DE02729921T1 - Mikrostrukturierung einer beschichtung auf einem substrat mittels lift-off, auf diese weise hergestellte substrate und deren verwendung - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract 29
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 37
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract 37
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract 11
- 150000007824 aliphatic compounds Chemical class 0.000 claims abstract 10
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract 5
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims abstract 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims abstract 4
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims abstract 3
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 claims abstract 3
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims abstract 3
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 15
- 230000004956 cell adhesive effect Effects 0.000 claims 11
- 125000001997 phenyl group Chemical class [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims 10
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims 10
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims 10
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N monobenzene Natural products C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 7
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 239000011243 crosslinked material Substances 0.000 claims 6
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 claims 6
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 claims 6
- -1 hydroxy, carboxy Chemical group 0.000 claims 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims 5
- HGINCPLSRVDWNT-UHFFFAOYSA-N Acrolein Chemical compound C=CC=O HGINCPLSRVDWNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229920006397 acrylic thermoplastic Chemical class 0.000 claims 4
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 125000005678 ethenylene group Chemical class [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 claims 4
- AQSJGOWTSHOLKH-UHFFFAOYSA-N phosphite(3-) Chemical class [O-]P([O-])[O-] AQSJGOWTSHOLKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Chemical class 0.000 claims 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims 4
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 claims 4
- ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl prop-2-enoate Chemical class CC(C)(C)OC(=O)C=C ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims 3
- 125000004916 (C1-C6) alkylcarbonyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000006619 (C1-C6) dialkylamino group Chemical group 0.000 claims 2
- NSGXIBWMJZWTPY-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane Chemical compound FC(F)(F)CC(F)(F)F NSGXIBWMJZWTPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- HFBMWMNUJJDEQZ-UHFFFAOYSA-N acryloyl chloride Chemical compound ClC(=O)C=C HFBMWMNUJJDEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000001246 bromo group Chemical group Br* 0.000 claims 2
- 125000003917 carbamoyl group Chemical group [H]N([H])C(*)=O 0.000 claims 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims 2
- NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(C)C NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000002346 iodo group Chemical group I* 0.000 claims 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims 2
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical group C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- BDZBKCUKTQZUTL-UHFFFAOYSA-N triethyl phosphite Chemical compound CCOP(OCC)OCC BDZBKCUKTQZUTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- CYTQBVOFDCPGCX-UHFFFAOYSA-N trimethyl phosphite Chemical compound COP(OC)OC CYTQBVOFDCPGCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000005051 trimethylchlorosilane Substances 0.000 claims 2
- 125000006727 (C1-C6) alkenyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000004191 (C1-C6) alkoxy group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000004454 (C1-C6) alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000006728 (C1-C6) alkynyl group Chemical group 0.000 claims 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 101100421142 Mus musculus Selenon gene Proteins 0.000 claims 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 claims 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 claims 1
- 125000002485 formyl group Chemical group [H]C(*)=O 0.000 claims 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 abstract 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
- C12N—MICROORGANISMS OR ENZYMES; COMPOSITIONS THEREOF; PROPAGATING, PRESERVING, OR MAINTAINING MICROORGANISMS; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING; CULTURE MEDIA
- C12N5/00—Undifferentiated human, animal or plant cells, e.g. cell lines; Tissues; Cultivation or maintenance thereof; Culture media therefor
- C12N5/0068—General culture methods using substrates
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
- C12N—MICROORGANISMS OR ENZYMES; COMPOSITIONS THEREOF; PROPAGATING, PRESERVING, OR MAINTAINING MICROORGANISMS; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING; CULTURE MEDIA
- C12N2533/00—Supports or coatings for cell culture, characterised by material
- C12N2533/30—Synthetic polymers
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
- C12N—MICROORGANISMS OR ENZYMES; COMPOSITIONS THEREOF; PROPAGATING, PRESERVING, OR MAINTAINING MICROORGANISMS; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING; CULTURE MEDIA
- C12N2535/00—Supports or coatings for cell culture characterised by topography
- C12N2535/10—Patterned coating
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Zoology (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Biotechnology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Bioinformatics & Cheminformatics (AREA)
- Genetics & Genomics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microbiology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Cell Biology (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Apparatus Associated With Microorganisms And Enzymes (AREA)
- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
Verfahren
zur Mikrostrukturierung eines Polymers auf einem Substrat mittels
Lift-off, umfassend die folgenden Schritte:
a) Bereitstellen des Substrats mit einer temporären Schicht in einem vorgegebenen Mikromuster;
b) Abscheidung einer Polymerschicht auf der temporären Schicht/dem Substrat, und
c) Auflösung/Wegätzen der darunterliegenden, temporären Schicht (Lift-off),
dadurch gekennzeichnet, daß die Polymerschicht aus einem vernetzten Polymermaterial besteht, das durch Plasmapolymerisation eines Monomergases in einem Plasma hergestellt wird, wobei das Monomergas ein oder mehrere Arten von Monomeren umfaßt, die ausgewählt werden aus:
(i) substituierten Benzolen und
(ii) (halo)aliphatischen Verbindungen der allgemeinen Formel CZHyXx, worin X Fluor, 15 Chlor, Brom oder Iod ist, z 1–16 ist und x + y 2z + 2, 2z, 2z – 2 oder 2z – 4 ist,
mit der Maßgabe, daß die (halo)aliphatische Verbindung(en) nicht CF4, C2F6 oder C3F8 ist/sind.
a) Bereitstellen des Substrats mit einer temporären Schicht in einem vorgegebenen Mikromuster;
b) Abscheidung einer Polymerschicht auf der temporären Schicht/dem Substrat, und
c) Auflösung/Wegätzen der darunterliegenden, temporären Schicht (Lift-off),
dadurch gekennzeichnet, daß die Polymerschicht aus einem vernetzten Polymermaterial besteht, das durch Plasmapolymerisation eines Monomergases in einem Plasma hergestellt wird, wobei das Monomergas ein oder mehrere Arten von Monomeren umfaßt, die ausgewählt werden aus:
(i) substituierten Benzolen und
(ii) (halo)aliphatischen Verbindungen der allgemeinen Formel CZHyXx, worin X Fluor, 15 Chlor, Brom oder Iod ist, z 1–16 ist und x + y 2z + 2, 2z, 2z – 2 oder 2z – 4 ist,
mit der Maßgabe, daß die (halo)aliphatische Verbindung(en) nicht CF4, C2F6 oder C3F8 ist/sind.
Claims (41)
- Verfahren zur Mikrostrukturierung eines Polymers auf einem Substrat mittels Lift-off, umfassend die folgenden Schritte: a) Bereitstellen des Substrats mit einer temporären Schicht in einem vorgegebenen Mikromuster; b) Abscheidung einer Polymerschicht auf der temporären Schicht/dem Substrat, und c) Auflösung/Wegätzen der darunterliegenden, temporären Schicht (Lift-off), dadurch gekennzeichnet, daß die Polymerschicht aus einem vernetzten Polymermaterial besteht, das durch Plasmapolymerisation eines Monomergases in einem Plasma hergestellt wird, wobei das Monomergas ein oder mehrere Arten von Monomeren umfaßt, die ausgewählt werden aus: (i) substituierten Benzolen und (ii) (halo)aliphatischen Verbindungen der allgemeinen Formel CZHyXx, worin X Fluor, 15 Chlor, Brom oder Iod ist, z 1–16 ist und x + y 2z + 2, 2z, 2z – 2 oder 2z – 4 ist, mit der Maßgabe, daß die (halo)aliphatische Verbindung(en) nicht CF4, C2F6 oder C3F8 ist/sind.
- Verfahren gemäß Anspruch 1, worin die Polymerschicht vor der Auflösung der darunterliegenden Schicht funktionalisiert wird.
- Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, umfassend die folgenden Schritte: a) Spin-Beschichtung eines UV-empfindlichen Photoresists auf das Substrat; b) Maskierung des Resists mit einem bestimmten Muster und Belichtung des Resists mit UV-Licht durch die Maske; c) Entwicklung des Resists; d) Abscheidung einer Polymerschicht auf dem Resist/dem Substrat, und e) Auflösung des darunterliegenden, UV-empfindlichen Photoresists (Lift-off).
- Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, worin ein oder mehrere Monomerarten aus substituierten Benzolen ausgewählt werden.
- Verfahren gemäß Anspruch 4, worin das substituierte Benzol die allgemeine Formel:
- Verfahren gemäß Anspruch 4 oder 5, worin weniger als 10% der Doppelbindungen, die von dem substituierten Benzol stammen, im Material verbleiben.
- Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, worin das substituierte Benzolmonomer oder die substituierten Benzolmonomere weniger als 5% des Monomergases ausmachen.
- Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, worin die erwähnte, temporäre Schicht (
302 ) auf dem Substrat (301 ) eine Maske mit einem komplementären Lochmuster umfaßt, wobei das Muster dem Muster der Mikrostruktur, die auf dem Substrat abgeschieden werden soll, entspricht und die Löcher so eingerichtet sind, daß entsprechende Teile des Substrats exponiert werden und daß sie Abscheidungsmaterial aufnehmen können. - Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, worin die Prozeßschritte zwei- oder mehrmals wiederholt werden.
- Substrat, hergestellt nach dem Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche.
- Vorrichtung, umfassend eine Struktur mit einem Mikromuster, wobei die Vorrichtung ein Substrat und eine Vielzahl von Inseln und/oder Flächen mit einem vernetzten Material umfaßt, das durch Plasmapolymerisation eines Monomergases in einem Plasma hergestellt wurde, wobei das Monomergas eine oder mehrere Monomerarten umfaßt, welche ausgewählt werden aus: (i) substituierten Benzolen und (ii) (halo)aliphatischen Verbindungen der allgemeinen Formel CzHyXx, worin X Fluor, 15 Chlor, Brom oder Iod ist, z 1–16 ist und x + y 2z + 2, 2z, 2z – 2 oder 2z – 4 ist; mit der Maßgabe, daß die (halo)aliphatische Verbindung(en) nicht CF4, C2F6 oder C3F8 ist/sind.
- Vorrichtung gemäß Anspruch 11, worin die Vielzahl von Inseln, die das vernetzte Material enthalten, eine der folgenden Kombinationen von Oberflächeneigenschaften aufweisen: (i) ein Teil der Inseln und/oder Flächen hat eine Zell-adhäsive Oberfläche, und ein Teil der Inseln und/oder Flächen hat eine hydrophobe Oberfläche; (ii) ein Teil der Inseln und/oder Flächen hat eine nicht-Zell-adhäsive Oberfläche, und ein Teil der Inseln und/oder Flächen hat eine hydrophobe Oberfläche; (iii) ein Teil der Inseln und/oder Flächen hat eine Zell-adhäsive berfläche, und ein Teil der Inseln und/oder Flächen hat eine hydrophile Oberfläche, oder (iv) ein Teil der Inseln und/oder Flächen hat eine nicht-Zell-adhäsive Oberfläche, und ein Teil der Inseln und/oder Flächen hat eine hydrophile Oberfläche.
- Verfahren zur Mikrostrukturierung eines Polymers auf einem Substrat mittels Lift-off, umfassend die folgenden Schritte: a) Bereitstellung eines Substrats mit einer temporären Schicht in einem bestimmten Mikromuster; b) Abscheidung einer Polymerschicht auf der temporären Schicht/dem Substrat, und c) Auflösung/Wegätzen der darunterliegenden, temporären Schicht (Lift-off), dadurch gekennzeichnet, daß die Polymerschicht aus einem vernetzten Polymermaterial besteht, das durch Plasmapolymerisation eines Monomergases in einem Plasma hergestellt wird, wobei das Monomergas eine oder mehrere Monomerarten, ausgewählt aus Vinylen, substituierten Vinylenen, Acrylen, Silanen und Phosphiten oder eine Kombination daraus, umfaßt.
- Verfahren gemäß Anspruch 13, worin das Acrylmonomer ausgewählt wird aus Acrylsäure, Methylmethacrylat, Acrolein, Acryloylchlorid und Acrylnitril.
- Verfahren gemäß Anspruch 13, worin das Vinylmonomer ausgewählt wird aus Ethylen, Propylen, Styrol und N-Vinylpyrrolidon.
- Verfahren gemäß Anspruch 13, worin das substituierte Vinylmonomer ausgewählt wird aus Vinyl-di-fluorid, Hexafluorpropan und Vinylchlorid.
- Verfahren gemäß Anspruch 13, worin das Silanmonomer ausgewählt wird aus Tetramethylsilan, Hexamethyl-di-silan und Tri-methylchlorsilan.
- Verfahren gemäß Anspruch 13, worin das Silan-tri-phosphit ausgewählt wird aus Trimethyl-phosphit und Triethyl-phosphit.
- Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 18, bei dem die Polymerschicht vor der Auflösung der darunterliegenden Schicht funktionalisiert wird.
- Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 19, das die folgenden Schritte umfaßt: a) Spin-Beschichtung eines UV-empfindlichen Photoresists auf das Substrat; b) Maskierung des Resists mit einem bestimmten Muster und Belichtung des Resists mit UV-Licht durch die Maske; c) Entwicklung des Resists; d) Abscheidung einer Polymerschicht auf dem Resist/dem Substrat, und e) Auflösung des darunterliegenden, UV-empfindlichen Photoresists (Lift-off).
- Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 20, worin die erwähnte, temporäre Schicht (
302 ) auf dem Substrat (301 ) eine Maske mit einem komplementären Lochmuster umfaßt, wobei das Muster dem Muster der Mikrostruktur, die auf dem Substrat abgeschieden werden soll, entspricht und die Löcher so eingerichtet sind, daß entsprechende Teile des Substrats exponiert werden und daß sie Abscheidungsmaterial aufnehmen können. - Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 21, worin die Verfahrensschritte zwei- oder mehrmals wiederholt werden.
- Substrat, hergestellt nach einem der Ansprüche 13 bis 22.
- Vorrichtung mit einer Mikromuster-Struktur, umfassend ein Substrat und eine Vielzahl von Inseln und/oder Flächen, die ein vernetztes Material umfassen, welches hergestellt wird durch Plasmapolymerisation eines Monomergases in einem Plasma, wobei das Monomergas eine oder mehrere Monomerarten, ausgewählt aus Vinylen, substituierten Vinylenen, Acrylen, Silanen und Phosphiten oder eine Kombination davon, umfaßt.
- Vorrichtung gemäß Anspruch 24, worin die Vielzahl von Inseln, die das vernetzte Material enthalten, eine der folgenden Kombinationen von Oberflächeneigenschaften hat: (i) ein Teil der Inseln und/oder Flächen hat eine Zell-adhäsive Oberfläche, und ein Teil der Inseln und/oder Flächen hat eine hydrophobe Oberfläche; (ii) ein Teil der Inseln und/oder Flächen hat eine nicht-Zell-adhäsive Oberfläche, und ein Teil der Inseln und/oder Flächen hat eine hydrophobe Oberfläche; (iii) ein Teil der Inseln und/oder Flächen hat eine Zell-adhäsive Oberfläche, und ein Teil der Inseln und/oder Flächen hat eine hydrophile Oberfläche, oder (iv) ein Teil der Inseln und/oder Flächen hat eine nicht-Zell-adhäsive Oberfläche, und ein Teil der Inseln und/oder Flächen hat eine hydrophile Oberfläche.
- Verfahren zur Mikrostrukturierung einer Abscheidung von Material auf einem Substrat mittels Lift-off, umfassend: a) Bereitstellung des Substrats (
401 ) mit einer darauf befindlichen, temporären Schicht (402 ), wobei die temporäre Schicht ein vorgegebenes Mikromuster hat; b) Abscheidung des Abscheidungsmaterials (405 ) auf dem Träger und der temporären Schicht, und c) Auflösen/Wegätzen der temporären Schicht, worin das Abscheidungsmaterial ein Polymer ist, das ein vernetztes, polymeres Material umfaßt, welches durch Plasmapolymerisation eines Monomergases in einem Plasma hergestellt wurde, wobei dieses Plasma durch eine Mehrphasen-Wechselstromquelle (708 ,709 ,710 ) oder eine Gleichstromquelle erzeugt wurde. - Verfahren gemäß Anspruch 26, worin die Mehrphasen-Wechselstromquelle zweiphasiger oder dreiphasiger Wechselstrom ist.
- Verfahren gemäß Anspruch 26 oder 27, worin die mehrfache zwei- oder dreiphasige Wechselstromquelle ein Plasma mit einer Plasmaleistungsdichte von bis zu 15 W/l, vorzugsweise im Bereich von 0,010 bis 10 W/l, insbesondere 0,010 bis 5 W/l, erzeugt.
- Verfahren gemäß einem der Ansprüche 26 bis 28, worin das Plasma in einer Reaktionskammer mit einem Druck im Bereich von 10–1.000 μbar, vorzugsweise 25–500 μbar, bereitgestellt wird.
- Verfahren gemäß einem der Ansprüche 26 bis 29, worin das Monomergas eine oder mehrere Monomerarten und eine Inertgaszufuhr umfaßt.
- Verfahren gemäß einem der Ansprüche 26 bis 30, worin das Monomergas eine oder mehrere Monomerarten umfaßt, die ausgewählt werden aus: (i) substituierten Benzolen und (ii) (halo)aliphatischen Verbindungen der allgemeinen Formel CzHyXx, worin X Fluor, Chlor, Brom oder Iod ist, z 1–16 ist und x + y 2z + 2, 2z, 2z – 2 oder 2z – 4 ist, oder (iii) einer Kombination daraus.
- Verfahren gemäß einem der Ansprüche 26 bis 30, worin das Monomergas eine oder mehrere Monomerarten, ausgewählt aus Vinylen, substituierten Vinylenen, Acrylen, Silanen und Phosphiten oder eine Kombination daraus, umfaßt.
- Verfahren gemäß Anspruch 32, worin das Acrylmonomer ausgewählt wird aus Acrylsäure, Methylmethacrylat, Acrolein, Acryloylchlorid und Acrylnitril.
- Verfahren gemäß Anspruch 32, worin das Vinylmonomer ausgewählt wird aus Ethylen, Propylen, Styrol und N-Vinylpyrrolidon.
- Verfahren gemäß Anspruch 32, worin das substituierte Vinylmonomer ausgewählt wird aus Vinyl-di-fluorid, Hexafluorpropan und Vinylchlorid.
- Verfahren gemäß Anspruch 32, worin das Silanmonomer ausgewählt wird aus Tetramethylsilan, Hexamethyl-di-silan und Tri-methylchlorsilan.
- Verfahren gemäß Anspruch 32, worin das Silan-tri-phosphit ausgewählt wird aus Trimethyl-phosphit und Triethyl-phosphit.
- Verfahren gemäß einem der Ansprüche 26 bis 37, worin die Verfahrensschritte zwei- oder mehrmals wiederholt werden.
- Substrat, hergestellt nach einem der Ansprüche 26 bis 38.
- Vorrichtung, umfassend eine Mikromuster-Struktur, wobei die Vorrichtung ein Substrat und eine Vielzahl von Inseln und/oder Flächen mit einem vernetzten Material umfaßt, das durch Plasmapolymerisation eines Monomergases in einem Plasma hergestellt wurde, wobei das Monomergas eine oder mehrere Monomerarten, ausgewählt aus Vinylen, substituierten Vinylenen, Acrylen, Silanen und Phosphiten oder eine Kombination daraus, umfaßt.
- Vorrichtung gemäß Anspruch 40, worin die Vielzahl von Inseln, die das vernetzte Material enthalten, eine der folgenden Kombinationen von Oberflächeneigenschaften aufweisen: (i) ein Teil der Inseln und/oder Flächen hat eine Zell-adhäsive Oberfläche, und ein Teil der Inseln und/oder Flächen hat eine hydrophobe Oberfläche; (ii) ein Teil der Inseln und/oder Flächen hat eine nicht-Zell-adhäsive Oberfläche, und ein Teil der Inseln und/oder Flächen hat eine hydrophobe Oberfläche; (iii) ein Teil der Inseln und/oder Flächen hat eine Zell-adhäsive Oberfläche, und ein Teil der Inseln und/oder Flächen hat eine hydrophile Oberfläche, oder (iv) ein Teil der Inseln und/oder Flächen hat eine nicht-Zell-adhäsive Oberfläche, und ein Teil der Inseln und/oder Flächen hat eine hydrophile Oberfläche.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP01610052A EP1260863A1 (de) | 2001-05-23 | 2001-05-23 | Mikrostrukturierung von plasma-polymerisierten Beschichtungen |
| EP01610052 | 2001-05-23 | ||
| PCT/DK2002/000274 WO2002095497A2 (en) | 2001-05-23 | 2002-04-25 | Method of lift-off microstructuring deposition material on a substrate, substrates obtainable by the method, and use thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE02729921T1 true DE02729921T1 (de) | 2005-01-13 |
Family
ID=8183539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2002729921 Pending DE02729921T1 (de) | 2001-05-23 | 2002-04-25 | Mikrostrukturierung einer beschichtung auf einem substrat mittels lift-off, auf diese weise hergestellte substrate und deren verwendung |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050089803A1 (de) |
| EP (2) | EP1260863A1 (de) |
| JP (1) | JP2004532330A (de) |
| AU (1) | AU2002302356A1 (de) |
| CA (1) | CA2448386A1 (de) |
| DE (1) | DE02729921T1 (de) |
| WO (1) | WO2002095497A2 (de) |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1398831A3 (de) * | 2002-09-13 | 2008-02-20 | Shipley Co. L.L.C. | Bildung von Luftspalten |
| KR101180497B1 (ko) * | 2002-11-29 | 2012-09-06 | 안드레아스 야콥 | 중간층 및 지지층을 갖는 웨이퍼 및 웨이퍼를 처리하기위한 방법 및 장치 |
| WO2004069988A1 (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Cellseed Inc. | 高密度細胞アレイ用基板、製造法、及びその利用方法 |
| JP4247231B2 (ja) * | 2003-10-17 | 2009-04-02 | 育男 森田 | 人工細胞組織の作成方法、及びそのための基材 |
| FR2879483B1 (fr) * | 2004-12-20 | 2007-04-27 | Commissariat Energie Atomique | Procede pour augmenter l'hydrophobicite d'un revetement externe d'un dispositif d'analyse, tel qu'une biopuce, un tel dispositif et procedes pour sa fabrication |
| DE102005034764B4 (de) * | 2005-07-26 | 2012-08-02 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung von funktionalen Fluor-Kohlenstoff-Polymerschichten mittels Plasmapolymerisation von Perfluorocycloalkanen und damit beschichtete Substrate |
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| EP2000299A4 (de) | 2006-03-24 | 2009-08-05 | Konica Minolta Med & Graphic | Transparente sperrfolie und verfahren zur herstellung einer transparenten sperrfolie |
| EP2000300A4 (de) | 2006-03-24 | 2009-08-05 | Konica Minolta Med & Graphic | Transparente sperrfolie und verfahren zu ihrer herstellung |
| GB0621224D0 (en) * | 2006-10-24 | 2006-12-06 | Univ Durham | A method for producing an amine functionalised surface |
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| FR2923494B1 (fr) * | 2007-11-09 | 2010-01-15 | Hutchinson | Membranes imper-respirantes et leur procede de fabrication |
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| GB0805495D0 (en) * | 2008-03-26 | 2008-04-30 | Sun Chemical Bv | An ink jet-printable composition and a masking process |
| EP2398629A4 (de) | 2009-02-17 | 2016-06-08 | Univ Illinois | Verfahren zur herstellung von mikrostrukturen |
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| US20100244820A1 (en) * | 2009-03-26 | 2010-09-30 | Biomimetics Technologies Inc | Microchip for detection of poor sources of electrical and magnetic fields |
| US9580681B2 (en) | 2009-09-01 | 2017-02-28 | Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration | Method of manufacturing patterned substrate for culturing cells, patterned substrate, and patterned cell chip |
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| US9868902B2 (en) | 2014-07-17 | 2018-01-16 | Soulbrain Co., Ltd. | Composition for etching |
| GB201621177D0 (en) | 2016-12-13 | 2017-01-25 | Semblant Ltd | Protective coating |
| MX2019006512A (es) | 2016-12-22 | 2019-10-02 | Illumina Inc | Aparato de impresion. |
| WO2021017674A1 (zh) * | 2019-07-26 | 2021-02-04 | 江苏菲沃泰纳米科技有限公司 | 疏水性表面涂层及其制备方法 |
| CN111348840B (zh) * | 2020-02-24 | 2021-05-14 | 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 | 疏水性表面涂层及其制备方法 |
| US12188116B2 (en) | 2020-08-19 | 2025-01-07 | The Regents Of The University Of California | Free-standing lithium phosphorus oxynitride think films and methods of their manufacture |
| CN113747710B (zh) * | 2021-08-27 | 2023-06-27 | 维达力实业(深圳)有限公司 | 盖板及其制备方法、电子设备 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE3173581D1 (en) * | 1980-10-28 | 1986-03-06 | Toshiba Kk | Masking process for semiconductor devices using a polymer film |
| JPH01165119A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| DD277466A1 (de) * | 1988-11-30 | 1990-04-04 | Karl Marx Stadt Tech Hochschul | Verfahren zur immobilisierung biologisch aktiver materialien |
| DE3942964A1 (de) * | 1989-12-23 | 1991-06-27 | Leybold Ag | Einrichtung fuer die erzeugung eines plasmas |
| JPH05176753A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-07-20 | Nec Corp | 細胞培養用基板とその作製方法 |
| KR19990041210A (ko) * | 1997-11-21 | 1999-06-15 | 박원훈 | 플라즈마를 이용한 재료표면상의 다양한 특성의 고분자 합성방법 |
| JP3368852B2 (ja) * | 1998-11-27 | 2003-01-20 | 株式会社村田製作所 | 積層パターンの形成方法 |
| US6211054B1 (en) * | 1999-06-01 | 2001-04-03 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a conductive line and method of forming a local interconnect |
| WO2001031671A1 (en) * | 1999-10-26 | 2001-05-03 | Stellar Display Corporation | Method of fabricating a field emission device with a lateral thin-film edge emitter |
| US6524937B1 (en) * | 2000-08-23 | 2003-02-25 | Tyco Electronics Corp. | Selective T-gate process |
-
2001
- 2001-05-23 EP EP01610052A patent/EP1260863A1/de not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-04-25 CA CA002448386A patent/CA2448386A1/en not_active Abandoned
- 2002-04-25 JP JP2002591908A patent/JP2004532330A/ja active Pending
- 2002-04-25 WO PCT/DK2002/000274 patent/WO2002095497A2/en active Application Filing
- 2002-04-25 DE DE2002729921 patent/DE02729921T1/de active Pending
- 2002-04-25 AU AU2002302356A patent/AU2002302356A1/en not_active Abandoned
- 2002-04-25 US US10/478,947 patent/US20050089803A1/en not_active Abandoned
- 2002-04-25 EP EP02729921A patent/EP1423756A2/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004532330A (ja) | 2004-10-21 |
| WO2002095497A3 (en) | 2004-03-25 |
| EP1423756A2 (de) | 2004-06-02 |
| CA2448386A1 (en) | 2002-11-28 |
| EP1260863A1 (de) | 2002-11-27 |
| AU2002302356A1 (en) | 2002-12-03 |
| WO2002095497A2 (en) | 2002-11-28 |
| US20050089803A1 (en) | 2005-04-28 |
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