DE10006738A1 - Lichtemittierendes Bauelement mit verbesserter Lichtauskopplung und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Lichtemittierendes Bauelement mit verbesserter Lichtauskopplung und Verfahren zu seiner Herstellung

Info

Publication number
DE10006738A1
DE10006738A1 DE10006738A DE10006738A DE10006738A1 DE 10006738 A1 DE10006738 A1 DE 10006738A1 DE 10006738 A DE10006738 A DE 10006738A DE 10006738 A DE10006738 A DE 10006738A DE 10006738 A1 DE10006738 A1 DE 10006738A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
light
window
semiconductor component
emitting
emitting semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE10006738A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10006738C2 (de
Inventor
Dominik Eisert
Volker Haerle
Frank Kuehn
Manfred Mundbrod-Vangerow
Uwe Straus
Ulrich Zehnder
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE20022541U priority Critical patent/DE20022541U1/de
Priority to DE10006738A priority patent/DE10006738C2/de
Priority to AU2001225045A priority patent/AU2001225045A1/en
Priority to JP2001560457A priority patent/JP5283811B2/ja
Priority to EP00988672.2A priority patent/EP1256134B1/de
Priority to PCT/DE2000/004269 priority patent/WO2001061764A1/de
Priority to CNB008190178A priority patent/CN1223016C/zh
Priority to US09/781,753 priority patent/US6730939B2/en
Priority to CNB018050786A priority patent/CN100521257C/zh
Priority to CN2009101489461A priority patent/CN101604723B/zh
Priority to AU2001239182A priority patent/AU2001239182A1/en
Priority to JP2001560458A priority patent/JP5231701B2/ja
Priority to EP01913666A priority patent/EP1256135A1/de
Priority to US10/203,728 priority patent/US7205578B2/en
Priority to EP20100177668 priority patent/EP2276075A1/de
Priority to PCT/DE2001/000600 priority patent/WO2001061765A1/de
Publication of DE10006738A1 publication Critical patent/DE10006738A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10006738C2 publication Critical patent/DE10006738C2/de
Priority to US10/837,828 priority patent/US7195942B2/en
Priority to US11/684,347 priority patent/US20070145402A1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/32257—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015—Shape
    • H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Abstract

Lichtemittierendes Halbleiterbauelement mit einer Mehrschichtstruktur, einer aktiven Schicht (10) innerhalb der Mehrschichtstruktur, elektrischen Kontakten (30, 40), die mit der aktiven Schicht (10) elektrisch verbunden sind und einem transparenten Fenster (20), das an einer Seite der Mehrschichtstruktur (10) anliegt. Das transparente Fenster (20) ist ausschließlich auf einer Seite der Mehrschichtstruktur (10, 11, 12) angeordnet und weist mindestens eine Seitenfläche (20a) auf, die relativ zur Mehrschichtstruktur derart schräg oder konkav verläuft oder gestuft ist, dass sich das Fenster (20) in Richtung von der Mehrschichtstruktur (10, 11, 12) weg verengt, und weist einen senkrecht zur Mehrschichtstruktur verlaufenden Seitenwandteil (20b) auf, der, gesehen von der Mehrschichtstruktur, der schräg oder konkav verlaufenden oder gestuften Seitenfläche (20a) nachgeordnet ist und sich an diese anschließt. DOLLAR A Es ist weiterhin ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Bauelements sowie ein optisches Bauelement mit einem derartigen Halbleiterbauelement angegeben.

Description

Die Erfindung betrifft ein lichtemittierendes Halbleiter- Bauelement mit einer Mehrschichtstruktur, einer aktiven Schicht innerhalb der Mehrschichtstruktur, Metallkontakten, die mit der aktiven Schicht elektrisch verbunden sind und ei­ nem transparenten Fenster, das an einer Seite der Mehr­ schichtstruktur anliegt und eine Seitenoberfläche aufweist, die im Übergangsbereich zur Mehrschichtstruktur einen spitzen Winkel mit dieser einschließt. Die Erfindung betrifft weiter ein lichtemittierendes optisches Bauelement mit einem licht­ emitierenden Halbleiter-Bauelement sowie ein Verfahren zur Herstellung des lichtemittierenden Halbleiter-Bauelements.
Ein lichtemittierendes Halbleiter-Bauelement der genannten Art ist aus der DE 198 07 758 A1 bekannt. Zur Vermeidung von Wiederholungen wird der Inhalt dieser Schrift zum Inhalt der Beschreibung gemacht. Zusammengefaßt bewirken die unter­ schiedlichen optischen Brechungsindices von Halbleitermate­ rialien optischer Halbleiter-Bauelemente wie zum Beispiel von LEDs oder Halbleiterlasern, daß das in der aktiven Schicht des Bauelements erzeugte Licht aufgrund des hohen Brechungs­ index' der Halbleitermaterialien nur zu einigen Prozent in den Außenraum, typischerweise Luft, mit niedrigerem Bre­ chungsindex ausgekoppelt wird. Bei vorgegebenem elektrischen Strom, der das Halbleiter-Bauelement zur Erzeugung des Lichts durchfließt, ist damit die Helligkeit des Bauelements be­ grenzt. Typischerweise werden für lichtemittierende optische Bauelemente quaderförmige Halbleiter-Bauelemente eingesetzt.
Die Lichtauskopplung kann gesteigert werden, wenn gemäß der DE 198 07 758 A1 ein transparentes Fenster auf die obere Sei­ te des Halbleiterbauelements aufgebracht wird, dessen durch­ gehende Seitenoberfläche einen stumpfen Winkel bezüglich der mehrschichtigen Heterostruktur aufweist. Darüber hinaus ist es vorgesehen, zusätzlich zu dem Fenster auf der Oberseite des Halbleiterbauelements eventuell ein weiteres Fenster auf der Unterseite des Halbleiterbauelements anzubringen. Beide Fenster wirken an ihren Grenzflächen als Reflektor, der die an senkrechten Seitenflächen vermehrt auftretende Totalrefle­ xion reduziert. Dadurch wird die direkte Lichtauskopplung er­ höht und die Absorption durch lange optische Wege und viele Reflexionen gemindert.
Üblicherweise wird ein derartiges Halbleiterbauelement jedoch in ein Gehäuse eingebaut. Bei dem bekannten Bauelement be­ steht durch den Aufbau die Gefahr, daß bei einer automati­ schen Montage des Bauelements in ein Gehäuse eine Verkippung auftreten kann, da die untere Fläche die kleinste Fläche ist, über der der weitausladende obere Fensterbereich angeordnet ist. Dies unterbleibt, wenn nur ein oberes Fenster, nicht je­ doch das untere Fenster vorhanden sind. Andererseits besteht bei der Dicke eines eventuell vorhandenen unteren Fensters von maximal 250 µm die Gefahr, daß dieses Fenster bei der Mon­ tage des Bauelements in das Gehäuse teilweise von Klebstoff abgedeckt wird, der für die Montage notwendig ist. Anderer­ seits koppeln optische Halbleiterbauelemente vorwärts, d. h. in Richtung senkrecht zur aktiven Schicht, nach oben Licht aus. Die bekannte Anordnung eignet sich jedoch nur für Mate­ rialsysteme, z. B. GaP, insbesondere für das nach oben gerich­ tete Fenster, die stromleitend sind. Im System Gallium-Nitrid sind nur dünne Schichten stromleitend, so dass die bekannte Anordnung nur begrenzt einsetzbar ist.
Zur Verbesserung der Lichtauskopplung ist andererseits vorge­ schlagen worden, Halbleiterbauelemente mit schrägen Seiten­ flächen beispielsweise in Dreiecksform oder in rhomboedri­ scher Form zu erzeugen, siehe hierzu die Veröffentlichung Song Jae Lee, Seog Won Song: "Efficiency Improvement in Light-Emitting Diodes Based on Geometrically Deformed Chips", SPIE Conference on Light-Emitting Diodes, San Jose, California, January 1999, Seiten 237 bis 248. In diesen Anordnungen werden die Reflexionen im Chip erhöht, weil die Reflexions­ winkel sich häufig ändern. Gleichzeitig müssen jedoch die lichterzeugende Schicht, die Kontakte oder anderen Schichten des Halbleiterbauelements vorgesehen sein, um möglichst wenig Licht zu absorbieren.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein für die Massenproduktion geeignetes lichtemittierendes Halbleiterbauelement für unter­ schiedliche Materialsysteme anzugeben, das in der Lage ist, möglichst viel Licht auszukoppeln. Weitere Aufgabe der Erfin­ dung ist es, ein lichtemittierendes optisches Bauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung anzugeben.
Die Erfindung löst diese Aufgabe mit den Merkmalen der Pa­ tentansprüche 1, 8 und 11.
Bei einem lichtemittierenden Halbleiterbauelement der ein­ gangs genannten Art ist das Fenster ausschließlich unterhalb der Mehrschichtstruktur angeordnet und die schräg zur Mehr­ schichtstruktur verlaufenden Seitenwände des Fensters gehen in einen senkrecht zur Mehrschichtstruktur verlaufenden Sei­ tenwandteil mit würfelförmiger Struktur über.
Dies hat den Vorteil, daß die Fläche des Halbleiterbauele­ ments auf seiner Unterseite nicht stark verkleinert wird, so daß bei einer automatisierten Montage in ein Gehäuse Kippmo­ mente des Chips reduziert sind und deshalb ein Verkippen des Bauelements verringert wird. Dies hat andererseits den Vor­ teil, daß genau der würfelförmige untere Bauelementteil, der wenig Licht extrahiert, in ein Gehäuse eingeklebt werden kann. Weiterhin ergibt sich der Vorteil, daß die obere Bau­ elementfläche groß genug ist, um möglichst viel Licht direkt nach oben auskoppeln zu können, ohne daß weitere Verluste in einem zusätzlichen oberen Fenster entstehen. Darüber hinaus eignet sich das erfindungsgemäße Halbleiter-Bauelement für Materialsysteme wie (In)(Al)(Ga)N, in denen nur dünne Schichten stromleitend sind. Das erfindungsgemäße Halbleiterbauele­ ment ist in der Lage, Licht bereits beim ersten Cipdurchlauf auszukoppeln und reduziert deshalb an seinen Seitenflächen die Totalreflexionen, erhöht die direkte Lichtauskopplung und verringert die Absorption durch lange optische Wege und viele Reflexionen im Bauelement bzw. angrenzenden Fensterbereichen.
In besonders vorteilhaften Ausgestaltungen der Erfindung ist vorgesehen, daß die schrägen Seitenwände des Fensters alter­ nativ in einer oder in mehreren Stufen in den senkrechten Seitenwandteil übergehen oder daß ein fließender Übergang in den senkrechten Seitenwandteil erfolgt.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist vorgesehen, daß mindestens der Bereich des Fensters mit schräger Seiten­ wand aufgerauht ist.
Besonders vorteilhaft ist es, wenn das Fenster das Substrat ist, wie zum Beispiel bei Bauelementen mit Siliziumcarbidsub­ strat.
In einer anderen Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, daß der Brechungsindex des Fensters höher ist als der Bre­ chungsindex der Licht erzeugenden aktiven Schicht.
Bei einem lichtemittierenden optischen Bauelement, das ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement aufnimmt, ist vorgese­ hen, daß das Halbleiterbauelement in einer Ausnehmung eines Grundkörpers montiert ist und dessen Metallkontakte mit elek­ trischen Anschlüssen des Grundkörpers verbunden sind.
In einer bevorzugten Ausgestaltung dieses optischen Bauele­ ments ist vorgesehen, daß die Seitenwände der Ausnehmung als Reflektor ausgebildet sind.
Besonders bevorzugt ist eine Ausführungsform, bei der die Seitenwände der Ausnehmung so ausgebildet sind, daß die über die schrägen Seitenwände des Fensters des Halbleiterbauele­ ments ausgekoppelten Lichtstrahlen in eine vorgegebene Rich­ tung zur aktiven Schicht nach oben reflektiert werden.
Bei einem Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauelements gemäß der Erfindung ist vorgesehen, daß nach dem Aufbringen der Mehrschichtstruktur auf einem großflächigem Wafer bzw. Fenster in die so erzeugte Struktur von der Rück­ seite, d. h. der der aktiven Schicht gegenüberleigenden Ober­ fläche mit einem Sägeblatt mit Formrand bis zu einer vorgege­ benen Tiefe eingesägt wird, in der der blattförmige Teil des Sägeblattes in das Substrat sägt, daß danach das Vereinzeln der großflächigen Waferanordnung mit der aufgebrachten Mehr­ schichtstruktur an den eingesägten Schnitten erfolgt und daß danach die vereinzelten Bauelemente fertiggestellt werden.
In einem bevorzugten Ausführungsverfahren ist vorgesehen, daß die Metallkontakte bereits vor dem Einsägen der Waferrücksei­ te hergestellt werden.
Bevorzugte Verfahrensschritte für das Vereinzeln der Bauele­ mente aus dem großflächigem Substrat sind das Brechen an den Schnittkanten oder das Einsägen mit einem zweiten Sägeschnitt an den ersten Einschnitten.
In weiteren bevorzugten Ausführungsformen ist vorgesehen, daß das Einsägen von der Waferrückseite mit einem Sägeblatt er­ folgt, dessen Rand V-förmig ist oder eine vorgegebene Kurven­ form hat.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den Figuren der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläu­ tert. Es zeigen:
Fig. 1 bis 5 schematische Querschnitte durch alterna­ tive Ausführungsformen des erfindungsgemäßen lichtemit­ tierenden Halbleiterbauelements
Fig. 6 einen Vergleich des Abstrahlsverhaltens zwischen einem herkömmlichen lichtemittierenden Halbleiterbauele­ ment und einem erfindungsgemäßen lichtemittierenden Halbleiterbauelement,
Fig. 7 eine schematische Querschnittsdarstellung eines er­ findungsgemäßen lichtemittierenden optischen Bauelements und
Fig. 8 bis 11 Ausführungsschritte für ein Verfahren zur Herstellung eines erfindungsgemäßen lichtemittierenden Halbleiter-Bauelements.
Fig. 1 zeigt rein schematisch einen Querschnitt durch ein erfindungsgemäßes lichtemittierendes Halbleiterbauelement. Die das Licht erzeugende aktive Schicht 10 liegt innerhalb einer Mehrschichtstruktur mit den oberhalb der aktiven Schicht angeordneten Schicht bzw. Schichten 11 und den unter­ halb der aktiven Schicht angeordneten Schicht bzw. Schichten 12. Der genaue Aufbau dieser Mehrschichtstruktur ist abhängig vom Materialsystem und den gewünschten Eigenschaften des Bau­ elements. Einzelheiten sind aus dem Stand der Technik wohl bekannt, so daß in diesem Zusammenhang hierauf nicht näher eingegangen wird.
Die Mehrschichtstruktur ist zum Beispiel durch Epitaxiever­ fahren auf einem Substrat 20 hergestellt, das an seiner Un­ terseite einen elektrischen Kontakt 40 aufweist. Oberhalb der Mehrschichtstruktur 10 bis 12 befindet sich ein zweiter elek­ trischer Kontakt 30, der im Ausführungsbeispiel großflächig die obere Oberfläche der Mehrschichtstruktur bedeckt. Der elektrische Kontakt 30 ist so dünn ausgeführt, daß er für das aus der aktiven Schicht nach oben abgestrahlte Licht weitge­ hendst durchlässig ist. Dies ist bei einer GaN-Struktur bei­ spielsweise durch eine Platinschicht von wenigen nm, z. B. 6 nm möglich. Aus diesem Grund kann der Kontakt großflächig die Oberseite der Mehrschichtstruktur abdecken. Auf dem Kontakt 30 kann ein undurchsichtiger kleinflächiger Bondpad vorgese­ hen sein. In Ausführungsformen, in denen diese Voraussetzung nicht gegeben ist, das heißt der Kontakt dicker ist bzw. Licht undurchlässig, wird der Kontakt kleiner ausgeführt, so daß er nur einen Teil der Oberfläche der Mehrschichtstruktur bedeckt, so dass das Licht seitlich vom Kontakt austreten kann.
Der untere elektrische Kontakt 40 ist schematisch gezeichnet und kann einerseits zum direkten Anschluß von Bonddrähten, andererseits als Kontaktschicht ausgeführt sein, wenn das Halbleiterbauelement z. B. mit einem leitfähigen Kleber in ein Gehäuse einmontiert wird.
In dem dargestellten Ausführungsbeispiel ist das Fenster 20 vorzugsweise aus Siliziumcarbid, während die Mehrschicht­ struktur auf Galiumnitridbasis ausgebildet ist. Das bedeutet, daß die Mehrschichtstruktur die Elemente Indium, Aluminium, Gallium enthält. Dieses Materialsystem ist nur dann elek­ trisch leitend, wenn die Schichten dünn sind. Aus diesem Grund ist die Mehrschichtstruktur aus dünnen Schichten gebil­ det, damit ein Stromfluß zwischen den Elektroden 30 und 40 zustande kommt. Bekannt ist dabei, daß Siliziumcarbid leitend ist. Deshalb kann der Metallkontakt 40 als Gitternetz ausge­ führt sein.
In einem anderen Materialsystem können die Schichten 10 bis 12 und das Substrat anders ausgebildet sein. Beispielsweise ist im Materialsystem GaP mit den Elementen Indium, Alumini­ um, Gallium auch eine Leitfähigkeit bei dicken Schichten mög­ lich. Substrat kann Saphir oder SiC sein. Während deshalb im diesem Materialsystem auch oberhalb der Mehrschichtstruktur 10 bis 12 noch ein transparentes Fenster angeordnet sein könnte, kann ein derartiges Fenster im Materialsystem von Galliumnitrid nicht angebracht werden.
Gemäß der Erfindung ist nun vorgesehen, daß das in diesem Ausführungsbeispiel z. B. als Substrat gebildete transparente Fenster 20 an seiner Oberseite an der Mehrschichtstruktur an­ liegt und daß die Seitenoberfläche des transparenten Fensters im Übergangsbereich zur Mehrschichtstruktur einen spitzen Winkel α mit der Mehrschichtstruktur einschließt. Die zu­ nächst schräg unter dem Winkel α zur Mehrschichtstruktur bzw. zur aktiven Schicht 10 verlaufenden Seitenwände 20a ge­ hen in Richtung des Metallkontakts 40 in eine senkrecht zur Mehrschichtstruktur verlaufende Seitenwand 20b über, so daß der untere Teil des Fensters unmittelbar oberhalb des Metall­ kontakts 20 für sich betrachtet einen würfelförmigen Aufbau hat. α kann in einem Bereich von z. B. 20° bis 80° liegen, je nach gewünschtem Abstrahlverhalten. Besonders günstig ist ein Winkel von 30°.
Im Ausführungsbeispiel ist das Fenster aus Siliziumcarbid und die Mehrschichtstruktur auf Galliumnitridbasis aufgebaut und die von der aktiven Schicht erzeugte Lichtstrahlung kann nach oben in Richtung des Metallkontakts 30 unmittelbar aus der aktiven Schicht ausgekoppelt werden. Nach unten und zur Seite ausgesandte Lichtstrahlen werden jedoch zunächst an der Grenzfläche zwischen der untersten Schicht der Mehrschicht­ struktur 10 bis 12 in das Fenster 20 gebrochen. Aufgrund der Tatsache, daß diese Lichtstrahlen, die nach außen in Richtung auf den Aussenraum des Halbleiter-Bauelements gerichtet sind, auf die unter dem Winkel α zur Mehrschichtstruktur verlau­ fende Seitenoberfläche des Substrats treffen, können diese Lichtstrahlen aus dem Fenster bzw. dem Substrat 20 ausgekop­ pelt werden, wie die Strahlen 1 bis 4 andeuten sollen.
Bei senkrecht zur aktiven Schicht verlaufender Seitenoberflä­ che wird dagegen fast kein Licht ausgekoppelt. Dies führt da­ zu, daß im oberen Teil des Fensters 20 mit den abgeschrägten Seitenoberflächen Licht nach außen ausgekoppelt werden kann, während im unteren Teil des Substrats mit der Würfelstruktur nahezu kein Licht nach außen ausgekoppelt wird und dieses damit dunkel bleibt. Bei der Betrachtung eines lichtaussenden­ den erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement erscheinen deshalb die Oberflächen der Mehrschichtstruktur und die schrägen Sei­ tenoberflächen des Substrats leuchtend, während der untere Teil mit würfelförmiger Struktur dunkel bleibt. Auf diese Weise ist es möglich, bis zu 80% oder mehr Licht aus dem lichtemittierenden Halbleiterbauelement auszukoppeln als bei würfelförmigem Substrat.
Das Ausführungsbeispiel der Fig. 2 unterscheidet sich von dem Ausführungsbeispiel der Fig. 1 im wesentlichen dadurch, daß die Seitenoberflächen 20c des Fensters 20 zusätzlich auf­ gerauht sind und deshalb eine nochmals verbesserte Lichtaus­ kopplung ermöglichen. In diesem Fall wird auch in dem unteren würfelförmigen Teil des Substrats Licht ausgekoppelt.
Gemäß Fig. 3, in der gleiche Elemente wie in Fig. 1 oder 2 mit gleichen Bezugszeichen versehen sind, schließt das Sub­ strat 23 zunächst einen spitzen Winkel β der Seitenoberfläche gegen die aktive Schicht 10 ein. Im weiteren Verlauf in Rich­ tung auf den Metallkontakt 40 ist die Seitenoberfläche ver­ laufend in Richtung auf den würfelförmigen Substratteil aus­ gebildet. Auf diese Weise ergibt sich ausgehend von den Ecken des Substrats bzw. dem Anschluß des Substrats an die Mehr­ schichtstruktur ein fließender Übergang der Seitenoberflächen vom zunächst spitzen Winkel β bis zur senkrecht zur aktiven Schicht verlaufenden Seitenoberfläche des kubischen Teils. Wie schematisch angedeutet ist, ändert sich dadurch das Aus­ koppelverhalten insbesondere gegenüber der Fig. 1 deutlich, jedoch werden auch bei dieser Anordnung im Bereich des Sub­ strats mit Seitenoberflächen, die unter einem spitzen Winkel zur aktiven Schicht verlaufen, deutlich mehr Lichtstrahlen 31 bis 33 ausgekoppelt als bei einer Würfelform. In den Fig. 1 bis 3 hat das Substrat 20 bzw. 23 einen höheren Brechungs­ index als die Licht erzeugende Schicht der Mehrschichtstruk­ tur.
Gemäß Fig. 4 ist vorgesehen, daß das Fenster 24 eine zacken­ förmige Seitenoberfläche hat, die zwar zunächst unter einem spitzen Winkel an die Mehrschichtstruktur anschließt, aber mit der einhüllenden der Zackenstruktur im wesentlichen in einem rechen Winkel gegenüber der aktiven Schicht angeordnet ist. Bei dieser Anordnung ist im großen eine kubische Struk­ tur erhalten. Jedoch zeigt auch diese Anordnung durch die zackenförmige Struktur und damit durch die veränderten Winkel gegenüber einer kubischen Struktur mit glatten Seitenwänden ein verbessertes Lichtauskoppelverhalten. Allerdings werden viele Strahlen, im Ausführungsbeispiel der Strahl 43 in das Substrat reflektiert, während der Strahl 44 in Richtung auf den Metallkontakt 40 weggebrochen wird.
Gemäß Fig. 5 ist eine Anordnung vorgesehen, bei der das Fen­ ster 25 bis nahezu zum unteren Metallkontakt 40 unter einem schrägen Winkel der Seitenoberflächen, bezogen auf die aktive Schicht 10 verläuft. Hierbei ist es wesentlich, daß sich die Fläche des Bauelements am unteren Metallkontakt 40 nicht we­ sentlich verjüngt, damit eine automatisierte Montage in ein Gehäuse möglich ist. Es kann eine zusätzliche Stützfunktion auftreten, indem die Unterseite des Substrats in ein Gehäuse eingeklebt wird, wobei der leitfähige Kleber an den unteren Seiten herausquellen und somit zusätzlich stützen kann, siehe gestrichelt angedeutete Kleberoberfläche 55.
Die Dicke des Fensters 20 in allen Ausführungen der Fig. 1 bis 5 beträgt vorzugsweise zwischen 50 µm und 250 µm. Ein Kle­ bekontakt an der Unterseite des Fensters in einem Gehäuse sollte dabei eine Höhe von 50 µm nicht überschreiten. Vorteil einer derartigen Konstruktion ist dabei eine größere Stand­ fläche durch den an den Seiten der Unterseite des Fensters herausquellenden Klebers, die zusätzlich eine größere Wär­ meabfuhr neben größerer Stabilität erlaubt.
Gemäß Fig. 6 ist eine Simulation des Abstrahlverhaltens von herkömmlichen kubischen Chips und erfindungsgemäßen Halbleiter-Bauelementen dargestellt. Das Diagramm gibt dabei den Ab­ strahlwinkel in 360°-Darstellung sowie die Abstrahlintensität in die jeweiligen Richtungen anhand von konzentrischen Krei­ sen an. Gemäß Fig. 6a ist erkennbar, daß ein bekannter Licht emittierender Chip nach oben in Richtung 0° und im wesentli­ chen mit zwei weiteren schmalen Keulen in Richtung 125° und 235° abstrahlt. Demgegenüber zeigt das erfindungsgemäße Halb­ leiterbauelement gemäß Fig. 6b eine gegenüber Fig. 6a deut­ lich erhöhte Strahlintensität zwischen den Winkeln 330 und 30°. Darüber hinaus sind die zwischen 90° und 270° ausgekop­ pelten Lichtkeulen sowohl in ihrem Winkelbereich deutlich verbreitert als auch in ihrer Intensität erheblich erhöht ge­ genüber den Keulen der Fig. 6a. Das bedeutet insbesondere, daß eine Keule zwischen etwa 95° und 130° abstrahlt in einer Hauptrichtung, die nahezu waagerecht aus dem Chip herausgeht. Zwischen 180° und 270° wird eine spiegelbildliche Keule aus­ gekoppelt. Insgesamt ergibt sich mit einer Anordnung gemäß den Fig. 1 bis 5 entsprechend Fig. 6b ein deutlich, d. h. um 80% oder mehr verbessertes Lichtauskoppelverhalten im Ver­ gleich zu einem bekannten lichtemittierenden Halbleiterbau­ element.
Gemäß Fig. 7 ist vorgesehen, daß ein erfindungsgemäßes Halb­ leiterbauelement gemäß z. B. den Fig. 1 bis 5 in die Aus­ nehmung 71 eines Grundkörpers 70 montiert ist. Der Grundkör­ per kann beispielsweise wie in Fig. 7 dargestellt, ein Lei­ terteil einer Radial-LED sein, der elektrisch mit den Metall­ kontakt 40 des Halbleiterbauelements kontaktiert ist, während der Metallkontakt 30 mit einem Bonddraht mit dem zweiten An­ schluß 72 der LED verbunden ist. Die Gesamtanordnung ist mit einem transparenten Material 73 umhüllt.
Ebenso gut kann das erfindungsgemäße lichtemittierende Halb­ leiterbauelement in das Gehäuse bzw. den Grundkörper einer nach oben abstrahlenden oberflächenmontierbaren LED angeord­ net sein. Auch dort ist ein Grundkörper gebildet, der eine Ausnehmung aufweist, in der das Halbleiterbauelement montiert wird.
Die Seitenwände 74 der Ausnehmung 71 des Grundkörpers 70 sind als Reflektor ausgebildet, was entweder durch die Wahl des Materials des Grundkörpers oder durch eine Beschichtung der Ausnehmung erfolgen kann. Der Reflektor ist zweckmäßig, um das gemäß Fig. 6b seitwärts nach unten abgestrahlte Licht nutzbar nach vorne in Richtung des Metallkontakts 30 des Halbleiterbauelements abzustrahlen. Die Form des Reflektors 74 ist dabei so gewählt, daß sich die gewünschte Abstrahlcha­ rakteristik ergibt. Für stark nach oben bzw. nach vorn ge­ richtete Strahlung ist eine Reflektorform zweckmäßig, deren Seitenneigung nach außen hin zunimmt, beispielsweise in Form einer Halbparabel.
Gemäß den Fig. 8 bis 11 wird die Herstellung eines erfin­ dungsgemäßen lichtemittierenden Halbleiterbauelements skiz­ ziert. In Fig. 8 sind schematisch mit den Bezugszeichen ge­ mäß Fig. 1 die lichtemittierende Schicht 10 sowie das Fen­ ster 20 gekennzeichnet. Im Ausführungsbeispiel ist die lich­ temittierende Schicht dabei an Stellen vorgesehen, an denen das spätere lichtemittierende Bauelement erzeugt werden soll. Mit ansich bekannten Methoden wird dabei gemäß Fig. 8 zu­ nächst auf dem Substrat 20 die nicht näher dargestellte Mehr­ schichtstruktur mit den jeweiligen aktiven Schichten 10 er­ zeugt. Die Herstellungsmethoden umfassen dabei insbesondere Maskierungs- und Beschichtungstechniken, z. B. Epitaxiever­ fahren.
Gemäß der Erfindung wird nach der Erzeugung der Mehrschicht­ struktur die Anordnung von der Rückseite, d. h. von der Fen­ sterseite mit einem Profilsägeblatt eingesägt, dessen Rand R eine vorgegebene Form aufweist. Im Ausführungsbeispiel ist der Rand v-förmig ausgebildet. Das Einsägen erfolgt nun so, daß das Substrat nicht nur mit der Spitze des v-förmigen Sä­ geblattes 80 angeritzt wird, sondern daß der Schnitt so tief ausgeführt wird, daß auch der blattförmige Teil des Sägeblat­ tes in das Substrat einsägt. Es ergibt sich damit ein Säge­ schnitt S1, der zunächst mit senkrechten Wänden in das Sub­ strat hineingeht, um danach entsprechend der Randform R des Sägeblattes, in diesem Fall v-förmig zuzulaufen. Möglich ist auch ein runder oder anders geformter Profilrand. Die nach dem Sägen zwischen der Einkerbung im Substrat und der lichtemit­ tierenden Schicht verbleibende Resthöhe H beträgt typisch 10 µm bis 100 µm. Fig. 9 zeigt noch einmal bezogen auf Fig. 1, wie zwischen dem v-förmigen Einschnitt und der lichtemittie­ renden Schicht 10 der Winkel α gemäß Fig. 1 gebildet wird.
Nach dem Ansägen gemäß Fig. 8 werden die Bauelemente, abhän­ gig von der Resthöhe H, entweder durch ein Keilbrechverfahren gemäß Fig. 10 oder durch einen zweiten Sägeschnitt verein­ zelt. Dazu wird die eingeschnittene Anordnung gemäß Fig. 8 auf einen Träger T aufgeklebt. Gemäß Fig. 10 erfolgt dann von der freien Unterseite des Trägers ein Aufbrechen der Resthöhe H mit Hilfe eines Brechkeils. Gemäß Fig. 11 ist es alternativ möglich, mit einem zweiten Sägeschnitt S2 den Wa­ fer zu zerteilen, so daß die einzelnen Halbleiterbauelemente vereinzelt werden.
Die Auswahl der Randform R des Profilsägeblattes richtet sich nach den gewünschten Seitenoberflächen des Substrats und die­ se wiederum danach, wie eine maximale Lichtauskopplung er­ reicht werden kann. Abhängig von den Brechungsindices des Halbleitermaterials und der Umgebung bzw. des Substrats lie­ gen typische Winkel α bei einem v-förmigen Sägeschnitt zwi­ schen 20° und 80°.

Claims (16)

1. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement mit
  • - einer Mehrschichtstruktur,
  • - einer aktiven Schicht innerhalb der Mehrschichtstruktur,
  • - Metallkontakten, die mit der aktiven Schicht elektrisch verbunden sind und
  • - einem transparenten Fenster, das an einer Seite der Mehr­ schichtstruktur anliegt und eine Seitenoberfläche aufweist, die im Übergangsbereich zur Mehrschichtstruktur einen spit­ zen Winkel mit dieser einschließt,
dadurch gekennzeichnet, daß das Fenster (20) ausschließlich unterhalb der Mehr­ schichtstruktur (10, 11, 12) angeordnet ist und die schräg zur Mehrschichtstruktur verlaufenden Seitenwände (20a) in einen senkrecht zur Mehrschichtstruktur verlaufenden Seitenwandteil (20b) übergehen.
2. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die schrägen Seitenwände des Fensters in einer Stufe oder in mehreren Stufen in den senkrechten Seitenwandteil überge­ hen.
3. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der spitze Winkel (α) der Seitenwand des Fensters verlau­ fend in den senkrechten Seitenwandteil übergeht.
4. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens der Bereich des Fenster mit schräger Seiten­ wand aufgerauht (20c) ist.
5. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Fenster (20) das elektrisch kontaktierte Substrat bildet.
6. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Brechungsindex des Fensters größer als der Brechungs­ index des Halbleitermaterials, insbesondere der aktiven Schicht ist.
7. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Fenster aus Siliciumcarbid besteht.
8. Lichtemittierendes optisches Bauelement mit einem lich­ temittierenden Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, das in einer Ausnehmung (71) eines Grundkörpers (70) montiert ist und dessen Metallkontakte (30, 40) mit elektri­ schen Anschlüssen (71, 75) des Grundkörpers verbunden sind.
9. Lichtemtierendes optisches Bauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Seitenwände der Ausnehmung als Reflektor (74) ausge­ bildet sind.
10. Lichtemittierendes optisches Bauelement nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Seitenwände der Ausnehmung so ausgebildet sind, daß über die schrägen Seitenwände des Fensters des Halbleiterbau­ elements abgestrahltes Licht in einer vorgegebenen Richtung zur aktiven Schicht nach oben reflektiert wird.
11. Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Halb­ leiterbauelements nach einem der Patentansprüche 1 bis 7, gekennzeichnet durch die folgenden Sehritte:
- Aufbringen der Mehrschichtstruktur (10, 11, 12) auf einem großflächige Substrat (20) bzw. Wafer,
  • - Einsägen in die so erzeugte Struktur von der Substratrück­ seite mit einem Sägeblatt (80) mit Formrand (R) bis zu ei­ ner vorgegebenen Tiefe, in der der blattförmige Teil des Sägeblattes in das Substrat sägt,
  • - Vereinzeln der eingesägten Struktur an den eingesägten Schnitten und
  • - Fertigstellen des vereinzelten Bauelements.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß das Vereinzeln durch ein Brechverfahren oder einen zwei­ ten Sägeschnitt erfolgt.
13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallkontakte vor dem Einsägen der Substratseite auf den freien Oberflächen des Substrats bzw. der Mehrschicht­ struktur hergestellt werden.
14. Verfahren nach Anspruch 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Einsägen mit einem Sägeblatt mit v-förmigen Rand er­ folgt.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Einsägen mit einem Sägeblatt mit einem Rand mit vor­ gegebener Kurvenform erfolgt.
DE10006738A 2000-02-15 2000-02-15 Lichtemittierendes Bauelement mit verbesserter Lichtauskopplung und Verfahren zu seiner Herstellung Expired - Fee Related DE10006738C2 (de)

Priority Applications (18)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE20022541U DE20022541U1 (de) 2000-02-15 2000-02-15 Lichtemittierendes Bauelement mit verbesserter Lichtauskopplung
DE10006738A DE10006738C2 (de) 2000-02-15 2000-02-15 Lichtemittierendes Bauelement mit verbesserter Lichtauskopplung und Verfahren zu seiner Herstellung
AU2001225045A AU2001225045A1 (en) 2000-02-15 2000-11-30 Radiation-emitting semiconductor element, method for production thereof and radiation emitting optical component
JP2001560457A JP5283811B2 (ja) 2000-02-15 2000-11-30 放射線を発する半導体デバイス、その製造方法及び放射線を発する光学素子
EP00988672.2A EP1256134B1 (de) 2000-02-15 2000-11-30 Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement, verfahren zu seiner herstellung und strahlungsemittierendes optisches bauelement
PCT/DE2000/004269 WO2001061764A1 (de) 2000-02-15 2000-11-30 Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement, verfahren zu seiner herstellung und strahlungsemittierendes optisches bauelement
CNB008190178A CN1223016C (zh) 2000-02-15 2000-11-30 发射辐射的半导体器件,其制造方法及发射辐射的光学器件
US09/781,753 US6730939B2 (en) 2000-02-15 2001-02-12 Radiation emitting semiconductor device
PCT/DE2001/000600 WO2001061765A1 (de) 2000-02-15 2001-02-15 Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung
AU2001239182A AU2001239182A1 (en) 2000-02-15 2001-02-15 Semiconductor component which emits radiation, and method for producing the same
CNB018050786A CN100521257C (zh) 2000-02-15 2001-02-15 发射辐射半导体器件及其制造方法
EP01913666A EP1256135A1 (de) 2000-02-15 2001-02-15 Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung
US10/203,728 US7205578B2 (en) 2000-02-15 2001-02-15 Semiconductor component which emits radiation, and method for producing the same
EP20100177668 EP2276075A1 (de) 2000-02-15 2001-02-15 Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
CN2009101489461A CN101604723B (zh) 2000-02-15 2001-02-15 发射辐射半导体器件
JP2001560458A JP5231701B2 (ja) 2000-02-15 2001-02-15 放射線を発する半導体デバイス及びその製造方法
US10/837,828 US7195942B2 (en) 2000-02-15 2004-05-03 Radiation emitting semiconductor device
US11/684,347 US20070145402A1 (en) 2000-02-15 2007-03-09 Semiconductor component which emits radiation, and method for producing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10006738A DE10006738C2 (de) 2000-02-15 2000-02-15 Lichtemittierendes Bauelement mit verbesserter Lichtauskopplung und Verfahren zu seiner Herstellung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10006738A1 true DE10006738A1 (de) 2001-09-13
DE10006738C2 DE10006738C2 (de) 2002-01-17

Family

ID=7631003

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10006738A Expired - Fee Related DE10006738C2 (de) 2000-02-15 2000-02-15 Lichtemittierendes Bauelement mit verbesserter Lichtauskopplung und Verfahren zu seiner Herstellung

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6730939B2 (de)
EP (1) EP1256134B1 (de)
JP (1) JP5283811B2 (de)
CN (2) CN1223016C (de)
AU (1) AU2001225045A1 (de)
DE (1) DE10006738C2 (de)
WO (1) WO2001061764A1 (de)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10139723A1 (de) * 2001-08-13 2003-03-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Chip und strahlungsemittierendes Bauelement
DE10139798A1 (de) * 2001-08-14 2003-03-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
US6710544B2 (en) 2001-02-07 2004-03-23 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühiampen mbH Reflector-containing semiconductor component
DE10258193A1 (de) * 2002-12-12 2004-07-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von Leuchtdioden-Lichtquellen mit Lumineszenz-Konversionselement
DE10261672A1 (de) * 2002-12-31 2004-07-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Chip mit Konversionsstoff, optoelektronisches Bauelement mit einem derartigen LED-Chip und Verfahren zum Herstllen eines derartigen LED-Chips
US6956241B2 (en) 2002-04-05 2005-10-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting element with improved light extraction efficiency
US7129528B2 (en) 2002-09-30 2006-10-31 Osram Gmbh Electromagnetic radiation emitting semiconductor chip and procedure for its production
US7824941B2 (en) 2002-10-30 2010-11-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing an LED light source comprising a luminescence conversion element
EP2276075A1 (de) 2000-02-15 2011-01-19 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US7943944B2 (en) 2002-07-31 2011-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh GaN-based radiation-emitting thin-layered semiconductor component
DE102011116534A1 (de) * 2011-10-20 2013-04-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
US8604497B2 (en) 2003-09-26 2013-12-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting thin-film semiconductor chip
DE102014114613A1 (de) * 2014-10-08 2016-04-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an strahlungsemittierenden Halbleiterchips und optoelektronisches Bauelement mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip
DE102015101143A1 (de) * 2015-01-27 2016-07-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US10615324B2 (en) 2013-06-14 2020-04-07 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Tiny 6 pin side view surface mount LED

Families Citing this family (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030102527A1 (en) * 1997-12-31 2003-06-05 Bily Wang Method of fabricating light emitting diode package
DE10019665A1 (de) * 2000-04-19 2001-10-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip und Verfahren zu dessen Herstellung
US7050022B2 (en) * 2000-09-13 2006-05-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Display and its driving method
US6791119B2 (en) * 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
DE10111501B4 (de) * 2001-03-09 2019-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10148227B4 (de) 2001-09-28 2015-03-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zu dessen Herstellung und strahlungsemittierendes Bauelement
DE10241989A1 (de) * 2001-11-30 2003-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP3705791B2 (ja) 2002-03-14 2005-10-12 株式会社東芝 半導体発光素子および半導体発光装置
TWI236772B (en) * 2002-03-14 2005-07-21 Toshiba Corp Semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device
JP2004047748A (ja) 2002-07-12 2004-02-12 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード
US6995032B2 (en) * 2002-07-19 2006-02-07 Cree, Inc. Trench cut light emitting diodes and methods of fabricating same
DE10234976B4 (de) * 2002-07-31 2012-05-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenemittierender Halbleiterlaserchip und Verfahren zu dessen Herstellung
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
JP2006500767A (ja) * 2002-09-19 2006-01-05 クリー　インコーポレイテッド 発光ダイオード及びその製造方法
WO2004032248A2 (de) * 2002-09-30 2004-04-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung
DE10253911A1 (de) * 2002-09-30 2004-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10250915B4 (de) * 2002-10-31 2009-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Abscheidung eines Materials auf einem Substratwafer
MXPA05005658A (es) 2002-12-02 2005-08-16 3M Innovative Properties Co Sistema de iluminacion que utiliza una pluralidad de fuentes luminosas.
EP2365095A1 (de) 2003-02-26 2011-09-14 Callida Genomics, Inc. Zufallsarray DNA Analyse mittels Hybridisierung
DE10308866A1 (de) 2003-02-28 2004-09-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsmodul und Verfahren zu dessen Herstellung
JP3737494B2 (ja) 2003-06-10 2006-01-18 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置
JP3813599B2 (ja) * 2003-06-13 2006-08-23 ローム株式会社 白色発光の発光ダイオード素子を製造する方法
US7456035B2 (en) 2003-07-29 2008-11-25 Lumination Llc Flip chip light emitting diode devices having thinned or removed substrates
US20050104072A1 (en) 2003-08-14 2005-05-19 Slater David B.Jr. Localized annealing of metal-silicon carbide ohmic contacts and devices so formed
DE10339982B4 (de) * 2003-08-29 2009-10-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Aufbringen einer Antireflexschicht auf eine Mehrzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterchips
US7183587B2 (en) 2003-09-09 2007-02-27 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices
US7029935B2 (en) 2003-09-09 2006-04-18 Cree, Inc. Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same
JP4166136B2 (ja) * 2003-09-24 2008-10-15 ローム株式会社 チップ型ｌｅｄ
US20050116635A1 (en) * 2003-12-02 2005-06-02 Walson James E. Multiple LED source and method for assembling same
US7329887B2 (en) * 2003-12-02 2008-02-12 3M Innovative Properties Company Solid state light device
US20050116235A1 (en) * 2003-12-02 2005-06-02 Schultz John C. Illumination assembly
US7403680B2 (en) * 2003-12-02 2008-07-22 3M Innovative Properties Company Reflective light coupler
US7456805B2 (en) 2003-12-18 2008-11-25 3M Innovative Properties Company Display including a solid state light device and method using same
EP1706893A2 (de) 2003-12-24 2006-10-04 Gelcore LLC Laser-abhebung von saphir von einem nitrid-flipchip
US7280288B2 (en) * 2004-06-04 2007-10-09 Cree, Inc. Composite optical lens with an integrated reflector
US7456499B2 (en) 2004-06-04 2008-11-25 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US7322732B2 (en) 2004-12-23 2008-01-29 Cree, Inc. Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays
US7304694B2 (en) * 2005-01-12 2007-12-04 Cree, Inc. Solid colloidal dispersions for backlighting of liquid crystal displays
US7125734B2 (en) 2005-03-09 2006-10-24 Gelcore, Llc Increased light extraction from a nitride LED
KR100691179B1 (ko) * 2005-06-01 2007-03-09 삼성전기주식회사 측면 발광형 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
KR20090009772A (ko) 2005-12-22 2009-01-23 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치
KR20080106402A (ko) 2006-01-05 2008-12-05 일루미텍스, 인크. Ｌｅｄ로부터 광을 유도하기 위한 개별 광학 디바이스
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
CN101473453B (zh) * 2006-01-20 2014-08-27 科锐公司 通过在空间上隔开荧光片转换固态光发射器内的光谱内容
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
DE102006015788A1 (de) 2006-01-27 2007-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
WO2007105647A1 (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Nichia Corporation 発光装置
US7863639B2 (en) * 2006-04-12 2011-01-04 Semileds Optoelectronics Co. Ltd. Light-emitting diode lamp with low thermal resistance
US8373195B2 (en) 2006-04-12 2013-02-12 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light-emitting diode lamp with low thermal resistance
WO2007139780A2 (en) * 2006-05-23 2007-12-06 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and method of making
JP2009538532A (ja) 2006-05-23 2009-11-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明装置
US20080025037A1 (en) * 2006-07-28 2008-01-31 Visteon Global Technologies, Inc. LED headlamp
JP5214121B2 (ja) * 2006-08-07 2013-06-19 新光電気工業株式会社 発光装置
KR101262386B1 (ko) * 2006-09-25 2013-05-08 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법
WO2008042351A2 (en) 2006-10-02 2008-04-10 Illumitex, Inc. Led system and method
US9318327B2 (en) * 2006-11-28 2016-04-19 Cree, Inc. Semiconductor devices having low threading dislocations and improved light extraction and methods of making the same
JP2010512662A (ja) 2006-12-11 2010-04-22 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 透明発光ダイオード
WO2008073435A1 (en) * 2006-12-11 2008-06-19 The Regents Of The University Of California Lead frame for transparent and mirrorless light emitting diode
US20080258130A1 (en) * 2007-04-23 2008-10-23 Bergmann Michael J Beveled LED Chip with Transparent Substrate
EP2240968A1 (de) 2008-02-08 2010-10-20 Illumitex, Inc. System und verfahren zur bildung einer emitterschicht
US8058664B2 (en) 2008-09-26 2011-11-15 Bridgelux, Inc. Transparent solder mask LED assembly
US9252336B2 (en) * 2008-09-26 2016-02-02 Bridgelux, Inc. Multi-cup LED assembly
US8049236B2 (en) * 2008-09-26 2011-11-01 Bridgelux, Inc. Non-global solder mask LED assembly
US7887384B2 (en) * 2008-09-26 2011-02-15 Bridgelux, Inc. Transparent ring LED assembly
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
TWI470823B (zh) * 2009-02-11 2015-01-21 Epistar Corp 發光元件及其製造方法
DE102009032486A1 (de) * 2009-07-09 2011-01-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US8673662B2 (en) * 2009-07-29 2014-03-18 Tien-Tsai Lin Light-emitting diode cutting method and product thereof
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
US8466611B2 (en) 2009-12-14 2013-06-18 Cree, Inc. Lighting device with shaped remote phosphor
KR101658838B1 (ko) 2010-02-04 2016-10-04 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
DE102010027679A1 (de) 2010-07-20 2012-01-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP5671982B2 (ja) * 2010-11-30 2015-02-18 三菱化学株式会社 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
US8772817B2 (en) 2010-12-22 2014-07-08 Cree, Inc. Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias
TW201242084A (en) * 2011-04-15 2012-10-16 Lextar Electronics Corp Chip structure for enhancing light extraction efficiency and process using the same
US10096742B2 (en) * 2012-03-28 2018-10-09 Sensor Electronic Technology, Inc. Light emitting device substrate with inclined sidewalls
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
DE102012111065A1 (de) 2012-11-16 2014-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102013100711B4 (de) 2013-01-24 2021-07-01 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente
DE102013111503B4 (de) 2013-10-18 2021-08-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Vereinzelung von Halbleiterchips
US20160222833A1 (en) * 2015-02-03 2016-08-04 Borgwarner Inc. Waste heat recovery system layout and packaging strategy
KR102546307B1 (ko) 2015-12-02 2023-06-21 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
DE102016106570A1 (de) 2016-04-11 2017-10-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierender Halbleiterchip, lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauelements
DE102016106571A1 (de) 2016-04-11 2017-10-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierender Halbleiterchip, lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauelements
DE102018204615A1 (de) 2018-03-27 2019-10-02 Robert Bosch Gmbh Sensoranordnung für ein Fahrzeug
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device
US11894313B2 (en) * 2020-10-27 2024-02-06 Texas Instruments Incorporated Substrate processing and packaging

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2416098A1 (de) * 1974-04-03 1975-10-09 Siemens Ag Optische halbleiterstrahlungsquelle mit domfoermig ausgebildeter oberflaeche
DE2626564A1 (de) * 1975-06-17 1976-12-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Galliumphosphid-elektrolumineszenzsystem und verfahren zur herstellung desselben
EP0405757A2 (de) * 1989-06-27 1991-01-02 Hewlett-Packard Company Hocheffiziente Leuchtdioden
DE4305296A1 (de) * 1993-02-20 1994-08-25 Telefunken Microelectron Strahlungsemittierende Diode mit verbesserter Strahlungsleistung
DE4427840A1 (de) * 1994-07-28 1996-02-01 Osa Elektronik Gmbh Verfahren zur Effizienzerhöhung von A¶I¶¶I¶¶I¶B¶V¶ - Halbleiter-Chips
DE19536438A1 (de) * 1995-09-29 1997-04-03 Siemens Ag Halbleiterbauelement und Herstellverfahren
DE19807758A1 (de) * 1997-06-03 1998-12-10 Hewlett Packard Co Lichtemittierendes Element mit verbesserter Lichtextraktion durch Chipformen und Verfahren zum Herstellen desselben

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL293391A (de) 1962-06-01
JPS5361986A (en) 1976-11-15 1978-06-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor light emitting device
DE2813930A1 (de) 1978-03-31 1979-10-04 Agfa Gevaert Ag Lumineszenzdiode
US4459100A (en) 1980-05-01 1984-07-10 Philip Morris Incorporated Process for expansion of tobacco
US4407695A (en) 1981-12-31 1983-10-04 Exxon Research And Engineering Co. Natural lithographic fabrication of microstructures over large areas
JPS594088A (ja) * 1982-06-30 1984-01-10 Toshiba Corp 発光ダイオ−ド
JPS61110476A (ja) 1984-11-02 1986-05-28 Nec Corp 赤外発光ダイオ−ド
JPS61296780A (ja) 1985-06-25 1986-12-27 Nec Corp 発光ダイオ−ドの裏面電極形成方法
JPH0199266A (ja) 1987-10-13 1989-04-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体発光装置
US4965223A (en) * 1987-11-18 1990-10-23 Hewlett-Packard Company Method of manufacturing a partially opaque substrate red led
JP2650744B2 (ja) * 1988-12-28 1997-09-03 シャープ株式会社 発光ダイオード
JPH02146464U (de) * 1989-05-17 1990-12-12
US5087949A (en) 1989-06-27 1992-02-11 Hewlett-Packard Company Light-emitting diode with diagonal faces
JPH03227078A (ja) 1990-01-31 1991-10-08 Nec Corp 発光ダイオード
JP2874948B2 (ja) * 1990-03-30 1999-03-24 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
JPH04137771A (ja) * 1990-09-28 1992-05-12 Toshiba Corp 半導体装置
DE4130878C2 (de) * 1991-09-17 1997-04-10 Telefunken Microelectron Verfahren zur Herstellung von aus Halbleiterschichten bestehenden Lumineszenz-Halbleiterkörpern
JP3243303B2 (ja) 1991-10-28 2002-01-07 ゼロックス・コーポレーション 量子閉じ込め半導体発光素子及びその製造方法
US5309001A (en) 1991-11-25 1994-05-03 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting diode having a surface electrode of a tree-like form
US5233204A (en) 1992-01-10 1993-08-03 Hewlett-Packard Company Light-emitting diode with a thick transparent layer
US5349211A (en) * 1992-03-26 1994-09-20 Nec Corporation Semiconductor infrared emitting device with oblique side surface with respect to the cleavage
JPH05327012A (ja) * 1992-05-15 1993-12-10 Sanyo Electric Co Ltd 炭化ケイ素発光ダイオード
JPH07506174A (ja) * 1992-09-09 1995-07-06 マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー 機械構造物及び構成要素のためのその場で模写される内部粘性せん断ダンパ
HUT73312A (en) * 1992-09-14 1996-07-29 Badehi Method and apparatus for producing integrated circuit devices, and integrated circuit device
JPH0783136B2 (ja) 1993-02-10 1995-09-06 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JPH06310752A (ja) 1993-04-21 1994-11-04 Sanyo Electric Co Ltd 炭化ケイ素発光ダイオード素子
DE69433926T2 (de) 1993-04-28 2005-07-21 Nichia Corp., Anan Halbleitervorrichtung aus einer galliumnitridartigen III-V-Halbleiterverbindung
JPH0786635A (ja) * 1993-09-16 1995-03-31 Daido Steel Co Ltd 発光ダイオード
JPH07176787A (ja) 1993-10-25 1995-07-14 Omron Corp 半導体発光素子、発光装置、光結合装置、光学検知装置、光学的情報処理装置、投光器及び光ファイバモジュール
IL108359A (en) * 1994-01-17 2001-04-30 Shellcase Ltd Method and device for creating integrated circular devices
US6117707A (en) * 1994-07-13 2000-09-12 Shellcase Ltd. Methods of producing integrated circuit devices
JP3326545B2 (ja) * 1994-09-30 2002-09-24 ローム株式会社 半導体発光素子
CA2160079A1 (en) 1994-10-07 1996-04-08 Frank Harry Bria Lighter than air balloons
US5585648A (en) * 1995-02-03 1996-12-17 Tischler; Michael A. High brightness electroluminescent device, emitting in the green to ultraviolet spectrum, and method of making the same
JP3557011B2 (ja) 1995-03-30 2004-08-25 株式会社東芝 半導体発光素子、及びその製造方法
JPH0936431A (ja) 1995-07-13 1997-02-07 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP3241976B2 (ja) * 1995-10-16 2001-12-25 株式会社東芝 半導体発光素子
JP3176856B2 (ja) * 1995-12-14 2001-06-18 沖電気工業株式会社 端面発光型ｌｅｄ、端面発光型ｌｅｄアレイ、光源装置及びそれらの製造方法
JPH09172223A (ja) * 1995-12-19 1997-06-30 Sony Corp 半導体装置と半導体装置の製造方法
ID16181A (id) 1995-12-25 1997-09-11 Sony Corp Alat semi konduktor dengan permukaan terbelah
US5779924A (en) * 1996-03-22 1998-07-14 Hewlett-Packard Company Ordered interface texturing for a light emitting device
DE19632627A1 (de) 1996-08-13 1998-02-19 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines Licht aussendenden und/oder empfangenden Halbleiterkörpers
JP3255220B2 (ja) * 1996-09-11 2002-02-12 サンケン電気株式会社 半導体発光素子
JPH10256602A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Sharp Corp 半導体発光素子
JPH10326910A (ja) 1997-05-19 1998-12-08 Song-Jae Lee 発光ダイオードとこれを適用した発光ダイオードアレイランプ
US5962810A (en) * 1997-09-09 1999-10-05 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit package employing a transparent encapsulant
EP0926744B8 (de) 1997-12-15 2008-05-21 Philips Lumileds Lighting Company, LLC. Licht-emittierende Vorrichtung
US5998232A (en) 1998-01-16 1999-12-07 Implant Sciences Corporation Planar technology for producing light-emitting devices
US6329224B1 (en) * 1998-04-28 2001-12-11 Tessera, Inc. Encapsulation of microelectronic assemblies
EP0977277A1 (de) 1998-07-28 2000-02-02 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Strahlenemittierende Vorrichtungen mit hohem Wirkungsgrad und Herstellungsverfahren
US6291839B1 (en) 1998-09-11 2001-09-18 Lulileds Lighting, U.S. Llc Light emitting device having a finely-patterned reflective contact
US6459100B1 (en) 1998-09-16 2002-10-01 Cree, Inc. Vertical geometry ingan LED
RU2142661C1 (ru) 1998-12-29 1999-12-10 Швейкин Василий Иванович Инжекционный некогерентный излучатель
US6168965B1 (en) * 1999-08-12 2001-01-02 Tower Semiconductor Ltd. Method for making backside illuminated image sensor
US6630780B1 (en) * 2001-09-19 2003-10-07 Technical Consumer Products, Inc. Dual circular fluorescent lamp

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2416098A1 (de) * 1974-04-03 1975-10-09 Siemens Ag Optische halbleiterstrahlungsquelle mit domfoermig ausgebildeter oberflaeche
DE2626564A1 (de) * 1975-06-17 1976-12-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Galliumphosphid-elektrolumineszenzsystem und verfahren zur herstellung desselben
EP0405757A2 (de) * 1989-06-27 1991-01-02 Hewlett-Packard Company Hocheffiziente Leuchtdioden
DE4305296A1 (de) * 1993-02-20 1994-08-25 Telefunken Microelectron Strahlungsemittierende Diode mit verbesserter Strahlungsleistung
DE4427840A1 (de) * 1994-07-28 1996-02-01 Osa Elektronik Gmbh Verfahren zur Effizienzerhöhung von A¶I¶¶I¶¶I¶B¶V¶ - Halbleiter-Chips
DE19536438A1 (de) * 1995-09-29 1997-04-03 Siemens Ag Halbleiterbauelement und Herstellverfahren
DE19807758A1 (de) * 1997-06-03 1998-12-10 Hewlett Packard Co Lichtemittierendes Element mit verbesserter Lichtextraktion durch Chipformen und Verfahren zum Herstellen desselben

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Engl. Abstract von JP 53-61986 A *
Patents Abstracts of Japan: JP 4-164 376 A, E-1270, 1992, Vol. 16/No. 465 *
S.S. Lee und S.W. Song: Efficiency improvement in light-emitting cliocles based on geometrically deformed chips. SPIE Conference on Light-Emmitting Diocles: Research, Manufacturing and Applications III, San Jose, California, 1999, SPIE Vol. 3621, S. 237-248 *

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2276075A1 (de) 2000-02-15 2011-01-19 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US6710544B2 (en) 2001-02-07 2004-03-23 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühiampen mbH Reflector-containing semiconductor component
DE10139723A1 (de) * 2001-08-13 2003-03-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Chip und strahlungsemittierendes Bauelement
US7196359B2 (en) 2001-08-13 2007-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting chip and radiation-emitting component
DE10139798B9 (de) * 2001-08-14 2006-12-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement mit geometrisch optimierter Auskoppelstruktur
DE10139798A1 (de) * 2001-08-14 2003-03-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
US6768136B2 (en) 2001-08-14 2004-07-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation emitting structural element
DE10139798B4 (de) * 2001-08-14 2006-08-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement mit geometrisch optimierter Auskoppelstruktur
US6956241B2 (en) 2002-04-05 2005-10-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting element with improved light extraction efficiency
US7943944B2 (en) 2002-07-31 2011-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh GaN-based radiation-emitting thin-layered semiconductor component
US7129528B2 (en) 2002-09-30 2006-10-31 Osram Gmbh Electromagnetic radiation emitting semiconductor chip and procedure for its production
US7655488B2 (en) 2002-09-30 2010-02-02 Osram Gmbh Method for fabricating a plurality of electromagnetic radiation emitting semiconductor chips
US7442966B2 (en) 2002-09-30 2008-10-28 Osram Gmbh Electromagnetic radiation emitting semiconductor chip and procedure for its production
US7824941B2 (en) 2002-10-30 2010-11-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing an LED light source comprising a luminescence conversion element
DE10258193A1 (de) * 2002-12-12 2004-07-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von Leuchtdioden-Lichtquellen mit Lumineszenz-Konversionselement
DE10258193B4 (de) * 2002-12-12 2014-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von Leuchtdioden-Lichtquellen mit Lumineszenz-Konversionselement
US7223620B2 (en) 2002-12-12 2007-05-29 Osram Opto Semiconductor Gmbh Process for the production of light-emitting diode light sources with a luminescence conversion element
DE10261672A1 (de) * 2002-12-31 2004-07-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Chip mit Konversionsstoff, optoelektronisches Bauelement mit einem derartigen LED-Chip und Verfahren zum Herstllen eines derartigen LED-Chips
US8604497B2 (en) 2003-09-26 2013-12-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting thin-film semiconductor chip
DE102011116534A1 (de) * 2011-10-20 2013-04-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
US9379517B2 (en) 2011-10-20 2016-06-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting component
DE102011116534B4 (de) 2011-10-20 2022-06-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierendes Bauelement
US10615324B2 (en) 2013-06-14 2020-04-07 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Tiny 6 pin side view surface mount LED
DE102014114613A1 (de) * 2014-10-08 2016-04-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an strahlungsemittierenden Halbleiterchips und optoelektronisches Bauelement mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip
US10276748B2 (en) 2014-10-08 2019-04-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting semiconductor chip, method for producing a plurality of radiation-emitting semiconductor chips and optoelectronic component having a radiation-emitting semiconductor chip
DE102014114613B4 (de) 2014-10-08 2023-10-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an strahlungsemittierenden Halbleiterchips und optoelektronisches Bauelement mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip
US10115871B2 (en) 2015-01-27 2018-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component and method for producing same
DE102015101143A1 (de) * 2015-01-27 2016-07-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
CN1434984A (zh) 2003-08-06
CN1223016C (zh) 2005-10-12
EP1256134A1 (de) 2002-11-13
US20050003565A1 (en) 2005-01-06
US7195942B2 (en) 2007-03-27
EP1256134B1 (de) 2015-05-27
US20030173575A1 (en) 2003-09-18
JP5283811B2 (ja) 2013-09-04
US6730939B2 (en) 2004-05-04
CN101604723B (zh) 2013-02-06
JP2003523635A (ja) 2003-08-05
CN101604723A (zh) 2009-12-16
DE10006738C2 (de) 2002-01-17
AU2001225045A1 (en) 2001-08-27
WO2001061764A1 (de) 2001-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10006738C2 (de) Lichtemittierendes Bauelement mit verbesserter Lichtauskopplung und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10111501B4 (de) Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102010027253B4 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil
EP1977457B1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip
EP2612372B1 (de) Leuchtdiodenchip
DE102005041095A1 (de) Lichtemissionsvorrichtung und Lichtemissionselement
WO2003030271A2 (de) Strahlungsemittierender halbleiterchip, verfahren zu dessen herstellung und strahlungsemittierendes bauelement
DE102007019776A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente
WO2002056390A1 (de) Luminszenzdiode und verfahren zu deren herstellung
DE10308866A1 (de) Beleuchtungsmodul und Verfahren zu dessen Herstellung
DE112016000430T5 (de) Hocheffiziente leds und verfahren zu deren herstellung
DE112015000703B4 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102012108879B4 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip mit mehreren nebeneinander angeordneten aktiven Bereichen
EP2276075A1 (de) Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE112005003476T5 (de) Substratentfernungsprozess für LEDs mit hoher Lichtausbeute
DE10045149A1 (de) Licht emittierende Diode und Verfahren zu deren Herstellung
EP1592072A2 (de) Halbleiterchip für die Optoelektronik und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102008028886B4 (de) Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements
WO2012107289A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip mit verkapselter spiegelschicht
EP2279534B1 (de) Led-element mit dünnschicht-halbleiterbauelement auf galliumnitrid-basis
DE10307280B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Halbleiterbauelements
EP1547164B1 (de) Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung
DE102016106570A1 (de) Lichtemittierender Halbleiterchip, lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauelements
WO2012107290A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip mit verkapselter spiegelschicht
EP2619807B1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zu dessen herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH, 93049 REGENSBURG,

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee