zusammen wirken kann, und Lesen eines Signals am CMOS-Eingang, während der bidirektionale Eingang/Ausgang entsprechend konfiguriert ist;
Annehmen des gelesenen Signals als korrektes Signal, falls das gelesene Signal einem bestimmten logischen Pegel eines binären logischen Signals entspricht;
falls das gelesene Signal mit dem anderen logischen Pe gel des binären Signals korrespondiert: Rekonfiguration des bidirektionalen Eingangs/Ausgangs, um dem vierten Widerstand kein Zusammenwirken mit dem zweiten und dritten Widerstand zu ermöglichen, und dann erneutes Auslesen des Signals am CMOS-Eingang; und
Annehmen des erneut gelesenen Signals am CMOS-Eingang als korrektes Signal.
wobei eine Verarbeitungsschaltung verwendet wird,
die einen ersten Widerstand (R1) enthält, durch den ein Schalterausgang (16), an den während des Schließens des Schalters Masse gelegt ist, mit einem Versorgungs potential der Gleichspannungsquelle verbunden wird,
die ferner einen zweiten (R2) und einen dritten (R3) Widerstand in Reihe, in dieser Reihenfolge, enthält, durch welche der Schalterausgang mit Masse verbunden wird,
und die einen vierten Widerstand (R4) enthält, durch den der bidirektionale Eingang/Ausgang der MCU mit ei nem Knoten verbunden wird, der dem CMOS-Eingang (20) dem zweiten Widerstand (R2) und dem dritten Wider stand (R3) gemeinsam ist,
wobei das Verfahren umfasst:
Konfiguration des bidirektionalen Eingangs/Aus gangs (22) derart, dass der vierte Widerstand (R4) mit dem zweiten (R2) und dritten (R3) Widerstand zusammen wirken kann, und Lesen eines Signals am CMOS-Eingang, während der bidirektionale Eingang/Ausgang entsprechend konfiguriert ist;
Annehmen des gelesenen Signals als korrektes Signal, falls das gelesene Signal einem bestimmten logischen Pegel eines binären logischen Signals entspricht;
falls das gelesene Signal mit dem anderen logischen Pe gel des binären Signals korrespondiert: Rekonfiguration des bidirektionalen Eingangs/Ausgangs, um dem vierten Widerstand kein Zusammenwirken mit dem zweiten und dritten Widerstand zu ermöglichen, und dann erneutes Auslesen des Signals am CMOS-Eingang; und
Annehmen des erneut gelesenen Signals am CMOS-Eingang als korrektes Signal.
12. Verfahren nach Anspruch 11,
wobei der Schritt des Annehmens des gelesenen Signals als korrektes Signal, falls das gelesene Signal einem logischen Pegel eines binären logischen Signals ent spricht, umfasst, dass das gelesene Signal als korrek tes Signal akzeptiert wird, falls das gelesene Signal mit einer verhältnismäßig positiveren Spannung, die dem einen logischen Pegel entspricht, korrespondiert;
und wobei der Schritt der Rekonfiguration des bidirek tionalen Eingangs/Ausgangs (22), um dem vierten Wider stand (R4) kein Zusammenwirken mit dem zweiten (R2) und dritten (R3) Widerstand zu ermöglichen, falls das gele sene Signal mit dem anderen logischen Pegel des binären Signals korrespondiert, die Rekonfiguration des bidi rektionalen Eingangs/Ausgangs derart umfasst, dass dem vierten Widerstand das Zusammenwirken mit dem zweiten und dritten Widerstand nicht ermöglicht wird, falls das gelesene Signal mit einer verhältnismäßig weniger posi tiven Spannung korrespondiert, welche dem anderen logi schen Pegel entspricht.
wobei der Schritt des Annehmens des gelesenen Signals als korrektes Signal, falls das gelesene Signal einem logischen Pegel eines binären logischen Signals ent spricht, umfasst, dass das gelesene Signal als korrek tes Signal akzeptiert wird, falls das gelesene Signal mit einer verhältnismäßig positiveren Spannung, die dem einen logischen Pegel entspricht, korrespondiert;
und wobei der Schritt der Rekonfiguration des bidirek tionalen Eingangs/Ausgangs (22), um dem vierten Wider stand (R4) kein Zusammenwirken mit dem zweiten (R2) und dritten (R3) Widerstand zu ermöglichen, falls das gele sene Signal mit dem anderen logischen Pegel des binären Signals korrespondiert, die Rekonfiguration des bidi rektionalen Eingangs/Ausgangs derart umfasst, dass dem vierten Widerstand das Zusammenwirken mit dem zweiten und dritten Widerstand nicht ermöglicht wird, falls das gelesene Signal mit einer verhältnismäßig weniger posi tiven Spannung korrespondiert, welche dem anderen logi schen Pegel entspricht.
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US09/327,287 US6242821B1 (en) | 1999-06-07 | 1999-06-07 | CMOS passive input circuit |
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