DE19819456A1 - Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements - Google Patents

Abstract

Die Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements, insbesondere eines oberflächenmikromechanischen Beschleunigungssensors, mit den Schritten: Bereitstellen eines Substrats (10); Vorsehen einer Isolationsschicht (1, 2) auf dem Substrat (10), in der eine strukturierte Leiterbahnschicht (3) vergraben ist; Vorsehen einer leitenden Schicht (6) auf der Isolationsschicht (1, 2), welche einen ersten Bereich (I) und einen zweiten Bereich (III) aufweist; Bilden eines beweglichen Elements (25) in dem ersten Bereich (I) durch Bilden von ersten Gräben (9) und Einsatz eines Ätzmittels zum Entfernen von zumindest einem Teil der Isolationsschicht (1, 2) unter der leitenden Schicht (6); Bilden eines mit der Leiterbahnschicht (3) elektrisch verbundenen Kontaktelements (20) in dem zweiten Bereich (III) durch Bilden von zweiten Gräben (9'); und Verkapseln des gebildeten beweglichen Elements (25) in dem ersten Bereich (I). Die zweiten Gräben (9') zum Bilden des Kontaktelements (20) in dem zweiten Bereich (III) werden erst nach dem Verkapseln des in dem ersten Bereich (I) gebildeten beweglichen Elements (25) gebildet.

Description

Stand der Technik

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Her­ stellung eines mikromechanischen Bauelements, insbesondere eines oberflächenmikromechanischen Beschleunigungssensors, mit den Schritten: Bereitstellen eines Substrats; Vorsehen einer Isolationsschicht auf dem Substrat, in der eine strukturierte Leiterbahnschicht vergraben ist; Vorsehen ei­ ner leitenden Schicht auf der Isolationsschicht, welche ei­ nen ersten Bereich und einen zweiten Bereich aufweist; Bil­ den eines beweglichen Elements in dem ersten Bereich durch Bilden von ersten Gräben und Leiten eines Ätzmittels durch die ersten Gräben zum Entfernen von zumindest einem Teil der Isolationsschicht unter der leitenden Schicht; Bilden eines mit der Leiterbahnschicht elektrisch verbundenen Kon­ taktelements in dem zweiten Bereich durch Bilden von zwei­ ten Gräben; und Verkapseln des gebildeten beweglichen Ele­ ments in dem ersten Bereich.

Solch ein Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Beschleunigungssensors ist aus der DE 195 37 814 A1 be­ kannt.

Obwohl prinzipiell auf beliebige mikromechanische Bauele­ mente anwendbar, werden die vorliegende Erfindung sowie die ihr zugrundeliegende Problematik in bezug auf diesen be­ kannten oberflächenmikromechanischen Beschleunigungssensor näher erläutert.

Fig. 2 ist eine schematische Querschnittsdarstellung des bekannten mikromechanischen Beschleunigungssensors, der nach dem üblichen Verfahren hergestellt wird; Fig. 3 ist eine schematische Draufsicht auf denselben; und Fig. 4 ist eine vergrößerte schematische Darstellung des Kontaktbe­ reichs des bekannten mikromechanischen Beschleunigungssen­ sors nach Fig. 2 zur Erläuterung der erfindungsgemäßen Pro­ blematik.

In Fig. 2 bis 4 bezeichnet Bezugszeichen 100 allgemein den mikromechanischen Beschleunigungssensor, 10 ein Substrat, 1 ein unteres Oxid, 2 ein oberes Oxid, 3 eine zwischen den beiden Oxiden 1, 2 vergrabene Leiterbahn aus LPCVD-Poly­ silizium, 4 Kontaktlöcher im oberen Oxid 2, 6 eine Schicht aus Epitaxie-Polysilizium (d. h. Polysilizium, das zum Er­ zielen einer höheren Depositionsrate in einem Epitaxiereak­ tor abgeschieden wird), 7 ein Bondpad aus Aluminium, 8 eine Glaslotschicht, 9 erste Gräben, 9' zweite Gräben, 20 einen Bondpadsockel aus Epitaxie-Polysilizium, 21 einen Rahmen aus Epitaxie-Polysilizium, 25 ein bewegliches Element mit einem Verankerungsbereich 22 und einem freistehenden Be­ reich 23, 60 einen Polysilizium-Kontaktstöpsel als Teil der Schicht 6 aus Polysilizium, 13 eine Si-Schutzkappe bzw. Wa­ ferkappe, B1-B5 Kontaktbereiche, L1-L5 Leiterbahnbereiche, I einen Sensorkernbereich, II einen Verkappungsrandbereich, III einen Bondpadbereich und S ein Schmutzpartikel.

Bei der bekannten Herstellungstechnik für diesen Beschleu­ nigungssensor haben die verschiedenen Schichten typischer­ weise folgende Dicken:
Aluminium-Bondpad 7: 1,35 µm
Schicht 6 aus Polysilizium: 10,30 µm
zweites Oxid 2: 1,60 µm
vergrabene Leiterbahnschicht 3: 0,45 µm
erstes Oxid 1: 2,50 µm.

Bei der üblichen Technik werden Strukturen aus der 10 µm dicken Schicht 6 aus Polysilizium durch Trenchen (Graben­ bildung) und Entfernen der darunterliegenden Opferschicht (Oxid 1, 2) freigelegt.

Im Bereich I ist die Unterätzung notwendig und erwünscht, um frei bewegliche Sensorelemente zu erhalten. Im Bereich III hingegen ist eine Unterätzung äußerst unerwünscht und nachteilig, wie im folgenden erläutert wird. Der Bereich II wird ist vollständig mit Polysilizium bedeckt und dient zur hermetischen Verkapselung des Sensors mit Hilfe der Si- Schutzkappe 13.

Wie aus der vergrößerten Darstellung des Bereichs III gemäß Fig. 4 ersichtlich, trägt der 10 µm dicke Bondpadsockel 20 aus Polysilizium, welcher im gleichen Prozeßschritt wie die bewegliche Struktur im Sensorkernbereich I getrencht wird, das Aluminium-Bondpad 7 und ist über den Kontaktstöpsel 60 mit der darunterliegenden dünnen LPCVD-Polysilizium-Leiter­ bahn 3 verbunden. Vor der Opferschichtätzung ist die LPCVD-Poly­ silizium-Leiterbahn 3 zwischen die zwei Oxidschichten 1, 2 eingebettet.

Bei der Ätzung der ersten und zweiten Oxidschicht 1, 2 im Bereich, welche gleichzeitig als Opferschicht für das be­ wegliche Element 25 des Sensors geätzt werden, wird das obere Oxid 2 vollständig und das untere Oxid 1 zum Teil entfernt. Dabei kommt es zur dargestellten Unterätzung des Bondpadsockels 20 und der Leiterbahnschicht 3.

An diesen Stellen können sich leitfähige Schmutzpartikel S, wie sie insbesondere beim Sägen in Form von Sägeschlamm ge­ bildet werden, anlagern und zu elektrischen Nebenschlüssen zwischen Bondpadsockel 20 und Substrat 10 bzw. zwischen Bondpadsockel 20 und Leiterbahnschicht 3 führen.

Weiterhin können sich Abbrüche der vergrabenen Leiterbahn­ schicht 3 oder der unterätzten Epitaxie-Polysilizium-Kanten des Bondpadsockels 20 ereignen, und zwar insbesondere bei der nach dem Sägen stattfindenden Hochdruckreinigung. Die Folge sind mögliche Nebenschlüsse, eine Erhöhung des Wider­ standes und unsaubere Bruchkanten.

Allgemein nachteilig ist, daß die Leiterbahnschicht 2 nach dem Opferschichtätzen nicht mehr mit einem Dielektrikum be­ deckt ist, was gegen übliche IC-Design-Sicherheitsregeln verstößt.

Die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende Problematik besteht also allgemein darin, das eingangs erwähnte Verfah­ ren derart weiterzuentwickeln, daß derartige Nebenschlüsse auf einfache Weise vermeidbar sind.

Ein üblicher Ansatz zur Vermeidung der Unterätzung der Bondpads sieht eine Abdeckung der zweiten Gräben 9' um die Bondpads durch Negativlack vor.

Als nachteilhaft bei diesem Ansatz hat sich die Tatsache herausgestellt, daß dieser bei Stufenhöhen von mehr als et­ wa 10 µm prozeßtechnisch schwierig und nicht einmal bei al­ len Sensorstrukturen möglich ist. Auch muß der Negativlack sofort nach dem HF-Gasphasenätzen der Opferschicht entfernt werden, da er sich mit HF vollsaugt und dann die Unterät­ zung nicht mehr verhindern kann. Dabei gestaltet sich die vollständige Entfernung des Lackes in den Gräben als kom­ pliziert und schon geringe Reste können zum Verkleben der Kammstrukturen führen.

Ein zweiter Ansatz sieht vor, daß in einem bestimmten Be­ reich unterhalb des Bondpadsockels und um den Bondpadsockel herum auf der Opferschicht eine zusätzliche Schutzschicht zum Verhindern einer vollständigen Unterätzung der Opfer­ schicht unterhalb des Bondpadsockels zumindest zeitweilig vorgesehen ist. Dies macht den Herstellungsprozeß aufwendi­ ger.

Vorteile der Erfindung

Das erfindungsgemäße Verfahren mit den Merkmalen des An­ spruchs 1 weist gegenüber dem bekannten Lösungsansatz den Vorteil auf, daß durch eine einfache Modifikation des be­ kannten Verfahrens, nämlich lediglich durch Hinzufügung ei­ nes Ätzprozesses, keine Unterätzung der Opferschicht mehr unterhalb des Bondpadsockels auftritt und die Gefahr von Nebenschlüssen mit um den Kontaktbereich herum freigelegten Leiterbahnen oder sonstigen Nebenschlüssen, beispielsweise mit dem Substrat, nicht mehr existiert. Auch Abbrüche beim Hochdruckreinigen treten nicht mehr auf. Damit läßt sich die Zuverlässigkeit und Funktionstüchtigkeit des mikrome­ chanischen Bauelements wesentlich erhöhen.

Die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende Idee be­ steht darin, daß die Isolationsschicht in dem zweiten Be­ reich beim Bilden des beweglichen Elements in dem ersten Bereich durch die leitende Schicht geschützt bleibt.

Mit anderen Worten wird die leitende Schicht als Schutz­ schicht eingesetzt, indem sie beim Opferschichtätzen nur im Bereich I, nicht aber im Bereich III getrencht ist. Beim Opferschichtätzen wird also nur die Opferschicht im Sensor­ kernbereich zur Herstellung des beweglichen Elements ent­ fernt. Zweckmäßigerweise nach der Verkappung wird die lei­ tende Schicht ein zweites Mal getrencht, und zwar nur im Bereich III, nicht aber im Bereich I, denn dort fungiert jetzt die dicke Schutzkappe als Maske.

In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbil­ dungen und Verbesserungen des in Anspruch 1 angegebenen Verfahrens.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung werden die zweiten Gräben erst nach dem Bilden des beweglichen Elementes in dem ersten Bereich, vorzugsweise erst nach dessen Verkap­ seln, gebildet. Dadurch gelangt das Ätzmittel beim Bilden des beweglichen Elements nicht an die Isolationsschicht(en) unter dem Kontaktbereich und auf den Leiterbahnen im zwei­ ten Bereich.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird ein Me­ tallisierungspad auf dem Kontaktelement gebildet und werden die zweiten Gräben zum Bilden des Kontaktelements in dem zweiten Bereich unter Verwendung des Metallisierungspads als Maske geätzt, wobei der erste Bereich durch die Verkap­ selung maskiert wird. Dies erspart eine zusätzlich Maskene­ bene, welche nur schwer realisierbar wäre.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird im Be­ reich beim Bilden der ersten Gräben ein Fensterbereich der leitenden Schicht auf der Isolationsschicht freigeätzt, welcher als Referenz zur Endpunkterkennung des Ätzens im ersten Bereich verwendet wird.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird unter­ halb des Fensterbereichs in die Isolationsschicht ein Lei­ terbahnschichtbereich als vertikaler Ätzstopp eingebettet. Dies verhindert ein Freilegen des Substrats beim Opfer­ schichtätzen.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird der Leiterbahnschichtbereich an seinen Rand derart mit der lei­ tenden Schicht verbunden, daß die leitende Schicht als la­ teraler Ätzstopp in Richtung des Kontaktelements wirkt. Dies verhindert eine Unterätzung des Kontaktelements bzw. der Leiterbahnen.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung sind das Substrat und die leitende Schicht aus Silizium. Der Schritt des Vorsehens der Isolationsschicht mit der darin vergrabe­ nen strukturierten Leiterbahnschicht weist dann zweckmäßi­ gerweise folgende Schritte auf: Oxidieren des Substrats zum Bilden einer ersten Oxidschicht; Abscheiden und Strukturie­ ren der Leiterbahnschicht auf der ersten Oxidschicht; und Bilden einer zweiten Oxidschicht auf der strukturierten Leiterbahnschicht und der umgebenden ersten Oxidschicht.

Zeichnungen

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher er­ läutert.

Es zeigen:

Fig. 1a-d eine schematische Querschnittsdarstellung einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens in Anwendung auf einen mikromechanischen Be­ schleunigungssensor;

Fig. 2 eine schematische Querschnittsdarstellung eines bekannten mikromechanischen Beschleunigungssen­ sors, der nach dem üblichen Verfahren hergestellt wird;

Fig. 3 eine schematische Draufsicht auf den bekannten mikromechanischen Beschleunigungssensor nach Fig. 2; und

Fig. 4 eine vergrößerte schematische Darstellung des Kontaktbereichs des bekannten mikromechanischen Beschleunigungssensors nach Fig. 2 zur Erläute­ rung der erfindungsgemäßen Problematik.

Beschreibung der Ausführungsbeispiele

In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Bestandteile.

Fig. 1a-d zeigen eine schematische Querschnittsdarstellung einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens in Anwendung auf den an sich bekannten mikromechanischen Be­ schleunigungssensor.

Dabei ist aus Gründen der Übersichtlichkeit nur der Bereich III aus Fig. 2 gezeigt. Für weitere Einzelheiten hinsicht­ lich der Bereiche I und II wird insbesondere auf die ein­ gangs genannte DE 195 37 814 A1 verwiesen.

In Fig. 1a-d bezeichnen zusätzlich zu den bereits einge­ führten Bezugszeichen 30 eine Fotolackschicht, 3' einen Leiterbahnschichtbereich, der als vertikaler Ätzstopp dient, 65 einen Verbindungsbereich der leitenden Schicht 6 mit dem Leiterbahnschichtbereich 3', der als lateraler Ätz­ stopp dient, und FE einen Fensterbereich.

Auf dem Siliziumsubstrat 10 wird die erste Isolations­ schicht 1 und darauf die Leiterbahnschicht 3 aufgebracht. Bei der ersten Isolationsschicht 1 handelt es sich um eine etwa 2,5 µm dicke Oxidschicht und bei der Leiterbahnschicht 3 um eine etwa 0,45 µm dicke dotierte LPCVD-Polysilizium­ schicht. Es folgen das Strukturieren der Leiterbahnschicht 3 und das Bilden einer zweiten Isolationsschicht 2 in Form einer zweiten Oxidschicht etwa 1,6 µm Dicke auf der struk­ turierten Leiterbahnschicht 3 und der umgebenden ersten Oxidschicht 1.

Im Unterschied zum bekannten Prozeß wird unterhalb des Fen­ sterbereichs FE in die Isolationsschichten 1, 2 der Leiter­ bahnschichtbereich 3' als späterer vertikaler Ätzstopp ein­ gebettet.

Nach Bilden der Kontaktlöcher 4 in der zweiten Oxidschicht 2 und Auskleiden der Oberfläche mit einer dünnen Schicht aus LPCVD-Polysilizium erfolgt das epitaktische der leiten­ den Schicht 6 in Form einer Polysiliziumschicht mit etwa 10 µm Dicke.

Im Unterschied zum bekannten Prozeß wird dabei der Leiter­ bahnschichtbereich 3' an seinem Rand mit der leitenden Schicht 6 über den durch das Kontaktloch 4 laufenden Ab­ schnitt 65 verbunden, wobei dieser Abschnitt 65 der leiten­ de Schicht 6 später als lateraler Ätzstopp in Richtung des Kontaktelements 20 wirkt.

Auf der Oberseite der dicken leitenden Schicht 6 wird dann noch die strukturierte Aluminium-Metallschicht 7 für die Bondpads angebracht, welche eine Dicke von etwa 1,3 µm auf­ weist.

In einem weiteren photolithographischen Schritt erfolgen die strukturierte Maskierung der dicken leitenden Schicht 6 mit dem Photolack 30 für den folgenden Grabenätzprozeß.

Im Unterschied zum bekannten Prozeß bleibt dabei der Be­ reich III mit Ausnahme des Fensterbereichs FE mit Photolack bedeckt. Dann erfolgt in bekannter Weise das Bilden des be­ weglichen Elements 25 in dem ersten Bereich I, nämlich durch anisotropes Plasmaätzen der ersten Gräben 9 durch die dicke leitende Schicht 6 und anschließende Verwendung eines Oxid-Ätzmittels (gasförmige HF) zum Entfernen von der zwei­ ten Oxidschicht 2 und der ersten Oxidschicht 1 unter dem beweglichen Element 25.

Im Bereich III wird beim Plasmaätzen nur das Silizium im Bereich des Fensters FE zur Endpunktermittlung geätzt. Das Ätzen der leitenden Schicht im Sensorkernbereich ist näm­ lich ein sehr kritischer Prozeß, der die Sensoreigenschaf­ ten entscheidend beeinflußt. Für eine präzise Prozeßführung wird die sogenannte optische Emissionsspektroskopie einge­ setzt, um den Prozeßendpunkt zu ermitteln. Diese Methode funktioniert nur dann zufriedenstellend, wenn beispielswei­ se eine ausreichend große Siliziumfläche geätzt wird. Be­ schränkt man sich beim ersten Ätzen lediglich auf das Ätzen der Gräben im ersten Bereich, d. h. dem Sensorkernbereich, dann ist eine sichere Endpunkterkennung mit diesem Verfah­ ren nicht gewährleistet.

Daher wird im zweiten Bereich III die besagte Fensterfläche FE zur Verfügung gestellt, die zur Endpunkterkennung bei­ trägt, die aber derart angeordnet ist, daß sie beim an­ schließenden Opferschichtätzen keine Nachteile für das Kon­ taktelement bzw. die Leiterbahnen bewirkt. Beim folgenden Oxid-Ätzen wird nämlich nur der oberhalb des Leiterbahn­ schichtbereichs 3' und der in Fig. 1c seitlich rechts des Abschnitts 65 liegende Bereich der Oxidschicht 2 geätzt, ohne daß es zu irgendeiner störenden Unterätzung käme.

Im weiteren Prozeßverlauf erfolgt die Fertigstellung des Sensorkernbereichs I mit der abschließenden Befestigung der Si-Schutzkappe 13 auf dem Rahmen 21 mittels des Glaslots 8.

Erst danach erfolgt das erfindungsgemäß separate Bilden des mit der Leiterbahnschicht 3 über den Kontaktstöpsel 60 elektrisch verbundenen Kontaktelements 20 in dem zweiten Bereich III. Dabei dient das Metallisierungspad 7 auf dem Kontaktelement 20 als Maske beim Plasmaätzen der zweiten Gräben 9', die das Kontaktelement bzw. Bondpad 20 in dem zweiten Bereich III umgeben. Dies ist deshalb zweckmäßig, weil zu diesem Zeitpunkt ein Photoprozeß aufgrund der hohen Topographie (380 µm tiefe Löcher in der Kappe) kaum mehr möglich ist. Daher wir der Ätzprozeß ohne Fotomaske durch­ geführt, und dabei schützt die dicke Verkappung bzw. Ver­ kapselung den Sensorkernbereich I vor dem Ätzmittel.

Im Bereich des Kontaktelements, wo die Metallisierungspads als Ätzmaske verwendet werden, muß nur auf eine entspre­ chende Selektivität des Ätzprozesses geachtet werden muß, wie sie beim Ätzen des Silizium gegenüber Aluminium hinrei­ chend vorhanden ist.

Am Prozeßende findet das Vereinzeln der Bauelemente durch das Sägen und die Hochdruckreinigung statt.

Fig. 1d zeigt den Querschnitt des Bondpads 20 des fertigge­ stellten Beschleunigungssensors. Die Isolationsschichten 1, 2 sind noch vollständig darunter und seitlich davon erhal­ ten. Auch die Leiterbahnen sind im Gegensatz zum üblichen Verfahren an ihrer Oberseite durch die zweite Oxidschicht 2 isoliert. Damit werden Unterätzungen und Abbrüche vermie­ den, sind die Leiterbahnen isoliert und damit Nebenschlüsse durch leitende Partikel ausgeschlossen.

Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Weise mo­ difizierbar.

Insbesondere läßt sich die erfindungsgemäße Bondpadstruktur nicht nur auf mikromechanische Beschleunigungssensoren an­ wenden, sondern beliebige mikromechanische Bauelemente. Die Wahl der Materialien für die einzelnen Schichten ist nicht auf die angegebenen Materialien beschränkt. Insbesondere ist die Erfindung nicht nur für Siliziumbauelemente, son­ dern auch für Bauelemente aus anderen mikromechanischen Ma­ terialien verwendbar.

Bezugszeichenliste

100

mikromechanischer Beschleunigungssensor

10

Substrat

1

unteres Oxid

2

oberes Oxid

3

Leiterbahn aus LPCVD-Polysilizium

4

Kontaktlöcher im oberen Oxid

2

6

Schicht aus Epitaxie-Polysilizium

7

ein Bondpad aus Aluminium

8

Glaslotschicht

9

erste Gräben

9

' zweite Gräben

20

Bondpadsockel aus Epitaxie-Polysilizium

21

Rahmen aus Epitaxie-Polysilizium

25

bewegliches Element

22

Verankerungsbereich

60

Polysilizium-Kontaktstöpsel

13

Si-Schutzkappe
B1-B5 Kontaktbereiche
L1-L5 Leiterbahnbereiche
I Sensorkernbereich
II Verkappungsrandbereich
III Bondpadbereich
S Schmutzpartikel

30

Fotolackschicht

3

' Leiterbahnschichtbereich (vertikaler Ätzstopp)

65

Verbindungsabschnitt (lateraler Ätzstopp)
FE Fensterbereich

Claims (7)

1. Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bau­ elements, insbesondere eines oberflächenmikromechanischen Beschleunigungssensors, mit den Schritten:
Bereitstellen eines Substrats (10);
Vorsehen einer Isolationsschicht (1, 2) auf dem Substrat (10), in der eine strukturierte Leiterbahnschicht (3) ver­ graben ist;
Vorsehen einer leitenden Schicht (6) auf der Isolations­ schicht (1, 2), welche einen ersten Bereich (I) und einen zweiten Bereich (III) aufweist;
Bilden eines beweglichen Elements (25) in dem ersten Be­ reich (I) durch Bilden von ersten Gräben (9) und Leiten ei­ nes Ätzmittels durch die ersten Gräben (9) zum Entfernen von zumindest einem Teil der Isolationsschicht (1, 2) unter der leitenden Schicht (6);
Bilden eines mit der Leiterbahnschicht (3) elektrisch ver­ bundenen Kontaktelements (20) in dem zweiten Bereich (III) durch Bilden von zweiten Gräben (9'); und
Verkapseln des gebildeten beweglichen Elements (25) in dem ersten Bereich (I);
dadurch gekennzeichnet, daß
die Isolationsschicht (1, 2) in dem zweiten Bereich (III) beim Bilden des beweglichen Elements (25) in dem ersten Be­ reich (I) durch die leitende Schicht (6) geschützt bleibt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten Gräben (9') erst nach dem Bilden des bewegli­ chen Elementes (25) in dem ersten Bereich (I), vorzugsweise erst nach dessen Verkapseln, gebildet werden.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Metallisierungspad (7) auf dem Kontaktelement (20) ge­ bildet wird und die zweiten Gräben (9') zum Bilden des Kon­ taktelements (20) in dem zweiten Bereich (III) unter Ver­ wendung des Metallisierungspads (7) als Maske geätzt wer­ den, wobei der erste Bereich (I) durch die Verkapselung maskiert wird.

4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeich­ net, daß im Bereich (III) beim Bilden der ersten Gräben (9) ein Fensterbereich (FE) der leitenden Schicht (6) auf der Isolationsschicht (1, 2) freigeätzt wird, welcher als Refe­ renz zur Endpunkterkennung des Ätzens im ersten Bereich (I) verwendet wird.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß unterhalb des Fensterbereichs (FE) in die Isolationsschicht ein Leiterbahnschichtbereich (3') als vertikaler Ätzstopp für das Ätzen der leitenden Schicht (6) verwendet wird, wo­ bei die leitende Schicht (6) und die Leiterbahnschicht ei­ nen Ätzstopp für das Oxidätzen bilden.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Leiterbahnschichtbereich (3') an seinem Rand derart mit der leitenden Schicht (6) verbunden wird, daß die lei­ tende Schicht (6) als lateraler Ätzstopp in Richtung des Kontaktelements (20) wirkt.

7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, daß das Substrat (10) und die leiten­ de Schicht (6) aus Silizium sind und der Schritt des Vorse­ hens der Isolationsschicht (1, 2) mit der darin vergrabenen strukturierten Leiterbahnschicht (3) folgende Schritte auf­ weist:
Oxidieren des Substrats (10) zum Bilden einer ersten Oxid­ schicht (1);
Abscheiden und Strukturieren der Leiterbahnschicht (3) auf der ersten Oxidschicht (1); und
Bilden einer zweiten Oxidschicht (2) auf der strukturierten Leiterbahnschicht (3) und der umgebenden ersten Oxidschicht (1).