DE10021344A1 - Halbleitervorrichtung - Google Patents

Halbleitervorrichtung

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DE10021344A1
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Abstract

Bei einer Halbleitervorrichtung ist eine Halbleiterschaltung (2) auf einer Fläche (Frontfläche) (3) eines Halbleiterchips (1) ausgebildet und es sind Schaltungselemente wie beispielsweise Kondensatoren, Widerstände, oder Spulen und Anschlußstellen, die mit diesen Schaltungselementen verbunden sind, auf der anderen Fläche (rückwärtige Fläche) (4) ausgebildet. Die Schaltungselemente sind auf der rückwärtigen Fläche durch eine chemische Gasphasenabscheidung, Kathodenzerstäubung oder ein Elektrolytplattierungsverfahren ausgebildet.

Description

GEBIET DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung, die einen Halbleiterchip aufweist. Spezieller betrifft die Er­ findung eine Halbleitervorrichtung mit einer Halbleiterschal­ tung, die auf der Oberfläche eines Halbleiterchips ausgebildet ist.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Fig. 5 ist eine perspektivische Ansicht, die eine grobe Kon­ figuration einer herkömmlichen Halbleitervorrichtung zeigt. Die Fig. 6A und 6B sind Draufsichten, die grobe Konfigura­ tionen an der Frontfläche und der Rückfläche eines Halbleiter­ chips bei der herkömmlichen Halbleitervorrichtung zeigen. Die herkömmliche Halbleitervorrichtung umfaßt ein Halbleiterchip 1, Halbleiterschaltkreise 2, die auf einer Oberfläche 3 (im folgenden als Frontfläche bezeichnet) des Halbleiterchips 1 ausgebildet sind, und umfaßt Elektrodenanschlüsse 5 (im fol­ genden als Anschlußstellen bezeichnet), die an die Halbleiter­ schaltungen 2 angeschlossen sind.
Ein Metallfilm ist vollständig auf der rückwärtigen Fläche 4 des Halbleiterchips niedergeschlagen, und zwar gegenüber der Frontfläche 3 des Halbleiterchips, auf der die Halbleiter­ schaltungen 2 ausgebildet sind, und zwar aufgrund der Af­ finität zwischen einem Siliziumsubstrat selbst oder dem Hal­ bleiterchip 1 (beim Giessen oder Formen) und einem nicht veranschaulichten Rahmen, der als eine Basis dient.
Jedoch sind gemäß der herkömmlichen Technik die Halb­ leiterschaltungen 2 auf der Frontfläche 3 des Halbleiterchips ausgebildet, und die rückwärtige Fläche 4 des Halbleiterchips, auf der keine Halbleiterschaltungen 2 ausgebildet sind, besteht aus dem Siliziumsubstrat selbst oder ist vollständig mit einem Metallfilm bedeckt. Es ergibt sich somit ein Problem dahingehend, daß die rückwärtige Fläche 4 des Halbleiterchips in keiner Weise effektiv genutzt ist.
Wenn ein Kondensatorelement oder ein Spulenelement, welches eine relativ große Fläche benötigt, auf dem Halbleiterchip 1 angeordnet wird, erhöhen sich die Kosten in nachteiliger Weise, da die Fläche auf dem Halbleiterchip 1 vergrößert wer­ den muß. Da ein Kondensatorelement mit einem großen Kapazitätswert oder ein Spulenelement mit einer großen Reak­ tanz eine große Fläche benötigt, können diese Elemente nicht auf dem Halbleiterchip 1 angeordnet werden, und es kann in nachteiliger Weise eine gewünschte Qualität nicht erzielt wer­ den. Da eine große Zahl von Teilen, die nicht in der Halb­ leitervorrichtung eingebaut sind, auf einer gedruckten Schal­ tungsplatine außerhalb der Halbleitervorrichtung eingebaut sind, läßt sich die gedruckte Schaltungsplatine in der Größe nicht reduzieren.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung wurde in Hinblick auf die oben beschriebenen Probleme entwickelt. Es ist die Aufgabe der vor­ liegenden Erfindung, eine Halbleitervorrichtung zu erzielen, welche effektiv die rückwärtige Fläche des Halbleiterchips verwenden kann, auf der eine Halbleiterschaltung nicht ausge­ bildet ist.
Ein zweites Ziel der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Halbleitervorrichtung zu schaffen, bei der die Fläche eines Halbleiterchips reduziert werden kann, um die Kosten zu vermindern, oder eine Halbleitervorrichtung zu schaffen, bei der ein Kondensatorelement mit einem großen Kapazitätswert und ein Spulenelement mit einer Reaktanz angeordnet werden können, um die gewünschte Qualität zu erzielen.
Ein drittes Ziel der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Halbleitervorrichtung zu schaffen, welche effektiv die rückwärtige Fläche des Halbleiterchips verwendet, auf der keine Halbleiterschaltung ausgebildet ist, Teile auf einer gedruckten Schaltungsplatine außerhalb der Halbleitervorrich­ tung in die Halbleitervorrichtung mit einbezieht und die Größe der gedruckten Schaltungsplatine reduziert werden kann.
Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung werden Schaltkreiselemente wie beispielsweise Kondensatoren, Wider­ stände und Wicklungen oder Spulen und Anschlußstellen, die an diese Schaltungselemente angeschlossen sind, durch eine chemische Gasphasenabscheidung (CVD), ein Kathodenzerstäu­ bungsverfahren, elektrolytisches Plattierungsverfahren oder ähnliches auf der rückwärtigen Fläche des Halbleiterchips aus­ gebildet, auf der keine Halbleiterschaltung ausgebildet ist.
Ferner wird ein Spulenelement mit einer relativ großen Fläche auf der rückwärtigen Fläche des Halbleiterchips angeordnet. Auf diese Weise läßt sich eine Spule oder Wicklung mit einer großen Reaktanz unterbringen.
Ferner kann ein Kondensatorelement mit einer relativ großen Fläche auf der rückwärtigen Fläche des Halbleiterchips unter­ gebracht werden. Auf diese Weise läßt sich selbst ein Konden­ sator mit einem relativ großen Kapazitätswert unterbringen.
Ferner kann ein Bypass-Kondensator mit einem Kapazitätswert, der größer ist als derjenige eines Kondensators, der auf der Frontfläche des Halbleiterchips angeordnet ist, auf der rück­ wärtigen Fläche anordnen.
Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist auf der rückwärtigen Fläche des Halbleiters eine Metallver­ drahtungsschicht zum Anschluß der Chipteile ausgebildet. Daher können Teile, die auf einer gedruckten Schaltungsplatte außer­ halb der Halbleitervorrichtung angeordnet sind, in die Halb­ leitervorrichtung integriert werden.
Andere Ziele und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung unter Hinweis auf die beigefügten Zeichnungen.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Fig. 1A und 1B sind Draufsichten, welche grobe Konfigura­ tionen an der Frontfläche und der rückwärtigen Fläche eines Halbleiterchips bei einer Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen;
Fig. 2A und 2B sind Draufsichten, die grobe Konfigurationen auf der Frontseite und der rückwärtigen Seite eines Halb­ leiterchips bei einer Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen;
Fig. 3A und 3B sind Draufsichten, die grobe Konfigurationen auf der Frontfläche und der rückwärtigen Fläche eines Halb­ leiterchips bei einer Halbleitervorrichtung nach einer drit­ ten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wiedergeben;
Fig. 4A und 4B sind Draufsichten, die grobe Konfigurationen auf der Frontfläche und der rückwärtigen Fläche eines Halb­ leiterchips bei einer Halbleitervorrichtung gemäß einer vier­ ten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen;
Fig. 5 ist eine perspektivische Ansicht, die eine grobe Kon­ figuration einer herkömmlichen Halbleitervorrichtung zeigt; und
Fig. 6A und 6B sind Draufsichten, die grobe Konfigurationen auf der Frontfläche und der rückwärtigen Fläche eines Halb­ leiterchips bei einer herkömmlichen Halbleitervorrichtung wiedergeben.
BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Ausführungsformen einer Halbleitervorrichtung gemäß der vor­ liegenden Erfindung werden im folgenden in Einzelheiten unter Hinweis auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Die vor­ liegende Erfindung ist nicht auf die Ausführungsformen be­ grenzt.
Die Fig. 1A und 1B sind Draufsichten, die grobe Konfigura­ tionen auf der Frontfläche und der rückwärtigen Fläche eines Halbleiterchips bei einer Halbleitervorrichtung (im folgenden als IC bezeichnet) gemäß einer ersten Ausführungsform der vor­ liegenden Erfindung zeigen. Die gleichen Bezugszeichen wie in den Fig. 6a und 6B bezeichnen die gleichen Teile in den Fig. 1A und 1B, und eine Beschreibung derselben wird wegge­ lassen. Ein IC gemäß der ersten Ausführungsform umfaßt auf einer rückwärtigen Fläche 4 des Halbleiterchips, auf der keine Halbleiterschaltung 2 ausgebildet ist, Anschlußstellen 6 und 7 und ein Spulenelement (Reaktanzkomponente) 8, welches an die Anschlußstellen 6 und 7 angeschlossen ist und durch eine Ver­ drahtungsschicht gebildet ist bzw. sind, die aus einem Metall oder ähnlichem besteht.
Insbesondere ist das Spulenelement 8, welches eine relativ große Fläche benötigt, nicht auf der Frontfläche 3 des Halb­ leiterchips ausgebildet, sondern ist auf der rückwärtigen Fläche 4 des Halbleiterchips ausgebildet. Auf diese Weise kann das Spulenelement 8 mit einer Reaktanzkomponente, die zu groß ist, um das Element auf der Frontfläche 3 des Halbleiterchips anzuordnen, untergebracht werden.
In Verbindung mit der oben erläuterten Konfiguration soll eine Betriebsweise der ersten Ausführungsform im folgenden beschrieben werden. Das IC gemäß der ersten Ausführungsform führt eine vorbestimmte Operation wie im Falle eines herkömmlichen IC durch, welches die rückwärtige Fläche 4 des Halbleiterchips nicht effektiv nutzt. Zusätzlich ist das Spu­ lenelement 8 in der Größe erhöht, um eine große Reaktanzkompo­ nente zu erzielen, oder es wird ein Abschnitt der Frontfläche 3 des Halbleiterchips, der durch das Spulenelement 8 belegt ist, verwendet, so daß eine andere Halbleiterfunktion erzielt werden kann.
Wie oben beschrieben ist werden bei dem IC gemäß der ersten Ausführungsform unter Verwendung eines Metallverdrahtungs­ prozesses die Anschlußstellen 5 und 7 und das ebene Spulenele­ ment 8, welches an die Anschlußstellen 6 und 7 angeschlossen ist, auf der rückwärtigen Fläche 4 des Halbleiterchips ausge­ bildet, auf der die Halbleiterschaltung 2 nicht ausgebildet ist. Auf diese Weise wird das Spulenelement 8, welches eine relativ große Fläche benötigt, auf der rückwärtigen Fläche 4 des Halbleiterchips ausgebildet, die nicht beim Stand der Technik verwendet wird.
Da somit das Spulenelement 8, welches beim Stand der Technik eine große Fläche auf der Frontfläche 3 des Halbleiterchips belegt, auf der rückwärtigen Fläche 4 des Halbleiterchips angeordnet werden kann, kann die rückwärtige Fläche 4 des Halb­ leiterchips effektiv dazu eingesetzt werden, um die Fläche des Halbleiterchips 1 und die Größe des IC zu reduzieren.
Indem das Spulenelement 8 vergrößert wird, kann der IC eine Reaktanzkomponente erhalten, die größer ist als diejenige eines IC mit einer Chipfläche, die gleich ist dem IC der er­ sten Ausführungsform. Wenn eine andere Halbleiterfunktion bei einem Abschnitt der Frontfläche 3 des Halbleiterchips ausge­ führt werden kann, die durch das Spulenelement 8 belegt ist, kann ein zusätzlicher Wert verbessert werden, und zwar im Ver­ gleich zu einem herkömmlichen IC mit einer Chipfläche, die gleich ist derjenigen des IC der ersten Ausführungsform.
Die Fig. 2A und 2B sind Draufsichten, welche grobe Konfigu­ rationen auf der Frontfläche und der rückwärtigen Fläche eines Halbleiterchips 1 in einer Halbleitervorrichtung (IC) gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zei­ gen. Da die Grundkonfiguration der zweiten Ausführungsform die gleiche ist wie die Konfiguration der ersten Ausführungsform, die in den Fig. 1A und 1B gezeigt ist, bezeichnen die gleichen Bezugszeichen wie in den Fig. 1A und 1B die gleichen Teile in den Fig. 2A und 2B und eine Beschreibung derselben ist weggelassen. Lediglich unterschiedliche oder ab­ weichende Abschnitte zwischen der ersten Ausführungsform und der zweiten Ausführungsform werden im folgenden beschrieben.
Der IC gemäß der zweiten Ausführungsform umfaßt auf der rück­ wärtigen Fläche 4 eines Halbleiterchips, auf der keine Halb­ leiterschaltung 2 ausgebildet ist, einen Chipkondensator 11, einen Chipwiderstand 12, ein Metallverdrahtungsmuster 9 zum Packen des Chipkondensators 11 und des Chipwiderstandes 12, und eine Anschlußfleck-Gruppe 10, die an das Metallver­ drahtungsmuster 9 angeschlossen ist. D. h. eine zusätzliche Schaltung, die durch einen Chipwiderstand, einen Chipkondensa­ tor und ähnliches gebildet ist und auf einer nicht dargestell­ ten gedruckten Schaltungsplatine zum Packen eines IC darauf beim Stand der Technik angeordnet ist, ist auf der rückwärti­ gen Fläche 4 des Halbleiterchips angeordnet.
Bei der oben beschriebenen Konfiguration wird eine Betriebs­ weise der zweiten Ausführungsform im folgenden beschrieben. Der IC gemäß der zweiten Ausführungsform führt eine vorbe­ stimmte Operation wie im Falle des herkömmlichen IC durch, bei dem die rückwärtige Oberfläche 4 des Halbleiterchips nicht ef­ fektiv genutzt wird und auch wie im Fall einer zusätzlichen Schaltung, die durch einen Chipwiderstand, einen Chipkondensa­ tor und ähnlichem auf der gedruckten Schaltungsplatine ge­ bildet ist.
Wie oben beschrieben ist, wird bei dem IC gemäß der zweiten Ausführungsform unter Verwendung eines Metallverdrahtungspro­ zesses eine Metallverdrahtungsschicht wie bei einer gedruckten Schaltungsplatine auf der rückwärtigen Fläche 4 des Halb­ leiterchips ausgebildet, auf der keine Halbleiterschaltung 2 ausgebildet ist, um es zu ermöglichen, den Chipkondensator 11, den Chipwiderstand 12 und ähnliches zu packen, wodurch eine zusätzliche Schaltung gebildet wird.
Da eine zusätzliche Schaltung, die auf einer gedruckten Schal­ tungsplatine angeordnet ist, auf der rückwärtigen Fläche 4 in dem Halbleiterchip integriert werden kann, welche rückwärtige Fläche beim Stand der Technik nicht ausgenutzt wird, kann die rückwärtige Oberfläche 4 des Halbleiterchips effektiv genutzt werden. Die Zahl der Teile auf der gedruckten Schaltungs­ platine kann reduziert werden, und es kann die gedruckte Schal­ tungsplatine in der Größe reduziert werden.
Die Fig. 3A und 3B sind Draufsichten, welche die groben Konfigurationen auf der Frontfläche und der rückwärtigen Fläche eines Halbleiterchips 1 bei einer Halbleitervorrichtung (IC) gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Er­ findung zeigen. Da die Grundkonfiguration der dritten Aus­ führungsform die gleiche ist wie die Konfiguration der ersten Ausführungsform, die in den Fig. 1A und 1B gezeigt ist, sind die gleichen Bezugszeichen wie in den Fig. 1A und 1B verwendet, welche die gleichen Teile in den Fig. 3A und 3B bezeichnen, und eine Beschreibung derselben wird weggelassen. Lediglich unterschiedliche Abschnitte zwischen der ersten Aus­ führungsform und der dritten Ausführungsform werden im folgen­ den beschrieben.
Der IC gemäß der dritten Ausführungsform umfaßt auf der rück­ wärtigen Fläche 4 eines Halbleiterchips, auf der keine Halb­ leiterschaltung 2 ausgebildet ist, Anschlußstellen 14 und 15 und ein Kondensatorelement 13, welches an die Anschlußstellen 14 und 15 angeschlossen ist. Das Kondensatorelement 13 wird durch einen thermischen Oxidationsprozeß und einen Metallver­ drahtungsprozeß ausgebildet, so daß es einen großen Kapazitätswert besitzt.
Die Anschlußstellen 14 und 15 sind mit einer Stromversorgung (VDD)-Verdrahtungsschicht und einer Erde- oder Masse-(GND)Ver­ drahtungsschicht einer Frontfläche 3 des Halbleiterchips jeweils verbunden, und das Kondensatorelement 13 hat die Funk­ tion eines Bypass-Kondensators (der im folgenden als Passkon­ densator bezeichnet wird). D. h., das Kondensatorelement 13, welches eine relativ große Fläche benötigt, kann auf der rück­ wärtigen Fläche 4 des Halbleiterchips angeordnet werden und nicht auf der Frontfläche 3 des Halbleiterchips.
Es läßt sich somit ein Passkondensator mit einem Kapazitätswert, der zu groß ist, um diesen auf der Frontfläche 3 des Halbleiterchips anzuordnen, unterbringen. Zusätzlich kann die Fläche des Halbleiterchips 1 und die Größe des IC reduziert werden.
Bei der oben beschriebenen Konfiguration wird eine Betriebs­ weise der dritten Ausführungsform im folgenden beschrieben. Der IC gemäß der dritten Ausführungsform führt eine vorbe­ stimmte Operation durch, wie im Fall des herkömmlichen IC, bei dem die rückwärtige Oberfläche 4 des Halbleiterchips nicht ef­ fektiv verwendet wird. Durch Anordnen eines Passkondensators mit einer großen Kapazität kann die Stromversorgungsspannung des IC stabilisiert werden, und es können Stromversorgungsstör­ signale reduziert werden.
Speziell, wenn es sich bei der Halbleiterschaltung 2 um eine analoge Schaltung handelt, lassen sich durch Hinzufügen eines Passkondensators zu der Stromversorgung die Stromversorgungs­ störsignale unterdrücken, und es können die analogen Schal­ tungseigenschaften verbessert werden. Wenn der Kapazitätswert des Kondensators, der zu der Stromversorgung hinzugefügt wird, erhöht wird, kann der Einfluß eines elektrostatischen Durchschlags, verursacht durch einen Überstrom, der auf die Stromversorgung aufgebracht wird, vermindert werden.
Wie oben beschrieben wurde, wird bei dem IC gemäß der dritten Ausführungsform ein Kondensatorelement 13 mit großem Kapazitätswert, welches als ein Passkondensator dient, durch einen thermischen Oxidationsprozeß und einen Metallver­ drahtungsprozeß auf der rückwärtigen Oberfläche 4 des Halb­ leiterchips ausgebildet, auf der keine Halbleiterschaltung 2 ausgebildet ist. Da auf diese Weise das Kondensatorelement 13, welches eine große Fläche oder Bereich benötigt, auf der rück­ wärtigen Fläche 4 des Halbleiterchips angeordnet werden kann, kann die Fläche des Halbleiterchips 1 und die Größe des IC reduziert werden, indem die rückwärtige Fläche 4 des Halb­ leiterchips effektiv ausgenutzt wird.
Da der Passkondensator hinzugefügt werden kann, kann die Stromversorgungsspannung des IC stabilisiert werden, und es können Stromversorgungsstörsignale reduziert werden. Speziell bei einer analogen Schaltung können die Eigenschaften der analogen Schaltung durch Unterdrücken der Stromversor­ gungsstörsignale verbessert werden. Zusätzlich kann der Ein­ fluß des elektrostatischen Durchschlags, verursacht durch einen Überstrom, der von der Stromversorgung gezogen wird, vermindert werden.
Die Fig. 4A und 4B sind Draufsichten, welche grobe Konfigu­ rationen auf der Frontfläche und der rückwärtigen Fläche eines Halbleiterchips 1 bei einer Halbleitervorrichtung (IC) gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zei­ gen. Da die Grundkonfiguration der vierten Ausführungsform die gleiche ist wie die Konfiguration der ersten Ausführungsform, die in den Fig. 1A und 1B gezeigt ist, bezeichnen die gleichen Bezugszeichen wie in den Fig. 1A und 1B die gleichen Teile in den Fig. 4A und 4B und eine Beschreibung derselben ist weggelassen. Lediglich abweichende oder unter­ schiedliche Abschnitte zwischen der ersten Ausführungsform und der vierten Ausführungsform werden im folgenden beschrieben.
Der IC gemäß der vierten Ausführungsform umfaßt auf der rück­ wärtigen Fläche 4 eines Halbleiterchips, auf welcher keine Halbleiterschaltung 2 ausgebildet ist, Anschlußstellen 18, 19, 20 und 21, ein digitales Kondensatorelement 16, welches an die Anschlußstellen 18 und 19 angeschlossen ist, und ein analoges Kondensatorelement 17, welches an die Anschlußstellen 20 und 21 angeschlossen ist.
Das digitale Kondensatorelement 16 und das analoge Kondensa­ torelement 17 sind durch eine dielektrische Schicht und eine Metallverdrahtungsschicht gebildet und besitzen hohe Kapazitätswerte. Die Halbleiterschaltung 2 besitzt eine digi­ tale Schaltung und eine analoge Schaltung, eine VDD-Ver­ drahtungsschicht und eine GND-Verdrahtungsschicht, die für die digitale Schaltung vorgesehen sind, und eine VDD-Verdrah­ tungsschicht und eine GND-Verdrahtungsschicht, die für die analoge Schaltung vorgesehen sind.
Die Anschlußstellen 18 und 19 sind mit der VDD-Verdrahtungs­ schicht und der GND-Verdrahtungsschicht verbunden, die für die digitale Schaltung auf der Frontfläche 3 eines Halbleiterchips jeweils vorgesehen sind, und das digitale Kondensatorelement 16 dient als ein Passkondensator, welcher der digitalen Schal­ tung zugeordnet ist. Die Anschlußstellen 20 und 21 sind mit der VDD-Verdrahtungsschicht und der GND-Verdrahtungsschicht verbunden, die für die analoge Schaltung auf der Frontfläche 3 des Halbleiterchips jeweils dienen, und das analoge Kondensa­ torelement 17 dient als ein Passkondensator, welcher der analogen Schaltung zugeordnet ist.
D. h. die Kondensatorelemente 16 und 17 erfordern relativ große Flächen oder Bereiche und können auf der rückwärtigen Fläche 4 des Halbleiterchips angeordnet werden, nicht jedoch auf der Frontfläche 3 des Halbleiterchips. Auf diese Weise läßt sich selbst bei einem IC, bei dem eine digitale Schaltung und eine analoge Schaltung zusammengepackt sind, ein Passkondensator mit einem Kapazitätswert unterbringen, der zu groß ist, um diesen auf der Frontfläche 3 des Halbleiterchips unterzubrin­ gen. Zusätzlich läßt sich die Fläche des Halbleiterchips 1 und die Größe des IC reduzieren.
Bei der oben beschriebenen Konfiguration wird eine Betriebs­ weise oder Operation der vierten Ausführungsform in folgenden beschrieben. Der IC gemäß der vierten Ausführungsform führt eine vorbestimmte Operation wie im Fall des herkömmlichen IC durch, bei dem die rückwärtige Oberfläche 4 des Halbleiter­ chips nicht effektiv genutzt wird. Durch Anordnen eines Passkondensators mit einem großen Kapazitätswert kann die Stromversorgungsspannung des IC stabilisiert werden, und es können Stromversorgungsstörsignale reduziert werden. Durch Anordnen der Bypasskondensatoren, welche einer analogen Schal­ tung und einer digitalen Schaltung zugeordnet sind, werden Störsignale der digitalen Schaltung unterdrückt und daran ge­ hindert, zu der analogen Schaltung durch einen Bypass- Kondensator zu zirkulieren.
Wie oben beschrieben wurde, sind bei dem IC gemäß der vierten Ausführungsform Kondensatorelemente 16 und 17 mit großem Kapazitätswert, die als Passkondensatoren dienen, durch einen thermischen Oxidationsprozeß und einen Metallverdrahtungspro­ zeß auf der rückwärtigen Fläche 4 des Halbleiterchips ausge­ bildet, auf der keine Halbleiterschaltung 2 angeordnet oder ausgebildet ist. Auf diese Weise läßt sich, da die Kondensa­ torelement 16 und 17, die große Flächen benötigen, auf der rückwärtigen Fläche 4 des Halbleiterchips angeordnet werden können, die Fläche des Halbleiterchips 1 und die Größe des IC reduzieren, indem effektiv die rückwärtige Fläche 4 des Halb­ leiterchips ausgenutzt wird.
Indem ferner eine Vielzahl von Kondensatoren auf der rückwär­ tigen Fläche 4 des Halbleiterchips ausgebildet werden, können selbst dann, wenn die Halbleiterschaltung 2, in der eine digi­ tale Schaltung und eine analoge Schaltung zusammengepackt sind, auf der Frontfläche 3 des Halbleiterchips ausgebildet ist, Bypasskondensatoren, die der digitalen und der analogen Schaltung zugeordnet sind, zwischen der VDD-Schaltung und der GND-Schaltung für die digitale und analoge Schaltung angeord­ net werden. Aus diesem Grund können speziell Bypasskondensato­ ren mit großem Kapazitätswert zu der digitalen Schaltung und der analogen Schaltung hinzugefügt werden, ohne daß Störsig­ nale der digitalen Schaltung zu der analogen Schaltung durch einen Bypasskondensator wandern können. Es kann daher die Stromversorgungsspannung des IC stabilisiert werden.
Wie oben beschrieben wurde, werden gemäß dem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung Schaltungselemente wie beispielsweise ein Kondensator, ein Widerstand und eine Wicklung oder Spule und Anschlußstellen, die mit diesen Schaltungselementen ver­ bunden sind, durch ein Dampfphasenwachsverfahren (CVD: chemi­ sches Gasabscheidungsverfahren), ein Kathodenzerstäubungsver­ fahren, ein elektrolytisches Planierungsverfahren oder ähnli­ chem auf der rückwärtigen Fläche eines Halbleiterchips ausge­ bildet, auf der keine Halbleiterschaltung ausgebildet ist. Aus diesem Grund wird die rückwärtige Fläche des Halbleiterchips, auf der keine Halbleiterschaltung ausgebildet ist, effektiv in vorteilhafter Weise genutzt.
Da ferner ein Spulenelement mit einem relativ großen Flächen­ bereich auf der rückwärtigen Fläche des Halbleiters angeordnet ist, wird der Flächenbereich des Halbleiterchips reduziert, so daß die Kosten vermindert werden können. Da zusätzlich selbst ein Spulenelement mit einer großen Reaktanz untergebracht wer­ den kann, läßt sich die gewünschte Performance bzw. Qualität in vorteilhafter Weise realisieren.
Da ferner ein Kondensatorelement mit einem relativ großen Flächenbereich auf der rückwärtigen Fläche des Halbleiterchips angeordnet ist, wird der Flächenbereich des Halbleiterchips reduziert, so daß die Kosten vermindert werden können. Da zusätzlich selbst ein Kondensatorelement mit einem großen Kapazitätswert angeordnet werden kann, kann die gewünschte Qualität oder Performance in vorteilhafter Weise erreicht wer­ den.
Da ferner ein Bypasskondensator untergebracht werden kann, der einen Kapazitätswert größer als derjenige eines Kondensa­ torelements besitzt, welches auf der Frontseite des Halb­ leiterchips angeordnet ist, lassen sich Störsignale der Halb­ leitervorrichtung in vorteilhafter Weise reduzieren.
Gemäß dem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Metallverdrahtungsschicht zum anschließen der Chipteile auf der rückwärtigen Fläche des Halbleiters ausgebildet und es können Teile auf der gedruckten Schaltungsplatte außerhalb der Halbleitervorrichtung in die rückwärtige Fläche des Halb­ leiterchips eingebaut oder inkorporiert werden. Aus diesem Grund wird die Zahl der Teile auf der gedruckten Schaltungs­ platte außerhalb der Halbleitervorrichtung reduziert und es kann die gedruckte Schaltungsplatte in vorteilhafter Weise in der Größe reduziert werden.
Obwohl die Erfindung in Bezug auf eine spezifische Aus­ führungsform zum Zwecke der vollständigen und klaren Offen­ barung beschrieben wurde, sind die anhängenden Ansprüche nicht auf diese Weise eingeschränkt sondern sind so zu interpre­ tieren, daß sie alle Modifikationen und alternativen Konstruk­ tionen mit umfassen, die für einen Fachmann offenkundig sind und damit eindeutig innerhalb der Grundlehre, die hier vermit­ telt ist, fallen.
Obwohl die Erfindung in Bezug auf eine spezifische Aus­ führungsform zum Zwecke einer vollständigen und klaren Offen­ barung beschrieben ist, sind somit die anhängenden Ansprüche in keiner Weise durch diese spezifische Ausführungsform eingeschränkt und umfassen alle Modifikationen und alterna­ tiven Konstruktionen, die für einen Fachmann möglich sind und damit in den Rahmen bzw. Grundlehre, wie sie hier vermittelt wurde, fallen.

Claims (5)

1. Halbleitervorrichtung, mit:
einem Halbleiterchip (1) mit einer Oberfläche (3), auf der eine Halbleiterschaltung (2) ausgebildet ist, wobei wenigstens ein Schaltungselement auf einer Fläche (4) des Halbleiterchips (1) ausgebildet ist, die von der Fläche (3), auf der die Halbleiterschaltung (2) ausgebildet ist, verschieden ist.
2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Halb­ leiterelement eine Spule (8) ist.
3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Schal­ tungselement ein Kondensator (13) ist.
4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, wobei der Konden­ sator ein Bypasskondensator (13) mit einem Kapazitätswert ist, der größer ist als ein Kapazitätswert eines Kondensa­ tors, der auf der Fläche (3) des Halbleiterchips (1) angeord­ net sein kann, auf der die Halbleiterschaltung (2) ausge­ bildet ist.
5. Halbleitervorrichtung, mit:
einem Halbleiterchip (1) mit einer Oberfläche (3), auf der eine Halbleiterschaltung (2) ausgebildet ist, wobei eine Metallverdrahtung (9) zum Anschließen der Chipteile auf einer Oberfläche (4) des Halbleiterchips (1) ausgebildet ist, die von der Fläche (3), auf der die Halbleiterschaltung (2) ausgebildet ist, verschieden ist.
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