DE19961578A1 - Sensor mit zumindest einer mikromechanischen Struktur und Verfahren zur Herstellung - Google Patents
Sensor mit zumindest einer mikromechanischen Struktur und Verfahren zur HerstellungInfo
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Abstract
Die Erfindung betrifft einen Sensor mit zumindest einer mikromechanischen Struktur auf Siliziumbasis, die in einem Sensorraum eines Grundwafers integriert ist, und zumindest einer den Grundwafer im Bereich des Sensorraumes abdeckenden Abdeckung sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Sensors. DOLLAR A Es ist vorgesehen, dass beim erfindungsgemäßen Sensor die Abdeckung (13) aus einer für ein Ätzmedium und die Reaktionsprodukte transparenten ersten Schicht (32) (Abscheideschicht) und einer darüber liegenden hermetisch dichtenden zweiten Schicht (34) (Abdichtungsschicht) besteht und dass beim erfindungsgemäßen Verfahren zumindest der im Grundwafer (11) nach Etablierung der Struktur (26) vorhandene Sensorraum (28) mit einem Oxid (30), insbesondere CVD-Oxid oder porösen Oxid, gefüllt wird, der Sensorraum (28) mit einer für ein Ätzmedium und die Reaktionsprodukte transparenten oder nachträglich transparent gemachten ersten Schicht (32) (Abscheideschicht), insbesondere aus Polysilizium, bedeckt wird, das Oxid (30) in dem Sensorraum (28) durch die Abscheideschicht (32) hindurch mit dem Ätzmedium entfernt wird und anschließend eine zweite Schicht (34) (Abdichtungsschicht), insbesondere aus Metall oder einem Isolator, auf die Abscheideschicht (32) aufgebracht wird, die den Sensorraum (28) hermetisch abdichtet.
Description
Die Erfindung betrifft einen Sensor mit zumindest ei
ner mikromechanischen Struktur auf Siliziumbasis mit
den im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Merkma
len und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen
Sensors mit den im Oberbegriff des Anspruchs 18 ge
nannten Merkmalen.
Sensoren, die mikromechanische Strukturen auf Sili
ziumbasis besitzen, sind bekannt. Handelt es sich bei
der mikromechanischen Struktur um ein bewegliches
Element (Sensorelement), können derartige Sensoren
beispielsweise als Beschleunigungssensoren, Dreh
beschleunigungssensoren, Neigungssensoren, resonante
Magnetfeldsensoren oder Drehratensensoren eingesetzt
werden. Üblicherweise bestehen diese Sensoren aus ei
nem Grundwafer, der zumeist ebenfalls aus silizium
haltigen Materialien geformt ist, in dem die Struktur
in einem sogenannten Sensorraum seiner Oberfläche in
tegriert ist. Zum Schutz der Strukturen und der im
Sensorraum herrschenden Atmosphäre wird der Grundwa
fer mit einem Kappenwafer mit einer jeweils zumindest
den Sensorraum abdeckenden Abdeckung belegt. Dieser
Kappenwafer weist aufgrund seiner mikromechanischen
Vorstrukturierung eine Vielzahl von Einzelkappen im
Verbund auf, von denen jede Einzelkappe jeweils exakt
über den Sensorräumen zu liegen kommt, mit diesem
hermetisch dicht verlötet wird und dadurch die darun
ter liegende Sensorstruktur hermetisch gegen die Um
welt abschirmt.
Aus der DE 195 37 814 A1 ist die Herstellung derarti
ger Sensoren bekannt. Ausgehend von einem Silizium
substrat werden dabei abwechselnd Isolationsschichten
und Leitungsschichten (als Elektroden oder elektri
sche Verbindungen) mit den herkömmlichen, in der
Halbleitertechnik bekannten Verfahrensschritten auf
gebracht. Mittels ebenfalls bekannter Maskierungs-
und Bearbeitungsverfahren kann eine Strukturierung
derartiger Schichten, beispielsweise über Lithografie
oder Ätzprozesse, erfolgen. In einem sich anschlie
ßenden Prozessschritt wird eine polykristalline Sili
ziumschicht (Epipolysilizium) mit einer Schichtdicke
von wenigen Nanometern bis zu einigen 10 µm, vorzugs
weise 10 bis 20 µm, erzeugt. Aus dieser Silizium
schicht werden letztendlich die benötigten Strukturen
geätzt und durch ein Unterätzen frei beweglich ge
macht. Die zuvor aufgebrachte und strukturiert ver
grabene Leitungsschicht erlaubt es, elektrische Ver
bindungen zwischen Elementen des Sensors und mit der
"Außenwelt" in Form sogenannter Anschlussbereiche
herzustellen. Diese Anschlussbereiche, die über die
Leitschicht mit Sensorelementen in Verbindung stehen,
tragen an ihrer Oberfläche eine Metallisierung. Der
Anschlussbereich mit der darauf aufgebrachten Me
tallisierung dient zum Befestigen von Bonddrähten,
mit denen dann ein elektrischer Kontakt zu den Struk
turen im Sensorraum (Sensorstruktur) hergestellt wer
den soll. Die in der DE 195 37 814 A1 genannte Sen
sorstruktur zeichnet sich dadurch aus, dass sie einen
beweglichen (frei stehenden) Bereich mit Messkapazi
täten besitzt, wobei Veränderungen der Messkapazität
bei einer Auslenkung als Messgröße genutzt werden.
Die insgesamt hier exemplarisch angeführten Bestand
teile des Sensors werden aus Gründen der Vereinfa
chung des Weiteren als Grundwafer bezeichnet. Der
Grundwafer muss in einem letzten Bearbeitungsschritt
mit dem Kappenwafer hermetisch dicht verbunden wer
den. Dazu ist beim Stand der Technik vorgesehen, mit
tels einer Glaslotschicht auf dem Kappenwafer jeweils
einen Deckel oberhalb jedes Sensorraumes auf der
Oberfläche des Grundwafers zu befestigen (Seal-Glas
lotprozess). Nachteilig hierbei ist, dass diese Tech
nik relativ kostspielig ist. So muss die Glaslot
schicht mittels Siebdruckverfahren auf dem mikro
mechanisch strukturierten Kappenwafer aufgebracht
werden. Der Kappenwafer muss bereits beidseitig
strukturiert sein, um anschließend die Verdeckelung
und die Kontaktierung des Sensors zu ermöglichen, das
heißt, der Kappenwafer selbst ist bereits in sich
kostspielig. Darüber hinaus weist diese Verkappungs
technik einen relativ hohen Platzbedarf auf, bei dem
bis zu zirka 75% der Einzelelementfläche für die
Verankerung der Kappe auf dem Sensorchip benötigt
werden. Die sich ergebende Bauhöhe und beschränkten
Strukturierungsmöglichkeiten schließen die Verwendung
bestimmter besonders kostengünstiger Gehäuse für den
Sensor aus.
Häufig sind die durch die Kappen des Kappenwafers
überdeckten frei stehenden Bereiche relativ groß.
Sensorstrukturen weisen häufig Kantenlängen von meh
reren 100 µm auf. Wird ein solcher Sensor mit einer
mechanischen Überlast beaufschlagt, so kann im Ex
tremfall ein Durchbiegen der Deckschicht nicht nur zu
einer Störung der sensorischen Eigenschaften, sondern
letztendlich auch zu einer übermäßigen Auslenkung der
Sensorstruktur bis zu einer irreversiblen Schädigung
führen.
Erfindungsgemäß werden durch den Sensor und das Ver
fahren zur Herstellung des Sensors mit den in den An
sprüchen 1 und 18 genannten Merkmalen die Nachteile
des Standes der Technik überwunden. Dadurch, dass die
Abdeckung aus einer für ein Ätzmedium und die Reak
tionsprodukte transparenten ersten Schicht (Abschei
deschicht) und einer darüber liegenden hermetisch
dichtenden zweiten Schicht (Abdichtungsschicht) be
steht, kann prozesstechnisch auf den teuren Kappen
wafer, die herkömmlichen Siebdruck- und Lötverfahren
und auf die großen Flächenvorhalte der Glaslöttechnik
verzichtet werden und damit die Prozessierung insge
samt wesentlich kostengünstiger vollzogen werden. In
dem
- a) zumindest der im Grundwafer nach Etablierung der Struktur vorhandene Sensorraum mit einem Oxid, insbesondere einem CVD-Oxid oder porösem Oxid, gefüllt wird,
- b) der Sensorraum mit einer für ein Ätzmedium und die Reaktionsprodukte transparenten oder nach träglich transparent gemachten ersten Schicht, insbesondere aus Polysilizium, bedeckt wird,
- c) das Oxid in dem Sensorraum durch die erste Schicht (Abscheideschicht) hindurch mit dem Ätzmedium entfernt wird und
- d) anschließend eine zweite Schicht (Abdichtungs schicht), insbesondere aus Metall oder einem Isolator, auf die erste Schicht aufgebracht wird, die den Sensorraum hermetisch abdichtet,
ist es möglich, eine Strukturierung der Abdeckung
nachträglich über die in der Halbleitertechnik be
kannten Maskierungs- und Bearbeitungsverfahren zu er
möglichen.
Nach den Sehritten (a) und/oder (b) kann eine Plana
risierung der Waferoberfläche durchgeführt werden
(zum Beispiel CMP = chemo mechanical polishing).
Hierdurch werden insbesondere die bestehenden Pro
zessprobleme aufgrund von Topografien, beispielsweise
die Aufbringung und Strukturierung der Bondpads
(Metallisierung), umgangen. Gegenüber dem etablierten
Kappenprozess resultieren aus der vereinfachten Pro
zessführung auch deutlich geminderte Herstellungs
kosten. Die Erfindung schafft somit einen Zugang zu
einem Sensor der gattungsgemäßen Art und zeigt ein
Verfahren zur Herstellung des Sensors auf, mittels
dem es erstmalig möglich ist, eine Verkappung mit
deutlich geringerer Bauhöhe zum hermetischen Abdich
ten von Sensorräumen bei mikromechanischen Strukturen
zu verwenden, so dass ein Einbau in die bereits er
wähnten, besonders kostengünstigen Gehäuse nunmehr
möglich wird.
Die Permeabilität der Abscheideschicht für das benö
tigte Ätzmedium und die während der Ätzung entstehen
den Reaktionsprodukte kann auf zweierlei Weise er
zwungen werden. Zum einen können durch anisotropes
Ätzen Ätzöffnungen in die Abscheideschicht einge
bracht werden, wie es beispielsweise durch das in der
DE 42 41 045 patentierte Silizium-Tiefenätzverfahren
beschrieben wird. Größe und Lage derartiger Ätzöff
nungen können durch eine Maskierung fotolithografisch
sehr gezielt definiert werden, so dass es unter ande
rem möglich ist, eine spätere Exposition des
Sensorraumes mit dem die Abdichtungsschicht bilden
den, hermetisch dichtenden Material möglichst gering
zu halten. Es können Ätzöffnungen erzeugt werden, die
einen Durchmesser von Bruchteilen von Mikrometern bis
zu einigen Mikrometern haben und die in noch zu er
läuternder Weise in relativ kurzer Zeit abgedichtet
werden können. Dies wird beispielsweise durch ein
hohes Aspektverhältnis - einem Verhältnis zwischen
Tiefe und Durchmesser der Ätzöffnungen - erreicht.
Zum anderen können für die Abdeckung permeable Mate
rialien eingesetzt werden, zum Beispiel Silizium, Po
lysilizium oder Epipolysilizium, welches aufgrund der
Abscheidebedingungen bereits permeabel ist oder durch
nachfolgende Prozessierung zumindest in Bereichen
permeabel gemacht wird.
Ein vorteilhaftes Verfahren, um die Transparenz der
Abdeckung zu erzwingen, ist die Anwendung elektro
chemischer Ätzvorgänge. Eine derartige Modifikation
der Abscheideschicht erfolgt in einem geeigneten
Elektrolyten, beispielsweise einem Flusssäure-Etha
nol-Gemisch. Dabei wird das dem Ätzvorgang ausge
setzte Silizium der Abdeckung in poröses Silizium um
gewandelt, also porosifiziert. Nicht zu porosifizie
rende Bereiche der Abscheideschicht können in bekann
ter Weise durch Maskierschichten oder entsprechende
Dotierung (zum Beispiel n-) geschützt werden. Ein
elektrischer Anschluss durch Anlegen eines anodischen
Potentials kann sowohl über die Oberseite als auch
von der Unterseite der Abscheideschicht erfolgen. Im
letzteren Fall wird das anodische Potential an die
unterhalb der Abscheideschicht liegende Schicht aus
Epipolysilizium, die sowohl das Material der Sensor
strukturen als auch des Bondrahmens des Grundwafers
bildet, gelegt. Hierbei ist vorteilhaft, dass der
Bondrahmen direkt elektrisch mit dem Grundwafer ver
bunden werden kann. Eine zusätzliche elektrische Ver
bindung zwischen Grundwafer und Abdeckung besteht in
Form von Stützelementen, welche zur mechanischen
Stabilisierung der Abdeckung vorgesehen werden kön
nen. Damit ist es in einfacher Weise möglich, die
elektrische Kontaktierung der Abscheideschicht über
den Grundwafer von der Rückseite des Grundwafers vor
zunehmen (Rückseitenkontakt).
Der Ätzvorgang kann zusätzlich durch Bestrahlung in
einem Wellenlängenbereich von 100 nm bis 1000 nm,
insbesondere zwischen 350 nm bis 800 nm, unterstützt
werden. Auf diese Weise kann die Bearbeitung der Ab
scheideschicht besonders homogen erfolgen. Darüber
hinaus ist es vorteilhaft, mittels gezielter Dotie
rung der Abscheideschicht die Porosität und damit die
Permeabilität des porösen Siliziums zu beeinflussen.
So wird eine p-Dotierung zur Erzeugung mesoporöser
Poren genutzt, während eine n-Dotierung zur Erzeugung
von Ätzöffnungen mit einem Durchmesser von einigen
Nanometern bis zu mehreren Mikrometern genutzt werden
kann.
Weiterhin hat es sich als vorteilhaft erwiesen, die
Permeabilität der Abscheideschicht durch ein eben
falls nachträglich eingesetztes modifiziertes
Stain-Etch-Verfahren zu erzwingen, bei dem eine Mischung
aus Flusssäure, Salpetersäure und Wasser eingesetzt
wird. Über eine Einstellung der Mischverhältnisse und
Expositionszeiten kann die Porosität und Tiefe der
Ätzung eingestellt werden.
Als besonders vorteilhaft hat es sich auch erwiesen,
die Permeabilität der Abscheideschicht mittels eines
galvanischen Verfahrens, bei dem eine Metallschicht
in dem nicht zu verändernden Bereich der Abdeckung
aufgebracht wird, zu erzeugen. Die metallische
Schicht übernimmt dabei gleichzeitig die Funktion ei
ner Maskierungsschicht und braucht vor der Aufbrin
gung der späteren Abdichtungsschicht nicht notwendi
gerweise entfernt zu werden. Sie besteht aus einem
Metall, das edler ist als Silizium, insbesondere aus
Edelmetallen wie Platin und Gold. Die Porosität des
während des galvanischen Prozesses erzeugten porösen
(Poly-)Siliziums kann in Abhängigkeit von einer
Stromdichte und der Elektrolytzusammensetzung, insbe
sondere über das Flächenverhältnis Metall/Silizium,
beeinflusst werden, da dies das galvanische Element,
also die Stromquelle darstellt.
Es hat sich ferner als vorteilhaft erwiesen, dass an
der Unterseite der Abscheideschicht Stützelemente
vorgesehen sind, die eine mechanisch stabile Verbin
dung zwischen dem Grundwafer und der Abdeckung dar
stellen. Sind die einzelnen Stützelemente oder auch
Stützstreben einige Mikrometer bis einige 10 Mikrome
ter voneinander beabstandet, so ist einerseits ein
übermäßiges Durchbiegen der Deckplatte bei Beauf
schlagung mit einer Überlast verhindert und anderer
seits ist insgesamt die Stabilität wesentlich erhöht.
Ferner hat es sich als vorteilhaft erwiesen, auch die
Abdichtungsschicht durch ein maskiertes Ätzverfahren
zu strukturieren. Dabei kann das verwendete Ätzver
fahren auch eine Strukturierung der Abscheideschicht
und gegebenenfalls sogar darüber hinaus eine obere
Schicht des Grundwafers, insbesondere aus Epipolysi
lizium, umfassen.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des
Verfahrens kann über die Druckbedingungen, die wäh
rend der Deposition der Abdichtungsschicht herrschen,
der Druck innerhalb des Sensorraumes eingestellt wer
den. Der während der Deposition der Abdichtungs
schicht herrschende Prozessdruck wird sich automa
tisch auch im Sensorraum einstellen und dort einge
siegelt werden, während die Abdichtungsschicht auf
wächst. Als Abscheideprozesse für die Abdichtungs
schicht kommen Sputterprozesse (für Metallschichten)
oder PECVD-Prozesse (für SiN, SiO, SiC, etc.) in
Frage. Soll der eingeschlossene Druck nicht identisch
zum Abscheidedruck sein, bestehen zusätzliche Optio
nen. Vorteilhafterweise wird dazu vor oder während
der Deposition der Sensor mit einem zusätzlich in die
Depositionskammer eingebrachten Inertgas, insbeson
dere Helium, bei einer vorgegebenen Temperatur beauf
schlagt. Aufgrund der Permeabilität der Abscheide
schicht kann ein verzögerter Druckausgleich erfolgen,
wobei die zugrunde liegenden Diffusionsvorgänge empi
risch ermittelt werden können. Da die Unterbindung
des Druckausgleiches durch Aufbringung der Abdich
tungsschicht bereits bei Schichtdicken von wenigen
Mikrometern oder darunter gegeben ist, kann die Ver
siegelung innerhalb relativ kurzer Zeiten erfolgen.
Über die genannten erfindungsgemäßen Verfahrens
schritte lassen sich außerdem in besonders einfacher
Weise kapazitive Drucksensoren herstellen. Als ge
meinsames Merkmal weisen derartige Drucksensoren eine
Differentialkondensatoranordnung auf, die direkt oder
über ein Kupplungselement mit der Abdeckung verbunden
ist, so dass eine Durchbiegung der Abdeckung zu einer
Änderung der Kapazitäten in der Differentialkondensa
toranordnung führt, welche wiederum als Messgröße
dient.
Weitere bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindung er
geben sich aus den übrigen, in den Unteransprüchen
genannten Merkmalen.
Die Erfindung wird nachfolgend in Ausführungsbeispie
len anhand der zugehörigen Zeichnungen näher erläu
tert. Es zeigen:
Fig. 1 bis 13 das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren
in einem Ausführungsbeispiel;
Fig. 14 bis 16 ein alternatives Herstellungsverfahren,
beginnend nach der Deposition einer Ab
scheideschicht gemäß Fig. 8;
Fig. 17 und 18 eine weitere Ausgestaltung des
Herstellungsverfahrens zur Erzeugung eines
oberflächenmikromechanischen kapazitiven
Drucksensors mit einer Torsionswippe;
Fig. 19 und 20 eine weitere alternative Ausführungsform
eines kapazitiven Drucksensors;
Fig. 21 bis 23 eine alternative Vorgehensweise zur
Beeinflussung der Permeabilität der Abscheide
schicht mittels eines elektrochemischen
Ätzvorganges;
Fig. 24 bis 27 alternative Maskierungsstrukturen von
Metallschichten, die bei einem galvani
schen Verfahren zur Permeabilitätsein
stellung der Abscheideschicht verwendbar
sind;
Fig. 28 eine Abdeckung mit Stützelementen;
Fig. 29 eine Abdeckung mit Stützelementen und
Ätzöffnungen;
Fig. 30 eine Abdeckung mit Stützelementen und
einem Kontaktierungsbereich für Bondpads;
Fig. 31 eine alternative Ausführungsform der
Stützelemente;
Fig. 32 bis 34 eine weitere Ausgestaltung des
Herstellungsverfahrens zur Erzeugung einer me
tallischen Versiegelung und eines metal
lischen Kontaktpads und
Fig. 34' eine alternative Ausführungsform mit einem
Dielektrikum als Versiegelung und einem
metallischen Kontaktpad.
Die Fig. 1 bis 13 illustrieren das erfindungsge
mäße Herstellungsverfahren für Sensoren, wie Be
schleunigungssensoren oder Drehratensensoren und ins
besondere auch kapazitive Drucksensoren. Dabei sind
die in den Fig. 1 bis 4 skizzierten Verfahrens
schritte bereits aus der DE 195 37 814 A1 bekannt und
werden daher im Folgenden nur verkürzt wiedergegeben.
Definitionsgemäß ist im Weiteren eine Einteilung des
Sensors in einen Grundwafer 11 und eine Dünnschicht-
Sensorverkappung in Form einer Abdeckung 13 vorgenom
men worden. Der Grundwafer 11 umfasst dabei alle zur
Funktionalität des Sensors notwendigen Bauelemente,
insbesondere noch näher zu erläuternde Kontaktberei
che, mikromechanische Strukturen und Elektroden. Die
Abdeckung 13 erstreckt sich definitionsgemäß begin
nend von einer Abscheideschicht bis inklusive zu ei
ner Abdichtungsschicht und dient der hermetischen
Versiegelung eines Sensorraumes, in dem sich die
mikromechanischen Strukturen befinden.
Auf einem Siliziumsubstrat 10 ist in bekannter Weise
eine Isolationsschicht 12, die eine leitende Schicht
14 umschließt, aufgebracht. Eine Strukturierung der
beiden Schichten 12 und 14 kann mittels bekannter, in
der Halbleitertechnik verwendeter Verfahrensschritte,
beispielsweise durch Lithografie und Ätzprozesse und
folgende Ätzschritte, erfolgen. Des Weiteren wird ei
ne polykristalline Siliziumschicht 16 mit gewünschter
Schichtdicke aufgebracht, die die Isolationsschicht
12 abdeckt. Die Siliziumschicht 16 besteht üblicher
weise aus Epipolysilizium, während die leitende
Schicht 14 aus einem gegebenenfalls sehr hoch do
tierten Polysilizium geformt ist (Fig. 1).
Durch Aufbringung einer Maskierungsschicht 18 wird
ein Bereich 20 definiert, in dem in späteren Verfah
rensschritten die mikromechanische Struktur erzeugt
werden soll. Zunächst wird der Bereich durch einen
Vorätzschritt vertieft (Vertiefung 20; Fig. 2).
In einem sich anschließenden Lithografieschritt (
Fig. 3) wird der derart vorstrukturierte Grundwafer 11
in der Vertiefung 20 mit einer Fotolackmaske 22 über
zogen, die die zu erzeugenden Sensorstrukturen, bei
spielsweise kapazitive Kammstrukturen, Federn, An
schläge, Elektrodenflächen, Perforationen einer seis
mischen Masse, vorgibt. Wesentlich ist es dabei, die
eigentlichen Sensorstrukturen mit einem ausreichend
großem Abstand von den Kanten der zuvor eingebrachten
Vertiefung 20 auszuführen, da dort die Lithograliege
nauigkeit und Auflösung durch die Topografieunter
schiede sonst beeinträchtigt ist.
Wie aus der Fig. 4 ersichtlich, werden in den nicht
durch den Fotolack 22 abgedeckten Bereichen durch be
kannte, geeignete Ätzverfahren, zum Beispiel nach Art
der DE 42 41 045, Trenchgräben 24, die sich bis zur
Isolationsschicht 12 erstrecken, eingebracht. Auf
diese Weise werden aus der Siliziumschicht 16 ein
zelne Strukturen 26 isoliert. Auf das Design der
artiger Strukturen 26 soll - da bekannt - im Zusam
menhang mit dieser Beschreibung nicht näher ein
gegangen werden.
Anschließend erfolgt eine Opferschichtätzung über die
Trenchgräben 24 im Bereich der Isolationsschicht 12
und es wird ein Hohlraum 26 erzeugt (Fig. 5). Der
Hohlraum 26 und die Trenchgräben 24 bilden zusammen
gefasst einen Sensorraum 28, in dem die Strukturen 26
untergebracht sind. Die Opferschichtätzung kann bei
spielsweise über einen HF-Dampfätzprozess oder aber
auch trockene Opferschichtätzung mit Silizium als
Opferschicht in Verbindung mit einem modifizierten
Schichtsystem erfolgen. Die Lackmaske 22 wurde vor
Abschluss der Opferschichtätzung entfernt. Im Falle
einer trockenen Opferschichtätzung mit Silizium als
Opferschicht wird die Maskierungsschicht 18 nach Ab
schluss der Opferschichtätzung entfernt.
Die gesamte Struktur wird in dem gemäß der Fig. 6
skizzierten Verfahrensschritt mit einem Oxid 30 auf
Siliziumbasis, insbesondere einem CVD-Oxid oder einem
porösen Oxid, aufgefüllt. Das vorzugsweise hochporöse
Oxid 30 muss sich mit extrem hoher Ätzrate durch
flusssäurehaltige Medien wieder entfernen lassen. Die
Abscheidebedingungen für das Oxid 30 sind also so zu
wählen, dass ein minderwertiges Oxid 30 mit hoher Po
rosität entsteht. Dies sind gleichzeitig die Abschei
debedingungen, unter denen mit möglichst hoher Rate
abgeschieden wird, was den Vorteil kurzer Oxid-Depo
sitionszeiten mit sich bringt. Die Parameter zur Ge
staltung der Abscheidebedingungen derartiger minder
wertiger Oxide mit hoher Porosität sind aus dem Stand
der Technik bekannt. So lässt sich beispielsweise
durch hohe Plasmaleistungen während der Deposition,
während hoher Prozessdrücke und niedriger Substrat
temperaturen (beispielsweise 200°C bis 300°C) die
gewünschte Oxidschicht 30 abscheiden.
Der nächste Verfahrensschritt umfasst ein Rückdünnen
des Oxids 30 auf die Höhe der Siliziumschicht 16
(Fig. 7), was beispielsweise durch Schleifen
(CMP - chemo mechanical polishing) oder ein einschlägig be
kanntes Rückätzverfahren erfolgen kann. Gemäß dem
Ausführungsbeispiel wird das Oxid 30 bis zur Höhe der
Schicht 16 abgetragen.
Nachfolgend wird eine Abscheideschicht 32, insbeson
dere aus Polysilizium, ganzflächig als eine Abschei
deschicht abgeschieden (Fig. 8). Zur Vermeidung ei
ner Verdichtung des hochporösen Oxids 30 ist es vor
teilhaft, die Temperaturen bei dieser Deposition mög
lichst gering zu halten. Bei den für die Polysili
ziumabscheidung üblichen Temperaturen von beispiels
weise 600°C bis 650°C tritt noch keine wesentliche
Verdichtung des Oxids 30 ein. Alternativ dazu ist es
möglich, ein kurzes Erhitzen des Grundwafers 11 auf
Temperaturen von über 1000°C durchzuführen, ohne das
Oxid 30 zu verdichten, wenn dieses Erhitzen nur kurz
geschieht (beispielsweise bei weniger als 10 min
Dauer). Das Tempern der Abscheideschicht 32 kann vor
teilhaft mit Hilfe eines RTP- oder RTA-Reaktors
(RTP = rapid thermal processing/RTA = rapid thermal
annealing) durchgeführt werden. Wird Epipolysilizium
als Abscheideschicht 32 abgeschieden, so kann diese
Abscheidung in einem Epitaxiereaktor mit hoher Ab
scheiderate von bis zu 1 µm/min durchgeführt werden,
um die Abscheidezeiten kurz zu halten. Durch eine
solche kurzzeitige hohe Temperaturbehandlung des
Polysiliziums kann zum Beispiel erreicht werden, dass
die Schicht 32 eine sehr hohe intrinsische Zugspan
nung von beispielsweise über 200 MPa/µm bis 1 GPa/µm
Schichtdicke enthält, was für die Applikation der
Schicht 32 als Abdeckung 13 sehr vorteilhaft ist.
Infolge dieser hohen Zugspannung kann die Schicht 32
auch einem von außen angelegten hohen Druck stand
halten, ohne sich stark nach innen zu verwölben.
In einem sich anschließenden optionalen Prozess
schritt kann die Abscheideschicht 32, beispielsweise
durch Ätzung, strukturiert werden (Fig. 9). Letzt
endlich werden dann nur noch die Bereiche des Grund
wafers 11 von der Abscheideschicht 32 bedeckt, unter
denen sich später die mikromechanischen Strukturen 26
innerhalb des Sensorraumes 28 befinden sollen. Es ist
auch möglich, die Abdeckung 13 unstrukturiert zu ver
wenden. In diesem Fall bedeckt die Abdeckung 13 die
gesamte Waferoberfläche. Der Vorteil dabei ist, dass
eine planare Oberfläche des Wafers erhalten bleibt.
Durch selektive Ätzung des Oxids 30 unterhalb der Ab
scheideschicht 32 ist es möglich, die Strukturen 26
wieder freizulegen (Fig. 10). Notwendigerweise muss
dazu die Abscheideschicht 32 durchlässig, permeabel
für das verwendete Ätzmedium als auch für die während
der Reaktion entstehenden Produkte sein. Beispiels
weise kann dazu das Polysilizium der Abscheideschicht
32 mit kleinen Ätzöffnungen durch gezielte Ätzung in
später noch näher zu erläuternder Art und Weise ver
sehen werden. Je nach Art des verwendeten Ätzprozes
ses können dabei Ätzöffnungen mit Durchmessern von
zirka 0,1 µm bis 5 µm erzeugt werden. Alternativ
hierzu kann die Abscheideschicht 32 aus einem perme
ablen Polysilizium oder einem nachträglich durch
Porosifizierung permeabel gemachten Polysilizium be
stehen, das den Durchtritt des Ätzmediums beziehungs
weise der Reaktionsprodukte ermöglicht. Im Zusammen
hang mit Flusssäuredampfätzverfahren hat sich diese
Variante als besonders vorteilhaft erwiesen, da der
Flusssäuredampf besonders leicht Polysilizium durch
dringen kann und Diffusionsvorgänge für die beteilig
ten Spezies durch das Polysilizium hindurch speziell
bei erhöhten Temperaturen beschleunigt ablaufen. Die
in-situ Permeabilität des Polysiliziums ist insbeson
dere bei niedrigen Dotierstoffkonzentrationen hoch,
so lange eine langandauernde Hochtemperaturbehandlung
(Tempern) vermieden wird. Es ist auch möglich eine
Kombination aus HF-Flüssigphasenätzen und HF-Dampfät
zen für die Entfernung der Opferschicht einzusetzen.
Dabei wird in der Nassätzphase (HF-Lösung) zuerst der
Großteil des Oxids 30 entfernt. In der anschließenden
Dampfätzung wird ohne Stickingrisiko der Rest des
Oxids 30 entfernt, so dass man einen insgesamt
schnelleren Prozess erhält.
Nach dem Abschluss des Opferschicht-Ätzprozesses wird
die Abscheideschicht 32 durch Abscheidung einer Ab
dichtungsschicht 34 hermetisch verschlossen (Fig.
11). Als besonders vorteilhaft hat es sich dabei er
wiesen, eine Siliziumnitridschicht als Abdichtungs
schicht 34 aufzubringen, da diese bereits bei relativ
niedrigen Temperaturen von 300°C bis 400°C in
PECVD-Prozessen abgeschieden werden können. Alterna
tiv hierzu kann die Versiegelung auch durch Abschei
dung von Metallen, wie beispielsweise Aluminium, er
folgen, wofür sich insbesondere Sputterprozesse eig
nen.
In Abhängigkeit von dem für die Abdichtungsschicht 34
gewählten Material kann anschließend eine Strukturie
rung der Abdeckung 13, beispielsweise mit Hilfe foto
lithografischer Prozesse, erfolgen. Ist das gewählte
Material ein Metall (Fig. 12), so können durch diese
Strukturierungen gleichzeitig die Kontaktpads 36 ge
bildet werden. Im Falle eines dielektrischen Materi
als muss die Abdichtungsschicht 34 außerhalb des Ver
kappungsbereiches vollständig entfernt werden und die
Kontaktpads 36 werden in einem gesonderten Verfah
rensschritt auf der Siliziumschicht 16 beziehungswei
se der Abscheideschicht 32 (falls diese ganzflächig
unstrukturiert verwendet wird) aufgebracht (Fig.
13). Die gewählte Schichtdicke der Abdichtungsschicht
34 hängt im Wesentlichen von der Permeabilität, Poro
sität beziehungsweise von dem Durchmesser der Ätzöff
nungen der Abscheideschicht 32 ab und selbstverständ
lich wird zum Verschließen der Ätzöffnungen eine
dickere Abdichtungsschicht 34 benötigt.
Die Fig. 14 bis 16 zeigen eine alternative Pro
zessführung, beginnend mit der in der Fig. 8 gezeig
ten Deposition der Abscheideschicht 32. Zunächst wird
in bereits erläuterter Weise das Oxid 30 durch die
Abscheideschicht 32 weggeätzt (Fig. 14). Anschlie
ßend wird mittels der Abdichtungsschicht 34 der Sen
sorraum 28 hermetisch versiegelt (Fig. 15). Auch
hier muss die Schichtdicke entsprechend den für den
Durchtritt des Ätzmediums beziehungsweise der Reak
tionsprodukte eingestellten Eigenschaften der Ab
scheideschicht 32 gewählt werden. Anschließend wird
gemäß der Fig. 16 durch ein maskiertes Ätzverfahren
sowohl die Abscheideschicht 32 als auch die Abdich
tungsschicht 34 entfernt und die Kontaktpads 36 in
bekannter Weise auf die Siliziumschicht 16 aufge
bracht. Insgesamt kann damit eine Maskenebene einge
spart werden, da die beiden Schichten 32, 34 mit ein
und derselben Maske strukturiert werden. Im Falle der
Verwendung von permeablen Polysilizium als Abscheide
schicht 32 muss nach der Strukturierung noch ein aus
reichender Überstand gewährleistet sein, damit eine
Diffusion von Gasen über die Randbereiche unterbunden
werden kann. In der Praxis hat es sich als ausrei
chend gezeigt, wenn die permeable Polysiliziumschicht
mit der Epipolysiliziumschicht 16 um mindestens 50 µm
überlappt.
In einer weiteren, bereits erwähnten vorteilhaften
Ausführungsform unterbleibt die Strukturierung der
Abscheideschicht 32 und der Abdeckschicht 34 bis zur
beziehungsweise bis unmittelbar vor Abscheidung und
Strukturierung der Metallpads 36 (siehe Fig. 32
bis 34, 34'). Erst unmittelbar vor Abscheidung der
Metallisierung 36 wird eine Ätzung der Abdichtungs
schicht 34 unmittelbar im Bereich der Bondpads und um
diese herum vorgenommen, um die Bondbereiche frei von
isolierenden Schichten zu machen. In besonders vor
teilhafter Ausführungsform dient die Metallschicht 36
für die Bondpads gleichzeitig auch als Abdichtungs
schicht 34. Im letzteren Fall muss folglich die Ab
dichtungsschicht 34 nach deren ganzflächiger Abschei
dung um die Bondpads herum geöffnet werden, um dort
ein Durchätzen der Abscheideschicht 32 und damit die
Erzeugung elektrisch isolierter Kontaktpads 36 zu er
möglichen.
In einer weiteren Variante ist auch die Epipolysili
ziumschicht 16 im Bereich der Kontaktpads 36 zunächst
noch nicht durchgeätzt, sondern dort noch ganzflächig
vorhanden. Bei der Herstellung der Sensorstrukturen
26 durch anisotropes Tiefenätzen werden also die
Bondbereiche zunächst ausgespart. Erst beim Freiätzen
der Kontaktpads 36, dass heißt auch Durchätzen der
Abscheideschicht 32 und der Abdichtungsschicht 34,
falls diese nicht identisch zur Metallisierungs
schicht der Kontaktpads 36 ist, wird die Epipoly
siliziumschicht 16 um die Bondpads herum bis zum
vergrabenen Oxid 12 durchgeätzt. Dabei kann derselbe
Tiefenätzprozess sowohl für die Siliziumschicht 32
als auch für die Epipolysiliziumschicht 16 verwendet
werden. Es findet also ein "Doppeltrench"-Prozess
statt, bei dem ein erster Tieftrench für die
Sensorstrukturen 26 selbst und ein zweiter Tieftrench
für die Bondpadbereiche später im Prozessfluss durch
geführt wird. In beiden Varianten erfolgt der elek
trische Anschluss der Sensorstrukturen 26 über die
Kontaktpads 36 durch die Abscheideschicht 32 und die
Schicht 16 hindurch. Die Abscheideschicht 32 muss
also eine ausreichende elektrische Leitfähigkeit auf
weisen, um den flächigen elektrischen Kontakt zu er
möglichen, was aber in der Praxis mittels einer aus
reichenden Dotierung selbst bei dickeren Abscheide
schichten 32 kein Problem darstellt. Die vorgenannten
Varianten lassen sich zur Verdeutlichung den Zeich
nungen 32 bis 34, bei der ein Metall als Versiegelung
und Bondpad eingesetzt wird, beziehungsweise der
Zeichnung 34', bei der ein Dielektrikum als Versiege
lung und Metall als Bondpad verwendet wird, ent
nehmen.
Die in den Fig. 15 beziehungsweise 11 skizzierten
Prozessschritte, in denen die Abdichtungsschicht 34
aufgebracht wird, lassen sich besonders vorteilhaft
zur Einstellung eines gewünschten Innendruckes inner
halb des Sensorraumes 28 nutzen. Der einstellbare
Druckbereich liegt dabei bei Drücken von wenigen Mi
krobar bis zu Atmosphärendruck. Im Gegensatz zu den
herkömmlichen Verfahren kann durch das sehr rasche
Versiegeln die Toleranz bei der Druckeinstellung re
lativ gering gehalten werden. Zur Einstellung des
Druckes kann wie folgt verfahren werden:
In einer Ausführungsform mit permeabler Abscheide schicht 32 (in-situ permeabel oder nachträglich porös gemacht, um Permeabilität zu erzeugen) wird nach dem Einbringen des bis zum Aufbringen der Abdichtungs schicht 34 bereits fertig prozessierten Grundwafers 11 in eine Prozesskammer zur Deposition der Abdich tungsschicht 34 zunächst auf eine Temperatur zwischen 300°C bis 450°C erhitzt und gleichzeitig anstelle von Prozessgasen ein Inertgas unter einem gegebenen Druck der Prozesskammer zugeführt. Als Inertgas eig net sich beispielsweise Helium, da dies besonders rasch durch die in-situ permeabel oder durch Porosi fizierung permeabel gemachte Abscheideschicht 32 dif fundieren kann, damit eine schnelle Gleichgewichts einstellung (Innendruck Außendruck) sensorseitig möglich ist. Erst anschließend werden die für die De position der Abdichtungsschicht 34 notwendigen Pro zessgase zugeführt und das Depositionsplasma gezün det. Bei Verwendung permeablen Polysiliziums (in-situ permeabel oder durch Porosifizierung permeabel ge macht) vergehen in der Zeit zwischen dem Verlassen des gewünschten abzuschließenden Druckes in der Pro zesskammer und der Deposition einer ausreichend dicken Abdichtungsschicht 34 nur wenige Sekunden.
In einer Ausführungsform mit permeabler Abscheide schicht 32 (in-situ permeabel oder nachträglich porös gemacht, um Permeabilität zu erzeugen) wird nach dem Einbringen des bis zum Aufbringen der Abdichtungs schicht 34 bereits fertig prozessierten Grundwafers 11 in eine Prozesskammer zur Deposition der Abdich tungsschicht 34 zunächst auf eine Temperatur zwischen 300°C bis 450°C erhitzt und gleichzeitig anstelle von Prozessgasen ein Inertgas unter einem gegebenen Druck der Prozesskammer zugeführt. Als Inertgas eig net sich beispielsweise Helium, da dies besonders rasch durch die in-situ permeabel oder durch Porosi fizierung permeabel gemachte Abscheideschicht 32 dif fundieren kann, damit eine schnelle Gleichgewichts einstellung (Innendruck Außendruck) sensorseitig möglich ist. Erst anschließend werden die für die De position der Abdichtungsschicht 34 notwendigen Pro zessgase zugeführt und das Depositionsplasma gezün det. Bei Verwendung permeablen Polysiliziums (in-situ permeabel oder durch Porosifizierung permeabel ge macht) vergehen in der Zeit zwischen dem Verlassen des gewünschten abzuschließenden Druckes in der Pro zesskammer und der Deposition einer ausreichend dicken Abdichtungsschicht 34 nur wenige Sekunden.
Bei bekannter Schichtdicke und Permeabilität der
Abscheideschicht 32 ist die in dieser Zeit zu er
wartende Druckänderung berechenbar, so dass ent
sprechende Vorhalte eingeplant werden können. Es ist
außerdem möglich, den Depositionsdruck zunächst beim
für die Verkappung gewünschten eingeschlossenen Druck
zu belassen und den Depositionsprozess bereits früh
zeitig noch in Gegenwart des Inertgases zu starten.
Erst nach Initiierung des Depositionsprozesses wird
der Kammerdruck in den für die Deposition eigentlich
optimalen Druckbereich nachgeregelt. Dadurch verläuft
der Depositionsprozess zwar über einige Sekunden
nicht optimal und gelangt erst nach der erfolgten
Druckanpassung in seinen günstigsten Arbeitsbereich,
andererseits wird bei dieser Vorgehensweise aber die
Zeit zwischen dem Verlassen des Verkappungsdruckes
und der erfolgten hermetischen Abdichtung des
Sensorelementes verkürzt. Zur experimentellen Bestim
mung des eingeschlossenen Druckes und zur Verfahrens
kontrolle kann die Membranverwölbung, beispielsweise
interferometrisch, ausgewertet werden oder Gütepara
meter der eingeschlossen Strukturen 26 durch reso
nante Anregung ermittelt werden. Eine Qualitätskon
trolle für das Verfahren ist somit in einfacher Weise
möglich.
Als besonders günstig hat es sich erwiesen, diese
Prozessführung für die Herstellung oberflächenmikro
mechanischer kapazitiver Drucksensoren zu nutzen. So
zeigen die Fig. 17 und 18 beziehungsweise 19 und
20 zwei mögliche Ausführungsformen derartiger Druck
sensoren. Zunächst wird gemäß den Fig. 17 und 19
wieder eine permeable oder nachträglich durch Ätzen
permeabel gemachte Schicht 32 - gegebenenfalls struk
turiert - oberhalb des mit dem Oxid 30 gefüllten Sen
sorraumes 28 abgeschieden. Anschließendes Ausätzen
des Oxids 30 und Versiegeln mit der Abdichtungs
schicht 34 führt zu den in den Fig. 18 und 20 ge
zeigten Applikationsformen.
Im ersteren Fall wird in dem Drucksensor eine Torsi
onswippe 39, die über ein Kupplungselement 42 mit der
Abdeckung 13 verbunden ist, implementiert. Dabei ist
eine seismische Masse 38 symmetrisch über Torsionsfe
dern 40 mittig zu beiden Seiten aufgehängt - analog
einer Hebelwaage. Die Masse 32 ist für die Durchfüh
rung der Opferschichtätzung perforiert, wobei die
Perforation hier nicht eingezeichnet ist. Nach der
Abscheidung und Planarisierung des Oxids 30 wird
etwas außerhalb der Mitte der Torsionswippe 39 ein
Loch in das Oxid 30 eingebracht mittels Fototechnik
und Ätzen des Oxids 30. Darüber kann zum Beispiel
einfach die Abscheideschicht 32 vorteilhaft als
permeable Polysiliziumschicht abgeschieden und/oder
nachträglich durch Ätzprozesse, zum Beispiel Poro
sifizierung, permeabel gemacht werden, welche im zu
vor angelegten "Kontaktloch" im Oxid 30 das Silizium
der Wippe 39 direkt mechanisch und elektrisch kontak
tiert. Wird später eine elektrische Isolation der
Sensormembran von der Torsionswippe 39 gewünscht,
beispielsweise aus Gründen der elektrischen Abschir
mung gegenüber der Umgebung, so kann vor der Polysi
liziumabscheidung eine isolierende Schicht abgeschie
den werden, welche von der nachfolgend zur Opferoxid
ätzung eingesetzten HF-Dampfchemie nicht angegriffen
wird. Hierzu eignet sich beispielsweise eine Schicht
von amorphen Siliziumkarbid, welches resistent gegen
über flusssäurehaltigen Medien und auch HF-Dampf ist.
Diese Schicht kann nach der konformen Abscheidung
über dem Kontaktloch im Oxid entweder durch einen
maskierten Ätzprozess so strukturiert werden, dass
nur das Kupplungselement 42 übrig bleibt, oder aber
derart bearbeitet werden, dass nach einem Schleif
prozess das Kupplungselement 42 eingeschlossen vom
Oxid 30 erhalten bleibt. Selbstverständlich kann in
diesem Fall die Prozessreihenfolge auch reversiert
werden, das heißt zuerst Anlegen des Kupplungs
elementes 42 (beispielsweise aus amorphen Silizium
karbid), dann Abscheiden und Planarisieren des Füll
oxids und dann Abscheiden und Planarisierung der ge
samten Abdeckung 13 unter Berücksichtigung der vorab
gemachten Druckeinstellungsprozessparameter.
Durch die beiden Herstellungsvarianten des Kupplungs
elementes 42 - der einfachen Polysiliziumabscheidung
mit mechanischer Verbindung über das Polysilizium,
welches selbstständig das Kontaktloch im Oxid 30 auf
füllt und so den Kraftschluss mit der Wippe 39 her
stellt, oder der expliziten Abscheidung und Herstel
lung eines elektrisch isolierten Kupplungselementes
42 mittels einer Zusatzschicht - wird eine mechani
sche Verbindung geschaffen zwischen der Abdeckung 13
und der Torsionswippe 39.
Aufgrund der Biegeform der druckbeaufschlagten Ab
deckung 13 ist es vorteilhaft, das Kupplungselement
42 zwischen Torsionsachse und Deckplattenmitte zu
plazieren, also zum Beispiel - wie in den
Abb. 17, 18 erkennbar - rechts von der Torsionsachse
der Wippe 39 und links von der Membranmitte. Wird die
Membran nämlich druckbeaufschlagt, stellt sich eine
Biegelinie als Doppel-S-Form ein, welche die rechte
Hälfte der Wippe 39 nach unten drückt, entsprechend
kommt die linke Hälfte der Wippe 39 nach oben. Bei
Vorliegen zweier Gegenelektroden (aus der Leitschicht
14 strukturiert) unterhalb der Wippe 39 kann die Ka
pazitätsänderung als Differenzkapazität mittels einer
geeigneten Auswerteelektronik verarbeitet werden. Die
elektrische Verdrahtung des Sensorbauteiles geschieht
in der unteren Ebene durch die dort vergrabene lei
tende Schicht 14. Ein solcher Sensor nach dem be
schriebenen Aufbau weist aufgrund seiner Symmetrie
und der kapazitiven Auswertung durch Differentialkon
densatoranordnung eine vorteilhaft geringe Tempera
turdrift auf, so dass ein teurer Abgleich und Tempe
raturkompensation entfallen können.
Wird auf die explizite Differentialkondensatoranord
nung verzichtet, bietet sich ein einfacher Prozess
und ein Design nach Art der Fig. 19 und 20 an. Die
seismische Masse 44 ist direkt an die Abscheide
schicht 32 gebunden. Ebenfalls kann über die vorste
hend beschriebene Art und Weise ein Referenzdruck,
bevorzugterweise mittels Heliumgas, im Sensorraum 28
eingeschlossen und die Struktur durch Abscheidung der
Abdichtungsschicht 34 hermetisch versiegelt werden.
Wird die Struktur druckbeaufschlagt, wird die Masse
44 nach unten gedrückt, so dass sich der Abstand zu
der darunter liegenden leitenden Schicht 14, die als
Gegenelektrode fungiert, verkleinert und dementspre
chend tritt eine Kapazitätsänderung ein. Der elektri
sche Anschluss und die Ausführung der Gegenelektrode
kann wiederum über die Schicht 14 erfolgen und nach
außen geführt werden. Man erhält somit einen einfa
chen, robusten, kapazitiven Drucksensor in Oberflä
chenmikromechanik. Die standardmäßig für Beschleuni
gungssensoren entwickelte Auswerteelektronik kann
weiter verwendet werden, wenn eine Differentialkon
densatoranordnung durch einen der Messkapazität ex
tern zugeschalteten Festwertkondensator realisiert
wird.
Die Durchlässigkeit, das heißt Permeabilität der
Abscheideschicht 32 für das Ätzmedium und die
entstehenden Reaktionsprodukte kann auch nach Deposi
tion der Schicht 32 im Nachhinein erzwungen werden.
Ein erstes Verfahren dieser Art ist in den Fig. 21
bis 23 skizziert, bei denen ein elektrochemischer
Ätzvorgang zur Umwandlung von Silizium in (perme
ables) poröses Silizium im Vordergrund steht. Zu
nächst wird - wie bereits beschrieben - bis ein
schließlich der Deposition der Abscheideschicht 32
verfahren. Anschließend wird eine geeignete Maskier
schicht 46 aufgebracht (Fig. 21) und in bekannter
Weise, beispielsweise durch einen zusätzlichen Litho
grafieschritt strukturiert, so dass ein Bereich 48,
in dem die Eigenschaften der Schicht 32 geändert wer
den sollen, zugänglich ist (Fig. 22).
Der eigentliche elektrochemische Ätzvorgang wird in
Gegenwart eines HF-Elektrolyten, beispielsweise einem
Flusssäure-Ethanol-Gemisch, durchgeführt und führt
zur Bildung poröser Strukturen beziehungsweise Ätz
öffnungen in den dem Elektrolyten ausgesetzten Berei
chen 48 der Schicht 32.
Es hat sich als besonders vorteilhaft erwiesen, bei
den elektrochemischen Ätzvorgängen der gezeigten Art
zusätzlich eine Bestrahlung der Oberfläche in einem
Wellenlängenbereich von 100 nm bis 1000 nm, insbeson
dere bei 350 nm bis 800 nm, durchzuführen, da dadurch
die Homogenität des Prozesses verbessert wird. Ein
elektrischer Anschluss durch Anlegen eines anodischen
Potentials kann zum einen über die Oberseite der
Schicht 32 und zum anderen von der Epipolysilizium
schicht 16 beziehungsweise dem Grundwafer 11 (Rück
seitenkontakt) aus über die Unterseite der Schicht 32
erfolgen. Der großflächige Rückseitenkontakt über den
Grundwafer 11 hat den Vorteil, dass damit eine de
finiertere und homogenere Stromdichteverteilung des
Anodisierungsstroms erreicht wird, da der Strom ins
gesamt nur maximal die Dicke des Grundwafers 11 über
winden muss, um in den zu behandelnden Bereich 48 zu
gelangen. Zweckmäßigerweise ist eine hohe n-Dotierung
der Schichten des Grundwafers 11 - vor allem der
Waferunterseite des Substrates (10) - vorgesehen
(n++), was besonders einfach durch POCL-Deposition
und anschließendes Eintreiben von Phosphor ins Sili
zium, aber auch durch Ionenimplantation von Phosphor,
Arsen oder Antimon ermöglicht wird. Die n++-Dotierung
der Waferrückseite des Grundwafers 11 reduziert die
im Kontaktbereich Elektrolyt/Silizium vorliegende
Schottky-Barriere. Eine angepasste Dotierung der
Schicht 32 in dem zu verändernden Bereich 48 kann zur
Prozesssteuerung genutzt werden. So hat es sich ge
zeigt, dass eine p-Dotierung zur Bildung mesoporöser
Poren führt, während eine n-Dotierung zu Ätzöffnungen
von einigen 10 nm bis Mikrometern führt.
Alternativ zu dem elektrochemischen Ätzverfahren
kann, wie in den Fig. 24 bis 27 in exemplarischen
Ausführungsformen dargestellt, verfahren werden. Zu
nächst wird die noch nicht genügend durchlässige
Schicht 32 aufgebracht und anschließend unter Verwen
dung bekannter Maskierungsverfahren eine Metall
schicht abgeschieden und strukturiert. Bei der an
schließenden galvanischen Herstellung von porösem
Polysilizium im Bereich 48 übernimmt die Metall
schicht somit gleichzeitig die Funktion einer
Maskierung der Silizium-Oberfläche der Schicht 32 in den
Bereichen, die nicht elektrochemisch anodisiert wer
den sollen, und einer Kathode in der galvanischen
Zelle Silizium/Elektrolyt/Metall. Über die Zusammen
setzung des HF-Elektrolyten und die auftretende
Stromdichte in dieser galvanischen Zelle lassen sich
die Prozesse steuern, die zur Bildung des porösen
Polysiliziums führen. Die Stromdichten sind abhängig
vom Flächenverhältnis Metall/Silizium. Je größer die
Metallfläche, desto größer ist die Stromdichte. Übli
che Metall-Silizium-Flächenverhältnisse liegen zwi
schen 10 bis 20 zu 1. Der Vorteil dieser Technik ist
es, dass keine elektrische Kontaktierung des Wafers
notwendig ist.
Um diese Verhältnisse zu realisieren, können Teile
der Metallfläche den zu porosifizierenden Bereich 48
der Abdeckung 13 mit einem Gitter überdecken. Hierbei
ist darauf zu achten, dass die Breite der Metallbah
nen größer ist als die Dicke der zu ätzenden Schicht
32, da sonst zu große Unterätzungen und Ablösungs
erscheinungen des Metalls auftreten können. Eine Aus
wahl möglicher Ausführungsformen ist den Draufsichten
und Schnittbildern der Fig. 24 bis 27 zu ent
nehmen.
Ferner ist denkbar, mit einem modifizierten
Stain-Etch-Verfahren die zu porosifizierenden Bereiche 48
mit einem Gemisch aus Flusssäure, Salpetersäure und
Wasser zu behandeln. Alle anderen Bereiche müssen mit
einer geeigneten Maskierschicht, beispielsweise aus
Siliziumnitrid, geschützt werden. Über die Zusammen
setzung, insbesondere die Salpetersäurekonzentration,
und die Expositionszeiten lassen sich Porosität und
Schichtdicke des veränderten porösen Siliziumbereichs
steuern. Darüber hinaus besteht ein empirisch erfass
barer Einfluss von Dotierungen, so dass eine Steue
rung des die Porosität erzeugenden Prozesses möglich
ist.
Eine weitere alternative Ausführungsform der Dünn
schicht-Sensorkappe, bei der an der Unterseite der
Abscheideschicht 32 Stützelemente 50 vorhanden sind,
ist den Fig. 28 bis 31 zu entnehmen. Bis zur Ab
scheidung des Oxids 30, wie in der Fig. 6 darge
stellt, kann auf das eingangs beschriebene Verfahren
zurückgegriffen werden. Auf eine vollständige Plana
risierung der Oxidschicht 30 bis auf die Höhe der
Epipolysiliziumschicht 16 wird allerdings verzichtet.
Anstelle dessen erfolgt eine strukturierte Abtragung,
bei der in den Bereichen, die später die Stützele
mente 50 ausbilden sollen, das Oxid 30 entfernt wird.
Diese Bereiche liegen sinnvollerweise oberhalb der
Bereiche der Epipolysiliziumschicht 16, die in den
sich anschließenden Ätzverfahren nicht weiter ange
griffen werden sollen.
Die einzelnen Stützelemente 50 sind üblicherweise um
laufende Stützstreben oder Stützsäulen, die somit den
Sensorraum 28, der von der Abdeckung 13 abgedeckt
wird, begrenzen. Innerhalb des Sensorraumes 28 befin
den sich die notwendigen mikromechanischen Strukturen
26. Gemäß der Fig. 28 können geringe Abstände der
Stützelemente 50 und damit Spannweiten der Abdeckung 13
verwirklicht werden. So sind Spannweiten unterhalb
von 10 µm realisierbar. Damit einhergehend ist aber
auch eine geringere Durchbiegung bei der Beaufschla
gung mit einem Überdruck verbunden und es kann ein
Abstand der Abdeckung 13 und des Sensorelementes so
weit verringert werden, dass ein Herausheben der Sen
sorstruktur 26 bei mechanischer Überlastung verhin
dert wird. Da der bei den herkömmlichen Sensoren not
wendige Bondrahmen drastisch verkleinert werden kann,
tritt zusätzlich eine erhebliche Flächenreduzierung
auf, so dass mehr als doppelt so viele Beschleuni
gungssensoren auf einen Grundwafer 11 prozessierbar
sind. Die Fig. 31 zeigt hierzu eine weitere vorteil
hafte Ausgestaltung mit T-förmigen Stützelementen 50,
die zu besonders stabilen Strukturen führt.
Für den Fall, dass anstelle eines permeablen Poly
siliziums als Abscheideschicht 32 nachträgliche Ätz
öffnungen 52 eingebracht werden sollen, über die das
Opferoxidätzen stattfindet, hat sich das in der Fig.
29 dargestellte Design als vorteilhaft erwiesen. Die
Ätzöffnungen 52 sind dabei derart angeordnet, dass
bei der Deposition der Abdichtungsschicht 34 allen
falls die nicht funktionsbegründenden Strukturele
mente 53 des Sensors dem Depositionsplasma ausgesetzt
sind. Diese nicht funktionsbegründenden Struktur
elemente 53 sind eben genau die Elemente, die mit den
Stützelementen 50 verbunden sind. Gegebenenfalls kön
nen über die Ätzöffnungen 52 nach der Opferätzung
auch geeignete Antihaftschichten im Bereich der
Strukturen 26 abgeschieden werden.
Ein Sensor entsprechend der Fig. 30 lässt sich mit
Hilfe der vorab geschilderten Prozessschritte ver
wirklichen. Neben der bereits in der Beschreibung der
Fig. 15 und 16 beschriebenen Möglichkeit, die Ab
scheideschicht 32 sowie die Schicht 34 gleichzeitig
zu strukturieren beziehungsweise die Strukturierung
der Abscheideschicht 32 zunächst zu unterlassen,
diese zunächst ganzflächig zu belassen und erst zu
letzt zur Anlage elektrisch isolierter Kontaktpads 36
zu ätzen, kann hierzu ergänzend auch die darunter
liegende Epipolysiliziumschicht 16 bearbeitet werden,
so dass sich die Öffnung 54, über die später eine
Kontaktierung erfolgen kann, mit einem Prozessschritt
erzeugen lässt. Bei einer elektrochemischen Ätzung
erfolgt wiederum Kontaktierung über die Rückseite des
Wafers. Hierbei sind die Schichten über die Stützele
mente 50 elektrisch verbunden, so dass eine bevorzugt
hohe Permeabilität im Bereich der Stützelemente 50
durch Bildung von porösem Silizium eingestellt wird.
Diese elektrische Kontaktierung der Schicht 32 kann
auch neben dem Sensorbereich 28 zum Substrat 10 hin
erfolgen.
Claims (39)
1. Sensor mit zumindest einer mikromechanischen
Struktur auf Siliziumbasis, die in einem Sensorraum
eines Grundwafers integriert ist, und zumindest einer
den Grundwafer im Bereich des Sensorraumes abdecken
den Abdeckung, dadurch gekennzeichnet, dass die Ab
deckung (13) aus einer für ein Ätzmedium und die
Reaktionsprodukte durchlässigen ersten Schicht (32)
(Abscheideschicht) und einer darüber liegenden herme
tisch dichtenden zweiten Schicht (34) (Abdichtungs
schicht) besteht.
2. Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass die Abscheideschicht (32) im Bereich des Sensor
raumes (28) permeabel für das Ätzmedium und die Reak
tionsprodukte ist.
3. Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass die Abscheideschicht (32) im Bereich des Sensor
raumes (28) Ätzöffnungen (52) aufweist.
4. Sensor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
dass die Ätzöffnungen (52) einen Durchmesser von 0,1
bis 5 µm haben.
5. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die Abscheideschicht
(32) an ihrer Unterseite Stützelemente (50) aufweist,
die eine Verbindung zwischen dem Grundwafer (11) und
der Abdeckung (13) schaffen.
6. Sensor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
dass die Stützelemente (50) parallel zur Struktur
(26) angeordnete Stützstreben sind, die den Sensor
raum (28) umlaufen und deren Abstand in einem Bereich
von 5 bis 1000 µm liegt.
7. Sensor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
dass die Stützelemente (50) umlaufende Stützstreben
oder Stützsäulen sind.
8. Sensor nach den Ansprüchen 3 und 5, dadurch ge
kennzeichnet, dass die Ätzöffnungen (52) im Bereich
der Stützelemente (50) angeordnet sind, so dass eine
direkte Exposition der Struktur (26) mit dem die Ab
dichtungsschicht (34) bildenden Material bei dessen
Deposition vermieden wird und die Stabilität der Ab
scheideschicht (32) erhalten bleibt.
9. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die Abscheideschicht
(32) aus Polysilizium ist.
10. Sensor nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
dass die Abscheideschicht (32) in Bereiche hoher,
niedriger oder fehlender Porosität unterteilt ist,
wobei die Bereiche hoher Porosität weitestgehend
oberhalb der Sensorräume (28) liegen.
11. Sensor nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
dass auf der Abscheideschicht (32) in Bereichen mit
niedriger oder fehlender Porosität eine metallische
Maskierungsschicht, insbesondere aus einem Metall,
das edler als Silizium ist, aufgebracht ist.
12. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die Abdichtungsschicht
(34) ein Isolator, insbesondere aus Siliziumnitrid
oder Siliziumoxid, ist.
13. Sensor nach einem der Ansprüchen 1 bis 11, da
durch gekennzeichnet, dass die Abdichtungsschicht
(34) aus Metall, insbesondere aus Aluminium, besteht.
14. Sensor nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet,
dass die Struktur (26) im Sensorraum (28) mit einer
Antihaftschicht bedeckt ist.
15. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor ein Beschleu
nigungssensor oder Drehratensensor ist.
16. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor ein kapaziti
ver Drucksensor ist.
17. Sensor nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet,
dass bei dem kapazitiven Drucksensor eine seismische
Masse (38, 44) direkt oder über ein Kupplungselement
(42) an die Abdeckung (13) gebunden ist.
18. Verfahren zur Herstellung eines Sensors mit zu
mindest einer mikromechanischen Struktur auf Sili
ziumbasis, die in einem Sensorraum eines Grundwafers
integriert ist, und einer den Grundwafer zumindest im
Bereich des Sensorraumes abdeckenden Abdeckung, da
durch gekennzeichnet, dass
- a) zumindest der im Grundwafer (11) nach Etablie rung der Struktur (26) vorhandene Sensorraum (28) mit einem Oxid (30), insbesondere CVD-Oxid oder porösen Oxid, gefüllt wird,
- b) der Sensorraum (28) mit einer für ein Ätzmedium und die Reaktionsprodukte transparenten oder nachträglich transparent gemachten ersten Schicht (32) (Abscheideschicht), insbesondere aus Polysilizium, bedeckt wird,
- c) das Oxid (30) in dem Sensorraum (28) durch die Abscheideschicht (32) hindurch mit dem Ätzme dium entfernt wird und
- d) anschließend eine zweite Schicht (34) (Abdich tungsschicht), insbesondere aus Metall oder ei nem Isolator, auf die Abscheideschicht (32) aufgebracht wird, die den Sensorraum (28) her metisch abdichtet.
19. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeich
net, dass vor dem Aufbringen der Abscheideschicht
(32) das Oxid (30) in Bereichen außerhalb des Sensor
raumes (28) durch Ätzen oder Schleifen, insbesondere
CMP-Schleifen, entfernt wird (Planarisierung der
Oberfläche des Grundwafers).
20. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeich
net, dass vor dem Aufbringen der Abscheideschicht
(32) das Oxid (30) in Bereichen außerhalb des Sensor
raumes (28) durch maskiertes Ätzen strukturiert wird
(Strukturieren der Oberfläche des Grundwafers).
21. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeich
net, dass das Oxid (30) in Bereichen, in denen ein
Stützelement (50) an der Unterseite des Kappenberei
ches als Bindeglied zwischen Grundwafer (11) und Ab
deckung (13) vorgesehen ist, entfernt wird.
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 21, da
durch gekennzeichnet, dass in die Abscheideschicht
(32) durch Ätzen, insbesondere durch maskiertes Plas
maätzen, Ätzöffnungen mit einem Durchmesser von 0,1
bis 5 µm eingebracht werden.
23. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 22, da
durch gekennzeichnet, dass die Permeabilität der Ab
scheideschicht (32) durch einen elektrochemischen
Ätzvorgang, indem beispielsweise als Elektrolyt ein
Flusssäure-Ethanol-Gemisch dient, erzwungen wird.
24. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeich
net, dass die Oberseite der Abscheideschicht (32) mit
einer Maskierschicht (46) bedeckt wird, die in den zu
porosifizierenden Bereichen (48) entfernt wird.
25. Verfahren nach einem der Ansprüche 23 oder 24,
dadurch gekennzeichnet, dass ein elektrischer An
schluss durch Anlegen eines anodisches Potentials an
eine Oberseite der Abscheideschicht (32) erfolgt.
26. Verfahren nach einem der Ansprüche 23 oder 24,
dadurch gekennzeichnet, dass der elektrische An
schluss durch Anlegen eines anodischen Potentials an
eine Unterseite der Abscheideschicht (32) über eine
tiefer liegende Schicht des Grundwafers (11) oder den
Grundwafer (11) selbst erfolgt.
27. Verfahren nach einem der Ansprüche 23 bis 26, da
durch gekennzeichnet, dass über eine Dotierung der
Abscheideschicht (32) die Permeabilität beeinflusst
wird.
28. Verfahren nach Anspruch 27, dadurch gekennzeich
net, dass eine p-Dotierung der Abscheideschicht (32)
zur Erzeugung mesoporöser Poren genutzt wird.
29. Verfahren nach Anspruch 27, dadurch gekennzeich
net, dass eine n-Dotierung der Abscheideschicht (32)
zur Erzeugung von Ätzöffnungen (52) mit einem Durch
messer von einigen 10 Nanometern bis maximal 10 µm
genutzt wird.
30. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 22, da
durch gekennzeichnet, dass die Permeabilität der Ab
scheideschicht (32) durch ein maskiertes
Stain-Etch-Verfahren erzwungen wird.
31. Verfahren nach Anspruch 30, dadurch gekennzeich
net, dass das Stain-Etch-Verfahren mittels einer Mi
schung aus Flusssäure, Salpetersäure und Wasser er
folgt und über die Mischverhältnisse und die Exposi
tionszeiten die Porosität und die Ätztiefe der porö
sen Schicht in die Abscheideschicht (32) eingestellt
wird.
32. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 22, da
durch gekennzeichnet, dass die Permeabilität der Ab
scheideschicht (32) durch ein galvanisches Verfahren
erreicht wird, indem eine Metallschicht in dem nicht
zu verändernden Bereich aufgebracht wird (Maskie
rung), und dass während des anschließenden galvani
schen Prozesses an einer Grenzfläche zwischen
HF-Elektrolyt und der unmaskierten Abscheideschicht (32)
eine Ätzung erfolgt in Abhängigkeit von einer Strom
dichte und/oder eines Flächenverhältnisses Me
tall/Silizium und/oder einer Elektrolytzusammenset
zung.
33. Verfahren nach einem der Ansprüche 23, 30 oder
32, dadurch gekennzeichnet, dass zusätzlich während
des Ätzvorganges eine Bestrahlung in einem Wellenlän
genbereich von 100 nm bis 1000 nm, bevorzugt zwischen
350 nm bis 800 nm, stattfindet.
34. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 33, da
durch gekennzeichnet, dass die Abdichtungsschicht
(34) durch ein maskiertes Ätzverfahren strukturiert
wird.
35. Verfahren nach Anspruch 34, dadurch gekennzeich
net, dass das maskierte Ätzverfahren eine Strukturie
rung der Abscheideschicht (32) umfasst.
36. Verfahren nach Anspruch 35, dadurch gekennzeich
net, dass das maskierte Ätzverfahren zusätzlich eine
Strukturierung einer oberen Schicht des Grundwafers
(11), insbesondere aus Epipolysilizium, umfasst.
37. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 36, da
durch gekennzeichnet, dass über die Druckbedingungen
während der Deposition der Abdichtungsschicht (34)
der Druck innerhalb des Sensorraumes (28) eingestellt
wird.
38. Verfahren nach Anspruch 37, dadurch gekennzeich
net, dass vor der Deposition der Abdichtungsschicht
(34) der Druck innerhalb des Sensorraumes (28) durch
Beaufschlagung mit einem Inertgas, insbesondere He
lium, bei einer vorgegebenen Temperatur eingestellt
wird.
39. Verfahren nach Anspruch 38, dadurch gekennzeich
net, dass die Deposition der Abdichtungsschicht (34)
bereits in einer inertgashaltigen Atmosphäre startet
und allmählich die optimalen Betriebsparameter für
ein Depositionsplasma eingestellt werden.
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US10/168,584 US6936902B2 (en) | 1999-12-21 | 2000-12-14 | Sensor with at least one micromechanical structure and method for production thereof |
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---|---|---|---|
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---|---|
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---|---|---|---|
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---|---|
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DE (1) | DE19961578A1 (de) |
WO (1) | WO2001046066A2 (de) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1306348A1 (de) * | 2001-10-24 | 2003-05-02 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Membransensoreinheit sowie Membransensoreinheit |
WO2003070625A2 (en) * | 2002-02-19 | 2003-08-28 | Northrop Grumman Corporation | Thin film encapsulation of mems devices |
EP1352877A2 (de) * | 2002-04-12 | 2003-10-15 | Dalsa Semiconductor Inc. | MEMS Verpackung auf Waferebene |
FR2841380A1 (fr) * | 2002-06-25 | 2003-12-26 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'encapsulation d'un objet sous atmosphere controlee |
WO2004109769A2 (en) | 2003-06-04 | 2004-12-16 | Robert Bosch Gmbh | Microelectromechanical systems and methods for encapsulating |
WO2004108585A2 (en) | 2003-06-04 | 2004-12-16 | Robert Bosch Gmbh | Microelectromechanical systems having trench isolated contacts, and methods for fabricating same |
WO2006074871A1 (de) * | 2005-01-12 | 2006-07-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum erzeugen eines vorgegebenen innendrucks in einem hohlraum eines halbleiterbauelements |
DE102006058927A1 (de) * | 2006-12-12 | 2008-06-19 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Differenzdruckwandler |
DE102007030121A1 (de) * | 2007-06-29 | 2009-01-02 | Litef Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Bauteils und Bauteil |
US7514283B2 (en) * | 2003-03-20 | 2009-04-07 | Robert Bosch Gmbh | Method of fabricating electromechanical device having a controlled atmosphere |
DE102008040522A1 (de) | 2008-07-18 | 2010-01-21 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur und mikromechanische Struktur |
US7851248B2 (en) | 2006-10-19 | 2010-12-14 | Robert Bosch Gmbh | Method for producing a micromechanical component having a thin-layer capping |
DE102005043906B4 (de) * | 2004-09-16 | 2012-02-16 | Denso Corporation | Sensor vom kapazitiven Typ für eine physikalische Größe, der einen Sensorchip und einen Schaltkreischip aufweist |
DE102010041900A1 (de) | 2010-10-04 | 2012-04-05 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauelements und entsprechendes mikromechanisches Bauelement |
DE102011080978A1 (de) | 2011-08-16 | 2013-02-21 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur und mikromechanische Struktur |
DE102012200655A1 (de) | 2012-01-18 | 2013-07-18 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Anordnung und mikromechanische Anordnung |
DE102007008380B4 (de) * | 2007-02-21 | 2017-05-11 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements |
DE102011079222B4 (de) | 2011-07-15 | 2022-05-12 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur |
Families Citing this family (55)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10047189C1 (de) * | 2000-09-23 | 2002-02-21 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Insassenklassifikation mit einer Sitzmatte im Fahrzeugsitz |
DE10123039A1 (de) * | 2001-05-11 | 2002-11-21 | Bosch Gmbh Robert | Sensoranordnung, insbesondere mikromechanische Sensoranordnung |
EP1497490B1 (de) * | 2002-04-10 | 2012-08-22 | Fisher & Paykel Appliances Limited | Wäschetrockner |
FR2838423B1 (fr) * | 2002-04-12 | 2005-06-24 | Thales Sa | Procede de fabrication d'une microstructure comportant une cavite sous vide et microstructure correspondante |
DE10231729B4 (de) * | 2002-07-13 | 2011-08-11 | Robert Bosch GmbH, 70469 | Bauelement mit einer oberflächenmikromechanischen Struktur |
US7317232B2 (en) * | 2002-10-22 | 2008-01-08 | Cabot Microelectronics Corporation | MEM switching device |
AU2003292630A1 (en) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic device and method of manufacturing the same |
WO2004083110A2 (de) * | 2003-03-18 | 2004-09-30 | Microgan Gmbh | Sensorelemente mit freitragenden balkenstrukturen aus halbleitern auf gruppe-iii-nitridbasis |
US6952041B2 (en) * | 2003-07-25 | 2005-10-04 | Robert Bosch Gmbh | Anchors for microelectromechanical systems having an SOI substrate, and method of fabricating same |
DE10352001A1 (de) * | 2003-11-07 | 2005-06-09 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauelement mit einer Membran und Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements |
US7625603B2 (en) * | 2003-11-14 | 2009-12-01 | Robert Bosch Gmbh | Crack and residue free conformal deposited silicon oxide with predictable and uniform etching characteristics |
FR2864341B1 (fr) * | 2003-12-19 | 2006-03-24 | Commissariat Energie Atomique | Microcomposant a cavite hermetique comportant un bouchon et procede de fabrication d'un tel microcomposant |
DE102004010295A1 (de) * | 2004-03-03 | 2005-09-22 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren |
DE102004015442A1 (de) * | 2004-03-30 | 2005-10-20 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum Verschließen von perforierten Membranen |
US7037745B2 (en) * | 2004-05-06 | 2006-05-02 | Dalsa Semiconductor Inc. | Method of making electrical connections to hermetically sealed MEMS devices |
DE102004023063A1 (de) * | 2004-05-11 | 2005-12-01 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanische piezoresistive Drucksensorenvorrichtung |
FR2870638B1 (fr) * | 2004-05-18 | 2006-08-18 | Alcatel Sa | Procede et dispositif d'encapsulation, notamment pour dispositifs micromecaniques |
JP2006043813A (ja) * | 2004-08-04 | 2006-02-16 | Denso Corp | 保護膜付きマイクロシステム構造体及びその製造方法 |
US7261793B2 (en) * | 2004-08-13 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | System and method for low temperature plasma-enhanced bonding |
FR2875927B1 (fr) * | 2004-09-24 | 2006-12-08 | Commissariat Energie Atomique | Procede de protection d'une puce electronique, puce electronique autoprotegee et procede de fabrication de la puce |
KR100692593B1 (ko) * | 2005-01-24 | 2007-03-13 | 삼성전자주식회사 | Mems 구조체, 외팔보 형태의 mems 구조체 및밀봉된 유체채널의 제조 방법. |
US20060273065A1 (en) * | 2005-06-02 | 2006-12-07 | The Regents Of The University Of California | Method for forming free standing microstructures |
US7956428B2 (en) | 2005-08-16 | 2011-06-07 | Robert Bosch Gmbh | Microelectromechanical devices and fabrication methods |
US20070128758A1 (en) * | 2005-12-01 | 2007-06-07 | Keisuke Tanaka | Semiconductor device and method for fabricating the same |
US8129801B2 (en) * | 2006-01-06 | 2012-03-06 | Honeywell International Inc. | Discrete stress isolator attachment structures for MEMS sensor packages |
US20070162880A1 (en) * | 2006-01-12 | 2007-07-12 | Honeywell International Inc. | Single event transient immune antenna diode circuit |
US20070170528A1 (en) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Aaron Partridge | Wafer encapsulated microelectromechanical structure and method of manufacturing same |
US8062497B2 (en) * | 2006-03-28 | 2011-11-22 | Imec | Method for forming a hermetically sealed cavity |
US7456042B2 (en) * | 2006-06-04 | 2008-11-25 | Robert Bosch Gmbh | Microelectromechanical systems having stored charge and methods for fabricating and using same |
US7824943B2 (en) * | 2006-06-04 | 2010-11-02 | Akustica, Inc. | Methods for trapping charge in a microelectromechanical system and microelectromechanical system employing same |
US7563633B2 (en) * | 2006-08-25 | 2009-07-21 | Robert Bosch Gmbh | Microelectromechanical systems encapsulation process |
US20080290494A1 (en) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Markus Lutz | Backside release and/or encapsulation of microelectromechanical structures and method of manufacturing same |
DE102007044806A1 (de) * | 2007-09-20 | 2009-04-02 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements |
US7690272B2 (en) * | 2007-09-28 | 2010-04-06 | Endevco Corporation | Flexural pivot for micro-sensors |
FR2923475B1 (fr) * | 2007-11-09 | 2009-12-18 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'un dispositif a membrane suspendue |
US8310053B2 (en) * | 2008-04-23 | 2012-11-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of manufacturing a device with a cavity |
EP2269946B1 (de) | 2009-06-29 | 2018-10-03 | STMicroelectronics Srl | Verschlossene integrierte Vorrichtung mit Schutzkappe, Verbundstoffwafer mit integrierten Vorrichtungen und Verfahren zum Bonden von integrierten Vorrichtungen mit den entsprechenden Schutzkappen |
ITTO20090616A1 (it) | 2009-08-05 | 2011-02-06 | St Microelectronics Srl | Procedimento di fabbricazione di dispositivi mems dotati di cavita' sepolte e dispositivo mems cosi' ottenuto |
EP2327658B1 (de) * | 2009-11-30 | 2018-07-04 | IMEC vzw | Verfahren zur Herstellung von mikroelektronischen Vorrichtungen und Vorrichtungen gemäß derartiger Verfahren |
EP2327659B1 (de) * | 2009-11-30 | 2018-07-11 | IMEC vzw | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und damit hergestellte Halbleiterbauelemente |
WO2011100068A2 (en) * | 2010-02-12 | 2011-08-18 | Eigenlight Corporation | Hermetic package with leaded feedthroughs for in-line fiber optic devices and method of making |
US8916944B2 (en) * | 2010-03-26 | 2014-12-23 | Elmos Semiconductor Ag | Stress-sensitive micro-electromechanical device and use thereof |
JP5206726B2 (ja) * | 2010-04-12 | 2013-06-12 | 株式会社デンソー | 力学量検出装置およびその製造方法 |
US9259289B2 (en) | 2011-05-13 | 2016-02-16 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Estimation of a position and orientation of a frame used in controlling movement of a tool |
US20130032385A1 (en) * | 2011-08-03 | 2013-02-07 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Metal thin shield on electrical device |
US9355790B2 (en) * | 2013-06-27 | 2016-05-31 | Intel Corporation | Energy storage devices having enhanced specific energy and associated methods |
FR3008690B1 (fr) * | 2013-07-22 | 2016-12-23 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif comportant un canal fluidique muni d'au moins un systeme micro ou nanoelectronique et procede de realisation d'un tel dispositif |
KR20150043748A (ko) * | 2013-10-15 | 2015-04-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
US10522429B2 (en) * | 2015-11-30 | 2019-12-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
TWI637899B (zh) * | 2015-12-15 | 2018-10-11 | 村田製作所股份有限公司 | 微機電裝置和製造其之方法 |
US10192850B1 (en) | 2016-09-19 | 2019-01-29 | Sitime Corporation | Bonding process with inhibited oxide formation |
IT201800006160A1 (it) * | 2018-06-08 | 2019-12-08 | Procedimento di fabbricazione di un dispositivo microelettromeccanico avente una struttura sospesa sepolta e relativo dispositivo microelettromeccanico | |
JP7119202B2 (ja) * | 2019-02-20 | 2022-08-16 | 京セラ株式会社 | 蓋体、パッケージ、電子装置および電子モジュール |
DE102019214414A1 (de) * | 2019-09-23 | 2021-03-25 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauteil für eine Druck- und Inertialsensorvorrichtung |
DE102021205736A1 (de) * | 2021-06-08 | 2022-12-08 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Mikromechanisches Bauteil für eine Sensorvorrichtung |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4665610A (en) * | 1985-04-22 | 1987-05-19 | Stanford University | Method of making a semiconductor transducer having multiple level diaphragm structure |
US4766666A (en) * | 1985-09-30 | 1988-08-30 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Semiconductor pressure sensor and method of manufacturing the same |
GB2198611B (en) * | 1986-12-13 | 1990-04-04 | Spectrol Reliance Ltd | Method of forming a sealed diaphragm on a substrate |
US5090254A (en) | 1990-04-11 | 1992-02-25 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Polysilicon resonating beam transducers |
US5139624A (en) * | 1990-12-06 | 1992-08-18 | Sri International | Method for making porous semiconductor membranes |
US5338416A (en) * | 1993-02-05 | 1994-08-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Electrochemical etching process |
DE19537814B4 (de) | 1995-10-11 | 2009-11-19 | Robert Bosch Gmbh | Sensor und Verfahren zur Herstellung eines Sensors |
US5919364A (en) * | 1996-06-24 | 1999-07-06 | Regents Of The University Of California | Microfabricated filter and shell constructed with a permeable membrane |
US6156585A (en) * | 1998-02-02 | 2000-12-05 | Motorola, Inc. | Semiconductor component and method of manufacture |
US6279402B1 (en) * | 1998-08-10 | 2001-08-28 | Applied Materials, Inc. | Device for measuring pressure in a chamber |
-
1999
- 1999-12-21 DE DE19961578A patent/DE19961578A1/de not_active Ceased
-
2000
- 2000-12-14 WO PCT/DE2000/004454 patent/WO2001046066A2/de active Application Filing
- 2000-12-14 US US10/168,584 patent/US6936902B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-01-03 US US11/028,370 patent/US7273764B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1306348A1 (de) * | 2001-10-24 | 2003-05-02 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Membransensoreinheit sowie Membransensoreinheit |
WO2003070625A2 (en) * | 2002-02-19 | 2003-08-28 | Northrop Grumman Corporation | Thin film encapsulation of mems devices |
WO2003070625A3 (en) * | 2002-02-19 | 2004-03-25 | Northrop Grumman Corp | Thin film encapsulation of mems devices |
US7045459B2 (en) | 2002-02-19 | 2006-05-16 | Northrop Grumman Corporation | Thin film encapsulation of MEMS devices |
US7638429B2 (en) | 2002-02-19 | 2009-12-29 | Northrop Grumman Corporation | Thin film encapsulation of MEMS devices |
EP1352877A2 (de) * | 2002-04-12 | 2003-10-15 | Dalsa Semiconductor Inc. | MEMS Verpackung auf Waferebene |
EP1352877A3 (de) * | 2002-04-12 | 2004-11-17 | Dalsa Semiconductor Inc. | MEMS Verpackung auf Waferebene |
FR2841380A1 (fr) * | 2002-06-25 | 2003-12-26 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'encapsulation d'un objet sous atmosphere controlee |
US7514283B2 (en) * | 2003-03-20 | 2009-04-07 | Robert Bosch Gmbh | Method of fabricating electromechanical device having a controlled atmosphere |
US9771257B2 (en) | 2003-03-20 | 2017-09-26 | Robert Bosch Gmbh | Electromechanical system having a controlled atmosphere, and method of fabricating same |
US20110298065A1 (en) * | 2003-03-20 | 2011-12-08 | Aaron Partridge | Electromechanical system having a controlled atmosphere, and method of fabricating same |
US8018077B2 (en) | 2003-03-20 | 2011-09-13 | Robert Bosch Gmbh | Electromechanical system having a controlled atmosphere, and method of fabricating same |
EP1633673A4 (de) * | 2003-06-04 | 2011-07-06 | Bosch Gmbh Robert | Mikroelektromechanische systeme mit grabenisolierten kontakten und herstellungsverfahren dafür |
EP1634328B1 (de) * | 2003-06-04 | 2019-12-04 | Robert Bosch Gmbh | Mikroelektromechanische systeme und verfahren zum einkapseln und herstellen derselben |
WO2004109769A2 (en) | 2003-06-04 | 2004-12-16 | Robert Bosch Gmbh | Microelectromechanical systems and methods for encapsulating |
EP3527529A1 (de) * | 2003-06-04 | 2019-08-21 | Robert Bosch GmbH | Mikroelektromechanische systeme mit grabenisolierten kontakten und verfahren zu deren herstellung |
WO2004108585A2 (en) | 2003-06-04 | 2004-12-16 | Robert Bosch Gmbh | Microelectromechanical systems having trench isolated contacts, and methods for fabricating same |
EP1633673A2 (de) * | 2003-06-04 | 2006-03-15 | Robert Bosch Gmbh | Mikroelektromechanische systeme mit grabenisolierten kontakten und herstellungsverfahren dafür |
DE102005043906B4 (de) * | 2004-09-16 | 2012-02-16 | Denso Corporation | Sensor vom kapazitiven Typ für eine physikalische Größe, der einen Sensorchip und einen Schaltkreischip aufweist |
WO2006074871A1 (de) * | 2005-01-12 | 2006-07-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum erzeugen eines vorgegebenen innendrucks in einem hohlraum eines halbleiterbauelements |
US7410828B2 (en) | 2005-01-12 | 2008-08-12 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | Method of creating a predefined internal pressure within a cavity of a semiconductor device |
US7851248B2 (en) | 2006-10-19 | 2010-12-14 | Robert Bosch Gmbh | Method for producing a micromechanical component having a thin-layer capping |
DE102006058927A1 (de) * | 2006-12-12 | 2008-06-19 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Differenzdruckwandler |
DE102007008380B4 (de) * | 2007-02-21 | 2017-05-11 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements |
DE102007030121A1 (de) * | 2007-06-29 | 2009-01-02 | Litef Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Bauteils und Bauteil |
US8258590B2 (en) | 2007-06-29 | 2012-09-04 | Northrop Grumman Litef Gmbh | Method for the production of a component, and component |
DE102008040522A1 (de) | 2008-07-18 | 2010-01-21 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur und mikromechanische Struktur |
DE102010041900A1 (de) | 2010-10-04 | 2012-04-05 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauelements und entsprechendes mikromechanisches Bauelement |
DE102011079222B4 (de) | 2011-07-15 | 2022-05-12 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur |
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