DE102009027898B4

DE102009027898B4 - Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauelement

Info

Publication number: DE102009027898B4
Application number: DE102009027898.2A
Authority: DE
Inventors: Ando Feyh
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 2009-07-21
Filing date: 2009-07-21
Publication date: 2019-09-05
Anticipated expiration: 2029-07-22
Also published as: DE102009027898A1; US8212326B2; US20110018078A1

Abstract

Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauelement mit den Schritten:
Bilden einer Funktionsschicht (3) auf einem Substrat (1);
Strukturieren der Funktionsschicht (3) in erste Aussparungsbereiche (6) mit einer ersten Breite (d1) und in zu entfernende Bereiche (15) der Funktionsschicht (3) mit einer zweiten Breite (d2'), wobei die zweite Breite (d2') wesentlich größer als die erste Breite (d1) ist;
Bilden einer ersten Oxidschicht (8) auf der strukturierten Funktionsschicht (3);
Bilden einer ersten Verschlußschicht (9) auf der strukturierten Funktionsschicht (3) mit der darauf gebildeten ersten Oxidschicht (8), wobei die ersten Aussparungsbereiche (6) mit der ersten Breite (d1) verschlossen werden;
Bilden einer Kappenschicht (11) auf der ersten Verschlußschicht (9);
Bilden erster Durchgangslöcher (14), welche sich durch die Kappenschicht (11), die erste Verschlußschicht (9) und die erste Oxidschicht (8) erstrecken, zum zumindest teilweisen Freilegen von den zu entfernenden Bereichen (15) der Funktionsschicht (3);
selektives Entfernen der zu entfernenden Bereichen (15) der Funktionsschicht (3) durch Einbringen eines ersten Ätzmediums durch die ersten Durchgangslöcher (14), wodurch zweite Aussparungsbereiche (7') mit der zweiten Breite (d2') in der Funktionsschicht (3) entstehen.
Bilden zweiter Durchgangslöcher (13) in der Kappenschicht (11) zum teilweisen Freilegen der ersten Verschlußschicht (9) oberhalb der verschlossenen ersten Aussparungsbereiche (6); und
teilweises selektives Entfernen der ersten Verschlußschicht (9) und der ersten Oxidschicht (8) durch Einbringen eines zweiten Ätzmediums durch die zweiten Durchgangslöcher (13), wodurch die ersten Aussparungsbereiche (6) mit der ersten Zwischenbreite (d1) geöffnet werden und die zweiten Aussparungsbereiche (7') auf eine dritte Breite (d2) verbreitert werden und wobei die erste Kappenschicht (11) über der Funktionsschicht (3) verbleibt;
wodurch in der Funktionsschicht (3) eine erste Funktionsstruktur mit der ersten Breite (d1) als Zwischenraumbreite und eine zweite Funktionsstruktur mit der dritten Breite (d2) als Zwischenraumbreite gebildet werden.

Description

Stand der Technik
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauelement.
Aus der DE 103 52 001 A1 und der DE 10 2006 001 386 A1 ist ein Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauelement bekannt, welches folgende Schritte aufweist:

- Bilden einer Funktionsschicht auf einem Substrat, Strukturieren der Funktionsschicht in erste Aussparungsbereiche mit einer Breite und in zu entfernende Bereiche der Funktionsschicht mit einer zweiten Breite, wobei die zweite Breite wesentlich größer als die erste Breite ist,
- Bilden einer ersten Oxidschicht auf der strukturierten Funktionsschicht,
- Bilden einer Verschlussschicht auf der strukturierten Funktionsschicht mit der darauf gebildeten Oxidschicht, wobei die ersten Aussparungsbereiche mit einer ersten Breite verschlossen werden,
- Bilden einer Kappenschicht auf der ersten Verschlussschicht,
- Bilden erster Durchgangslöcher, welche sich durch die Kappenschicht, die erste Verschlussschicht und die erste Oxidschicht erstrecken, zum teilweisen Freilegen von den zu entfernenden Bereichen und
- Selektives Entfernen der zu entfernenden Bereiche der Funktionsschicht durch Einbringen eines ersten Ätzmediums durch die ersten Durchgangslöcher, wodurch zweite Aussparungsbereiche mit der zweiten Breite der Funktionsschicht entstehen.

Die DE 10 2008 001 042 A1 (ältere Anmeldung) und die DE 10 2007 025 880 A1 offenbaren mikromechanische Bauelemente mit einem Substrat mit einer darauf angeordneten Funktionsschicht, in der verschieden breite Aussparungsbereiche vorhanden sind, wobei die Funktionsschicht im Randbereich durch eine Oxidschicht und eine darauf befindliche weitere Schicht bedeckt ist und wobei sich darüber eine Kappenschicht mit mehreren Durchgangslöchern befindet.
Obwohl auf beliebige mikromechanische Bauelemente anwendbar, werden die vorliegende Erfindung und die ihr zugrundeliegende Hintergrund im Hinblick auf mikromechanische Bauelemente in Siliziumtechnologie erläutert.
Ursprünglicherweise erfolgte die Verkappung empfindlicher mikromechanischer Bauelemente durch Aufbonden oder Aufkleben eines Kappenwafers auf einen vollständig prozessierten Sensorwafer.
In den letzten Jahren hat sich eine neue Verkappungsmethode, die Dünnschicht-Verkappung, entwickelt, welche auf einen Kappenwafer verzichtet und anstatt dessen einen Hohlraum bzw. eine Kaverne zwischen den freizulegenden mikromechanischen Strukturen und einer mit einem üblichen Abscheidungsprozess erzeugten Siliziumschicht als Kappenschicht ausbildet.
Aus der DE 10 2006 049 259 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements mit einer Kappenschicht bekannt, wobei auf einer Füllschicht eine Kappenschicht abgeschieden wird und anschließend in der Kappenschicht Mikroporen erzeugt werden. Anschließend erfolgt ein Entfernen der Füllschicht durch Gasphasenätzen mit durch die Mikroporen herangeführten CIF₃, wobei die Selektivität der Ätzmischung und die Zusammensetzung der Füllschicht derart eingestellt werden, dass die Selektivität gegenüber der Kappenschicht groß genug ist, um diese nicht anzugreifen.
Nach dem Entfernen der Füllschicht erfolgt ein Versiegeln der Mikroporen durch Abscheiden einer Verschlussschicht.
Die DE 10 2007 022 509 A1 offenbart ein Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil mit Dünnschicht-Verkappung, wobei in der Kaverne ein Gas eingeschlossen ist, welches eine nicht-atmosphärische Zusammensetzung aufgrund der Zersetzung eines Polymers aufweist.
Vorteile der Erfindung
Das in Anspruch 1 definierte erfindungsgemäße Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauelement mit einer Dünnschicht-Verkappung weist den Vorteil auf, dass Funktionsstrukturen bzw. Sensorstrukturen mit kleinen und großen Zwischenraumbreiten in einem integrierten Prozess vorgesehen werden können. Damit eignet sich das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren für Drehratensensoren und Drucksensoren sowie für künftige Inertialsensoren.
Die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende Idee besteht aus einem kombinierten Opferschichtprozess, beispielsweise einem Silizium-/Siliziumoxid-Opferschichtprozess, zur Umsetzung großer und kleiner lateraler Gap-Weiten bzw. Zwischenraumbreiten. Diese eignen sich insbesondere für Drehratensensoren.
Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht große Gap-Weiten, ohne dass zusätzliche Schichten wie z. B. SiGe, als Opferschichten benötigt werden. Weiterhin kann auf dicke Oxidschichten verzichtet werden, welche üblicherweise hohe Spannungen aufweisen und nur langsam geätzt werden können. Dadurch reduzieren sich beim erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren die Prozesszeiten.
Die Verwendung von Silizium als Opferschicht ermöglicht sehr kurze Ätzzeiten, beispielsweise in CIF₃. Es müssen keine dicken Opferschichten abgeschieden werden und bestehende Schichten, beispielsweise Teile der Funktionsschicht, können als Opferschicht verwendet werden.
Vorteilhafterweise wird nur eine zusätzliche, beispielsweise thermische, Oxidation von geringer Schichtdicke als Schutzschicht für die zu strukturierende Funktionsschicht benötigt.
Die in den Unteransprüchen aufgeführten Merkmale beziehen sich auf vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des betreffenden Gegenstandes der Erfindung.
Figurenliste
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
Es zeigen:

1 eine schematische Querschnittsdarstellung eines mikromechanischen Bauelementes, auf das das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren anwendbar ist, zur Erläuterung des der vorliegenden Erfindung zugrundeliegenden Hintergrundes; und
2a-f schematische Querschnittsdarstellungen zur Erläuterung einer Ausführungsform des_Herstellungsverfahrens für ein mikromechanisches Bauelement mit einer Dünnschicht-Verkappung gemäß der vorliegenden Erfindung.

Beschreibung von Ausführungsbeispielen
In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen dieselben bzw. funktionsgleiche Elemente.
1 ist eine schematische Querschnittsdarstellung eines mikromechanischen Bauelementes, auf das das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren anwendbar ist, zur Erläuterung des der vorliegenden Erfindung zugrundeliegenden Hintergrundes.
In 1 bezeichnet Bezugszeichen 1 ein Silizium-Wafersubstrat, auf dem eine erste Isolationsschicht 2 aus Siliziumoxid vorgesehen ist. Auf der ersten Isolationsschicht 2 ist eine strukturierte Funktionsschicht 3 aus Silizium vorgesehen, welche Randbereiche R und einen Funktionsbereich F aufweist. Beispielsweise hat die Funktionsschicht 3 eine Dicke d0 von 100 nm - 40 µm. Oberhalb der Funktionsschicht 3 ist eine zweite Isolationsschicht 4 aus Siliziumoxid und darüber eine Kappenschicht 5 aus Silizium vorgesehen.
Die Funktionsschicht 3 weist im Funktionsbereich F erste Aussparungsbereiche 6 mit einer ersten kleineren Breite d1 von typischerweise 1 µm und zweite Aussparungsbereiche 7 mit einer Breite d2 von typischerweise 20 µm auf. Bezugszeichen 20 bezeichnet eine Kaverne, in der die Bereiche 6, 7 vorgesehen sind. Der Bereich 6 umfasst beispielsweise eine Kondensatorstruktur mit Fingerelektroden.
Der Randbereich R dient zur festen Verbindung der Kappenschicht 5 mit dem Substrat 1 und somit zum Verschluss der Kaverne 20. Hierzu sei bemerkt, dass, obwohl im vorliegenden Fall die Kaverne 20 als hermetisch verschlossen dargestellt ist, auch eine nicht-hermetische Verschlussart mit Zugängen zur Kaverne 20 möglich ist.
2a-f sind schematische Querschnittsdarstellungen zur Erläuterung einer Ausführungsform des_Herstellungsverfahrens für ein mikromechanisches Bauelement mit einer Dünnschicht-Verkappung gemäß der vorliegenden Erfindung.
Das nachstehend beschriebene Herstellungsverfahren gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ermöglicht eine kombinierte und integrierte Herstellung beider Aussparungsbereiche 6, 7 in einem einfachen und relativ schnellen Prozess.
Gemäß der Darstellung von 2a) wird auf dem Silizium-Wafersubstrat 1 die erste Isolationsschicht 2 aus Siliziumoxid gebildet und auf der Isolationsschicht 2 die Funktionsschicht 3 aus Silizium.
Die Funktionsschicht 3 wird mit üblichen Prozessen in erste Aussparungsbereiche 6 mit der ersten Breite d1 und in zu entfernende Bereiche 15 mit einer zweiten Breite d2' strukturiert. Anschließend erfolgt ein thermischer Oxidationsschritt zum Bilden einer ersten thermischen Oxidschicht 8 auf der derart strukturierten Funktionsschicht 3.
Aufgabe dieser ersten thermischen Oxidschicht 8 auf der strukturierten Funktionsschicht 3 ist der Schutz der Funktionsschicht bzw. der darin integrierten (nicht gezeigten) Sensorstruktur während dem später erfolgenden Silizium-Opferschicht-Ätzprozess der Funktionsschicht 3 im Bereich 15. Daher ist nur eine geringe Schichtdicke von einigen Nanometern der Oxidschicht 8 erforderlich, denn thermisches Oxid ist konform und im Wesentlichen pinhole-frei herstellbar.
Der Strukturabstand zwischen dem zu entfernenden Bereich 15 der Funktionsschicht 3 zu Bereichen der umgebenden Funktionsschicht 3 ist im vorliegenden Fall der Einfachheit halber auch als eine Breite d1 angenommen. Daher gilt mit Rückbezug auf 1 die Beziehung $d2 = d 2' + 2 d 1,$
wie nachstehend näher erläutert werden wird.
Im Anschluss an den thermischen Oxidationsschritt zum Bilden der thermischen Oxidschicht 8 erfolgt ein Abscheiden einer ersten Verschlussschicht 9 aus Siliziumoxid, wobei die ersten Aussparungsbereiche 6 mit der ersten Breite d1 verschlossen werden. In diesem Zusammenhang zu bemerken ist, dass zu diesem Zeitpunkt überall im Funktionsbereich F nur geringe Gap-Weiten bzw. Breiten d1 vorliegen, was den üblichen Dünnschicht-Oxidverschlussprozess ermöglicht, welcher die Gaps an der Oberseite schließt, aber nicht völlig auffüllt.
Im Anschluss daran werden die erste Verschlussschicht 9 und die thermische Oxidschicht 8 in einem Bereich 10 oberhalb des zu entfernenden Bereiches 15 geöffnet, um den zu entfernenden Bereich 15 an seiner Oberfläche im Bereich 10 freizulegen. Ebenfalls erfolgt eine Strukturierung der ersten Verschlussschicht 9 in (nicht eingezeichneten) Bereichen zur späteren elektrischen Kontaktierung nach außen.
Weiter mit Bezug auf 2b) wird eine erste Kappenschicht 11 aus Silizium abgeschieden und darauf eine zweite thermische Oxidschicht 12 gebildet. Die Kappenschicht 11 aus Silizium weist eine Dicke d3 von typischerweise 0,1 - 5 µm auf und ist im Bereich 10 mit der Funktionsschicht 3 verbunden.
Wie in 2c) dargestellt, werden anschließend mit einer üblichen Strukturierungstechnik erste und zweite Durchgangslöcher 14, 13 gebildet. Die ersten Durchgangslöcher 14 erstrecken sich durch die Kappenschicht 11, die erste Verschlussschicht 9 und die erste thermische Oxidschicht 8 und legen den zu entfernenden Bereich 15 an seiner Oberseite frei.
Die zweiten Durchgangslöcher 13 erstrecken sich durch die Kappenschicht 11 und legen die erste Verschlussschicht 9 oberhalb der Aussparungsbereiche 6 mit der ersten Breite d1 frei.
Die Herstellung der ersten bzw. zweiten Durchgangslöcher 14, 13 mit unterschiedlicher Tiefe kann in einem einstufigen Prozess mittels bekannter Techniken erfolgen, da ja im Bereich 10 der Durchgangslöcher 14 bereits die erste thermische Oxidschicht 8 und die erste Verschlußschicht 9 entfernt worden sind.
Allerdings wäre es eine mögliche Variante des Verfahrens, im Bereich 10 die erste thermische Oxidschicht 8 und die erste Verschlußschicht 9 zu belassen und einen zweistufigen Ätzprozess mit einer Zwischenmaskierung der ersten Durchgangslöcher 13 anzuwenden.
Im Anschluss an die Bildung der ersten und zweiten Durchgangslöcher 14, 13 erfolgt eine dritte thermische Oxidation zum Bilden einer dritten thermischen Oxidschicht 12a auf der Kappenschicht 11 im Innenbereich der ersten und zweiten Durchgangslöcher 14, 13. Die Dicke der dritten thermischen Oxidschicht 12a wird geringer ausgeführt als die Dicke der zweiten thermischen Oxidschicht 12. Mittels anisotropem Oxidätzen kann im Anschluss an die Bildung der dritten thermischen Oxidschicht 12a diese vom Bodenbereich der ersten Durchgangslöcher 14 wieder entfernt werden. Dadurch dass die dritte thermische Oxidschicht 12a eine geringere Dicke als die zweite thermische Oxidschicht 12 aufweist, verbleibt an der Oberseite der Kappenschicht 11 eine Restschicht 12' der zweiten thermischen Oxidschicht 12.
Weiter mit Bezug auf 2d) erfolgt im Anschluss daran das Silizium-Opferschichtätzen im zu entfernenden Bereich 15 durch die ersten Durchgangslöcher 14, beispielsweise mittels CIF₃ als Ätzmedium. Dieser Ätzprozess ist selektiv, und weitere Bereiche werden nicht angegriffen, da sie in thermisches Oxid bzw. Oxid eingepackt sind. Somit werden zweite Aussparungsbereiche 7' mit der zweiten Breite d2' in der Funktionsschicht 3 gebildet.
Wie in 2e) illustriert, wird im Anschluss daran eine Oxid-Opferschichtätzung beispielsweise mittels HF-Dampfätzen durchgeführt, um die erste Verschlussschicht 9 und die erste bis dritte thermische Oxidschicht 8, 12, 12a zu entfernen. Hierbei findet die Ätzung durch die ersten und zweiten Durchgangslöcher 14, 13 statt. In den Randbereichen R gibt es eine gewisse kontrollierbare Unterätzung U unter bzw. über der Funktionsschicht 3. Weiter mit Bezug auf 2e) wird durch die Oxid-Opferschichtätzung der zweite Bereich 7' in den zweiten Bereich 7 der Dicke d2 gemäß 1 verbreitert.
Schließlich mit Bezug auf 2f) wird über der Kappenschicht 11 eine zweite Verschlussschicht 16 abgeschieden, und zwar beispielsweise mittels Silizium-Epitaxie. Dies führt zum Prozesszustand gemäß 2f), welcher dem im Zusammenhang mit 1 geschilderten Prozesszustand entspricht. Dabei werden die Verkappungsschicht 5 durch die Schichten 11, 16 gebildet und die obere Isolationsschicht 4 durch die Schichten 8, 9.
Ebenso wird während dem Oxid-Opferschichtätzen die erste Isolationsschicht 2 im Funktionsbereich F entfernt, sodass die Strukturen im ersten Aussparungsbereich 6 mit der ersten Breite d1 beweglich werden.
Weitergehende Prozessschritte, wie z. B. Isolationsgräben, obere Metallisierung usw. werden im Folgenden nicht besprochen, da sie dem Durchschnittsfachmann ohnehin bekannt sind.
Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Weise modifizierbar.
Insbesondere sind die Materialien nur beispielhaft genannt und durch andere Materialien ersetzbar, welche die geforderten Selektivitätskriterien beim Ätzen erfüllen.
Statt der ersten thermischen Oxidschicht 8 kann auch eine konform abzuscheidende TEOS- oder HTO-Oxidschicht verwebdet werden.

Claims

Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauelement mit den Schritten: Bilden einer Funktionsschicht (3) auf einem Substrat (1); Strukturieren der Funktionsschicht (3) in erste Aussparungsbereiche (6) mit einer ersten Breite (d1) und in zu entfernende Bereiche (15) der Funktionsschicht (3) mit einer zweiten Breite (d2'), wobei die zweite Breite (d2') wesentlich größer als die erste Breite (d1) ist; Bilden einer ersten Oxidschicht (8) auf der strukturierten Funktionsschicht (3); Bilden einer ersten Verschlußschicht (9) auf der strukturierten Funktionsschicht (3) mit der darauf gebildeten ersten Oxidschicht (8), wobei die ersten Aussparungsbereiche (6) mit der ersten Breite (d1) verschlossen werden; Bilden einer Kappenschicht (11) auf der ersten Verschlußschicht (9); Bilden erster Durchgangslöcher (14), welche sich durch die Kappenschicht (11), die erste Verschlußschicht (9) und die erste Oxidschicht (8) erstrecken, zum zumindest teilweisen Freilegen von den zu entfernenden Bereichen (15) der Funktionsschicht (3); selektives Entfernen der zu entfernenden Bereichen (15) der Funktionsschicht (3) durch Einbringen eines ersten Ätzmediums durch die ersten Durchgangslöcher (14), wodurch zweite Aussparungsbereiche (7') mit der zweiten Breite (d2') in der Funktionsschicht (3) entstehen. Bilden zweiter Durchgangslöcher (13) in der Kappenschicht (11) zum teilweisen Freilegen der ersten Verschlußschicht (9) oberhalb der verschlossenen ersten Aussparungsbereiche (6); und teilweises selektives Entfernen der ersten Verschlußschicht (9) und der ersten Oxidschicht (8) durch Einbringen eines zweiten Ätzmediums durch die zweiten Durchgangslöcher (13), wodurch die ersten Aussparungsbereiche (6) mit der ersten Zwischenbreite (d1) geöffnet werden und die zweiten Aussparungsbereiche (7') auf eine dritte Breite (d2) verbreitert werden und wobei die erste Kappenschicht (11) über der Funktionsschicht (3) verbleibt; wodurch in der Funktionsschicht (3) eine erste Funktionsstruktur mit der ersten Breite (d1) als Zwischenraumbreite und eine zweite Funktionsstruktur mit der dritten Breite (d2) als Zwischenraumbreite gebildet werden.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, welches zusätzlich folgende Schritte aufweist: Bilden einer Isolationsschicht (2) zwischen dem Substrat (1) und der Funktionsschicht (3), wobei ein teilweises selektives Entfernen der Isolationsschicht (2) im Schritt des teilweisen selektiven Entfernens der ersten Verschlußschicht (9) und der ersten Oxidschicht (8) stattfindet.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, welches zusätzlich folgenden Schritt aufweist: Bilden einer zweiten Verschlussschicht (16) auf der Kappenschicht (11).
Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, welches zusätzlich folgenden Schritt aufweist: Bilden einer zweiten Oxidschicht (12) auf der Kappenschicht (11) vor dem Bilden der ersten und zweiten Durchgangslöcher (14, 13).
Herstellungsverfahren nach Anspruch 4, welches zusätzlich folgenden Schritt aufweist: Bilden einer dritten Oxidschicht (12a) auf der Kappenschicht (11) nach dem Bilden der ersten und zweiten Durchgangslöcher (14, 13) im Innenwandbereich der ersten und zweiten Durchgangslöcher (14, 13); und Entfernen der dritten Oxidschicht (12a) vom Bodenbereich der ersten und zweiten Durchgangslöcher (14, 13).
Herstellungsverfahren nach Anspruch 5, wobei das Entfernen der Oxidschicht (12a) vom Bodenbereich der ersten und zweiten Durchgangslöcher (14, 13) durch einen anisotropen Ätzschritt erfolgt.
Herstellungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Substrat (1), die Funktionsschicht (3) und die Kappenschicht (11) Siliziumschichten sind.
Herstellungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Verschlusschicht (9) eine Siliziumoxidschicht ist.
Herstellungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Funktionsschicht (3) eine Dicke (d0) von 100 nm bis 40 µm aufweist.
Herstellungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei vor dem Bilden der Kappenschicht (11) auf der ersten Verschlussschicht (9) ein jeweiliger Bereich (10) der ersten thermischen Oxidschicht (8) und der ersten Verschlussschicht (9) entfernt wird, durch den sich später die ersten Durchgangslöcher (14) erstrecken und wobei die Kappenschicht (11) durch diesen Bereich hindurch mit der Funktionsschicht (3) vor dem Bilden der ersten Durchgangslöcher (14) verbunden ist.
Herstellungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Oxidschicht (8) eine thermische Oxidschicht oder eine konform abgeschiedene TEOS- oder HTO-Oxidschicht ist.