DE19820816A1 - Bondpadstruktur und entsprechendes Herstellungsverfahren - Google Patents

Bondpadstruktur und entsprechendes Herstellungsverfahren

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Abstract

Die Erfindung schafft eine Bondpadstruktur, insbesondere für einen mikromechanischen Sensor, mit einem Substrat (1); einer auf dem Substrat (1) vorgesehenen elektrisch isolierenden Opferschicht (2; 4); einer in der Opferschicht (2; 4) vergrabenen strukturierten Leiterbahnschicht (3); einem in der Opferschicht (2; 4) vorgesehenen Kontaktloch (11); und einem Bondpadsockel (8) aus einem elektisch leitfähigen Material, der einen ersten, sich über die Opferschicht (2; 4) erstreckenden Bereich (8a) und einen zweiten, sich durch das Kontaktloch (11) erstreckenden und in Kontakt mit der Leiterbahnschicht (3) befindlichen Bereich (8b) aufweist; wobei in einem bestimmten Bereich unterhalb des Bondpadsockels (8) und um den Bondpadsockel (8) herum auf der Opferschicht (2; 4) zumindest zeitweilig eine Schutzschicht (5) zum Verhindern einer derartigen Unterätzung der Opferschicht (2; 4) unterhalb des Bondpadsockels (8) beim Ätzen der Opferschicht (2; 4), bei der das Substrat (1) und/oder die Leiterbahnschicht (3) freigelegt wird, vorgesehen ist.

Description

Stand der Technik
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Bondpadstruktur, und insbesondere eine Bondpadstruktur für einen mikromecha­ nischen Sensor, mit einem Substrat; einer auf dem Substrat vorgesehenen elektrisch isolierenden Opferschicht; einer in der Opferschicht vergrabenen strukturierten Leiterbahn­ schicht; einem in der Opferschicht vorgesehenen Kontaktloch und einem Bondpadsockel aus einem elektrisch leitfähigen Material, der einen ersten, sich über die Opferschicht er­ streckenden Bereich und einen zweiten, sich durch das Kon­ taktloch erstreckenden und in Kontakt mit der Leiterbahn­ schicht befindlichen Bereich aufweist. Ebenfalls betrifft die vorliegende Erfindung ein entsprechendes Herstellungs­ verfahren.
Obwohl auf beliebige Bondpadstrukturen anwendbar, werden die vorliegende Erfindung sowie die ihr zugrundeliegende Problematik in bezug auf eine Bondpadstruktur eines mikro­ mechanischen Beschleunigungssensors erläutert.
Fig. 2 ist eine schematische Darstellung eines mikromecha­ nischen Beschleunigungssensors mit einer üblichen Bondpad­ struktur und Fig. 3 ist eine vergrößerte schematische Dar­ stellung der üblichen Bondpadstruktur des mikromechanischen Beschleunigungssensors nach Fig. 2.
In Fig. 2 bzw. 3 bezeichnen 1 ein Substrat mit einer Si- Struktur, 2 ein unteres Oxid, 3 eine vergrabene Leiterbahn aus Polysilizium, 4 ein oberes Oxid, 6 einen Sensorsockel aus Epitaxie-Polysilizium, 7 ein Bondpad aus Aluminium, 8 einen Bondpadsockel aus Epitaxie-Polysilizium mit einem er­ sten Bereich 8a und einem zweiten Bereich 8b, 9 ein Ab­ dichtglas bzw. Seal-Glas, 10 eine Si-Schutzkappe, 11 ein Kontaktloch, 12 einen unterätzten Bereich, 13 Schmutzparti­ kel, 20 einen Schwinger, 30 einen g-Sensor mit einer Kamm­ struktur und 100 einen Si-Wafer.
Der derart aufgebaute mikromechanische Beschleunigungssen­ sor bedient sich dieser üblichen Bondpadstruktur dazu, eine elektrische Verbindung von beispielsweise einer unter der Si-Schutzkappe 10 vorgesehenen analogen Sensorstruktur un­ ter dem Sensorsockel 6 hindurch unter Gewährleistung der hermetischen Abgeschlossenheit in den Umgebungsbereich des Sensors zu führen und dort bondbar zu gestalten.
Wie aus der vergrößerten Darstellung gemäß Fig. 3 ersicht­ lich, entsteht bei der üblichen Bondpadstruktur bei der Ät­ zung der ersten und zweiten Oxidschicht, welche gleichzei­ tig als Opferschicht für die Kammstruktur des g-Sensors 30 dienen, im Bereich 12 eine Unterätzung des Bondpadsockels 8. An diesen Stellen können sich Schmutzpartikel 13, wie sie insbesondere beim Sägen in Form von Sägeschlamm gebil­ det werden, anlagern und zu elektrischen Nebenschlüssen zwischen Bondpadsockel 8 und Substrat 1 bzw. zwischen Bond­ padsockel 8 und Leiterbahnschicht 3 führen.
Die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende Problematik besteht also allgemein darin, derartige Nebenschlüsse auf einfache Weise zu verhindern.
Ein erster Ansatz zur Vermeidung der Unterätzung der Bond­ pads sieht eine Abdeckung der Gräben um die Bondpads wäh­ rend des Opferoxidätzens durch Negativlack vor.
Als nachteilhaft bei dem obigen ersten Ansatz hat sich die Tatsache herausgestellt, daß dieser bei Stufenhöhen von mehr als etwa 10 µm prozeßtechnisch schwierig und nicht einmal bei allen Sensorstrukturen möglich ist. Auch muß der Negativlack sofort nach dem HF-Gasphasenätzen der Opfer­ schicht entfernt werden, da er sich mit HF vollsaugt und dann die Unterätzung nicht mehr verhindern kann. Dabei ge­ staltet sich die vollständige Entfernung des Lackes in den Gräben als kompliziert und schon geringe Reste können zum Verkleben der Kammstrukturen führen.
Vorteile der Erfindung
Die erfindungsgemäße Bondpadstruktur mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und das entsprechende Herstellungsverfahren ge­ mäß Anspruch 13 weisen gegenüber dem bekannten Lösungsan­ satz den Vorteil auf, daß keine vollständige Unterätzung der Opferschicht mehr unterhalb des Bondpadsockels auftritt und die Gefahr von Nebenschlüssen mit um den Bondpadsockel herum freigelegten Leiterbahnen oder sonstigen Nebenschlüs­ sen, beispielsweise mit dem Substrat, auf einfache Weise vermeidbar ist.
Die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende Idee be­ steht darin, daß in einem bestimmten Bereich unterhalb des Bondpadsockels und um den Bondpadsockel herum auf der Op­ ferschicht Schutzschicht zum Verhindern einer Unterätzung der Opferschicht unterhalb des Bondpadsockels zumindest zeitweilig vorgesehen wird.
In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbil­ dungen und Verbesserungen der in Anspruch 1 angegebenen Bondpadstruktur.
Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist die Schutzschicht im wesentlichen im gesamten Bereich unterhalb des Bondpad­ sockels und in einer bestimmten Erstreckung um den gesamten Bondpadsockel herum auf der Opferschicht vorgesehen. Dies bringt den Vorteil, daß an keiner Stelle eine Unterätzung auftritt, und zwar nicht einmal dort, wo sie möglicherweise nicht störend wirken würde, und damit einer hohen mechani­ schen Stabilität.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die Opferschicht eine erste Opferschicht und eine zweite darü­ berliegende Opferschicht auf, zwischen denen die Leiter­ bahnschicht eingebettet ist.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist in der Nähe des Bondpadsockels auf der Opferschicht ein Sensorsockel vorgesehen, wobei mindestens eine Leiterbahn der ver­ grabenen strukturierten Leiterbahnschicht zwischen dem Bondpadsockels und dem Sensorsockel und darunter verläuft.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die Schutzschicht in einem bestimmten Bereich unterhalb des Sensorsockels und um den Sensorsockel herum auf der Opfer­ schicht vorgesehen. So läßt sich analogerweise eine Un­ terätzung des Sensorsockel und ein Nebenschluß zwischen Sensorsockel und Leiterbahn verhindern.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die Schutzschicht die gesamte Leiterbahn der vergrabenen struk­ turierten Leiterbahnschicht zwischen dem Bondpadsockels und dem Sensorsockel überdeckend auf der Opferschicht vorgese­ hen. So läßt sich die Leiterbahn flächendeckend nach oben schützen.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die Schutzschicht elektrisch isolierend und gegenüber dem zum Ätzen der Opferschicht verwendeten Ätzmittel resistent. Weiterhin ist es empfehlenswert, daß die Schutzschicht ge­ gen das Trenchen des Materials des Bondpadsockels, z. B. Po­ lysilizium, resistent ist. Diese Merkmale bieten einerseits einen optimalen Schutz und gewährleisten andererseits eine einfache Herstellbarkeit der Bondpadstruktur ggf. zusammen mit einer Sensorstruktur.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist das Substrat ein Siliziumsubstrat, eventuell auch ein SOI-Sub­ strat, und die Opferschicht aus Siliziumoxid.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die Schutzschicht eine Schicht aus Nitrid und/oder undotiertem intrinsischem Polysilizium und/oder dotiertem Oxid auf. Ob­ wohl auch dotiertes Oxid beim Opferschichtätzen geätzt wird, reicht aus, daß die Unterätzung einen bestimmten Grad nicht überschreitet.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die Schutzschicht eine Doppelschicht aus Nitrid und undotiertem intrinsischem Polysilizium, vorzugsweise eine untere Ni­ tridschicht von 100-500 nm Dicke und eine obere Polysili­ ziumschicht von 20-100 nm Dicke, auf. Viele Nitride sind resistent gegenüber flüssiger HF, aber nicht gegenüber HF-Dampf. Durch die dünne Polysiliziumschicht kann die Nitrid­ schicht stabilisiert bzw. abgedichtet werden. Das Polysili­ zium kann durch Argonsputtern oder mittels naßchemischem Ätzen nach dem Verkappen des Sensors entfernt werden, falls die Isolationseigenschaften des Polysiliziums zwischen Bondpadsockel und Sensorsockel nicht ausreichen.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die Schutzschicht eine weitere Schicht aus (eventuell dotier­ tem) Siliziumoxid auf. Da Polysilizium nicht und Nitrid nicht besonders selektiv zu Polysilizium beim Trenchen der Padstruktur ist, kann man solch eine weitere dünne Oxid­ schicht aufbringen. Diese Schicht wird zwar beim Opfer­ schichtätzen geätzt, es entsteht aber keine Möglichkeit zur Nebenschlußbildung, da alle kritischen Elektroden weiterhin abgedeckt sind.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist auf dem Bondpadsockel ein metallisches Bondpad, welches vorzugswei­ se aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung besteht, vorgesehen.
Zeichnungen
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher er­ läutert.
Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Ausführungs­ form der erfindungsgemäßen Bondpadstruktur in An­ wendung auf einen mikromechanischen Beschleuni­ gungssensor;
Fig. 2 eine schematische Darstellung eines mikromechani­ schen Drehratensensors mit einer üblichen Bond­ padstruktur; und
Fig. 3 eine vergrößerte schematische Darstellung der üb­ lichen Bondpadstruktur des mikromechanischen Drehratensensors nach Fig. 2.
Beschreibung der Ausführungsbeispiele
In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Bestandteile.
Fig. 1 ist eine schematische Darstellung einer Ausführungs­ form der erfindungsgemäßen Bondpadstruktur in Anwendung auf einen mikromechanischen Drehratensensor.
Die in Fig. 1 dargestellte Bondpadstruktur für einen mikro­ mechanischen Drehratensensor umfaßt das Substrat 1, die auf dem Substrat 1 vorgesehene elektrisch isolierende Opfer­ schicht 2, 4, die in der Opferschicht 2, 4 vergrabene strukturierte Leiterbahnschicht 3, ein in der Opferschicht 2, 4 vorgesehenes Kontaktloch 11 und einen Bondpadsockel 8 aus einem elektrisch leitfähigen Material. Auf dem Bondpad­ sockel 8 ist das metallische Bondpad 7 aus Aluminium vorge­ sehen.
Der Bondpadsockel weist den ersten, sich über die Opfer­ schicht 2, 4 erstreckenden Bereich 8a und den zweiten, sich durch das Kontaktloch 11 erstreckenden und in Kontakt mit der Leiterbahnschicht 3 befindlichen Bereich Bb auf.
Die Opferschicht 2, 4 umfaßt eine erste Opferschicht 2 und eine zweite darüberliegende Opferschicht 4, zwischen denen die Leiterbahnschicht 3 eingebettet ist. Das Substrat 1 ist ein Si-Substrat 1, und ist die Opferschichten 2, 4 aus Si­ liziumoxid.
In Fig. 1 bezeichnet 5 zusätzlich zu den in Zusammenhang mit Fig. 3 angegebenen Bestandteilen eine Schutzschicht, welche in einem bestimmten Bereich unterhalb des Bondpad­ sockels 8 und um den Bondpadsockel 8 herum auf der Opfer­ schicht 2, 4 zum Verhindern einer Unterätzung der Opfer­ schicht 2, 4 unterhalb des Bondpadsockels 8 vorgesehen ist. Dabei ist die Schutzschicht 5 im wesentlichen im gesamten Bereich unterhalb des Bondpadsockels 8 und in einer be­ stimmten Entfernung um den gesamten Bondpadsockel 8 herum auf der Opferschicht 2, 4 vorgesehen.
In der Nähe des Bondpadsockels 8 ist auf der Opferschicht 2, 4 der Sensorsockel 6 vorgesehen. Eine Leiterbahn der vergrabenen strukturierten Leiterbahnschicht 3 verläuft zwischen dem Bondpadsockels 8 und dem Sensorsockel 6 und darunter. Die Schutzschicht 5 ist ebenfalls in einem be­ stimmten Bereich unterhalb des Sensorsockels 6 und um den Sensorsockel 6 herum auf der Opferschicht 2, 4 vorgesehen. Insbesondere die Schutzschicht 5 die gesamte Leiterbahn der vergrabenen strukturierten Leiterbahnschicht 3 zwischen dem Bondpadsockels 8 und dem Sensorsockel 6 überdeckend auf der Opferschicht 2, 4 vorgesehen.
Die Schutzschicht 5 ist bei dieser Ausführungsform eine Doppelschicht aus Nitrid und undotiertem intrinsischen Po­ lysilizium. Die untere Nitridschicht hat eine Dicke von 100-500 nm, und die obere Polysiliziumschicht hat eine Dicke von 20-100 nm.
Das in Fig. 1 gezeigte elektrisch leitende Schmutzpartikel 13 kann aufgrund der Schutzschicht 5 keinen Nebenschluß mehr bewirken.
Im folgenden wird das Verfahren zur Herstellung der Bond­ padstruktur gemäß dem obigen Ausführungsbeispiel näher er­ läutert.
Auf dem bereitgestellten Si-Substrat 1 findet zunächst das Bilden der Opferschicht 2, 4 mit der darin vergrabenen strukturierten Leiterbahnschicht 3 statt.
Dazu erfolgt ein Oxidieren des Substrats 1 zum Bilden der ersten Oxidschicht 2 und anschließend ein Abscheiden und Strukturieren der Leiterbahnschicht 3 auf der ersten Oxid­ schicht 2. Hierauf geschieht die Abscheidung der zweiten Oxidschicht 4 auf der strukturierten Leiterbahnschicht 3 und der umgebenden ersten Oxidschicht 2.
Im folgenden Schritt erfolgt das Abscheiden und Strukturie­ ren der Schutzschicht 5, also der Doppelschicht aus Nitrid und undotiertem intrinsischen Polysilizium. Dabei wird die Schutzschicht 5 im Sensorbereich innerhalb später anzubrin­ genden der Si-Schutzkappe 10 und im Bereich des Kontakt­ lochs 11 vollständig entfernt.
Darauf erfolgen das Bilden des Kontaktlochs und das Bilden des Bondpadsockels 8 in dem Kontaktloch 11 in an sich be­ kannter Art und Weise, nämlich durch Ätzen des Kontakt­ lochs, Abscheiden einer Epitaxie-Polysiliziumschicht, Ab­ scheiden und Strukturieren einer Bondpad-Metallschicht und Strukturieren der Epitaxie-Polysiliziumschicht zum Bilden des Bondpadsockels 11. Dabei kann im übrigen auch eine an­ ders als durch Epitaxie abgeschiedene Polysiliziumschicht verwendet werden.
Dabei werden beim Strukturieren der Epitaxie-Polysilizium­ schicht gleichzeitig mit dem Bondpadsockel 11 die (in Fig. 2 gezeigte) Sensorkammstruktur 30 und die Sensorsockel­ struktur 6 gebildet.
Schließlich erfolgt das Ätzen der Opferschicht 2, 4, wo­ durch die Sensorkammstruktur 30 mit Ausnahme des Veranke­ rungsbereichs freihängend gemacht wird, sowie das Anbringen der Sensorkappe 10 auf der Sensorsockelstruktur 6.
Weder der Bondpadsockel 8 noch der Sensorsockel 6 können dabei unter Freilegung von elektrischen Kontakten oder Lei­ tungen unterätzt werden.
Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Weise mo­ difizierbar.
Insbesondere läßt sich die erfindungsgemäße Bondpadstruktur nicht nur auf mikromechanische Beschleunigungssensoren an­ wenden, sondern beliebige mikromechanische oder mikroelek­ tronische Bauelemente.
Obwohl die Schutzschicht bei dem obigen Ausführungsbeispiel eine Doppelschicht aus Nitrid und Polysilizium aufweist, kann unter Umständen eine Schicht aus Nitrid oder eine Schicht aus undotiertem intrinsischem Polysilizium eben­ falls genügen.
Auch ist die Erfindung nicht nur für Siliziumbauelemente, sondern auch für Bauelemente aus anderen mikromechanischen Materialien verwendbar.

Claims (20)

1. Bondpadstruktur, insbesondere für einen mikromechani­ schen Sensor, mit:
einem Substrat (1);
einer auf dem Substrat (1) vorgesehenen elektrisch isolie­ renden Opferschicht (2; 4);
einer in der Opferschicht (2; 4) vergrabenen strukturierten Leiterbahnschicht (3);
einem in der Opferschicht (2; 4) vorgesehenen Kontaktloch (11); und
einem Bondpadsockel (8) aus einem elektrisch leitfähigen Material, der einen ersten, sich über die Opferschicht (2; 4) erstreckenden Bereich (8a) und einen zweiten, sich durch das Kontaktloch (11) erstreckenden und in Kontakt mit der Leiterbahnschicht (3) befindlichen Bereich (8b) aufweist;
gekennzeichnet durch
eine in einem bestimmten Bereich unterhalb des Bondpadsockels (8) und um den Bondpadsockel (8) herum auf der Opfer­ schicht (2; 4) zumindest zeitweilig vorgesehene Schutz­ schicht (5) zum Verhindern einer derartigen Unterätzung der Opferschicht (2; 4) unterhalb des Bondpadsockels (8) beim Ätzen der Opferschicht (2; 4), bei der das Substrat (1) und/oder die Leiterbahnschicht (3) freigelegt wird.
2. Bondpadstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß die Schutzschicht (5) im wesentlichen im gesamten Bereich unterhalb des Bondpadsockels (8) und in einer be­ stimmten Erstreckung um den gesamten Bondpadsockel (8) her­ um auf der Opferschicht (2; 4) vorgesehen ist.
3. Bondpadstruktur nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Opferschicht (2; 4) eine erste Opfer­ schicht (2) und eine zweite darüberliegende Opferschicht (4) aufweist, zwischen denen die Leiterbahnschicht (3) ein­ gebettet ist.
4. Bondpadstruktur nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, gekennzeichnet durch einen in der Nähe des Bondpadsockels (8) auf der Opferschicht (2; 4) vorgesehenen Sensor­ sockel (6), wobei mindestens eine Leiterbahn der vergrabe­ nen strukturierten Leiterbahnschicht (3) zwischen dem Bond­ padsockels (8) und dem Sensorsockel (6) und darunter ver­ läuft.
5. Bondpadstruktur nach Anspruch 4, dadurch gekennzeich­ net, daß die Schutzschicht (5) in einem bestimmten Bereich unterhalb des Sensorsockels (6) und um den Sensorsockel (6) herum auf der Opferschicht (2; 4) vorgesehen ist.
6. Bondpadstruktur nach Anspruch 5, dadurch gekennzeich­ net, daß die Schutzschicht (5) die gesamte Leiterbahn der vergrabenen strukturierten Leiterbahnschicht (3) zwischen dem Bondpadsockels (8) und dem Sensorsockel (6) überdeckend auf der Opferschicht (2; 4) vorgesehen ist.
7. Bondpadstruktur nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht (5) elektrisch isolierend und gegenüber dem zum Ätzen der Op­ ferschicht (2; 4) verwendeten Ätzmittel resistent ist.
8. Bondpadstruktur nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (1) ein Sili­ ziumsubstrat ist und daß die Opferschicht (2; 4) aus Sili­ ziumoxid ist.
9. Bondpadstruktur nach Anspruch 8, dadurch gekennzeich­ net, daß die Schutzschicht (5) eine Schicht aus Nitrid und/oder undotiertem intrinsischem Polysilizium und/oder dotiertem Oxid aufweist.
10. Bondpadstruktur nach Anspruch 9, dadurch gekennzeich­ net, daß die Schutzschicht (5) eine Doppelschicht aus Ni­ trid und undotiertem intrinsischen Polysilizium, vorzugs­ weise eine untere Nitridschicht von 100-500 nm Dicke und eine obere Polysiliziumschicht von 20-100 nm Dicke, auf­ weist.
11. Bondpadstruktur nach Anspruch 10, dadurch gekennzeich­ net, daß die Schutzschicht (5) eine weitere Schicht aus vorzugsweise dotiertem Siliziumoxid aufweist.
12. Bondpadstruktur nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Bondpadsockel (8) ein metallisches Bondpad (7), welches vorzugsweise aus Alu­ minium oder einer Aluminiumlegierung besteht, vorgesehen ist.
13. Verfahren zur Herstellung einer Bondpadstruktur nach mindestens einem der vorherigen Ansprüche mit den Schrit­ ten:
Bereitstellen des Substrats (1);
Bilden der Opferschicht (2; 4) mit der darin vergrabenen strukturierten Leiterbahnschicht (3);
Abscheiden und Strukturieren der Schutzschicht (5);
Bilden des Kontaktlochs (11);
Bilden des Bondpadsockels (8) in dem Kontaktloch (11); und
Ätzen der Opferschicht (2; 4).
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht (5) beim Ätzen der Opferschicht (2; 4) entfernt wird.
15. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Substrat (1) aus Silizium ist und der Schritte des Bildens der Opferschicht (2; 4) mit der darin vergrabenen strukturierten Leiterbahnschicht (3) folgende Schritte aufweist:
Oxidieren des Substrats (1) zum Bilden einer ersten Oxid­ schicht (2);
Abscheiden und Strukturieren der Leiterbahnschicht (3) auf der ersten Oxidschicht (2); und
Bilden einer zweiten Oxidschicht (4) auf der strukturierten Leiterbahnschicht (3) und der umgebenden ersten Oxidschicht (2).
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Bildens des Bondpadsockels (11) auf dem Kontaktloch (11) folgende Schritte aufweist:
Abscheiden einer Polysiliziumschicht, vorzugsweise durch Epitaxie;
Abscheiden und Strukturieren einer Bondpad-Metallschicht;
Strukturieren der Polysiliziumschicht zum Bilden des Bond­ padsockels (11).
17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß beim Strukturieren der Polysiliziumschicht gleichzeitig mit dem Bondpadsockel (11) eine Sensorkammstruktur (30) und eine Sensorsockelstruktur (6) gebildet werden.
18. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß beim Ätzen der Opferschicht (2; 4) die Sensorkammstruk­ tur (30) freihängend gemacht wird.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht (5) im Sensorbereich, der von der Sensorsockelstruktur (6) umgeben ist, zumindest teilweise entfernt wird.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Sensorsockelstruktur (6) eine Sensorkappe (10) angebracht wird.
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