DE102006049259A1 - Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelementes mit einer Dünnschicht-Verkappung - Google Patents
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Abstract
Es wird eine Verkappungstechnologie bereitgestellt, bei der trotz Freilegung der mit einer Silizium-Germanium-Füllschicht (4, 3) umgebenen Strukturen (2) mittels ClF<SUB>3</SUB>-Ätzens durch Mikroporen in der Silizium-Verkappung (7) hindurch dabei ein Ätzangriff auf die Silizium-Kappe (7, 11) verhindert wird, nämlich entweder durch besonders selektive (etwa 10000 : 1 oder höher) Einstellung des Ätzprozesses selbst oder dadurch, die Einsicht, dass das Oxid einer Germanium-reichen Schicht (5, 10) nicht stabil, sondern leicht lösbar ist, zum Schutz der Silizium-Kappe (7, 11) zu nutzen.
Description
- Stand der Technik
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelementes mit einer Kappenschicht aus Silizium.
- Die Verkappung empfindlicher mikromechanischer Sensorelemente erfolgt konventionell durch Aufbonden/Aufkleben eines Kappenwafers auf den vollständig prozessierten Sensorwafer. Zum Einschluss einer definierten Atmosphäre bzw. eines definierten Druckes muss dieser Prozessschritt unter den selben Bedingungen erfolgen. Der Kappenwafer wird vorstrukturiert, üblicherweise mit KOH-Ätzen, um die Beweglichkeit der Sensorstrukturen sicherzustellen. Eines der Probleme bei diesem aufwändigen Verfahren besteht darin, dass die Sensorstrukturen bei Aufbringen der Verkappung frei beweglich und daher extrem empfindlich gegen Stöße und Partikelverunreinigungen sind.
- Eine seit neuerem bekannte Verkappungstechnologie, die Dünnschicht-Verkappung, verzichtet auf einen Kappenwafer und bildet stattdessen einen Hohlraum zwischen den freizulegenden mikromechanischen Strukturen und einer mit einem üblichen Depositionsprozess erzeugten Siliziumschicht (Kappenschicht) aus. Diese Methode beruht darauf, eine unterhalb einer bereits bestehenden Silizium(Si)-Kappenschicht liegende Füllschicht durch Ätzen zu entfernen, um so den Hohlraum zu schaffen. Zum Heranführen des Ätzgases an die Füllschicht wird üblicherweise eine Perforation der Kappenschicht erzeugt, die später – nach Wegätzen der Füllschicht und ggf. weiterer Opferschichten – durch Abscheiden einer Verschlussschicht wieder versiegelt wird. Wenn Ätzgas durch die Si-Kappenschicht geleitet werden soll, sind jedoch mehr oder weniger aufwändige Maßnahmen nötig, damit das Ätzgas nicht auch die Si-Kappenschicht angreift.
- In diesem Zusammenhang ist aus der
DE 100 06 035 A1 eine Dünnschichtverkappung (Füllpoly-Technologie) bekannt, bei der die Si-Kappenschicht mit einer Perforation aus Trenches versehen wird, die durch ein konventionelles Tiefenätzverfahren hergestellt werden. Um die Füll-Epipoly-Si-Schicht mit dem Ätzgas ClF3 selektiv in Bezug auf die Si-Kappenschicht ätzen zu können, werden eine Seitenwandpassivierung der Trenches sowie weitere Schutzschichten vorgeschlagen. - Die
DE 10 2004 036 803 A1 offenbart ein zur Dünnschichtverkappung einsetzbares Ätzverfahren, bei dem mit ClF3 als Ätzmedium in Kombination mit einer zu entfernenden (Füll)schicht aus Silizium-Germanium (Si1-xGex)-Legierung eine sehr hohe, erwünschte Selektivität gegenüber Polysilizium von etwa 4000:1 erreichbar ist. Im Zusammenhang mit der Herstellung einer PolySi-Kappenschicht ist diese Selektivität ausreichend, um das Ätzgas – ohne Angriff der Kappe – durch konventionell mittels Maskentechnik in der Kappenschicht erzeugte Trenches zu leiten. Um diese relativ großen (Mikrometerbereich) Trenches bzw. Öffnungen in der Kappe versiegeln zu können, ist jedoch, wie in der genannten Offenlegungsschrift erwähnt, eine Verschlussschicht mit einer relativ großen Dicke von etwa 1 bis 20 μm erforderlich. Bei derart dicken Verschlussschichten besteht jedoch immer die Gefahr, dass die unter den großen Öffnungen freiliegenden mikromechanischen Strukturen unerwünschterweise mitbeschichtet werden. Andererseits ist zu bedenken, dass die bei dem bekannten Verfahren zur Verfügung stehende Selektivität nicht hoch genug ist, um bei porosifiziertem Kappensilizium, dessen Öffnungen im Nanometerbereich liegen, einen Angriff des Ätzgases auf das in Form kleiner Körnchen vorliegende poröse Si-Material zu verhindern. - Aus der
DE 199 61 578 A1 ist ein Verfahren bekannt, bei dem die Si-Kappe mit Mikroporen versehen wird. Dabei wird als konventionelle Füll- bzw. Opferschicht ein Oxid auf Siliziumbasis verwendet, das mittels HF-Dampfätzen – einem gegenüber dem Kappensilizium ausreichend selektiven, aber relativ langsamen Prozess – weggeätzt wird. - Offenbarung der Erfindung
- Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine verbesserte Dünnschicht-Verkappungstechnologie bereitzustellen. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 und durch ein alternatives Verfahren gemäß Anspruch 2 gelöst. Weiterbildungen und bevorzugte Maßnahmen ergeben sich aus den Unteransprüchen.
- Bei der ersten erfindungsgemäßen Lösung wird das genannte Ziel durch Abscheiden einer Silizium-Germanium (SiGe)-Füllschicht auf einem Substrat, Abscheiden einer Silizium-Kappenschicht auf die SiGe-Füllschicht, Erzeugung von Mikroporen in der Si-Kappenschicht, deren Durchmesser im Nanometerbereich liegen, wodurch eine poröse Si-Kappenschicht erzeugt wird, sowie durch Entfernen der SiGe-Füllschicht durch Gasphasenätzen mit durch die Mikroporen herangeführtem ClF3 erreicht, wobei die ClF3-Ätzparameter und die Si1-xGex-Zusammensetzung der Füllschicht so eingestellt werden, dass die Selektivität gegenüber der porösen Si-Kappenschicht groß genug ist, um diese nicht anzugreifen. Anschließend erfolgt noch ein Versiegeln der Mikroporen durch Abscheiden einer Verschlussschicht auf die poröse Si-Kappenschicht.
- Bei der zweiten erfindungsgemäßen Lösung wird das genannte Ziel erreicht durch Abscheiden einer SiGe-Füllschicht auf einem Substrat und Ausbilden einer Germanium(Ge)-reichen- Schicht, wobei diese entweder durch einen nach oben zunehmenden Germanium-Konzentrationsgradienten der SiGe-Füllschicht selbst, oder durch Abscheiden einer zusätzlichen Germanium(Ge)-Schicht auf die SiGe-Füllschicht gebildet wird, durch anschließendes Abscheiden einer Si-Kappenschicht auf die Ge-reiche-Schicht, darauf folgende Erzeugung von Mikroporen in der Si-Kappenschicht und in der Ge-reichen-Schicht, deren Durchmesser im Nanometerbereich liegen, wodurch poröse Schichten erzeugt werden, weiter durch thermisches Oxidieren der porösen Schichten und anschließendes Entfernen des Oxids der porösen Ge-reichen-Schicht mittels eines Oxidlöse-Prozesses, sowie durch Entfernen der SiGe-Füllschicht und der Ge-reichen-Schicht durch Gasphasenätzen mit durch die Mikroporen herangeführtem ClF3. Abschließend erfolgt noch ein Versiegeln der Mikroporen durch Abscheiden einer Verschlussschicht auf die poröse Si-Kappenschicht.
- Die Grundidee ist die Bereitstellung einer Dünnschicht-Verkappungstechnologie, bei der trotz Freilegung der mit einer SiGe-(Opfer)Füllschicht umgebenen Sensorstrukturen mittels ClF3-Ätzen durch kleine Poren in der Si-Verkappung hindurch und den mit dieser Prozessführung verbundenen Vorteilen ein Ätzangriff auf die Si-Kappe auf prozesstechnisch wenig aufwändige Weise verhindert wird, nämlich entweder durch besonders selektive (etwa 10000:1 oder höher) Einstellung des Ätzprozesses selbst oder dadurch, die Einsicht, dass das Oxid einer Ge-Schicht im Gegensatz zum oxidierten porösen Si nicht stabil, sondern leicht lösbar ist, in der angegebenen Weise in den erfindungsgemäßen Zusammenhang zu stellen.
- Durch das erfindungsgemäße Verfahren lassen sich die allgemeinen Vorteile der Dünnschicht-Technologie realisieren. Das heißt, es sind keine Bondprozesse und keine Kappenwafer erforderlich. Die Verkappung ist direkt auf den Sensorstrukturen integriert. Durch die geringe Höhe von max. einigen 10 μm wird das Volumen des Sensorelements reduziert.
- Gemäß einer Ausführungsform der zweiten erfindungsgemäßen Lösung ist es von Vorteil, dass die Ge-reiche-Schicht eine Dicke von nur etwa 30 bis 100 nm aufweist. Außerdem kann die thermische Oxidierung vorteilhaft bei Temperaturen von etwa 200 bis 400 Grad Celsius erfolgen, so dass keine thermische Beeinträchtigung der SiGe bzw. Ge-reichen-Schicht stattfindet. Von besonderem Vorteil bei allen Varianten der zweiten erfindungsgemäßen Lösung ist die Möglichkeit, das Oxid der Ge-reichen-Schicht einfach in Wasser oder Wasserdampf aufzulösen.
- Als besonders vorteilhaft wird eine Ausführungsform der Erfindung angesehen, bei der vor Abscheidung der SiGe-Füllschicht unter den freizulegenden mikromechanischen Strukturen eine SiGe-Opferschicht aufgebracht wird, und bei der die Si-Ge-Opfer- und Füllschichten in einem Schritt weggeätzt und die Strukturen freigelegt werden.
- Alternativ dazu besteht bei allen Varianten der beiden erfindungsgemäßen Lösungen die Möglichkeit, dass die Abscheidung der SiGe-Füllschicht auf mikromechanische Strukturen erfolgt, die bereits mit Hilfe einer nicht aus SiGe bestehenden Opferschicht freigelegt wurden.
- Bei allen Varianten der Erfindung besteht eine besonders vorteilhafte Weiterbildung darin, dass der Durchmesser der Mikroporen im Bereich von 2–20 nm liegt. Dadurch kann die Verschlussschicht eine sehr geringe Dicke um 100 nm aufweisen, so dass die freigelegten Sensorstrukturen bei der Versiegelung der Kappe nicht mehr in Mitleidenschaft gezogen werden.
- Derart feine Mikroporen können im Übrigen auf einfache Weise durch elektrochemisches Ätzen oder durch einen stromlosen Stain-Etch-Prozess erzeugt werden.
- Kurze Beschreibung der Zeichnungen
-
1 bis5 zeigen, jeweils im Schnitt, das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren in einem Ausführungsbeispiel, wobei4 ein vergrößertes Detail aus der3 darstellt. - Ausführungsform der Erfindung
- In
1 ist ein Herstellungsstadium dargestellt, in dem bereits mikromechanische Strukturen2 , beispielsweise eine Kammstruktur für einen Drehraten- oder Beschleunigungssensor, auf einem Siliziumsubstrat1 strukturiert, aber noch nicht durch Ätzen einer unterhalb der Strukturen2 befindlichen Opferschicht3 – vorzugsweise auf SiGe-Opferschicht-Basis – freigelegt worden sind. Es sind jedoch auch Abwandlungen mit z.B. Poly-Si-Opferschichten3 vorstellbar, bei denen die Strukturen2 vor den im Folgenden beschriebenen Verfahrensschritten freizulegen sind. - In jedem Fall werden die Sensorstrukturen
2 anschließend mit einer Silizium-Germanium (SiGe) Füllschicht4 abgedeckt. Sie sind somit bis zum Ätzen der SiGe-Opferschicht3 ortsfest und daher unempfindlich gegenüber mechanischen Stößen. Die SiGe-Füllschicht4 wird später mittels ClF3-Ätzen hochselektiv gegenüber den Silizium-Sensorstrukturen2 entfernt und ist insofern auch eine Opferschicht. Auf die SiGe-Füllschicht4 wird die in1 erkennbare (einige 100 nm bis einige Mikrometer dicke) Poly-Si Schicht7 abgeschieden. Diese wird anschließend, wie bei den weiteren Verfahrensschritten gemäß2 bis5 noch näher beschrieben, porosifiziert und dient später als Dünnschichtkappe7 . Zunächst jedoch wird das SiGe der Füllschicht4 vorzugsweise p-dotiert. Hierauf erfolgt die Abscheidung einer dünnen Germanium Schicht5 mit einer Dicke von einigen 10–100 nm, ebenfalls p-dotiert, vgl.1 . Alternativ, statt zusätzlicher Ge-Schicht5 , kann lediglich die SiGe-Füllschicht4 mit einem Ge-Konzentrationsgradienten abgeschieden werden, so dass in ihrem oberem, substratfernen Bereich eine Ge-reiche-(Teil)schicht5 resultiert. - Gegebenenfalls ist die Bereitstellung eines elektrischen Kontakts
6 zum Substrat1 für die spätere Porenbildung erforderlich, vgl.1 . Dieser Anschluss kann auch über die SiGe-Schicht4 oder die Polty-Si-Schicht7 erfolgen. Auf der Gereichen-Schicht5 erfolgt die Abscheidung der bereits erwähnten dicken polty-Si Schicht7 , p-dotiert. Diese stellt die spätere Kappe7 dar. - Die Poly-Si Schicht
7 und die Ge-reiche-Schicht5 werden mittels elektrochemischem Ätzen in Flusssäure (HF) bereichsweise porosifiziert, so dass der in2 dargestellte Zustand mit den porösen Schichten9 und10 resultiert. Hierzu wird zuvor eine Ätzmaske8 , vgl.1 , abgeschieden und strukturiert. Vorzugsweise finden hierbei Schichten8 aus SiN, Si3N4 oder n-Dotierungen Anwendung. - Alternativ zum elektrochemischen Ätzen kann auch ein an sich bekannter stromloser Ätzprozess (sog. Stain-Etch) verwendet werden. Hier erfolgt die Mikroporenbildung in einem Gemisch aus HF und einem Oxidationsmittel (z.B. H2O2, HNO3). Bei diesem stromlosen Verfahren kann der elektrische Kontakt
6 zum Substrat1 entfallen. - Nachfolgend werden die in
2 erkennbaren porösen Schichten9 und10 thermisch oxidiert, so dass der Zustand gemäß3 resultiert. Diese Oxidation erfolgt vorzugsweise bei geringen Temperaturen um 200–400°C, so dass keine thermische Beeinflussung der SiGe-Füllschicht4 bzw. der Ge-reichen-Schicht5 stattfindet. Das Oxid der Ge-reichen-Schicht5 ist im Gegensatz zum oxidierten porösen Silizium11 nicht stabil und kann z.B. in H2O oder H2O-Dampf gelöst werden. Das oxidierte poröse Silizium11 stellt nun Zugangslöcher für den ClF3-Ätzprozess dar. Nach unten wird der Zugang durch die poröse Ge-reiche-Schicht10 sichergestellt, deren Oxidfilm, wie beschrieben, entfernt wurde. Da Oxid im ClF3-Ätzprozess inert ist, wird der poröse Silizium-Bereich11 (spätere Kappe7 ) nicht angegriffen. Die poröse Ge-reiche-Schicht10 dagegen wird in ClF3 rasch entfernt. Anschließend werden die SiGe-Füllschicht4 und die SiGe-Opferschicht3 in einem Schritt mit ClF3 geätzt. Diese Verfahrensschritte sind in4 in einem vergrößerten Ausschnitt verdeutlicht, wobei die Region14 des Ätzangriffes angedeutet ist. - Wie in
5 zu erkennen ist, werden durch die ClF3-Ätzung freigelegte Sensorstrukturen12 erzeugt. Bei Verwendung eines SiGe-Opferschicht-MEMS Prozesses wird die Füllschicht4 und die Opferschicht3 in einem Schritt entfernt. Es ist jedoch, wie bereits erwähnt, auch vorstellbar, MEMS-Prozesse ohne Si-Ge-Opferschicht3 mit diesem Verfahren zu verkappen: In diesem Falle werden die bereits vorab freigelegten Sensorstrukturen12 mit der SiGe-Füllschicht4 abgedeckt. Der weitere Verlauf stimmt mit dem oben beschriebenen überein. - Durch geeignete Wahl der ClF3-Ätzparameter und der SiGe-Zusammensetzung, also des jeweiligen Si- bzw. Ge-Anteils, kann auch ohne Einsatz einer Ge-reichen-Schicht
5 eine entsprechend hohe Selektivität zwischen der SiGe-Füllschicht- und der Ätzung des porosifizierten Si in ClF3 eingestellt werden, so dass auf eine Oxidation sogar vollständig verzichtet werden kann. Dies vereinfacht den Prozess erheblich, da auch der Oxidlöse-Prozess entfällt. - Abschließend, vgl.
5 , wird die poröse Kappe7 bzw.11 mittels Abscheidung einer dünnen Verschlussschicht13 versiegelt. Die Öffnungen, das heißt Mikroporen dieser Kappe7 , liegen im Bereich von 2–20, insbesondere weniger als 5 nm Durchmesser und können daher mit für einen zuverlässigen Verschluss ausreichend Verschlussschichten13 mit einer Dicke um 100 nm verschlossen werden, ohne dass die darunterliegende Sensorstruktur12 mitbeschichtet wird. Bei dem Verschluss kann, je nach Depositionsverfahren, ein Prozessvakuum oder eine definierte Prozessatmosphäre eingeschlossen werden. - Außerdem kann vor der Verkappung eine ASC (Anti-Stiction-Coating) Schicht durch das poröse Silizium
7 ,11 auf den freigelegten MEMS-Strukturen12 abgeschieden werden. Das erfindungsgemäße Verfahren ist bei sämtlichen Sensoren auf Siliziumbasis, welche eine Verkappung benötigen, anwendbar.
Claims (10)
- Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelementes mit einer Kappenschicht aus Silizium, mit mindestens folgenden Schritten: – Abscheiden einer Silizium-Germanium-Füllschicht (
4 ) auf einem Substrat (1 ), – Abscheiden einer Silizium-Kappenschicht (7 ) auf die Silizium-Germanium-Füllschicht (4 ), – Erzeugung von Mikroporen in der Silizium-Kappenschicht (7 ), deren Durchmesser im Nanometerbereich liegen, wodurch eine poröse Silizium-Kappenschicht (9 ) erzeugt wird, – Entfernen der Silizium-Germanium-Füllschicht (4 ) durch Gasphasenätzen mit durch die Mikroporen herangeführtem ClF3, wobei die ClF3-Ätzparameter und die Si1-xGex-Zusammensetzung der Füllschicht (4 ) so eingestellt werden, dass die Selektivität gegenüber der porösen Silizium-Kappenschicht (9 ) groß genug ist, um diese nicht anzugreifen, – Versiegeln der Mikroporen durch Abscheiden einer Verschlussschicht (13 ) auf die poröse Silizium-Kappenschicht (9 ) - Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelementes mit einer Kappenschicht aus Silizium, mit mindestens folgenden Schritten: – Abscheiden einer Silizium-Germanium-Füllschicht (
4 ) auf einem Substrat (1 ) und Ausbilden einer Germanium-reichen-Schicht (5 ), wobei diese entweder durch einen nach oben zunehmenden Germanium-Konzentrationsgradienten der Silizium-Germanium-Füllschicht (4 ), oder durch Abscheiden ei ner zusätzlichen Germanium-Schicht (5 ) auf die Silizium-Germanium-Füllschicht (4 ) gebildet wird, – Abscheiden einer Silizium-Kappenschicht (7 ) auf die Germanium-reiche-Schicht (5 ), – Erzeugung von Mikroporen in der Silizium-Kappenschicht (7 ) und in der Germanium-reichen-Schicht (5 ), deren Durchmesser im Nanometerbereich liegen, wodurch poröse Schichten (9 ,10 ) erzeugt werden, – Thermisches Oxidieren der porösen Schichten (9 ,10 ) und anschließendes Entfernen des Oxids der porösen Germaniumreichen-Schicht (10 ) durch einen Oxidlöse-Prozess, – Entfernen der Silizium-Germanium-Füllschicht (4 ) und der Germanium-reichen-Schicht (5 ,10 ) durch Gasphasenätzen mit durch die Mikroporen herangeführtem ClF3, – Versiegeln der Mikroporen durch Abscheiden einer Verschlussschicht (13 ) auf die poröse Silizium-Kappenschicht (11 ). - Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Germanium-reiche-Schicht (
5 ,10 ) eine Dicke von etwa 30 bis 100 nm aufweist. - Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die thermische Oxidierung bei Temperaturen von etwa 200 bis 400 Grad Celsius erfolgt.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Oxid der Germanium-reichen-Schicht (
10 ) in Wasser oder Wasserdampf gelöst wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass vor Abscheidung der Silizium-Germanium-Füllschicht (
4 ) unter den freizulegenden mikromechanischen Strukturen (2 ) eine Silizium-Germanium-Opferschicht (3 ) aufgebracht wird, und dass die Silizium-Germanium-Opfer- und Füllschichten (3 ,4 ) in einem Schritt weggeätzt und die Strukturen (2 ,12 ) freigelegt werden. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Abscheidung der Silizium-Germanium-Füllschicht (
4 ) auf bereits mit Hilfe einer nicht aus Silizium-Germanium bestehenden Opferschicht freigelegte mikromechanische Strukturen (12 ) erfolgt. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Durchmesser der Mikroporen im Bereich von 2–20 nm liegt.
- Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Verschlussschicht (
13 ) eine Dicke um 100 nm aufweist. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Mikroporen durch elektrochemisches Ätzen oder durch einen stromlosen Stain-Etch-Prozess erzeugt werden.
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