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Die
Erfindung schafft eine Flüssigkristallanzeige
(liquid crystal display, LCD), und insbesondere eine LCD, bei der
die Haftung zwischen einem Bandträger-Bauelement (tape carrier
package, TCP) und einem eine organische Isolierungsschicht aufweisenden
LCD-Paneel stark ist sowie ein Herstellungsverfahren dafür.
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Im
allgemeinen steuert eine LCD die Lichtdurchlässigkeit von Flüssigkristallzellen
in Reaktion auf ein Videosignal, um ein Bild anzuzeigen, welches das
an das Flüssigkristallpaneel übertragene
Videosingal reflektiert, wobei die Flüssigkristallzellen in einer
Matrixform in dem Flüssigkristallpaneel
angeordnet sind. Um dieses Ergebnis zu erzielen, weist die LCD integrierte
Ansteuerschaltungen (integrated circuit, IC) auf, um die zu einer
Matrix auf dem Flüssigkristallpaneel
angeordneten Flüssigkristallzellen
anzusteuern. Die integrierten Ansteuerschaltungen sind in Chipform
hergestellt. Die Ansteuerungs-Ics sind auf dem TCP aufgebracht,
wenn die LCD in einem automatischen Band-Kontaktierungssystem (Tape Automated
Bonding, TAB) implementiert ist. Alternativ dazu sind die Ansteuerungs-IC-Chips
auf dem Flüssigkristallpaneel
angebracht, wenn die LCD in einem Chip-auf-Glas-System (Chip an
glass, COG) implementiert ist. Die in dem COG-System implementierten
Ansteuerungs-IC-Chips sind bei dem TCP mit einem Anschlußabschnitt
auf dem Flüssigkristallpaneel
elektrisch verbunden.
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1 zeigt
die Oberfläche
eines herkömmlichen
Flüssigkristallpaneels.
Das Flüssigkristallpaneel 2 weist
eine Struktur mit einem unteren Substrat 4 und einem oberen
Substrat 6 auf, wobei die beiden Substrate 4, 6 einander
gegenüberliegend
angeordnet sind. Das Flüssigkristallpaneel 2 weist
ferner einen Anzeigebereich 8 mit zu einer Matrix angeordneten
Flüssigkristallzellen,
einen Gate-Anschlußabschnitt 12 und
einen Daten-Anschlußabschnitt 14 auf,
wobei der Gate-Anschlußabschnitt 12 und
der Daten-Anschlußabschnitt 14 derart
angeordnet sind, daß diese
jeweils zwischen den Ansteuerungs-IC-Chips (nicht dargestellt) und
dem Anzeigebereich 8 gekoppelt sind. Der Anzeigebereich 8 weist auf
dem unteren Substrat 4 einander kreuzend angeordnete Gateleitungen
und Datenleitungen, Dünnfilmtransistoren
zum Schalten der Flüssigkristallzellen,
welche an den Kreuzungsbereichen der Gate- und Datenleitungen angeordnet
sind, und Pixelelektroden auf, wobei jede Pixelelektrode mit einem
Dünnfilmtransistor
verbunden ist, um die Flüssigkristallzellen
anzusteuern. Der Anzeigebereich 8 weist ferner Farbfilter,
die durch eine auf dem oberen Substrat 8 angeordnete, die
Größe eines
Zellenbereichs aufweisende, schwarze Matrix getrennt sind, und eine
auf die Oberfläche
der Farbfilter aufgebrachte transparente gemeinsame Elektrode auf.
Das untere Substrat 4 und das obere Substrat 6 sind
mit Hilfe von Spacern voneinander getrennt, um eine Zellenlücke auszubilden,
die mit Flüssigkristallmaterial
gefüllt wird.
Das untere Substrat 4 und das obere Substrat 6 sind
ferner über
ein den Anzeigebereich 8 umgebendes Dichtungsmaterial 10 gekuppelt.
Der Gate-Anschlußabschnitt 12 und
der Daten-Anschlußabschnitt 14 werden
an den Eckbereichen des unteren Substrats 4 bereitgestellt,
die von dem oberen Substrat 6 nicht überlappt werden. Der Gate-Anschlußabschnitt 12 legt
ein Gate-Ansteuerungssignal von einem Gate-Ansteuerungs-IC-Chip
an die Gateleitungen des Anzeigebereichs 8 an, wobei die
Gate-Ansteuerungs-IC-Chips in dem Ansteuerungs-IC-Chip enthalten
sind. Der Daten-Anschlußabschnitt 14 überträgt ein Videosignal
von einem Daten-Ansteuerungs-IC-Chip
an die Datenleitungen des Anzeigebereichs 8, wobei die
Daten-Ansteuerungs-IC-Chips in den Ansteuerungs-IC-Chips enthalten sind.
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Das
die oben beschriebene Struktur aufweisende Flüssigkristallpaneel 2 verwendet
eine auf die gesamte Oberfläche
des unteren Substrats 4 aufgebrachte Schutzschicht, um
die Pixelelektroden und die Dünnfilmtransistoren
zu schützen.
Die herkömmliche
Schutzschicht ist eine aus SiNx, SiOx und anderen ähnlichen
Materialen hergestellte anorganische Schicht. Um die durch parasitäre Kapazitäten verursachte
Koppelwirkung zu minimieren, weisen die einander gegenüberliegend
angeordneten Pixelelektroden und Datenleitungen die anorganische
Schutzschicht in ihrer Mitte auf und sind mit einem konstanten Abstand,
z. B. ungefähr
3 bis 5 μm,
voneinander getrennnt. Dies ist erforderlich, da die anorganische Schutzschicht
eine hohe Dielektrizitätskonstante
aufweist. Demzufolge muß die
das Öffnungsverhältnis festlegende
Pixelelektrode eine geringe Größe aufweisen.
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Um
die Pixelelektrode und dadurch das Öffnungsverhältnis größer zu machen wird herkömmlicherweise
ein organisches Material, wie z. B. das eine kleine Dielektrizitätskonstante
aufweisende Benzocyclobutene (BCB), als Schutzschicht verwendet.
Zum Beispiel wird in dem
U.S.
Patent No. 5,798,812 eine organische Isolierungsschicht
bereitgestellt, die den Pixelbereich sowie die Anschlußbereichsabschnitte
der LCD bedeckt. Da die Dielektrizitätskonstante der organischen
Schutzschicht um ca. 2,7 geringer als die der anorganischen Schutzschicht ist,
kann die Pixelelektrode von der Datenleitung überlappt werden. Folglich kann
die Pixelelektrode um den Betrag vergrößert werden, der der Überlappung
zwischen der Pixelelektrode und der Datenleitung entspricht, so
daß dadurch
das Öffnungsverhältnis der
Flüssigkristallzelle
erhöht
wird.
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Die
LCD des TAB-Systems ermöglicht
dem die Ansteuerungs-IC-Chips
aufbringenden TCP, den Gate-Anschlußsabschnitt und den Daten-Anschlußabschnitt
zu kontaktieren. Der TAB-Prozeß zwingt das
TCP mehrmals den Gate-Anschlußsabschnitt und
den Daten-Anschlußabschnitt
des Flüssigkristallpaneels
zu kontaktieren und dann wieder von diesen getrennt zu werden. Um
zu verhindern, daß die als
Daten-Anschlüsse
verwendeten Metallelektroden infolge der wiederholten Kontaktierung
und Auftrennung zwischen dem TCP und dem Daten-Anschlußabschnitt
des Flüssigkristallpaneels
beschädigt
werden, werden die in dem Daten-Anschlußabschnitt enthaltenen und
durch Metallelektroden definierten Daten-Anschlüsse über transparente Elektroden
mit dem TCP gekuppelt. Die organische Schutzschicht ist jedoch schlecht
mit der Gate-Isolierungsschicht gekuppelt und löst sich daher leicht von der
Gate-Isolierungsschicht. Dieses Problem wird mit Hilfe der 2 bis 5B nachfolgend
beschrieben.
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2 ist
die Detail-Ansicht eines Bereichs des Gate-Anschlußabschnitts 12 in 1. 3A ist die
Querschnittansicht des Gate-Anschlußabschnitts 12 entlang
der Linie A-A' in 2. 3B ist
die Querschnittansicht des Gate-Anschlußabschnitts 12 entlang
der Linie B-B' in 2.
Bezugnehmend auf die 2, 3A und 3B werden
die Gate-Anschlüsse 16 gemeinsam
mit Gateleitungen auf einem unteren Glassubstrat 22 bereitgestellt,
wobei alle gleichzeitig in dem Anzeigeabschnitt enthalten sind. Eine
Gate-Isolierungsschicht 24 und eine organische Schutzschicht 26 werden
nacheinander auf die gesamte Oberfläche des unteren Glassubstrats 22 aufgebracht,
wobei das Glassubstrat 22 die Gate-Anschlüsse 16 aufweist.
Die Gate-Isolierungsschicht 24 und die organische Schutzschicht 26 sind
derart strukturiert, daß an
jedem Gate-Anschluß 16 eine Öffnung 18 ausgebildet
ist. Durch das Loch 18 an jedem Gate-Anschluß 16 ist
der Gate-Anschluß 16 freigelegt.
Transparente Elektroden 20 werden dann derart auf der organischen
Schutzschicht 26 ausgebildet, daß die transparenten Elektroden 20 über die Löcher 18 mit
jedem Gate-Anschluß 16 gekuppelt sind.
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Die
organische Schutzschicht 26 ist mit der Gate-Isolierungsschicht 24 schlecht
gekuppelt und löst
sich daher leicht von der Gate-Isolierungsschicht 24, wenn
das TCP von dem Gate-Anschlußabschnitt 12 auf
dem Flüssigkristallpaneel
getrennt wird. Die Haftung zwischen der organischen Schutzschicht 26 und
der Gate-Isolierungsschicht 24 wird durch die in der organischen
Schutzschicht 26 und der Gate-Isolierungsschicht 24 ausgebildeten
Löcher 18 weiter verschlechtert,
so daß fast
die gesamte organische Schutzschicht 26 gelöst wird,
wenn das TCP von dem Gate-Anschlußabschnitt 12 getrennt
wird.
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Folglich
weist der Gate-Anschlußabschnitt 12 infolge
der Loslösung
der organischen Schutzschicht 26 keine gleichmäßige Oberfläche auf.
Dadurch wird das TCP bei der Wieder-Kontaktierung (re-bonded) mit dem Gate-Anschlußabschnitt 12 schlecht
mit diesem gekuppelt, wodurch sich der Kupplungsbereich verringert
und der Widerstand erhöht.
Wenn sich die organische Schutzschicht 26 löst, wird
ferner die transparente Elektrode 20 von dem Gate-Anschlußabschnitt 12 getrennt
und die Gate-Anschlüsse 16 werden
freigelegt. Folglich können
die Gate-Anschlüsse 16 leicht
beschädigt
werden oder oxidieren.
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4 ist
die Detailansicht eines Abschnitts des Daten-Anschlußabschnitts 14 in 1. 5A ist
die Querschnittansicht des Daten-Anschlußabschnitts 14 entlang
der Linie A-A' in 4. 5B ist die
Querschnittansicht des Daten-Anschlußabschnitts 14 entlang
der Linie B-B' in 4.
Wie aus den 4, 5A und 5B ersichtlich,
werden Daten-Anschlüsse 28 gemeinsam
mit Datenleitungen (nicht dargestellt) auf der Gate-Isolierungsschicht 24 auf
dem unteren Glassubstrat 22 gleichzeitig bereitgestellt.
Eine unter dem Daten-Anschluß 28 ausgebildete
Halbleiterschicht 30 erstreckt sich zu der Datenleitung
hin. Die organische Schutzschicht 26 ist auf der gesamten
Oberfläche
der Gate-Isolierungsschicht 24 aufgebracht, wobei die Daten-Anschlüsse auf
der Gate-Isolierungsschicht 24 ausgebildet sind. Die organische
Schutzschicht 26 ist derart strukturiert, daß an jedem
Daten-Anschluß 28 ein Loch 18 ausgebildet
ist. Durch das Loch 18 an jedem Daten-Anschluß 28 ist
der Daten-Anschluß 28 freigelegt.
Transparente Elektroden 20 werden dann derart auf der organischen
Schutzschicht 26 ausgebildet, daß die transparenten Elektroden 20 über die
Löcher 18 mit
jedem Daten-Anschluß 28 verbunden
sind.
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Die
organische Schutzschicht 26 ist mit der Gate-Isolierungsschicht 24 schlecht
gekuppelt und löst
sich dadurch leicht von der Gate-Isolierungsschicht 24,
wenn das TCP von dem Daten-Anschlußabschnitt 14 auf
dem Flüssigkristallpaneel
getrennt wird. Die Haftung zwischen der organischen Schutzschicht 26 und
der Gate-Isolierungsschicht 24 wird durch die in der organischen
Schutzschicht 26 ausgebildeten Öffnungen 18 weiter
verschlechtert, so daß fast
die gesamte organische Schutzschicht 26 durch diesen Prozeß entfernt
wird.
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Folglich
weist der Daten-Anschlußabschnitt 14 infolge
der Loslösung
der organischen Schutzschicht 26 keine gleichmäßige Oberfläche auf.
Dadurch wird das TCP bei der Wieder-Kontaktierung mit dem Daten-Anschlußabschnitt 14 schlecht
mit diesem verbunden, wodurch sich der Verbindungsbereich verringert
und der Widerstand erhöht.
Ferner wird die transparente Elektrode 20 gemeinsam mit der
organischen Schutzschicht 26 von dem Daten-Anschlußabschnitt 14 getrennt
und dadurch die Daten-Anschlüsse 28 freigelegt.
Folglich können
die Daten-Anschlüsse 28 einfach
beschädigt
werden oder oxidieren.
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Aus
der Patentanmeldung
DE
198 14 676 A1 ist ebenfalls eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung bekannt,
wobei die Umgebung des Gateanschlusses und Datenanschlusses von
einer Gateisolationsschicht und einer Schutzschicht bedeckt sind,
so dass das TCP nicht direkt an das Substratmaterial koppelt. Die
Schutzschicht ist als anorganische Schutzschicht ausgebildet.
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JP 07-248 505 A offenbart
eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung,
die auf das Problem des Eindringens von statischer Elektrizität in Signalleitungen gerichtet
ist.
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Aufgabe
der Erfindung ist, eine LCD bereitzustellen, die eine stärkere Haftung
zwischen dem TCP und dem Flüssigkristallpaneel
bei einem großen Öffnungsverhältnis aufweist.
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Eine
bevorzugte Ausführungsform
gemäß der Erfindung
ist eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
mit einem Gate-Anschlußabschnitt
zum Anschließen
eines Ansteuerungs-ICs, die ein Substrat, einen auf dem Substrat
ausgebildeten Gateanschluß im
Gate-Anschlußabschnitt,
eine auf dem Substrat und dem Gateanschluß ausgebildete Gate-Isolierungsschicht,
eine auf der Gate-Isolierungsschicht ausgebildete ringförmige Halbleiterschicht
mit einer Breite, so dass ein Unterätzen der Gate-Isolierungsschicht
verhindert wird, und eine auf dem Gate-Anschlußabschnitt über dem Gateanschluss ausgebildete
transparente Elektrode, die durch eine Öffnung in der Gate-Isolierungsschicht
und der ringförmigen Halbleiterschicht
mit dem Gäteanschluß verbunden ist,
aufweist.
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Eine
weitere Ausführungsform
gemäß der Erfindung
ist eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit
einem Daten-Anschlußabschnitt
zum Anschließen
eines Ansteuerungs-ICs, die ein Substrat, eine auf dem Substrat
ausgebildete Gate-Isolierungsschicht,
eine auf der Gate-Isolierungsschicht ausgebildete ringförmige Halbleiterschicht
mit einer Breite, so dass ein Unterätzen der Gate-Isolierungsschicht verhindert
wird, einem Datenanschluß in
der ringförmigen Öffnung der
Halbleiterschicht, der die ringförmige
Halbleiterschicht teilweise überlappt,
so dass die Gate-Isolierungsschicht unter dem Elektrodenanschluß und der
ringförmigen
Halbleiterschicht verbleibt, eine auf dem Daten-Anschlußabschnitt
ausgebildete transparente Elektrode, die mit dem Datenanschluß verbunden
ist, aufweist.
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Ein
weiterer Aspekt der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung
einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
mit Anschlußabschnitten
zum Anschließen
eines Ansteuerungs-ICs, das die Schritte aufweist Bereitstellen
eines Glassubstrats, Ausbilden eines Gate-Anschlusses auf dem Glassubstrat
in einem Gate-Anschlußabschnitt,
Aufbringen einer Gate-Isolierungsschicht
auf die gesamte Oberfläche des
Glassubstrats und Ausbilden einer Öffnung zum Freilegen des Gate-Anschlusses,
Ausbilden einer ersten ringförmigen
Halbleiterschicht auf der Gate-Isolierungsschicht im Gate-Anschlussabschnitt,
wobei die erste ringförmige
Halbleiterschicht zumindest teilweise den Gate-Anschluß überlappt, und
einer zweiten ringförmigen
Halbleiterschicht auf der Gate-Isolierungsschicht in einem Daten-Anschlußabschnitt,
Ausbilden eines Daten-Anschlusses auf der ringförmigen Halbleiterschicht im
Daten-Anschlußabschnitt,
der zumindest teilweise die ringförmige Halbleiterschicht überlappt,
Aufbringen einer organischen Schutzschicht auf die gesamte Oberfläche des
Glassubstrats, sequentielles Ätzen
der organischen Schutzschicht sowie der Gate-Isolierungsschicht
in den Bereichen der Anschlußabschnitte, wobei
die organische Schutzschicht in den Bereichen der Anschlußabschnitte
entfernt wird und ein Unterätzen
der Gate-Isolierungsschicht aufgrund der Breite der Halbleiterschicht
verhindert wird, und Ausbilden einer transparenten Elektrode auf
den Anschlußabschnitten,
um die Datenanschlüsse
und die Gateanschlüsse
zu schützen.
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Die
Erfindung wird anhand der nachfolgend Beschreibung mit Hilfe der
Zeichnung näher
erläutert.
In der Zeichnung zeigen:
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1 die
Draufsicht auf eine herkömmliche LCD;
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2 die
detaillierte Draufsicht auf einen Abschnitt des Gate-Anschlußabschnitts
in 1;
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3A die
Querschnittsansicht des Gate-Anschlußabschnitts entlang der Linie
A-A' in 2;
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3B die
Querschnittsansicht des Gate-Anschlußabschnitts entlang der Linie
B-B' in 2;
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4 die
detaillierte Draufsicht auf einen Abschnitt des Daten-Anschlußabschnitts
in 1;
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5A die
Querschnittsansicht des Daten-Anschlußabschnitts entlang der Linie
A-A' in 4;
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5B die
Querschnittsansicht des Daten-Anschlußabschnitts entlang der Linie
B-B' in 4;
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6 die
detaillierte Draufsicht auf einen Abschnitt des Gate-Anschlußabschnitts
in einer LCD gemäß einer
bevorzugten Ausführungsform
gemäß der Erfindung;
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7A die
Querschnittsansicht des Gate-Anschlußabschnitts entlang der Linie
A-A' in 6;
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7B die
Querschnittsansicht des Gate-Anschlußabschnitts entlang der Linie
B-B' in 6;
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8 die
detaillierte Draufsicht auf einen Abschnitt des Daten-Anschlußabschnitts
in einer LCD gemäß einer
bevorzugten Ausführungsform
gemäß der Erfindung;
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9A die
Querschnittsansicht des Daten-Anschlußabschnitts entlang der Linie
A-A' in 8;
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9B die
Querschnittsansicht des Daten-Anschlußabschnitts entlang der Linie
B-B' in 8;
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Bevorzugte
Ausführungsformen
gemäß der Erfindung
für eine
starke Haftung zwischen einem TCP und Anschlußabschnitten eines Flüssigkristallpaneels
werden nachfolgend mit Hilfe der 6 bis 9B beschrieben.
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6 ist
die detaillierte Draufsicht auf einen Abschnitt des Gate-Anschlußabschnitts
in einer LCD gemäß einer
bevorzugten Ausführungsform
gemäß der Erfindung; 7A ist
die Querschnittsansicht des Gate-Anschlußabschnitts entlang der Linie
A-A' in 6;
und 7B ist die Querschnittsansicht des Gate-Anschlußabschnitts
entlang der Linie B-B' in 6;
Wie aus den 6, 7A und 7B ersichtlich,
werden Gate-Anschlüsse 16 gemeinsam mit
den Gateleitungen eines Anzeigeabschnitts (nicht dargestellt) auf
einem unteren Glassubstrat 22 vorzugsweise gleichzeitig
bereitgestellt. Eine Gate-Isolierungsschicht 24 ist
auf die gesamte Oberfläche
des unteren Glassubstrats 22 aufgebracht, um die Gate-Anschlüsse 16 darauf
anzubringen. Die Gate-Isolierungsschicht 24 ist derart
strukturiert, daß an
jedem Gate-Anschluß 16 ein
Loch 18 ausgebildet ist. Durch das Loch 18 an
jedem Gate-Anschluß 16 ist
dieser freigelegt. Dann wird eine Halbleiterstruktur 32,
vorzugsweise aus amorphen Silizium, auf die Gate-Isolierungsschicht 24 und um
die Löcher 18 herum
aufgebracht. Die Halbleiterstruktur 32 weist vorzugsweise
eine fast ringförmige
Konfiguration auf, die derart angeordnet ist, daß das Ende des Gate-Anschlusses 16 von
einem Abschnitt der Halbleiterstruktur 32 überlappt
wird. Dann wird die organische Schutzschicht 26 auf der
gesamten Oberfläche der
Gate-Isolierungsschicht 24 aufgebracht,
um die Halbleiterstruktur 32 darauf anzuordnen. Die organische
Schutzschicht 26 wird dann von dem Gate-Anschlußabschnitt
des Flüssigkristallpaneels
mittels Strukturierung entfernt. Die Gate-Isolierungsschicht 24 wird
mittels eines Ätzverfahrens
ebenso strukturiert. Wenn die Gate-Isolierungsschicht 24 geätzt wird,
wirkt die Halbleiterstruktur 32 als eine Schutzschicht,
um ein Unterätzen
der Gate-Isolierungsschicht 24 zu verhindern. Wenn die
Breite der Halbleiterstruktur 32 zu gering ist, wird die
Gate-Isolierungsschicht 24 an
dem geätzten
Bereich untergeätzt.
Wenn dies auftritt, wird der Gate-Anschluß in dem TAB-Prozeß beschädigt und
die nach dem Ätzverfahren
ausgebildete transparente Elektrode kann infolge einer durch die
Halbleiterstruktur 32 und die geätzte Gate-Isolierungsschicht 24 verursachte
Stufe offen sein. Folglich sollte die Breite der Halbleiterstruktur 32 genau
eingestellt werden, um ein Unterätzen
der Gate-Isolierungsschicht 24 zu verhindern. Schließlich werden
transparente Elektroden auf jeder Halbleiterstruktur 32 ausgebildet.
Die transparente Elektroden 20 schützen die Gate-Anschlüsse 16. Durch
die die oben beschriebene Struktur aufweisenden Gate-Anschlüsse 16 wird
die Notwendigkeit der organischen Schutzschicht 26 und
der Gate-Isolierungsschicht 24 um
die Gate-Anschlüsse 16 herum eliminiert
und die Oberfläche
des unteren Glassubstrats 22 teilweise freigelegt, wie
aus 7B ersichtlich.
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Dementsprechend
verhindert der Gate-Anschlußabschnitt
die Loslösung
der transparenten Elektrode 20 infolge der schlechten Haftung
zwischen der organischen Schutzschicht und der Gate-Isolierungsschicht 24,
wenn der TAB-Prozeß wiederholt
wird. Eine anisotrope Kontaktschicht (Anisotropic Conductive Film,
ACF) (nicht dargestellt), um den TCP mit dem Gate-Anbschlußabschnitt
zu kuppeln, ist direkt mit dem unteren Glassubstrat 22 gekuppelt.
Folglich bleibt die Haftung zwischen dem Gate-Anschlußabschnitt
und dem TCP sehr stark.
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8 ist
die detaillierte Draufsicht auf einen Abschnitt des Daten-Anschlußabschnitts
in einer LCD gemäß einer
bevorzugten Ausführungsform
gemäß der Erfindung; 9A ist
die Querschnittsansicht des Daten-Anschlußabschnitts entlang der Linie A-A' in 8;
und 9B ist die Querschnittsansicht des Daten-Anschlußabschnitts
entlang der Linie B-B' in 8;
Bezugnehmend auf die 8, 9A und 9B weist
der Daten-Anschlußabschnitt
die Halbleitstruktur 32, vorzugsweise aus amorphem Silizium, auf
der Gate-Isolierungsschicht 24 auf und ist auf dem unteren
Glassubstrat 22 aufgebracht. Jede Halbleiterstruktur 32 hat
vorzugsweise eine fast ringförmige
Konfiguration, ähnlich
der des Gate-Anschlußabschnitts.
Ferner erstreckt sich die auf der Gate-Isolierungsschicht 24 ausgebildete
Halbleiterstruktur 32 zu der Datenleitung (nicht dargestellt)
hin. Folglich weist die Halbleiterstruktur 32 fast die
gleiche Form wie des herkömmlichen
Daten-Anschlußabschnitts
auf. Ferner weist der Daten-Anschlußabschnitt Daten-Anschlüsse 28 auf,
die an den Löchern 18 mit
der Halbleiterstruktur 32 gefüllt werden und ebenso von der
inneren Umfangskante jeder Halbleiterstruktur 32 überlappt
werden. Jeder Daten-Anschluß 28 ist
mit der Gate-Isolierungsschicht 24 um die durch die Halbleiterstruktur 32 mit
einer fast ringförmigen
Konfiguration definierten Öffnung 18 herum gekuppelt.
Dann wird die organische Schutzschicht 26 auf die gesamten
Oberfläche
der Gate-Isolierungsschicht 24 aufgebracht, welche die
Halbleiterstruktur 32 und die Daten-Anschlüsse 28 aufweist. Die
organische Schutzschicht 26 ist derart strukturiert, daß sie von
dem Daten-Anschlußabschnitt
eliminiert ist. Die Gate-Isolierungsschicht 24 wird
ebenso durch ein Ätzverfahren
strukturiert. Wenn die Gate-Isolierungsschicht geätzt wird,
wirkt die Halbleiterstruktur 32 als eine Schutzschicht,
um ein Unterätzen
der Gate-Isolierungsschicht 24 zu verhindern. Folglich
verbleibt die Gate-Isolierungsschicht 24 nur unter den
Daten-Anschlüssen 28 und
der Halbleiterstruktur 32. Wenn die Breite der Halbleiterstruktur 32 zu
gering ist, wird die Gate-Isolierungsschicht 24 untergeätzt. Wenn
dies auftritt, kann der Daten-Anschluß in dem TAB-Prozeß beschädigt werden
und die nach dem Ätzverfahren
ausgebildete transparente Elektrode kann infolge einer durch die
Halbleiterstruktur 32 und den untergeätzten Gate-Isolierungsschicht 24 verursachten
Stufe offen sein. Folglich muß die
Breite der Halbleiterstruktur 32 genau eingestellt werden,
um ein Unterätzen
der Gate-Isolierungsschicht 24 zu
verhindern. Schließlich
werden transparente Elektroden 20 auf der Halbleiterstruktur 32 und
den Daten-Anschlüsen 28 ausgebildet.
Die transparente Elektroden 20 schützen die Daten-Anschlüsse 28.
Durch die die oben bschriebene Struktur aufweisenden Daten-Anschlüsse 28 wird
die Notwendigkeit der organischen Schutzschicht und der Gate-Isolierungsschicht
um die Daten-Anschlüsse 28 herum
eleminiert und die Oberfläche
des unteren Glassubstrats 22 teilweise freigelegt, wie
aus 9B ersichtlich.
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Dementsprechend
verhindert der Daten-Anschlußabschnitt
die Trennung der transparenten Elektrode 20 infolge der
schlechten Haftung zwischen der organischen Schutzschicht und der Gate-Isolierungsschicht 24,
wenn der TAB-Prozeß wiederholt
wird. Eine ACF (nicht dargestellt), um den TCP mit dem Gate-Anschlußabschnitt
zu kuppeln, ist direkt mit dem unteren Glassubstrat 22 gekuppelt. Folglich
bleibt die Haftung zwischen dem Gate-Anschlußabschnitt und dem TCP sehr
stark.
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Wie
oben beschrieben, wird durch die bevorzugten Ausführungsformen
der Erfindung die Notwendigkeit der organischen Schutzschicht und
der Gate-Isolierungsschicht eliminiert, welche herkömmlicherweise
um die Anschlüsse
herum angeordnet sind. Dementsprechend verhindern die bevorzugten Ausführungsformen
der Erfindung die Loslösung
der transparenten Elektroden, wenn der TAB-Prozeß wiederholt wird. Ferner ermöglichen
die bevorzugten Ausführungsformen
der Erfindung für
die ACF die TCP mit dem Anschlußabschnitt
zu kuppeln und direkt mit der Oberfläche des unteren Glassubstrats
zu kuppeln. Folglich bleibt die Haftung zwischen dem Anschlußabschnitt
und dem TCP stark. Ferner stellen die bevorzugten Ausführungsformen
der Erfindung eine Halbleiterstruktur um den Anschlußabschnitt
herum bereit, um ein Unterätzen
der Gate-Isolierungsschicht zu verhindern, so daß die Anschlüsse nicht
beschädigt
werden und die transparenten Elektroden nicht offen sind.