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Stand der Technik
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Die
Erfindung geht aus von einem Herstellungsverfahren nach dem Oberbegriff
des Anspruchs 1.
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Solche
Verfahren sind allgemein bekannt. Beispielsweise ist aus der Druckschrift
DE 199 40 512 A1 ein
Verfahren zur Verkappung eines Bauelements bekannt, wobei eine Sensorstruktur
mittels eines Dünnschichtverkappungsverfahrens hermetisch abgeschlossen
wird. Dieses Verfahren geht von einer freigeätzten mikromechanischen
Sensorstruktur aus, die zunächst mit einer Opferschicht
wieder aufgefüllt und anschließend mit einer Verkappungsschicht
abgedeckt wird. In einem nachfolgenden Verfahrensschritt wird die
Opferschicht durch Öffnungen in der Verkappungsschicht
selektiv weggeätzt. Die Opferschicht hat die Aufgabe den
Abscheideprozess der Verkappungsschicht zu ermöglichen
und die Verkappungsschicht während der restlichen Prozessschritte zu
stabilisieren. Es finden Opferschichten aus Siliziumoxid, Silizium-Germanium
oder Silizium Verwendung, wobei alle diese Opferschichten auf die
strukturierte Funktionsschicht und in die Zwischenräume der
Funktionsschicht abgeschieden werden. Daraus resultiert, insbesondere
für eine Oxidopferschicht, dass die Funktionsschicht nur
begrenzte Zwischenraumbreiten aufweisen darf, da mit steigender
Zwischenraumbreite die benötigte Opferschicht immer dicker
werden muss, um die Zwischenräume nicht nur am Zwischenraumboden,
sondern auch am oberen Rand der Funktionsschicht zu verschließen.
Ansonsten droht ein Überlappen der Verkappungsschicht mit
der Funktionsschicht, wodurch die Funktionalität der Funktionsschicht
gestört oder beeinträchtig wird. Ein beliebig
dickes Abscheiden der Opferschicht, insbesondere einer Siliziumoxidschicht,
ist wegen der intrinsischen Schichtspannungen jedoch nicht möglich.
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Offenbarung der Erfindung
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Das
erfindungsgemäße Herstellungsverfahren einer mikromechanischen
Struktur und die erfindungsgemäße mikromechanische
Struktur gemäß den nebengeordneten Ansprüchen
haben gegenüber dem Stand der Technik den Vorteil, dass
die Verkappung einer eine beliebige Struktur, insbesondere mit beliebig
ausgebildeten Zwischenraumbreiten, aufweisende mikromechanische
Funktionsschicht mit einer Dünnschichtkappe in einfacher
und vergleichsweise kostengünstiger Weise ermöglicht
wird. Dies wird dadurch erreicht, dass im ersten Verfahrensschritt
zusätzlich zur strukturierten Funktionsschicht eine Opferstruktur
hergestellt wird, so dass vergleichsweise große Zwischenraumbreiten
durch die Opferstruktur überbrückt bzw. unterbrochen
werden und somit in nachfolgenden Verfahrensschritten ein Auffüllen
der Zwischenräume, insbesondere bis zu einer oberen Kante
der Funktionsschicht, auch mit vergleichsweise dünn abgeschiedenen
Opferschichten ermöglicht wird. Die Opferschicht und/oder
die Opferstruktur dienen zur Stabilisierung der Verkappungsschicht.
Gleichzeitig ist durch weitere nachfolgende Verfahrensschritte eine
Umwandlung der Opferstruktur in eine ätzbare Opferstruktur
möglich, so dass die Opferstruktur nachträglich
entfernbar ist und somit eine mikromechanische Funktionsschicht
mit beliebig ausgebildeten Zwischenraumbreiten verkappt mit einer
Dünnschichtkappe realisiert wird. Beliebig ausbildbare
Zwischenraumbreiten haben den Vorteil, dass bewegliche Bereiche,
d. h. insbesondere freitragende und/oder unterätzte Bereiche,
der Funktionsschicht vergleichsweise große Auslenkung in
der Funktionsschicht durchführen können. Dies
ist beispielsweise bei der Realisierung von Sensoren, insbesondere
von kapazitiven Sensoren, besonders vorteilhaft.
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Vorteilhafte
Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind den Unteransprüche,
sowie der Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen zu entnehmen.
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Gemäß einer
bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass in einem dritten
Verfahrensschritt ein Temperschritt durchgeführt wird,
wobei bevorzugt eine erste Opferschicht aus einem dritten Material
im Bereich der Funktionsschicht und/oder der Opferstruktur gebildet
wird und wobei besonders bevorzugt die erste Opferschicht durch
Oxidation und/oder Diffusion gebildet wird. Besonders vorteilhaft
wird durch den Temperschritt die Opferstruktur in eine ätzbare
erste Opferschicht umgewandelt. Dies geschieht vorzugsweise dadurch,
dass die Opferstruktur thermisch durchoxidiert und/oder dass in
die Opferstruktur viertes Material einer zweiten Opferschicht eindiffundiert.
Vorzugsweise ist die Opferstruktur derart ausgebildet, dass die
Opferstruktur vollständig in die ätzbare erste
Opferschicht umgewandelt wird, so dass nach einem späteren Ätzvorgang
im Wesentlich keine Rückstände der Opferstruktur
in der Funktionsschicht verbleiben. Die erste Opferschicht dient
zur Stabilisierung der Verkappungsschicht und/oder einer zweiten
Opferschicht in nachfolgenden Verfahrensschritten.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass in einem
vierten Verfahrensschritt eine zweite Opferschicht aus einem vierten
Material hergestellt wird, wobei die zweite Opferschicht vorzugsweise
auf der Funktionsschicht, der Opferstruktur und/oder auf der ersten
Opferschicht abgeschieden wird. Vorzugsweise ist besonders vorteilhaft
ist ein direktes Abscheiden der Verkappungsschicht auf der zweiten
Opferschicht im zweiten Verfahrensschritt möglich oder
wird der dritte Verfahrensschritt nach dem vierten Verfahrensschritt
durchgeführt, so dass viertes Material der zweiten Opferschicht
in die Opferstruktur eindiffundiert und somit besonders bevorzugt
die Opferstruktur in die ätzbare erste Opferschicht umgewandelt
wird. Die Abscheidung der zweiten Opferschicht wird bevorzugt mittels eines
konformen LPCVD- oder eines APCVD-Prozesses durchgeführt,
wobei die zweite Opferschicht besonders bevorzugt ein Silizium-Germanium
umfasst. Besonders bevorzugt umfasst die zweite Opferschicht ein
PECVD-Siliziumoxid.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass in einem
fünften Verfahrensschritt ein Ätzvorgang durchgeführt
wird, wobei bevorzugt die erste und/oder die zweite Opferschicht geätzt
werden und wobei besonders bevorzugt ein Ätzmittel in Ätzmitteldurchgänge
in der Verkappungsschicht geleitet wird. Vorteilhafterweise werden
somit die Opferstrukturen, die erste Opferschicht und/oder die zweite
Opferschicht aus dem Bereich der Funktionsschicht entfernt, so dass
die Funktionalität der Funktionsschicht hergestellt wird
und insbesondere die gewünschten Zwischenraumbreiten in
der Funktionsschicht entstehen. Vorzugsweise wird durch den fünften
Verfahrensschritt die Funktionsschicht unterätzt, wobei
insbesondere eine dritte Opferschicht unterhalb der Funktionsschicht
geätzt wird. Der Ätzvorgang umfasst besonders
bevorzugt ein Gasphasenätzen mit Flußsäure
oder ein Ätzvorgang mittels CIF3.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass der dritte
Verfahrensschritt zeitlich nach dem ersten Verfahrensschritt und bevorzugt
der zweite Verfahrensschritt zeitlich nach dem dritten Verfahrensschritt
durchgeführt werden, wobei besonders bevorzugt der vierte
Verfahrensschritt zeitlich zwischen dem dritten und dem zweiten Verfahrensschritt
und/oder zeitlich zwischen dem ersten und dem dritten Verfahrensschritt
durchgeführt wird. Besonders vorteilhaft wird somit insbesondere
zunächst die Opferstruktur hergestellt, die Opferstruktur
zur Bildung der ersten Opferschicht getempert und anschließend
die die zweite Opferschicht und/oder die Verkappungsschicht auf
die erste Opferschicht aufgebracht. Alternativ wird zunächst die
Opferstruktur hergestellt, die zweite Opferschicht auf die Opferstruktur
aufgebracht, die Opferstruktur zur Bildung der ersten Opferschicht
getempert und anschließend die Verkappungsschicht aufgebracht. Anschließend
wird jeweils der Ätzvorgang durchgeführt.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass im ersten
Verfahrensschritt die Funktionsschicht durch Abscheiden und Strukturieren
des ersten Materials auf einem Substrat hergestellt wird und/oder
dass im ersten Verfahrensschritt die Funktionsschicht durch Trenchen
des Substrats hergestellt wird. Besonders vorteilhaft ist somit
ein Aufbauen der Funktionsschicht auf der Oberfläche eines
Substrats, wobei insbesondere ein SOI-Wafer Verwendung findet, oder
alternativ im Substratmaterial selbst möglich. Das erste
Material und/oder das Substratmaterial umfasst bevorzugt monokristallines
oder polykristallines Silizium. Beim Trenchen des Substrats werden
bevorzugt anschließend mittels einer geeigneten Seitenwandpassivierung
die mikromechanischen Strukturen in der Funktionsschicht so weit
wie nötig isotrop unterätzt, um so zu den gewünschten
freitragenden und/oder unterätzten beweglichen Bereichen
zu gelangen.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass die Funktionsschicht, die
Verkappungsschicht und/oder das Substrat eine Haupterstreckungsebene
aufweist, wobei im ersten Verfahrensschritt die Opferstruktur und
die Funktionsschicht in einer gemeinsamen zur Haupterstreckungsebene
parallelen Ebene angeordnet werden. Besonders vorteilhaft ist die
Opferstruktur somit innerhalb der Funktionsschicht und insbesondere
innerhalb von Zwischenräumen in der Funktionsschicht angeordnet.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass im ersten
Verfahrensschritt die Opferstruktur als eine Steg- und/oder Gitterstruktur
ausgebildet wird, wobei die Steg- und/oder Gitterstruktur vorzugsweise
unterätzte Bereiche aufweist. Besonders vorteilhaft ist
eine Ausbildung der Opferstruktur als Stegstruktur, da die vergleichsweise
dünnen Stege im dritten Verfahrensschritt vollständig
in die zu ätzende erste Opferschicht umgewandelt werden.
Besonders bevorzugt sind die Stege zu einer Gitterstruktur angeordnet,
so dass die Stege sich gegenseitig stabilisieren und somit die mechanische
Belastbarkeit erhöht wird. Ferner ermöglicht die
Gitterstruktur die Ausbildung von unterätzten Bereichen
der Opferstruktur, da die unterätzten Bereiche von der
restlichen Gitterstruktur getragen und stabilisiert werden. Die
Gitterstruktur fungiert insbesondere als eine Art von Auffangnetz für
die zweite Opferschicht und/oder die Verkappungsschicht.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass im ersten
Verfahrensschritt die Steg- und/oder Gitterstruktur mit Stegbreiten
von 100 nm bis 800 nm, bevorzugt von 300 nm bis 500 nm und besonders
bevorzugt von im Wesentlichen 400 nm ausgebildet wird. Besonders
vorteilhaft werden derart ausgebildeten Stege im dritten Verfahrensschritt
vollständig in die erste Opferschicht umgewandelt und die
zweite Opferschicht und/oder die Verkappungsschicht von der ersten
Opferschicht ausreichend stabilisiert. Besonders bevorzugt ist vorgesehen,
dass die Stege einen Abstand von im Wesentlichen 1000 nm zueinander
oder zu benachbarten Strukturen der mikromechanischen Funktionsschicht
aufweisen.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass zwischen
dem Substrat und der Funktionsschicht eine dritte Opferschicht angeordnet
ist, welche vorzugsweise im fünften Verfahrensschritt geätzt
wird. Besonders vorteilhaft ist somit die Bildung von freitragenden
Bereichen in der Funktionsschicht in besonders einfacher Weise und
insbesondere durch einen einzigen gemeinsamen Ätzverfahren
mit dem Ätzen der ersten und zweiten Opferschicht besonders
kostengünstig realisierbar.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass im fünften
Verfahrensschritt freitragende und/oder unterätzte Bereiche
in der Funktionsschicht erzeugt werden. Besonders vorteilhaft ist
somit die Bildung von Sensorelementen oder Antriebselementen, insbesondere
von Elektroden und/oder beweglichen Bereichen, möglich,
welche aufgrund der beliebig großen Zwischenraumbreiten
vergleichsweise große Auslenkung ausführen können.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass das erste
und/oder zweite Material jeweils ein Halbleitermaterial und insbesondere
Silizium umfasst und/oder dass das dritte und/oder vierte Material
Siliziumoxid oder Silizium-Germanium umfasst, so dass besonders
vorteilhaft das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren mit
vergleichsweise günstigen und gut zu beherrschenden Standardverfahren
herstellbar sind.
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Ein
weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist eine mikromechanische
Struktur hergestellt mittels des erfindungsgemäßen
Herstellungsverfahren, wobei die mikromechanische Struktur einen
Sensor und/oder einen Antrieb umfasst, wobei der Sensor vorzugsweise
einen kapazitiven Sensor, einen Membransensor, einen Inertialsensor,
einen Drehratensensor, einen Drucksensor und/oder einen Temperatursensor
umfasst. Bei den aufgeführten Sensoren finden allesamt
bewegliche Bereiche in der Funktionsschicht Verwendung, besonders
vorteilhaft werden die Zwischenräume zur Realisierung von
vergleichsweise großen Bewegungen bzw. Ausschlägen der
beweglichen Bereiche möglichst groß ausgebildet.
Beispielsweise ist die Empfindlichkeit von Drehratensensoren abhängig
von der Amplitude der Schwingung eines beweglichen Bereiches, so
dass die Empfindlichkeit durch die Ausbildung vergleichsweise großer
Zwischenräume erhöht werden kann. Ferner wird
durch die Verkappung der mikromechanischen Funktionsschicht mittels
der Verkappungsschicht, insbesondere in Form einer Dünnschichtkappe,
die mikromechanische Funktionsschicht vor äußeren
Einflüssen geschützt, wobei die Dünnschichtkappe
vergleichsweise kompakt ausführbar und kostengünstig
herstellbar ist. Bevorzugt dient die Verkappungsschicht zusätzlich
zum Einschluss eines definierten Arbeitsdrucks in der mikromechanischen Funktionsschicht.
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Gemäß einer
bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass die freitragenden
und/oder unterätzten Bereiche Elektroden, Federn, Schwingmassen,
Trägheitsmassen, Membranen und/oder Anschläge
umfassen, so dass die freitragenden und/oder unterätzten
Bereich als bewegliche Bereiche in Sensoren verwendbar sind.
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Ausführungsbeispiels
der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden
Beschreibung näher erläutert.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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Es
zeigen
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1 eine
schematische Seitenansicht einer ersten Vorläuferstruktur
zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur gemäß einer
ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
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2 eine
schematische Seitenansicht einer zweiten Vorläuferstruktur
zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur gemäß der
ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
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3 eine
schematische Seitenansicht einer dritten Vorläuferstruktur
zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur gemäß der
ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
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4 eine
schematische Seitenansicht einer mikromechanischen Struktur gemäß einer
ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
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5 eine
schematische Seitenansicht einer vierten Vorläuferstruktur
zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur gemäß einer
zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und
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6 eine
schematische Seitenansicht einer fünften Vorläuferstruktur
zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur gemäß der
zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
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Ausführungsformen
der Erfindung
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In
den Figuren sind gleiche Elemente stets mit den gleichen Bezugszeichen
versehen und werden daher in der Regel auch jeweils nur einmal benannt
bzw. erwähnt.
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In 1 ist
eine schematische Seitenansicht einer ersten Vorläuferstruktur
zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur 1 gemäß einer
ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt,
wobei zur Herstellung der ersten Vorläuferstruktur in einem
ersten Verfahrensschritt gleichzeitig eine Funktionsschicht 2 und
eine Opferstruktur 4 aus einem ersten Material 2' hergestellt
wird. Dabei wird die Funktionsschicht 2 und die Opferstruktur 4 beispielsweise
aus einem SOI-Wafer getrencht, wobei zwischen der Funktionsschicht 2 und
dem Substrat 8 eine dritte Opferschicht 9, insbesondere
eine Isolationsschicht, angeordnet ist. Die Opferstruktur 4 umfasst
eine Steg- und Gitterstruktur, welche mit der Funktionsschicht 2 in
einer gemeinsamen Ebene parallel zur einer Haupterstreckungsebene 100 des Substrats 8 angeordnet
ist, wobei die Stegbreite 10 vorzugsweise im Wesentlichen
400 nm beträgt. Die Opferstrukturen 4 sind in
der Funktionsschicht 2 dort angeordnet, wo in der mikromechanischen
Struktur 1 später breite Zwischenräume 20' entstehen
sollen. Durch die Unterteilung der breiten Zwischenräume 20' durch
die Opferstrukturen 4 werden die breiten Zwischenräume 20' während
des Herstellungsprozesses senkrecht zur Haupterstreckungsebene 100 in
schmale Zwischenräume 20, welche insbesondere eine
Zwischenraumbreite 21 von im Wesentlichen 1000 nm aufweisen,
unterteilt. Das Substrat und das erste Material 2' umfassen
vorzugsweise Silizium, während die dritte Opferschicht 9 vorzugsweise
ein Siliziumoxid umfasst.
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In 2 ist
eine schematische Seitenansicht einer zweiten Vorläuferstruktur
zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur 1 gemäß der
ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt,
wobei zur Herstellung der zweiten Vorläuferstruktur die
erste Vorläuferstruktur in einem dritten Verfahrensschritt
getempert wurde, so dass Teile der Funktionsschicht 2 thermisch
oxidiert und die Opferstrukturen 4 thermisch durchoxidiert
sind. Die oxidierten Teile und durchoxidierten Opferstrukturen werden somit
in eine ätzbare zweite Opferschicht 5 aus einem
zweiten Material 5 umgewandelt', wobei die zweite Opferschicht 5 insbesondere
in die Funktionsschicht 2 und die Opferstrukturen 4 zumindest
teilweise hineinwächst und auf die Funktionsschicht 2 und
die Opferstrukturen 4 zumindest teilweise aufträgt.
Somit werden die schmalen Zwischenräume 20 zu
noch schmäleren Zwischenräumen 22, welche vorzugsweise
im Wesentlichen 200 nm breit sind. Das zweite Material 5 umfasst
vorzugsweise ein Siliziumoxid.
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In 3 ist
eine schematische Seitenansicht einer dritten Vorläuferstruktur
zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur 1 gemäß der
ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt,
wobei zur Herstellung der dritten Vorläuferstruktur die
zweite Vorläuferstruktur in einem vierten Verfahrensschritt
mit einer zweiten Opferschicht 6 versehen wird, wobei die
zweite Opferschicht 6 ein viertes Material 6' umfasst
und die zweite Opferschicht 5 zusammen mit den schmäleren
Zwischenräumen 22 zumindest teilweise bedeckt.
Vorzugsweise umfasst das zweite Material eine PECVD-Siliziumoxidschicht.
Die zweite Opferschicht 6 wird in einem zweiten Verfahrensschritt
mit einer Verkappungsschicht 3 aus einem zweiten Material 3',
insbesondere ein Silizium, bedeckt, wobei die Verkappungsschicht 3 derart
strukturiert wird, dass zur Haupterstreckungsebene 100 senkrechte Ätzmitteldurchgänge 7 zur
zweiten Opferschicht 6 entstehen.
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In 4 ist
eine schematische Seitenansicht einer mikromechanischen Struktur 1 gemäß der
ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt,
wobei zur Herstellung der mikromechanischen Struktur 1 die
dritte Vorläuferstruktur in einem fünften Verfahrensschritt
geätzt wird, wobei ein Ätzmittel durch die Ätzmitteldurchgänge 7 in
die dritte Vorläuferstruktur geleitet wird und die zweite
Opferschicht 6, die erste Opferschicht 5 und die
dritte Opferschicht 9 zumindest teilweise von dem Ätzmittel weggeätzt
werden, so dass in der Funktionsschicht 2 durch Unterätzung
freitragende und bewegliche Bereiche 11 aus dem ersten
Material 2' entstehen. Zwischen benachbarten beweglichen
Bereichen 11 oder zwischen einem beweglichen Bereich 11 und
einem benachbarten nicht-beweglichen Bereich der Funktionsschicht 2 sind
vorzugsweise die breiten Zwischenräume 20' angeordnet.
Die Verkappungsschicht 3 wird mit bekannten Mitteln in
weiteren Verfahrensschritten vorzugsweise versiegelt und mit Kontakten
und/oder Leiterbahnen bestückt.
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In 5 ist
eine schematische Seitenansicht einer vierten Vorläuferstruktur
zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur 1 gemäß einer
zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt,
wobei zur Herstellung der vierten Vorläuferstruktur die
erste Vorläuferstruktur in einem vierten Verfahrensschritt
mit einer zweiten Opferschicht 6 aus einem vierten Material 6' gefüllt
wurde, so dass die Funktionsebene 2 zusammen mit den schmalen Zwischenräumen 20 von
der zweiten Opferschicht 6 bedeckt sind. Das vierte Material 6' umfassen
vorzugsweise ein Silizium-Germanium, welches mittels eines konformen
LPCVD- oder eines APCVD-Prozesses abgeschieden wird, so dass die
Flanken der Opferstrukturen 4 vollständig mit
dem vierten Material 6' bedeckt sind.
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In 6 ist
eine schematische Seitenansicht einer fünften Vorläuferstruktur
zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur 1 gemäß der
zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt,
wobei zur Herstellung der fünften Vorläuferstruktur
die vierte Vorläuferstruktur in einem dritten Verfahrensschritt
getempert wird, so dass das vierte Material 6' in die Opferstrukturen 4 und
zumindest teilweise in die Funktionsschicht 2 eindiffundiert.
Die Opferstrukturen 4 und die diffundierten Bereiche der Funktionsschicht 2 werden
somit in eine ätzbare erste Opferschicht 5 aus
einem dritten Material 5' umgewandelt, wobei das dritte
Material vorzugsweise Silizium-Germanium umfasst. Auf die fünfte
Vorläuferstruktur wird in einem oben beschriebenen und
nicht dargestellten zweiten Verfahrensschritt die Verkappungsschicht 3 mit
den Ätzmitteldurchgängen 7 aufgebracht,
wobei in einem nachfolgenden fünften Verfahrensschritt
ein Ätzvorgang durchgeführt wird, wobei durch
die Ätzmitteldurchgänge 7 ein Ätzmittel
eingeleitet wird, welches die erste, die zweite und die dritte Opferschicht 5, 6 und 9 ätzt
und somit eine mikromechanische Struktur gemäß einer
zweiten Ausführungsform, ähnlich wie die mikromechanische Struktur
gemäß der ersten Ausführungsform dargestellt
in 4, hergestellt wird. Als Ätzmittel wird
vorzugsweise CIF3 verwendet. Durch das Eindiffundieren des vierten
Materials 6' in die Opferstrukturen 4 und zumindest
teilweise in die Funktionsschicht 2 werden insbesondere
die Zwischenräume 20' aufgeweitet. Dieser Effekt
wird vorzugsweise beim Layout der mikromechanischen Struktur 1 berücksichtigt.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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