DE10017422A1 - Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungverfahren - Google Patents
Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes HerstellungverfahrenInfo
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Abstract
Die Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelementes mit den Schritten: Bereitstellen eines Substrats (1); Vorsehen einer ersten mikromechanischen Funktionsschicht (5) auf der Opferschicht (4); Strukturieren der ersten mikromechanischen Funktionsschicht (5) derart, daß sie eine beweglich zu machende Sensorstruktur (6) aufweist; Vorsehen und Strukturieren einer ersten Verschlußschicht (8) auf der strukturierten ersten mikromechanischen Funktionsschicht (5); Vorsehen und Strukturieren einer zweiten mikromechanischen Funktionschicht (10) auf der ersten Verschlußschicht (8), welche zumindest eine Abdeckfunktion aufweist und zumindest teilweise in der ersten mikromechanischen Funktionsschicht (5) verankert wird; Beweglichmachen der Sensorstruktur (6); und Vorsehen einer zweiten Verschlußschicht (8) auf der zweiten mikromechanischen Funktionsschicht (10). Die Erfindung schafft ebenfalls ein entsprechendes mikromechanisches Bauelement.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein mikromechanisches
Bauelement mit einem Substrat und einer beweglichen Sensor
struktur in einer ersten mikromechanischen Funktionsschicht
auf der Opferschicht. Die Erfindung betrifft ebenfalls ein
entsprechendes Herstellungsverfahren.
Obwohl auf beliebige mikromechanische Bauelemente und
Strukturen, insbesondere Sensoren und Aktuatoren, anwend
bar, werden die vorliegende Erfindung sowie die ihr zugrun
deliegende Problematik in bezug auf ein in der Technologie
der Silizium-Oberflächenmikromechanik herstellbares mikro
mechanisches Bauelement, z. B. einen Beschleunigungssensor,
erläutert.
Allgemein bekannt sind monolithisch integrierte inertiale
Sensoren in Oberflächenmikromechanik (OMM), bei denen die
empfindlichen beweglichen Strukturen ungeschützt auf dem
Chip aufgebracht sind (Analog Devices). Dadurch entsteht
ein erhöhter Aufwand beim Handling und bei der Verpackung.
Umgehen kann man dieses Problem durch einen Sensor, wobei
die OMM-Strukturen mittels einem zweiten Kappenwafer abge
deckt sind. Diese Art der Verpackung verursacht einen hohen
Anteil (ca. 75%) der Kosten eines OMM-Beschleunigungssen
sors. Diese Kosten entstehen durch den hohen Flächenbedarf
der Dichtfläche zwischen Kappenwafer und Sensorwafer und
aufgrund der aufwendigen Strukturierung (2-3 Masken, Bulk
mikromechanik) des Kappenwafers.
In der DE 195 37 814 A1 werden der Aufbau eines funktiona
len Schichtsystems und ein Verfahren zur hermetischen Ver
kappung von Sensoren in Oberflächenmikromechanik beschrie
ben. Hierbei wird die Herstellung der Sensorstruktur mit
bekannten technologischen Verfahren erläutert. Die besagte
hermetische Verkappung erfolgt mit einem separaten Kappen-
Wafer aus Silizium, der mit aufwendigen Strukturierungspro
zessen, wie beispielsweise KOH-Ätzen, strukturiert wird.
Der Kappen-Wafer wird mit einem Glas-Lot (Seal-Glas) auf
dem Substrat mit dem Sensor (Sensor-Wafer) aufgebracht.
Hierfür ist um jeden Sensorchip ein breiter Bond-Rahmen
notwendig, um eine ausreichende Haftung und Dichtheit der
Kappe zu gewährleisten. Dies begrenzt die Anzahl der Sen
sor-Chips pro Sensor-Wafer erheblich. Auf Grund des großen
Platzbedarfs und der aufwendigen Herstellung des Kappen-
Wafers entfallen erhebliche Kosten auf die Sensor-
Verkappung.
Das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren mit den Merkma
len des Anspruchs 1 bzw. das mikromechanische Bauelement
nach Anspruch 12 weisen folgende Vorteile auf.
Es baut auf einen bekannten OMM-Prozeß auf, der Epitaxie-
Polysilizium mit mindestens 10 µm Dicke zur Bildung einer
mikromechanischen Funktionsschicht schafft. Es wird keine
neue permeable Schicht benötigt, sondern man verwendet an
sich bekannte Prozesse. Neu ist lediglich der Schritt zur
Erzeugung der Verschlußschichten, welche eine Abdicht- und
Einebenungsfunktion haben.
Es ergibt sich eine Vereinfachung des OMM-Prozesses, da
aufgrund der zweiten mikromechanischen Funktionsschicht,
die zumindest eine Abdeckfunktion übernimmt, der Kappenwa
fer entfällt und die Strukturen von oben kontaktiert werden
können.
Weiterhin gewinnt der Prozeß an Funktionalität, d. h. dem
Designer stehen weitere mechanische und/oder elektrische
Bauelemente zur Realisierung des Bauelementes Verfügung.
Insbesondere können folgende Funktionselemente erstellt
werden:
- - eine Drucksensormembran in der zweiten mikromechani schen Funktionsschicht;
- - eine Leiterbahnstruktur in der zweiten mikromechani schen Funktionsschicht, welche sich mit einer oberhalb der zweiten Verschlußschicht vorgesehenen weiteren Leiterbahnstruktur überkreuzen kann;
- - sehr niederohmige Zuleitungen aus Aluminium in der oberhalb der zweiten Verschlußschicht vorgesehenen wei teren Leiterbahnstruktur;
- - ein vertikaler Differentialkondensator;
- - weitere Verankerungen der Strukturen der ersten mikro mechanischen Funktionsschicht in der zweiten mikrome chanischen Funktionsschicht.
Auch können übliche IC-Verpackungen, wie Hybrid, Kunst
stoff, Flip-Chip etc., verwendet werden.
In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbil
dungen und Verbesserungen des jeweiligen Gegenstandes der
Erfindung.
Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung wird eine Opfer
schicht auf dem Substrat vorgesehen und die Opferschicht
zum Beweglichmachen der Sensorstruktur geätzt. Bei einer
vereinfachten Version kann das Substrat mit einer Opfer
schicht und der ersten mikromechanischen Funktionsschicht
als SOI(Silicon on Insulator)-Struktur vorgesehen werden.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung erfolgt ein
Strukturieren der ersten mikromechanischen Funktionsschicht
derart, daß sie bis zur Opferschicht reichende erste Durch
gänge aufweist. Weiterhin erfolgt ein Strukturieren der
zweiten mikromechanischen Funktionsschicht derart, daß sie
bis zur ersten Verschlußschicht reichende zweite Durchgänge
aufweist, welche durch Verbindungsbereiche der ersten
Verschlußschicht mit den ersten Durchgängen verbunden sind.
Danach erfolgt ein Ätzen der ersten Verschlußschicht zum
Entfernen der Verbindungsbereiche unter Verwendung der
zweiten Durchgänge als Ätzkanäle. Schließlich erfolgt ein
Ätzen der Opferschicht unter Verwendung der durch das Ent
fernen der Verbindungsbereiche miteinander verbundenen ers
ten und zweiten Durchgänge als Ätzkanäle. Dies minimiert
den Aufwand für die Ätzprozesse, da die Opferschicht und
die erste Verschlußschicht in einem Prozeß geätzt werden
können.
Für das Entfernen der optionellerweise vorgesehenen Opfer
schicht werden also durch die erste und zweite mikromecha
nische Funktionsschicht und die dazwischenliegende erste
Verschlußschicht laufende Ätzkanäle erzeugt. Dadurch kann
die Dicke der zweiten mikromechanischen Funktionsschicht
erhöht sein und deren Festigkeit bzw. Steifigkeit verbes
sert sein. Demzufolge können größere Flächen überspannt
werden und die Bauelemente höherem Streß ausgesetzt werden.
Beim Entfernen der Opferschicht muß man keine Rücksicht auf
Leiterbahn-Aluminium o. ä. nehmen, da es erst zu einem spä
teren Zeitpunkt aufgebracht wird.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird eine
vergrabene Polysiliziumschicht unterhalb der ersten oder
zweiten mikromechanischen Funktionsschicht vorgesehen. Ein
Entfallen des vergrabenen Polysiliziums und einer darunter
liegenden Isolationsschicht ist ebenfalls möglich, da wei
tere Verdrahtungsebenen oberhalb der Sensorstruktur verfüg
bar sind.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung werden die
erste und zweite Verschlußschicht wesentlich dünner als die
erste und zweite mikromechanische Funktionsschicht gestal
tet.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung werden die
erste und/oder zweite Verschlußschicht durch eine nicht
konforme Abscheidung derart vorgesehen, daß die ersten bzw.
zweiten Durchgänge nur im oberen Bereich verpropft werden.
Dies reduziert die Ätzzeit beim Opferschichtentfernen, da
nur ein Teil der Durchgänge verstopft ist.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung werden die
ersten und/oder zweiten Durchgänge als Gräben oder Löcher
gestaltet, die sich nach oben hin verengen.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung werden die
erste und/oder zweite mikromechanische Funktionsschicht aus
einem leitenden Material, vorzugsweise Polysilizium, herge
stellt.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung werden die
erste und/oder zweite Verschlußschicht aus einem dielektri
schen Material, vorzugsweise Siliziumdioxid, hergestellt.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung werden auf
der zweiten Verschlußschicht eine oder mehrere Leiterbahn
schichten, vorzugsweise aus Aluminium, vorgesehen.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird in die
zweite mikromechanische Funktionsschicht eine Leiter
bahnstrukur integriert.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen
dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher er
läutert.
Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Querschnittsansicht eines mik
romechanischen Bauelements gemäß einer ersten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in ei
nem ersten Prozeßstadium;
Fig. 2 eine schematische Querschnittsansicht des mikro
mechanischen Bauelements gemäß der ersten Ausfüh
rungsform der vorliegenden Erfindung in einem
zweiten Prozeßstadium;
Fig. 3 eine schematische Querschnittsansicht des mikro
mechanischen Bauelements gemäß der ersten Ausfüh
rungsform der vorliegenden Erfindung in einem
dritten Prozeßstadium;
Fig. 4 eine schematische Querschnittsansicht des mikro
mechanischen Bauelements gemäß der ersten Ausfüh
rungsform der vorliegenden Erfindung in einem
vierten Prozeßstadium; und
Fig. 5 einen vergrößerten Ausschnitt der schematischen
Querschnittsansicht des mikromechanischen Bauele
ments gemäß der ersten Ausführungsform der vor
liegenden Erfindung nach Fig. 4.
In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche
oder funktionsgleiche Komponenten.
Fig. 1 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines
mikromechanischen Bauelements gemäß einer ersten Ausfüh
rungsform der vorliegenden Erfindung in einem ersten Pro
zeßstadium.
In Fig. 1 bezeichnet 1 einen Silizium-Substratwafer, 2 ein
unteres Oxid, 3 eine vergrabene Polysiliziumschicht, 4 ein
Opferoxid, 20 ein Kontaktloch im unteren Oxid 2 und 21 Kon
taktlöcher im Opferoxid 4.
Zur Herstellung der in Fig. 1 gezeigten Struktur erfolgt
zunächst eine ganzflächige Abscheidung des unteren Oxids 2
auf dem Silizium-Substratwafer 1. In einem folgenden
Schritt wird Polysilizium abgeschieden und strukturiert, um
Leiterbahnen in der vergrabenen Polysiliziumschicht 3 zu
erzeugen.
Darauffolgend wird das Opferoxid 4 auf die gesamte Struktur
ganzflächig aufgebracht, zum Beispiel durch ein LTO(Low
Temperature Oxid)-Verfahren oder durch ein TEOS(Tetra
ethyl-Orthosilikat)-Verfahren. Anschließend werden die Kon
taktlöcher 20 und 21 an den dafür vorgesehenen Stellen mit
tels üblicher Phototechniken und Ätztechniken geschaffen.
Fig. 2 zeigt eine schematische Querschnittsansicht des mik
romechanischen Bauelements gemäß der ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung in einem zweiten Prozeßstadium.
In Fig. 2 bezeichnen zusätzlich zu den bereits eingeführ
ten Bezugzeichen 5 eine erste mikromechanische Funktions
schicht in Form einer Epitaxie-Polysiliziumschicht,6 eine
später beweglich zu machende Sensorstruktur (Kammstruktur),
7 Gräben in der ersten mikromechanischen Funktionsschicht
5, 8 ein erstes Verschlußoxid (LTO, TEOS o. ä.), 9 Pfropfen
in den Gräben 7 bestehend aus dem Verschlußoxid 8, 16 Oxid
verbindungsbereiche zum späteren Opferoxidätzen und 22 Kon
taktlöcher im Verschlußoxid 8.
Zur Herstellung der in Fig. 2 gezeigten Struktur erfolgt
zunächst in bekannter Weise eine Abscheidung von Epitaxie-
Polysilizium zur Bildung der ersten mikromechanischen Funk
tionsschicht 5, eine Strukturierung der mikromechanischen
Funktionsschicht 5 zur Bildung der beweglich zu machenden
Sensorstruktur 6 und der Gräben 7.
Hierauf erfolgt ein Refill-Prozess zum Verschließen der
Gräben 7 mit dem Verschlußoxid 8 und anschließend optionel
lerweise eine Planarisierung. Obwohl nachstehend nicht ex
plizit erwähnt, kann solch eine Planarisierung prinzipiell
nach jeder ganzflächigen Schichtabscheidung vorgenommen
werden.
Beim gezeigten Beispiel ist der Refill nicht vollständig,
sondern deckt die darunter liegende Struktur nur nach oben
hin zu 100% ab und sorgt ebenfalls für eine Abdichtung.
Dies ist in Fig. 5 detaillierter gezeigt.
Es folgt ein Prozess zur Bildung der Kontaktlöcher 22 durch
übliche Phototechniken und Ätztechniken. Diese Kontaktlö
cher 22 dienen zur Verankerung der später aufzubringenden
zweiten mikromechanischen Funktionsschicht 10 (vergleiche
Fig. 3) und zur Eingrenzung von den Oxidverbindungsberei
chen 16 zum späteren Opferoxidätzen.
Fig. 3 zeigt eine schematische Querschnittsansicht des mik
romechanischen Bauelements gemäß der ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung in einem dritten Prozeßstadium.
In Fig. 3 bezeichnen zusätzlich zu den bereits eingeführ
ten Bezugszeichen 10 eine zweite mikromechanische Funkti
onsschicht in Form einer Epitaxie-Polysiliziumschicht und
11 Gräben in der zweiten mikromechanischen Funktionsschicht
10.
Zum Aufbau der in Fig. 3 gezeigten Struktur wird die zwei
te mikromechanische Funktionsschicht 10 analog zur ersten
mikromechanischen Funktionsschicht 5 als stabile Verschluß
schicht für die darunterliegende Sensorstruktur 6 abge
schieden. Neben dieser Verschlußfunktion kann die zweite
mikromechanische Funktionsschicht 10 natürlich auch zur
Kontaktierung, als Zuleitung, als obere Elektrode usw. für
das Bauelement dienen. Es folgen eine Strukturierung dieser
Schicht 10 zur Herstellung der Gräben 11, welche später zu
sammen mit den Gräben 9 für das Opferoxidätzen benötigt
werden.
Fig. 4 zeigt eine schematische Querschnittsansicht des mik
romechanischen Bauelements gemäß der ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung in einem vierten Prozeßstadium.
In Fig. 4 bezeichnen zusätzlich zu den bereits eingeführ
ten Bezugszeichen 13 ein zweites Verschlußoxid (LTO, TEOS
o. ä.), 14 ein Kontaktloch in dem Verschlußoxid 13, 15 eine
Leiterbahnebene aus Aluminium, welche über die Kontaktlö
cher 14 mit der zweiten mikromechanischen Funktionsschicht
10 verbunden ist.
Ausgehend von dem in Fig. 3 gezeigten Prozeßstadium werden
zum Erreichen des Prozeßstadiums nach Fig. 4 folgende
Schritte durchgeführt. Zunächst erfolgt ein Ätzen des
Verschlußoxids 8 zum Entfernen der Oxidverbindungsbereiche
16 unter Verwendung der zweiten Gräben 11 als Ätzkanäle.
Darauf erfolgt ein Ätzen der Opferschicht 4 unter Verwen
dung der durch das Entfernen der Verbindungsbereiche 16
miteinander verbundenen ersten und zweiten Gräben 7, 11 als
Ätzkanäle. Ein langes Opferoxidätzen ist möglich, da noch
kein Aluminium auf der Oberfläche vorhanden ist.
In einem darauffolgenden Prozeßschritt erfolgt ein zweiter
Refill-Prozeß zur Bildung des zweiten Verschlußoxids 13,
wobei diese Abscheidung ebenfalls keine konforme Abschei
dung ist, sondern die Gräben 11 nur an ihrer Oberfläche
verpfropft. Dies ist in Fig. 5 näher illustriert. Der in
der Sensorstruktur 6 eingeschlossene Innendruck bzw. die
Innenatmosphäre sind abhängig von den Prozeßbedingungen
beim Refill-Prozeß. Diese Parameter bestimmen z. B. die
Dämpfung der Sensorstruktur.
Anschließend erfolgen eine Strukturierung des zweiten
Verschlußoxids 13 zur Bildung der Kontaktlöcher 14 und eine
Abscheidung und Strukturierung der Leiterbahnschicht 15 aus
Aluminium.
Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand eines
bevorzugten Ausführungsbeispiels beschrieben wurde, ist sie
darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Weise mo
difizierbar.
Es können insbesondere beliebige mikromechanische Grundma
terialien, wie z. B. Germanium, verwendet werden, und nicht
nur das exemplarisch angeführte Siliziumsubstrat.
Auch können beliebige Sensorstrukturen gebildet werden, und
nicht nur der illustrierte Beschleunigungssensor.
Obwohl in den Figuren nicht dargestellt, können die Gräben
7 bzw. 11 nach oben verengt gestaltet sein, um die nicht
konforme Abscheidung der ersten bzw. zweiten Verschluß
schicht 8, 13 zu fördern.
Es kann eine Variation der Schichtdicken der ersten und
zweiten mikromechanischen Funktionsschicht 5, 10 durch den
Epitaxie- und Planarisierungsprozeß in einfacher Weise
vollzogen werden, da das Opferschichtätzen nicht von der
Permeabilität der zweiten mikromechanischen Funktions
schicht abhängt.
Natürlich kann die Abfolge mikromechanische Funktions
schicht/Verschlußschicht mehrfach erfolgen, und man kann
auch eine vergrabene Leiterbahn jeweils unter einer jeweili
gen mikromechanischen Funktionsschicht oberhalb der darun
ter liegenden mikromechanischen Funktionsschicht vorsehen.
Schließlich können auch weitere Verdrahtungsebenen in Alu
minium oder sonstigen geeigneten Metallen mit dazwischen
liegendem dielektrischen aufgebracht werden.
Die optionelle Planarisierung der einzelnen Ebenen, zum
Beispiel mittels chemisch-mechanischem Polieren, kann auch
nur in einem einzigen Polierschritt erfolgen, vorzugsweise
nur für die zweite Verschlußschicht.
Claims (23)
1. Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bau
elementes mit den Schritten:
Bereitstellen eines Substrats (1);
Vorsehen einer ersten mikromechanischen Funktionsschicht (5) auf der Opferschicht (4);
Strukturieren der ersten mikromechanischen Funktionsschicht (5) derart, daß sie eine beweglich zu machende Sensorstruk tur (6) aufweist;
Vorsehen und Strukturieren einer ersten Verschlußschicht (8) auf der strukturierten ersten mikromechanischen Funk tionsschicht (5);
Vorsehen und Strukturieren einer zweiten mikromechanischen Funktionsschicht (10) auf der ersten Verschlußschicht (8), welche zumindest eine Abdeckfunktion aufweist und zumindest teilweise in der ersten mikromechanischen Funktionsschicht (5) verankert wird;
Beweglichmachen der Sensorstruktur (6); und
Vorsehen einer zweiten Verschlußschicht (8) auf der zweiten mikromechanischen Funktionsschicht (10).
Bereitstellen eines Substrats (1);
Vorsehen einer ersten mikromechanischen Funktionsschicht (5) auf der Opferschicht (4);
Strukturieren der ersten mikromechanischen Funktionsschicht (5) derart, daß sie eine beweglich zu machende Sensorstruk tur (6) aufweist;
Vorsehen und Strukturieren einer ersten Verschlußschicht (8) auf der strukturierten ersten mikromechanischen Funk tionsschicht (5);
Vorsehen und Strukturieren einer zweiten mikromechanischen Funktionsschicht (10) auf der ersten Verschlußschicht (8), welche zumindest eine Abdeckfunktion aufweist und zumindest teilweise in der ersten mikromechanischen Funktionsschicht (5) verankert wird;
Beweglichmachen der Sensorstruktur (6); und
Vorsehen einer zweiten Verschlußschicht (8) auf der zweiten mikromechanischen Funktionsschicht (10).
2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die
Schritte:
Vorsehen einer Opferschicht (4) auf dem Substrat (1); und
Ätzen der Opferschicht (4) zum Beweglichmachen der Sensor struktur (6).
Vorsehen einer Opferschicht (4) auf dem Substrat (1); und
Ätzen der Opferschicht (4) zum Beweglichmachen der Sensor struktur (6).
3. Verfahren nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch die
Schritte:
Strukturieren der ersten mikromechanischen Funktionsschicht (5) derart, daß sie bis zur Operschicht (4) reichende erste Durchgänge (7) aufweist;
Strukturieren der zweiten mikromechanischen Funktions schicht (10) derart, daß sie bis zur ersten Verschluß schicht (8) reichende zweite Durchgänge (11) aufweist, wel che durch Verbindungsbereiche (16) der ersten Verschluß schicht (8) mit den ersten Durchgängen (7) verbunden sind;
Ätzen der ersten Verschlußschicht (8) zum Entfernen der Verbindungsbereiche (16) unter Verwendung der zweiten Durchgänge (11) als Ätzkanäle; und
Ätzen der Opferschicht (4) unter Verwendung der durch das Entfernen der Verbindungsbereiche (16) miteinander verbun denen ersten und zweiten Durchgänge (7, 11) als Ätzkanäle.
Strukturieren der ersten mikromechanischen Funktionsschicht (5) derart, daß sie bis zur Operschicht (4) reichende erste Durchgänge (7) aufweist;
Strukturieren der zweiten mikromechanischen Funktions schicht (10) derart, daß sie bis zur ersten Verschluß schicht (8) reichende zweite Durchgänge (11) aufweist, wel che durch Verbindungsbereiche (16) der ersten Verschluß schicht (8) mit den ersten Durchgängen (7) verbunden sind;
Ätzen der ersten Verschlußschicht (8) zum Entfernen der Verbindungsbereiche (16) unter Verwendung der zweiten Durchgänge (11) als Ätzkanäle; und
Ätzen der Opferschicht (4) unter Verwendung der durch das Entfernen der Verbindungsbereiche (16) miteinander verbun denen ersten und zweiten Durchgänge (7, 11) als Ätzkanäle.
4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekenn
zeichnet, daß eine vergrabene Polysiliziumschicht (3) un
terhalb der ersten oder zweiten mikromechanischen Funkti
onsschicht (5, 10) vorgesehen wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3 oder 4, dadurch ge
kennzeichnet, daß die erste und zweite Verschlußschicht (8,
13) wesentlich dünner als die erste und zweite mikromecha
nische Funktionsschicht (5, 10) gestaltet werden.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da
durch gekennzeichnet 2 bis 4, daß die erste und/oder zweite
Verschlußschicht (8, 13) durch eine nichtkonforme Abschei
dung derart vorgesehen werden, daß die ersten bzw. zweiten
Durchgänge (7, 11) nur im oberen Bereich verpropft werden.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 3
bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und/oder
zweiten Durchgänge (7, 11) als Gräben oder Löcher gestaltet
werden, die sich nach oben hin verengen.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da
durch gekennzeichnet, daß die erste und/oder zweite mikro
mechanische Funktionsschicht (5, 10) aus einem leitenden
Material, vorzugsweise Polysilizium, hergestellt werden.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da
durch gekennzeichnet, daß die erste und/oder zweite Ver
schlußschicht (8, 13) aus einem dielektrischen Material,
vorzugsweise Siliziumdioxid, hergestellt werden.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da
durch gekennzeichnet, daß auf der zweiten Verschlußschicht
(13) eine oder mehrere Leiterbahnschichten (15), vorzugs
weise aus Aluminium, vorgesehen werden.
11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da
durch gekennzeichnet, daß in die zweite mikromechanische
Funktionsschicht (10) eine Leiterbahnstrukur integriert
wird.
12. Mikromechanisches Bauelement mit:
einem Substrat (1);
einer beweglichen Sensorstruktur (6) in einer über dem Sub strat liegenden ersten mikromechanischen Funktionsschicht (5);
einer ersten Verschlußschicht (8) auf der ersten mikrome chanischen Funktionsschicht (5), die zumindest teilweise strukturiert ist;
einer zweiten mikromechanischen Funktionsschicht (10) auf der ersten Verschlußschicht (8), welche zumindest eine Ab deckfunktion aufweist zumindest teilweise in der ersten mi kromechanischen Funktionsschicht (5) verankert ist; und
einer zweiten Verschlußschicht (8) auf der zweiten mikrome chanischen Funktionsschicht (10).
einem Substrat (1);
einer beweglichen Sensorstruktur (6) in einer über dem Sub strat liegenden ersten mikromechanischen Funktionsschicht (5);
einer ersten Verschlußschicht (8) auf der ersten mikrome chanischen Funktionsschicht (5), die zumindest teilweise strukturiert ist;
einer zweiten mikromechanischen Funktionsschicht (10) auf der ersten Verschlußschicht (8), welche zumindest eine Ab deckfunktion aufweist zumindest teilweise in der ersten mi kromechanischen Funktionsschicht (5) verankert ist; und
einer zweiten Verschlußschicht (8) auf der zweiten mikrome chanischen Funktionsschicht (10).
13. Mikromechanisches Bauelement nach Anspruch 12, dadurch
gekennzeichnet, daß
die bewegliche Sensorstruktur (6) über einer auf dem Sub strat (1) befindlichen Opferschicht (4) liegt; und
durch zumindest teilweises Entfernen der Opferschicht (4) beweglich gemacht ist.
die bewegliche Sensorstruktur (6) über einer auf dem Sub strat (1) befindlichen Opferschicht (4) liegt; und
durch zumindest teilweises Entfernen der Opferschicht (4) beweglich gemacht ist.
14. Mikromechanisches Bauelement nach Anspruch 13, dadurch
gekennzeichnet, daß
die erste mikromechanische Funktionsschicht (5) bis zur Tiefe der Opferschicht (4) reichende erste Durchgänge (7) aufweist;
die zweite mikromechanische Funktionsschicht (10) bis zur Tiefe der ersten Verschlußschicht (8) reichende zweite Durchgänge (11) aufweist; und
die ersten und zweiten Durchgänge (7, 11) durch entfernte Verbindungsbereiche (16) der ersten Verschlußschicht (8) miteinander verbunden sind.
die erste mikromechanische Funktionsschicht (5) bis zur Tiefe der Opferschicht (4) reichende erste Durchgänge (7) aufweist;
die zweite mikromechanische Funktionsschicht (10) bis zur Tiefe der ersten Verschlußschicht (8) reichende zweite Durchgänge (11) aufweist; und
die ersten und zweiten Durchgänge (7, 11) durch entfernte Verbindungsbereiche (16) der ersten Verschlußschicht (8) miteinander verbunden sind.
15. Mikromechanisches Bauelement nach Anspruch 13 oder 14,
dadurch gekennzeichnet, daß eine vergrabene Polysilizium
schicht (3) unterhalb der beweglichen Sensorstruktur (10)
zwischen der Opferschicht (4) und dem Substrat (1) vorgese
hen ist.
16. Mikromechanisches Bauelement nach Anspruch 12, 13 oder
14, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite Ver
schlußschicht (8, 13) wesentlich dünner als die erste und
zweite mikromechanische Funktionsschicht (5, 10) sind.
17. Mikromechanisches Bauelement nach einem der Ansprüche
15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und/oder
zweite Verschlußschicht (8, 13) Pfropfen (9, 9') zum Ver
schließen entsprechender erster bzw. zweiter Durchgänge (7,
11) aufweist.
18. Mikromechanisches Bauelement nach einem der vorherge
henden Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß die
ersten und/oder zweiten Durchgänge (7, 11) Gräben oder Lö
cher sind, die sich nach oben hin verengen.
19. Mikromechanisches Bauelement nach einem der vorherge
henden Ansprüche 12 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß die
erste und/oder zweite mikromechanische Funktionsschicht (5,
10) aus einem leitenden Material, vorzugsweise Polysilizi
um, hergestellt sind.
20. Mikromechanisches Bauelement nach einem der vorherge
henden Ansprüche 12 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß die
erste und/oder zweite Verschlußschicht (8, 13) aus einem
dielektrischen Material, vorzugsweise Siliziumdioxid, her
gestellt sind.
21. Mikromechanisches Bauelement nach einem der vorherge
henden Ansprüche 12 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß auf
der zweiten Verschlußschicht (13) eine oder mehrere Leiter
bahnschichten (15), vorzugsweise aus Aluminium, vorgesehen
sind.
22. Mikromechanisches Bauelement nach einem der vorherge
henden Ansprüche 12 bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß die
zweite mikromechanische Funktionsschicht (10) eine Leiter
bahnstrukur aufweist.
23. Mikromechanisches Bauelement nach einem der vorherge
henden Ansprüche 12 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß die
zweite mikromechanische Funktionsschicht (10) eine Membran
strukur aufweist.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE10017422A DE10017422A1 (de) | 2000-04-07 | 2000-04-07 | Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungverfahren |
DE50103327T DE50103327D1 (de) | 2000-04-07 | 2001-03-10 | Mikromechanisches bauelement und entsprechendes herstellungsverfahren |
PCT/DE2001/000921 WO2001077009A1 (de) | 2000-04-07 | 2001-03-10 | Mikromechanisches bauelement und entsprechendes herstellungsverfahren |
US10/240,339 US7041225B2 (en) | 2000-04-07 | 2001-03-10 | Micromechanical component and method for producing the same |
JP2001575492A JP5090603B2 (ja) | 2000-04-07 | 2001-03-10 | マイクロメカニック構造素子および相当する製造方法 |
EP01919184A EP1274648B1 (de) | 2000-04-07 | 2001-03-10 | Mikromechanisches bauelement und entsprechendes herstellungsverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10017422A DE10017422A1 (de) | 2000-04-07 | 2000-04-07 | Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungverfahren |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10017422A1 true DE10017422A1 (de) | 2001-10-11 |
Family
ID=7637987
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10017422A Withdrawn DE10017422A1 (de) | 2000-04-07 | 2000-04-07 | Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungverfahren |
DE50103327T Expired - Lifetime DE50103327D1 (de) | 2000-04-07 | 2001-03-10 | Mikromechanisches bauelement und entsprechendes herstellungsverfahren |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE50103327T Expired - Lifetime DE50103327D1 (de) | 2000-04-07 | 2001-03-10 | Mikromechanisches bauelement und entsprechendes herstellungsverfahren |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7041225B2 (de) |
EP (1) | EP1274648B1 (de) |
JP (1) | JP5090603B2 (de) |
DE (2) | DE10017422A1 (de) |
WO (1) | WO2001077009A1 (de) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001087765A2 (de) * | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches bauelement und entsprechendes herstellungsverfahren |
FR2845200A1 (fr) * | 2002-09-26 | 2004-04-02 | Memscap | Procede de fabrication d'un composant electronique incluant une structure micro-electromecanique |
EP1484281A1 (de) * | 2003-06-03 | 2004-12-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Mikroelektromechanisches Bauteil und Herstellungsverfahren für ein mikroelektromechanisches Bauteil |
EP1503197A2 (de) * | 2003-07-28 | 2005-02-02 | Robert Bosch Gmbh | Sensoreinlasskanal |
WO2005081702A2 (en) | 2004-02-12 | 2005-09-09 | Robert Bosch Gmbh | Integrated getter area for wafer level encapsulated microelectromechanical systems |
US7335971B2 (en) | 2003-03-31 | 2008-02-26 | Robert Bosch Gmbh | Method for protecting encapsulated sensor structures using stack packaging |
DE102006061386B3 (de) * | 2006-12-23 | 2008-06-19 | Atmel Germany Gmbh | Integrierte Anordnung, ihre Verwendung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
WO2008145553A2 (de) * | 2007-06-01 | 2008-12-04 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches bauelement mit einer dünnschichtkappe |
US8174082B2 (en) | 2004-06-04 | 2012-05-08 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanical component having multiple caverns, and manufacturing method |
EP2993156A1 (de) * | 2005-11-23 | 2016-03-09 | Murata Electronics Oy | Verfahren zur herstellung eines mikroelektromechanischen bauelements und ein mikroelektromechanisches bauelement |
WO2020099142A1 (de) * | 2018-11-15 | 2020-05-22 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum herstellen einer mikromechanischen vorrichtung |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10226028A1 (de) * | 2002-06-12 | 2003-12-24 | Bosch Gmbh Robert | Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
US7514283B2 (en) | 2003-03-20 | 2009-04-07 | Robert Bosch Gmbh | Method of fabricating electromechanical device having a controlled atmosphere |
US7172917B2 (en) | 2003-04-17 | 2007-02-06 | Robert Bosch Gmbh | Method of making a nanogap for variable capacitive elements, and device having a nanogap |
US6936491B2 (en) | 2003-06-04 | 2005-08-30 | Robert Bosch Gmbh | Method of fabricating microelectromechanical systems and devices having trench isolated contacts |
US7075160B2 (en) | 2003-06-04 | 2006-07-11 | Robert Bosch Gmbh | Microelectromechanical systems and devices having thin film encapsulated mechanical structures |
US6952041B2 (en) * | 2003-07-25 | 2005-10-04 | Robert Bosch Gmbh | Anchors for microelectromechanical systems having an SOI substrate, and method of fabricating same |
US7068125B2 (en) | 2004-03-04 | 2006-06-27 | Robert Bosch Gmbh | Temperature controlled MEMS resonator and method for controlling resonator frequency |
JP4791766B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2011-10-12 | 株式会社東芝 | Mems技術を使用した半導体装置 |
US7956428B2 (en) * | 2005-08-16 | 2011-06-07 | Robert Bosch Gmbh | Microelectromechanical devices and fabrication methods |
DE102005060870A1 (de) | 2005-12-20 | 2007-06-21 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Verschließen einer Öffnung |
DE102005062554A1 (de) * | 2005-12-27 | 2007-07-05 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauelement mit Kappe mit Verschluss |
US20070170528A1 (en) | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Aaron Partridge | Wafer encapsulated microelectromechanical structure and method of manufacturing same |
US7824943B2 (en) | 2006-06-04 | 2010-11-02 | Akustica, Inc. | Methods for trapping charge in a microelectromechanical system and microelectromechanical system employing same |
US7456042B2 (en) | 2006-06-04 | 2008-11-25 | Robert Bosch Gmbh | Microelectromechanical systems having stored charge and methods for fabricating and using same |
US7875482B2 (en) | 2009-03-19 | 2011-01-25 | Robert Bosch Gmbh | Substrate with multiple encapsulated pressures |
WO2010139067A1 (en) * | 2009-06-02 | 2010-12-09 | Micralyne Inc. | Semi-conductor sensor fabrication |
JP5605347B2 (ja) * | 2011-11-01 | 2014-10-15 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
DE102012206875B4 (de) * | 2012-04-25 | 2021-01-28 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines hybrid integrierten Bauteils und entsprechendes hybrid integriertes Bauteil |
US9181086B1 (en) | 2012-10-01 | 2015-11-10 | The Research Foundation For The State University Of New York | Hinged MEMS diaphragm and method of manufacture therof |
DE102016200489A1 (de) | 2016-01-15 | 2017-07-20 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauelement |
DE102017208357A1 (de) * | 2017-05-18 | 2018-11-22 | Robert Bosch Gmbh | Mikroelektromechanisches Bauelement |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT1109829B (it) | 1977-07-05 | 1985-12-23 | Ibm | Processo di fabbricazione di cercuiti integrati |
US4665610A (en) * | 1985-04-22 | 1987-05-19 | Stanford University | Method of making a semiconductor transducer having multiple level diaphragm structure |
JP2508070B2 (ja) * | 1987-04-08 | 1996-06-19 | 日本電装株式会社 | 圧力検出素子及びその製造方法 |
JP2669216B2 (ja) * | 1991-09-30 | 1997-10-27 | 日産自動車株式会社 | 半導体応力検出装置 |
JPH05264576A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-12 | Hitachi Ltd | 加速度センサ |
JPH05340961A (ja) * | 1992-06-09 | 1993-12-24 | Hitachi Ltd | 加速度センサ |
DE19509868A1 (de) * | 1995-03-17 | 1996-09-19 | Siemens Ag | Mikromechanisches Halbleiterbauelement |
DE19537814B4 (de) | 1995-10-11 | 2009-11-19 | Robert Bosch Gmbh | Sensor und Verfahren zur Herstellung eines Sensors |
JP3355916B2 (ja) * | 1996-04-01 | 2002-12-09 | 株式会社日立製作所 | マイクロgスイッチ |
-
2000
- 2000-04-07 DE DE10017422A patent/DE10017422A1/de not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-03-10 JP JP2001575492A patent/JP5090603B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-10 US US10/240,339 patent/US7041225B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-10 EP EP01919184A patent/EP1274648B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-10 WO PCT/DE2001/000921 patent/WO2001077009A1/de active IP Right Grant
- 2001-03-10 DE DE50103327T patent/DE50103327D1/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001087765A3 (de) * | 2000-05-18 | 2003-01-16 | Bosch Gmbh Robert | Mikromechanisches bauelement und entsprechendes herstellungsverfahren |
WO2001087765A2 (de) * | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches bauelement und entsprechendes herstellungsverfahren |
US7063796B2 (en) | 2000-05-18 | 2006-06-20 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanical component and method for producing the same |
DE10024697B4 (de) * | 2000-05-18 | 2008-08-21 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren |
FR2845200A1 (fr) * | 2002-09-26 | 2004-04-02 | Memscap | Procede de fabrication d'un composant electronique incluant une structure micro-electromecanique |
US7335971B2 (en) | 2003-03-31 | 2008-02-26 | Robert Bosch Gmbh | Method for protecting encapsulated sensor structures using stack packaging |
US7859093B2 (en) | 2003-03-31 | 2010-12-28 | Robert Bosch Gmbh | Method for protecting encapsulated sensor structures using stack packaging |
CN1572719B (zh) * | 2003-06-03 | 2010-09-29 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | Mems器件以及形成mems器件的方法 |
EP1484281A1 (de) * | 2003-06-03 | 2004-12-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Mikroelektromechanisches Bauteil und Herstellungsverfahren für ein mikroelektromechanisches Bauteil |
US6917459B2 (en) | 2003-06-03 | 2005-07-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | MEMS device and method of forming MEMS device |
EP1503197A2 (de) * | 2003-07-28 | 2005-02-02 | Robert Bosch Gmbh | Sensoreinlasskanal |
EP1503197A3 (de) * | 2003-07-28 | 2011-08-31 | Robert Bosch Gmbh | Sensoreinlasskanal |
WO2005081702A2 (en) | 2004-02-12 | 2005-09-09 | Robert Bosch Gmbh | Integrated getter area for wafer level encapsulated microelectromechanical systems |
EP1716072A2 (de) * | 2004-02-12 | 2006-11-02 | Robert Bosch Gmbh | Integrierter getter-bereich für verkapselte mikroelektromechanische systeme auf waferebene |
US8980668B2 (en) | 2004-02-12 | 2015-03-17 | Robert Bosch Gmbh | Integrated getter area for wafer level encapsulated microelectromechanical systems |
EP1716072A4 (de) * | 2004-02-12 | 2010-12-01 | Bosch Gmbh Robert | Integrierter getter-bereich für verkapselte mikroelektromechanische systeme auf waferebene |
US8372676B2 (en) | 2004-02-12 | 2013-02-12 | Robert Bosch Gmbh | Integrated getter area for wafer level encapsulated microelectromechanical systems |
US7923278B2 (en) | 2004-02-12 | 2011-04-12 | Robert Bosch Gmbh | Integrated getter area for wafer level encapsulated microelectromechanical systems |
US8174082B2 (en) | 2004-06-04 | 2012-05-08 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanical component having multiple caverns, and manufacturing method |
EP2993156A1 (de) * | 2005-11-23 | 2016-03-09 | Murata Electronics Oy | Verfahren zur herstellung eines mikroelektromechanischen bauelements und ein mikroelektromechanisches bauelement |
DE102006061386B3 (de) * | 2006-12-23 | 2008-06-19 | Atmel Germany Gmbh | Integrierte Anordnung, ihre Verwendung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
WO2008145553A3 (de) * | 2007-06-01 | 2009-02-12 | Bosch Gmbh Robert | Mikromechanisches bauelement mit einer dünnschichtkappe |
US8809095B2 (en) | 2007-06-01 | 2014-08-19 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanical component and method for producing a micromechanical component having a thin-layer cap |
WO2008145553A2 (de) * | 2007-06-01 | 2008-12-04 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches bauelement mit einer dünnschichtkappe |
US9114975B2 (en) | 2007-06-01 | 2015-08-25 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanical component and method for producing a micromechanical component having a thin-layer cap |
WO2020099142A1 (de) * | 2018-11-15 | 2020-05-22 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum herstellen einer mikromechanischen vorrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2001077009A1 (de) | 2001-10-18 |
EP1274648A1 (de) | 2003-01-15 |
JP5090603B2 (ja) | 2012-12-05 |
DE50103327D1 (de) | 2004-09-23 |
US20030173330A1 (en) | 2003-09-18 |
JP2003530234A (ja) | 2003-10-14 |
US7041225B2 (en) | 2006-05-09 |
EP1274648B1 (de) | 2004-08-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8141 | Disposal/no request for examination |